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ELECTRÓNICA I

OBJETIVO GENERAL: Conocer el principio de construcción,


aplicaciones y funcionamiento de los elementos semiconductores básicos
como son el diodo y el transistor, así como aprender a analizar y diseñar
circuitos con estos elementos.

OBJETIVOS ESPECÍFICOS:
1. Conocer los principios de la construcción y el funcionamiento de un diodo
semiconductor.
2. Conocer los principios de la construcción y el funcionamiento de otros
diodos como el Zener y el LED.
3. Conocer algunas de las aplicaciones de un diodo de propósito general, un
diodo Zener y un LED.
4. Analizar, diseñar y construir circuitos utilizando uno o varios diodos.
5. Conocer los principios de la construcción y el funcionamiento de un
transistor de unión bipolar (BJT).
6. Aprender a polarizar (CD) un transistor de unión bipolar en sus distintas
configuraciones.
7. Conocer los principios de la construcción y el funcionamiento de un
transistor de unión bipolar.
8. Analizar, diseñar y construir circuitos simples utilizando un transistor BJT.
9. Conocer los principios de la construcción y el funcionamiento de un
transistor de efecto de campo (FET).
10. Aprender a polarizar (CD) un transistor de efecto de campo..
CONTENIDO DETALLADO:

Diodos y aplicaciones con diodos.


1.1 Introducción a los diodos y diodo ideal.

1.2 Materiales semiconductores tipo N y tipo P.

1.3 Curvas características (ideal, real y aproximadas) de un diodo.

1.4 Algunas imperfecciones del diodo y sus hojas de especificaciones.

1.5 El diodo Zener, el diodo emisor de luz (LED) y otros tipos de diodos.

1.6 Comportamiento de CC de un diodo.

1.7 El rectificador de media onda.

1.8 El rectificador de onda completa.

1.9 Recortadores y sujetadores.

1.10 Multiplicadores de voltaje.

El transistor de unión bipolar (BJT).


2.1 Introducción al BJT y principios de construcción.

2.2 Configuración de base común.

2.3 Configuración de emisor común.

2.4 Configuración de colector común.

2.5 Límites de operación del transistor.

2.6 Hoja de especificaciones del transistor.

Polarización de CD del BJT.


3.1 Punto de operación o punto Quiescente.

3.2 Circuito de polarización fija.

3.3 Circuito de polarización estabilizada de emisor.

3.4 Polarización con divisor de voltaje.

3.5 Diversas configuraciones de polarización.


3.6 Conmutación con transistores.

3.7 El transistor PNP

Modelado del transistor BJT.


4.1 Amplificador en el dominio de CA.

4.2 Modelado del transistor BJT.

4.3 Parámetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io. (Redes de dos puertos).

4.4 El modelo re del transistor.

4.5 El modelo equivalente híbrido.

Análisis de pequeña señal del BJT.


5.1 Polarización por divisor de voltaje.

5.2 Configuración de polarización de emisor para emisor común.

5.3 Configuración de emisor seguidor.

Apéndice al capítulo 5

Transistor de efecto de campo (FET).


6.1 Introducción al transistor de efecto de campo.

6.2 Construcción y características de los JFET.

6.3 Características de transferencia.

Polarización de CD del FET.


7.1 Configuración de polarización fija.

7.2 Configuración de autopolarización.


1.1 Introducción a los diodos y diodo ideal.

Las décadas que siguieron a la introducción del transistor en los años


cuarenta han atestiguado un cambio sumamente drástico en la industria
electrónica. La miniaturización que ha resultado nos maravilla cuando
consideramos sus límites. En la actualidad se encuentran sistemas
completos en una oblea miles de veces menor que el más sencillo
elemento de las primeras redes. Las ventajas asociadas con los sistemas
semiconductores en comparación con las redes con tubos de los años
anteriores son , en su mayor parte, obvias: más pequeños y ligeros, no
requieren calentamiento ni se producen pérdidas térmicas (lo que sí
sucede en el caso de los tubos), una construcción más resistente y no
necesitan un periodo de calentamiento.

La miniaturización de los últimos años ha producido sistemas


semiconductores tan pequeños que el propósito principal de su
encapsulado es proporcionar simplemente algunos medios para el
manejo del dispositivo y para asegurar que las conexiones permanezcan
fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores limitan en apariencia los
límites de la miniaturización: la calidad del propio material semiconductor,
la técnica del diseño de la red y los límites del equipo de manufactura y
procesamiento.

El primer dispositivo electrónico que se presentará se denomina diodo.


Es el más sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempeña
un papel vital en los sistemas electrónicos, con sus características que se
asemejan en gran medida a las de un sencillo interruptor. Se encontrará
en una amplia gama de aplicaciones, que se extienden desde las simples
hasta las sumamente complejas. Aparte de los detalles de su
construcción y características, los datos y gráficas muy importantes que
se encontrarán en las hojas de especificaciones también se estudiarán
para asegurar el entendimiento de la terminología empleada y para poner
de manifiesto la abundancia de información de la que por lo general se
dispone y que proviene de los fabricantes.

Antes de examinar la construcción y características de un dispositivo


real, consideremos primero un dispositivo ideal, para proporcionar una
base comparativa. El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que
tiene el símbolo y las características que se muestran en la figura 1.1a y
b, respectivamente.

(a)
(b)

Figura 1.1 Diodo ideal: (a)símbolo; (b) característica.

En forma ideal, un diodo conducirá corriente en la dirección definida por


la flecha en el símbolo y actuará como un circuito abierto para cualquier
intento de establecer corriente en la dirección opuesta. En esencia:

Las características de un diodo ideal son las de un interruptor


que puede conducir corriente en una sola dirección.

En la descripción de los elementos que sigue, un aspecto muy importante


es la definición de los símbolos literales, las polaridades de voltaje y las
direcciones de corriente. Si la polaridad del voltaje aplicado es
consistente con la que se muestra en la figura 1.1.a, la parte de las
características que se consideran en la figura 1.1.b, se encuentra a la
derecha del eje vertical. Si se aplica un voltaje inverso, las características
a la izquierda son pertinentes. En el caso de que la corriente a través del
diodo tenga la dirección que se indica en la figura 1.1.a, la parte de las
características que se considerará se encuentra por encima del eje
horizontal, en tanto que invertir la dirección requerirá el empleo de las
características por debajo del eje.

Uno de los parámetros importantes para el diodo es la resistencia en el


punto o región de operación. Si consideramos la región definida por la
dirección de ID y la polaridad de VD en la figura 1.1.a (cuadrante superior
derecho de la figura 1.1.b), encontraremos que el valor de la resistencia
directa RF, de acuerdo a como se define con la ley de Ohm es

(corto circuito)

donde VF es el voltaje de polarización directo a través del diodo e IF es la


corriente en sentido directo a través del diodo.

El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la


región de conducción.

Si consideramos la región del potencial aplicado negativamente (tercer


cuadrante) de la figura 1.1.b,

(circuito abierto)
donde VR es el voltaje de polarización inverso a través del diodo e IR es la
corriente inversa en el diodo.

El diodo ideal, en consecuencia, es un circuito abierto en la


región en la que no hay conducción.

En síntesis, se aplican las condiciones que se describen en la figura 1.2.

Figura 1.2 Estados (a) de conducción y (b) de no conducción del diodo ideal.

En general, es relativamente sencillo determinar si un diodo se


encuentra en la región de conducción o en la de no conducción
observando tan solo la dirección de la corriente ID establecida por el
voltaje aplicado. Para el flujo convencional (opuesto al de los electrones),
si la corriente resultante en el diodo tiene la misma dirección que la de la
flecha del mismo elemento, éste opera en la región de conducción. Esto
se representa en la figura 1.3a. Si la corriente resultante tiene la dirección
opuesta, como se muestra en la figura 1.3b, el circuito abierto
equivalente es el apropiado.

Figura 1.3 (a) Estado de conducción y (b) de no conducción del diodo ideal
determinados por la dirección de corriente de la red aplicada.

Como se indicó con anterioridad, el propósito principal de esta sección es


el de presentar las características de un dispositivo ideal para
compararlas con las de las variedades comerciales.
1.2 Materiales semiconductores tipo N y
tipo P.
Configuración Electrónica de los elementos Semiconductores:

Elemento 1S 2S 2P 3S 3P 3d 4S 4P 4d 4f 5S 5P
_electrones

Boro _____ B __ 5 2 2_1

Carbono __ C __ 6 2 2_2

Aluminio __ Al 2 2_6 2_1


__13

Silicio ____ Si __ 2 2_6 2_2


14

Fósforo ___ P __15 2 2_6 2_3

Galio ____ Ga 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2_1


__31

Germanio__Ge 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2_2
__32

Arsénico __As 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2_3


__33

Indio _____In __ 49 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2_1

Estaño ____Sn__ 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2_2


50
Antimonio__Sb_ 51 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2_3

Electrones por 2 8 18 32

Nivel (2 )

Enlace covalente: En este tipo de enlace los electrones se comparten,


pero no se transfieren. Un enlace covalente consiste en un par de
electrones (de valencia) compartidos por dos átomos.

El método más sencillo para liberar los electrones de valencia ligados


consiste en calentar e cristal. Los átomos efectúan oscilaciones cada vez
más intensas que tienden a romper los enlaces y liberar así los
electrones. Cuanto mayor sea la temperatura de un semiconductor, mejor
podrá conducir.

Material Intrínseco

Cristal de Silicio
Material Intrínseco Tipo N

Cristal de Silicio "dopado" con átomos de Arsénico. Átomos "Donadores"

Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se


denominan átomos donadores.

Los materiales tipo N se crean añadiendo elementos de impureza


(átomos) que tengan cinco electrones de valencia, "Pentavalentes".

Material Extrínseco Tipo P

Cristal de Silicio "Dopado" con átomos o impurezas de Galio. Átomos "Aceptores"


Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se denominan
átomos aceptores.

Los materiales tipo P se crean añadiendo elementos de impurezas


(átomos) que tengan tres electrones de valencia.

Por las razones antes expuestas, en un material tipo N el electrón se


denomina portador mayoritario y el hueco, portador minoritario.

Cuando el quinto electrón (electrón sobrante) de un átomo donador


abandona al átomo padre, el átomo que permanece adquiere una carga
positiva neta: a éste se le conoce como ion donador y se representa con
un circulo encerrando un signo positivo. Por razones similares, el signo
negativo aparece en el ion aceptor.

Tipo N
⊕ Iones Donadores (Átomos de impurezas con 5 electrones).

- Portadores Mayoritarios.

+ Portador Minoritarios.

(Huecos generados cuando algunos electrones de átomos de silicio


adquieren suficiente energía para romper el enlace covalente y
convertirse en electrones libres y/o portadores Mayoritarios).

Tipo N
Tipo P

θ - Iones Aceptores (Átomos de impurezas con 3 electrones).

+ Portadores Mayoritarios.

- Portadores minoritarios.

(electrones libres generados cuando estos adquieren suficiente energía


para romper el enlace covalente, el hueco que dejan se convierte en
portado mayoritario).

Tipo P
Diodo Semiconductor

El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P,


los cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el
cual puede ser Ge o Si.

Las dimensiones de los bloques de material tipo N y tipo P, así como las
técnicas y tecnologías que se utilizan para unirlos no son parte de los
objetivos del curso y por esa razón no se abordará el tema, si alguien
desea saber un poco más de esto, puede consultar el capítulo 13, 20 y/o
21 del libro de texto.

Región de Agotamiento

En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro


tipo P), los electrones y los huecos que están en , o cerca de, la región
de "unión", se combinan y esto da como resultado una carencia de
portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la región
cercana a la unión. Esta región de iones negativos y positivos
descubiertos recibe el nombre de Región de Agotamiento por la ausencia
de portadores.
Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a través de las terminales
del diodo:

- No hay polarización (VD = 0 V).

- Polarización directa (VD > 0 V).

