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CIRCUITOS
ELECTRNICOS
DIEGO CARRERA
CARLOS CONTRERAS
MARCO JARA
Profesor
Ing. Antonio Caldern
TABLA DE CONTENIDO
INTRODUCCION: EL TRANSISTOR BIPOLAR 4
Configuraciones del Transistor 6
AMPLIFICADORES EN CASCADA 45
Tipos De Acoplamiento 46
Acoplamiento Capacitivo 46
Acoplamiento Directo 62
Amplificador Cascode 62
Amplificador Diferencial 68
Acoplamiento directo 73
RESPUESTA DE FRECUENCIA 75
Introduccin 75
Respuesta de frecuencia en amplificadores 85
Respuesta de frecuencia en alta frecuencia 97
REALIMENTACIN 101
Realimentacin Negativa 104
Formas de Realimentacin 116
Realimentacin Positiva (Circuitos Osciladores) 123
Tipos de osciladores 123
Oscilador RC 126
Oscilador de puente de Wien 134
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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
BIBLIOGRAFA 181
ANEXOS 182
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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
INTRODUCCION
EL TRANSISTOR BIPOLAR
El anlisis del transistor se realizar para una estructura NPN, y es anlogo para el PNP.
De estas tres corrientes, la del emisor es la ms grande, puesto que ste se comporta como
fuente de electrones. La corriente de base es muy pequea, no suele llegar al 1% de la
corriente de colector.
Existen dos parmetros que relacionan las distintas corrientes, el coeficiente alfa para
continua, , y la ganancia de corriente beta, .
= IC / IE
= IC / IB
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Curvas caractersticas
a) Caractersticas de entrada
La caracterstica de entrada relaciona dos magnitudes de entrada con una de salida. En el caso
de la configuracin en emisor comn se tiene la corriente de base en funcin de la tensin
base-emisor, para distintos valores de tensin colector- emisor. La corriente de base y la
tensin base-emisor son variables de entrada, mientras que la tensin colector-emisor es una
magnitud de salida.
b) Caractersticas de salida
La caracterstica de salida tiene dos de las tres magnitudes pertenecientes al circuito de salida.
Las curvas que relacionan la corriente de colector, la de base y la tensin emisor-colector son
caractersticas de salida en configuracin emisor-comn, mientras que las que relacionan la
corriente de emisor, la de colector y la tensin colector-base son las curvas correspondientes a
una configuracin en base comn.
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Regiones de trabajo
Regin de corte. Para un transistor de silicio, VBE es inferior a 0,6 V ( para germanio 0,2 V),
ambas uniones estn polarizadas en sentido inverso y las intensidades en los terminales se
pueden considerar despreciables. En otras palabras, el voltaje de base no es lo suficientemente
alto para que circule corriente por la juntura base emisor, por lo que la corriente de colector es
igualmente despreciable.
Regin Activa Normal. La unin base-emisor est polarizada en sentido directo ( VBE > 0,6
V) y la unin colectora lo est en sentido inverso, la corriente inversa que circula en la unin
de colector es veces la corriente que circula en sentido directo base emisor. Esta zona es
muy importante, puesto que el transistor funciona en ella cuando se utiliza para amplificar
seales.
IN
Q1
NPN
Terminal de Entrada: Base
Terminal de Salida: Colector
Terminal Comn: Emisor
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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
IN
Q1
NPN
Terminal de Entrada: Base
Terminal de Salida: Emisor
Terminal Comn: Colector
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Los datos necesarios para el diseo que nosotros debemos proponernos puesto que si el diseo
es orientado a un cliente, este no nos va a proporcionar, sino nicamente nos va a decir hacia
que aplicacin esta orientado el circuito, a partir de esto nosotros debemos plantearnos los
datos o indagar al mismo cliente para de alguna manera obtenerlos
Entonces los datos necesarios para empezar con nuestro diseo son:
Ganancia (A): Se refiere a la amplificacin que se desea a la salida a partir de una seal de
entrada.
Vo
A=
Vin
Son valores bajos y para el caso de diseo de una etapa de amplificacin se considera como
valor mximo una ganancia de 50 puesto que cuando mayor es la ganancia la probabilidad de
inestabilidad es mayo (1 Etapa).
Para amplificadores de seal se manejan bajos voltajes (mV), es poco usual tener voltajes en
el orden de decenas e incluso centenas de voltios para una sola etapa.
Carga (RL): Es lo que se va a conectar al amplificador a su salida. Este posee una resistencia
cuyo valor usualmente esta en las decenas de ohmios o unidades de kilo-ohmios.
: Valor caracterstico del transistor a ser utilizado obtenido en manuales del fabricante. El
valor de para TBJ de seal es alto, por ejemplo utilizamos 100 que es el valor tpico del
transistor 2N3904.
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Circuito
En el circuito amplificador en emisor comn podemos observar que la seal ingresa por la
Terminal de base y la salida esta en e Terminal de colector. Adems debemos mencionar que
la seal de salida esta desfasada 180 con respecto a la seal de entrada
La regla general para obtener la ganancia en un circuito de emisor comn es: Todo lo que
est en colector para seal divido para todo lo que est en emisor para seal.
RC || RL
A=
re + RE1
Rin = R1 || R2 || RinT
Donde RinT es la impedancia de entrada en el transistor y es igual a (+1) por todo lo que esta
en emisor para seal, por lo tanto:
R1 y R2 estn en paralelo puesto que para seal Vcc es tierra. A este paralelo le podemos
representar como RB.
Para el diseo de un circuito en emisor comn es necesario tener muy en cuenta que se
cumpla la condicin de impedancia de entrada por lo tanto:
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De la expresin de ganancia :
RC || RL
A=
re + RE1
sea Req = RC || RL
Req Req
A= re + RE1 = (2)
re + RE1 A
reemplazando la ec. 2 en la inecuacin 1
R
( + 1) eq Rin
A
De la que obtenemos la expresin :
A
Req Rin
( + 1)
De esta ltima expresin podemos obtener la condicin de RC que nos ayudar a empezar con
nuestro diseo
Dentro del diseo tambin hay condiciones para evitar recortes en la seal de salida las cuales
se especifican a continuacin:
Con la ayuda de las curvas caractersticas del transistor
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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
I C io p
VRC Vop
RC Req
RC
VRC Vop
Req
La eleccin correcta del valor RC nos permitir obtener valores bajos de Vcc pero corrientes
altas y viceversa
Si RC << RL
VRC vop
Si RC = RL
VRC 2.vop
Si RC >> RL ( RC = 10 RL )
VRC 10.vop
Esta grfica nos permite observar lo que nos expresa en la inecuacin y como podemos
observar el vop se refiere al del ciclo positivo
El eje vertical de voltajes nos va a ayudar a la explicacin de otras condiciones para que no
exista distorsin. Por ejemplo, para asumir el voltaje emisor se puede observar en el eje que
debe ser mayor a vinp pero adems se debe sumar 1 V que es por motivo de estabilidad trmica
en el circuito.
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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Para el caso del voltaje colector emisor en la grafica podemos observar que debe ser mayor
a la suma de vinp y vop , pero adems se debe aumentar 2 V (vact) para garantizar que el
transistor trabaje en la regin activa como se observa en la curva caracterstica del TBJ.
A
Req Rin
( + 1)
50
RC || RL * 3k
90 + 1
RC || RL 1.64 k
RC 9.37 k
Asumo Rc = 12 k ; asumo este valor de resistencia observando el voltaje de salida para no obtener
un Vcc muy alto lo cual implica ms gastos, tambin el valor de corriente que
me generaria
Req = RC || RL = 12k || 2k = 1.714 k
Ya que las resistencias poseen una tolerancia los valores de las mismas van a oscilar; esto
puede ocasionar que se produzca recortes en la seal de salida por lo que se multiplica los
valores de VRC y VE por un factor de seguridad que va a depender de la tolerancia, en la
siguiente tabla se muestra el factor de seguridad junto con la tolerancia:
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RC
VRC vop
Req
12k
VRC 10V VRC 70V a este valor final le multiplicamos el factor de seguridad
1.714k
VRC 84V
Asumimos VRC = 84V
VRC 84V
IC = = = 7 mA
RC 12k
Se procede a calcular el parmetro propio del transistor re mediante la frmula
25mV
re =
IE
Dado que el es alto podemos realizar la aproximacin de I E = I C por lo tanto
25mV 25mV
re = = = 3.57
IC 7mA
el valor de re varia con la temperatura por lo que se pone R E1 para que el circuito sea estable
termicamente
A partir de la frmula de ganancia y despejando re + RE1
Req1.714k
re + RE1 = =
A 50
re + RE1 = 34.28
Comparando este ltimo valor con re , observamos que es mucho mayor por lo tanto se concluye que
es estable termicamente.
RE1 = 34.28 re = 34.28 3.57 = 30.71 se puede seleccionar dos valores de resistencia estadar
(33 y 27)
Seleccionamos la resistencia de 33 seleccionamos la resistencia ya que ayuda a aumentar Rin e
incluso con la estabilidad del circuito.
RE1 = 33
Antes de continuar con el diseo se recomienda terminar primero con el lado de salida y despus con
lado de entrada
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vop 10V
vinp = = = 0.2V
A 50
VCE vop + vact + vinp ; VCE 10V + 2V + 0.2V VCE 12.2V
Este valor es opcional que se multiplique por el factor de seguridad. Ya que si se aumenta el valor
de Vcc el sobrante se envia a VCE y ya se cumple el valor mnimo que especifica la condicin.
Hay que observar el valor caracterstico del transistor de VCE , ya que si en el calculo supera a
este puede causar daos en el dispositivo. La solucin es seleccionar otro transistor de mayor VCE
En este ejercicio no se asume el valor de VE con la inecuacin que se dedujo ya que la condicin
de Rin no se va a cumplir ya que hay una estrecha relacion de lo que hay en el emisor y lo que hay
en la base (R 1 y R 2 ) que son variables que estan dentro de la ecuacin de Rin
Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin
I 7mA
IB = C = = 77 A
90
Sea I1 la corriente que circula por R 1 y I 2 la corriente que circula por R 2
I1 = I B + I 2
Como podemos observar, si I B es comparable con I 2 las variaciones de I B producir cambios
de I 2 haciendo que el voltaje de la base sea variable variando todas las caractersticas del lado
de salida hecho que no nos combiene por lo tanto se hace :
I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin
I 2 = 0.777mA
I1 = I B + I 2 = 77 A + 0.777mA = 0.85mA
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RE 2 = 4.7k
Vcc = VE + VCE + VRC = 35.92V + 12.2V + 84V = 132.12V
Elijo Vcc = 135V el exceso envio a VCE
Rin = R1 || R2 || RinT = 120k || 47k || 3.3k = 3.01k
La razn por la que da Vcc excesivamente alto es que los valores de Rc son mayores a RL.
Calculo de Capacitores
El objetivo de los capacitores es controlar el flujo y rechazo de voltajes alternos y voltajes continuos
respectivamente (capacitor acopla seal y desacopla continua). Esta deduccin de las frmulas se
aplica a cualquier configuracin
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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
En el ejemplo
1
C B >>
2. . f min Rin
1
C B >>
2. .1kHz * 3.01k
C B >> 52.87nF
C B = 1F
RC || ( X C + RL )
A=
re + RE1
RC || RL
Si X C << RL A =
re + RE1
1
CC >>
2. . f min RL
En el ejemplo
1
CC >>
2. . f min RL
1
C B >>
2. .1kHz * 2k
C B >> 79.6nF
C B = 1F
Capacitor de Emisor
R eq
A=
re + R E 1 + ( X E || R E 2 )
R eq
Si X E << R E 2 A =
re + R E 1 + X E
R eq
Si X E << re + R E 1 A =
re + R E 1
1 1
C E >> C E >>
2 . . f min R E 2 2 . . f min (re + R E 1 )
En el ejemplo
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1 1
C E >> C E >>
2. . f min RE 2 2. . f min (re + RE1 )
1 1
C E >> C E >>
2. .1kHz * 4.7k 2. .1kHz (3.57 + 33 )
C E >> 33.86nF C E >> 4.35F
C E = 47 F
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En el circuito amplificador en base comn podemos observar que la seal ingresa por la
Terminal de emisor y la salida esta en el Terminal de colector. La caracterstica de este
circuito es que la seal de salida esta en fase a la seal de entrada.
La regla general para obtener la ganancia en un circuito en base comn es: Todo lo que est
en colector para seal divido para todo lo que est en desde el punto de ingreso hacia
emisor para seal.
RC || RL
A=
re + RE1
Como el capacitor CB es cortocircuito para seal las resistencias R1 y R2 no estn en la
frmula de la ganancia
Dado que la seal ingresa por el emisor se obtiene la expresin de la impedancia de entrada:
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Ejercicio
En el siguiente circuito obtenga la ecuacin de la ganancia e impedancia de entrada.
Recordemos la regla para obtener la ganancia Todo lo que est en colector para seal divido
para todo lo que est en desde el punto de ingreso hacia emisor para seal
Lo que esta desde el punto de ingreso hacia emisor para seal: re+[(R1||R2)/(+1)], el factor
1/(+1) esta presente cuando se toma valores de la base vistos desde el emisor
R || R
Rin = RE || re + 1 2
+1
Condiciones de diseo
Siguiendo con el procedimiento de diseo para esta configuracin, se inicia asumiendo la
resistencia RC y asumiendo el valor de VRC con la misma condicin demostrada en el diseo
de emisor comn para evitar distorsiones en la seal de salida.
RC
VRC vop
Req
siendo Req = RC || RL
La eleccin correcta del valor RC nos permitir obtener valores bajos de Vcc pero corrientes
altas y viceversa
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Con la ayuda del eje vertical de voltajes para esta configuracin, obtenemos las condiciones
para asumir VRE2 que es el voltaje de ingreso en este circuito y el VCE.
Por lo tanto
VE 1V + vinp
VCE vop + vact
La presencia de 1V y vact en VE y VCE respectivamente son por las mismas razones expuestas
en el circuito de emisor comn
Las condiciones a cumplir referentes a estabilidad trmica y de polarizacin son las mismas.
