CONTENIDO DETALLADO:

1. Diodos y aplicaciones con diodos.

1.1 Introduccin a los diodos y diodo ideal.
1.2 Materiales semiconductores tipo N y tipo P.
1.3 Curvas caractersticas (ideal, real y aproximadas) de un diodo.
1.4 Algunas imperfecciones del diodo y sus hojas de especificaciones.
1.5 El diodo Zener, el diodo emisor de luz (LED) y otros tipos de diodos.
1.6 Comportamiento de CC de un diodo.
1.7 El rectificador de media onda.
1.8 El rectificador de onda completa.
1.9 Recortadores y sujetadores.
1.10 Multiplicadores de voltaje.

2. El transistor de unin bipolar (BJT).

2.1 Introduccin al BJT y principios de construccin.
2.2 Configuracin de base comn.
2.3 Configuracin de emisor comn.
2.4 Configuracin de colector comn.
2.5 Lmites de operacin del transistor.
2.6 Hoja de especificaciones del transistor.

3. Polarizacin de CD del BJT.

3.1 Punto de operacin o punto Quiescente.
3.2 Circuito de polarizacin fija.
3.3 Circuito de polarizacin estabilizada de emisor.
3.4 Polarizacin con divisor de voltaje.
3.5 Diversas configuraciones de polarizacin.
3.6 Conmutacin con transistores.
 3.7 El transistor PNP

4. Modelado del transistor BJT.

4.1 Amplificador en el dominio de CA.
4.2 Modelado del transistor BJT.
4.3 Parmetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io. (Redes de dos
puertos).

4.4 El modelo re del transistor.

4.5 El modelo equivalente hbrido.

5. Anlisis de pequea seal del BJT.

5.1 Polarizacin por divisor de voltaje.
5.2 Configuracin de polarizacin de emisor para emisor comn.
5.3 Configuracin de emisor seguidor.
Apndice al captulo 5

6. Transistor de efecto de campo (FET).

6.1 Introduccin al transistor de efecto de campo.
6.2 Construccin y caractersticas de los JFET.
6.3 Caractersticas de transferencia.

7. Polarizacin de CD del FET.

7.1 Configuracin de polarizacin fija.
7.2 Configuracin de autopolarizacin.

1.1 Introduccin a los diodos y

diodo ideal.

Las dcadas que siguieron a la introduccin del transistor en los aos cuarenta
han atestiguado un cambio sumamente drstico en la industria electrnica. La
miniaturizacin que ha resultado nos maravilla cuando consideramos sus lmites.
En la actualidad se encuentran sistemas completos en una oblea miles de veces
menor que el ms sencillo elemento de las primeras redes. Las ventajas asociadas
con los sistemas semiconductores en comparacin con las redes con tubos de los
aos anteriores son , en su mayor parte, obvias: ms pequeos y ligeros, no
requieren calentamiento ni se producen prdidas trmicas (lo que s sucede en el
caso de los tubos), una construccin ms resistente y no necesitan un periodo de
calentamiento.
La miniaturizacin de los ltimos aos ha producido sistemas semiconductores
tan pequeos que el propsito principal de su encapsulado es proporcionar
simplemente algunos medios para el manejo del dispositivo y para asegurar que
las conexiones permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores
limitan en apariencia los lmites de la miniaturizacin: la calidad del propio
material semiconductor, la tcnica del diseo de la red y los lmites del equipo de
manufactura y procesamiento.
El primer dispositivo electrnico que se presentar se denomina diodo. Es el ms
sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempea un papel vital en
los sistemas electrnicos, con sus caractersticas que se asemejan en gran medida
a las de un sencillo interruptor. Se encontrar en una amplia gama de
aplicaciones, que se extienden desde las simples hasta las sumamente complejas.
Aparte de los detalles de su construccin y caractersticas, los datos y grficas
muy importantes que se encontrarn en las hojas de especificaciones tambin se
estudiarn para asegurar el entendimiento de la terminologa empleada y para
poner de manifiesto la abundancia de informacin de la que por lo general se
dispone y que proviene de los fabricantes.
Antes de examinar la construccin y caractersticas de un dispositivo real,
consideremos primero un dispositivo ideal, para proporcionar una base
comparativa. El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el
smbolo y las caractersticas que se muestran en la figura 1.1a y b,
respectivamente.
 (a)

(b)
Figura 1.1 Diodo ideal: (a)smbolo; (b) caracterstica.

En forma ideal, un diodo conducir corriente en la direccin definida por la

flecha en el smbolo y actuar como un circuito abierto para cualquier intento de
establecer corriente en la direccin opuesta. En esencia:
Las caractersticas de un diodo ideal son las de un interruptor que
puede conducir corriente en una sola direccin.
En la descripcin de los elementos que sigue, un aspecto muy importante es la
definicin de los smbolos literales, las polaridades de voltaje y las direcciones
de corriente. Si la polaridad del voltaje aplicado es consistente con la que se
muestra en la figura 1.1.a, la parte de las caractersticas que se consideran en la
figura 1.1.b, se encuentra a la derecha del eje vertical. Si se aplica un voltaje
inverso, las caractersticas a la izquierda son pertinentes. En el caso de que la
corriente a travs del diodo tenga la direccin que se indica en la figura 1.1.a, la
parte de las caractersticas que se considerar se encuentra por encima del eje
horizontal, en tanto que invertir la direccin requerir el empleo de las
caractersticas por debajo del eje.
Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o
regin de operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de ID y
la polaridad de VD en la figura 1.1.a (cuadrante superior derecho de la figura
1.1.b), encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de acuerdo a como
se define con la ley de Ohm es

(corto circuito)

donde VF es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo e IF es la

corriente en sentido directo a travs del diodo.
El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la regin
de conduccin.
Si consideramos la regin del potencial aplicado negativamente (tercer
cuadrante) de la figura 1.1.b,

(circuito abierto)

donde VR es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la

corriente inversa en el diodo.
El diodo ideal, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin
en la que no hay conduccin.

En sntesis, se aplican las condiciones que se describen en la figura 1.2.

 Figura 1.2 Estados (a) de conduccin y (b) de no conduccin del diodo ideal.

En general, es relativamente sencillo determinar si un diodo se encuentra en la

regin de conduccin o en la de no conduccin observando tan solo la direccin
de la corriente ID establecida por el voltaje aplicado. Para el flujo convencional
(opuesto al de los electrones), si la corriente resultante en el diodo tiene la misma
direccin que la de la flecha del mismo elemento, ste opera en la regin de
conduccin. Esto se representa en la figura 1.3a. Si la corriente resultante tiene la
direccin opuesta, como se muestra en la figura 1.3b, el circuito abierto
equivalente es el apropiado.

Figura 1.3 (a) Estado de conduccin y (b) de no conduccin del diodo ideal
determinados por la direccin de corriente de la red aplicada.
Como se indic con anterioridad, el propsito principal de esta seccin es el de
presentar las caractersticas de un dispositivo ideal para compararlas con las de
las variedades comerciales.

1.2 Materiales semiconductores

tipo N y tipo P.

Configuracin Electrnica de los elementos Semiconductores:

Elemento _electrones 1S 2S 2P 3S 3P 3d 4S 4P 4d 4f 5S 5P

Boro _____ B __ 5 2 2_1

Carbono __ C __ 6 2 2_2

Aluminio __ Al __13 2 2_6 2_1

Silicio ____ Si __ 14 2 2_6 2_2

Fsforo ___ P __15 2 2_6 2_3

Galio ____ Ga __31 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2_1

Germanio__Ge __32 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2_2

Arsnico __As __33 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2_3

Indio _____In __ 49 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2_1

Estao ____Sn__ 50 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2_2

Antimonio__Sb_ 51 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2_3
 Electrones por 2 8 18 32

Nivel (2 )

Enlace covalente: En este tipo de enlace los electrones se comparten, pero no se

transfieren. Un enlace covalente consiste en un par de electrones (de valencia)
compartidos por dos tomos.
El mtodo ms sencillo para liberar los electrones de valencia ligados consiste en
calentar e cristal. Los tomos efectan oscilaciones cada vez ms intensas que
tienden a romper los enlaces y liberar as los electrones. Cuanto mayor sea la
temperatura de un semiconductor, mejor podr conducir.

Material Intrnseco
Cristal de Silicio

Material Intrnseco Tipo N

Cristal de Silicio "dopado" con tomos de Arsnico. tomos "Donadores"
 Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se denominan tomos
donadores.
Los materiales tipo N se crean aadiendo elementos de impureza (tomos) que
tengan cinco electrones de valencia, "Pentavalentes".

Material Extrnseco Tipo P

Cristal de Silicio "Dopado" con tomos o impurezas de Galio. tomos "Aceptores"

Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se denominan tomos

aceptores.
Los materiales tipo P se crean aadiendo elementos de impurezas (tomos) que
tengan tres electrones de valencia.
Por las razones antes expuestas, en un material tipo N el electrn se denomina
portador mayoritario y el hueco, portador minoritario.
Cuando el quinto electrn (electrn sobrante) de un tomo donador abandona al
tomo padre, el tomo que permanece adquiere una carga positiva neta: a ste se
le conoce como ion donador y se representa con un circulo encerrando un signo
positivo. Por razones similares, el signo negativo aparece en el ion aceptor.
Tipo N

Iones Donadores (tomos de impurezas con 5 electrones).

- Portadores Mayoritarios.
+ Portador Minoritarios.
(Huecos generados cuando algunos electrones de tomos de silicio adquieren
suficiente energa para romper el enlace covalente y convertirse en electrones
libres y/o portadores Mayoritarios).
Tipo N
 Tipo P

- Iones Aceptores (tomos de impurezas con 3 electrones).

+ Portadores Mayoritarios.
- Portadores minoritarios.
(electrones libres generados cuando estos adquieren suficiente energa para
romper el enlace covalente, el hueco que dejan se convierte en portado
mayoritario).

Tipo P

Diodo Semiconductor
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los
cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser
Ge o Si.
Las dimensiones de los bloques de material tipo N y tipo P, as como las tcnicas
y tecnologas que se utilizan para unirlos no son parte de los objetivos del curso y
por esa razn no se abordar el tema, si alguien desea saber un poco ms de esto,
puede consultar el captulo 13, 20 y/o 21 del libro de texto.

Regin de Agotamiento
En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los
electrones y los huecos que estn en , o cerca de, la regin de "unin", se
combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como
mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de
iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de
Agotamiento por la ausencia de portadores.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del

diodo:
- No hay polarizacin (VD = 0 V).
- Polarizacin directa (VD > 0 V).
- Polarizacin inversa (VD < 0 V).
VD = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos)
en el material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento
pasarn directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de
polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es
cero para un diodo semiconductor.

La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material

tipo N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la
frontera y reducir la anchura de la regin de agotamiento hasta desaparecerla
cuando VD 0.7 V para diodos de Silicio.
ID = Imayoritarios - IS

Condicin de Polarizacin Inversa (VD < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de
iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N
aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el
potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos
descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones
inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos.
El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P,
provocar que la regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una
barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto
significa que la corriente ID del diodo ser cero.
Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la
regin de agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corriente IS.
La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina
corriente de saturacin inversa, IS.
El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se
satura) en forma rpida y no cambia significativamente con el incremento en el
potencial de polarizacin inversa, hasta que al valor VZ o VPI, voltaje pico
inverso.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar

en la regin Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal.
Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de
corriente ms altos e intervalos de temperatura ms amplios que los diodos de
germanio.
1.3 Curvas caractersticas
(ideal, real y aproximadas) de
un diodo.

La curva de un diodo semiconductor (o diodo real) se puede definir por la

siguiente ecuacin:

-------- K = 11,600/ -------- = 1 para Ge

TK = TC + 273 ----------------------------------------------- = 2 para Si
Para un diodo de silicio la corriente de saturacin inversa IS aumentar cerca del
doble en magnitud por cada 10 C de incremento en la temperatura.
Debido a la forma que tiene la curva caracterstica del diodo, mostrada
anteriormente, y la forma compleja de la ecuacin, con frecuencia se utiliza un
modelo simplificado:

El modelo simplificado se puede utilizar siempre que la resistencia de la red y/o

de los dispositivos junto a los cuales se conectar el diodo sea mucho mayor que
la resistencia promedio del diodo rd, la cual se podra calcular como rd, en
promedio, la resistencia de un diodo de pequea seal es de 26 . Red >> rd
1.4 Algunas imperfecciones del
diodo y sus hojas de
especificaciones.

Los dispositivos electrnicos (entre ellos los semiconductores) son sensibles a

frecuencias muy elevadas. En los diodos se presentan dos efectos principales a
altas frecuencias:
Capacitancias parsitas de Transicin y de Difusin.
Tiempo de recuperacin en Sentido Inverso.
En la regin de polarizacin inversa se presenta principalmente la capacitancia de
la regin de agotamiento (CT), en tanto que en la de polarizacin directa se
presenta principalmente la capacitancia de difusin o de almacenamiento (CD).

El tiempo de recuperacin en sentido inverso se representa por trr. Cuando el

diodo est polarizado directamente y el voltaje aplicado se invierte
repentinamente, idealmente se debera observar que el diodo cambia en forma
instantnea del estado de conduccin al de no conduccin. Sin embargo, debido a
un nmero considerable de portadores minoritarios en cada material, el diodo se
comportar como se muestra en la siguiente figura:
ts - Tiempo de almacenamiento. Tiempo requerido para que los portadores
minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material
opuesto.
tt - Intervalo de Transicin. Tiempo requerido para que la corriente inversa se
reduzca al nivel asociado con el estado de no conduccin.
5ns trr 1 s en diodos de recuperacin muy rpida (trr 150 Pseg.)

Hojas de especificaciones del diodo.

1. El voltaje directo VF (a una corriente u temperatura especfica).
2. Mxima Corriente Directa IF (Temp. especfica).
3. Corriente de Saturacin Inversa IR (voltaje y temperatura especficos).
4. Voltaje inverso Nominal VPI o VBR (Temperatura).
5. Mximo nivel de disipacin de Potencia PDmx (Temperatura).
6. Capacitancias parsitas.
7. Tiempo de recuperacin en sentido inverso trr.
8. Intervalo de temperatura de operacin.
1.5 El diodo Zener, el diodo
emisor de luz (LED) y otros
tipos de diodos.

DIODOS ZENER
La corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la d un diodo
polarizado directamente.
El diodo Zener es un diodo que ha sido diseado para trabajar en la regin Zener.

De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado
para trabajar con voltajes negativos (con respecto a l mismo).
Es importante mencionar que la regin Zener (en un diodo Zener) se controla o
se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento en el nmero de
impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ.
As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a
-200 V y potencias de 1/4 a 50 W.
El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su
potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se
activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes.
En el circuito que se muestra, se desea proteger la carga contra sobrevoltajes, el
mximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo
Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activar cuando el voltaje en la
carga sea 4.8 volts, protegindola de esta manera.

EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED)

El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se
encuentra polarizado.
El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente
necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.
Principio de Funcionamiento:
En cualquier unin P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y
principalmente cerca de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y
electrones (al paso de la corriente). Esta recombinacin requiere que la
energa que posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas
las uniones P-N una parte de esta energa se convierte en calor y otro tanto en
fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz
emitida es insignificante. Por esta razn se utiliza otro tipo de materiales para
fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro de
Galio (GaP).
Otros diodos son:
Diodos Schottky (Diodos de Barrera).
Diodos Varactores o Varicap.
Diodos Tunel.
Fotodiodos.
Diodos emisores de luz infrarroja.
Diodo de inyeccin lser (ILD).
Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo,
mbar, azul y algunos otros.
En este punto del curso vale la pena tomar en cuenta los siguiente comentarios:
- Qu tan vlido es utilizar las aproximaciones ?
- Qu tan exacto puede ser un clculo y/o una medicin realizada en el
laboratorio ?
Hay que tener en cuenta que las caractersticas obtenidas de las hojas de
especificaciones pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque
ambos hayan sido producidos en el mismo lote.
Tambin hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno
marcado de 100 puede ser realmente de 98 o de 102 o tal vez si ser
exacto, y una fuente "ajustada" a 10V puede estar ajustada realmente a 9.9V o a
10.1V o tal vez a 10V.

1.6 Comportamiento de CC de
un diodo.

ANLISIS POR RECTA DE CARGA

La carga o la resistencia de carga (RL o R) aplicada a un circuito, tendr un efecto
importante sobre el punto de regin de operacin de un dispositivo (en este caso
el diodo).

Si se aplica la ley de voltajes de Kirchoff:

V - VD - VL = 0
V = VD + IDRL
Si se realiza un anlisis en esta malla, de tal manera que pueda trazarse una lnea
recta sobre la curva de caractersticas del diodo, entonces la interseccin de stas
representar el punto de operacin de la red o punto Q.
Ntese que la recta de carga queda determinada en sus extremos por RL y V, de
tal manera que representa las caractersticas de la red. Si se modifica el valor de
V o de RL o de ambos, entonces la recta de carga cambiar tambin.
Los extremos de la recta de carga se obtienen buscando las intersecciones con los
ejes (ID = 0 y despus VD = 0):
Si VD = 0:

V = IDRL ID = V / RL
Si ID = 0:

V = VD VD = V
Como se mostr anteriormente, una lnea recta trazada entre estos dos puntos
define la recta de carga.
Es muy vlido tambin utilizar para el diodo, en lugar de la curva real, la curva
del modelo simplificado. En este caso, el punto Q no cambiar o cambiar muy
poco.
Si en lugar del modelo simplificado se utilizara el modelo del diodo ideal,
entonces s cambiara mucho el punto Q.