- Polarización inversa (VD < 0 V).

VD = 0 V. En condiciones sin polarización, los portadores minoritarios


(huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la región de
agotamiento pasarán directamente al material tipo P y viceversa. En
ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de carga
(corriente) en cualquier dirección es cero para un diodo semiconductor.
La aplicación de un voltaje positivo "presionará" a los electrones en el
material tipo N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con
los iones de la frontera y reducir la anchura de la región de agotamiento
hasta desaparecerla cuando VD ≥ 0.7 V para diodos de Silicio.

ID = Imayoritarios - IS

Condición de Polarización Inversa (VD < 0 V). Bajo esta condición el


número de iones positivos descubiertos en la región de agotamiento del
material tipo N aumentará debido al mayor número de electrones libres
arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El número de
iones negativos descubiertos en el material tipo P también aumentará
debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales
ocuparán los huecos.
El fenómeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P,
provocará que la región de agotamiento se ensanche o crezca hasta
establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no
podrán superar, esto significa que la corriente ID del diodo será cero.

Sin embargo, el número de portadores minoritarios que estarán entrando


a la región de agotamiento no cambiará, creando por lo tanto la corriente
IS.

La corriente que existe bajo condiciones de polarización inversa se


denomina corriente de saturación inversa, IS.

El término "saturación" proviene del hecho que alcanza su máximo nivel


(se satura) en forma rápida y no cambia significativamente con el
incremento en el potencial de polarización inversa, hasta que al valor VZ
o VPI, voltaje pico inverso.
El máximo potencial de polarización inversa que puede aplicarse antes
de entrar en la región Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI
nominal.

Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de


corriente más altos e intervalos de temperatura más amplios que los
diodos de germanio.
1.3 Curvas características (ideal, real y
aproximadas) de un diodo.

La curva de un diodo semiconductor (o diodo real) se puede definir por la


siguiente ecuación:

-------- K = 11,600/η -------- η = 1 para Ge

TK = TC° + 273° ----------------------------------------------- η = 2 para Si


Para un diodo de silicio la corriente de saturación inversa IS aumentará
cerca del doble en magnitud por cada 10° C de incremento en la
temperatura.

Debido a la forma que tiene la curva característica del diodo, mostrada


anteriormente, y la forma compleja de la ecuación, con frecuencia se
utiliza un modelo simplificado:
El modelo simplificado se puede utilizar siempre que la resistencia de la
red y/o de los dispositivos junto a los cuales se conectará el diodo sea

mucho mayor que la resistencia promedio del diodo rd, la cual se podría

calcular como rd, en promedio, la resistencia de un diodo de pequeña

señal es de 26Ω. Red >> rd

1.4 Algunas imperfecciones del diodo y sus


hojas de especificaciones.

Los dispositivos electrónicos (entre ellos los semiconductores) son


sensibles a frecuencias muy elevadas. En los diodos se presentan dos
efectos principales a altas frecuencias:

• Capacitancias parásitas de Transición y de Difusión.


• Tiempo de recuperación en Sentido Inverso.

En la región de polarización inversa se presenta principalmente la


capacitancia de la región de agotamiento (CT), en tanto que en la de
polarización directa se presenta principalmente la capacitancia de
difusión o de almacenamiento (CD).

El tiempo de recuperación en sentido inverso se representa por trr.


Cuando el diodo está polarizado directamente y el voltaje aplicado se
invierte repentinamente, idealmente se debería observar que el diodo
cambia en forma instantánea del estado de conducción al de no
conducción. Sin embargo, debido a un número considerable de
portadores minoritarios en cada material, el diodo se comportará como se
muestra en la siguiente figura:

ts - Tiempo de almacenamiento. Tiempo requerido para que los


portadores minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios
en el material opuesto.
tt - Intervalo de Transición. Tiempo requerido para que la corriente
inversa se reduzca al nivel asociado con el estado de no conducción.
5ns ≤ trr ≤ 1 µs en diodos de recuperación muy rápida (trr ≈ 150 Pseg.)

Hojas de especificaciones del diodo.


1. El voltaje directo VF (a una corriente u temperatura específica).
2. Máxima Corriente Directa IF (Temp. específica).
3. Corriente de Saturación Inversa IR (voltaje y temperatura específicos).
4. Voltaje inverso Nominal VPI o VBR (Temperatura).
5. Máximo nivel de disipación de Potencia PDmáx (Temperatura).
6. Capacitancias parásitas.
7. Tiempo de recuperación en sentido inverso trr.
8. Intervalo de temperatura de operación.
1.5 El diodo Zener, el diodo emisor de luz
(LED) y otros tipos de diodos.

DIODOS ZENER

La corriente en la región Zener tiene una dirección opuesta a la d un


diodo polarizado directamente.

El diodo Zener es un diodo que ha sido diseñado para trabajar en la


región Zener.

De acuerdo con la definición, se puede decir que el diodo Zener ha sido


diseñado para trabajar con voltajes negativos (con respecto a él mismo).

Es importante mencionar que la región Zener (en un diodo Zener) se


controla o se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento en
el número de impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de
Zener VZ.
Así, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde
-1.8 V a -200 V y potencias de 1/4 a 50 W.

El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha


alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o
interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje
o en fuentes.

En el circuito que se muestra, se desea proteger la carga contra


sobrevoltajes, el máximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts.
Si se elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se
activará cuando el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegiéndola de esta
manera.

EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED)

El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando


se encuentra polarizado.
El voltaje de polarización de un LED varía desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la
corriente necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20
mA.

Principio de Funcionamiento:

En cualquier unión P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y


principalmente cerca de la unión, ocurre una recombinación de huecos y
electrones (al paso de la corriente). Esta recombinación requiere que la
energía que posee un electrón libre no ligado se transfiera a otro estado.
En todas las uniones P-N una parte de esta energía se convierte en calor
y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se
transforma en calor y la luz emitida es insignificante. Por esta razón se
utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's, como Fosfuro
Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).
Otros diodos son:

• Diodos Schottky (Diodos de Barrera).


• Diodos Varactores o Varicap.
• Diodos Tunel.
• Fotodiodos.
• Diodos emisores de luz infrarroja.
• Diodo de inyección láser (ILD).

Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo,


amarillo, ámbar, azul y algunos otros.
En este punto del curso vale la pena tomar en cuenta los siguiente
comentarios:
- ¿ Qué tan válido es utilizar las aproximaciones ?
- ¿ Qué tan exacto puede ser un cálculo y/o una medición realizada en el
laboratorio ?
Hay que tener en cuenta que las características obtenidas de las hojas
de especificaciones pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001)
aunque ambos hayan sido producidos en el mismo lote.
También hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los
resistores, uno marcado de 100Ω puede ser realmente de 98Ω o de
102Ω o tal vez si ser exacto, y una fuente "ajustada" a 10V puede estar
ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V.

1.6 Comportamiento de CC de un diodo.

ANÁLISIS POR RECTA DE CARGA

La carga o la resistencia de carga (RL o R) aplicada a un circuito, tendrá


un efecto importante sobre el punto de región de operación de un
dispositivo (en este caso el diodo).
Si se aplica la ley de voltajes de Kirchoff:

V - V D - VL = 0

V = VD + IDRL

Si se realiza un análisis en esta malla, de tal manera que pueda trazarse


una línea recta sobre la curva de características del diodo, entonces la
intersección de éstas representará el punto de operación de la red o
punto Q.

Nótese que la recta de carga queda determinada en sus extremos por RL


y V, de tal manera que representa las características de la red. Si se
modifica el valor de V o de RL o de ambos, entonces la recta de carga
cambiará también.
Los extremos de la recta de carga se obtienen buscando las
intersecciones con los ejes (ID = 0 y después VD = 0):

Si VD = 0:

V = IDRL ó ID = V / RL

Si ID = 0:

V = V D ó VD = V

Como se mostró anteriormente, una línea recta trazada entre estos dos
puntos define la recta de carga.

Es muy válido también utilizar para el diodo, en lugar de la curva real, la


curva del modelo simplificado. En este caso, el punto Q no cambiará o
cambiará muy poco.
Si en lugar del modelo simplificado se utilizara el modelo del diodo ideal,
entonces sí cambiaría mucho el punto Q.
COMPORTAMIENTO DE CC DE UN DIODO

En esta sección se utilizará el modelo simplificado, o modelo aproximado


del diodo para analizar el comportamiento en diversas configuraciones en
serie y en paralelo con entradas de CD.

Para cada configuración o circuito debe determinarse primero el estado


de cada diodo (Conducción o No Conducción). Después de determinar
esto se puede poner en su lugar el equivalente adecuado y determinar
los otros parámetros de la red.

En lo subsecuente, se utilizará el modelo simplificado, o modelo


aproximado del diodo para analizar el comportamiento en diversas
configuraciones en serie y en paralelo con entradas de CC (Corriente
Continua, Corriente Directa).

A continuación se abordarán algunos puntos y conceptos a tomar en


cuenta previos y para el análisis de un circuito con diodos:

1.- Un diodo estará en estado activo si VD = 0.7V para el Si y


VD = 0.3 para el Ge.

2.- Para cada configuración o circuito debe determinarse


primero el estado de cada diodo (conducción o no
conducción).

3.- Después de verificar el punto anterior, en ocasiones es


conveniente poner en lugar del diodo, el circuito equivalente
adecuado y posteriormente determinar los otros parámetros
de la red.
4.- Hay que tener en cuenta que:

o Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje a


través de sus terminales (hasta VPI en el caso de un
diodo), pero la corriente siempre es cero (IS en el caso
de un diodo, aunque IS ≈ 0).
o Un corto circuito tiene una caída de cero volts a través
de sus terminales (0.7 volts para un diodo de Si, 0.3
volts para un diodo de Ge, 0 volts para un diodo ideal)
y la corriente estará limitada por la red circundante.

En los diversos circuitos que se muestran a continuación, determine VD,


ID y VR.
1.-

Con V = 12 volts
Realizando la malla:
V - VT - VR = 0
12 - 0.7 - IR = 0
Despejando I de la ecuación anterior:
I = (12 - 0.7)/1.2 k = 9.42 mA

Si en el ejemplo anterior se invierte el diodo:


2.-
Con el diodo invertido la corriente por él
será cero (si se utiliza el modelo simplificado)
y entonces I = 0.
12 - VD - VR = 0, donde VR = IR = 0
VD = 12 volts
I = ID = 0 A

3.-

En este caso, aunque la polaridad del voltaje de la


la fuente es adecuada para polarizar el diodo, el ni-
vel de voltaje es insuficiente para activar al diodo
de silicio y ponerlo en el estado de conducción.
De acuerdo con la gráfica ID = 0
0.4 - 0.4 - VR = 0
0.4 - 0.4 - IR = 0
I = 0 ⇒ VR = 0
4.-

12 - VTSi - VTGe - IDR = 0 , si ID = I


12 - 0.7 - 0.3 - I (5.6k) = 0
I = 11V / 5.6k = 1.96 mA
VR = (1.96 mA)(5.6 k) = 11
Vo = VR = 11V
5.-

6.-

V1 - VR1 - VD - VR2 + V2 = 0
10 - IR1 -0.7 - IR2 + 5 = 0
14.3 - I(R1 + R2) = 0
I = 14.3 / (4.7k + 2.2k) = 2.1 mA
Vo = VR2 - V2 = (4.56 - 5)v = -0.44v
VR2 = (2.1 mA)(2.2k) = 4.56v

7.-

10 - VR - 0.7 = 0
10 - (I)(R) - 0.7 = 0
I = 9.3 / 3.3k = 2.8 mA
VR = (I)(R) = (2.8m)(3.3k) = 9.3 v

8.-

9.-
10.-

-VR2 + 20 - VD1 - VD2 = 0


El Vprom o Vcd de esta señal rectificada es:
, pero ω = 2πf y f =
1/T

Si Vm es mucho mayor que VT ⇒ Vcd ≈ 0.318Vm


Vpp = Valor pico a pico = 2Vp

Vp = Valor pico

Vpromedio = 0

Ejemplo: Dibuje la salida Vo y calcule el nivel de cd para la siguiente red.

a) con Vi = 20 sen ωt volts y con diodo ideal.

