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(SILICIO Y GERMANIO)
EXPERIMENTO 3
1. Objetivos:
2. Introduccin terica:
DIODO
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de
agotamiento, de vaciado, etc.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el
otro, la zona de carga espacial es mucho mayor. Al dispositivo as obtenido se le
denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a
una diferencia de potencial externa, se dice que no est polarizado. Al extremo p, se le
denomina nodo, representndose por la letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se
representa por la letra C.
A (p) C (n)
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est
polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
POLARIZACIN DIRECTA:
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo
de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones
podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto
es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los
cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona
de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose
en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo
positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del
cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
POLARIZACIN INVERSA:
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la
zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta
que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan
hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n,
los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su
electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la
capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1,
con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la
zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con
lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio,
tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el
denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la
batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los
Zener, se puede producir por ambos efectos.
MODELOS MATEMTICOS:
qV
I I S e nKT / 1
Dnde:
Diodo avalancha
Fotodiodo
Diodo Gunn
Diodo lser
Diodo LED
Diodo p-i-n
Diodo Schottky
Diodo Shockley (diodo de cuatro capas)
Diodo tnel
Diodo Varactor
Diodo Zener
3. Materiales y equipos:
Un Multmetro digital.
Los multmetros digitales se identifican principalmente por un panel numrico para leer
los valores medidos, la ausencia de la escala que es comn en los analgicos.
Multmetro Digital:
Marca: Fluke
N de serie: 64680428
Cables y conectores.
Resistores.
Un Miliampermetro y un Micro ampermetro
Un Voltmetro de c.c.
4. Procedimiento experimental:
1. Usando el ohmmetro medir las resistencias directa e inversa del diodo. Registrar
los datos en la Tabla 1
2. Armar el circuito de la figura 1.
Tabla 1 (Si)
R directa() R inversa(M)
849 > 40 M
Tabla 2
Vcc 0.50 0.57 0.59 0.65 0.75 0.84 1.15 1.46 1.64 1.83 2.15 2.63
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0.471 0.501 0.531 0.566 0.600 0.623 0.657 0.679 0.689 0.698 0.708 0.720
Tabla 3
Vcc(v) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0.0 1.972 3.973 5.96 7.91 9.97 11.92 14.14 19.85
Id(uA) 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0
3.- Usando el ohmmetro medir las resistencias directa e inversa del diodo. Registrar los
datos en la Tabla 4
Tabla 4 (Ge)
R directa() R inversa(M)
313.9 0.059 M
4.- Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio, de manera similar al
paso 2, proceder a llenar las tablas 5 y 6
Tabla 5
Vcc(v) 0.15 0.20 0.24 0.31 0.41 0.52 0.82 1.15 1.32 1.52 1.83 2.23
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0.151 0.188 0.212 0.239 0.270 0.292 0.332 0.363 0.377 0.390 0.406 0.429
Tabla 6
Vcc(v) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Vd(v) 0 0.985 1.972 3.975 5.91 7.90 9.94 11.96 14.76 17.74 19.61
Id(uA) 0 0.4 0.6 0.8 1.0 1.15 1.5 1.9 4.4 15.2 32
5. Cuestionario final:
(+1)
= = 1,2,3..
(+1)
Para la tabla 2 :
Vcc 0.50 0.57 0.59 0.65 0.75 0.84 1.15 1.46 1.64 1.83 2.15 2.63
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0.471 0.501 0.531 0.566 0.600 0.623 0.657 0.679 0.689 0.698 0.708 0.720
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
() 0.300 0.150 0.087 0.043 0.026 0.014 0.007 0.005 0.005 0.003 0.002
Para la tabla 3:
Vcc(v) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0.0 1.972 3.973 5.96 7.91 9.97 11.92 14.14 19.85
Id(uA) 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0
Aplicando la formula tendremos las resistencias directas en el siguiente cuadro:
1 2 3 4 5 6 7 8
()
Vcc(v 0.15 0.20 0.24 0.31 0.41 0.52 0.82 1.15 1.32 1.52 1.83 2.23
)
Id(m 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
A)
Vd(v) 0.15 0.18 0.21 0.23 0.27 0.29 0.33 0.36 0.37 0.390 0.40 0.429
1 8 2 9 0 2 2 3 7 6
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
() 0.370 0.120 0.068 0.039 0.024 0.016 0.010 0.007 0.007 0.005 0.005
Para la tabla 6:
Vcc(v) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Vd(v) 0 0.985 1.972 3.975 5.91 7.90 9.94 11.96 14.76 17.74 19.61
Id(uA) 0 0.4 0.6 0.8 1.0 1.15 1.5 1.9 4.4 15.2 32
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
() 2.463 4.935 10.015 9.675 13.267 5.829 5.050 1.120 0.276 0.111 0.613
3. Interpretar los datos obtenidos de la tabla
Para ambos casos (diodo de silicio y diodo de germanio) se dan dos situaciones cuando
se encuentran polarizados directamente e inversamente.
6. Conclusiones:
http://www.unicrom.com
http://es.wikipedia.org
https://espanol.answers.yahoo.com/question/index?qid=20100228181015AAF0
KqC
http://html.rincondelvago.com/diodo-semiconductor.html