COMPORTAMIENTO DE CC DE UN DIODO
En esta seccin se utilizar el modelo simplificado, o modelo aproximado del
diodo para analizar el comportamiento en diversas configuraciones en serie y en
paralelo con entradas de CD.
Para cada configuracin o circuito debe determinarse primero el estado de cada
diodo (Conduccin o No Conduccin). Despus de determinar esto se puede
poner en su lugar el equivalente adecuado y determinar los otros parmetros de la
red.
En lo subsecuente, se utilizar el modelo simplificado, o modelo aproximado del
diodo para analizar el comportamiento en diversas configuraciones en serie y en
paralelo con entradas de CC (Corriente Continua, Corriente Directa).
A continuacin se abordarn algunos puntos y conceptos a tomar en cuenta
previos y para el anlisis de un circuito con diodos:
1.- Un diodo estar en estado activo si VD = 0.7V para el Si y VD =
0.3 para el Ge.
2.- Para cada configuracin o circuito debe determinarse primero el
estado de cada diodo (conduccin o no conduccin).
3.- Despus de verificar el punto anterior, en ocasiones es
conveniente poner en lugar del diodo, el circuito equivalente
adecuado y posteriormente determinar los otros parmetros de la
red.
4.- Hay que tener en cuenta que:
o Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje
a travs de sus terminales (hasta VPI en el caso de un
diodo), pero la corriente siempre es cero (IS en el caso
de un diodo, aunque IS 0).
o Un corto circuito tiene una cada de cero volts a
travs de sus terminales (0.7 volts para un diodo de Si,
0.3 volts para un diodo de Ge, 0 volts para un diodo
ideal) y la corriente estar limitada por la red
circundante.
En los diversos circuitos que se muestran a continuacin, determine VD, ID y VR.
1.-
 Con V = 12 volts
Realizando la malla:
V - VT - VR = 0
12 - 0.7 - IR = 0
Despejando I de la ecuacin anterior:
I = (12 - 0.7)/1.2 k = 9.42 mA

Si en el ejemplo anterior se invierte el diodo:

2.-

Con el diodo invertido la corriente por l

ser cero (si se utiliza el modelo simplificado)
y entonces I = 0.
12 - VD - VR = 0, donde VR = IR = 0
VD = 12 volts
 I = ID = 0 A

3.-

En este caso, aunque la polaridad del voltaje de la

la fuente es adecuada para polarizar el diodo, el ni-
vel de voltaje es insuficiente para activar al diodo
de silicio y ponerlo en el estado de conduccin.

De acuerdo con la grfica ID = 0

0.4 - 0.4 - VR = 0
 0.4 - 0.4 - IR = 0
I = 0 VR = 0
4.-

12 - VTSi - VTGe - IDR = 0 , si ID = I

12 - 0.7 - 0.3 - I (5.6k) = 0
I = 11V / 5.6k = 1.96 mA
VR = (1.96 mA)(5.6 k) = 11
Vo = VR = 11V

5.-

6.-

V1 - VR1 - VD - VR2 + V2 = 0
10 - IR1 -0.7 - IR2 + 5 = 0
14.3 - I(R1 + R2) = 0
I = 14.3 / (4.7k + 2.2k) = 2.1 mA
Vo = VR2 - V2 = (4.56 - 5)v = -0.44v
VR2 = (2.1 mA)(2.2k) = 4.56v

7.-
 10 - VR - 0.7 = 0
10 - (I)(R) - 0.7 = 0
I = 9.3 / 3.3k = 2.8 mA
VR = (I)(R) = (2.8m)(3.3k) = 9.3 v

8.-

9.-
10.-

-VR2 + 20 - VD1 - VD2 = 0

1.7 El rectificador de media

onda.
El Vprom o Vcd de esta seal rectificada es:
 , pero = 2 f y f
= 1/T

Si Vm es mucho mayor que VT Vcd 0.318Vm

 Vpp = Valor pico a pico = 2Vp
Vp = Valor pico
Vpromedio = 0

Ejemplo: Dibuje la salida Vo y calcule el nivel de cd para la siguiente red.

a) con Vi = 20 sen t volts y con diodo ideal.
Con el diodo conectado de esta manera, ste conducir nicamente en la parte
negativa de Vi.
Vcd = -0.318Vm = -0.318(20)
Vcd = -6.36 volts

b)Repita el inciso anterior si el diodo se sustituye por uno de silicio.

Vcd = - 0.318(Vm - VT)

Vcd = - 0.318(20 -0.7)
Vcd = - 6.14V
c) Repita el inciso a) si el diodo ideal se sustituye por uno de silicio y Vi = 179.6
sen t volts.

d) Repita el inciso anterior con diodo ideal.

El voltaje pico inverso del diodo es de fundamental importancia en el diseo de

sistemas de rectificacin.
El VPI del diodo no debe excederse (Vm < VPI) ya que de lo contrario, el diodo
entrara en la regin de avalancha o regin Zener.
La mayor parte de los circuitos electrnicos necesitan un voltaje de c.d. para
trabajar. Debido a que el voltaje de lnea es alterno, lo primero que debe hacerse
en cualquier equipo electrnico es convertir o "rectificar" el voltaje de alterna
(c.a.) en uno de directa (c.d.).
La tarea de la "fuente" o fuente de alimentacin de cualquier equipo o aparato
electrnico es obtener el o los niveles adecuados de c.d. a partir del voltaje de
linea (127 VRMS).

El transformador es un dispositivo que se utiliza para elevar o reducir el voltaje

de CA, segn como sea necesario.

donde:
V1 = Voltaje en el devanado primario
V2 = Voltaje en el devanado secundario
N1 = # de vueltas en devanado primario
N2 = # de vueltas en el devanado secundario
P.e. Si la razn de vueltas es 6:1 y Vin es el voltaje de la lnea:

1.8 El rectificador de onda

completa (R.O.C.)

Se conocen y se utilizan dos configuraciones para rectificadores de onda

completa. La primera de ellas es el "Puente" rectificador de onda completa:
Rectificador de onda completa utilizando Transformador con Derivacin Central
Para diodos reales: Vprom = Vcd = 0.636 (Vm-VT)
Para cada diodo: VPI 2Vm
2.1 Introduccin al BJT y
principios de construccin.
Durante el periodo 1904-1947, el tubo de vaco fue sin duda el dispositivo
electrnico de inters y desarrollo. En 1904, el diodo de tubo de vaco fue
introducido por J. A. Fleming. Poco despus, en 1906, Lee, De Forest agreg un
tercer elemento, denominado rejilla de control, al tubo de vaco, lo que origin el
primer amplificador: el triodo. En los aos siguientes, la radio y la televisin
brindaron un gran impulso a la industria de tubos electrnicos. La produccin
aument de cerca de 1 milln de tubos en 1922 hasta aproximadamente 100
millones en 1937. A principios de la dcada de los treinta el ttrodo de cuatro
elementos y el pntodo de cinco elementos se distinguieron en la industria de
tubos electrnicos. Durante los aos subsecuentes, la industria se convirti en
una de primera importancia y se lograron avances rpidos en el diseo, las
tcnicas de manufactura, las aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la
miniaturizacin.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947 la industria electrnica atestigu el
advenimiento de una direccin de inters y desarrollo completamente nueva. Fue
en el transcurso de la tarde de ese da que Walter H. Brattain y John Bardeen
demostraron el efecto amplificador del primer transistor en los Bell Telephone
Laboratorios. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se
muestra en la figura 3.1. De inmediato, las ventajas de este dispositivo de estado
slido de tres terminales sobre el tubo electrnico fueron evidentes: era ms
pequeo y ligero; no tena requerimientos de filamentos o prdidas trmicas;
ofreca una construccin de mayor resistencia y resultaba ms eficiente porque el
propio dispositivo absorba menos potencia; instantneamente estaba listo para
utilizarse, sin requerir un periodo de calentamiento; adems, eran posibles
voltajes de operacin ms bajos. Obsrvese en la presentacin anterior que este
captulo es nuestro primer estudio de dispositivos con tres o ms terminales. El
lector descubrir que todos los amplificadores (dispositivos que incrementan el
nivel de voltaje, corriente o potencia) tendrn al menos tres terminales con una de
ellas controlando el flujo entre las otras dos.
 Figura 3.1 El primer transistor.

CONSTRUCCION DEL TRANSISTOR

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de
dos capas de material tipo n y una de tipo p o dos capas de material tipo p y una
de tipo n. El primero se denomina transistor npn, en tanto que el ltimo recibe el
nombre de transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 3.2 con la polarizacin
de cd adecuada. En el captulo 3 encontraremos que la polarizacin de cd es
necesaria para establecer una regin de operacin apropiada para la amplificacin
de ca. Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores con
altos niveles de dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los
correspondientes al material emparedado de tipo p o n. En los transistores que se
muestran en la figura 3.2, la relacin entre el ancho total y el de la capa central es
de 0.150/0.001 = 150:1. El dopado de la capa emparedada es tambin
considerablemente menor que el de las capas exteriores (por lo general de 10:1 o
menos). Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la
resistencia) de este material al limitar el nmero de portadores "libres".
En la polarizacin que se muestra en la figura 3.2, las terminales se han indicado
mediante letras maysculas, E para el emisor, C para el colector y B para la base.
Una justificacin respecto a la eleccin de esta notacin se presentar cuando
estudiemos la operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT (bipolar
junction transistor = transistor de unin bipolar) se aplica a menudo a este
dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que los
electrones y los huecos participan en el proceso de inyeccin en el material
polarizado opuestamente. Si slo uno de los portadores se emplea (electrn o
hueco), se considera que el dispositivo es unipolar.
 Figura 3.2 Tipos de transistores: (a) pnp; (b) npn.

OPERACION DEL TRANSISTOR

La operacin bsica del transistor se describir ahora empleando el transistor pnp
de la figura 3.2a. La operacin del transistor npn es exactamente igual si se
intercambian los papeles que desempean los electrones y los huecos. En la
figura 3.3 se ha redibujado el transistor pnp sin la polarizacin base a colector.
Ntense las similitudes entre esta situacin y la del diodo polarizado
directamente en el captulo 1. El ancho de la regin de agotamiento se ha
reducido debido a la polarizacin aplicada, lo que produce un denso flujo de
portadores mayoritarios del material tipo p al tipo n.
 Figura 3.3 Unin polarizada directamente de un transistor pnp.

Eliminaremos ahora la polarizacin base a emisor del transistor pnp de la figura

3.2a como se indica en la figura 3.4. Recurdese que el flujo de portadores
mayoritarios es cero, por lo que slo se presenta un flujo de portadores
minoritarios, como se ilustra en la figura 3.4. En resumen, por tanto:
Una unin p-n de un transistor est polarizada inversamente, en tanto que la
otra presenta polarizacin directa.
En la figura 3.5 ambos potenciales de polarizacin se han aplicado a un transistor
pnp, con un flujo de portadores mayoritario y minoritario que se indica. En la
figura 3.5 ntense los anchos de las regiones de agotamiento, que indican con
toda claridad qu unin est polarizada directamente y cul inversamente. Como
se indica en la figura 3.5, un gran nmero de portadores mayoritarios se
difundirn a travs de la unin p~n polarizada directamente dentro del material
tipo n. La pregunta es entonces si estos portadores contribuirn en forma directa a
la corriente de base IB o pasarn directamente hacia el material tipo p. Puesto que
el material tipo n emparedado es sumamente delgado y tiene una baja
conductividad, un nmero muy pequeo de estos portadores seguir la trayectoria
de alta resistencia hacia la terminal de la base. La magnitud de la corriente de
base es por lo general del orden de microamperes en comparacin con los
miliamperes de las corrientes del emisor y del colector. El mayor nmero de
estos portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin polarizada
inversamente dentro del material tipo p conectado a la terminal del colector,
como se indica en la figura 3.5. La causa de la relativa facilidad con la que los
portadores mayoritarios pueden cruzar la unin polarizada inversamente puede
comprenderse si consideramos que para el diodo polarizado en forma inversa, los
portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores minoritarios en
el material tipo n. En otras palabras, ha habido una inyeccin de portadores
minoritarios al interior del material de la regin base de tipo n. Combinando esto
con el hecho de que todos los portadores minoritarios, en la regin de
agotamiento cruzarn la unin polarizada inversamente, se explica el flujo que se
indica en la figura 3.5.

Figura 3.4 Unin polarizada inversamente de un transistor pnp.

Figura 3.5 Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp.

Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5 como si

fuera un solo nodo, obtenemos
I E = I C + IB
y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el
colector y la base, Sin embargo, la corriente en el colector est formada por dos
componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios como se indica en la
figura 3.5. La componente de corriente minoritaria se denomina corriente de
fuga y se simboliza mediante ICO (corriente IC con la terminal del emisor abierta =
open). Por lo tanto, la corriente en el colector se determina completamente
mediante la ecuacin (3.2).
IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria
En el caso de transistores de propsito general, IC se mide en miliamperes, en
tanto que ICO se mide en microamperes o nanoamperes. ICO como Is para un diodo
polarizado inversamente, es sensible a la temperatura y debe examinarse con
cuidado cuando se consideren aplicaciones de intervalos amplios de temperatura.
Si este aspecto no se trata de manera apropiada, es posible que la estabilidad de
un sistema se afecte en gran medida a elevadas temperaturas. Las mejoras en las
tcnicas de construccin han producido niveles bastante menores de ICO, al grado
de que su efecto puede a menudo ignorarse.

2.2 Configuracin de base

comn.
La notacin y smbolos que se usan en conjunto con el transistor en la mayor
parte de los textos y manuales que se publican en la actualidad, se indican en la
figura 3.6 para la configuracin de base comn con transistores pnp y npn, La
terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base es
comn a los lados de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base es
usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de tierra. A lo largo de
estos apuntes todas las direcciones de corriente se referirn a la convencional
(flujo de huecos) en vez de la correspondiente al flujo de electrones. Esta
eleccin se fundamenta principalmente en el hecho de que enorme cantidad de
literatura disponible en las instituciones educativas y empresariales hace uso del
flujo convencional, de que las flechas en todos los smbolos electrnicos tienen
una direccin definida por esta convencin. Recurdese que la flecha en el
smbolo del diodo define la direccin de conduccin para la corriente
convencional. Para el transistor:
La flecha del smbolo grfico define la direccin de la corriente de emisor (flujo
convencional) a travs del dispositivo.
 Figura 3.6 Notacin y smbolos en la configuracin de base comn.

Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las
direcciones reales, como se definen con base en la eleccin del flujo
convencional. Ntese en cada caso que IE = IC + IB. Tambin advirtase que la
polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la
corriente en la direccin indicada para cada rama. Es decir, comprese la
direccin de IE con la polaridad o VEE para cada configuracin y la direccin de IC
con la polaridad de ICC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres
terminales, tales como los amplificadores de base comn de la figura 3.6, se
requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los parmetros de entrada
o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el
amplificador de base comn, como se muestra en la figura 3.7, relacionar una
corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE ) para varios niveles de
voltaje de salida (VCB).

Figura 3.7 Caractersticas del punto de excitacin para un transistor amplificador de

silicio de base comn.

El conjunto de salida relacionar una corriente de salida (IC) con un voltaje de

salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE), como se ilustra en la
figura 3.8. El conjunto de caractersticas de salida o colector tiene tres regiones
bsicas de inters, como se indican en la figura 3.8: las regiones activa, de corte
y de saturacin. La regin activa es la regin empleada normalmente para
amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la regin actva la
unin colector-base est inversamente polarizada, mientras que la unin base-
emisor se encuentra polarizada en forma directa.
La regin activa se define por los arreglos de polarizacin de la figura 3.6. En el
extremo ms bajo de la regin activa la corriente de emisor (IE) es cero, la
comente de colector es simplemente la debida a la corriente inversa de saturacin
ICO , como se indica en la figura 3.8. La corriente ICO es tan pequea (del orden de
microamperios) en magnitud comparada con la escala vertical de IC (del orden de
los miliamperios), que aparece virtualmente sobre la misma lnea horizontal que
IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la
configuracin base comn se ilustran en la figura 3.9. La notacin usada con ms
frecuencia para ICO, en hojas de datos y de especificaciones es ICBO como se indica
en la figura 3.9. A causa de las tcnicas mejoradas de construccin, el nivel de
ICBO para transistores de propsito general (especialmente silicio) en los intervalos
de potencia bajo y medio es por lo general tan reducido que su efecto puede
ignorarse. Sin embargo, para unidades de mayor potencia ICBO an aparecer en el
intervalo de los microamperios. Adems, recurdese que ICBO para el diodo
(ambas corrientes inversas de fuga) es sensible a la temperatura. A mayores
temperaturas el efecto de ICBO puede llegar a ser un factor importante ya que se
incrementa muy rpidamente con la temperatura.

Figura 3.9 Saturacin de corriente inversa.