Con el diodo conectado de esta manera, éste conducirá únicamente en la


parte negativa de Vi.

Vcd = -0.318Vm = -0.318(20)

Vcd = -6.36 volts


b)Repita el inciso anterior si el diodo se sustituye por uno de silicio.

Vcd = - 0.318(Vm - VT)

Vcd = - 0.318(20 -0.7)

Vcd = - 6.14V
c) Repita el inciso a) si el diodo ideal se sustituye por uno de silicio y Vi =
179.6 sen ωt volts.

d) Repita el inciso anterior con diodo ideal.


El voltaje pico inverso del diodo es de fundamental importancia en el
diseño de sistemas de rectificación.

El VPI del diodo no debe excederse (Vm < VPI) ya que de lo contrario, el
diodo entraría en la región de avalancha o región Zener.

La mayor parte de los circuitos electrónicos necesitan un voltaje de c.d.


para trabajar. Debido a que el voltaje de línea es alterno, lo primero que
debe hacerse en cualquier equipo electrónico es convertir o "rectificar" el
voltaje de alterna (c.a.) en uno de directa (c.d.).

La tarea de la "fuente" o fuente de alimentación de cualquier equipo o


aparato electrónico es obtener el o los niveles adecuados de c.d. a partir
del voltaje de linea (127 VRMS).

El transformador es un dispositivo que se utiliza para elevar o reducir el


voltaje de CA, según como sea necesario.
donde:

V1 = Voltaje en el devanado primario

V2 = Voltaje en el devanado secundario

N1 = # de vueltas en devanado primario

N2 = # de vueltas en el devanado secundario

P.e. Si la razón de vueltas es 6:1 y Vin es el voltaje de la línea:


1.8 El rectificador de onda completa
(R.O.C.)

Se conocen y se utilizan dos configuraciones para rectificadores de onda


completa. La primera de ellas es el "Puente" rectificador de onda
completa:
Rectificador de onda completa utilizando Transformador con Derivación
Central
Para diodos reales: Vprom = Vcd = 0.636 (Vm-VT)
Para cada diodo: VPI ≥ 2Vm

1.9 Recortadores y Sujetadores.

RECORTADORES

Existe una variedad de redes de diodos denominadas recortadores que


tienen la capacidad para recortar una parte de la señal de la entrada, sin
distorsionar la parte restante de la forma de onda alterna. El rectificador
de media onda es un ejemplo de la forma más sencilla de recortar el
diodo (una resistencia y un diodo). Dependiendo de la orientación del
diodo, se "recorta" la región positiva o negativa de la señal de entrada.

Son dos las categorías generales de los recortadores: en serie y en


paralelo. La configuración en serie se define como aquella donde el diodo
está en serie con la carga, en tanto que la variedad en paralelo tiene el
diodo en una rama paralela a la carga.
En serie

La respuesta de la configuración en serie de la figura 2.67a para una


diversidad de formas de ondas alternas se presenta en la figura 2.67b.
Aunque se presentó primero como un rectificador de media onda (para
formas de ondas senoidales), no hay límites en relación con el tipo de
señales que pueden aplicarse a un recortador.

La audición de una fuente de cd tal como la que se muestra en la figura


2.68 puede tener un pronunciado efecto en la salida de un recortador.

Figura 2.67 Recortador serie.


Figura 2.68 Recortador serie con fuente de cd.

La alimentación de cd requiere además que el voltaje vi sea mayor que V


volts para que el diodo conduzca.

Para el diodo ideal la transición entre estados ocurrirá en el punto de las


características en que vd =0 e id = 0 A.

Ejemplo:

Determine la forma de onda de la salida para la red de la figura 2.74

Figura 2.74

Solución:
Las experiencias anteriores sugieren que el diodo se encontrará en el
estado de conducción en la región positiva de vi (en especial al notar la
contribución de V = 5V). La red aparecerá entonces como se ilustra en la
figura 2.75 y vo = vi + 5V. Sustituyendo id = 0 en vd = 0 para los niveles de
transición, obtenemos la red de la figura 2.76 y vi = -5V.

Figura 2.75 vo con el diodo en estado de conducción

Figura 2.76 Determinación del nivel de transición para el recortador de la figura


2.74

Para voltajes más negativos que -5V, el diodo está en estado de circuito
abierto en tanto que para voltajes más positivos que -5V el diodo está en
estado de corto circuito. Los voltajes de estrada y de salida aparecen en
la figura 2.77.

Figura 2.77 Esquema de vo para el ejemplo.

En paralelo

La red de la figura 2.82 es la más simple de las configuraciones de diodo


en paralelo con la salida para las mismas entradas de la figura 2.67. El
análisis de las configuraciones en paralelo es muy similar al que se aplica
a las configuraciones en serie, como demuestra el siguiente ejemplo:
Figura 2.82 Respuesta para un recortado en paralelo.

Ejemplo:

Determine Vo para la red de la figura 2.83

Figura 2.83 Ejemplo.

Solución

La polaridad de la fuente de cd y la dirección del diodo sugieren


fuertemente que el diodo se encontrará en el estado "de conducción" en
la región negativa de la señal de entrada. En esta región la red aparecerá
como se muestra en la figura 2.84, donde las terminales definidas para
Vo requieren que Vo = V= 4 V.

El estado de transición puede determinarse a partir de la figura 2.85,


donde se ha impuesto la condición id = 0 A en vd = 0 V. El resultado es vi
(transición) = V = 4 V.
Figura 2.84 vo para la región negativa de vi.

Puesto que es evidente que la alimentación de cd "fuerza" al diodo para


que permanezca en el estado de corto circuito, el voltaje de entrada debe
ser mayor que 4 V para que el diodo se encuentre en el estado "de
corte". Cualquier voltaje de entrada menor que 4 V dará como resultado
un diodo en corto circuito.

En el estado de circuito abierto, la red será como se muestra en la figura


2.86, donde Vo = Vi,. Al completar la gráfica de Vo se obtiene la forma de
onda de la figura 2.87.

Figura 2.85 Determinación del nivel de transición para el ejemplo.


Figura 2.86 Determinación de vo para el diodo en estado de no conducción.

Figura 2.87 Esquema de vo para el ejemplo.

En la siguiente figura se presenta diversos recortadores en serie y en


paralelo.
SUJETADORES

La red de sujeción es aquella que "sujeta" una señal a un diferente nivel


de cd. La red debe tener un capacitor, un diodo y un elemento resistivo,
pero también puede emplear una fuente de cd independiente para
introducir un corrimiento adicional. La magnitud de R y C debe elegirse
de manera tal que la constante de tiempo t = RC sea suficientemente
grande para asegurar que el voltaje en el capacitor no descargue en
forma significativa durante el intervalo en el que el diodo no está
conduciendo. A lo largo del análisis supondremos que para todos los
propósitos prácticos el capacitor se cargará o descargará por completo
en cinco constantes de tiempo.

La red de la figura 2.92 sujetará la señal de entrada en el nivel cero (en el


caso de diodos ideales). El resistor R puede ser el resistor de carga o
una combinación en paralelo del resistor de carga y el resistor diseñado
para proporcionar el nivel deseado de R.

Figura 2.92 Sujetador

Durante el intervalo 0 —> T/12 la red aparecerá como se muestra en la


figura 2.93, con el diodo en el estado "encendido" efectivo
"cortocircuitando" el efecto del resistor R. La constante de tiempo RC
resultante es tan pequeña (1a resistencia inherente de la red determina
el valor de R) que el capacitor se cargará rápidamente hasta V volts.
Durante este intervalo el voltaje de salida está directamente a través del
corto circuito y Vo = 0 V.

Figura 2.93 Diodo en estado de conducción y el capacitor cargandose a V voltios.

Cuando la entrada cambia al estado -V, la red será como se muestra en


la figura 2.94, con el equivalente en circuito abierto para el diodo
determinado por la señal aplicada y el voltaje almacenado en el capacitor
(ambos, "fuerzan" la corriente a través del diodo de ánodo a cátodo).
Ahora que R se encuentra de nuevo en la red, la constante de tiempo
determinada por el producto RC es lo bastante grande para establecer un
período de descarga 5t mucho mayor que el período T/2 —> T y puede
suponerse en forma aproximada que el capacitor sostiene toda su carga
y, por tanto, su voltaje (puesto que V = Q/C) durante este período.

Figura 2.94 Deteminación de Vo con el diodo en estado de no conducción

Como Vo está en paralelo con el diodo y el resistor, puede también


dibujarse en la posición alterna que se muestra en Ía figura 2.94. La
aplicación de la ley del voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla de
entrada dará como resultado

-V - V - v o = 0

vo = -2V

El signo negativo se debe al hecho de que la polaridad de 2V es opuesta


a la definida para Vo. La forma de onda de salida resultante aparece en
1a figura 2-95 con la señal de entrada.

Figura 2.95 Esquema de vo para la red de la figura 2.92.

La señal de salida se sujeta a 0 V en el intervalo de O a T/2, pero


mantiene la misma excursión total (2V) que la entrada. Para una red de
sujeción:
La excursión total de la salida es igual a la excursión total de la señal de
entrada.

Este hecho constituye una excelente herramienta de verificación del


resultado obtenido.

En general, los siguientes pasos pueden resultar útiles cuando se


analizan redes de sujeción:

1. Siempre se inicia el análisis de las redes de sujeción considerando


aquella parte de la señal de entrada que polarizará directamente el diodo.

Quizá esto requiera saltar un intervalo de la señal de entrada (como


demuestra el ejemplo siguiente), pero el análisis no se extenderá por una
medida innecesaria de investigación.

2. Durante el período en el que se encuentra en el estado encendido


puede suponerse que el capacitor se cargará en forma instantánea hasta
un nivel de voltaje determinado por la red.

3. Se supone que durante el período que el diodo está en circuito abierto


(estado "de corte") el capacitor mantendrá toda su carga y
consecuentemente su voltaje.

4. En todo el análisis debe tenerse cuidado respecto a la localización y


polaridad de referencia para Vo para asegurar que se obtienen los
niveles apropiados de dicha cantidad.

5. No se olvide la regla general que establece que la excursión de la


salida total debe corresponder con la de la señal de entrada.
Ejemplo:

Determine Vo en la red de la figura 2.96 para la entrada indicada.

Figura 2.96 Señal aplicada y red para el ejmplo.

Solución

Nótese que la frecuencia es de 1000 Hz, lo que produce un período de 1


ms y un intervalo de 0.5 ms entre niveles. El análisis se iniciará con el
período t1→ t2 de la señal de entrada porque el diodo se encuentra en el
estado de corto circuito, de acuerdo con lo que se recomienda en el
comentario 1. En este intervalo, la red aparecerá como se indica en la
figura 2.97. La salida es a través de R, pero se encuentra también
directamente a través de la batería de 5-V si seguimos la conexión
directa entre las terminales definidas para Vo y las correspondientes a la
batería. El resultado es Vo = 5 V para este intervalo. Al aplicar la ley de
voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla de entrada se obtendrá como
resultado

-20 V + Vc - 5 V = 0
Vc = 25 V

Figura 2.97 Determinación de vo y vc con el diodo en estado de conducción

El capacitor se cargará, por lo tanto, hasta 25 V, como se establece en el


comentario 2. En este caso, el resistor R no se pone en corto por el
diodo, pero un circuito equivalente de Thévenin de esa parte de la red,
que incluye la batería y el resistor, dará lugar a Rth = 0 ohm con Eth = V
= 5 V. En el período t2→ t3 la red aparecerá como se indica en la figura
2.98.