A = 10
vo = 5 V
RL = 5.6 k
f = 20 Hz 20 kHz
min = 80
El circuito a disear es el mostrado al inicio de este tema ya que ofrece mayor estabilidad que
el mostrado en el ejercicio de ganancias e impedancias porque no depende de dos parmetros
propios del transistor
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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
vop 5V
vinp = = = 0.5V
A 10
VCE vop + vact ; VCE 5V + 2V VCE 7V
VRE2 1V + vinp VRE2 1V + 0.5V VRE2 1.5V por el factor de seguridad VRE2 1.95V
VRE 2 = 2V
VRE 2 2V
RE 2 = = = 465.12
IE 4.3mA
RE 2 = 470
VE = I E (RE1 + RE 2 ) = 4.3mA(150 + 470 ) = 2.66V
Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin
IC 4.3mA
IB = = = 53.75A
80
Calculo de Capacitores
Son las mismas condiciones para el caso de los capacitores de entrada y salida para el de base se
realizar el respectivo anlisis. Al inicio del ejercicio da un rango de frecuencia. La frecuencia
utilizada para el calculo es la frecuencia de trabajo fijada en nuestro ejemplo como 1 kHz
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En el ejemplo
1
C E >>
2. . f min Rin
1
C E >>
2. .1kHz *117
C E >> 1.36 F
C E = 18F
X C << RL
1
CC >>
2. . f min RL
En el ejemplo
1
CC >>
2. . f min RL
1
C B >>
2. .1kHz * 5.6k
C B >> 28.42nF
C B = 0.47 F
Capacitor de Base
Para obtener la condicin de este capacitor vamos a emplear la formula de impedancia considerando
XB
R || X B
Rin = RE 2 || RE1 + re + B RB = R1 || R2
+ 1
X
Si X B << RB Rin = RE 2 || RE1 + re + B
+1
XB
Si << re + RE1 Rin = RE 2 || (RE1 + re )
+1
1 1
C B >> CB >>
2. . f min RB 2. . f min (re + RE1 )( + 1)
En el ejemplo
1 1
C B >> C B >>
2. . f min RB 2. . f min (re + RE1 )( + 1)
1 1
C B >> C B >>
2. .1kHz * (27 k || 5.6k ) 2. .1kHz * 81 * (5.81 + 150 )
C B >> 34.31nF C B >> 12.61nF
C B = 0.47 F
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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
En el circuito amplificador en base comn podemos observar que la seal ingresa por la base
y la salida esta en el emisor. Este circuito tambin es conocido como seguidor emisor. La
caracterstica de este circuito es que la ganancia no es mayor que 1.
La regla general para obtener la ganancia en un circuito en colector comn es: Todo lo que
est en emisor desde el punto de salida a tierra dividido para todo lo que est en emisor.
RE || RL Req
A= =
re + RE || RL re + Req
Ejemplo de obtencin de la ganancia: en la grfica aparece solo la parte del circuito que
corresponde al emisor.
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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Continuando con el diseo en colector comn. Dado que la seal ingresa por la base se
obtiene la expresin de la impedancia de entrada similar a la configuracin en emisor comn.
Rin = R1 || R2 || RinT
Donde RinT es la impedancia de entrada en el transistor y es igual a (+1) por todo lo que esta
en emisor para seal, por lo tanto:
RinT = ( + 1)(re + RE || RL )
[
Rin = RB || ( + 1)(re + Req ) ]
Para el diseo de un circuito en colector comn es necesario tener muy en cuenta que se
cumpla la condicin de impedancia de entrada por lo tanto:
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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
RinT Rin
( + 1)(re + Req ) Rin (1)
De la expresin de ganancia :
Req
A=
re + Req
donde Req = RE || RL
Req
re + Req = ( 2)
A
reemplazando la ec. 2 en la inecuacin 1
Req
( + 1) Rin
A
De la que obtenemos la expresin :
A
Req Rin
( + 1)
La peor condicin es que A = 1 por lo tanto
Rin
Req
( + 1)
De esta ltima expresin podemos obtener la condicin de RE que nos ayudar a empezar con
nuestro diseo
Al igual que con la configuracin en emisor comn hay que evitar recortes de la seal,
Como en la configuracin en emisor comn a partir de las curvas caractersticas del transistor
obtenemos lo siguiente:
I E io p
VRE Vop
RE Req
VRE = VE
RE
VE Vop
Req
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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
vop = 3V
Rin 6 k
RL = 3.9 k
f= 1 kHz
= 100
Rin
Req
( + 1)
6k
RE || RL
100 + 1
RE || RL 60
RE 60.94
Asumo RE = 390 ; asumo este valor de resistencia observando el voltaje de salida y teniendo en
cuenta que si selecciono el mnimo R B y por lo tanto Vcc pero tam -
bin si nos alejamos mucho Vcc sube
Req = RE || RL = 390 || 3.9k = 354.5
RE
VRE vop
Req
390
VE 3V VE 3.3V por factor de seguridad VRE 3.96V
354.5
Asumimos VRE = 4V
VRE 4V
IE = = = 10.25 mA
RE 390
Se procede a calcular el parmetro propio del transistor re mediante la frmula
25mV 25mV
re = = = 2.44
IE 10.25mA
Para comprobar que hay estabilidad trmica comparamos R eq >> re lo cual si cumple en el
presente ejercicio
Del no cumplir la estabilidad trmica asumimos nuevo re tal que cumpla y recalculamos IE y
VRE igual procedimiento se realiza en las anteriores configuraciones pero con IC y VRC
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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
IE 10.25mA
IB = = = 101.49 A
+1 101
I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin
I 2 = 1mA
I1 = I B + I 2 = 101.49 A + 1mA = 1.1mA
VB VE + VJBE 4V + 0.6V
R2 = = = = 4.6k
I2 I2 1mA
Pero tenemos que observar que las resistencias de la base cumplan con Rin por lo tanto
RinT = ( + 1)(re + Req ) = 101 * (2.44 + 354.5) = 36.05k
Rin 6k
RB || RinT 6k RB = R1 || R2
RB 7.2k multiplicando este valor por el punto mximo de tolerancia por seguridad
RB 7.92k
Asumiendo que R 1 y R 2 son iguales y a partir de R B concluyo que
18 k
R1 = R2 = 2 * RB = 15.84k
15 k
R1 = R2 = 18k
VB = I 2 * R2 = 1mA * 18k = 18V
VR1 = I1 * R1 = 1.1mA * 18k = 19.8V
Vcc = VB + VR1 = 18V + 19.8V = 37.8V
Vcc = 38V
Con el cambio realizado de los valores de R1 y R2 calculo el nuevo valor de VE
VE = VB VJBE = 18V 0.6V = 17.4V
VE 17.4V
RET = = = 1.69k
I E 10.25mA
Para no volver a hacer los recalculos y dejar el mismo valor de R E calculado inicialmente
la solucin es aumentar al circuito original una resistencia en serie a R E y en paralelo
conectamos un capacitor puesto las dos resistencias en serie solo funcionaran para DC y
para AC solo la resistencia que consta en la frmula de ganancia
El cambio realizado es:
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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
El valor de R E2 ser
RET = RE1 + RE 2 RE 2 = RET RE1 = 1.69k 390 = 1.3k
RE 2 = 1.2k
RE1 || RL 354.5
A= = = 0.993
re + RE1 || RL 2.44 + 354.5
VCE vop + vact VCE 3V + 2V VCE 5V Necesario
VCE = Vcc VE = 38V 17.4V = 20.6V Tengo Cumplo con VCE necesario
Rin = R1 || R2 || RinT = 18k || 18k || 36.05k = 7.2k
Calculo de Capacitores
X E1 << RL
1
C E1 >>
2. . f min RL
En el ejemplo
1
C E1 >>
2. . f min RL
1
C B >>
2. .1kHz * 3.9k
C B >> 40.8nF
C B = 0.47 F
29
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
RL || (RE1 + (RE 2 || X E 2 ))
A=
re + RE1 || RL
RL || (RE1 + X E 2 )
Si X E 2 << RE 2 A =
re + RE1 || RL
RL || RE1
Si X E 2 << RE1 A =
re + RE1 || RL
1 1
C E 2 >> C E 2 >>
2. . f min RE 2 2. . f min RE1
En el ejemplo
1 1
C E >> C E >>
2. . f min RE 2 2. . f min RE1
1 1
C E >> C E >>
2. .1kHz *1.2k 2. .1kHz * 390
C E >> 132.63nF C E >> 408.08nF
C E = 4.7 F
30
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Se crea la necesidad de tener circuitos que proporcionen una alta impedancia de entrada para
poder ser conectados a generadores y que toda la seal sea amplificada.
Entre los dispositivos electrnicos que proporcional alta impedancia de entrada estn:
Entre los circuitos electrnicos que proporcional alta impedancia de entrada estn:
En este tema vamos a estudiar los Circuitos de Autolevacin (Emisor y Colector comn) y
Circuitos Darlington
CIRCUITOS DE AUTOELEVACIN
Emisor Comn con Autoelevacin
Circuito
Vcc
+V
R1 RC
CC
CB +
+ R
Q1
1
+
3 2
C RL
RE1
+
Vin R2
-
+
RE2 CE
Tenemos el siguiente anlisis del circuito considerando todos los capacitores en cortocircuito:
31
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Ejercicio
A = 20
vop = 1V
RL = 2.7 k
Rin 10k
f = 1 kHz
= 100
Vcc
+V
R1 RC
CC
CB +
+ R
Q1
C RL
RE1
+
Vin R2
-
+
RE2 CE
32
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
A
Req Rin
( + 1)
20
RC || RL *10k
101
RC || RL 1.98 k
RC 7.43 k
Asumo Rc = 8.2 k ; asumo este valor de resistencia observando el voltaje de salida para no obtener
un Vcc muy alto lo cual implica ms gastos.
RC
VRC vop
Req
8.2k
VRC 1V VRC 4.03V por factor de seguridad VRC 4.84V
2.03k
Asumimos VRC = 5V
VRC 5V
IC = = = 0.609 mA
RC 8.2k
25mV 25mV
re = = = 41
IE 0.609mA
Req
A= ; donde RB = R1 || R2
re + (RE1 || RB )
Req 2.03k
re + (RE1 || RB ) = = = 101.5
A 20
33
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Comparando este ltimo valor con re , observamos que no es mucho mayor por lo que no es
estable termicamente, para corregir asumimos nuevo re
re = 10
25mV 25mV
IC = = = 2.5mA
re 10
VRC = I C * RC = 2.5mA * 8.2 K = 20.5V
Las variaciones del voltaje en la resistencia R deben ser despreciables para mantener el voltaje en el
emisor constantes y no afecte al diseo previamente realizado. Para lograr esto se plantea la siguiente
condicin
VR << VJBE
VR = 0.06V
Entonces con los datos I B y VR obtengo el valor de R,
2.7 k
VR 0.06V
R= = = 2.4k 2.2 k
I B 0.05mA
R = 2.2k se selecciona el menor para que VR sea aun mucho menor que VJBE
34
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
RE 2 = 680
Rin = RinT Autoelevacin
Rin = ( + 1)(re + RE1 || RB ) = 101(10 + 91 || 8.91k) = 10.1k
Calculo de Capacitores
Capacitor de entrada) Capacitor de salida
X B << Rin
1 X C << RL
C B >> 1
2. . f min Rin CC >>
1 2. . f min RL
C B >> 1
2. .1kHz *10.1k C B >>
C B >> 15.75nF 2. .1kHz * 2.7k
C B = 0.47 F C B >> 58.94nF
C B = 1F
Capacitor de Emisor
X E << RE 2 X E << re + RE1
1 1
C E >> C E >>
2. . f min RE 2 2. . f min (re + RE1 )
1 1
C E >> C E >>
2. .1kHz * 680 2. .1kHz(10 + 91 )
C E >> 234nF C E >> 1.58F
C E = 22 F
35
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
En el ejemplo
X << RB
1
C >>
2. . f min RB
1
C B >>
2. .1kHz * 8.91k
C B >> 17.86nF
C B = 0.22F
R1
CB
+ R
Q1
1 CE
+ +
3 2
C
+
Vin R2
- RE RL
Tenemos el siguiente anlisis del circuito considerando todos los capacitores en cortocircuito:
Tenemos entonces las mismas caractersticas que en el circuito emisor comn con
autoelevacin pero en este caso la ganancia de este circuito es menor o igual a 1. Entonces
este circuito lo podemos emplear como acoplador de impedancias.
36
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Ejercicio
vop = 1V Vcc
+V
RL = 4.7 k
Rin 10k
f = 1 kHz R1
= 100 CB
+ R
Q1
CE
+ +
C
+
Vin R2
- RE RL
Rin
R 'eq
( + 1)
10k
R 'eq
101
RE || RL || RB 99
Si RB >> ( RL || RE )
R'eq Req ; Req = RL || RE
Req 99k
RE 101.13
Asumo RE = 390
Req = RE || RL = 390 || 4.7k = 360.11
Asumimos resistencias de tolerancia 10 %
R
VRE E vop
Req
390
VRC 1V VRC 1.08V por factor de seguridad VRC 1.29V
360.11
Asumimos VRE = VE = 2V
VE 2V
IE = = = 5.13 mA
RE 390
25mV 25mV
re = = = 4.875
IE 5.13mA
re + Req = 4.875 + 360.11 = 394.99
Comparando este ltimo valor con re , observamos que es mucho mayor por lo que es estable
termicamente
VCE vop + vact ; VCE 1V + 2V VCE 3V
Vcc = VCE + VE = 2V + 3V = 5V
37
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Vcc = 6V el exceso envio a VCE para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa
Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin
I 5.13mA
IB = E = = 0.051mA
+1 101
Las variaciones del voltaje en la resistencia R deben ser despreciables para mantener el voltaje en el
emisor constante y no afecte al diseo previamente realizado. Para lograr esto se plantea la siguiente
condicin
VR << VJBE
VR = 0.06V
Entonces con los datos I B y VR obtengo el valor de R,
VR 0.06V
R= = = 1.18k
I B 0.051mA
R = 1.2k
V V + VJBE + VR 2V + 0.6V + 0.06V
R2 = B = E = = 5.2k
I2 I2 0.51mA
R2 = 5.6k
Vcc VB 6V 2.66V
R1 = = = 5.65k
I1 0.561mA
R1 = 5.6k
RB = R1 || R2 = 5.6k || 5.6k = 2.8k
Rin = RinT Autoelevacin
Rin = ( + 1)(re + Req || RB ) = 101(4.875 + 360.11 || 2.8k) = 32.7 k
Calculo de Capacitores
38
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
CIRCUITO DARLINGTON
Una conexin muy popular de dos TBJ para operar como un transistor con superbeta es la
conexin Darlington, mostrada en la siguiente figura.