Ntese, en la figura 3.8, que conforme la corriente del emisor aumenta sobre
cero, la corriente del colector aumenta a una magnitud esencialmente igual a la
corriente del emisor determinada por las relaciones bsicas del transistor-
corriente. Advirtase tambin el casi desdeable efecto de VCB sobre la corriente
del colector para la regin activa. Las curvas indican claramente que una primera
aproximacin a la relacin entre IE e IC en la regin activa la da
IC IE
Como se deduce de su nombre, la regin de corte se define como aquella regin
donde la corriente de colector es de 0 A, como se demuestra en la figura 3.8. En
suma:
En la regin de corte ambas uniones, colector-base y base-emisor, de un
transistor estn inversamente polarizadas.
La regin de saturacin se define como la regin de las caractersticas a la
izquierda de VCB = 0 V. La escala horizontal en esta regin se ampli para
mostrar claramente el gran cambio en las caractersticas de esta regin. Ntese el
incremento exponencial en la comente de colector a medida que el voltaje VCB se
incrementa ms all de los 0 V.
En la regin de saturacin las uniones colector-base y base-emisor estn
polarizadas directamente.
Las caractersticas de entrada de la figura 3.7 muestran que para valores fijos de
voltaje de colector (VCB), a medida que el voltaje de base a emisor aumenta, la
corriente de emisor se incrementa de una manera que se asemeja mucho a las
caractersticas del diodo. De hecho, los niveles de aumento de VCB tienen un
efecto tan insignificante sobre las caractersticas que, como una primera
aproximacin, la variacin debida a los cambios en VCB puede ignorarse y se
dibujan las caractersticas como se ilustra en la figura 3.10a. Si aplicamos
entonces el mtodo del modelo de segmentos lineales del diodo ideal, se
obtendrn las caractersticas de la figura 3.10b. Adelantando un paso ms e
ignorando la pendiente de la curva y por tanto la resistencia asociada con la unin
directamente polarizada, se obtendrn las caractersticas de la figura 3. lOc. Para
los siguientes anlisis en estos apuntes, el modelo equivalente de la figura 3.l0c
se emplear para todos los anlisis de cd para redes de transistores. Es decir, una
vez que el transistor esta en el estado "encendido" o de conduccin, se supondr
que el voltaje de base a emisor ser el siguiente:
VBE = 0.7 V

Alfa ( )
En el modo de cd los niveles de IC e IE debidos a los portadores mayoritarios
estn relacionados
por una cantidad denominada alfa y que se define por medio de la siguiente
ecuacin:
cd = IC / IE
donde IC e IE son los niveles de corriente al punto de operacin. Aun cuando las
caractersticas de la figura 3.8 parecen sugerir que = 1, para dispositivos
prcticos el nivel de alfa se extiende tpicamente de 0.90 a 0.998, aproximndose
la mayor parte al extremo superior del intervalo. Ya que alfa se define
nicamente por los portadores mayoritarios, la ecuacin (3.2) se convierte en
IC = IE + ICBO
Para las caractersticas de la figura 3.8 cuando IE = 0 mA, IC es por tanto igual a
ICBO, pero como se mencion con anterioridad el nivel de ICBO es por 1o general
tan pequeo que es virtualmente indetectable en la grfica de la figura 3.8. En
otras palabras, cuando IE = 0 mA en la figura 3.8, IC aparece tambin con 0 mA
para el intervalo de valores de VCB.
Para las situaciones de ca en donde el punto de operacin se mueve sobre la
curva de caractersticas, un alfa de ca se define por

El alfa de ca se denomina formalmente el factor de amplificacin de base comn

en corto circuito, por razones que sern obvias cuando examinemos los circuitos
equivalentes de transistor en el capitulo 4. Por el momento, admitamos que la
ecuacin (3.7) especifica que un cambio relativamente pequeo en la corriente de
colector se divide por el cambio correspondiente en IE manteniendo constante el
voltaje colector a base. Para la mayora de las situaciones las magnitudes de ca
y de cd se encuentran bastante cercanas, permitiendo usar la magnitud de una
por otra.

Polarizacin
La polarizacin adecuada de la base comn puede determinarse rpidamente
empleando la aproximacin IC IE y suponiendo por el momento que IB 0 uA.
El resultado es la configuracin de la figura 3.11 para el transistor pnp. La flecha
del smbolo define la direccin del flujo convencional para IC IE. Las
alimentaciones de cd se insertan entonces con una polaridad que sostendr la
direccin de la comente resultante. En el transistor npn las polaridades estarn
invertidas.

Figura 3.11
A algunos estudiantes les parece que pueden recordar si la flecha del smbolo del
dispositivo apunta hacia afuera haciendo corresponder las letras del tipo de
transistor con las letras apropiadas de las frases "apuntando hacia adentro" o
"apuntando hacia afuera".

ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR

Ahora que se ha establecido la relacin entre IC e IE, la accin bsica de
amplificacin del transistor se puede introducir en un nivel superficial utilizando
la red de la figura 3.12. La polarizacin de cd no aparece en la figura puesto que
nuestro inters se limitar a la respuesta de ca. Para la configuracin de base
comn, la resistencia de entrada de ca determinada por las caractersticas de la
figura 3.7 es bastante pequea y vara tpicamente de 10 a 100 ohms. La
resistencia de salida determinada por las curvas de la figura 3.8 es bastante alta
(cuanto ms horizontal est la curva mayor ser la resistencia) y vara
normalmente de 50 kohms a 1 Mohms, La diferencia en resistencia se debe a la
unin polarizada directamente en la entrada (base a emisor) y la unin polarizada
inversamente en la salida (base a colector). Usando un valor comn de 20 ohms
para la resistencia de entrada, encontramos que

Si suponemos por el momento que ca = 1,

IL = Ii = 10 mA
VL = ILR
= (10 mA)(5 kohms)
= 50 V

Figura 3.12
La amplificacin de voltaje es

Los valores tpicos de amplificacin de voltaje para la configuracin de base

comn varan de 50 a 300. La amplificacin de corriente (IC/IE) siempre es menor
que 1 para la configuracin de base comn. Esta ltima caracterstica debe ser
evidente ya que IC = IE y siempre es menor que 1.
La accin bsica de amplificacin se produjo transfiriendo una corriente I de un
circuito de baja resistencia a uno de alta. La combinacin de los dos trminos en
cursivas produce el nombre de transistor, es decir,
transferencia + resistor > transistor

2.3 Configuracin de emisor

comn.

La configuracin de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se

muestra en la figura 3.13 para los transistores pnp y npn. Se denomina
configuracin de emisor comn porque el emisor es comn tanto a las terminales
de entrada como a las de salida (en este caso, es tambin comn a las terminales
de la base y del colector). De nuevo se necesitan dos conjuntos de caractersticas
para describir en forma completa el comportamiento de la configuracin de
emisor comn: una para la entrada o circuito de la base y una para la salida o
circuito del colector. Ambas se muestran en la figura 3.14.
 Figura 3.13

Figura 3.14

Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su direccin de

comente convencional real. Aun cuando la configuracin del transistor ha
cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de comentes desarrolladas
antes para la configuracin de base comn.
En la configuracin de emisor comn las caractersticas de la salida sern una
grfica de la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un rango
de valores de la corriente de entrada (IB). Las caractersticas de la entrada son una
grfica de la comente de entrada (IB) versus el voltaje de entrada (VBE ) para un
rango de valores del voltaje de salida (VCE).
Obsrvese que en las caractersticas de la figura 3.14 la magnitud de IB es del
orden de microamperes comparada con los miliamperes de IC. Ntese tambin
que las curvas de IB no son tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en
la configuracin de base comn, lo que indica que el voltaje de colector a emisor
afectar la magnitud de la corriente de colector.
La regin activa en la configuracin de emisor comn es aquella parte del
cuadrante superior derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la regin en la
que las curvas correspondientes a IB son casi lneas rectas y se encuentran
igualmente espaciadas. En la figura 3.14 a esta regin se localiza a la derecha de
la lnea sombreada vertical en VCEsat por encima de la curva para IB igual a cero.
La regin a la izquierda de VCEsat se denomina regin de saturacin. En la regin
activa de un amplificador emisor comn la unin colector-base est polarizada
inversamente, en tanto que la unin base-emisor est polarizada directamente.
Se recordar que stas fueron las mismas condiciones que existieron en la regin
activa de la configuracin de base comn. La regin activa de la configuracin de
emisor comn puede emplearse en la amplificacin de voltaje, corriente o
potencia.
La regin de corte en la configuracin de emisor comn no est tan bien definida
como en la configuracin de base comn. Ntese, en las caractersticas de
colector de la figura 3.14 que IC no es igual a cero cuando IB = 0. En la
configuracin de base comn, cuando la corriente de entrada IE = 0, la corriente
de colector fue slo igual a la corriente de saturacin inversa ICO, por lo que la
curva IE = 0 y el eje de voltaje fueron (para todos los propsitos prcticos) uno.
La razn de esta diferencia en las caractersticas del colector puede obtenerse
mediante la manipulacin adecuada de las ecuaciones (3.3) y (3.6). Es decir,
Ecuacin (3.6): IC = IE + ICBO
La sustitucin da Ecuacin (3.3): IC = ( IC + IB) + ICBO
Reordenando obtenemos:
Si consideramos el caso discutido anteriormente, donde IB = 0 A, y sustituimos
un valor tpico de a
tal como 0.996, la corriente de colector resultante es la siguiente:

Si icbo fuera de 1 uA, la corriente de colector resultante con IB = 0 A sena 250 (1

pA) = 0.25
mA, como se refleja en las caractersticas de la figura 3.14.
Para referencia futura, a la corriente de colector definida por la condicin IB = 0
uA se le asignar
la notacin indicada por la ecuacin (3.9):

En la figura 3.15 las condiciones que envuelven a esta corriente definida

nuevamente se muestran con su direccin de referencia asignada.
Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin) el corte para la
configuracin de emisor comn se determinar mediante IC = ICEO
En otras palabras, la regin por debajo de IB = 0 uA deber evitarse si se requiere
una seal de salida sin distorsin.
Cuando se emplea como interruptor en la circuitera lgica de una computadora,
un transistor tendr dos puntos de operacin de inters: uno en el corte y el otro
en la regin de saturacin. La condicin de corte, en el caso ideal, sera IC = O
mA para el voltaje VCE elegido. Puesto que ICEO es por lo general de pequea
magnitud para los materiales de silicio, el corte existir para propsitos de
conmutacin cuando IB = O uA o IC = ICEO nicamente en el caso de transistores
de silicio. En los transistores de germanio, sin embargo, el corte para propsitos
de conmutacin se definir como aquellas condiciones que existen cuando IC =
ICBO. Esta condicin puede obtenerse normalmente en los transistores de
germanio polarizando inversamente la unin de base emisor, polarizada por lo
regular en forma directa a unos cuantos dcimos de volt.
Recurdese para la configuracin de base comn que el conjunto de
caractersticas de entrada se aproxim por una lnea recta equivalente que result
en VBE = 0.7 V para cualquier nivel de IE mayor de O mA. Para la configuracin
de emisor comn puede tomarse la misma aproximacin, resultando en el
equivalente aproximado de la figura 3.16. El resultado apoya nuestra anterior
conclusin de que para un transistor en la regin "activa" o de conduccin el
voltaje de base a emisor es 0.7 V. En este caso el voltaje se ajusta para cualquier
nivel de la corriente de base.

Beta( )
En el modo de cd los niveles de IC e IB se relacionan por una cantidad
denominada beta y definida por la siguiente ecuacin:
cd = IC / IB
El nombre formal para ca es factor de amplificacin de corriente directa de
emisor comn. Puesto que la corriente de colector es por lo general la corriente
de salida para una configuracin de emisor comn y la corriente de base es la
corriente de entrada, el trmino amplificacin se incluye en la nomenclatura
anterior.
Aunque no son exactamente iguales, los niveles de ca, y de cd estn por lo
general razonablemente cercanos y con frecuencia se utilizan en forma
intercambiable.
Se puede desarrollar una relacin entre y empleando las relaciones bsicas
presentadas con anterioridad. Utilizando = IC /IB obtenemos IB = IC / , y de
= IC/IE tenemos que IE = IC / Sustituyendo en
IE = IC + IB
IC / = IC + (IC / )
y dividiendo ambos lados de la ecuacin por IC resultar en
IC / = 1 + (1 / )
de modo que

encontramos que
ICEO = ( + 1) ICBO
 ICEO ICBO
como se indica en la figura 3.14a. La beta es un parmetro particularmente
importante porque proporciona un enlace directo entre niveles de corriente de los
circu Los de entrada y salida para una configuracin de emisor comn. Es decir,
IC IB
Y puesto que
IE = IC + IB
= IB + IB
IE = ( + 1) IB

2.4 Configuracin de colector

comn.
La tercera y ltima configuracin de transistores la de colector comn, mostrada
en la figura 3.20 con las direcciones apropiadas de corriente y la notacin de
voltaje. La configuracin de colector comn se emplea fundamentalmente para
propsitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia
de entrada y una baja impedancia de salida, que es lo opuesto a las
configuraciones de base comn y de emisor comn.

Figura 3.20 Notacin y smbolos en la configuracin de colector comn.

La configuracin del circuito de colector comn se muestra en la figura 3.21 con

la resistencia de carga del emisor a tierra. Ntese que el colector est conectado a
tierra aun cuando el transistor est conectado de manera similar a la
configuracin de emisor comn. Desde el punto de vista de diseo, no es
necesario elegir para un conjunto de caractersticas de colector comn, los
parmetros del circuito de la figura 3.21. Pueden disearse empleando las
caractersticas de emisor comn de la seccin 3.6. Para todos los propsitos
prcticos, las caractersticas de salida de la configuracin de colector comn son
las mismas que las de la configuracin de emisor comn. En la configuracin de
colector comn las caractersticas de salida son una grfica de IE versus VEC para
un intervalo de valores de IB. Por ellos, la corriente de entrada es la misma tanto
para las caractersticas de emisor comn como para las de colector comn. El eje
de voltaje para la configuracin de colector comn se obtiene cambiando
simplemente el signo de voltaje de colector a emisor de las caractersticas de
emisor comn. Por ltimo, hay un cambio casi imperceptible en la escala vertical
de IC de las caractersticas de emisor comn si IC se reemplaza por IE en las
caractersticas de colector comn (puesto que = 1). En el circuito de entrada
de la configuracin de colector comn, las caractersticas de la base de emisor
comn son suficientes para obtener la informacin que se requiera.

Figura 3.21 Configuracin de colector comn empleada para propsitos de

acoplamiento de impedancia

2.5 Lmites de operacin del

transistor.

Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas, la
cual asegurara que los valores nominales mximos no sean excedidos y la seal
de salida exhibe una distorsin mnima. Una regin de este tipo, se ha definido
para las caractersticas de transistor de la figura 3.22. Todos los lmites de
operacin se definen sobre una tpica hoja de especificaciones de transistor
descrita en la seccin 2.6.
Algunos de los lmites se explican por s mismos, como la corriente mxima de
colector (denominada, por lo general, en la hoja de especificaciones, como
corriente continua de colector) y el voltaje mximo de colector a emisor
(abreviada a menudo como vCeo.) Para el transistor de la figura 3.22, ICmx se
especific como de 50 mA y vCeo como de 20 V. La linea vertical de las
caractersticas definida como vCEsat especifica la mnima vCE que puede aplicarse
sin caer en la regin no lineal denominada regin de saturacin.

Figura 3.22

El nivel de VCEsat est regularmente en la vecindad de los 0.3 V especificada para

este transistor. El mximo nivel de disipacin se define por la siguiente ecuacin:
PCmx = VCEIC

Para el dispositivo de la figura 3.22, la disipacin de potencia de colector se

especific como de 300 mW. Surge entonces la cuestin de cmo graficar la
curva de disipacin de potencia de colector especificada por el hecho de que
PCmx = VCEIC = 300 mW
En cualquier punto sobre las caractersticas el producto de VCE e IC debe ser igual
a 300 mW. Si elegimos para IC el valor mximo de 50 mA y lo sustituimos en la
relacin anterior, obtenemos
VCEIC = 300 mW
VCE(50 mA) = 300 mW
VCE = 6 V

Como un resultado encontramos que si IC = 50 mA, entonces VCE = 6 V sobre la

curva de disipacin de potencia, como se indica en la figura 3.22. Si ahora
elegimos para VCE su valor mximo de 20 V, el nivel de IC es el siguiente:
(20 V)IC = 300 mW
IC = 15 mA

definiendo un segundo punto sobre la curvatura de potencia. Si ahora escogemos

un nivel de IC a la mitad del intervalo como 25 mA, resolvemos para el nivel
resultante de VCE obtenemos
VCE(25 mA) = 300 mW
VCE = 12 V

como tambin se indica en la figura 3.22. Una estimacin aproximada de la curva

real puede dibujarse por lo general empleando los tres puntos definidos con
anterioridad. Por supuesto, entre ms puntos tenga, ms precisa ser la curva,
pero una aproximacin es generalmente todo lo que se requiere. La regin de
corte se define como la regin bajo IC = ICEO. Esta regin tiene que evitarse
tambin si la seal de salida debe tener una distorsin mnima. En algunas hojas
de especificaciones se proporciona solamente ICBO. Entonces uno debe utilizar la
ecuacin ICEO = ICBO para establecer alguna idea del nivel de corte si la curva
de caractersticas no est disponible. La operacin en la regin resultante de la
figura 3.22 asegurar una mnima distorsin de la seal de salida y niveles de
voltaje y corriente que no daarn al dispositivo. Si las curvas de caractersticas
no estn disponibles o no aparecen en la hoja de especificaciones (como ocurre
con frecuencia), uno simplemente debe estar seguro que IC, VCE y su producto
caigan dentro del intervalo que aparece en la siguiente ecuacin:
ICEO IC Icmx
VCEsat VCE VCEmx
VCEIC PCmx

Para las caractersticas de base comn la curva de potencia mxima se define por
el siguiente producto de cantidades de salida;
PCmax = VCBIC

2.6 Hoja de especificaciones del

transistor.