Figura 2.98 Determinación de vo con el diodo en el estado de no conducción.

El equivalente en circuito abierto para el diodo hará que la batería de 5-V


no tenga ningún efecto sobre Vo y la aplicación de la ley de voltaje de
Kirchhoff en torno a la malla exterior de la red dará como resultado

+10 V + 25 V - vo = 0
vo = 35 V

La constante de tiempo de descarga de la figura 2.98 se determina


mediante el producto RC y su magnitud es

τ = RC = (100 kΩ )(0.1 uF) = 0.01 s = 10 ms

El tiempo de descarga total es, por lo tanto, 5τ = 5(10 ms) == 50 ms.

Como el intervalo t2→ t3 durará sólo 0.5 ms, es sin duda una buena
aproximación suponer que el capacitor sostendrá su voltaje durante el
período de descarga entre pulsos de la señal de entrada. La salida que
resulta aparece en la figura 2.99 junto con la señal de entrada.
Obsérvese que la excursión de la salida de 30 V equivale a la excursión
de entrada, como se señaló en el comentario 5.

Figura 2.99 vi y vo para el sujetador de la figura 2.96


2 El transistor de unión bipolar (BJT).
2.1 Introducción al BJT y principios de
construcción.
Durante el periodo 1904-1947, el tubo de vacío fue sin duda el dispositivo
electrónico de interés y desarrollo. En 1904, el diodo de tubo de vacío fue
introducido por J. A. Fleming. Poco después, en 1906, Lee, De Forest
agregó un tercer elemento, denominado rejilla de control, al tubo de
vacío, lo que originó el primer amplificador: el triodo. En los años
siguientes, la radio y la televisión brindaron un gran impulso a la industria
de tubos electrónicos. La producción aumentó de cerca de 1 millón de
tubos en 1922 hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A
principios de la década de los treinta el tétrodo de cuatro elementos y el
péntodo de cinco elementos se distinguieron en la industria de tubos
electrónicos. Durante los años subsecuentes, la industria se convirtió en
una de primera importancia y se lograron avances rápidos en el diseño,
las técnicas de manufactura, las aplicaciones de alta potencia y alta
frecuencia y la miniaturización.

Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947 la industria electrónica


atestiguó el advenimiento de una dirección de interés y desarrollo
completamente nueva. Fue en el transcurso de la tarde de ese día que
Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron el efecto amplificador del
primer transistor en los Bell Telephone Laboratorios. El transistor original
(un transistor de punto de contacto) se muestra en la figura 3.1. De
inmediato, las ventajas de este dispositivo de estado sólido de tres
terminales sobre el tubo electrónico fueron evidentes: era más pequeño y
ligero; no tenía requerimientos de filamentos o pérdidas térmicas; ofrecía
una construcción de mayor resistencia y resultaba más eficiente porque
el propio dispositivo absorbía menos potencia; instantáneamente estaba
listo para utilizarse, sin requerir un periodo de calentamiento; además,
eran posibles voltajes de operación más bajos. Obsérvese en la
presentación anterior que este capítulo es nuestro primer estudio de
dispositivos con tres o más terminales. El lector descubrirá que todos los
amplificadores (dispositivos que incrementan el nivel de voltaje, corriente
o potencia) tendrán al menos tres terminales con una de ellas
controlando el flujo entre las otras dos.

Figura 3.1 El primer transistor.

CONSTRUCCION DEL TRANSISTOR

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto


ya sea de dos capas de material tipo n y una de tipo p o dos capas de
material tipo p y una de tipo n. El primero se denomina transistor npn, en
tanto que el último recibe el nombre de transistor pnp. Ambos se
muestran en la figura 3.2 con la polarización de cd adecuada. En el
capítulo 3 encontraremos que la polarización de cd es necesaria para
establecer una región de operación apropiada para la amplificación de
ca. Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores
con altos niveles de dopado, y que tienen anchos mucho mayores que
los correspondientes al material emparedado de tipo p o n. En los
transistores que se muestran en la figura 3.2, la relación entre el ancho
total y el de la capa central es de 0.150/0.001 = 150:1. El dopado de la
capa emparedada es también considerablemente menor que el de las
capas exteriores (por lo general de 10:1 o menos). Este menor nivel de
dopado reduce la conductividad (incrementa la resistencia) de este
material al limitar el número de portadores "libres".

En la polarización que se muestra en la figura 3.2, las terminales se han


indicado mediante letras mayúsculas, E para el emisor, C para el colector
y B para la base. Una justificación respecto a la elección de esta notación
se presentará cuando estudiemos la operación básica del transistor. La
abreviatura BJT (bipolar junction transistor = transistor de unión bipolar)
se aplica a menudo a este dispositivo de tres terminales. El término
bipolar refleja el hecho de que los electrones y los huecos participan en
el proceso de inyección en el material polarizado opuestamente. Si sólo
uno de los portadores se emplea (electrón o hueco), se considera que el
dispositivo es unipolar.
Figura 3.2 Tipos de transistores: (a) pnp; (b) npn.

OPERACION DEL TRANSISTOR

La operación básica del transistor se describirá ahora empleando el


transistor pnp de la figura 3.2a. La operación del transistor npn es
exactamente igual si se intercambian los papeles que desempeñan los
electrones y los huecos. En la figura 3.3 se ha redibujado el transistor
pnp sin la polarización base a colector. Nótense las similitudes entre esta
situación y la del diodo polarizado directamente en el capítulo 1. El ancho
de la región de agotamiento se ha reducido debido a la polarización
aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del
material tipo p al tipo n.

Figura 3.3 Unión polarizada directamente de un transistor pnp.

Eliminaremos ahora la polarización base a emisor del transistor pnp de la


figura 3.2a como se indica en la figura 3.4. Recuérdese que el flujo de
portadores mayoritarios es cero, por lo que sólo se presenta un flujo de
portadores minoritarios, como se ilustra en la figura 3.4. En resumen, por
tanto:

Una unión p-n de un transistor está polarizada inversamente, en tanto


que la otra presenta polarización directa.

En la figura 3.5 ambos potenciales de polarización se han aplicado a un


transistor pnp, con un flujo de portadores mayoritario y minoritario que se
indica. En la figura 3.5 nótense los anchos de las regiones de
agotamiento, que indican con toda claridad qué unión está polarizada
directamente y cuál inversamente. Como se indica en la figura 3.5, un
gran número de portadores mayoritarios se difundirán a través de la
unión p~n polarizada directamente dentro del material tipo n. La pregunta
es entonces si estos portadores contribuirán en forma directa a la
corriente de base IB o pasarán directamente hacia el material tipo p.
Puesto que el material tipo n emparedado es sumamente delgado y tiene
una baja conductividad, un número muy pequeño de estos portadores
seguirá la trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de la base. La
magnitud de la corriente de base es por lo general del orden de
microamperes en comparación con los miliamperes de las corrientes del
emisor y del colector. El mayor número de estos portadores mayoritarios
se difundirá a través de la unión polarizada inversamente dentro del
material tipo p conectado a la terminal del colector, como se indica en la
figura 3.5. La causa de la relativa facilidad con la que los portadores
mayoritarios pueden cruzar la unión polarizada inversamente puede
comprenderse si consideramos que para el diodo polarizado en forma
inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como
portadores minoritarios en el material tipo n. En otras palabras, ha habido
una inyección de portadores minoritarios al interior del material de la
región base de tipo n. Combinando esto con el hecho de que todos los
portadores minoritarios, en la región de agotamiento cruzarán la unión
polarizada inversamente, se explica el flujo que se indica en la figura 3.5.

Figura 3.4 Unión polarizada inversamente de un transistor pnp.


Figura 3.5 Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp.

Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5


como si fuera un solo nodo, obtenemos

IE = I C + I B

y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes


en el colector y la base, Sin embargo, la corriente en el colector está
formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios
como se indica en la figura 3.5. La componente de corriente minoritaria
se denomina corriente de fuga y se simboliza mediante ICO (corriente IC
con la terminal del emisor abierta = open). Por lo tanto, la corriente en el
colector se determina completamente mediante la ecuación (3.2).

IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria

En el caso de transistores de propósito general, IC se mide en


miliamperes, en tanto que ICO se mide en microamperes o nanoamperes.
ICO como Is para un diodo polarizado inversamente, es sensible a la
temperatura y debe examinarse con cuidado cuando se consideren
aplicaciones de intervalos amplios de temperatura. Si este aspecto no se
trata de manera apropiada, es posible que la estabilidad de un sistema
se afecte en gran medida a elevadas temperaturas. Las mejoras en las
técnicas de construcción han producido niveles bastante menores de ICO,
al grado de que su efecto puede a menudo ignorarse.

2.2 Configuración de base común.


La notación y símbolos que se usan en conjunto con el transistor en la
mayor parte de los textos y manuales que se publican en la actualidad,
se indican en la figura 3.6 para la configuración de base común con
transistores pnp y npn, La terminología relativa a base común se
desprende del hecho de que la base es común a los lados de entrada y
salida de la configuración. Además, la base es usualmente la terminal
más cercana o en un potencial de tierra. A lo largo de estos apuntes
todas las direcciones de corriente se referirán a la convencional (flujo de
huecos) en vez de la correspondiente al flujo de electrones. Esta elección
se fundamenta principalmente en el hecho de que enorme cantidad de
literatura disponible en las instituciones educativas y empresariales hace
uso del flujo convencional, de que las flechas en todos los símbolos
electrónicos tienen una dirección definida por esta convención.
Recuérdese que la flecha en el símbolo del diodo define la dirección de
conducción para la corriente convencional. Para el transistor:

La flecha del símbolo gráfico define la dirección de la corriente de emisor


(flujo convencional) a través del dispositivo.
Figura 3.6 Notación y símbolos en la configuración de base común.

Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las
direcciones reales, como se definen con base en la elección del flujo
convencional. Nótese en cada caso que IE = IC + IB. También adviértase
que la polarización aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se
establezca la corriente en la dirección indicada para cada rama. Es decir,
compárese la dirección de IE con la polaridad o VEE para cada
configuración y la dirección de IC con la polaridad de ICC.

Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres


terminales, tales como los amplificadores de base común de la figura 3.6,
se requiere de dos conjuntos de características, uno para los parámetros
de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto
de entrada para el amplificador de base común, como se muestra en la
figura 3.7, relacionará una corriente de entrada (IE) con un voltaje de
entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).

Figura 3.7 Características del punto de excitación para un transistor amplificador


de silicio de base común.

El conjunto de salida relacionará una corriente de salida (IC) con un


voltaje de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE),
como se ilustra en la figura 3.8. El conjunto de características de salida o
colector tiene tres regiones básicas de interés, como se indican en la
figura 3.8: las regiones activa, de corte y de saturación. La región activa
es la región empleada normalmente para amplificadores lineales (sin
distorsión). En particular: En la región actíva la unión colector-base está
inversamente polarizada, mientras que la unión base-emisor se
encuentra polarizada en forma directa.

La región activa se define por los arreglos de polarización de la figura


3.6. En el extremo más bajo de la región activa la corriente de emisor (IE)
es cero, la comente de colector es simplemente la debida a la corriente
inversa de saturación ICO , como se indica en la figura 3.8. La corriente ICO
es tan pequeña (del orden de microamperios) en magnitud comparada
con la escala vertical de IC (del orden de los miliamperios), que aparece
virtualmente sobre la misma línea horizontal que IC = 0. Las condiciones
del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuración base común
se ilustran en la figura 3.9. La notación usada con más frecuencia para
ICO, en hojas de datos y de especificaciones es ICBO como se indica en la
figura 3.9. A causa de las técnicas mejoradas de construcción, el nivel de
ICBO para transistores de propósito general (especialmente silicio) en los
intervalos de potencia bajo y medio es por lo general tan reducido que su
efecto puede ignorarse. Sin embargo, para unidades de mayor potencia
ICBO aún aparecerá en el intervalo de los microamperios. Además,
recuérdese que ICBO para el diodo (ambas corrientes inversas de fuga) es
sensible a la temperatura. A mayores temperaturas el efecto de ICBO
puede llegar a ser un factor importante ya que se incrementa muy
rápidamente con la temperatura.
Figura 3.9 Saturación de corriente inversa.