C
C
B Q1
NPN
= B QD
NPN
Q2
NPN
La conexin Darlington de transistores proporciona un transistor que cuenta con una ganancia
de corriente muy grande, por lo general en el orden de los miles
IB1
B Q1
NPN
Q2
NPN
IE1=IB2
IE2
39
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
D =
( 2 + 1)I E1 = ( 2 + 1)(1 + 1)I B1
I B1 I B1
D = (1 + 1)( 2 + 1)
Desde el punto de vista prctico
D = 1. 2
=
IB1 B Q3
B Q1 PNP
PNP
Ejercicio
Realizar un circuito amplificador que cumpla con las siguientes condiciones
A = 12
vop = 5V
RL = 2.7 k
Rin 50k
f = 1 kHz
= 100
40
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Planificacin
Diagrama de bloques
A
Req Rin
( + 1)
12
Req * 50k
101
RC || RL 6k con RL = 2.7k no se puede implementar el circuito
Utilizo Darlington
A
Req Rin
D
12
Req * 50k
100 * 100
RC || RL 60 con RL = 2.7 k Ahora si se puede implementar el circuito
RC 61.36
Por facilidad en el diseo tambin hago con autoelevacin que incluso me ayudar a tener
Vcc ms bajos
Vcc
+V
R1 RC
CC
+
CB R3
Q1
+
Q2
C RL
RE1
+
Vin R2 R4
-
+
RE2 CE
41
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Observando el v op y R L asumo R C
RC = 270
Req = RC || RL = 270 || 2.7k = 245.45
RC
VRC vop
Req
270
VRC 5V VRC 5.5V por factor de seguridad VRC 7.145V
245.45
Asumimos VRC = 7.5V
VRC 7.5V
IC = = = 27.8 mA
RC 270
50mV 50mV
reD = = = 1.8
IC 27.8mA
Req
245.45
reD + (RE1 || RB ) = == 20.45
A 12
Comparando este ltimo valor con reD , observamos que es mucho mayor por lo que es estable
termicamente.
RE1 || RB = 20.45 re = 20.45 1.8 = 18.65
vop
5V
vinp = =
= 0.417V
A 12
Ahora como estamos realizando con autoelevacin podemos asumir el valor de VE sin que afecte
nuestro valor de Rin. En la inecuacin de VE ahora colocamos 2V para Darlington por la presen -
cia de dos junturas
VE 2V + vinp VE 2V + 0.417V VE 2.42V por el factor de seguridad VE 3.14V
VE = 3.5V
VE 3.5V
RET = = = 125.9
I E 27.8mA
Para el caso de VCE ponemos al menos 3V para v sat
VCE vop + vactD + vinp ; VCE 5V + 3V + 0.417V VCE 8.42V
42
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
RE 2 = 100
Rin = RinTD Autoelevacin
Rin = ( D)(reD + RE1 || RB ) = 10000(1.8 + 18 || 130.15k) = 197.97k
Para la resistencia R 4 hacemos que la corriente que va por esta sea muy pequea para que no
haya desvi de corriente y cambie el valor de I B variando todos los valores y afectando al diseo
i 4 << ib 2
R4 >> RinT 2
reD 1.8
RinT 2 = ( 2 + 1)(re 2 + RE1 || RB ) re 2 =
= = 0.9
2 2
RinT 2 = (101)(0.9 + 18 || 130.15k ) = 1.91k
R4 >> 1.91k
18 k
R4 = 19.1k 22 k al escoger el menor el tiempo de descarga va a disminuir
R4 = 18k
43
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Calculo de Capacitores
Capacitor de entrada Capacitor de salida
X B << Rin X C << RL
1 1
C B >> CC >>
2. . f min Rin 2. . f min RL
1 1
C B >> C B >>
2. .1kHz *197.97k 2. .1kHz * 2.7k
C B >> 803.9 pF C B >> 58.94nF
C B = 10nF C B = 1F
Capacitor de Emisor
X E << RE 2 X E << re + RE1
1 1
C E >> C E >>
2. . f min RE 2 2. . f min (reD + RE1 )
1 1
C E >> C E >>
2. .1kHz *100 2. .1kHz (1.8 + 18 )
C E >> 1.59 F C E >> 8.04F
C E = 100F
44
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
AMPLIFICADORES EN CASCADA
Para analizar la ganancia total de un amplificador en cascada vamos a hacerlo con dos etapas,
este anlisis sirva para n etapas.
vo
A=
vin
A2 vin 2
A= ; vin 2 = vo1
vin
A2 vo1
A=
vin
A2 . A1vin
A=
vin
A = A1. A2
45
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
TIPOS DE ACOPLAMIENTO
En cuanto al dispositivo que utilicemos para interconectar las etapas, nos permitir definir el
tipo de acoplamiento a utilizar. Los dispositivos usuales de acoplamiento son: Cable,
condensador, y transformador.
Acoplamiento Capacitivo
Permite desacoplar los efectos de polarizacin entre las etapas. Permite dar una mayor
libertad al diseo. Pues, la polarizacin de una etapa no afectar a la otra.
Acoplamiento Directo
Consiste bsicamente en interconectar directamente cada etapa mediante un cable. Presenta
buena respuesta a baja frecuencia. Tpicamente se utilizan para interconectar etapas de emisor
comn con otras de seguidor de emisor.
Acoplamiento Inductivo
Muy popular en el dominio de las radiofrecuencias (RF). Seleccionando la razn de vueltas en
el transformador permite lograr incrementos de tensin o de corriente.
ACOPLAMIENTO CAPACITIVO
El diseo de amplificadores se inicia desde las ltimas etapas hacia la primera. Se debe
colocar las mayores ganancias al principio y las menores en las ltimas etapas para disminuir
la distorsin no lineal o distorsin de amplitud. La distorsin no lineal es cuando el ciclo
positivo de la seal no es igual al ciclo negativo.
Hay que tener en cuenta que en el diseo la resistencia de carga que observa una etapa es la
impedancia de entrada de la siguiente y as sucesivamente hasta llegar a la carga.
El Vcc de la primera etapa que se disea debe abastecer a todas las etapas subsiguientes. En
realidad se puede hacer varias fuentes Vcc para cada etapa pero implica un gasto innecesario.
Si el Vcc inicialmente calculado es muy grande para las otras etapas se recomienda enviar el
exceso de voltaje a VCE y si es muy grande aun para las caractersticas del TBJ se puede
implementar la siguiente conexin y enviar el exceso de voltaje DC a la resistencia que en la
46
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
grfica es rotulada como RC3 y conectada con capacitor en paralelo para que su
funcionamiento solo sea para la parte de polarizacin (DC) del TBJ
Vcc
+V
C
RC3
RC2 CC
Q1
NPN
A = 120
vop = 3V
RL = 1 k
= 100
Como observamos en los datos tenemos una ganancia muy alta que debe realizarse con varias
etapas. Para iniciar con el diseo procedemos a realizar la planificacin en la que consta el
nmero de etapas y en que configuracin est cada una.
47
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Asumo Rc2 = 1 k ; asumo este valor observando el voltaje de salida para no obtener un Vcc muy alto
y RL
Asumimos resistencias de tolerancia 10 %, por lo tanto factor de seguridad de 1.2 para ambas etapas
Req = RC 2 || RL = 1k || 1k = 500
RC 2
VRC 2 vop
Req
1k
VRC 2 3V VRC 2 6V multiplicado por el factor de seguridad VRC 2 7.2V
500
Asumimos VRC 2 = 7.5V
VRC 2 7.5V
IC 2 = = = 7.5 mA
RC 2 1k
I C 2 = I E 2 xq es alto
25mV 25mV
re = = = 3.3
IC 2 7.5mA
Req 500
re + RE 3 = =
A2 10
re + RE 3 = 50
Comparando este ltimo valor con re , observamos que es mucho mayor por lo tanto se concluye que
es estable termicamente.
48
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
RE 3 = 50 re = 50 3.3 = 46.66
RE 3 = 47
VCE 2 vop + vact ; VCE 2 3V + 2V VCE 2 5V
VRE4 1V + vinp VRE2 1V + 0.3V VRE4 1.3V por el factor de seguridad VRE2 1.56V
VRE 4 = 1.56V
VRE 4 1.56V
RE 4 = = = 208 Al escoger el inmediato superior aseguro estab. trmica
IE2 7.5mA
RE 2 = 220
VE 2 = I E 2 (RE 3 + RE 4 ) = 7.5mA(47 + 220 ) = 2.002V
IC2 7.5mA
I B2 = = = 0.075mA
100
Este ejemplo tiene como propsito el practicar. Pero en realidad no se debe hacer as ya que
no es recomendable conectar la primera etapa en emisor comn y la segunda en base comn
ya que el emisor comn ve una impedancia muy baja generada por la etapa en base comn.
Como conclusin podemos decir que toca hacer un anlisis profundo si se desea hacer las
etapas con distintas configuraciones y tener en cuenta las caractersticas de cada
configuracin como es el caso del colector comn que tiene alta impedancia de entrada pero
no amplifica la seal o en el caso del de base comn que ofrece una ganancia pero su
impedancia de entrada es muy baja; y finalmente el emisor comn que ofrece ganancia y una
49
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
alta impedancia de entrada. A ms de esto podemos aadir los circuitos de alta impedancia en
una o varias etapas
50
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Para que la fuente de 45V abastezca los 15V de la segunda etapa se recalcula R 3 y el resto
no cambia ya que la diferencia de voltaje sa va a VCE2
Vcc VB 45V 2.6V 47 k
R3 = = = 51.39k
I3 0.825mA 56 k
R3 = 56k
VCE 2 = Vcc VRC 2 VE 2 = 45V 7.5V 2V = 35.5V
Hay que tener encuenta este voltaje ya que puede daar al transistor seleccionado.
O se puede hacer lo que se indico anteriormente cuando se tiene mucho voltaje en VCE
Si es el caso de que Rin depende de RB2 es necesario poner la nueva R3 con un capacitor en
paralelo.
Clculo de capacitores
51
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Ahora vamos a hacer un ejercicio en que las dos etapas son en emisor comn para observar la
mejora. Los datos son los mismos que el ejercicio anterior pero aadimos una condicin de
impedancia de entrada.
A = 120
vop = 3V
RL = 1 k
Rin 10k
= 100
Planificacin
Haciendo la primera etapa con ganancia de 12 y la segunda con ganancia de 10
A1 12
Req1 Rin; Req1 * 10k Req1 1.2k
( + 1) 100
RC1 || Rin2 1.2k
Rin2 1.2k peor condicin
A2 10
Req 2 Rin2 ; Req 2 *1.2k Req 2 120
( + 1) 100
RC 2 || RL 120
RC 2 136.36
R1 RC1 R3 RC
C2
C4
+ +
C1
Q2 R5
Q1
+
+
RE1 C5 RL
RE3
Vin1 +
R2 R4
-
+
RE2
+
C3 RE4 C6
52
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Asumo RC 2 = 1k ;
Req = RC || RL = 1k || 1k = 500
RC2
VRC 2 vop
Req
1k
VRC 2 1V VRC 2 5V por factor de seguridad VRC 6V
500
Asumimos VRC = 7.5V
VRC 2 7.5V
IC 2 = = = 7.5 mA
RC 2 1k
25mV 25mV
re 2 = = = 3.33
IE2 7.5mA
RB 2 = R3 || R4
Req 500
re 2 + (RE 3 || RB 2 ) = = = 50 Estable termicamente
A2 10
RE 3 || RB = 50 re 2 = 50 3.3 = 46.66
VCE 2 vop + vact + vinp ; VCE 2 3V + 2V + 0.3 VCE 2 5.3V
VE2 1V + vinp VE2 1V + 0.3V VE2 1.3V por el factor de seguridad VE2 1.56V
VE 2 = 2V
VE 2 2V
RET = = = 266.67
I E 2 7.5mA
IC 2 7.5mA
I B2 = = = 0.075mA
100
53
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
54
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Despus de realizado este ejercicio se recomienda hacer ambas etapas con autoelevacin.
Si se desea hacer sin autoelevacin pero no se cumple con Rin basta aadir R y C de
autoelevacin, esto no vara los clculos en nada.
Calculo de capacitores
X 1 << Rin1 X 2 << Rin2 X 3 << RE1 + re
1 1 1
C1 >> C2 >> C3 >>
2. . f min Rin1 2. . f min Rin2 2. . f min (RE1 + re )
1 1 1
C1 >> C2 >> C3 >>
2. .1kHz *11.73k 2. .1kHz * 5k 2. .1kHz * (180 + 20 )
C1 >> 13.57nF C2 >> 31.8nF C3 >> 795nF
C1 = 0.22F C2 = 0.47 F C3 = 10F
55
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Ejercicio
Realizar el anlisis inicial para un diseo con las siguientes condiciones:
A = 15
vop = 4V
RL = 100
Rin 100k
A 15
Req Rin; Req * 100k Req 15k
( + 1) 100
RC || RL 15k
Ya que el valor de R L es 100 es imposible realizar este cirucito de la forma planificada.
56
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
A1 5
Req1 Rin; Req1 * 100k Req1 5k
( + 1) 100
RC1 || Rin2 5k
Rin2 5k peor condicin
A2 3
Req 2 Rin2 ; Req 2 * 5k Req 2 150
( + 1) 100
RC 2 || RL 150
Ya que el valor de R L es 100 es imposible realizar este cirucito de la forma planificada.
Lo que intentamos demostrar en este ejercicio es que tambin al hacer con multietapa se tiene
circuitos de alta impedancia de entrada. Otra opcin en el ejercicio anterior es realizarlo con
dos etapas, la primera etapa con emisor comn y una ganancia de 15 y la segunda etapa
realizar una configuracin en colector comn.