Puesto que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicacin entre el

fabricante y el usuario, es de particular importancia que la informacin
proporcionada sea reconocida y correctamente comprendida. Aunque no se han
presentado todos los parmetros, un amplio nmero ser ahora familiar. Los
parmetros restantes se introducirn en los captulos siguientes. Se har
referencia a esta hoja de especificaciones para revisar la manera en la cual se
presenta el parmetro.
La informacin proporcionada en la figura 3.23 se ha tomado directamente de la
publicacin Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes preparada por Motorola
Inc. El 2N4123 es un transistor npn de propsito general con el encapsulado y la
identificacin de terminales que aparecen en el extremo superior derecho de la
figura 3.23a. La mayora de las hojas de especificaciones se dividen en valores
nominales mximos, caractersticas trmicas v caractersticas elctricas. Las
caractersticas elctricas se subdividen adems en caractersticas en estado
"encendido", en estado "apagado" y de pequea seal. Las caractersticas en
estado activo y pasivo se refieren a los limites de cd, mientras que las
caractersticas de pequea seal incluyen los parmetros de importancia para la
operacin de ca.

Ntese en la lista de valores nominales mximos que vcemax = VCEO = 30 V con

ICmax = 200 mA. La mxima disipacin de colectora . = 625 mW. El factor de
degradacin bajo los valores nominales mximos especifica que el valor nominal
mximo debe descender 5 mW por cada grado de incremento en la temperatura
sobre los 25C. En las caractersticas durante el estado "apagado" ICBO se
especifica como de 50 nA y durante el estado "encendido" VCEsat = 0.3 V. El nivel
de hFE tiene un intervalo de 50 hasta 150 a una IC = 2 mA y VCE =1 V y un valor
mnimo de 25 a una corriente mayor de 50 mA para el mismo voltaje.
Los limites de operacin se han definido ahora para el dispositivo y se repiten a
continuacin en el formato de la ecuacin (3.17) empleando hFE = 150 (el lmite
superior). En realidad, para muchas aplicaciones, los 7.5 uA = 0.0075 mA se
pueden considerar como 0 mA sobre una base aproximada.
Lmites de Operacin
7.5 uA IC 200 mA
0.3 V VCE 30 V
VCEIC 650 mW

En las caractersticas de pequea seal el nivel de hfe ( ca) se proporciona junto

con una grfica de cmo vara con la corriente de colector en la figura 3.23f. En
la figura 3.23j se demuestra el efecto de la temperatura y la comente de colector
sobre el nivel de hFE ( ca). A temperatura ambiente (25C), advirtase que hFE
( cd) tiene un valor mximo de 1 en la vecindad alrededor de los 8 mA. A
medida que IC, se incrementa ms all de este nivel, hFE cae a la mitad de su valor
con IC igual a 50 mA. Tambin decae a este nivel si IC disminuye al nivel inferior
de 0.15 mA. Puesto que esta es una curva normalizada, si tenemos un transistor
con cd = hFE = 50 a temperatura ambiente, el valor mximo a 8 mA es de 50. A
IC = 50 mA habr decado a 50/ 2 = 25. En otras palabras, la normalizacin revela
que el nivel real de hFE a cualquier nivel de IC se ha dividido por el valor mximo
de hFE a esa temperatura e IC = 8 mA.
 Figura 3.23 Hoja de especificaciones del transistor.

3.1 Punto de operacin o punto

Quiescente.

El anlisis o diseo de un amplificador de transistor requiere del conocimiento de

la respuesta del sistema, tanto de cd como de ca. Con demasiada frecuencia se
supone que el transistor es un dispositivo mgico que puede alcanzar el nivel de
la entrada aplicada de ca sin la asistencia de una fuente de energa externa. En
realidad, el nivel mejorado de potencia de salida de ca es resultado de una
transferencia de energa de las fuentes aplicadas de cd. Por lo tanto, el anlisis o
diseo de cualquier amplificador electrnico tiene dos componentes: la parte de
cd y la correspondiente de ca. Afortunadamente, el teorema de superposicin es
aplicable y la investigacin de las condiciones de cd puede separarse por
completo de la respuesta de ca. Sin embargo, hay que tener presente que durante
el diseo o etapa de sntesis, la seleccin de los parmetros para los niveles de cd
requeridos afectarn la respuesta de ca, y viceversa.
El nivel de cd de operacin de un transistor se controla por varios factores,
incluyendo el rango de posibles puntos de operacin sobre las caractersticas del
dispositivo. Una vez que se han definido los niveles deseados de corriente y
voltaje de cd, debe construirse una red que establecer el punto de operacin
deseado (algunas de estas redes se analizan en este captulo). Cada diseo
tambin determinar la estabilidad del sistema, es decir, qu tan sensible es el
sistema a las variaciones de temperatura (otro tema que se investiga en una
seccin posterior de este captulo). Aunque se analizan diversas redes en este
captulo, existe una similitud fundamental en e) anlisis de cada configuracin,
debida al uso recurrente de las siguientes relaciones bsicas importantes para un
transistor:
VBE = 0.7 V
IE = ( + 1)IB IC
IC = IB
De hecho, una vez que el anlisis de las redes iniciales se comprenda con
claridad, la ruta por seguir hacia la solucin de las redes comenzara a ser ms
evidente. En la mayora de los casos la corriente de base IB es la primera cantidad
que se determina. Una vez que IB se conoce, las relaciones de las ecuaciones
anteriores pueden aplicarse para encontrar las restantes cantidad de inters. Las
similitudes en el anlisis sern inmediatamente obvias a medida que avancemos
en este captulo. Las ecuaciones para IB son tan similares para diversas
configuraciones que una ecuacin puede derivarse de otra sencillamente quitando
o agregando un trmino o dos. La funcin primordial de este capitulo es
desarrollar cierto nivel de familiaridad con el transistor BJT, el cual permitira un
anlisis de cd de cualquier sistema que deba emplear el amplificador BJT.

PUNTO DE OPERACIN
El trmino polarizacin que aparece en el titulo de este captulo es un vocablo
que incluye todo lo referente a la aplicacin de voltajes de cd para establecer un
nivel fijo de corriente y voltaje. Para amplificadores de transistor, el voltaje y la
comente de cd resultantes establecen un punto de operacin sobre las
caractersticas, el cual define la regin que se emplear para la amplificacin de
la seal aplicada. Ya que el punto de operacin es un punto fijo sobre las
caractersticas, se le conoce tambin como punto quiesciente (abreviado punto
Q). Por definicin, quiesciente significa quieto, inmvil, inactivo. La figura 4.1
muestra una caracterstica general de salida de un dispositivo con cuatro puntos
de operacin indicados. El circuito de polarizacin puede disearse para
establecer la operacin del dispositivo en cualquiera de estos puntos o en otros
dentro de la regin activa. Los valores nominales mximos se indican sobre las
caractersticas de la figura 4,1, por una linea horizontal para la corriente de
colector mxima ICmx y por una lnea vertical para el voltaje de colector-emisor
mximo VCEmax. La mxima potencia de operacin mxima se define por la curva
Pcmx en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas se localizan la
regin de corte, definida por IB 0 uA, y la regin de saturacin, definida por
VCE VCEsat.
 Figura 4.1 Diversos puntos de operacin dentro de los lmites de operacin de un
transistor.

El dispositivo BJT podra polarizarse para operar fuera de estos puntos limite
mximos, pero el resultado de tal operacin causara ya sea el acortamiento de la
vida de servicio del dispositivo, o bien su destruccin. Concentrndonos en la
regin activa es posible elegir muchas reas o puntos de operacin diferentes. El
punto Q depende a menudo del uso que se dar al circuito. No obstante, es
posible considerar algunas diferencias entre la operacin en puntos diferentes de
la figura 4.1 para presentar algunas ideas bsicas en tomo al punto de operacin
y, por ello, al circuito de polarizacin.
Si no se utilizara la polarizacin, el dispositivo estara al principio totalmente
cortado (desactivado), lo cual producira la A, esto es, corriente cero a travs del
dispositivo (y voltaje cero a travs del mismo). Es necesario polarizar el
dispositivo de modo que pueda responder o cambiar sus valores de corriente y
voltaje en todo el intervalo de una seal de entrada. En tanto que el punto A no
resultara apropiado, el punto B proporciona esta operacin deseada. Si se aplica
una seal al circuito, ademas del nivel de polarizacin, el dispositivo variar sus
valores de corriente y voltaje a partir del punto de operacin B, lo que permite
que el dispositivo reaccione (y posiblemente amplifique) tanto la parte positiva
como la parte negativa de la seal de entrada. Si, como podra suceder, la seal
de entrada es pequea, el voltaje y la corriente del dispositivo variarn, pero no lo
suficiente para llevarlo al nivel de corte o saturacin. El punto C permitira cierta
variacin positiva y negativa de la seal de salida, pero el valor pico a pico sera
limitado por la proximida de vCE = 0V/IC = 0mA. La operacin en el punto C
tambin tiene algo que ver con las no linealidades introducidas por el hecho de
que el espacio entre las curvas IB cambia rpidamente, en esta regin. En general,
es preferible operar donde la ganancia del dispositivo es ms constante (o lineal),
de tal modo que la cantidad de amplificacin en toda la excursin de la seal de
entrada es la misma. El punto B es una regin de espaciamiento ms lineal y, por
consiguiente, su operacin tiene un mayor grado de linealidad, como se indica en
la figura 4.1. El punto D fija el punto de operacin del dispositivo cerca del valor
de voltaje y potencia mximo. La excursin del voltaje de salida en la direccin
positiva est de este modo limitada si no se excede el voltaje mximo. En
consecuencia, el punto B aparece como el mejor punto de operacin en trminos
de la ganancia lineal o de la excursin de voltaje y corriente ms grande posible.
Esta es casi siempre la condicin que se desea en los amplificadores de pequea
seal, pero no necesariamente para los amplificadores de potencia. En este
anlisis, nos concentramos fundamentalmente en la polarizacin del dispositivo
para la operacin de amplificacin de seales pequeas.
Debe considerarse otro factor de la polarizacin muy importante. Habiendo
seleccionado y polarizado un BJT en un punto de operacin deseado, tambin
debe tomarse en cuenta el efecto de la temperatura. La temperatura provoca
cambios en las caractersticas del dispositivo, tales como la ganancia de corriente
( ca) y la corriente de fuga del transistor (ICEO). Las altas temperaturas conducen
a un incremento de corrientes de fuga en el dispositivo, por lo que cambian la
condicin de operacin establecida por la polarizacin de la red. El resultado es
que el diseo de la red tambin debe proporcionar un grado de estabilidad de
temperatura de modo que los cambios de temperatura resulten en cambios
mnimos en el punto de operacin. Este mantenimiento del punto de operacin
puede especificarse por un factor de estabilidad, S, el cual indica la magnitud del
cambio en el punto de operacin debido a una variacin de temperatura. Es
deseable un circuito altamente estable y se comparar la estabilidad de algunos
circuitos de polarizacin bsicos. Para el BJT que se polarizar en su regin de
operacin lineal o activa debe cumplirse:
1. La unin de base a emisor debe estar polarizada directamente
(voltaje de la regin p ms positivo) con un voltaje resultante de
polarizacin directa entre la base y el emisor de aproximadamente
0.6 a 0.7 V.
 2. La unin de base a colector debe estar polarizada inversamente
(regin n ms positiva), estando el voltaje de polarizacin inversa
en cualquier valor dentro de los lmites mximos del dispositivo.
[Ntese que en la polarizacin directa el voltaje en la unin p-n es p-positivo, en
tanto que en la polarizacin inversa es opuesto (inverso) con n-positiva. El
nfasis que se hace sobre la letra inicial debe brindar un medio que ayude a
memorizar la polaridad de voltaje necesaria.]
La operacin en las regiones de corte, de saturacin y lineal de la caractersticas
del BJT se obtienen de acuerdo con lo siguiente:
1. Operacin en la regin lineal: Unin base-colector con polarizacin
directa, Unin base-colector con polarizacin inversa
2. Operacin en la regin de corte: Unin base-emisor con polarizacin
inversa
3. Operacin en la regin de saturacin: Unin base-emisor con
polarizacin directa, Unin base-colector con polarizacin directa

3.2 Circuito de polarizacin fija.

El circuito de polarizacin fija de la figura 4.2 proporciona una introduccin

relativamente directa y simple al anlisis de polarizacin de cd de transistor. Aun
cuando la red emplea un transistor npn, las ecuaciones y clculos se aplican en
forma correcta por igual a una configuracin pnp con slo cambiar todas las
direcciones de corriente y polaridades de voltaje. Las direcciones de corriente de
la figura 4.2 son las direcciones de corriente reales, y los voltajes se definen por
la notacin estndar de subndice doble. Para el anlisis de cd la red puede
aislarse de los niveles de ca indicados, remplazando los capacitores por un
circuito abierto equivalente. Adems, la fuente de cd VCC puede dividirse en un
par de fuentes (para propsitos del anlisis solamente), como se ilustra en la
figura 4.3, para permitir una separacin de los circuitos de entrada y de salida.
Esto reduce tambin el enlace entre las dos a la corriente de base IB. La
separacin es ciertamente vlida, como observamos en la figura 4.3, ya que VCC
se conecta directamente a RB y RC del mismo modo,que en la figura 4.2.
 Figura 4.2 Circuito de polarizacin fija.

Figura 4.3 Equivalente de cd de la figura 4.2

POLARIZACIN DIRECTA DE BASE-EMISOR

Considrese primero la malla circuito base-emisor que se muestra en el diagrama
de circuito parcial de la figura 4.4. Escribiendo la ecuacin de voltaje de
Krchhoff para la malla obtenemos
VCC -IBRB -
VBE = 0
Ntese la polaridad de la cada de voltaje a travs de RB, como se establece por la
direccin indicada de IB. Resolviendo la ecuacin para la corriente IB se tendr el
siguiente resultado:
IB = (VCC - VBE) / RB
En realidad, la ecuacin (4.4) no es difcil de recordar si se considera
simplemente que la corriente de base es la corriente a travs de RB y, por la ley de
Ohm, esa corriente es el voltaje a travs de RB dividido entre la resistencia RB. El
voltaje a travs de RB es el voltaje aplicado VCC en uno de los extremos menos la
cada a travs de la unin base-emisor (VBE).

Figura 4.4 Malla de base-emisor

Ademas, puesto que la fuente de voltaje VCC y el voltaje de base a emisor VBE son
constantes, la seleccin de un resistor de base, RB, establece el nivel de la
corriente de base para el punto de operacin.

Malla de colector-emisor
La seccin de colector-emisor de la red aparece en la figura 4.5 con la direccin
indicada de la corriente IC y la polaridad resultante a travs de RC. La magnitud de
la corriente de colector se relaciona directamente con IB por medio de
IC = IB

Es interesante notar que, en vista de que la corriente de base se controla por el

nivel de RB e IC se relaciona con IB por una constante la magnitud de IC no es
una funcin de la resistencia RC. El cambio de RC a cualquier nivel no afectar el
nivel de IB o IC en tanto que permanezcamos en la regin activa del dispositivo.
Sin embargo, como veremos posteriormente, el nivel de RC determinar la
magnitud de VCE, el cual es un parmetro importante.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del
reloj a lo largo de la malla indicada en la figura 4.5, se obtendr el resultado
siguiente
VC + ICRC - VCC = 0
VCE = VCC - ICRC
el que establece en palabras que el voltaje a travs de la regin de colector-
emisor de un transistor en la configuracin de polarizacin fija es la fuente de
voltaje menos la cada a travs de RC. Como un breve repaso de la notacin de
subndice y doble subndice, recurdese que
VCE = VC - VE
donde VCE es el voltaje de colector a emisor y VC y VE son los voltajes de colector
y emisor a tierra, respectivamente. Pero en este caso, ya que VE = 0 V, tenemos
VCE = VC
Adems, puesto que
VBE = VB - VE
y VE = 0 V, entonces
VBE = VB
Tngase en cuenta que los niveles de voltaje como el de VCE se determinan
situando la punta roja (positiva) del voltmetro en la terminal de colector con
punta negra (negativa) en la terminal del emisor, como se ilustra en la figura 4.6.
VC es el voltaje del colector a tierra y se mide como se muestra en la misma
figura. En este caso, las dos lecturas son idnticas, pero en las redes que se vern
ms adelante, ambas pueden llegar a ser bastante diferentes. Comprender con
claridad la diferencia entre las dos mediciones probar ser de suma importancia
en la deteccin de fallas de las redes de transistores.
 Figura 4.5 Malla de colector-emisor

Figura 4.6 Medicin de VCE y VC.

Saturacin del transistor

El termino saturacin se aplica a cualquier sistema, donde los niveles han
alcanzado sus valores mximos. Una esponja saturada es aquella que no puede
contener una gota ms de liquido. Para un transistor que opera en la regin de
saturacin, la corriente es un valor mximo para el diseo particular.
Modifquese el diseo y el correspondiente nivel de saturacin podr elevarse o
decaer. Por supuesto, el mayor nivel de saturacin se define por la mxima
corriente de colector, tal como se proporciona en la hoja de especificaciones.
Las condiciones de saturacin se evitan por lo general debido a que la unin de
base a colector ya no est inversamente polarizada y la seal amplificada de
salida estar distorsionada. Un punto de operacin en la regin de saturacin se
representa en la figura 4.8a. Ntese que se encuentra en una regin donde se unen
las "curvas de caractersticas y el voltaje de colector a emisor se halla en o sobre
VCEsat . Adems, la corriente de colector es relativamente alta sobre las
caractersticas.