Nótese, en la figura 3.8, que conforme la corriente del emisor aumenta


sobre cero, la corriente del colector aumenta a una magnitud
esencialmente igual a la corriente del emisor determinada por las
relaciones básicas del transistor-corriente. Adviértase también el casi
desdeñable efecto de VCB sobre la corriente del colector para la región
activa. Las curvas indican claramente que una primera aproximación a la
relación entre IE e IC en la región activa la da

IC ≈ IE

Como se deduce de su nombre, la región de corte se define como


aquella región donde la corriente de colector es de 0 A, como se
demuestra en la figura 3.8. En suma:

En la región de corte ambas uniones, colector-base y base-emisor, de un


transistor están inversamente polarizadas.

La región de saturación se define como la región de las características a


la izquierda de VCB = 0 V. La escala horizontal en esta región se amplió
para mostrar claramente el gran cambio en las características de esta
región. Nótese el incremento exponencial en la comente de colector a
medida que el voltaje VCB se incrementa más allá de los 0 V.

En la región de saturación las uniones colector-base y base-emisor están


polarizadas directamente.

Las características de entrada de la figura 3.7 muestran que para valores


fijos de voltaje de colector (VCB), a medida que el voltaje de base a emisor
aumenta, la corriente de emisor se incrementa de una manera que se
asemeja mucho a las características del diodo. De hecho, los niveles de
aumento de VCB tienen un efecto tan insignificante sobre las
características que, como una primera aproximación, la variación debida
a los cambios en VCB puede ignorarse y se dibujan las características
como se ilustra en la figura 3.10a. Si aplicamos entonces el método del
modelo de segmentos lineales del diodo ideal, se obtendrán las
características de la figura 3.10b. Adelantando un paso más e ignorando
la pendiente de la curva y por tanto la resistencia asociada con la unión
directamente polarizada, se obtendrán las características de la figura 3.
lOc. Para los siguientes análisis en estos apuntes, el modelo equivalente
de la figura 3.l0c se empleará para todos los análisis de cd para redes de
transistores. Es decir, una vez que el transistor esta en el estado
"encendido" o de conducción, se supondrá que el voltaje de base a
emisor será el siguiente:

VBE = 0.7 V

Alfa (α )
En el modo de cd los niveles de IC e IE debidos a los portadores
mayoritarios están relacionados

por una cantidad denominada alfa y que se define por medio de la


siguiente ecuación:

α cd = IC / IE

donde IC e IE son los niveles de corriente al punto de operación. Aun


cuando las características de la figura 3.8 parecen sugerir que α = 1,
para dispositivos prácticos el nivel de alfa se extiende típicamente de
0.90 a 0.998, aproximándose la mayor parte al extremo superior del
intervalo. Ya que alfa se define únicamente por los portadores
mayoritarios, la ecuación (3.2) se convierte en

IC = α IE + ICBO

Para las características de la figura 3.8 cuando IE = 0 mA, IC es por tanto


igual a ICBO, pero como se mencionó con anterioridad el nivel de ICBO es
por 1o general tan pequeño que es virtualmente indetectable en la gráfica
de la figura 3.8. En otras palabras, cuando IE = 0 mA en la figura 3.8, IC
aparece también con 0 mA para el intervalo de valores de VCB.

Para las situaciones de ca en donde el punto de operación se mueve


sobre la curva de características, un alfa de ca se define por
El alfa de ca se denomina formalmente el factor de amplificación de base
común en corto circuito, por razones que serán obvias cuando
examinemos los circuitos equivalentes de transistor en el capitulo 4. Por
el momento, admitamos que la ecuación (3.7) especifica que un cambio
relativamente pequeño en la corriente de colector se divide por el cambio
correspondiente en IE manteniendo constante el voltaje colector a base.
Para la mayoría de las situaciones las magnitudes de α ca y de α cd se
encuentran bastante cercanas, permitiendo usar la magnitud de una por
otra.

Polarización

La polarización adecuada de la base común puede determinarse


rápidamente empleando la aproximación IC ≈ IE y suponiendo por el
momento que IB ≈ 0 uA. El resultado es la configuración de la figura 3.11
para el transistor pnp. La flecha del símbolo define la dirección del flujo
convencional para IC ≈ IE. Las alimentaciones de cd se insertan entonces
con una polaridad que sostendrá la dirección de la comente resultante.
En el transistor npn las polaridades estarán invertidas.
Figura 3.11

A algunos estudiantes les parece que pueden recordar si la flecha del


símbolo del dispositivo apunta hacia afuera haciendo corresponder las
letras del tipo de transistor con las letras apropiadas de las frases
"apuntando hacia adentro" o "apuntando hacia afuera".

ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR

Ahora que se ha establecido la relación entre IC e IE, la acción básica de


amplificación del transistor se puede introducir en un nivel superficial
utilizando la red de la figura 3.12. La polarización de cd no aparece en la
figura puesto que nuestro interés se limitará a la respuesta de ca. Para la
configuración de base común, la resistencia de entrada de ca
determinada por las características de la figura 3.7 es bastante pequeña
y varía típicamente de 10 a 100 ohms. La resistencia de salida
determinada por las curvas de la figura 3.8 es bastante alta (cuanto más
horizontal esté la curva mayor será la resistencia) y varía normalmente
de 50 kohms a 1 Mohms, La diferencia en resistencia se debe a la unión
polarizada directamente en la entrada (base a emisor) y la unión
polarizada inversamente en la salida (base a colector). Usando un valor
común de 20 ohms para la resistencia de entrada, encontramos que

Si suponemos por el momento que α ca = 1,

IL = Ii = 10 mA

V L = IL R

= (10 mA)(5 kohms)

= 50 V

Figura 3.12

La amplificación de voltaje es
Los valores típicos de amplificación de voltaje para la configuración de
base común varían de 50 a 300. La amplificación de corriente (IC/IE)
siempre es menor que 1 para la configuración de base común. Esta
última característica debe ser evidente ya que IC = α IE y α siempre es
menor que 1.

La acción básica de amplificación se produjo transfiriendo una corriente I


de un circuito de baja resistencia a uno de alta. La combinación de los
dos términos en cursivas produce el nombre de transistor, es decir,

transferencia + resistor —> transistor

2.3 Configuración de emisor común.

La configuración de transistores que se encuentra con mayor frecuencia


se muestra en la figura 3.13 para los transistores pnp y npn. Se
denomina configuración de emisor común porque el emisor es común
tanto a las terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es
también común a las terminales de la base y del colector). De nuevo se
necesitan dos conjuntos de características para describir en forma
completa el comportamiento de la configuración de emisor común: una
para la entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del
colector. Ambas se muestran en la figura 3.14.
Figura 3.13

Figura 3.14

Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su dirección


de comente convencional real. Aun cuando la configuración del transistor
ha cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de comentes
desarrolladas antes para la configuración de base común.

En la configuración de emisor común las características de la salida


serán una gráfica de la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida
(VCE) para un rango de valores de la corriente de entrada (IB). Las
características de la entrada son una gráfica de la comente de entrada
(IB) versus el voltaje de entrada (VBE ) para un rango de valores del voltaje
de salida (VCE).

Obsérvese que en las características de la figura 3.14 la magnitud de IB


es del orden de microamperes comparada con los miliamperes de IC.
Nótese también que las curvas de IB no son tan horizontales como las
que se obtuvieron para IE en la configuración de base común, lo que
indica que el voltaje de colector a emisor afectará la magnitud de la
corriente de colector.

La región activa en la configuración de emisor común es aquella parte del


cuadrante superior derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la
región en la que las curvas correspondientes a IB son casi líneas rectas y
se encuentran igualmente espaciadas. En la figura 3.14 a esta región se
localiza a la derecha de la línea sombreada vertical en VCEsat por encima
de la curva para IB igual a cero. La región a la izquierda de VCEsat se
denomina región de saturación. En la región activa de un amplificador
emisor común la unión colector-base está polarizada inversamente, en
tanto que la unión base-emisor está polarizada directamente.

Se recordará que éstas fueron las mismas condiciones que existieron en


la región activa de la configuración de base común. La región activa de la
configuración de emisor común puede emplearse en la amplificación de
voltaje, corriente o potencia.

La región de corte en la configuración de emisor común no está tan bien


definida como en la configuración de base común. Nótese, en las
características de colector de la figura 3.14 que IC no es igual a cero
cuando IB = 0. En la configuración de base común, cuando la corriente de
entrada IE = 0, la corriente de colector fue sólo igual a la corriente de
saturación inversa ICO, por lo que la curva IE = 0 y el eje de voltaje fueron
(para todos los propósitos prácticos) uno.

La razón de esta diferencia en las características del colector puede


obtenerse mediante la manipulación adecuada de las ecuaciones (3.3) y
(3.6). Es decir,

Ecuación (3.6): IC = α IE + ICBO

La sustitución da Ecuación (3.3): IC = α ( IC + IB) + ICBO

Reordenando obtenemos:

Si consideramos el caso discutido anteriormente, donde IB = 0 A, y


sustituimos un valor típico de a

tal como 0.996, la corriente de colector resultante es la siguiente:


Si icbo fuera de 1 uA, la corriente de colector resultante con IB = 0 A sena
250 (1 pA) = 0.25

mA, como se refleja en las características de la figura 3.14.

Para referencia futura, a la corriente de colector definida por la condición


IB = 0 uA se le asignará

la notación indicada por la ecuación (3.9):

En la figura 3.15 las condiciones que envuelven a esta corriente definida


nuevamente se muestran con su dirección de referencia asignada.

Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión) el corte para


la configuración de emisor común se determinará mediante IC = ICEO

En otras palabras, la región por debajo de IB = 0 uA deberá evitarse si se


requiere una señal de salida sin distorsión.

Cuando se emplea como interruptor en la circuitería lógica de una


computadora, un transistor tendrá dos puntos de operación de interés:
uno en el corte y el otro en la región de saturación. La condición de corte,
en el caso ideal, sería IC = O mA para el voltaje VCE elegido. Puesto que
ICEO es por lo general de pequeña magnitud para los materiales de silicio,
el corte existirá para propósitos de conmutación cuando IB = O uA o IC =
ICEO únicamente en el caso de transistores de silicio. En los transistores
de germanio, sin embargo, el corte para propósitos de conmutación se
definirá como aquellas condiciones que existen cuando IC = ICBO. Esta
condición puede obtenerse normalmente en los transistores de germanio
polarizando inversamente la unión de base emisor, polarizada por lo
regular en forma directa a unos cuantos décimos de volt.

Recuérdese para la configuración de base común que el conjunto de


características de entrada se aproximó por una línea recta equivalente
que resultó en VBE = 0.7 V para cualquier nivel de IE mayor de O mA. Para
la configuración de emisor común puede tomarse la misma aproximación,
resultando en el equivalente aproximado de la figura 3.16. El resultado
apoya nuestra anterior conclusión de que para un transistor en la región
"activa" o de conducción el voltaje de base a emisor es 0.7 V. En este
caso el voltaje se ajusta para cualquier nivel de la corriente de base.

Beta(β )

En el modo de cd los niveles de IC e IB se relacionan por una cantidad


denominada beta y definida por la siguiente ecuación:

β cd = IC / IB

El nombre formal para β ca es factor de amplificación de corriente directa


de emisor común. Puesto que la corriente de colector es por lo general la
corriente de salida para una configuración de emisor común y la corriente
de base es la corriente de entrada, el término amplificación se incluye en
la nomenclatura anterior.
Aunque no son exactamente iguales, los niveles de β ca, y de β cd están
por lo general razonablemente cercanos y con frecuencia se utilizan en
forma intercambiable.