Ejercicio
A = 150
vop = 5V
RL = 1 k
Rin 100k
= 100
Planificacin
Haciendo la primera etapa con ganancia de 15 y la segunda con ganancia de 10
57
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
A1 15
Req1 Rin; Req1 *100k Req1 14.85k
( + 1) 101
RC1 || Rin2 14.85k
Rin2 14.85k peor condicin
A2 10
Req 2 Rin2 ; Req 2 *14.85k Req 2 1.47 k
( + 1) 101
RC 2 || RL 1.47
Con esta planificacin no se puede obtener la impedancia de entrada requerida
Hacemos la segunda etapa con Darlington :
A 10
Req 2 2 Rin2 ; Req 2 *14.85k Req 2 14.85
D 100 2
RC 2 || RL 14.85
RC 2 15.07
R4 RC2
R1 RC1
C6
C4 +
C1 +
Q1
+ R3 NPN
Q3 R6
NPN Q2NPN
+ +
C2 C5 RL
RE1 RE3
+
Vin1 R2 R5 R7
-
+
RE2 C3 RE4 C7
Asumo RC 2 = 100 ;
Req = RC 2 || RL = 100 || 1k = 90.9
RC2
VRC 2 vop
Req
100
VRC 2 5V VRC 2 5.5V por factor de seguridad VRC 6.6V
90.9
58
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Asumimos VRC = 7V
VRC 2 7V
IC 2 = = = 70 mA
RC 2 100
50mV 50mV
re 2 = = = 0.714
IE2 70mA
RB 2 = R4 || R5
Req 90.9
reD + (RE 3 || RB 2 ) = = = 9.09 Estable termicamente
A2 10
RE 3 || RB = 9.09 re 2 = 9.09 0.714 = 8.376
VCE 2 vop + vact + vinp ; VCE 2 5V + 3V + 0.5V VCE 2 8.5V
VE2 2V + vinp VE2 2V + 0.5V VE2 2.5V por el factor de seguridad VE2 3V
VE 2 = 3.5V
VE 2 3.5V
RET 2 = = = 50
I E 2 70mA
IC 2 70mA
I B2 = = = 7 A
D 100 2
59
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
R7 = 8.2k
Rin2 = RinTD Autoelevacin
Rin2 = ( D )(reD + RE 3 || RB 2 ) = 100 2 (0.714 + 82 || 49.35k) = 89.13k
Asumo RC1 = 22 k ;
Req1 = RC1 || Rin2 = 22k || 89.13k = 17.64 k
RC1
VRC1 vop
Req1
22k
VRC1 0.5V VRC1 0.623V por factor de seguridad VRC1 0.748V
17.64k
Asumimos VRC = 1V
VRC1 1V
I C1 = = = 45.45A
RC1 22k
25mV 25mV
re1 = = = 550
I C1 45.45A
Req1
17.64k
re1 + RE1 || RB = =
A 15
re1 + RE1 || RB = 1.17k
Por lo tanto no es estable termicamente
Entonces asumo re1 = 100
25mV 25mV
I C1 = = = 250A
re1 100
VRC1 = I C1 * RC1 = 250A * 22k = 5.5V
RE1 || RB = 1.17k re1 = 1.17k 100 = 1.07k
60
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
VE1 1V + vinp ; VE1 1V + 0.0333V VE1 10333V por fact seg VE1 1.24V ( Necesario)
61
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Calculo de capacitores
X 1 << Rin1 X 2 << RB1 X 3 << RE1 + re
1 1 1
C1 >> C2 >> C3 >>
2. . f min Rin1 2. . f min RB1 2. . f min (RE1 + re )
1 1 1
C1 >> C2 >> C3 >>
2. .1kHz *110.47k 2. .1kHz * (159.5k ) 2. .1kHz * (1k + 100 )
C1 >> 1.44nF C2 >> 0.99nF C3 >> 144.7nF
C1 = 0.1F C2 = 10nF C3 = 2.2F
X 7 << reD + RE 3
1
C7 >>
2. . f min (reD + RE 3 )
1
C7 >>
2. .1kHz * (0.714 + 8.2 )
C7 >> 17.8F
C7 = 220F
ACOPLAMIENTO DIRECTO
Amplificador Cascode
El amplificador cascode es un amplificador que mejora algunas caractersticas del
amplificador de Base Comn. El amplificador Base Comn es la mejor opcin en
aplicaciones de altas frecuencias, sin embargo su desventaja es su muy baja impedancia de
entrada. El amplificador cascode se encarga de aumentar la impedancia de entrada pero
manteniendo sobre todo la gran utilidad de la configuracin Base Comn, ventajoso en el
manejo de seales de alta frecuencia. Para conseguir este propsito, el amplificador cascode
tiene una entrada de Emisor Comn y una salida de Base Comn, a esta combinacin de
etapas se le conoce como configuracin cascode.
62
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Circuito
Anlisis
Q1 Emisor Comn A1
A = A1 * A2
Q2 Base Comn A2
re 2
A1 = <1
re1 + RE1 re 2 R Req
A = A1 * A2 = . eq =
R || RL Req re1 + RE1 re 2 re1 + RE1
A2 = C =
re 2 re 2
El procedimiento de diseo se reduce ahora a un diseo de una sola etapa con ganancia
Req
A=
re1 + RE1
Las pricipales caractersticas son detallas en las siguientes frmulas muy importantes en el
procedimiento de diseo
VRC
I C 2 = R
C
IC 2
I C 2 =
2
I E 2 = I C 2 + I B 2
63
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
I C1 = I E 2
I C1
I B1 =
1
I E1 = I C1 + I B1
Para el calculo de re solo se toma la del transistor 1
25mV
re1 =
I E1
Req
re1 + RE1 =
A
Para que no haya distorsin en la onda nos ayudamos del eje vertical de voltajes para realizar
el respectivo anlisis:
Para el calculo de corriente del lado de entrada ya que tienen que cumplir estabilidad de
polarizacin en ambos TBJ se emplea las siguientes formulas
64
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Asumo RC = 270 ;
Req = RC || RL = 270 || 2.7k = 245.45
RC
VRC vop
Req
270
VRC 5V VRC 5.5V por factor de seguridad VRC 6.6V
254.45
Asumimos VRC = 7V
VRC 7V
IC 2 = = = 25.92 mA
RC 270
IC 2 25.92mA
I B2 = = = 0.25mA
100
IE2 = I C 2 + I B 2 = 25.92mA + 0.26mA = 26.18mA
I C1 = I E 2
I C1 26.18mA
IE2
I B1 = = = = 0.262mA
100
I E1 = I C1 + I B1 = 26.18mA + 0.262mA = 26.44mA
25mV 25mV
re1 = = = 0.955
I C1 26.18mA
65
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Req 245.45
re1 + RE1 = = = 8.18
A 30
RE1 = 8.18 re1 = 8.18 0.955 = 7.23
RE1 = 7.5
I 3 >> I B1 Estabilida de polarizaci n en Q 1
I 2 = I 3 + I B1
I 2 >> I B 2 Estabilida de polarizaci n en Q 2
I1 = I 2 + I B 2
V B 2 = V E 1 + VCE 1 + V JBE 2
V B 2 V B1 = VCE 1
V B1 = V E 1 + V JBE 1
V V V B1 VCE 1 Vcc V B 2
R3 = B 1 R2 = B 2 = R1 =
I3 I2 I2 I1
VCE 2 vop + vact ; VCE 2 5V + 2V VCE 2 7V
VCE1 vop1 + vact + vinp
25mV 25mV
re 2 = = = 0.964
IC 2 25.92mA
re 2 .vop 0.964 5V
vop1 = A1 * vinp = = . = 19mV
re1 + RE1 A 0.955 + 7.5 30
5V
VE1 19mV + 2V + ; VCE1 2.19V
30
VE1 1V + vinp VE1 1V + 0.166V VE1 1.16V por fact. seg. VE1 1.39V
VE1 = 2V
Vcc = VE1 + VCE1 + VCE 2 + VRC = 2V + 2.19V + 7V + 7V = 18.19V
Vcc = 20V
Vcc = 20V 18.19V = 1.81V
Vcc hay como enviar a VCE1 o VCE2 . Envio a VCE1
VCE1 = 4V
VE1 2V
RET = = = 75.64
I E1 26.44mA
RE 2 = RET RE1 = 75.64 7.5 = 68.14
RE 2 = 69
I 3 >> I B1 Estabilida de polarizacin en Q1
I 3 = 2.62mA
I 2 = I 3 + I B1 = 2.62mA + 0.262mA = 2.88mA
I 2 >> I B 2 Estabilida de polarizacin en Q 2 ; 2.88mA >> 0.26mA Cumple
I1 = I 2 + I B 2 = 2.88mA + 0.226mA = 3.14mA
66
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Calculo de capacitores
X 1 << Rin X 2 << re 2 ( 2 + 1)
1 1
C1 >> C2 >>
2. . f min Rin 2. . f min re 2 ( 2 + 1)
1 1
C1 >> C2 >>
2. .1kHz * 315.4 2. .1kHz * 0.964 *101
C1 >> 504.6nF C2 >> 1.6F
C1 = 6.8F C2 = 18F
67
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Amplificador Diferencial
El circuito amplificador diferencial es una conexin extremadamente comn utilizada en
circuitos integrados. Esta conexin se puede describir al considerar el amplificador diferencia
bsico que se muestra en la figura. Este circuito posee dos entradas separadas y dos salidas
separadas y los emisores estn conectados entres s. Mientras que la mayora de los circuitos
amplificadores diferenciales utilizan dos fuentes de voltaje, el circuito puede operar utilizando
slo una de ellas.
68
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Vo
Q1 EC A1
RC
A1 =
re1 + re 2 || RE
pero si re 2 << RE
RC
A1 = ; re1 = re 2 = re
re1 + re 2
RC
A1 =
2 re
Vo
Q1 CC A1
A = A1 A2
Q2 BC A2
re 2 || RE
A1 =
re1 + re 2 || RE
69
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
si re 2 << RE
re 2
A1 = ; re1 = re 2 = re
re1 + re 2
1
A1 =
2
RC RC
A2 = =
re 2 re
A = A1 A2
1 R
= C
2 re
RC
A=
2 re
RC
A=
re1 + RE1 + RE 2 || ( RE1 + re 2 )
70
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Para el diseo
- Asumimos RC
- Calculamos:
1. VRC
2. IC
3. re
4. re + RE1 comprobando estabilidad con A
5. VCE
6. VE
VRE 2
RE 2 =
2IE
71
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Asumir VZ
VRE 2 = VZ VJBE
VRE 2
RE 2 =
2IE
Calculando
VCC VZ
R = I
I Z >> I B
I Z I ZT dato que da el manual de tal forma que el Zener funcione al valor deseado
I = I Z + I B
72
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Acoplamiento directo
R1 RC1 RC1
IB2
IB2 CC1
+
CB IC
Q2
Q1
+ VB2
RE1 RE4 RL
Vin +
R2
1 KHz -
+
+
VB 2 >> VC1
VC1 = VCE1 + VE1
VCE1 >> vop1 + Vact + vinp
VE1 >> 1v + vinp
VRC 2 + VCE 2 VJBE 2 >> VRC1
RC1
VRC1 >> vop1
RC1 Rin 2
I C1 >> I B 2
I RC1 = I C1 + I B 2
73
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Si VB 2 < VC1
Entonces se recalcula VB 2 luego el nuevo VCC y el exceso se manda al voltaje VCE a la regin
activa.
Se realiza el diseo normalmente hasta el calculo de re + RE1 luego se calcula VC1 con lo que
calculo RET
El Q2 esta en emisor comn con lo que se realiza los clculos de Rc, VRc, Ic, re, RE2 y VE=1+
vinp
V
B 2 = VE + VJBE 2
VB 2 >> VRC1
RC1
VRC1 vop1
RC1 Rin 2
VRC 2 + VCE 2 VJBE 2 VC1
V = V + V
C1 CE1 E1
V v + V + v
CE1 op1 act inp1
VE1 1V + vinp1
I RC1 >> I B 2
Estas condiciones se deben verificar. En este circuito siempre se cumplen
I
C1 = I RC1 + I B2
74
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
RESPUESTA DE FRECUENCIA
INTRODUCCION
El anlisis hasta el momento se ha limitado a una frecuencia particular. Para el caso del
amplificador, se trata de una frecuencia que, por lo regular, permite ignorar los efectos de los
elementos capacitivos, con lo que se reduce el anlisis a uno que solamente incluye elementos
resistivos y fuentes independientes o controladas. Ahora, se revisarn los efectos de la
frecuencia presentados por los elementos capacitivos mayores de la red en bajas frecuencias y
por o elementos capacitivos menores del transistor para altas frecuencias.
El anlisis de la seal de salida la podemos hace con la potencia, voltaje, corriente de salida
del circuito o incluso las ganancias de potencia, voltaje o corriente.
75
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
A continuacin haremos el anlisis de los puntos de media potencia para las opciones de la
seal de salida.
Potencia de Salida
Potencia Po
Sea Pomax el valor mximo
Pomax
Los puntos de media potencia estarn localizados en :
2
En Decibeles :
Pomax
10 * log = 10 log Pomax 10 log 2
2
= Pomax (dB) 3dB
76
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Voltaje de Salida
La relacin que existe entre el voltaje y la potencia es :
Po Vo 2
2 2
Pomax Vo Vo
max = max = (0.707 * Vomax )
2
Puntos de media potencia
2 2 2
En Decibeles :
2
Vo Vomax
10 * log max = 20 log
2 2
= 20 log Vomax 20 log 2
= Vomax (dB) 3dB
77
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Ganancia de potencia
Po
Se tiene la relacin de potencia : Gp =
Pin
Los puntos de media potencia estarn localizados en :
Pomax Gpmax
=
2 Pin 2
En Decibeles :
Gpmax
10 * log = 10 log Gpmax 10 log 2
2
= Gpmax (dB) 3dB
78
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Ganancia de voltajes
Al igual que en potencia, la relacin que existe entre la ganancia voltaje y la ganancia
de potencia es :
Gp Gv 2
2 2 2
Gpmax Gv Gv
max = max = (0.707 * Gvmax )
2
puntos de de media potencia
2 2 2
En Decibeles :
2
Gv Gvmax
10 * log max = 20 log
2 2
= 20 log Gvmax 20 log 2
= Gvmax (dB) 3dB
79
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Respuesta de frecuencia
Para determinar la caracterstica de un circuito debemos obtener la funcin de transferencia
del mismo en funcin de la frecuencia. A partir de esta expresin en funcin de la frecuencia
realizaremos el diagrama de Bode
Funcin de transferencia G =
(1 + ja1 )(1 + ja2 )................................(1 + jan )
(1 + jb1 )(1 + jb2 )................................(1 + jbm )
En decibeles:
GdB = 10 log1 + ja1 + 10 log1 + ja2 + ... + 10 log1 + jan 10 log1 + jb1 10 log1 + jb2 ... 10 log1 + jbm
Dada ya la funcin de transferencia tenemos que realizar la respectiva grfica que representa
dicha funcin (caracterstica de magnitud), para esto vamos a utilizar el modelo asinttico de
ciertos trminos que generalmente aparecen en estas funciones.
Para un trmino: 0 jk
0 jk = k 2 2 = k .
Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico.
Funcin
En dB
Para: transferencia
Para 0 G=0
Bajas frecuencias
Para G=
Alta frecuencia
Para = 1 / k G =1 0
1
Para un trmino:
0 jk
1 1 1
= =
0 jk k 2 2 k
80
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico.
Funcin
En dB
Para: transferencia
Para 0 G=
Para G=0
Para = 1 / k G =1 0
Para un trmino: 1 jk
1 jk = 1 + k 2 2
Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico.
Funcin
En dB
Para: transferencia
Para 0 G =1 0
Para = 1 / k G= 2 3
Para G=
81
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
1
Para un trmino:
1 jk
1 1
=
1 jk 1 + k 2 2
Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico.