Figura 4.8 Regin de saturacin (a) real (b) aproximada

Si juntarnos las curvas de la figura 4.8a con las que aparecen en la figura 4.8b, se
llegar a un mtodo rpido y directo para determinar el nivel de
saturacion.Enlafigura4.8b la corriente es relativamente alta y se supone que el
voltaje VCE es de cero voltios. Al aplicar la ley de Ohm, la resistencia entre las
terminales de colector y emisor se puede determinar como sigue:
RCE = VCE / IC = 0 V / ICsat = 0 ohms
Aplicando los resultados al esquema de la red resultara la configuracin de la
figura 4.9.

Figura 4.9 Determinacin de ICsat.

Por consiguiente, en el futuro, si hubiera necesidad inmediata de conocer la
corriente mxima de colector aproximada (nivel de saturacin) para un diseo en
particular, simplemente inserte un corto circuito equivalente entre el colector y el
emisor del transistor y calcule la corriente de colector resultante. En resumidas
cuentas, haga VCE = 0V. Para la configuracin de polarizacin fija de la figura
4.10, se utiliz el corto circuito, ocasionando que el voltaje a travs de RC sea el
voltaje aplicado VCC. La corriente de saturacin resultante para la configuracin
de polarizacin fija es:

ICsat = VCC / RC

Figura 4.10 Determinacin de ICsat, para la configuracin de polarizacin fija.

Una vez que se conoce ICsat, tenemos una idea de la mxima corriente de colector
posible para el diseo elegido y del nivel bajo el cual permanecer si esperamos
una amplificacin lineal.

Anlisis por recta de carga

Hasta aqu, el anlisis se ha realizado haciendo uso de un nivel de
correspondiente con el punto Q
resultante. Ahora investigaremos cmo los parmetros de la red definen el
posible rango de puntos
Q y cmo se determina el punto Q real. La red de la figura 4.11a establece una
ecuacin. para la
salida que relaciona las variables IC y VCE de la siguiente manera:
VCE = VCC - ICRC
Las caractersticas de salida del transistor tambin relacionan las mismas dos
variables IC y VCE,
como se ilustra en la figura 4.11b. Por o tanto, tenemos, en esencia, una
ecuacin de red y un
conjunto de caractersticas que utilizan las mismas variables. La solucin comn
de las dos ocurre
donde las restricciones establecidas por cada una se satisfacen simultneamente.
En otras palabras,
esto es similar a encontrar la solucin de dos ecuaciones simultneas: una
establecida por la
red y otra por las caractersticas del dispositivo.

Figura 4.11 Anlisis de recta de carga (a) la red (b) las caractersticas del dispositivo.

Las caractersticas del dispositivo de IC contra VCE se proporcionan en la fgura

4.11b. Ahora
debemos sobreponer la linea recta definida por la ecuacin 4.12 sobre las
caractersticas. El mtodo
ms directo para trazar la ecuacin (4.12) sobre las caractersticas de salida es
empleando el hecho
de que una recta est definida por dos puntos. Si elegimos IC con un valor de 0
mA, estaremos
especificando el eje horizontal como la lnea sobre la cual se localizar un punto.
Al sustituir IC = 0
mA en la ecuacin (4.12), encontraremos que
VCE = VCC para IC = 0 mA
definiendo un punto para la linea recta, como se ilustra en la figura 4.12.

Figura 4.12 Recta de carga de polarizacin fija.

Si ahora escogemos el valor de 0 V para VCE, con el que se establece el eje

vertical como la lnea sobre la cual se definir el segundo punto, encontraremos
que IC se determina por la siguiente ecuacin: como aparece en la figura 4.12. La
lnea resultante sobre la grfica de la figura 4.12 se denomina recta de carga,
puesto que est definida por el resistor de carga RC. Al resolver para el nivel
resultante de IB, el punto Q real se puede establecer como se ilustra en la figura
4.12, Si el nivel de IB se modifica al variar el valor de RB, el punto Q se mueve
hacia arriba o hacia abajo de la recta de carga, como se muestra en la figura 4.13.
Si VCC se mantiene fijo y RC cambia, la recta de carga subir como se representa
en la figura4,14. Si IB es la que se mantiene constante, el punto Q se trasladar
como se ilustra en la misma figura. Si RC se fija y VCC vara, la recta de carga se
desplazar como se muestra en la figura 4,15.

Figura 4.13 Movimiento del punto Q con respecto al incremento en los niveles de IE

Figura 4.14 Efectos del incremento en los niveles de RC sobre la recta de carga y el
punto Q.
Figura 4.15 Efecto de la disminucin en los valores de VCC sobre la recta de carga y el
punto Q.

3.3 Circuito de polarizacin

estabilizada de emisor.

La red de polarizacin de cd de la figura 4.17 contiene un resistor en el emisor

para mejorar el nivel de estabilidad sobre el de la configuracin de polarizacin
fija. La estabilidad mejorada se demostrar ms adelante en esta seccin
mediante un ejemplo numrico. El anlisis se realizar examinando, en primer
lugar, la malla de base a emisor y luego, con los resultados, se investigar la
malla de colector a emisor.
 Figura 4.17 Circuito de polarizacin BJT con resistor de emisor.

Malla de base-emisor
La malla de base a emisor de la red de la figura 4.17 se puede volver a dibujar,
como se ilustra en la figura 4.18. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff
alrededor de la malla indicada en direccin de las manecillas del reloj,
obtendremos como resultado la siguiente ecuacin:
VCC - IBRB - VBE - IERE = 0
Recordando del capitulo 2 que
IE = ( + 1)IB
Sustituyendo a IE en la ecuacin (4.15) da por resultado
VCC - IBRB - VBE - ( + 1)IBRE = 0
Agrupando trminos, nos da lo siguiente:
-IB(RB + ( + 1)RE) + VCC - VBE = 0
Multiplicando todo por (-1), obtenemos
IB(RB + ( + 1)RE) - VCC + VBE = 0

y resolviendo IB llegamos a
IB = (VCC - VBE)/(RB + (RC+RE))
Ntese que la nica diferencia entre esta ecuacin para IB y la obtenida para la
con figuracin de polarizacin fija es el trmino ( + 1) RE. Hay un resultado
interesante que puede derivarse de la ecuacin (4.17) si la ecuacin se utiliza para
trazar una red en serie que resultara en la misma ecuacin. Tal es el caso para la
red de la Figura 4.19. Resolviendo para la corriente IB resultar la misma
ecuacin obtenida anteriormente. Advirtase que al lado del voltaje de base a
emisor VBE el resistor RE es reflejado a la entrada del circuito de base por un
factor ( + 1). En otras palabras, el resistor de emisor, el cual es parte de la
malla de colector-emisor, "parece como" ( + 1 )RE en la malla de base-emisor.
Puesto que es por lo general 50 o ms, el resistor de emisor parece ser mucho
ms grande en el circuito de base; tanto, para la configuracin de la figura 4.20.

Figura 4.18 Malla de base-emisor

Figura 4.19
 Figura 4.20 Nivel de impedancia reflejada de RE

La ecuacin (4.18) probar su utilidad en los anlisis que siguen. De hecho,

proporciona una manera bastante fcil de recordar la ecuacin (4.17). Empleando
la ley de Ohm, sabemos que la corriente a travs de un sistema es el voltaje
dividido entre la resistencia del circuito. Para el circuito de base-emisor, el
voltaje neto es VCC - VBE. Los niveles de resistencia son RB ms RE reflejado por
( + 1). El resultado es la ecuacin (4.17).

Malla de colector-emisor
La malla de colector-emisor se vuelve a dibujar en la figura 4.21. Aplicando la
ley de voltaje de Kirchhoff para la malla indicada en direccin de las manecillas
del reloj, resultar que
IERE + VCE +ICRC - VCC = 0
Sustituyendo IE =IC y agrupando trminos, se obtiene
VCE - VCC + IC(RC + RE) = 0
VCE = VCC + IC(RC + RE)
El voltaje con subndice sencillo VE es el voltaje de emisor a tierra y se determina
por
VE = IERE
mientras que el voltaje de colector a tierra puede determinarse a partir de
VCE = VC - VE
VC = VCC - ICRC
E1 voltaje en la base con respecto a tierra puede determinarse a partir de
VB = VCC - IBRB
VB = VBE + VE

Estabilidad de polarizacin mejorada

La adicin de la resistencia de emisor a la polarizacin de cd del BJT
proporciona una mejor estabilidad; esto es, las corrientes y voltajes de
polarizacin de cd se mantienen ms cerca de los puntos donde fueron fijados por
el circuito aun cuando cambien las condiciones externas como el voltaje de
alimentacin, la temperatura e incluso la beta del transistor. Aunque el anlisis
matemtico se brinda en la seccin 4.12, puede obtenerse cierta comparacin del
mejoramiento como lo muestra el siguiente ejemplo.

Ejemplo
Elabore una tabla en la que se comparen el voltaje y las corrientes de
polarizacin de las figuras 4.7 y 4.22 para el valor de = 50 y para un nuevo
valor de = 100. Compare los cambios en IC. para el mismo incremento en .
Solucin
Empleando los resultados obtenidos en el ejemplo 4.1 y repitiendo despus para
un valor de = 100, se produce lo siguiente:

Se observa que la corriente de colector del BJT cambia en un 100% debido a un

cambio de 100% en el valor de . IB es igual y VCE se decrementa en un 76%.
Utilizando los resultados que se calcularon en el ejemplo 4.4 y repitiendo
despus para el valor de = 100, obtenemos lo siguiente: La corriente de
colector del BJT aumenta a cerca del 81% debido al cambio del 100% en .
Ntese que el decremento de IB ayuda a mantener el valor de IC, o al menos a
reducir el cambio total en IC. debido al cambio en .

Nivel de saturacin
El nivel de saturacin del colector o la comente del colector mxima para un
diseo polarizado de emisor puede determinarse mediante el mismo enfoque
empleado en la configuracin de polarizacin fija: aplicar un corte circuito entre
las terminales colector-emisor, como se ilustra en la figura 4.23, y calcular la
corriente del colector resultante. Para la figura 4.23:
ICsat = VCC / (RC +RE)
La adicin del resistor de emisor reduce el nivel de saturacin del emisor debajo
del nivel que se obtiene con una configuracin de polarizacin fija por medio del
mismo resistor del colector.

Figura 4.23 Determinacin de ICsat para el circuito de polarizacin de emisor.

3.4 Polarizacin con divisor de

voltaje.
En las configuraciones polarizadas precedentes, la comente de polarizacin ICQ y
del voltaje Vceq eran una funcin de la ganancia de corriente ( ) del transistor.
Sin embargo, ya que es sensible a la temperatura, especialmente para
transistores de silicio, y el valor real de beta normalmente no est bien definido,
sera deseable desarrollar un circuito de polarizacin menos dependiente, de
hecho, independiente de la beta del transistor. La configuracin de polarizacin
con divisor de voltaje de la figura 4.25 es una red de ese tipo. Si se analiza sobre
una base exacta, la sensibilidad a los cambios en beta es bastante pequea. Si los
parmetros del circuito se escogen apropiadamente, los niveles resultantes de ICQ
y vCEQ pueden ser casi totalmente independientes de beta. Recuerde, de las
discusiones anteriores, que un punto Q se define por un nivel fijo de ICQ y VCEQ,
como se ilustra en la figura 4.26. El nivel de IBQ se modificar con el cambio en
beta, pero el punto de operacin sobre las caractersticas, definido por ICQ y VCEQ
puede permanecer fijo si se utilizan los parmetros apropiados del circuito.
Como se observ anteriormente, existen dos mtodos que se pueden aplicar al
anlisis de la configuracin con divisor de voltaje. La razn para la eleccin de
los nombres para esta configuracin se har evidente en cuanto avancemos en los
anlisis siguientes. El primero que se demostrar es el mtodo exacto que puede
aplicarse a cualquier configuracin con divisor de voltaje. El segundo se
denominar como mtodo aproximado, y puede aplicarse slo si se satisfacen
ciertas condiciones especificas. El enfoque aproximado permite un anlisis ms
directo con un ahorro en tiempo y energa. Es tambin particularmente til en el
modo de diseo que se describir en una seccin posterior. Sobre todo, el
enfoque aproximado puede aplicarse a la mayora de las situaciones; por ello,
debe examinarse con el mismo inters que el mtodo exacto.

Figura 4.25 Configuracin de polarizacin con divisor de voltaje.

Figura 4.26 Definicin del punto Q para la configuracin de polarizacin con divisor
de voltaje.

Anlisis exacto
La parte de entrada de la red de la figura 4.25 puede volverse a dibujar, como se
muestra en la figura 4.27, para el anlisis de cd. La red de Thvenin equivalente
para la red a la izquierda de la terminal de base puede hallarse entonces de la
siguiente manera:
RTh: La fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente, como se
ilustra en la figura 4.28.
RTh = R1R2
ETh: La fuente de voltaje VCC se reintegra a la red y el voltaje Thvenin del
circuito abierto de la figura 4.29 se determina como sigue: Aplicando la regla del
divisor de voltaje:
ETh = VR2 = R2VCC / (R1 + R2)
La red Thvenin se vuelve a dibujar entonces, como se ilustra en la figura 4.30,e
IBQ se puede determinar al aplicar en primer lugar la ley de voltaje de Kirchhoff
en direccin de las manecillas del reloj para la malla indicada:
ETh - IBRTh - VBE -IERE = 0
Sustituyendo IE = ( + 1)IB y resolviendo IB, llegamos a
Aunque inicialmente la ecuacin (4.30) parece distinta de las desarrolladas con
anterioridad, ntese que el numerador es de nueva cuenta una diferencia de dos
niveles de voltaje, mientras que el denominador es la resistencia de base ms el
resistor de emisor reflejado por ( + 1), en verdad muy parecido a la ecuacin
(4.17).
Una vez que se conoce IB, las cantidades restantes de la red pueden encontrarse
del mismo modo que se hizo para la configuracin polarizada de emisor. Esto es:
VCE = VCC - IC(RC + RE)
que es exactamente igual que la ecuacin (4.19). Las ecuaciones restantes para
VE, VC y VB son tambin las mismas que se obtuvieron para la configuracin
polarizada de emisor.

Figura 4.27 Detalle del extremo de entrada para la red de la figura 4.25

Figura 4.28 Determinacin de RTh

 Figura 4.29 Determinacin de ETh

Figura 4.30 Insercin del circuito equivalente de Thvenin

Anlisis aproximado
La seccin de entrada de la configuracin con divisor de voltaje puede
representarse por medio de la red de la figura 4.32. La resistencia R es la
resistencia equivalente entre base y tierra para el transistor con un resistor de
emisor RE. Recuerde que la resistencia reflejada entre la base y el emisor se
define por Ri = ( + 1) RE, Si Ri es mucho mayor que la resistencia R2, la
corriente IB ser mucho menor que I2 (la corriente siempre busca la trayectoria de
menor resistencia) e I2 ser aproximadamente igual a I1. Si aceptamos la
aproximacin de que IB es de 0 amperios comparada con I1 o I2 entonces I1 = I2 y
R1 y R2 pueden considerarse elementos en serie. El voltaje a travs de R2, que es
en realidad el voltaje de base, puede determinarse por medio de la regla del
divisor de voltaje (y de aqu proviene el nombre para la configuracin). Es decir,
VB = R2VCC / (R1 + R2)
Puesto que R1 = ( + 1) RE = RE la condicin que definir si el enfoque
aproximado puede aplicarse ser la siguiente:
RE 10 R2
En otras palabras, si el valor de beta multiplicado por RE es al menos 10 veces el
valor de R2, el enfoque aproximado puede aplicarse con un alto grado de
precisin. Una vez que se determina VB, el nivel de VE se puede calcular a partir
de
VE = VB - VBE
y la comente de emisor se puede determinar a partir de
IE = VE / RE
ICQ IE
El voltaje de colector a emisor se determina por
VCE = VCC - ICRC - IERE
pero, ya que IE = IC,
VCEQ = VCC - IC(RC + RE)
Advierta que en la secuencia de los clculos, de la ecuacin (4.33) a la ecuacin
(4.37), no aparece beta e IB no fue calculada. El punto Q (como se determina por
ICQ y VCEQ) es por tanto independiente del valor de beta.

Saturacin del transistor

El circuito colector-emisor de salida para la configuracin con divisor de voltaje
tiene el mismo aspecto que el circuito polarizado de emisor analizado en la
seccin 4.4. La ecuacin resultante para la corriente de saturacin (cuando VCE se
establece a cero voltios en el diagrama) es, por tanto, la misma que se obtiene
para la configuracin polarizada de emisor. Es decir,
ICsat = ICmx = VCC / (RC + RE)
Anlisis por recta de carga
Las similitudes con el circuito de salida de la configuracin polarizada de emisor
resultan en las mismas intersecciones para la recta de carga de la configuracin
con divisor de voltaje. La recta de carga tendr por consiguiente el mismo
aspecto que la de la figura 4.24, con
El nivel de IB se determina, por supuesto, por una ecuacin distinta para la
polarizacin con divisor de voltaje y las configuraciones polarizadas de emisor.

3.5 Diversas configuraciones de

polarizacin.