Se puede desarrollar una relación entre β y α empleando las relaciones


básicas presentadas con anterioridad. Utilizando β = IC /IB obtenemos IB =
IC / β , y de α = IC/IE tenemos que IE = IC / α Sustituyendo en

IE = IC + IB

I C / α = I C + (I C / β )

y dividiendo ambos lados de la ecuación por IC resultará en

IC / α = 1 + (1 / β )

de modo que

encontramos que

ICEO = (β + 1) ICBO

ICEO ≈ β ICBO

como se indica en la figura 3.14a. La beta es un parámetro


particularmente importante porque proporciona un enlace directo entre
niveles de corriente de los circuí Los de entrada y salida para una
configuración de emisor común. Es decir,

IC ≈ β IB
Y puesto que

IE = IC + IB

= β IB + IB

IE = (β + 1) IB

2.4 Configuración de colector común.


La tercera y última configuración de transistores la de colector común,
mostrada en la figura 3.20 con las direcciones apropiadas de corriente y
la notación de voltaje. La configuración de colector común se emplea
fundamentalmente para propósitos de acoplamiento de impedancia ya
que tiene una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de
salida, que es lo opuesto a las configuraciones de base común y de
emisor común.

Figura 3.20 Notación y símbolos en la configuración de colector común.

La configuración del circuito de colector común se muestra en la figura


3.21 con la resistencia de carga del emisor a tierra. Nótese que el
colector está conectado a tierra aun cuando el transistor está conectado
de manera similar a la configuración de emisor común. Desde el punto de
vista de diseño, no es necesario elegir para un conjunto de
características de colector común, los parámetros del circuito de la figura
3.21. Pueden diseñarse empleando las características de emisor común
de la sección 3.6. Para todos los propósitos prácticos, las características
de salida de la configuración de colector común son las mismas que las
de la configuración de emisor común. En la configuración de colector
común las características de salida son una gráfica de IE versus VEC para
un intervalo de valores de IB. Por ellos, la corriente de entrada es la
misma tanto para las características de emisor común como para las de
colector común. El eje de voltaje para la configuración de colector común
se obtiene cambiando simplemente el signo de voltaje de colector a
emisor de las características de emisor común. Por último, hay un
cambio casi imperceptible en la escala vertical de IC de las características
de emisor común si IC se reemplaza por IE en las características de
colector común (puesto que α = 1). En el circuito de entrada de la
configuración de colector común, las características de la base de emisor
común son suficientes para obtener la información que se requiera.

Figura 3.21 Configuración de colector común empleada para propósitos de


acoplamiento de impedancia
2.5 Límites de operación del transistor.

Para cada transistor existe una región de operación sobre las


características, la cual asegurara que los valores nominales máximos no
sean excedidos y la señal de salida exhibe una distorsión mínima. Una
región de este tipo, se ha definido para las características de transistor
de la figura 3.22. Todos los límites de operación se definen sobre una
típica hoja de especificaciones de transistor descrita en la sección 2.6.

Algunos de los límites se explican por sí mismos, como la corriente


máxima de colector (denominada, por lo general, en la hoja de
especificaciones, como corriente continua de colector) y el voltaje

máximo de colector a emisor (abreviada a menudo como vCeo.) Para el

transistor de la figura 3.22, ICmáx se especificó como de 50 mA y vCeo

como de 20 V. La linea vertical de las características definida como vCEsat

especifica la mínima vCE que puede aplicarse sin caer en la región no


lineal denominada región de saturación.
Figura 3.22

El nivel de VCEsat está regularmente en la vecindad de los 0.3 V


especificada para este transistor. El máximo nivel de disipación se define
por la siguiente ecuación:

PCmáx = VCEIC

Para el dispositivo de la figura 3.22, la disipación de potencia de colector


se especificó como de 300 mW. Surge entonces la cuestión de cómo
graficar la curva de disipación de potencia de colector especificada por el
hecho de que
PCmáx = VCEIC = 300 mW

En cualquier punto sobre las características el producto de VCE e IC debe


ser igual a 300 mW. Si elegimos para IC el valor máximo de 50 mA y lo
sustituimos en la relación anterior, obtenemos

VCEIC = 300 mW

VCE(50 mA) = 300 mW

VCE = 6 V

Como un resultado encontramos que si IC = 50 mA, entonces VCE = 6 V


sobre la curva de disipación de potencia, como se indica en la figura
3.22. Si ahora elegimos para VCE su valor máximo de 20 V, el nivel de IC
es el siguiente:

(20 V)IC = 300 mW

IC = 15 mA

definiendo un segundo punto sobre la curvatura de potencia. Si ahora


escogemos un nivel de IC a la mitad del intervalo como 25 mA,
resolvemos para el nivel resultante de VCE obtenemos

VCE(25 mA) = 300 mW


VCE = 12 V

como también se indica en la figura 3.22. Una estimación aproximada de


la curva real puede dibujarse por lo general empleando los tres puntos
definidos con anterioridad. Por supuesto, entre más puntos tenga, más
precisa será la curva, pero una aproximación es generalmente todo lo
que se requiere. La región de corte se define como la región bajo IC =
ICEO. Esta región tiene que evitarse también si la señal de salida debe
tener una distorsión mínima. En algunas hojas de especificaciones se
proporciona solamente ICBO. Entonces uno debe utilizar la ecuación ICEO =
β ICBO para establecer alguna idea del nivel de corte si la curva de
características no está disponible. La operación en la región resultante de
la figura 3.22 asegurará una mínima distorsión de la señal de salida y
niveles de voltaje y corriente que no dañarán al dispositivo. Si las curvas
de características no están disponibles o no aparecen en la hoja de
especificaciones (como ocurre con frecuencia), uno simplemente debe
estar seguro que IC, VCE y su producto caigan dentro del intervalo que
aparece en la siguiente ecuación:

ICEO ≤ IC ≤ Icmáx

VCEsat ≤ VCE ≤ VCEmáx

VCEIC ≤ PCmáx
Para las características de base común la curva de potencia máxima se
define por el siguiente producto de cantidades de salida;

PCmax = VCBIC

2.6 Hoja de especificaciones del transistor.

Puesto que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicación


entre el fabricante y el usuario, es de particular importancia que la
información proporcionada sea reconocida y correctamente comprendida.
Aunque no se han presentado todos los parámetros, un amplio número
será ahora familiar. Los parámetros restantes se introducirán en los
capítulos siguientes. Se hará referencia a esta hoja de especificaciones
para revisar la manera en la cual se presenta el parámetro.

La información proporcionada en la figura 3.23 se ha tomado


directamente de la publicación Small-Signal Transistors, FETs, and
Diodes preparada por Motorola Inc. El 2N4123 es un transistor npn de
propósito general con el encapsulado y la identificación de terminales
que aparecen en el extremo superior derecho de la figura 3.23a. La
mayoría de las hojas de especificaciones se dividen en valores
nominales máximos, características térmicas v características eléctricas.
Las características eléctricas se subdividen además en características en
estado "encendido", en estado "apagado" y de pequeña señal. Las
características en estado activo y pasivo se refieren a los limites de cd,
mientras que las características de pequeña señal incluyen los
parámetros de importancia para la operación de ca.
Nótese en la lista de valores nominales máximos que vcemax = VCEO = 30
V con ICmax = 200 mA. La máxima disipación de colectora . = 625 mW. El
factor de degradación bajo los valores nominales máximos especifica que
el valor nominal máximo debe descender 5 mW por cada grado de
incremento en la temperatura sobre los 25°C. En las características
durante el estado "apagado" ICBO se especifica como de 50 nA y durante
el estado "encendido" VCEsat = 0.3 V. El nivel de hFE tiene un intervalo de
50 hasta 150 a una IC = 2 mA y VCE =1 V y un valor mínimo de 25 a una
corriente mayor de 50 mA para el mismo voltaje.

Los limites de operación se han definido ahora para el dispositivo y se


repiten a continuación en el formato de la ecuación (3.17) empleando hFE
= 150 (el límite superior). En realidad, para muchas aplicaciones, los 7.5
uA = 0.0075 mA se pueden considerar como 0 mA sobre una base
aproximada.

Límites de Operación

7.5 uA ≤ IC ≤ 200 mA

0.3 V ≤ VCE ≤ 30 V

VCEIC ≤ 650 mW

En las características de pequeña señal el nivel de hfe (β ca) se


proporciona junto con una gráfica de cómo varía con la corriente de
colector en la figura 3.23f. En la figura 3.23j se demuestra el efecto de la
temperatura y la comente de colector sobre el nivel de hFE (β ca). A
temperatura ambiente (25°C), adviértase que hFE (β cd) tiene un valor
máximo de 1 en la vecindad alrededor de los 8 mA. A medida que IC, se
incrementa más allá de este nivel, hFE cae a la mitad de su valor con IC
igual a 50 mA. También decae a este nivel si IC disminuye al nivel inferior
de 0.15 mA. Puesto que esta es una curva normalizada, si tenemos un
transistor con β cd = hFE = 50 a temperatura ambiente, el valor máximo a 8
mA es de 50. A IC = 50 mA habrá decaído a 50/ 2 = 25. En otras
palabras, la normalización revela que el nivel real de hFE a cualquier nivel
de IC se ha dividido por el valor máximo de hFE a esa temperatura e IC = 8
mA.
Figura 3.23 Hoja de especificaciones del transistor.

3 Polarización de CD del BJT


3.1 Punto de operación o punto
Quiescente.

El análisis o diseño de un amplificador de transistor requiere del


conocimiento de la respuesta del sistema, tanto de cd como de ca. Con
demasiada frecuencia se supone que el transistor es un dispositivo
mágico que puede alcanzar el nivel de la entrada aplicada de ca sin la
asistencia de una fuente de energía externa. En realidad, el nivel
mejorado de potencia de salida de ca es resultado de una transferencia
de energía de las fuentes aplicadas de cd. Por lo tanto, el análisis o
diseño de cualquier amplificador electrónico tiene dos componentes: la
parte de cd y la correspondiente de ca. Afortunadamente, el teorema de
superposición es aplicable y la investigación de las condiciones de cd
puede separarse por completo de la respuesta de ca. Sin embargo, hay
que tener presente que durante el diseño o etapa de síntesis, la
selección de los parámetros para los niveles de cd requeridos afectarán
la respuesta de ca, y viceversa.

El nivel de cd de operación de un transistor se controla por varios


factores, incluyendo el rango de posibles puntos de operación sobre las
características del dispositivo. Una vez que se han definido los niveles
deseados de corriente y voltaje de cd, debe construirse una red que
establecerá el punto de operación deseado (algunas de estas redes se
analizan en este capítulo). Cada diseño también determinará la
estabilidad del sistema, es decir, qué tan sensible es el sistema a las
variaciones de temperatura (otro tema que se investiga en una sección
posterior de este capítulo). Aunque se analizan diversas redes en este
capítulo, existe una similitud fundamental en e) análisis de cada
configuración, debida al uso recurrente de las siguientes relaciones
básicas importantes para un transistor:

VBE = 0.7 V

IE = (β + 1)IB ≈ IC

IC = β IB

De hecho, una vez que el análisis de las redes iniciales se comprenda


con claridad, la ruta por seguir hacia la solución de las redes comenzara
a ser más evidente. En la mayoría de los casos la corriente de base IB es
la primera cantidad que se determina. Una vez que IB se conoce, las
relaciones de las ecuaciones anteriores pueden aplicarse para encontrar
las restantes cantidad de interés. Las similitudes en el análisis serán
inmediatamente obvias a medida que avancemos en este capítulo. Las
ecuaciones para IB son tan similares para diversas configuraciones que
una ecuación puede derivarse de otra sencillamente quitando o
agregando un término o dos. La función primordial de este capitulo es
desarrollar cierto nivel de familiaridad con el transistor BJT, el cual
permitiría un análisis de cd de cualquier sistema que deba emplear el
amplificador BJT.
PUNTO DE OPERACIÓN

El término polarización que aparece en el titulo de este capítulo es un


vocablo que incluye todo lo referente a la aplicación de voltajes de cd
para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para amplificadores de
transistor, el voltaje y la comente de cd resultantes establecen un punto
de operación sobre las características, el cual define la región que se
empleará para la amplificación de la señal aplicada. Ya que el punto de
operación es un punto fijo sobre las características, se le conoce también
como punto quiesciente (abreviado punto Q). Por definición, quiesciente
significa quieto, inmóvil, inactivo. La figura 4.1 muestra una característica
general de salida de un dispositivo con cuatro puntos de operación
indicados. El circuito de polarización puede diseñarse para establecer la
operación del dispositivo en cualquiera de estos puntos o en otros dentro
de la región activa. Los valores nominales máximos se indican sobre las
características de la figura 4,1, por una linea horizontal para la corriente
de colector máxima ICmáx y por una línea vertical para el voltaje de
colector-emisor máximo VCEmax. La máxima potencia de operación máxima
se define por la curva Pcmáx en la misma figura. En el extremo inferior de
las escalas se localizan la región de corte, definida por IB ≤ 0 uA, y la
región de saturación, definida por VCE ≤ VCEsat.
Figura 4.1 Diversos puntos de operación dentro de los límites de operación de un
transistor.