Funcin
En dB
Para: transferencia
Para 0 G =1 0
Para = 1 / k G = 1/ 2 3
Para G=0
( ) ( )
GpdB = 10 * log 1 + jk = 10 log 1 + k 2 2 = 5 log 1 + k 2 2 ; sea C =
1
k
2 >> C
= 5 log1 + 2 ;
C = 10C
2
GpdB = 5 log 2 = 10 log(10) = 10 dB / dcada
C
Ahora si es una seal de ganancia de voltajes cuya funcin de transferencia sea igual a la
anterior
Gv = 1 + jk
( ) ( )
GvdB = 20 * log 1 + jk = 20 log 1 + k 2 2 = 10 log 1 + k 2 2 ; sea C =
1
k
2 >> C
= 10 log1 + 2 ;
C = 10C
2
GpdB = 10 log 2 = 20 log(10 ) = 20 dB / dcada
C
82
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Frecuencia de corte
Se denomina as al codo que est presente en algunos diagramas de bode por ejemplo en la
grfica la frecuencia de corte est indicada como C:
Sea G = Go(1 + jk )
Si G = Gp Ganancia de potencia
En decibeles :
GdB = 10 log Go + 10 * log 1 + jk
Para estar en los puntos de media potencia la expresin 10 * log 1 + jk debe ser igual a 3dB
10 * log 1 + jk = 3dB
1 + jk = 10 0.3
1 + jk = 2
1 + k 2 2 = 2
1 + k 2 2 = 4
3
k 2 2 = 3 La frecuencia de corte es = C = si G = Gp
k
Si G = Gv Ganancia de voltaje
En decibeles :
GdB = 20 log Go + 20 * log 1 + jk
Para estar en los puntos de media potencia la expresin 20 * log 1 + jk debe ser igual a 3dB
20 * log 1 + jk = 3dB
1 + jk = 10 0.15
1 + jk = 2
1 + k 2 2 = 2
83
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
1 + k 2 2 = 2
1
k 2 2 = 1 La frecuencia de corte es = C = si G = Gv
k
Caracterstica de Fase
Ahora vamos a observar las grficas para las caractersticas de fase de cada uno de los
trminos detallados anteriormente.
Para un trmino: 1 jk
k
1 jk = arctg
1
Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico.
Para:
Para 0 = 0
Para = C = 1 / k = 45
Para = 90
1
Para un trmino:
1 jk
1 k
= arctg
1 jk 1
Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico.
Para:
Para 0 = 0
Para = C = 1 / k = 45
Para = 90
84
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Para un trmino: 0 jk
k
0 jk = arctg ; = 90
0
Por lo tanto la grfica para este trmino es:
1
Para un trmino:
0 jk
1 k
= arctg ; = 90
0 jk 0
85
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
- Los elementos reactivos son los que producen la parte imaginaria de la funcin de
transferencia
de entrada
Capacitores de salida
de ajuste de ganancia
- Para sacar la caracterstica de frecuencia total hay que sumar la caracterstica de fase de
cada capacitor
Vo
+
Vin Rin
-
86
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Rin
Gv en funcin de Gv =
1
+ Rin
j.C B
j.C B .Rin
Gv =
1 + j.C B Rin
Sea b la frecuencia de corte del capacitor de base
j
1 b
b =
C B .Rin
1+ j
b
Con nuestro conocimiento para realizar el diagrama de bode de la funcin de transferencia,
graficamos el numerador y el denominador y despus los sumamos las pendientes para
obtener la grfica total.
De la grfica total podemos concluir que a bajas frecuencias el capacitor de base es circuito
abierto mientras que a altas frecuencias a partir de la frecuencia de corte b es corto circuito.
87
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
1
= b =
C B .Rin
1
=
1
.Rin
X B
X B
=
Rin
X B = Rin
A partir de la ganancia del circuito incluyendo la reactancia que produce el capacitor de salida
obtenemos:
RC || ( X C + RL )
Gv = A =
re + RE1
RC .( X C + RL )
A=
(re + RE1 )(RC + X C + RL )
1
+ RL
RC j.CC
A= .
(re + RE1 ) 1
RC + + RL
j.CC
RC 1 + j.CC .RL
A= .
(re + RE1 ) 1 + j.CC .(RC + RL )
88
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
RC
A=
Baja frecuencia: re + RE1
max. A max. Vo Capacitor abierto
Carga en colector RC
RC || RL
Alta frecuencia: A=
re + RE1
Capacitor cortocircuito
Carga en colector Req
Comprobacin
1+ j
RC C2
A= .
(re + RE1 ) 1 + j
C1
Para 0 baja frecuencia
RC
A= ( LQQD)
(re + RE1 )
Para alta frecuencia
RC RC CC .RL RC .RL 1
A= . C1 = . = .
(re + RE1 ) C 2 (re + RE1 ) CC .(RC + RL ) (RC + RL ) (re + RE1 )
RC || RL
A= ( LQQD)
(re + RE1 )
89
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
El anlisis anterior era en el Terminal del colector, ahora en la carga debemos tener una
caracterstica semejante a la caracterstica del capacitor de entrada para poder conectarla a una
siguiente etapa por lo tanto con las graficas anteriores hacemos un arreglo de tal manera que
me genere el siguiente grfica.
1
Cuando : = C1 =
CC .(RC + RL )
1
=
1
.(R + RL )
X C C
X C
=
(RC + RL )
X C = (RC + RL )
1
Cuando : = C 2 =
CC .RL
1
=
1
.RL
X C
X C
=
RL
X C = RL
Del grfico se observ que solo se va utilizar una frecuencia de corte (C2) y potemos decir
que esta frecuencia es el punto de divisin en el que el capacitor o est en cortocircuito (altas
frecuencias) o est en circuito abierto (bajas frecuencias)
90
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Req
A=
re + RE1 + X CE || RE 2
Req
A=
1
.R E 2
j.C E
re + RE1 +
1
+ RE 2
j.C E
Req Req
A= =
RE 2 re + RE1 + RE 2 + j.C E RE 2 (re + RE1 )
re + RE1 +
1 + j.C E RE 2 1 + j.C E RE 2
Req 1 + j.C E RE 2 RE 2 (re + RE1 )
A= ; Sea REeq = = RE 2 || (re + RE1 )
re + RE1 + RE 2 R (r + RE1 ) re + RE1 + RE 2
1 + j.C E E 2 e
re + RE1 + RE 2
Req 1 + j.C E RE 2
A=
re + RE1 + RE 2 1 + j.C E REeq
Sea E1 y E2 las frecuencias de corte del capacitor de salida entonces
1
E1 =
C E RE 2
> E1
1 E2
E2 =
CC REeq
1+ j
Req E1
A= .
re + RE1 + RE 2 1 + j
E2
Del anlisis anterior obtenemos que:
1
Cuando : = E1 =
C E .R E 2
1
=
1
.R E 2
X E
X E
=
RE 2
X E = RE 2
91
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
1
Cuando : = E 2 =
C E .REeq
1
=
1
.R
X E Eeq
X E
=
REeq
X E = REeq
92
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Cuando se vaya a resolver ejercicios que requieran cumplir con condicin de frecuencia se
recomienda graficar primero la caracterstica del emisor y ubicar sus respectivas frecuencias
de corte luego dibujar las caractersticas de base y colector haciendo que coincidan las
frecuencias de corte de estos con la grfica de las caractersticas de emisor segn como se
desee y no ubicar entre las frecuencias de corte (E1 < < E2). Finalmente realizar la
respectiva suma de las pendientes de cada caracterstica.
Como observamos en las graficas los y estn rotulados con una C, esta indica caracterstica
mas no capacitor por lo tanto en el eje que esta CE lo que seala es que es la caracterstica del
emisor.
93
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Ejercicio
Asumo Rc = 1 k
Req = RC || RL = 7.5k || 1k = 882.3
Asumimos resistencias de tolerancia 10 %
RC
VRC vop
Req
1k
VRC 3V VRC 3.4V por factor de seguridad VRC 4.08V
882.3
Asumimos VRC = 4.5V
VRC 4.5V
IC = = = 4.5 mA
RC 1k
25mV 25mV
re = = = 5.56
IE 4.5mA
Req 882.3k
re + RE1 = = = 44.12
A 20
El objetivo del ejercicio es realizar la parte de respuesta de frecuencia por lo que se da poca
importancia el hecho de que no sea estable termicamente.
94
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
VE 2V
RET = = = 444.4
I E 4.5mA
RE 2 = RET RE1 = 444.4 39 = 405.4
RE 2 = 390
Vcc = 12V el exceso envio a VCE para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa
Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin
IC 4.5mA
IB = = = 45A
100
VB VE + VJBE 2V + 0.6V
R2 = = = = 5.77 k
I2 I2 450 A
R2 = 5.6k
Vcc VB 12V 2.6V
R1 = = = 18.99k
I1 495A
R1 = 18k
RB = R1 || R2 = 18k || 5.6k = 4.27 k
Rin = RB || RinT = RB || (( + 1)(re + RE1 ) ) = 4.27 k || (101(5.56 + 39 )) = 2.2k
Ahora para realizar el anlisis de frecuencia para el clculo de capacitores primero se realiza
la planificacin graficando cada una de las caractersticas.
95
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Para f E 2 = 1kHz
X E = REeq
X E = RE 2 || (re + RE1 )
X E = 390 || (5.56 + 39 )
X E = 39.99
1 1
CE = =
2. . f E 2 . X E 2. .1kHz * 39.99
4.7 F
C E = 3.98F 3.3 F
Para f C = 1kHz
X C = RL
X C = 7.5k
1 1
CC = =
2. . f C . X C 2. .1kHz * 7.5k
22 nF
CC = 21.22nF 18 nF
96
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
En la regin de alta frecuencia, los elementos capacitivos de relevancia son las capacitancias
interelectrdicas (entre terminales) internas al dispositivo activo y la capacitancia de cableado
entre las terminales de la red. Todos los capacitores grandes de la red que controlaron la
repuesta de baja frecuencia se han reemplazado por su corto circuito equivalente debido a sus
muy bajos niveles de reactancia.
Para el anlisis en alta frecuencia se aade el concepto de efecto Miller y como regla tenemos
que para cualquier amplificador inversor, la capacitancia de entrada se incrementar por una
capacitancia de efecto Miller sensible a la ganancia del amplificador y a la capacitancia
interelectrdica (parsita) entre las terminales de entrada y salida del dispositivo activo.
97
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Co
Req || X Co
A=
re + RE1
1
Req .
j.CO
1
Req +
j.CO Req
A= =
re + RE1 (re + RE1 )(1 + j.CO .Req )
Req 1
A= .
re + RE1 1 + j.CO .Req
Cuando = o X Co = Req
Ce
Req Req Req Req (1 + j.Ce RE1 )
A= = = =
re + RE1 || X Ce 1
.RE1 re +
RE1 re + RE1 + j.Ce RE1re
j.Ce 1 + j.Ce RE1
re +
1
+ RE 1
j.Ce
Req 1 + j.Ce RE1
A= .
re + RE1 R r
1 + j.Ce . E1 e
re + RE1
RE1re
Sea Re eq = = re || RE1
re + RE1
98
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
= e1 X Ce = Re eq
Graficando el numerador y el denominador
Cin
99
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Ahora por efecto de las capacidades parsitas podemos disear un circuito que tenga tanto una
codo en bajas frecuencia y otro en altas frecuencias segn nuestras necesidades, si deseamos
cambiar la frecuencia de corte en alta frecuencia se puede aadir un capacitor por ejemplo en
paralelo a cualquier de los capacitores parsitos y luego se procede a disear con el valor de
frecuencia que se desea.
100
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
REALIMENTACIN
Es tomar una parte (una muestra) de la seal de salida y realimentarla (sumarla) con la seal
de entrada.
Tipos de realimentacin
Vo = AVin
(1)
Vo + Vo = ( A + A)Vin
Vo + Vo = AVin
+ AVin
(2)
(3) Vo A
=
(1) Vo A
101
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Realimentacin Negativa
Ve = Vin V f
V f desfasada 180 respecto a Vin
Vin > V f
Realimentacin Positiva
Ve = Vin + V f
V f en fase respecto a Vin
Vo
Ganancia el lazo cerrado G = Af =
Vin
Vo = AVe
= A (Vin V f )
= A (Vin BVo )
= AVin
ABVo
Vo (1 + AB ) = AVin
Vo A
=G = Para Realimentacin Negativa
Vin 1 + AB
102
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Vo = AVe
= A (Vin + V f )
= A (Vin + BVo )
= AVin
+ ABVo
Vo (1 AB ) = AVin
Vo A
=G= Para Realimentacin Positiva
Vin 1 AB
A
Tomando en general G =
1 AB
Realimentacin Negativa
A A
G = =
1 ( A) B 1 + AB
Otra opcin
A A
G = =
1 A( B ) 1 + AB
103
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Realimentacin Positiva
A
G =
1 AB
Otra opcin
A A
G = =
1 ( A)( B ) 1 AB
REALIMENTACIN NEGATIVA
La teora de realimentacin exige considerar una serie de suposiciones para que sean vlidas
las expresiones que se van a obtener seguidamente. Estas suposiciones son:
Ventajas
- Estabilizacin de la ganancia
- Cambio en las impedancias de entrada y salida
- Extensin de la respuesta de frecuencia (ampliacin del Ancho de Banda)
- Disminucin de la distorsin no lineal o de amplitud, y en algunos casos del ruido.
Estabilizacin de la ganancia
Si AB >> 1
A
G = donde B es generalmente un divisor de tensin
B
Si AB >> 1 y B = 1 (V f = Vo )
G = 1 Vo = Vin
pero siempre Vo < Vin
Se cumple mejor mientras mayor sea A Ve mnima
105
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Si AB >> 1 y B < 1
G = 1 Amplificador
A
G=
1 + AB
1
dG = dA
(1 + AB )
2
dG 1 dA
=
G (1 + AB ) G
2
dG 1 dA
=
G 1 + AB A
G 1 A
=
G 1 + AB A
Los peores enemigos de la estabilidad suelen ser los elementos activos (transistores). Si la red
de realimentacin contiene solamente elementos pasivos estables se logra una alta estabilidad.