Hay un nmero de configuraciones de polarizacin BJT que no coinciden con el

molde bsico d las que se han analizado en las secciones precedentes. De hecho,
existen variaciones de diseo que requeriran muchas ms pginas de las que son
posibles en un texto de esta clase. Aqu, sin embargo, el propsito primordial es
enfatizar aquellas caractersticas del dispositivo que permitan un anlisis de cd de
la configuracin y que establezcan un procedimiento general para encontrar la
solucin deseada. Para cada configuracin discutida hasta aqu, el primer paso ha
sido la derivacin de una expresin para la corriente de base. Una vez que se
conoce la corriente de base, la comente de colector y los n i veles de voltaje del
circuito de salida se pueden determinar ya directamente. Esto no implica que
todas las soluciones tomarn este rumbo, pero s sugiere una posible ruta por
seguir si llega a encontrarse una nueva configuracin.
El primer ejemplo es simplemente uno donde el resistor de emisor se ha retirado
de la, configuracin de retroalimentacin de voltaje de la figura 4.34. El anlisis
es bastante similar, pero requiere eliminar RE de la ecuacin aplicada.

Ejemplo:
Para la red de la figura 4.39:
a. Determine Icq y vceq.
b. Encuentre VB, VC, VE y VBC.
 Figura 4.39 Retroalimentacin en colector con RE = 0ohms.

Solucin
La ausencia de RE reduce la reflexin de los niveles resistivos a simplemente el
nivel de RC, y la ecuacin para IB se reduce a

En el siguiente ejemplo, el voltaje aplicado se conecta a la terminal del emisor, y

RC directamente a tierra. Al principio, la tcnica parece un tanto heterodoxa y
bastante diferente a las empleadas hasta ahora; sin embargo, una aplicacin de la
ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de base dar por resultado la corriente de
base deseada.
Ejemplo:
Determine VC y VB para la red de la figura 4.40.

Figura 4.40 Ejemplo

Solucin
Al aplicar la ley del voltaje de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj
a la malla de base a emisor, el resultado es
El siguiente ejemplo emplea una red conocida como configuracin de emisor-
seguidor. Cuando la misma red se analiza sobre una base de ca, encontraremos
que las seales de entrada y salida estn en fase (una siguiendo a la otra) y el
voltaje de salida es ligeramente menor que la seal aplicada. Para el anlisis de
cd, el colector se conecta a tierra y el voltaje aplicado est en la terminal del
emisor.

Ejemplo:
Determine VCEQ e IE para la red de la figura 4.41
Solucin
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada obtenemos

Sustituyendo valores tenemos

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida obtenemos

Hasta aqu, todos los ejemplos han empleado una configuracin de colector
comn o de emisor comn. En el siguiente ejemplo, investigaremos la
configuracin de base comn. En esta situacin se utilizar el circuito de entrada
para determinar IE ms que IB. La corriente de colector est disponible entonces
para realizar un anlisis del circuito de salida.

Ejemplo
Determine el voltaje VCB y la corriente IB para la configuracin de base comn de
la figura 4.42.

Solucin
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada obtenemos
-VEE + IERE + VBE = 0
IE = (VEE - VBE) / RE
Sustituyendo valores obtenemos
IE = (4 V - 0.7 V) / 12 Kohms = 2.75 mA
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida obtenemos
-VCE + ICRC - VCC = 0
VCB = VCC - ICRC con IC = IE
= 3.34 V
IB = IC / = 2.75 mA / 60 = 45.8 uA

El ejemplo anterior emplea una fuente de alimentacin doble y requerir la

aplicacin del teorema de Thvenin para determinar las incgnitas deseadas.

Ejemplo:

Determine VC y VB para la red de la figura 4.43

Figura 4.43

Solucin
La resistencia de Thvenin y el voltaje determinan para le red a la izquierda de la
terminal de base, como se muestra en las figuras 4.44 y 4.45
 Figura 4.44

Figura 4.45

La red puede volverse a dibujar, como se ilustra en la figura 4.46 y al aplicarle la

ley de voltaje de Kirchhoff, da por resultado
-ETh - IBRTh - VBE - IERE + VEE = 0
 Figura 4.46

Al sustituir IE = ( + 1)IB obtenemos

OPERACIONES DE DISEO
Hasta este punto las discusiones se han enfocado en el anlisis de las redes
existentes. Todos los elementos estn en su lugar y es simplemente asunto de
resolver para los niveles de voltaje y corriente de la configuracin. El proceso de
diseo es donde puede especificarse una comente y/o un voltaje y donde deben
determinarse los elementos requeridos para establecer los niveles Ideados. Este
proceso de sntesis supone un claro entendimiento de las caractersticas del
Impositivo, las ecuaciones bsicas para la red y un firme conocimiento de las
leyes bsicas del anlisis de circuitos, la ley de Ohm, la ley de voltaje de
Kirchhoff, etc. En la mayora de las situaciones el proceso mental se pone a
prueba en alto grado en la operacin de diseo ms que en la secuencia de
anlisis. La trayectoria hacia una solucin es menos definida y de hecho puede
requerir algunas suposiciones bsicas que no se pueden hacer analizando
sencillamente una red.
La secuencia de diseo es obviamente sensible a los componentes que ya se han
especificado y los elementos que van a determinarse. Si se especifican el
transistor y las fuentes, el proceso de diseo simplemente determinar los
resistores requeridos para un diseo particular. Una vez que se determina el valor
terico de los resistores, se elige por lo general el valor comercial estndar ms
cercano y cualquier variacin debida a no usar el valor exacto de la resistencia se
acepta como parte del diseo. Esto es ciertamente una aproximacin vlida si se
toma en consideracin las tolerancias normalmente asociadas con los elementos
resistivos y los parmetros del transistor.
Si se van a determinar los valores resistivos, una de las ecuaciones ms poderosas
es sencillamente la ley de Ohm en la forma siguiente:
Rdesconocida = VR / IR
En un diseo particular, el voltaje a travs de un resistor puede determinarse a
menudo a partir de los niveles especificados. Si otras especificaciones definen el
nivel de comente, la ecuacin (4,44) puede entonces utilizarse para calcular el
nivel de resistencia requerido. Los ejemplo iniciales demostrarn cmo
elementos particulares pueden determinarse a partir de nivel especificados.
Luego se introducir un procedimiento completo de diseo para un par de
configuraciones comunes.
Ejemplo:
Dadas las caractersticas del dispositivo de la figura 4.47a, determine VCC, RB y
RC para la configuracin de polarizacin fija de la figura 4.47b.
 Figura 4.47

Solucin
De la recta de carga

Ejemplo:

Dados ICQ = 2 mA y VCEQ = 10 V, determine R1 y RC para la red de la figura 4.48

 Figura 4.48
Solucin

Los valores comerciales estndar ms prximos para R1 son 82 k y 91 k .

Sin embargo, haciendo uso de la combinacin en serie de los valores estndar de
82 k y 4.7 k = 86.7 k resultara en un valor muy cercano al nivel diseado.
Ejemplo:
La configuracin con la polarizacin de emisor de la figura 4.49 tiene las
siguiente s especificaciones: ICQ = ICsat, ICsat = 8 mA, VC = 18 V y = 110.
Determine RC, RE y RB.

Figura 4.49

Solucin
El anlisis siguiente presenta una tcnica para disear un circuito completo para
operar en un punto de polarizacin especifico. Con frecuencia las hojas de
especificaciones de los fabricantes brindan informacin que establece un punto
de operacin apropiado (o regin de operacin) para un transistor particular.
Adems, otros factores del circuito relacionados con la etapa del amplificador
dado pueden dictar tambin algunas condiciones de la excursin de corriente,
excursin de voltaje, el valor de voltaje de alimentacin comn, etc., los cuales
pueden utilizarse para la determinacin del punto Q en un diseo.
En la prctica real, muchos otros factores tienen que considerarse y pueden
influir en la seleccin del punto de operacin que se desea. Sin embargo, por el
momento nos concentraremos en la determinacin de los valores de los
componentes para obtener un punto de operacin especificado. El anlisis se
limitar a las configuraciones de polarizacin de emisor y de polarizacin de
divisor de voltaje, aun cuando el procedimiento puede aplicarse a otros circuitos
de transistores.

Diseo de un circuito de polarizacin con resistencia de retroalimentacin en

emisor
Considrese primero el diseo de los componentes de polarizacin de cd de un
circuito amplificador que tiene estabilizacin de polarizacin por resistencia de
emisor (vase la figura 4.50), El voltaje de alimentacin y el punto de operacin
se seleccionarn a partir de la informacin del fabricante sobre el transistor
utilizado en el amplificador.

Figura 4.50 Circuito de polarizacin con estabilizacin de emisor para

consideraciones de diseo.

Figura 4.50 Circuito de polarizacin con estabilizacin de emisor para

consideraciones de diseo.
La seleccin de las resistencias de colector y emisor no puede desprenderse
directamente de la informacin que acaba de especificarse. La ecuacin que
relaciona los voltajes alrededor de la malla colector-emisor, tiene dos cantidades
desconocidas: los valores de las resistencias de colector y emisor, RC y RE. En
este punto debe hacerse alguna evaluacin de ingeniera, como la del nivel del
voltaje de emisor comparado con el voltaje de la fuente aplicada. Recurdese que
la necesidad de incluir un resistor del emisor a tierra fue brindar un medio de
estabilizacin de la polarizacin de cd de manera que el cambio de la comente de
colector debido a las corrientes de fuga en el transistor y la del mismo no
ocasionaran un gran corrimiento (si lo hay) en el punto de operacin. La
resistencia del emisor no puede ser irrazonablemente grande porque el voltaje
que se genera en l limita el nivel de la excursin del voltaje del colector al
emisor (que se mencionar cuando se discuta la respuesta de ca). Los ejemplos
examinados en este capitulo revelan que el voltaje de emisor a tierra esta por lo
regular alrededor de una cuarta o una dcima parte de la fuente de voltaje.
Seleccionando el caso conservador de una dcima parte, nos permitir calcular el
resistor de emisor RE y el resistor RC de manera semejante a los ejemplos apenas
vistos. En el siguiente ejemplo realizaremos un diseo completo de la red de la
figura 4.49 empleando los criterios recientemente introducidos para el voltaje de
emisor.

Ejemplo
Determine los valores de los resistores para la red de la figura 4.50, para la fuente
de voltaje y el punto de operacin indicados.
Solucin

Diseo de un circuito de ganancia en corriente estabilizada (independiente

de )
El circuito de la figura 4.51 brinda estabilizacin tanto para la corriente de fuga
como para los cambios en la ganancia de corriente . El valor de las cuatro
resistencias que se muestran debe obtenerse para un punto de operacin
especificado. El criterio de ingeniera en la seleccin de' un valor para el voltaje
de emisor, VE, como en el criterio de diseo previo conduce a una simple
solucin directa para todos los valores de la resistencia. Todos los pasos de
diseo se muestran en el siguiente ejemplo.

Figura 4.51 Circuito con estabilizacin de ganancia de corriente para consideraciones

de dideo.

Ejemplo:
Determine los niveles RC, RE, R1 y R2 para la red de la figura 4.51, para el punto
de operacin indicado.
Solucin
Las ecuaciones para los clculos de los resistores de base R1 y R2 requerirn de un
poco de consideracin. Usando el valor del voltaje de base calculado
anteriormente y el valor de la fuente de voltaje se obtendr una ecuacin, pero
existen dos incgnitas, R1 y R2. Se puede tener una ecuacin adicional mediante
el conocimiento de la operacin de estos dos resistores al proveer el voltaje de
base necesario. Para que el circuito opere con eficacia, se supone que la corriente
a travs de R1 y R2 debe ser aproximadamente igual y mucho mayor que la
corriente de base (al menos en proporcin de 10:1). Este hecho y la ecuacin de
di visor de voltaje para el voltaje de base proporcionan las dos relaciones
necesarias para determinar los resistores de base. Es decir,

3.6 Conmutacin con

transistores.
La aplicacin de los transistores no se limita solamente a la amplificacin de las
seales. Por medio de un diseo adecuado pueden utilizarse como interruptor
para aplicaciones de control y computadoras. La red de la figura 4.52a puede
emplearse como un inversor en circuitos lgicos de computadoras. Ntese que el
voltaje de salida VC es opuesto al que se aplica a la base o terminal de entrada.
Adems, advirtase la ausencia de una fuente de cd conectada al circuito de base.
La nica fuente de cd est conectada al extremo de colector o salida, y para las
aplicaciones de computadoras es tpicamente igual a la magnitud del flanco de
subida de la seal de salida, en este caso. de 5 V.

Figura 5.52 Inversor de transistor

El diseo adecuado para el proceso de inversin requiere que el punto de

operacin cambie desde el estado de corte hasta el de saturacin, a lo largo de la
recta de carga trazada en la figura 4.52b. Para nuestros propsitos supondremos
que IC = ICEq = 0 mA cuando IB = 0 uA (una excelente aproximacin a la luz de
las tcnicas mejoradas de construccin), como se muestra en la figura 4.52b.
Adems, supondremos VCE = vcesat = 0 V en lugar del nivel tpico de 0.1 a 0.3 V.
Cuando Vi = 5 V, el transistor estar en estado "encendido" y el diseo debe
asegurar que la red est completamente saturada con un nivel de IB mayor que el
asociado con la curva de IB que aparece cerca del nivel de saturacin. En la figura
4.52b esto requiere que IB > 50 uA. El nivel de saturacin para la comente de
colector del circuito de la figura 4.52a se define como

ICsat = VCC / RC
El nivel de IB en la regin activa, justo antes de que se presente la saturacin
puede aproximarse mediante la siguiente ecuacin:
IBmx = ICsat / cd

Por tanto, para el nivel de saturacin, debemos asegurar que se satisfaga la

condicin siguiente:
IB > ICsat / cd

Saturacin Suave
BJT saturado ligeramente
RB = (Vi - 0.7V)/IB
IB ICsat / mn

RB = (Vi - 0.7V) mn /ICsat

Saturacin Dura
BJT debe saturarse para cualquier valor de beta.
= 10
RB = (Vi - 0.7V)10 /ICsat

Para ICsat hay que tomar en cuenta la caida de voltaje de la carga

ICsat = (VCC - Vcarga)/RC
3.7 El transistor PNP.
Hasta este punto el anlisis se ha limitado exclusivamente a los transistores npn
para asegurar que el anlisis inicial de las configuraciones bsicas fuera lo ms
claro posible y sin complicaciones al intercambiar entre diferentes tipos de
transistores. Afortunadamente, el anlisis de los transistores pnp sigue el mismo
patrn establecido para los transistores npn. El nivel de IB se determina en primer
lugar, seguido por la aplicacin de las relaciones de transistor apropiadas para
determinar la lista, de cantidades desconocidas. De hecho, la nica diferencia
entre las ecuaciones que se obtienen para una red en la que se ha reemplazado un
transistor npn por otro de tipo pnp es el signo asociado a cantidades particulares.
Como se advierte en la figura 4.63, la notacin de subndice doble contina como
fue definida normalmente. Sin embargo, las direcciones de la corriente se han
invertido para reflejar las direcciones de conduccin reales. Empleando las
polaridades definidas de la figura 4.63, tanto VBE como VCE sern cantidades
negativas.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a la malla de base a emisor obtendremos
la siguiente ecuacin para la red de la figura 4.63:
-IERE + VBE -IBRB +VCC = 0
Sustituyendo IE = ( + 1 )IB y resolviendo para IB, llegamos a

La ecuacin resultante es la misma que la ecuacin (4.17), a excepcin del signo

para VBE Sin embargo, en este caso VBE = -0.7 V y la sustitucin de los valores
resultar en el mismo signo para cada trmino de la ecuacin (4.49), como la
ecuacin (4.17). Recurdese que la direccin de IB se define ahora como opuesta
a la de un transistor pnp, como se ilustra en la figura 4.63. Para VCE, la ley de
voltaje de Kirchhoff se aplica a la malla de colector a emisor, lo que da por
resultado la siguiente ecuacin:
-IERE + VCE -ICRC +VCC = 0
Sustituyendo IE = IC, obtenemos
VCE = -VCC + IC(RC +RE)
La ecuacin resultante tiene el mismo formato que la ecuacin (4.19), pero el
signo enfrente de cada trmino a la derecha del signo de igualdad ha cambiado.
Puesto que VCC ser mayor que la magnitud del trmino siguiente, el voltaje
tendr un signo negativo, como se advirti en un prrafo anterior.

Ejemplo:
Determine VCE para la configuracin de polarizacin con divisor de voltaje de la
figura 4.6

Figura 4.64 Transistor PNP en una conguracin de polarizacin con divisor de

voltaje.