El dispositivo BJT podría polarizarse para operar fuera de estos puntos


limite máximos, pero el resultado de tal operación causaría ya sea el
acortamiento de la vida de servicio del dispositivo, o bien su destrucción.
Concentrándonos en la región activa es posible elegir muchas áreas o
puntos de operación diferentes. El punto Q depende a menudo del uso
que se dará al circuito. No obstante, es posible considerar algunas
diferencias entre la operación en puntos diferentes de la figura 4.1 para
presentar algunas ideas básicas en tomo al punto de operación y, por
ello, al circuito de polarización.
Si no se utilizara la polarización, el dispositivo estaría al principio
totalmente cortado (desactivado), lo cual produciría la A, esto es,
corriente cero a través del dispositivo (y voltaje cero a través del mismo).
Es necesario polarizar el dispositivo de modo que pueda responder o
cambiar sus valores de corriente y voltaje en todo el intervalo de una
señal de entrada. En tanto que el punto A no resultara apropiado, el
punto B proporciona esta operación deseada. Si se aplica una señal al
circuito, ademas del nivel de polarización, el dispositivo variará sus
valores de corriente y voltaje a partir del punto de operación B, lo que
permite que el dispositivo reaccione (y posiblemente amplifique) tanto la
parte positiva como la parte negativa de la señal de entrada. Si, como
podría suceder, la señal de entrada es pequeña, el voltaje y la corriente
del dispositivo variarán, pero no lo suficiente para llevarlo al nivel de corte
o saturación. El punto C permitiría cierta variación positiva y negativa de
la señal de salida, pero el valor pico a pico sería limitado por la proximida

de vCE = 0V/IC = 0mA. La operación en el punto C también tiene algo que


ver con las no linealidades introducidas por el hecho de que el espacio
entre las curvas IB cambia rápidamente, en esta región. En general, es
preferible operar donde la ganancia del dispositivo es más constante (o
lineal), de tal modo que la cantidad de amplificación en toda la excursión
de la señal de entrada es la misma. El punto B es una región de
espaciamiento más lineal y, por consiguiente, su operación tiene un
mayor grado de linealidad, como se indica en la figura 4.1. El punto D fija
el punto de operación del dispositivo cerca del valor de voltaje y potencia
máximo. La excursión del voltaje de salida en la dirección positiva está
de este modo limitada si no se excede el voltaje máximo. En
consecuencia, el punto B aparece como el mejor punto de operación en
términos de la ganancia lineal o de la excursión de voltaje y corriente
más grande posible. Esta es casi siempre la condición que se desea en
los amplificadores de pequeña señal, pero no necesariamente para los
amplificadores de potencia. En este análisis, nos concentramos
fundamentalmente en la polarización del dispositivo para la operación de
amplificación de señales pequeñas.

Debe considerarse otro factor de la polarización muy importante.


Habiendo seleccionado y polarizado un BJT en un punto de operación
deseado, también debe tomarse en cuenta el efecto de la temperatura.
La temperatura provoca cambios en las características del dispositivo,
tales como la ganancia de corriente (β ca) y la corriente de fuga del
transistor (ICEO). Las altas temperaturas conducen a un incremento de
corrientes de fuga en el dispositivo, por lo que cambian la condición de
operación establecida por la polarización de la red. El resultado es que el
diseño de la red también debe proporcionar un grado de estabilidad de
temperatura de modo que los cambios de temperatura resulten en
cambios mínimos en el punto de operación. Este mantenimiento del
punto de operación puede especificarse por un factor de estabilidad, S, el
cual indica la magnitud del cambio en el punto de operación debido a una
variación de temperatura. Es deseable un circuito altamente estable y se
comparará la estabilidad de algunos circuitos de polarización básicos.
Para el BJT que se polarizará en su región de operación lineal o activa
debe cumplirse:

1. La unión de base a emisor debe estar polarizada


directamente (voltaje de la región p más positivo) con un
voltaje resultante de polarización directa entre la base y el
emisor de aproximadamente 0.6 a 0.7 V.

2. La unión de base a colector debe estar polarizada


inversamente (región n más positiva), estando el voltaje de
polarización inversa en cualquier valor dentro de los límites
máximos del dispositivo.

[Nótese que en la polarización directa el voltaje en la unión p-n es p-


positivo, en tanto que en la polarización inversa es opuesto (inverso) con
n-positiva. El énfasis que se hace sobre la letra inicial debe brindar un
medio que ayude a memorizar la polaridad de voltaje necesaria.]

La operación en las regiones de corte, de saturación y lineal de la


características del BJT se obtienen de acuerdo con lo siguiente:

1. Operación en la región lineal: Unión base-colector con polarización


directa, Unión base-colector con polarización inversa
2. Operación en la región de corte: Unión base-emisor con polarización
inversa
3. Operación en la región de saturación: Unión base-emisor con
polarización directa, Unión base-colector con polarización directa
3.2 Circuito de polarización fija.

El circuito de polarización fija de la figura 4.2 proporciona una


introducción relativamente directa y simple al análisis de polarización de
cd de transistor. Aun cuando la red emplea un transistor npn, las
ecuaciones y cálculos se aplican en forma correcta por igual a una
configuración pnp con sólo cambiar todas las direcciones de corriente y
polaridades de voltaje. Las direcciones de corriente de la figura 4.2 son
las direcciones de corriente reales, y los voltajes se definen por la
notación estándar de subíndice doble. Para el análisis de cd la red puede
aislarse de los niveles de ca indicados, remplazando los capacitores por
un circuito abierto equivalente. Además, la fuente de cd VCC puede
dividirse en un par de fuentes (para propósitos del análisis solamente),
como se ilustra en la figura 4.3, para permitir una separación de los
circuitos de entrada y de salida. Esto reduce también el enlace entre las
dos a la corriente de base IB. La separación es ciertamente válida, como
observamos en la figura 4.3, ya que VCC se conecta directamente a RB y
RC del mismo modo,que en la figura 4.2.
Figura 4.2 Circuito de polarización fija.

Figura 4.3 Equivalente de cd de la figura 4.2

POLARIZACIÓN DIRECTA DE BASE-EMISOR

Considérese primero la malla circuito base-emisor que se muestra en el


diagrama de circuito parcial de la figura 4.4. Escribiendo la ecuación de
voltaje de Kírchhoff para la malla obtenemos

VCC -IBRB - VBE = 0

Nótese la polaridad de la caída de voltaje a través de RB, como se


establece por la dirección indicada de IB. Resolviendo la ecuación para la
corriente IB se tendrá el siguiente resultado:

IB = (VCC - VBE) / RB
En realidad, la ecuación (4.4) no es difícil de recordar si se considera
simplemente que la corriente de base es la corriente a través de RB y, por
la ley de Ohm, esa corriente es el voltaje a través de RB dividido entre la
resistencia RB. El voltaje a través de RB es el voltaje aplicado VCC en uno
de los extremos menos la caída a través de la unión base-emisor (VBE).

Figura 4.4 Malla de base-emisor

Ademas, puesto que la fuente de voltaje VCC y el voltaje de base a emisor


VBE son constantes, la selección de un resistor de base, RB, establece el
nivel de la corriente de base para el punto de operación.

Malla de colector-emisor

La sección de colector-emisor de la red aparece en la figura 4.5 con la


dirección indicada de la corriente IC y la polaridad resultante a través de
RC. La magnitud de la corriente de colector se relaciona directamente con
IB por medio de

IC = β IB
Es interesante notar que, en vista de que la corriente de base se controla
por el nivel de RB e IC se relaciona con IB por una constante β la magnitud
de IC no es una función de la resistencia RC. El cambio de RC a cualquier
nivel no afectará el nivel de IB o IC en tanto que permanezcamos en la
región activa del dispositivo. Sin embargo, como veremos
posteriormente, el nivel de RC determinará la magnitud de VCE, el cual es
un parámetro importante.

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas


del reloj a lo largo de la malla indicada en la figura 4.5, se obtendrá el
resultado siguiente

VC + ICRC - VCC = 0

VCE = VCC - ICRC

el que establece en palabras que el voltaje a través de la región de


colector-emisor de un transistor en la configuración de polarización fija es
la fuente de voltaje menos la caída a través de RC. Como un breve
repaso de la notación de subíndice y doble subíndice, recuérdese que

VCE = VC - VE

donde VCE es el voltaje de colector a emisor y VC y VE son los voltajes de


colector y emisor a tierra, respectivamente. Pero en este caso, ya que VE
= 0 V, tenemos

VCE = VC
Además, puesto que

VBE = VB - VE

y VE = 0 V, entonces

VBE = VB

Téngase en cuenta que los niveles de voltaje como el de VCE se


determinan situando la punta roja (positiva) del voltímetro en la terminal
de colector con punta negra (negativa) en la terminal del emisor, como se
ilustra en la figura 4.6. VC es el voltaje del colector a tierra y se mide
como se muestra en la misma figura. En este caso, las dos lecturas son
idénticas, pero en las redes que se verán más adelante, ambas pueden
llegar a ser bastante diferentes. Comprender con claridad la diferencia
entre las dos mediciones probará ser de suma importancia en la
detección de fallas de las redes de transistores.

Figura 4.5 Malla de colector-emisor


Figura 4.6 Medición de VCE y VC.

Saturación del transistor

El termino saturación se aplica a cualquier sistema, donde los niveles


han alcanzado sus valores máximos. Una esponja saturada es aquella
que no puede contener una gota más de liquido. Para un transistor que
opera en la región de saturación, la corriente es un valor máximo para el
diseño particular. Modifíquese el diseño y el correspondiente nivel de
saturación podrá elevarse o decaer. Por supuesto, el mayor nivel de
saturación se define por la máxima corriente de colector, tal como se
proporciona en la hoja de especificaciones.

Las condiciones de saturación se evitan por lo general debido a que la


unión de base a colector ya no está inversamente polarizada y la señal
amplificada de salida estará distorsionada. Un punto de operación en la
región de saturación se representa en la figura 4.8a. Nótese que se
encuentra en una región donde se unen las "curvas de características y
el voltaje de colector a emisor se halla en o sobre VCEsat . Además, la
corriente de colector es relativamente alta sobre las características.
Figura 4.8 Región de saturación (a) real (b) aproximada

Si juntarnos las curvas de la figura 4.8a con las que aparecen en la figura
4.8b, se llegará a un método rápido y directo para determinar el nivel de
saturacion.Enlafigura4.8b la corriente es relativamente alta y se supone
que el voltaje VCE es de cero voltios. Al aplicar la ley de Ohm, la
resistencia entre las terminales de colector y emisor se puede determinar
como sigue:

RCE = VCE / IC = 0 V / ICsat = 0 ohms

Aplicando los resultados al esquema de la red resultaría la configuración


de la figura 4.9.
Figura 4.9 Determinación de ICsat.