Ejercicio
G=5
Vo = 3V
RL = 1 K
A
= 20%
A
G
= 1%
G
f = 1 KHz
= 100
G 1 A
=
G 1 + AB A
1
1= 20
1 + AB
1 + AB = 20
AB = 19
106
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
A
G=
1 + AB
A = G (1 + AB )
= 5 20
A = 100
AB = 19
19 19
B= =
A 100
B = 0.19
Circuito a implementarse
107
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Asumo RC 2 = 1K
RC 2
VRC 2 Vo p
Re q2
1K
3V
0.5K
VRC 2 6V 1.3 = 7.8V
VRC 2 = 8V
VRC 2 8
IC 2 = =
RC 2 1K
I C 2 = 8 mA
25 mV 25m
re 2 = = = 3.125
IC 2 8m
Re q2 0.5K
re 2 + RE 3 = = = 50 existe estabilidad
A2 10
RE 3 = 50 re 2 = 50 3.125 = 46.875
RE 3 = 47
VE 2 2
RET 2 = = = 250
I C 2 8m
108
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
IC 2 8m
IB2 = = = 80 A
100
I 4 = 10 I B = 800 A
I 3 = I B 2 + I 4 = 80 + 800 = 880 A
VE 2 + VJBE 2 + 0.6
R4 = = = 3.25K R4 = 3.3 K
I4 800
Rin 2 = ( + 1)( re 2 + RE 3 ) || RB
= ( + 1)( re 2 + RE 3 ) || R3 || R4
= 101(3.125 + 47) ||18 K || 3.3K
Rin 2 = 1.798 K
Diseando la 1 Etapa
Asumo RC1 = 1K
RC1
VRC 2 Vo p
Re q1
1K
0.3V 1.3 = 0.608V
641.578
VRC1 = 6V Distribuyendo de una vez (para no poner solo 1V)
VRC1 6
I C1 = = = 6 mA
RC1 1K
25 mV 25m
re1 = = = 4.167
I C1 6m
Re q1 641.578
re1 + RE1 = = = 64.158 es estable
A1 10
109
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
VE1 6
RET 1 = = = 1 K
I C 1 6m
I C1 6m
I B1 = = = 60 A
100
I 2 = 10 I B1 = 600 A
I1 = I B1 + I 2 = 60 + 600 = 660 A
Para la realimentacin:
110
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Rb || Rin A
Vf = Vo p
Ra + Rb || Rin A
Vf Rb || Rin A
=B= = 0.19
Vo Ra + Rb || Rin A
Rin A
Vf = Vo Habiendo hecho Rb >> Rin A
R f + Rin A
Vf Rin A
=B= = 0.19
Vo R f + Rin A
R + R2 || Rg
Rin A = RE1 || re + 1 VALOR REAL
+ 1
RE1
B= = 0.19
R f + RE1
Si hubisemos hecho en una sola etapa, habramos tenido que conectar la realimentacin a
BASE.
111
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
RE1
Calculando el capacitor adicional tenemos que B =
R f + X Cf + RE1
Teniendo que cumplirse que X Cf << R f + RE1
Pasos de Diseo
RE1
- De la expresin para el bloque B, B = , determinamos RE1.
R f + RE1
112
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Re q1
- Asumiendo la 1 Etapa estable (re despreciable), A1 , de donde obtenemos Req1.
RE1
Para demostrar esta caracterstica, consideremos un amplificador bsico que tiene una
frecuencia de corte superior f C . La ganancia de este amplificador se puede expresar como:
AO
A=
f
1+ j
fC
113
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
A
G=
1 + AB
Ao
f
1+ j
fC
G=
AoB
1+
f
1+ j
fC
Ao
G=
f
1 + AoB + j
fC
Ao 1
G=
1 + AoB 1 + j f
f C (1 + AoB )
Sin realimentacin
Vo = A2 Ve
= A2 (Vo1 + Vd )
= A2 ( A1 Vin + Vd )
114
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Vo = A1 A2 Vin + A2 Vd
Con Realimentacin
Vo = A2 Ve2
= A2 (Vo1 + Vd )
= A2 ( A1Ve1 + Vd )
= A1 A2 Ve1 + A2 Vd
= A1 A2 (Vin V f ) + A2 Vd
= A1 A2 (Vin BVo ) + A2 Vd
= A1 A2 Vin A1 A2 BVo + A2 Vd
Vo(1 + A1 A2 B ) = A1 A2 Vin + A2 Vd
A1 A2 A2
Vo = Vin + Vd Hemos bajado la distorsin
1 + A1 A2 B 1 + A1 A2 B
- Ruido Blanco: es una seal aleatoria que se caracteriza porque sus valores de seal en dos
instantes de tiempo diferentes no guardan correlacin estadstica. Como consecuencia de
ello, su densidad espectral de potencia es una constante. Esto significa que la seal
contiene todas las frecuencias y todas ellas tienen la misma potencia. Igual fenmeno
ocurre con la luz blanca, lo que motiva la denominacin.
115
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Formas de Realimentacin
Realimentacin de Voltaje
Rb
Vf = Vo
Ra + Rb
Vf Rb
=B= en paralelo (divisor de voltaje)
Vo Ra + Rb
116
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Z i >> RS
Z O << RL
Realimentacin de Corriente
en serie
Rf
2 Vf = Vo
RL + R f
Vf Rf
Vf =B=
1 B= Vo RL + R f
Vo
Para que el bloque B
io R f
= no cargue al bloque A
io RL
Rf Si R f << RL
B=
RL
Rf
B=
RL
Z i << RS
Z O >> RL
117
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Vo = AVe
V f = BVo
Vo = Aie
i f = BVo
118
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
io = AVe
V f = Bio
io = Aie
i f = Bio
Impedancia de entrada
Zin f = (1 + AB ) Zin
Zin
Zin f =
(1 + AB )
Impedancia de salida
119
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Realimentacin de Voltaje
Zo
Zo f =
(1 + AB )
Realimentacin de Corriente
Zo f = (1 + AB ) Zo
Ejercicio
G=5
Vo = 5V
RL = 470
A
= 15%
A
G
= 1%
G
Zin f 1 K
= 100
Anlisis matemtico
G 1 A
=
G 1 + AB A
1
1= 15
1 + AB
1 + AB = 15
AB = 14
A
G=
1 + AB
A = G (1 + AB )
= 5 15
A = 75
120
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
AB = 19
14 14
B= =
A 75
B = 0.187
Zin
Zin f = 1K
1 + AB
Zin (1 + AB )1K
151K
Zin 15 K
Asumiendo ganancias A1 = 15 y A2 = 5
A1 A2
Req1 Rin Req2 Rin2
+1 1 +1
15 5
15K 2.25K
100 100
Req1 2.25K Req2 112.5
RC 2 || RL 112.5
RC1 || Rin2 2.25 K
Rc2 147.902
R f >> RL
Asumo R f = 4.7 K
RE1
B=
R f + RE1
B R f
(0.187)(4.7 K )
RE1 = =
B 1 0.187 1
RE1 = 1.08K RE1 = 1 K
121
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Req1
A1 = Asumiendo estabilidad para esta etapa re1 << RE1
re1 + RE1
Req1
A1 =
RE1
Req1 = 15 1K = 15 K
RC1 || Rin2 = 15K
Rin2 15K
A2
Req2 Rin2
+1
5
15K
100
RC 2 || RL 750
470
A2
Req2 Rin2
D
5
15K
10000
Req2 7.5
RC 2 || RL 750
470
RC 2 7.62
Resumiendo
Para:
Zin f 1 K
RC 2 147.9
122
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
REALIMENTACIN POSITIVA
Circuitos Osciladores
Un circuito oscilador es aquel que genera una seal de salida, a una frecuencia determinada,
sin seal de entrada. La seal generada puede ser alterna o continua fluctuante (una sola
direccin, lo que cambia es la amplitud).
Tipos de osciladores
Onda sinusoidal
Los osciladores sinusoidales juegan un papel importante en los sistemas electrnicos que
utilizan seales armnicas. A pesar de que en numerosas ocasiones se les denomina
osciladores lineales, es preciso utilizar alguna caracterstica no lineal para generar una onda
de salida sinusoidal. De hecho, los osciladores son esencialmente no lineales lo que complica
las tcnicas de diseo y anlisis de este tipo de circuitos. El diseo de osciladores se realiza en
dos fases: una lineal, basado en mtodos en el dominio frecuencial que utilizan anlisis de
circuitos realimentados, y otra no lineal, que utiliza mecanismos no lineales para el control de
amplitud.
Una diferencia fundamental respecto a los circuitos multivibradores es que estos ltimos son
circuitos no lineales (basados en comparadores, disparadores de Schmitt, etc.) frente a los
circuitos cuasi-lineales de los osciladores.
123
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Onda no sinusoidal
Dentro de este tipo se encuentran los osciladores de relajacin, los cuales emplean
dispositivos biestables tales como conmutadores, disparadores Schmitt, puertas lgicas,
comparadores y flip-flops que repetidamente cargan y descargan condensadores. Las formas
de onda tpicas que se obtiene con este mtodo son de tipo triangular, cuadrada, exponencial o
de pulso.
Aplicaciones
Vo = AVe
= A (Vin + V f )
= A (Vin + BVo )
= AVin
+ ABVo
Vo (1 AB ) = AVin
Vo A
=G=
Vin 1 AB
124
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
G=
( + A)( + B ) = 1
AB = 1
( A)( B ) = 1
A = 0
AB = 0
B = 0
A = 180
AB = 360
B = 180
AB = 1 1
AB = 0 360 2
A = Ar + jAi
B = Br + jBi
Ai Bi
tan = tan =
Ar Br
1
AB = 1
A B = 1
Ar 2 + Ai 2 + Br 2 + Bi 2 = 1
(Ar
2
+ Ai 2 )( Br 2 + Bi 2 ) = 1
125
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
2
AB = 0 360
A = = 0 tan = 0
Para AB = 0
B = = 0 tan = 0
tan = 0 Ai = 0
tan = 0 Bi = 0
A = = 180 tan = 0
Para AB = 360
B = = 180 tan = 0
1 Ar Br = 1
126
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Vo
Vo = io Req
Req = Rc || RL
R = R + Rin
X
Vf
= B = Br + jBi = ?
Vo
R 2 Rin 3 C 3 (1 6 R 2 2 C 2 4 RReq 2 C 2 )
j
(1 6R C 4 RReq 2 C 2 ) + ( R 3 3 C 3 + 3R 2 Req 3 C 3 5RC + ReqC )
2 2 2 2 2
Bi = 0
1 Req
f OSC = , K=
2 RC 6 + 4 K R
Ar Br = 1
Ar = 29 + 23K + 4 K 2
127
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
A = 29 + 23K + 4 K 2
4 K 2 + 23K + 29 A = 0
23 232 4(4)(29 A)
K=
8
23 65 + 16 A
K= como nicamente puede ser (+)
8
23 + 65 + 16 A
K=
8
65 + 16 A > 23
65 + 16 A > 529 A > 29
Ejercicio
Vo = 3V
RL 1 K
f OSC = 2KHz
Asumo A=40
23 + 65 + 16 A
K=
8
23 + 65 + 16(40)
=
8
K = 0.444
Asumo RC = 1 K
Req 500
R= = = 1.126 K R = 1.2 K
K 0.444
Calculando C
128
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
1
C=
2 R f OSC 6 + 4 K
1
=
2 (1.2 K )(2 K ) 6 + 4(0.444)
C = 23.781 nF
RC 1
VRC Vop 1.3 = 3 1.3 = 7.8V
Req 0.5
VRC = 8V
VRC 8
IC = = = 8 mA
RC 1K
25 mV 25m
re = = = 3.125
iC 8m
Req 500
re + RE1 = = = 12.5 No es estable
A 40
25 mV 25m
IC = = = 25 mA
re 1
0
VE = 1 + Vin p = 1 1.3 = 1.3V
VE = 2V
129
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
VE 2
RET = = = 80
I C 25m
NOTA:
130
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
IC 25m
IB = = = 250 A
100
I 2 = 10 I B = 10 250 = 2.5 mA
I1 = 11I B = 11 250 = 2.75 mA
VR1 28.4
R1 = = = 10.327 K R1 = 10 K
I1 2.75m
VB 2 + 0.6
R2 = = = 1.04 K R2 = 1 K
I2 2.5m
Rx = 662.83
Vo 1.2 K 1.2 K
Rin = 537.17
Ejemplo
R1 || R2 || RinT = 1.2 K
?
131
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
NOTA:
Hay que tener en cuenta que al elegir el valor de A (ganancia) debemos considerar la
tolerancia de las resistencias a utilizarse y su respectivo factor de seguridad.
Vo = 3V
RL 1 K
f OSC = 2KHz
Asumo R = 10 K
Req 1K ||1K
K= = = 0.05
R 10 K
132
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Obtenido este valor se debe hacer una consideracin acerca de la tolerancia de las resistencias.
En este caso todas las resistencias a utilizarse deberan ser de una tolerancia < 4%.
1
C=
2 R f OSC 6 + 4 K
1
=
2 (10 K )(2 K ) 6 + 4(0.05)
C = 3.196 nF
Vo = 3V
RL 1 K
f OSC = 2KHz
Asumo RC = 1 K
Req 0.5K
K= = = 0.0893
R 5.6 K
Al igual que en la anterior opcin, es necesario considerar la tolerancia requerida para las
resistencias con las cuales vamos a trabajar. En este ejemplo todas las resistencias a utilizarse
deberan ser de una tolerancia < 7%.
1
C=
2 R f OSC 6 + 4 K
1
=
2 (5.6 K )(2 K ) 6 + 4(0.0893)
C = 5.636 nF
133
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Se puede sustituir la red de desplazamiento de fase por un circuito conocido como puente de
Wien cuya aplicacin ms conocida es la medicin de impedancias.
134
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
R2 || X C 2
Vf = Vo
R1 + X C1 + R2 || X C 2
Vf R2 || X C 2
=B=
Vo R1 + X C1 + R2 || X C 2
:
:
B = Br + jBi = ?
1
Bi = 0 f OSC =
2 C1C2 R1R2
C1R2
Br =
C1R1 + C2 R2 + C1R2
C1R1 + C2 R2 + C1R2
Ar =
C1R2
C = C2 = C
El la prctica lo que se hace es 1
R1 = R2 = R
Entonces
1
f OSC =
2 C R
1
Br = Ar = 3
3
Vf 1
Br = B = =
Vo 3
Vo
Vf = = V1
3
135
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Rb Vo
Vo =
Ra + Rb 3
3Rb = Ra + Rb
Ra = 2 Rb
Un factor a considerar en este caso es que debido a que la corriente de salida (IO) est en
unidades de mA vamos a requerir de un valor mnimo de RL.