Solucin
Probando la condicin
RE 10 R2
132 k 100 k (satisfactorio)
Resolviendo para VB, tenemos que

Ntese la similitud en el formato de la ecuacin con el voltaje negativo resultante

para VB.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a lo largo de la malla de base a emisor,
nos lleva a
 VB - VBE -VE = 0
VE = VB - VBE
VE = -3.16 V - (-0.7 V)
= -2.46 V
Advierta que en la ecuacin anterior se emplea la notacin estndar de subndice
sencillo y doble Para un transistor npn la ecuacin VE. = VB - VBE sera
exactamente la misma. La nica diferencia surge cuando se sustituyen los
valores. La corriente
IE = VE / RE = 2.46 V / 1.1 k = 2.24 mA
Para la malla de colector a emisor:
-IERE + VCE -ICRC +VCC = 0
Sustituyendo IE = IC y agrupando trminos, tenemos que
VCE = -VCC + IC(RC +RE)
Sustituyendo valores, obtenemos
VCE = -18 V + (2.24 mA)(2.4 k + 1.1 k ) = -10.16 V

4.1 Amplificador en el dominio

de CA.
La construccin bsica, aspectos y caractersticas del transistor se presentaron en
el capitulo 1. Despus, en el capitulo 2 se examin en detalle la polarizacin de
cd del dispositivo. Empezaremos ahora a estudiar la respuesta ca a pequea seal
del amplificador BJT revisando los modelos que se utilizan con mayor frecuencia
para representar el transistor en el dominio de ca senoidal.
Una de nuestras primeras inquietudes en el anlisis de ca senoidal en redes de
transistores es la magnitud de la seal de entrada. Ello determinar si deben
aplicarse tcnicas de pequea seal o tcnicas de gran seal. No existe una lnea
divisoria entre las dos, peso la aplicacin, as como la magnitud de las variables
de inters relativas a las escalas de las caractersticas del dispositivo,
determinarn casi siempre con bastante claridad cul mtodo es el apropiado. La
tcnica de pequea seal se presenta en este capitulo.
Hay dos modelos que se utilizan por lo comn en el anlisis de ca de pequea
seal de redes de transistor: el modelo equivalente hbrido y el modelo re. Este
capitulo no slo presenta ambos modelos, sino que define el papel que cada uno
desempea y la relacin que existe entre ellos.
En el captulo 1 se demostr que el transistor puede emplearse como un
dispositivo amplificador. Es decir, la seal de salida senoidal es mayor que la
seal de entrada o, establecindolo de otra manera, la potencia de ca de salida es
mayor que la potencia de ca de entrada. La pregunta que surge entonces es cmo
la salida de potencia de ca puede ser mayor que la potencia de ca de entrada? La
conservacin de la energa dicta que en funcin del tiempo, la salida de potencia
total, Po de un sistema no puede ser mayor que su entrada de potencia, Pi y que
la eficiencia definida por = Po/P no puede ser mayor que 1. El factor que no
se considera en la discusin anterior, que permite una salida de potencia de ca
mayor que la potencia de entrada de ca, es la potencia aplicada de cd. Representa
una contribucin a la potencia de salida total aun cuando parte de ella se disipa a
travs del dispositivo y los elementos resistivos. En otras palabras, existe un
intercambio" de potencia de cd al dominio de ca, el cual permite establecer una
muy alta potencia de salida de ca. De hecho, una eficiencia-de conversin se
define por medio de = Po(ca)/Pi(cd) donde Po(ca) es la potencia de ca en la
carga, y P(cd) la potencia suministrada de cd.
Quizs el papel que juega la fuente de cd se describa mejor al considerar primero
la red simple de cd de la figura 7.1. La direccin resultante del flujo se muestra
en la figura con una grfica de la corriente i contra el tiempo. Insertemos ahora
un mecanismo de control, como se muestra en la figura 7.2. El mecanismo de
control se constituye de tal forma que la aplicacin de una seal relativamente
pequea al mecanismo de control puede resultar en una oscilacin mucho ms
grande en el circuito de salida.
 Figura 7.1 Corriente estacionaria establecida por una fuente de cd.

Para el sistema de la figura 7.2 el valor pico de la oscilacin se controla mediante

el nivel establecido de cd. Cualquier intento de exceder el lmite establecido por
el nivel de cd resultar en un "recorte" aplanado de la regin pico de la seal de
salida. Por lo tanto, en su totalidad, un diseo apropiado de amplificador requiere
que los componentes de cd y de ca sean sensibles a cada uno de los otros
requerimientos y limitaciones. Sin embargo, es en verdad un hecho afortunado
que los amplificadores de pequea seal de transistor puedan considerarse
lineales para la mayora de las aplicaciones, permitiendo el uso del teorema de
superposicin para separar el anlisis de cd del anlisis de ca.

Figura 7.2 Efecto de un elemento de control sobre el flujo en estado estacionario del
sistema elctrico de la figura 7.1
LNEA DE CARGA DE CA.
Excursin mxima de salida de ca al voltaje de ca pico a pico mximo, sin
recortes, que puede proporcionar un amplificador.
La lnea de carga de ca es una ayuda visual para entender la operacin con
seales grandes.
4.2 Modelado del transistor BJT.
La clave del anlisis de pequea seal de transistor es el empleo de los circuitos
equivalentes (modelos) que sern introducidos en este captulo. Un modelo es la
combinacin de elementos de circuito, seleccionados adecuadamente, que mejor
aproximan el comportamiento real de un dispositivo semiconductor en
condiciones especficas de operacin,
Una vez determinado el circuito equivalente de ca, el smbolo grfico del
dispositivo puede sustituirse en el esquema mediante este circuito, y se pueden
aplicar los mtodos bsicos del anlisis de circuitos de ca (anlisis de nodos,
anlisis de mallas y el teorema de Thvenin) para determinar la respuesta del
circuito.
Hay dos teoras actuales acerca de cul ser el circuito equivalente que ha de
sustituir al transistor. Durante muchos aos la industria y las instituciones
educativas confiaron ampliamente en los parmetros hbridos (que se
presentarn en breve). El circuito equivalente de parmetros hbridos seguir
siendo muy popular, aun cuando en la actualidad debe competir con un circuito
equivalente derivado directamente de las condiciones de operacin del transistor,
el modelo re. Los fabricantes siguen especificando los parmetros hbridos para
una regin de operacin particular en sus hojas de especificaciones. Los
parmetros (o componentes) del modelo re pueden derivarse directamente de los
parmetros hbridos en esta regin. Sin embargo, el circuito equivalente hbrido
adolece de estar limitado a un conjunto particular de condiciones de operacin si
se considerara preciso. Los parmetros del otro circuito equivalente pueden
determinarse para cualquier regin de operacin dentro de la regin activa y no
estn limitados por un solo grupo de parmetros incluidos en la hoja de
especificaciones. A su vez, no obstante, el modelo re no tiene un parmetro que
defina el nivel de impedancia de salida del dispositivo y el efecto de
retroalimentacin de la salida a la entrada.
Puesto que en la actualidad ambos modelos se emplean de manera extensa, los
dos se examinan en detalle en este libro. En algunos anlisis y ejemplos se
emplear el modelo hbrido, en tanto que en otros se utilizar en forma exclusiva
el modelo re. No obstante, en el texto se har todo lo necesario para mostrar la
forma tan estrecha en que se relacionan los dos modelos y cmo la habilidad en
el manejo de uno de ellos conduce a una destreza natural en el manejo del otro.
Con el fin de mostrar el efecto que tendr el circuito equivalente de ca sobre el
anlisis que sigue, considrese el circuito de la figura 7.3. Supongamos por e]
momento que el circuito equivalente de ca de pequea seal para el transistor ya
ha sido determinado. Puesto que slo nos interesa la respuesta de ca del circuito,
todas las alimentaciones de cd pueden sustituirse por equivalentes de potencial
cero (corto circuito), ya que determinan nicamente el nivel de cd (nivel
quiesciente) o de operacin del voltaje de salida y no la magnitud de la excursin
de la salida de ca. Esto se muestra claramente en la figura 7.4. Los niveles de cd
fueron importantes simplemente para determinar el punto Q de operacin
adecuado. Una vez determinado, es posible ignorar los niveles de cd en el
anlisis de ca de la red. Adems, los capacitores de acoplamiento C1 y C2 y el
capacitor de desvo C3*** se eligieron de modo que tuvieran una reactancia muy
pequea a la frecuencia de aplicacin. Por lo tanto, es posible tambin
reemplazarlos para todos los propsitos prcticos por medio de una trayectoria de
baja resistencia (corto circuito). Ntese que esto producir el "corto circuito" de
la resistencia de polarizacin de cd, RE. Recurdese que los capacitores tienen un
equivalente de circuito abierto en condiciones de estado estable cd, permitiendo
un aislamiento entre etapas en los niveles de cd y las condiciones de operacin.
 Figura 7.3 Circuito de transistor examinado en este anlisis introductorio.

Figura 7.4 Red de la figura 7.3 despus de eliminar la alimentacin de cd.

La conexin comn de tierra y el rearreglo de los elementos de la figura 7.4 dar

como resultado una combinacin en paralelo de los resistores R1, R2, y RC que
aparecer del colector al emisor como se muestra en la figura 7.5. Como los
componentes del circuito equivalente del transistor insertado en la figura 7.5 son
aquellos con los que ya nos hemos familiarizado (resistores, fuentes controladas,
etc.), las tcnicas de anlisis tales como superposicin y el teorema de Thvenin,
entre otras, pueden aplicarse para determinar las cantidades deseadas.
 Figura 7.5 Circuito de la figura redibujado para el anlisis de pequea seal ca.

Examinaremos an ms la figura 7.5 e identifiquemos las cantidades importantes

que se determinarn en el sistema. Puesto que sabemos que el transistor es un
dispositivo amplificador, esperaramos alguna indicacin de cmo se relacionan
el voltaje de salida Vo y el de entrada Vi, es decir, la ganancia en voltaje. Note en
la figura 7.5 que para esta configuracin Ii = Ib, e Io = Ic lo cual define la ganancia
en corriente Ai = Io / Ii. La impedancia de entrada Zi y la impedancia de salida Zo
probarn ser de particular importancia en el anlisis que se detalla a continuacin.
Se proporcionar mucha ms informacin acerca de estos parmetros en las
secciones siguientes. Por tanto, el equivalente de ca para una red se obtiene por
medio de:
1. El establecimiento de todas las fuentes de cd a cero y su reemplazo por
un corto circuito equivalente
2. El reemplazo de todos los capacitores por un corto circuito equivalente
3. La eliminacin de todos los elementos sustituidos por los corto
circuitos equivalentes introducidos en los pasos 1 y 2
4. El dibujar de nuevo la red en una forma ms lgica y conveniente.
En las secciones siguientes se presentarn los circuitos equivalentes re e hbrido
para completar el anlisis de ca de la red de la figura 7.5

4.3 Parmetros importantes: Zi,

Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io. (Redes
de dos puertos).
Antes de investigar los circuitos equivalentes para BJT con ms detalle,
concentrmonos en los parmetros de un sistema de dos puertos que son de
capital importancia desde un punto de vista de anlisis y diseo. Para el sistema
de dos puertos (dos pares de terminales) de la figura 7.6, el extremo de entrada
(el lado donde normalmente se aplica la seal) se encuentra a la izquierda y el
extremo de salida (donde se conecta la carga) se halla a la derecha. De hecho,
para la mayora de los sistemas elctricos y electrnicos el flujo general se tiene
normalmente de izquierda a derecha. Para ambos conjuntos de terminales la
impedancia entre cada par de terminales en condiciones normales de operacin es
bastante importante.

Figura 7.6 Sistema de dos puertos.

Impedancia de entrada, Zi
Para el extremo de entrada, la impedancia de entrada Z se define por la ley de
Ohm como se indica a continuacin:
Zi = Vi / Ii
Si se modifica la seal de entrada Vi, la corriente Ii, puede calcularse mediante el
uso del mismo nivel de impedancia de entrada. En otras palabras:
Para el anlisis de pequea seal una vez que se ha determinado la impedancia
de entrada, el mismo valor numrico puede utilizarse para modificar los niveles
de la seal aplicada.
De hecho, en las secciones siguientes encontraremos que la impedancia de
entrada de un transistor puede determinarse aproximadamente por medio de las
condiciones de polarizacin de cd, condiciones que no cambian slo porque la
magnitud de la seal aplicada de ca se haya modificado.
Es particularmente interesante que para las frecuencias en el intervalo de los
valores bajos a los medios (normalmente <100 kHz):
La impedancia de entrada de un amplificador de transistor BJT es de naturaleza
puramente resistiva y, dependiendo de la manera en que se emplee el transistor,
puede variar de unos cuantos ohms hasta el orden de los megaohms.
Adems:
No puede emplearse un hmetro para medir la impedancia de entrada de
pequea seal de ca puesto que el hmetro opera en modo de cd.
La ecuacin (7.1) es particularmente til en la medida en que proporciona un
mtodo para medir la resistencia de entrada en el dominio de ca. Por ejemplo, en
la figura 7.7 se ha agregado un resistor sensor al extremo de entrada para permitir
una determinacin de Ii*** empleando la ley de Ohm. Un osciloscopio o un
multimetro digital (DMM) sensible puede utilizarse para medir el voltaje Vs y
V. Ambos voltajes pueden ser de pico a pico, pico o valores rms, siempre que
ambos niveles empleen el mismo patrn. La impedancia de entrada se determina
entonces de la siguiente manera:
Ii = (Vs - Vi) / Rsensor
y
Zi = Vi / Ii

Figura 7.7 Determinacin de Zi.

La importancia de la impedancia de entrada de un sistema puede demostrarse

mejor mediante la red de la figura 7.8. La fuente de seal tiene una resistencia
interna de 600 el sistema (posiblemente un amplificador de transistor) tiene
una impedancia de entrada de 1.2 k .
 Figura 7.8 Demostracin del impacto de Zi sobre una respuesta de amplificador.

Impedancia de salida, Zo
La impedancia de salida se define en forma natural para el conjunto de salida de
las terminales, pero la manera en la cual se define es bastante diferente de la
correspondiente a la impedancia de entrada. Es decir,
La impedancia de salida se determina en las terminales de salida viendo hacia
atrs. dentro del sistema con la seal aplicada fijada en cero.
En la figura 7.10, por ejemplo, la seal aplicada se ha establecido a cero voltios.
Para determinar Zo, se aplica una seal, Vs, a las terminales de salida, y el nivel de
Vo se mide con un osciloscopio o DMM sensible. La impedancia de salida se
determina entonces de la siguiente manera:
Io = (V - Vo) / Rsensor
y
Zo = Vo / Io

Figura 7.10 Deteminacin de Zo.

En particular, para las frecuencias de rango bajo y medio (normalmente < 100
kHz): La impedancia de salida de un amplificador de transistor BJT es resistiva
por naturaleza y depende de la configuracin y de la colocacin de los
elementos resistivos, Zo puede variar entre unos cuantos ohms y un nivel que
puede exceder los 2M .
Adems:
No puede utilizarse un hmetro para medir la impedancia de salida de pequea
seal de ca debido a que el hmetro opera en modo de cd.

Ganancia de voltaje Av
Una de las caractersticas ms importantes de un amplificador es la ganancia de
voltaje de pequea seal de ca, que se determina por
Av = Vo / Vi
Para el sistema de la figura 7.13, no se ha conectado una carga a las terminales de
salida y el nivel de ganancia determinado por la ecuacin (7.6) se denomina
como la ganancia de voltaje sin carga. Es decir,

Figura 7.13 Determinacin de la ganancia de voltaje sin carga

Para amplificadores de transistor, la ganancia de voltaje sin carga es mayor que

la ganancia de voltaje con carga.

Ganancia de corriente, Ai
La ltima caracterstica numrica por discutir es la ganancia de corriente definida
por
A i = I o / Ii
Aunque por lo regular recibe menos atencin que la ganancia de voltaje, es, sin
embargo, una cantidad importante que puede tener un impacto significativo en la
eficiencia global de un diseo. En general:
Para amplificadores BJT, la ganancia de corriente oscila entre los valores
apenas menores que I y un nivel que puede exceder los 100.
Para la situacin con carga presente de la figura 7.15,
Ii = Vi / Zi
y
Io = Vo / RL

Figura 7.15 Determinacin de la ganancia de corriente con carga.

Ai = -Av(Zi / Ii)
La ecuacin anterior permite la determinacin de la ganancia de corriente a partir
de la ganancia de voltaje y los niveles de impedancia.

Relacin de fase
La relacin de fase entre las seales senoidales de entrada y salida es importante
por una variedad de razones prcticas. Sin embargo y por fortuna: Para el
amplificador de transistor tpico, a frecuencias que permiten ignorar el efecto de
elementos reactivos, las seales de entrada y salida estn ya sea en fase o
desfasadas por 180.
La razn de esta situacin ambivalente con respecto a la fase se aclarar en los
captulos siguientes.
Resumen
Los parmetros de principal importancia para un amplificador ya se han
presentado; la impedancia de entrada Zi, la impedancia de salida Zo, la ganancia
de voltaje Av, la ganancia de corriente Ai y las relaciones de fase resultantes.
Otros factores, tales como la frecuencia aplicada para los lmites inferior y
superior del espectro de frecuencias, afectarn algunos de estos parmetros. En
las secciones y captulos siguientes, todos los parmetros se determinarn para
una variedad de redes de transistores con el fin de permitir una comparacin de
las ventajas y desventajas de cada configuracin.

4.4 Modelado re del transistor.

El modelo re emplea un diodo y una fuente controlada de corriente para duplicar
el comportamiento de un transistor en la regin de inters. Recurdese que una
fuente de corriente controlada por corriente es aqulla donde los parmetros de la
fuente de corriente se controlan por medio de una corriente en otra parte de la
red. De hecho,en general:
Los amplificadores de transistor BJT se conocen como dispositivos controlados
por corriente.

Configuracin de base comn

En la figura 7.16a se ha insertado un transistor pnp de base comn dentro de la
estructura de dos puertos empleada en nuestra discusin de las recientes
secciones. En la figura 7.16b se ha colocado el modelo re para el transistor entre
las mismas cuatro terminales. Como se observ en la seccin 7.3, el modelo
(circuito equivalente) se escoge de una forma tal que se tenga una aproximacin
del comportamiento del dispositivo al reemplazarlo en la regin de operacin de
inters. En otras palabras, los resultados obtenidos al colocar el modelo deberan
estar relativamente cercanos a los obtenidos con el transistor real. Usted
recordar, del captulo 1, que una de las uniones de un transistor en operacin se
polariza en forma directa mientras que la otra se polariza inversamente. La unin
directamente polarizada se comportar de manera muy parecida a un diodo
(despreciando los efectos de los niveles cambiantes de VCE), como se verific
mediante las curvas de la figura 3.7. Para la unin de base-emisor del transistor
de la figura 7.16a, el diodo equivalente de la figura 7.16b entre las mismas dos
terminales parece ser bastante apropiado. Para el extremo de salida, recurdese
que las curvas horizontales de la figura 3.8 revelaban que IC = Ie (como se dedujo
de Ic = Ie) para el intervalo de valores de vce. La fuente de corriente de la
figura 7.16b establece el hecho de que Ic = Ie con la corriente de control Ie que
aparece en el extremo de entrada del circuito equivalente, como se indica en la
figura 7.16a. Por consiguiente, hemos establecido una equivalencia en las
terminales de entrada y salida con la fuente controlada por corriente,
proporcionando un vnculo entre las dos (una revisin inicial sugerira que el
modelo de la figura 7.16b es un modelo vlido del dispositivo real).