Para evitar inconvenientes el momento de elegir las resistencias observamos que se cumpla:
R f + R1 50 K
Para el diseo:
- Comenzamos asumiendo R
- Tomamos en cuenta que todas las resistencias sean > 50 K
Con TBJ
En 2 Etapas
R f = Ra
Tomamos la consideracin que
RE1 = Rb
a la
entrada
Rin || R2 || C2
136
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
En 1 Etapa
Consideraciones
137
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
FUENTES REGULADAS
(Regulacin de Voltaje)
IN
VIN mx
VIN mn
Fuente ms sencilla
Vz = Vo
VIN > Vz
138
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
I = I Z mn + I L mx ; I Z mn I ZK
I = IZ + IL
I = I Z mx + I L mn ; I Z mx I ZM
VIN = VR + VZ = I R + VZ
VIN mn = ( I Z mn + I L mx ) R + VZ
0
VIN mx = ( I Z mx + I Lmn ) R + VZ
V mx = I mxR + V
IN Z Z
rZ || RL
Vo = Vin
R + rZ || RL
Vo r || RL
= Z
Vin R + rZ || RL
Vin R + rZ || RL
= a = FR = Atenuacin o Factor de Regulacin
Vo rZ || RL
R
a = FR =
rZ
139
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Ejercicio
Vo = 20V
IL = 1 A corresponde al valor mximo
FR 100
Vlnea = 80V 130V
Pd Z I Z VZ
I L VZ
1 A20V
Pd Z 20W Pd Z va a ser mayor a 20 W
I ZK = 5mA
I
ZT
I ZM
rZ = 15
Debemos caer en cuenta que mientras mayor es la potencia de Zener, mayor es IZK y mayor es
rZ.
R
FR =
rZ
R = rZ FR
= 15 100
R = 1500 R = 1.5K
140
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
VIN mn = ( I Z mn + I L mx ) R + VZ
I Z mn I ZK
I ZK 1.3 = 5m 1.3 = 6.5m I ZK = 7mA Considerando la tolerancia
= (7mA + 1 A)(1.5K ) + 20
VIN mn = 1530.5V ?! cuando el Vlnea es mnimo
Vlnea VIN
80V 1530.5V
130V x
1530.5 130
x = VIN mx = = 2487.063V
80
2487V 20V
I Z mx = = 1.64 A Quitando R L
1.5K
I ZM > 1.64 (para que no se queme)
Pd Z = I ZVZ + I Z 2 rZ
= 73.14W 40W ?! (no sirvi el azar)
El Diodo Zener a utilizarse debe ser de al menos el doble para evitar inconvenientes, es decir,
de unos 150W 200W. Adems, la resistencia a usarse debe ser de una potencia grandsima.
FR baja
I L baja
141
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Al variar RL vara IZ
I = IZ + IB
I
I B = L
+1
debiendo ser I Z >> I B para que I Z = cte
I Z I ZT
VZ = Vo + VJBE
VIN = VR + VZ = I R + VZ
VIN > Vo
RL = ( + 1)( re + RL )
rZ || RL
Vo = Vin
R + rZ || RL
Vo r || RL
= Z
Vin R + rZ || RL
Vin R + rZ || RL
= a = FR =
Vo rZ || RL
142
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
RL >> rZ R
Si a = FR = ms exacto que antes
R >> rZ rZ
Ejercicio
Vo = 20V
IL = 1 A
FR 100
Vlnea = 80V 130V
VZ = Vo + VJBE
= 20 + 0.6
VZ = 20.6V
rZ = 10
Buscando las caractersticas del Zener en el respectivo manual I ZK = 1mA
I = 10mA
ZT
R
FR =
rZ
R = rZ FR
= 10 100
R = 1K
En el transistor
P = V I = 3V 1 A = 3W 6W
como sabemos que es mayor P = 10W
IL 1A
IB = = = 20mA
50
143
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Al haber llegado a un valor de corriente que no cumple los requerimientos, usamos Darlington
QD, para bajar IB.
Tenemos que
Q1 Pd1 = VCE1 I C1
= VCE1 I L
Q2 Pd 2 = VCE 2 I C 2
I C1
= (VCE1 VJBE1 )
1
I C1
VCE1
1
Pd1
Pd 2
1
10 1 = 50
= ya protegido depende de la potencia
50 2 = 100
Con Darlington
VZ = Vo + VJBED
= 20 + 1.2
VZ = 21.2V
IL 1A
IB = =
D 50 100
I B = 0.2mA
I Z >> I B
I Z = 10mA
I Z I ZT
144
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
I = IZ + IB
= 10m + 0.2m
I = 10.2mA
VIN = I R + VZ
= (10.2m )(1K ) + 21.2
VIN = 31.4V
Ya teniendo el VIN tenemos varias alternativas que podemos elegir para el diseo.
80V 31.4V
31.4 130
130V x = VIN mx = = 51.025V
80
La corriente va a cambiar
I Z mx = I = 29.825mA
I ZM > I Z mx
Pd Z = I ZVZ + I Z 2 rZ
= (29.825m )(21.2) + (29.825m )2 (10)
Pd Z = 641.185mW
Esta alternativa necesariamente va a funcionar, pero la potencia del Zener a usarse va a ser
mayor.
VIN mx VIN mn
2. Considerar VIN = VIN promedio =
2
145
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
VIN mx VIN mn
VIN = VIN promedio = = 31.4V I = 10.2mA
2
130 + 80
Vlnea promedio = = 105V
2
105V 31.4V
31.4 80
80V x = VIN mn = = 23.924V
105
VIN mn VZ
VIN mn = 23.92V I= = 2.72mA
R
105V 31.4V
31.4 130
130V x = VIN mx =
105
VIN mx VZ
VIN mx = 38.88V I= = 17.68mA
R
Pd Z = 377.94mW
Esta alternativa exige que la potencia del Zener sea de menor valor, pero podra suceder que
I Z mn < I ZK , con lo cual sera descartada esta opcin.
146
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
I = IC 3 + I B
I = I
C3 Z
IL
I C 3 >> I B para que el voltaje se mantenga cte ; I B =
D
I C 3 = I Z I ZT
IC 3
I B3 =
3
I 2 >> I B 3
I1 = I 2 + I B 3
I
I1 <<< I L hay que verificar que se cumpla I1 L
100
para que el bloque B no cargue al boque A
I >> I (corriente de fuga)
1 CO
VZ = Vo + VJBED VCE 3
VIN = VZ + VCE 3 + VR
147
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
A QD A=1
B ( R1 , R2 y Q3 )
A3
R2 || RinT 3
Vf 1 = Vo
R1 + R2 || RinT 3
V f 2 = A3 V f 1
R2 || RinT 3
= A3 Vo
R1 + R2 || RinT 3
Vf 2 R2 || RinT 3
= B = A3
Vo R1 + R2 || RinT 3
14 4244 3
DT
B = A3 DT
R || RinD
A3 =
re 3 + rZ
1
G= menor que 1 para no amplificar seales
1+ B
1
G= B lo ms gande posible B >> 1
B
Vin 1
= = B = a = FR
Vo G
DT < 1 (siempre)
B = A3 DT
A3 >>> lo ms alto posible
148
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Ejercicio
Vo = 20V
I L = 1A
FR 100
-----------------
1 = 50 (de potencia )
2 = 3 = 100
-----------------
I ZK = 1mA
I ZT = 10mA
rZ = 10
IL 1
IB = = = 0.2mA
D 50 100
I C 3 >> I B
I C 3 = I Z = 10mA
IC 3 = I Z I ZT
IC 3 10m
I B3 = = = 0.1mA
3 100
I 2 >> I B 3
I 2 = 1mA
I1 = I 2 + I B 3 = 1m + 0.1m
I1 = 1.1mA ( I CO A o nA)
VZ = Vo + VJBED VCE 3
= 20 + 1.2 3
VZ = 18.2V elegimos Zener de MENOR valor estndar (aumenta VCE3 )
VZ = 18V
149
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
VB 3 = VZ + VVBE 3
= 18 + 0.6
VB 3 = 18.6V
VB 3 18.6
R2 = = = 18.6 K R2 = 18K
I2 1m
Vo VB 3 20 18.6
R1 = = = 1.27 K R1 = 1.2 K
I1 1.1m
FR = A3 DT
R2 || RinT 3
DT =
R1 + R2 || RinT 3
RinT 3 = ( 3 + 1)( re 3 + rZ )
25mV
= 101( + 10)
10mA
RinT 3 = 1.263K
FR 100
A3 = = = 200
DT 0.5
R || RinD
A3 = = 200
re 3 + rZ
Vo 20
RL = = = 20 RL > 20
IL 1
RinD = D ( reD + RL )
50m
= (50 100) + 20
1
RinD = 100.25K
2.7 K
R = 2.56 K elegimos el MAYOR para obtener un mayor A 3
2.2 K
R = 2.7 K
150
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
VIN = VZ + VCE 3 + VR
= 18 + 3.2 + 10.2m 2.7 K
VIN = 48.74V
Habiendo obtenido en valor de VIN tenemos las mismas alternativas que se expusieron
anteriormente:
- Considerar VINmn
- Considerar VINpromedio
Debido a que la ganancia es muy alta el circuito puede oscilar y por este motivo para evitar
oscilaciones se coloca un capacitor adicional que sea cortocircuito a la frecuencia de
oscilacin. Este capacitor puede tener un valor entre 0.1F y 0.47F.
Para subir la calidad de la fuente anterior (aumentar FR) la nica opcin que tenemos es subir
el valor de R, pero esto provoca que:
Una opcin que se presenta es poner una fuente de corriente en vez de R, consiguiendo que:
RinD
R= A3 = mximo valor de ganancia y mximo FR
re 3 + rZ
151
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Reemplazando
FR = A3 DT
RinD
A3 =
re 3 + rZ
Con los valores con los cuales hemos venido trabajando tenemos:
100.25K
A3 = = 8020 FR = 4010
2.5 + 10
152
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
VCE 3 3V
para que estn en la regin activa
VCE 4 3V
VRE = VZ 2 VJBE 4
= 2.2 0.6 = 1.6V
VZ 2 conviene que sea lo ms bajo posible y en la actualidad el menor valor que se puede
conseguir es 2.2 V.
Nos damos cuenta que bajamos el VCE1 y de esta manera disminuye la potencia, y por
consiguiente el costo.
I 10.2m
IB4 = = = 102 A
4 100
I3 = I Z 2 + I B4
VIN VZ 2
R3 =
I3
153
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
CIRCUITOS DE PROTECCIN
Con los diodos hemos hecho una fuente de corriente. Cuando el voltaje sobre la resistencia Rs
< 0.6 V es como si los diodos no existieran, pero cuando por Rs pase una corriente mayor a la
deseada hacemos que 0.6 V caigan en ella y los diodos comienzan a funcionar.
Para esta proteccin se usan tantos diodos como junturas ms uno se tengan.
VD
RS = con esta proteccin incluso podramos hacer cortocircuito
I L mx
Tenemos que considerar que la potencia del transistor de salida Q1 va a aumentar y se puede
calentar demasiado e incluso quemarse, por lo que es necesario usar un disipador de calor.
Otra opcin que tenemos es usar un Zener en vez de los diodos, en este caso:
154
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
VZ VJBED
RS =
I L mx
La resistencia Rs no es buena para la fuente y desde el punto de vista ideal tendra que ser Rs
= 0, pero en la prctica se toma el valor ms bajo posible.
Teniendo ambas alternativas (Diodos y Zener) analizamos cul nos entrega un valor de Rs
ms bajo y esa se convierte en la mejor opcin.
155
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Lo que se hace en este caso es que el transistor Qs se sature, es decir que entre base y emisor
caiga un voltaje mayor a 0.6 V. Esto lo conseguimos haciendo que sobre la resistencia Rs
caigan 0.8 V al pasar una corriente superior a la mxima deseada.
De esta forma, al detectarse una corriente mayor a la deseada, los transistores de salida se
prenden y se apagan continuamente. Debido a esta situacin los transistores de salida (Q1 y
Q2) se van a calentar menos y van a ser de una potencia menor.
VJBEsat 0.8V
RS = =
I L mx I L mx
Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y puerta. La puerta es la encargada de controlar
el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo
rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se
156
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un tiristor, ste
puede dispararse y entrar en conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da como
caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que permite mantener bloqueado el SCR.
Este efecto se produce debido al condensador parsito existente entre la puerta y el nodo.
Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta. Esta corriente
de compuerta (IG) fluye por la unin entre la compuerta y el ctodo, y sale del SCR por la
terminal del ctodo. La cantidad de corriente de compuerta necesaria para disparar un SCR en
particular se simboliza por IGT. Para dispararse, la mayora de los SCR requieren una corriente
de compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Dado que hay una unin pn estndar
entre la compuerta y el ctodo, el voltaje entre estas terminales (VGK) debe ser ligeramente
mayor a 0.6 V. En la figura 4 se muestran las condiciones que deben existir en la compuerta
para que un SCR se dispare.
Una vez que un SCR ha sido disparado, no es necesario continuar el flujo de corriente de
compuerta. Mientras la corriente contine fluyendo a travs de las terminales principales, de
nodo a ctodo, el SCR permanecer en ON. Cuando la corriente de nodo a ctodo (IAK)
caiga por debajo de un valor mnimo, llamado corriente de retencin, simbolizada IHO el SCR
se apagara. Esto normalmente ocurre cuando la fuente de voltaje de ca pasa por cero a su
regin negativa. Para la mayora de los SCR de tamao mediano, la IHO es alrededor de 10
mA.
Esta proteccin se constituye en la mejor de todas y se puede aplicar tanto a la fuente con
resistencia o cuando dicha resistencia ha sido reemplazada por una fuente de corriente.
157
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Se usa un pulsante que normalmente est cerrado para que de esta forma al pulsarlo el SCR
deje de conducir.
VAK = 1V
El SCR se dispara al haber un cortocircuito o una sobrecarga (sacar de la fuente una corriente
mayor a la fijada, es decir, poner una resistencia de menor valor al lmite establecido). Al
estar el SCR disparado:
VGKdisparo 0.8V
RS =
I L mx I L mx
La resistencia Rg se coloca para que sobre ella caiga el exceso de voltaje y de esta forma
proteger al SCR. El valor de Rg va a estar entre 100 y 1 K.
Debido a los transitorios de alta frecuencia que ocurren en el transformador y que pueden
activar el SCR, se coloca el capacitor C en paralelo con Rs para de esta forma eliminarlos.
158
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
2 Vo = Vomx
V
I 2 = B 3 ; ( I 2 > I 2 que tenamos antes)
R2
I1 = I 2 + I B 3
Vomx + VB 3
R1 + P =
I1
Vomn VB 3
R1 =
I1
159
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Si quisiramos que esta fuente vare desde 0V hasta 20V, la tierra debe reemplazarse por un
valor de voltaje negativo ().
160
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Las etapas de salida, tambin denominadas etapas de potencia, son configuraciones especiales
localizadas a la salida de un amplificador utilizadas para proporcionar cierta cantidad de
potencia a una carga con aceptables niveles de distorsin. Adems, una etapa de salida debe
ser independiente del propio valor de la carga, tener reducido consumo esttico de potencia y
no limitar la respuesta en frecuencia del amplificador completo.