Figura 7.16 (a) Transistor BJT de base comn; (b) modelo re para la configuracin de
la figura 7.16a.

Recurdese del capitulo 1, que la resistencia de ca de un diodo puede

determinarse mediante la ecuacin rca = 26 mV/ID, donde ID es la corriente de cd
a travs del diodo en el punto Q (esttico). Esta misma ecuacin puede utilizarse
para encontrar la resistencia de ca del diodo de la figura 7.16b si sustituimos
simplemente la corriente de emisor, como se muestra a continuacin:
re = 26 mV / IE
El subndice e de re se eligi para enfatizar que es el nivel cd de la corriente de
emisor que determina el nivel ca de la resistencia del diodo de la figura 7.16b. Al
sustituir el valor resultante de re en la figura 7.16b se obtendr el modelo de suma
utilidad que se muestra en la figura 7.17:
 Figura 7.17 Circuito equivalente re de base comn.

A causa del aislamiento existente entre los circuitos de entrada y de salida de la

figura 7.17, debera ser bastante obvio que la impedancia de entrada Zi para la
configuracin de base comn de un transistor fuera simplemente re. Es decir,
Zi = re
Para la configuracin de base comn, los valores tpicos de Z, varan entre unos
cuantos ohms y un valor hasta de alrededor de 50 .
Para la impedancia de salida, si establecemos la seal a cero, entonces Ie = O A e
IC = Ie = (0 A) = O A, resultando en un equivalente de circuito abierto en
las terminales de salida. El resultado es que para el modelo de la figura 7.17,
Zo
En realidad:
Para la configuracin de base comn, los valores tpicos de Zo se hallan en el
orden de los megaohms.
La resistencia de salida de la configuracin de base comn se determina por
medio de la pendiente de las lneas caractersticas de las caractersticas de salida,
como se muestran en la figura 7.18. Suponiendo que las lneas sean
perfectamente horizontales (una excelente aproximacin) resultara en la
conclusin de la ecuacin (7.13). Si se tuviera el cuidado de medir Zo grfica o
experimentalmente, se obtendran los niveles tpicos en el intervalo de 1 a 2 M
.
 Figura 7.18 Definicin de Zo.

En general, para la configuracin de base comn, la impedancia de entrada es

relativamente pequea mientras que la impedancia de salida es bastante alta.
La ganancia de voltaje se determinara ahora para la red de la figura 7.19.
Vo = -IoRL = -(-IC)RL = IERL
Vi = IEZi = Iere
Av = Vo / Vi = IeRL / Iere
Av = RL / re RL / re
Para la ganancia de corriente
Ai = Io / Ii = -IC / Ie = Ie / Ie
Ai = - -1

7.19 Definicin de Av para la configuracin de base comn.

El hecho de que la polaridad del voltaje Vo tal como se determina a partir de la
corriente IC sea la misma que se define mediante la figura 7.19 (o sea, el extremo
negativo est al potencial de referencia, o tierra) revela que vo y V estn en fase
para la configuracin de base comn. El equivalente para un transistor NPN en la
configuracin de base comn aparecera como se ilustra en la figura 7.20.

Figura 7.20 Modelo aproximado para una configuracin de transistor NPN de base
comn.

Configuracin de emisor comn

Para la configuracin de emisor comn de la figura 7.21a, las terminales de
entrada son las terminales de base y emisor, pero el conjunto de salida lo
componen ahora las terminales de colector y emisor. Adems, la terminal de
emisor es ahora comn entre los puertos de entrada y salida del amplificador.
Sustituyendo el circuito equivalente re para el transistor npn dar por resultado la
configuracin de la figura 7.21b. Advirtase que la fuente controlada por
corriente an esta conectada entre las terminales de colector y de base y el diodo,
entre las terminales de base y de emisor. En esta configuracin, la corriente de
base es la corriente de entrada, mientras que la corriente de salida aun es Ic.
Recuerde, del captulo 1, que las corrientes de base y de colector estn
relacionadas por la siguiente ecuacin:
Ic = Ib
La comente a travs del diodo se determina por lo tanto mediante
Ie = ( + 1)Ib

Sin embargo, ya que la beta de ca es normalmente mucho mayor que 1, haremos

uso de la siguiente aproximacin para el anlisis de comente:
I e Ib
La impedancia de entrada se determina por medio de la siguiente relacin:
Zi = Vi / Ii = Vbe / Ib
El voltaje Vbe se halla a travs de la resistencia del diodo, como se muestra en la
figura 7.22. El nivel de re todava se determina por la corriente de cd IE***. El
uso de la ley de Ohm conduce a
Vi = Vbe = Ie re Ibre

Figura 7.21 (a) Transistor BJT de emisor comn (b) modelo aproximado para la
configuracin de la figura 7.21

Figura 7.22 Determinacin de Zi empleando el modelo aproximado.

La sustitucin nos lleva a

 Zi re
En esencia, la ecuacin (7.19) establece que la impedancia de entrada para una
situacin tal como la mostrada en la figura 7.23 es beta veces el valor de re. En
otras palabras, un elemento resistivo en la terminal del emisor se refleja en el
circuito de entrada por un factor multiplicativo . Por ejemplo, si re = 6.5 ohms
como en el ejemplo 7.4, re = 160 (situacin bastante comn a la impedancia de
entrada se incrementa a un nivel de
Zi re = (160)(6.5 ohms) = 1.04 kohms

Figura 7.23 Impacto de re sobre la impedancia de entrada.

Para la configuracin de emisor comn, los valores tpicos de Zi que se definen

mediante re, oscilan desde unos cuantos cientos de ohms hasta el orden los
kilohms, con valores mximos de entre 6 y 7 kilohms.
Para la impedancia de salida las caractersticas de inters son el conjunto de
salida de la figura 7.24, Obsrvese que la pendiente de las curvas se incrementa
con el aumento en la comente de colector. Cuanto ms elevada sea la pendiente,
menor ser el nivel de la impedancia de salida (Zo). El modelo re de la figura
7.21 no incluye una impedancia de salida, pero si se halla disponible a partir de
un anlisis grfico o de hojas de datos, puede incluirse como se ilustra en la
figura 7.25.
 Figura 7.24 Definicin de ro para la configuracin de emisor comn.

Figura 7.25 Insercin de ro en el circuito equivalente de transistor.

Para la configuracin de emisor comn, valores tpicos de Zo se encuentran en

el intervalo que va de los 40 a los 50 kohms.
Para el modelo de la figura 7.25, si se establece a cero la seal aplicada, la
corriente es de O A y la impedancia de salida es
Zo = ro

Por supuesto, si la contribucin debida a ro se ignora como en el caso del modelo

re la impedancia de salida se define por Zo = .
La ganancia de voltaje para la configuracin de emisor comn se determinar
ahora por la configuracin de la figura 7.26 haciendo uso de la suposicin que Zo
= . El efecto de incluir ro se considerar en el captulo 6. Para la direccin
definida por Io y polaridad de Vo,
Vo = -IoRL

Figura 7.26 Determinacin de la ganancia de voltaje y corriente para el amplificador

de transistor de emisor comn.

El signo menos refleja simplemente el hecho de que la direccin de Io en la

figura 7.26 establecer un voltaje Vo con polaridad opuesta. Al continuar
llegamos a
Vo = -IoRL = -ICRL = - IbRL
Vi = IiZi = Ib re
Av = Vo / Vi = - IbRL / Ib re
Av = -RL / re
El signo menos resultante para la ganancia de voltaje revela que los voltajes de
entrada y salida se encuentran desfasados en 180. La ganancia de corriente para
la configuracin de la figura 7.26:
Ai = Io / Ii = IC / Ib = Ib / Ib
Ai =
Utilizando el hecho de que la impedancia de entrada es re que la corriente de
colector es Ib y que la impedancia de salida es ro el modelo equivalente de la
figura 7.27 puede ser una herramienta efectiva para el anlisis que sigue a
continuacin. Para valores de parmetros tpicos la configuracin de emisor
comn puede considerarse como aquella que disfruta de un nivel moderado de
impedancia de entrada, un voltaje y una ganancia de corriente altos, y una
impedancia de salida que puede tener que incluirse en el anlisis de la red.
 Figura 7.27 Modelo re para la configuracin de transistor de emisor comn.

Configuracin de colector comn

Para la configuracin de colector comn normalmente se aplica el modelo
definido para la configuracin de emisor comn de la figura 7.21, en vez de
definir un modelo propio para la configuracin de colector comn. En captulos
subsecuentes se investigarn varias configuraciones de colector comn y llegara
a ser evidente el efecto de utilizar el mismo modelo.

4.5 El modelo equivalente

hbrido.
En la seccin 4.4 se seal que el modelo re para un transistor es sensible al nivel
de operacin de cd del amplificador. El resultado es una resistencia de entrada
que variar en el punto de operacin de cd. Para el modelo equivalente hbrido
que se describir en esta seccin se definen los parmetros en un punto de
operacin que puede o no reflejar 1as condiciones de operacin reales del
amplificador. Esto se debe al hecho de que las hojas de especificaciones no
pueden proporcionar los parmetros para un circuito equivalente para todo punto
de operacin posible. Los fabricantes deben escoger las condiciones de operacin
que creen que reflejarn las caractersticas generales del dispositivo.
 Figura 7.32 Circuito equivalente hbrido completo.

5.1 Polarizacin por divisor de

voltaje.
Los modelos de transistores que se presentan en el captulo 3 se utilizarn ahora
para realizar el anlisis de ca de pequea seal de un buen nmero de
configuraciones estndar de redes con transistor. Las redes que se analizarn
representan la mayor parte de las que aparecen en la prctica actual. Las
modificaciones de las configuraciones estndar se examinarn con relativa
facilidad una vez que el contenido de este capitulo se haya revisado y entendido.
Ya que el modelo re es sensible al punto de operacin real, ser nuestro modelo
principal para el anlisis que se realizar. Sin embargo, para cada configuracin
se examina el efecto de una impedancia de salida como se proporciona mediante
el parmetro hoe del modelo equivalente hbrido. Para demostrar las semejanzas
que existen en el anlisis entre los modelos, se ha dedicado una seccin al
anlisis de pequea seal de redes BJT empleando nicamente el modelo
equivalente hbrido.
Circuito equivalente para CD

Circuito equivalente para CA.

 Zi:

Zo:
Zo = Rc

Av:
Vo = -IORL
IO = (ICRC)/(RC+RL) VO = -(ICRC)RL /(RC+RL)

Vo = ViR'L / re Vo / Vi = -R'L / re
 Av = -R'L / re
Ai: Frecuentemente el valor de R' es muy cercano a re por lo tanto no
puede ser ignorado.
Ib = R'Ii / (R' + re)

Ib / Ii = R' / (R' + re)
En la salida

Efecto de ro: Zi no cambia pero Zo = ro Rc

ro = 1 / hoe

Ai = Io / Ii

Ejemplo:
Calcule el punto Q, re, Zi, Zo, Av, Ai para el amplificador que se muestra:

f = 1 kHz
Xc 0.1 R
C1 10 / 2 f 0.22 uF
C2 1.3 uF
C3 1.06 uF

Anlisis de CD:
RE = (90)(1.5 k ) = 135 k
10R2 = (10)(8.2 k ) = 82 k , RE > 10R2
se puede emplear el anlisis aproximado
 VE = VB - VBE = 2.81 - 0.7 = 2.11 Vcd
IE = VE / RE =2.11 V / 1.5 k = 1.41 mA
VCE = VCC - IC(RC + RE), donde IC IE
VCE = 22 - (1.41mA)(6.8 k + 1.5 k ) = 10.297 Vcd
Punto Qcd: (10.297 V, 1.41 mA)

Anlisis de CA:
re = 26 mV / IE = 26 mV / 1.41 mA

re = 18.44

re =(90)(18.44) = 1.66 k

Zi = 1.35 k
Zo = Rc = 6.8 k , si se toma en cuenta ro suponga que el transistor es el
2N4123: hoe = 14 u para Ic 1.41 mA

Av = 66.64
 Ai = 59.84

5.2 Configuracin de
polarizacin de emisor para
emisor comn.

Circuito equivalente de CD
 Circuito equivalente de CA

Como Vi est en paralelo con RB y con la suma de re + RE Vi = IRB RB

Vi = Ib re + IeRE = Ib re + ( + 1)IbRE
Zb = Vi / Ib = re + ( +1)RE
Zb (re + RE), si RE >> re Zb RE

Zi:
Ejemplo
Dado el siguiente circuito encuentre:
a. Punto Q y valor exacto para IE
b. Zi
c. Zo (sin ro y con ro) suponga que hoe = 55 uU
d. Av
e. Ai

a)

IE = ( + 1)IB = (121)(46.5 uA) = 5.63 mA

Ic = IB =(120)(46.5 uA) = 5.58 mA
VCE = Vcc - Ic (Rc + RE) = 20 - (5.58 mA)(1.3k + 1.2k) = 6.05 Vcd
Punto Q (6.05 Vcd, 5.58 mA)
 IE = 5.63 mA

b)

re = 26 mV / 5.63 mA = 4.62 ohms

Zi = 94.65 kohms

c)
Zo = Rc
Zo = 1.3 k (sin ro)

Si ro = 1 / hoe =1 / 55 uU =18.18 k

Zo = 1.21 k (con ro)

d)

Av = -0.3

e)
 Ai = 40.52

Zo:
Si Vi = 0, Ib = 0 y Ib es un corto circuito
Zo = Rc

Av:

Av: Frecuentemente la magnitud de RB es muy cercana a Zb, por lo

tanto no se puede aproximar Ib = Ii. Es necesario aplicar la regla del
divisor de corriente.
 Efecto de ro: La colocacin de ro para esta configuracin es tal que
para los valores de parmetros tpicos, el efecto de ro sobre la
impedancia de salida y ganancia de voltaje se pueden ignorar:

5.3 Configuracin de emisor

seguidor.
Cuando la salida se toma en la terminal del emisor, en lugar de
en el colector, la red recibe el nombre de emisor seguidor.
El voltaje de salida (CA) siempre es un poco menor que la seal
de entrada, debido a la cada de base a emisor, a pesar de esto
la aproximacin Av 1 casi siempre es satisfactoria.
A diferencia del voltaje en el colector, el voltaje en el emisor
est en fase con la seal Vi, de ah el nombre de "emisor
seguidor".
En la figura se muestra la configuracin ms comn de emisor
seguidor. Como se puede observar, para anlisis de CA el
colector est conectado a tierra, as que sta es una
configuracin de colector de colector comn.
Esta configuracin se utiliza con propsitos de acoplamiento de
impedancia. Presenta una elevada impedancia de entrada y una
baja impedancia de salida, lo cual es opuesto por completo a las
configuraciones anteriores. El efecto resultante es muy similar al
que se obtiene con un transformador.

Circuito equivalente de CD
 Malla de Entrada

Malla de Salida

Circuito equivalente de CA

Ntese que Vi est en paralelo con RB, pero tambin con re +

R'L, as que: Vi = ZbIb

Zi:

As que
 Zo:

, y en trminos de Ie multiplicando por + 1

Si se dibujara un circuito representando a esta ecuacin:

Recuerde que para obtener Zo, Vi se establece a cero volts, as

que:

Si se toma en cuenta ro R'L est en paralelo con ro

Av: De la figura anterior se puede obtener la

ganancia de voltaje.
 Ai: De la figura del circuito equivalente:

La siguiente es tambin una red de emisor seguidor, pero se

polariza por divisor de voltaje.

En este caso para CA se sustituye RB por R1 paralela a R2 y para

CD se aplica lo visto para la polarizacin por divisor de voltaje, si
 RE 10R2 Anlisis aproximado. En el caso contrario se
aplica el anlisis exacto.

La siguiente tambin es una red de emisor seguidor, la cual

utiliza polarizacin por divisor de voltaje y adems se incluye
una resistencia en el colector para controlar el VCE.

Para el anlisis en CA, la RC incluida no tiene efecto, ni en Zo, ni

en la ganancia y RB se sustituye por R1 paralela a R2.
Para CD es un circuito de polarizacin por divisor de voltaje.

Ejemplo:
Para la red de emisor seguidor que se muestra en la figura
calcule:
a. Punto Q
b. re
c. Parmetros: Zi, Zo, Av, Ai.
a) Circuito equivalente de CD:

b)
c)

Apndice al captulo 5.

CONFIGURACIN DE EMISOR COMN CON POLARIZACIN

FIJA

Circuitos Equivalentes de CA
 Zi:

Zo: Impedancia de salida = Zo para Vi = 0 Ib = 0, Zo

= Rc

Av:

El signo menos indica que la polaridad de Vo es opuesta a la

definida por la direccin indicada de Io.

Ai:
Efecto de ro: Zi no cambia, pero