Las etapas de salida son diseadas para trabajar con niveles de tensin y corriente elevados.
Las aproximaciones y modelos de pequea seal no son aplicables o deben ser utilizados con
mucho cuidado. Sin embargo, la linealidad de una etapa es una medida que proporciona la
calidad del diseo, muchas veces caracterizada a travs de la distorsin armnica total (total
harmonic distortion o THD). Este parmetro es un valor eficaz o rms de las componentes
armnicas de la seal de salida, sin incluir la fundamental de la entrada, expresada a travs del
porcentaje en trminos de rms respecto a la fundamental. Los equipos de sonido de alta
fidelidad tienen un THD inferior a 0.1%.
Otro parmetro importante de una etapa de potencia es su eficiencia, que indica el porcentaje
de potencia entregada a la carga respecto de la potencia total disipada por la etapa. Un valor
alto de eficiencia se traduce en una mayor duracin del tiempo de vida de las bateras o en el
uso de fuentes de alimentacin de bajo coste, adems de minimizar los problemas de
disipacin de potencia y coste del propio transistor de potencia. Es por ello, que las etapas de
salida utilizan transistores de potencia (> 1W) y el uso de aletas refrigeradoras resulta en
algunos casos imprescindible.
- Clase A
- Clase AB
- Clase B
- Case C
161
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Clase A
Un amplificador clase A se polariza de tal modo que conduce corriente de manera continua.
La polarizacin se ajusta para que la entrada haga variar la corriente del colector (o de
drenaje) en una regin lineal de la caracterstica del transistor. En consecuencia, su salida es
una reproduccin lineal amplificada de la entrada. Son amplificadores de potencia ineficaces
que se usan como amplificadores de voltaje de seales pequeas o para amplificadores de baja
potencia. Su desventaja es que an con seal nula disipa una cantidad considerable de
potencia.
162
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
En teora, la clase A puede alcanzar un rendimiento de hasta el 50%, pero, dado que no se
puede apurar al mximo, queda alrededor del 25%, o, incluso, puede bajar hasta el 15%,
segn la exigencia de linealidad.
En cambio, la ganancia es uno de los puntos fuertes de los transistores trabajando en clase A.
Suele ser 3 a 6 dB mayor que operando en clase B, y mucho mayor que en clase C.
No existe una lnea de separacin definida entre los amplificadores de potencia de clase A y
los amplificadores de seal dbil, es decir, es prcticamente lo que se ha venido haciendo,
pero la metodologa de diseo es diferente.
Caractersticas
Clase AB
Un amplificador clase AB se polariza cerca del corte con cierto flujo de corriente continuo del
colector. Tambin se usa en amplificadores push-pull y proporciona una linealidad mejor que
163
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
un amplificador clase B, pero con menos eficiencia. Esta configuracin es una variante de la
etapa de tipo B en la que se sacrifica la disipacin de una pequea cantidad de potencia
cuando opera sin seal, a cambio de evitar la zona muerta de respuesta.
Esta clase sigue requiriendo de una conexin en contrafase, para obtener un ciclo completo de
salida, sin embargo, el nivel de polarizacin de DC es, por lo general, ms cercano al nivel de
corriente de base cero, para una mejor eficiencia de potencia.
En cuanto a la ganancia de potencia, los amplificadores del tipo AB son algo intermedio entre
los de tipo A y los de B. El razonamiento con respecto al valor de la transconductancia
efectiva es el mismo que se hizo en el caso de clase B.
Caractersticas
Las configuraciones ms utilizadas para polarizar los transistores de salida son: con diodos y
con un multiplicador VBE.
164
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
VCC Vo
PCC = + I V
RL Q CC
165
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Otro procedimiento para obtener la diferencia de tensin 2VBE entre la base de los transistores
necesaria para eliminar la distorsin de cruce es utilizar lo que se denomina un multiplicador
de VBE. Este circuito consiste en un transistor (Q3) con dos resistencias (R1 y R2) conectadas
entre su colector y emisor con la base. Si se desprecia la corriente de base (para ello R1 y R2
VBE 3
deben ser de unos pocos K) entonces la corriente que circula por R1 es y la tensin
R1
entre el colector y emisor de ese transistor es
VBE 3 R
VCE 3 = ( R1 + R2 ) = VBE 3 1 + 2
R1 R1
R
es decir, la tensin VCE3 se obtiene multiplicando la VBE3 por un factor 1 + 1 .
R2
Clase B
166
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
transistor. sta componente lineal siempre est presente a la salida, y ser aprovechable como
seal amplificada, aunque el hecho de que se produzca una interrupcin de la seal durante el
medio ciclo negativo provoca la aparicin de fuertes componentes armnicos (en especial
pares).
Si estos armnicos estn fuera de la banda de utilidad, pueden eliminarse por filtrado y el
amplificador cumple perfectamente su cometido. En otros casos, en cambio, pueden hacer el
sistema inservible.
La etapa de salida clase B tiene consumo esttico de potencia en modo standby prcticamente
cero. Utiliza dos transistores, uno NPN y otro PNP, en contrafase que conducen
alternativamente en funcin de si la seal de entrada es positiva o negativa. De ah, el nombre
de push-pull. Otra ventaja adicional es su mejor eficiencia que puede alcanzar un valor
mximo prximo al 78% muy superior al 25% de la etapa de salida clase A.
Caractersticas
Clase C
Se encuentra polarizado en una zona de respuesta no lineal, de forma que los dispositivos
activos slo conducen en una fraccin reducida del periodo de la seal, es decir, menos de
180 del ciclo. De esta forma se consiguen rendimientos mximos, aunque se necesitan
elementos reactivos que acumulen la energa durante la conduccin y la liberen en el resto del
ciclo en el que el dispositivo no conduce, es decir, operar solamente con un circuito de
sintonizacin (resonante), el cual proporciona un ciclo completo de operacin para la
frecuencia sintonizada o resonante.. Esta clase de operacin es, por tanto, utilizada en reas
especiales de circuitos de sintonizacin, tales como radio o comunicaciones (amplificacin de
seales de banda muy estrecha).
167
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Esta modalidad tiene su autntica razn de ser, y su origen, en la amplificacin de muy alta
potencia con vlvulas termoinicas. El punto de trabajo ha de conseguirse polarizando
inversamente la entrada del dispositivo activo.
Se puede decir que casi funciona como un conmutador, para reducir las prdidas por
resistencia. El dispositivo conduce durante un ngulo muy pequeo y el circuito sintonizado
del colector se encarga de reconstruir (en realidad, seleccionar) la seal fundamental a
partir de la seal peridica impulsiva que le entrega el amplificador.
El filtro de salida de un verdadero clase C es un circuito resonante paralelo que deriva a tierra
los componentes armnicos de la seal pulsante, que, de este modo, no generan tensiones
correspondientes a los citados armnicos.
Polarizacin en clase C
168
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Caractersticas
Pdmx
169
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Metodologa de diseo
VCEM
VCET =
2
I
I CT = CM
2
Pd = VCET I CT
VCEM
Rac =
I CM
Rac es la carga que pide el transistor y se obtiene del inverso de la pendiente de carga.
Potencias
Clase A Pd = 2 Po
Po
Clase B Pd =
2
Amplificador Clase A
170
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
No se usa en la prctica.
Para 10 W de potencia de salida hay que elegir la curva de 20 W, y es mejor escoger una
superior para evitar posibles recortes.
En este caso las rectas de carga dinmica y esttica son las mismas. El pto. Q es el eje de la
recta de carga dinmica.
PCC = VCC I CQ
2
Vo 1
Po = pr Potencia eficaz
2 Rac
Pd r = VCET I CT
= VCEQ I CQ
Po
R= 100 [%] rendimiento
PCC
171
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
VCEM n1
Rac = = n 2 RL ; n=
I CM n2
2
Vo
Pd r = pi Pd i ; Pd i = 2 Po
Vo pr
172
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
1 caso ideal
1.1 10% prdidas en el transformador
=
1.2 20% prdidas en el transformador
M
Para el diseo
173
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Montaje en contrafase
Elementos
VCC
para calibrar el pto. 3 a para que exista simetra en la seal de
P2 2
salida.
Distorsin de cruce
174
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
Por este motivo en la prctica hay que calibrar los diodos de tal manera que estn a punto de
conducir, es decir, logrando una mnima distorsin y que los mismos slo conduzcan con
seal.
Para el diseo
Po
Datos
RL (parlante)
2 Vo p = 2PoRL
Vo 1
Po = p Vo p
2 RL iop =
RL
R2 >> RinT 1
Hay que tener en cuenta que la etapa de Q3 es la ltima etapa de amplificacin de voltaje, es
decir, que pueden existir etapas previas de amplificacin en cascada.
RinD = D ( reD + R1 + RL )
RC
VRC R || Rin Vo p 3
C D
Vo p 3 = Vo p + VR1
I C 3 = VRC
RC
175
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
nVd
P1 = ; VD = voltaje de los diodos
IC 3
P1 = 2 P1 (para poder calibrar)
VCC VB 3
R3 + P2 =
I3
R3 P2 P2 = 2 P2
Ejercicio
Po = 10W
RL = 8
Vo p 12.649
iop = = = 1.581 A
RL 8
R1 = 0.75
Q1 : 1 = 50
Asumo
Q2 : 2 = 100
R2 >> RinT 1
25mV 25mV
re1 =
IE I E med
176
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
I op Vop
I E med = =
RL
Vop 12.649
I E med = = = 0.503 A
RL (8)
25mV 25m
re1 = = = 0.05
I E med 0.503
R2 = 4.7 K
50mV 50m
reD = = = 0.10
I E med 0.503
RinD = D ( reD + R1 + RL )
= (50 100)(0.01 + 0.75 + 8)
RinD = 44.25K
Vo p 3 = Vo p + VR1
= 12.649 + 1.185
Vo p 3 = 13.834V
177
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RC
VRC Vo p 3
RC || RinD
3.9 K
13.834 1.3 = 19.57V
3.9 K || 44.25K
VRC = 20V
VRC 20
IC 3 = = = 5.128mA
RC 3.9 K
nVD 4(0.6)
P1 = = = 468
I C 3 5.128m
P1 = 1K
25mV 25m
re 3 = = = 4.87
IC 3 5.128m
13.834
VE 3 1 + Vin p 3 = 1 + = 2.383 1.3 = 3.1V
10
VE 3 = 3.5V
VE 3 3.5
RET = = = 682.527
I C 3 5.128m
178
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IC 3 5.128m
I B3 = = = 51.28 A
3 100
I 4 = 10 I B 3 = 10(51.28 ) = 512.8 A
VB 3 4.1
R4 = = = 8K
I 4 512.8
R4 = 8.2 K
VCC VB 3 45 4.1
R3 + P2 = = = 72.507 K
I3 564.08
R3 = 33K
P2 = 39 K P2 = 100 K
Para comprobar en 3
Para poner la proteccin analizamos el nmero de junturas y el voltaje sobre la resistencia R1.
179
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
VT = VR1 + VJBEQ1
= 1.5 + 0.6
VT = 2.1V
VT 2.1
VT = nVD n= = = 3.5
VD 0.6
n = 4 DIODOS
Finalmente, si desearamos hacer una fuente regulada para una cadena de amplificadores en
cascada que terminan en un amplificador de potencia, tendramos que considerar los
siguientes requerimientos para la fuente:
Vo = VCC
I L = ( I1 , I RC ) + iop
180
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern
BIBLIOGRAFA
- BOYLESTAD, Robert L. y NASHELSKY, Louis; Electrnica: Teora de Circuitos y
Dispositivos Electrnicos, 8va Edicin, Pearson Educacin, Mxico, 2003.
- http://es.wikipedia.org/
- http://www.inele.ufro.cl/apuntes/Circuitos_1_3012_3017/Capitulo3_ce1.pdf
- http://iniciativapopular.udg.mx/muralmta/mrojas/cursos/elect/apuntesdefinitivos/UNIDA
D2/2.1.1.pdf
- http://www.frino.com.ar/resistor.htm
- http://www.datasheetarchive.com
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ANEXOS
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Cdigo de colores
Identificar un resistor no es una tarea muy complicada, note que la mayora, salvo los de montaje superficial,
poseen 4 bandas de colores, 3 de idnticas proporciones y una ms alejada de stas. Estas bandas representan el
valor real del resistor incluyendo su porcentaje de tolerancia o error siguiendo un cdigo de colores estndar. En
primer lugar tratamos de identificar el extremo que corresponde a la banda de tolerancia del resistor, que en la
mayora de los casos suele ser dorada (5%) o (algo ms raro) plateada (10%). Una vez localizada sta la dejamos
de lado, (literalmente a la derecha), vamos al otro extremo y leemos la secuencia: fig: 1 -primera banda:
corresponde al primer dgito del valor -segunda banda: corresponde al segundo dgito del valor -tercera banda:
representa al exponente, o "nmeros de ceros" a agregar -cuarta banda: porcentaje de tolerancia (la que habamos
identificado primero) Los colores corresponden a valores estandarizados
como se detallan: Color 1 y 2 dgitos multiplicador tolerancia Negro 0 1 (x100) Marron 1 10 (x101) 1% Rojo 2
100 (x102) Naranja 3 1000 (x103) Amarillo 4 10000 (x104) Verde 5 100000 (x105) Azul 6 1000000 (x106)
Violeta 7 10000000 (x107) Gris 8 100000000 (x108) Blanco 9 1000000000 (x109) Marron o nulo 1% Dorado
0.1 (x10-1) 5% Plata 10% Esto nos da para el ejemplo de la fig. 1
Identificar el valor de un resistor SMD es ms sencillo que para un resistor convencional ya que las bandas de
colores son reemplazadas por sus equivalentes numricos y as se estampan en la superficie del resistor, la banda
indicadora de tolerancia desaparece y se la "presupone" en base al nmero de dgitos que se indica, es decir: un
nmero de tres dgitos nos indica en esos tres dgitos el valor del resistor, y la ausencia de otra indicacin nos
dice que se trata de un resistor con una tolerancia del 5%. Un nmero de cuatro dgitos indica en los cuatro
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dgitos su valor y nos dice que se trata de un resistor con una tolerancia de error del 1%. fig.1 fig.2 -primer
dgito: corresponde al primer dgito del valor -segundo dgito: corresponde al segundo dgito del valor -tercer
dgito (5%): representa al exponente, o "nmeros de ceros" a agregar (fig. 1) -tercer dgito (1%): corresponde al
tercer dgito del valor (fig. 2) -cuarto dgito (1%): representa al exponente, o "nmero de ceros" a agregar
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