Por consiguiente, en el futuro, si hubiera necesidad inmediata de conocer


la corriente máxima de colector aproximada (nivel de saturación) para un
diseño en particular, simplemente inserte un corto circuito equivalente
entre el colector y el emisor del transistor y calcule la corriente de
colector resultante. En resumidas cuentas, haga VCE = 0V. Para la
configuración de polarización fija de la figura 4.10, se utilizó el corto
circuito, ocasionando que el voltaje a través de RC sea el voltaje aplicado
VCC. La corriente de saturación resultante para la configuración de
polarización fija es:

ICsat = VCC / RC
Figura 4.10 Determinación de ICsat, para la configuración de polarización fija.

Una vez que se conoce ICsat, tenemos una idea de la máxima corriente de
colector posible para el diseño elegido y del nivel bajo el cual permanecer
si esperamos una amplificación lineal.

Análisis por recta de carga

Hasta aquí, el análisis se ha realizado haciendo uso de un nivel de β


correspondiente con el punto Q

resultante. Ahora investigaremos cómo los parámetros de la red definen


el posible rango de puntos

Q y cómo se determina el punto Q real. La red de la figura 4.11a


establece una ecuación. para la

salida que relaciona las variables IC y VCE de la siguiente manera:

VCE = VCC - ICRC


Las características de salida del transistor también relacionan las mismas
dos variables IC y VCE,

como se ilustra en la figura 4.11b. Por Ío tanto, tenemos, en esencia, una


ecuación de red y un

conjunto de características que utilizan las mismas variables. La solución


común de las dos ocurre

donde las restricciones establecidas por cada una se satisfacen


simultáneamente. En otras palabras,

esto es similar a encontrar la solución de dos ecuaciones simultáneas:


una establecida por la

red y otra por las características del dispositivo.


Figura 4.11 Análisis de recta de carga (a) la red (b) las características del
dispositivo.

Las características del dispositivo de IC contra VCE se proporcionan en la


fígura 4.11b. Ahora

debemos sobreponer la linea recta definida por la ecuación 4.12 sobre


las características. El método

más directo para trazar la ecuación (4.12) sobre las características de


salida es empleando el hecho

de que una recta está definida por dos puntos. Si elegimos IC con un
valor de 0 mA, estaremos

especificando el eje horizontal como la línea sobre la cual se localizará


un punto. Al sustituir IC = 0

mA en la ecuación (4.12), encontraremos que

VCE = VCC para IC = 0 mA

definiendo un punto para la linea recta, como se ilustra en la figura 4.12.


Figura 4.12 Recta de carga de polarización fija.

Si ahora escogemos el valor de 0 V para VCE, con el que se establece el


eje vertical como la línea sobre la cual se definirá el segundo punto,
encontraremos que IC se determina por la siguiente ecuación: como
aparece en la figura 4.12. La línea resultante sobre la gráfica de la figura
4.12 se denomina recta de carga, puesto que está definida por el resistor
de carga RC. Al resolver para el nivel resultante de IB, el punto Q real se
puede establecer como se ilustra en la figura 4.12, Si el nivel de IB se
modifica al variar el valor de RB, el punto Q se mueve hacia arriba o hacia
abajo de la recta de carga, como se muestra en la figura 4.13. Si VCC se
mantiene fijo y RC cambia, la recta de carga subirá como se representa
en la figura4,14. Si IB es la que se mantiene constante, el punto Q se
trasladará como se ilustra en la misma figura. Si RC se fija y VCC varía, la
recta de carga se desplazará como se muestra en la figura 4,15.
Figura 4.13 Movimiento del punto Q con respecto al incremento en los niveles de
IE

Figura 4.14 Efectos del incremento en los niveles de RC sobre la recta de carga y
el punto Q.
Figura 4.15 Efecto de la disminución en los valores de VCC sobre la recta de carga
y el punto Q.

3.3 Circuito de polarización estabilizada de


emisor.

La red de polarización de cd de la figura 4.17 contiene un resistor en el


emisor para mejorar el nivel de estabilidad sobre el de la configuración de
polarización fija. La estabilidad mejorada se demostrará más adelante en
esta sección mediante un ejemplo numérico. El análisis se realizará
examinando, en primer lugar, la malla de base a emisor y luego, con los
resultados, se investigará la malla de colector a emisor.
Figura 4.17 Circuito de polarización BJT con resistor de emisor.

Malla de base-emisor

La malla de base a emisor de la red de la figura 4.17 se puede volver a


dibujar, como se ilustra en la figura 4.18. Al aplicar la ley de voltaje de
Kirchhoff alrededor de la malla indicada en dirección de las manecillas
del reloj, obtendremos como resultado la siguiente ecuación:

VCC - IBRB - VBE - IERE = 0

Recordando del capitulo 2 que

IE = (β + 1)IB

Sustituyendo a IE en la ecuación (4.15) da por resultado

VCC - IBRB - VBE - (β + 1)IBRE = 0

Agrupando términos, nos da lo siguiente:


-IB(RB + (β + 1)RE) + VCC - VBE = 0

Multiplicando todo por (-1), obtenemos

IB(RB + (β + 1)RE) - VCC + VBE = 0

y resolviendo IB llegamos a

IB = (VCC - VBE)/(RB + β (RC+RE))

Nótese que la única diferencia entre esta ecuación para IB y la obtenida


para la con figuración de polarización fija es el término (β + 1) RE. Hay un
resultado interesante que puede derivarse de la ecuación (4.17) si la
ecuación se utiliza para trazar una red en serie que resultaría en la
misma ecuación. Tal es el caso para la red de la Figura 4.19.
Resolviendo para la corriente IB resultará la misma ecuación obtenida
anteriormente. Adviértase que al lado del voltaje de base a emisor VBE el
resistor RE es reflejado a la entrada del circuito de base por un factor (β +
1). En otras palabras, el resistor de emisor, el cual es parte de la malla de
colector-emisor, "parece como" (β + 1 )RE en la malla de base-emisor.
Puesto que β es por lo general 50 o más, el resistor de emisor parece ser
mucho más grande en el circuito de base; tanto, para la configuración de
la figura 4.20.
Figura 4.18 Malla de base-emisor

Figura 4.19

Figura 4.20 Nivel de impedancia reflejada de RE


La ecuación (4.18) probar su utilidad en los análisis que siguen. De
hecho, proporciona una manera bastante fácil de recordar la ecuación
(4.17). Empleando la ley de Ohm, sabemos que la corriente a través de
un sistema es el voltaje dividido entre la resistencia del circuito. Para el
circuito de base-emisor, el voltaje neto es VCC - VBE. Los niveles de
resistencia son RB más RE reflejado por (β + 1). El resultado es la
ecuación (4.17).

Malla de colector-emisor

La malla de colector-emisor se vuelve a dibujar en la figura 4.21.


Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff para la malla indicada en
dirección de las manecillas del reloj, resultará que

IERE + VCE +ICRC - VCC = 0

Sustituyendo IE =IC y agrupando términos, se obtiene

VCE - VCC + IC(RC + RE) = 0

VCE = VCC + IC(RC + RE)

El voltaje con subíndice sencillo VE es el voltaje de emisor a tierra y se


determina por

VE = IERE

mientras que el voltaje de colector a tierra puede determinarse a partir de


VCE = VC - VE

VC = VCC - ICRC

E1 voltaje en la base con respecto a tierra puede determinarse a partir de

VB = VCC - IBRB

VB = VBE + VE

Estabilidad de polarización mejorada

La adición de la resistencia de emisor a la polarización de cd del BJT


proporciona una mejor estabilidad; esto es, las corrientes y voltajes de
polarización de cd se mantienen más cerca de los puntos donde fueron
fijados por el circuito aun cuando cambien las condiciones externas como
el voltaje de alimentación, la temperatura e incluso la beta del transistor.
Aunque el análisis matemático se brinda en la sección 4.12, puede
obtenerse cierta comparación del mejoramiento como lo muestra el
siguiente ejemplo.

Ejemplo

Elabore una tabla en la que se comparen el voltaje y las corrientes de


polarización de las figuras 4.7 y 4.22 para el valor de β = 50 y para un
nuevo valor de β = 100. Compare los cambios en IC. para el mismo
incremento en β .

Solución

Empleando los resultados obtenidos en el ejemplo 4.1 y repitiendo


después para un valor de β = 100, se produce lo siguiente:

Se observa que la corriente de colector del BJT cambia en un 100%


debido a un cambio de 100% en el valor de β . IB es igual y VCE se
decrementa en un 76%.

Utilizando los resultados que se calcularon en el ejemplo 4.4 y repitiendo


después para el valor de β = 100, obtenemos lo siguiente: La corriente de
colector del BJT aumenta a cerca del 81% debido al cambio del 100% en
β . Nótese que el decremento de IB ayuda a mantener el valor de IC, o al
menos a reducir el cambio total en IC. debido al cambio en β .

Nivel de saturación
El nivel de saturación del colector o la comente del colector máxima para
un diseño polarizado de emisor puede determinarse mediante el mismo
enfoque empleado en la configuración de polarización fija: aplicar un
corte circuito entre las terminales colector-emisor, como se ilustra en la
figura 4.23, y calcular la corriente del colector resultante. Para la figura
4.23:

ICsat = VCC / (RC +RE)

La adición del resistor de emisor reduce el nivel de saturación del emisor


debajo del nivel que se obtiene con una configuración de polarización fija
por medio del mismo resistor del colector.

Figura 4.23 Determinación de ICsat para el circuito de polarización de emisor.


3.4 Polarización con divisor de voltaje.
En las configuraciones polarizadas precedentes, la comente de
polarización ICQ y del voltaje Vceq eran una función de la ganancia de
corriente (β ) del transistor. Sin embargo, ya que β es sensible a la
temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor real de
beta normalmente no está bien definido, sería deseable desarrollar un
circuito de polarización menos dependiente, de hecho, independiente de
la beta del transistor. La configuración de polarización con divisor de
voltaje de la figura 4.25 es una red de ese tipo. Si se analiza sobre una
base exacta, la sensibilidad a los cambios en beta es bastante pequeña.
Si los parámetros del circuito se escogen apropiadamente, los niveles

resultantes de ICQ y vCEQ pueden ser casi totalmente independientes de


beta. Recuerde, de las discusiones anteriores, que un punto Q se define
por un nivel fijo de ICQ y VCEQ, como se ilustra en la figura 4.26. El nivel de
IBQ se modificará con el cambio en beta, pero el punto de operación sobre
las características, definido por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si se
utilizan los parámetros apropiados del circuito.

Como se observó anteriormente, existen dos métodos que se pueden


aplicar al análisis de la configuración con divisor de voltaje. La razón para
la elección de los nombres para esta configuración se hará evidente en
cuanto avancemos en los análisis siguientes. El primero que se
demostrará es el método exacto que puede aplicarse a cualquier
configuración con divisor de voltaje. El segundo se denominará como
método aproximado, y puede aplicarse sólo si se satisfacen ciertas
condiciones especificas. El enfoque aproximado permite un análisis más
directo con un ahorro en tiempo y energía. Es también particularmente
útil en el modo de diseño que se describirá en una sección posterior.
Sobre todo, el enfoque aproximado puede aplicarse a la mayoría de las
situaciones; por ello, debe examinarse con el mismo interés que el
método exacto.

Figura 4.25 Configuración de polarización con divisor de voltaje.


Figura 4.26 Definición del punto Q para la configuración de polarización con
divisor de voltaje.

Análisis exacto

La parte de entrada de la red de la figura 4.25 puede volverse a dibujar,


como se muestra en la figura 4.27, para el análisis de cd. La red de
Thévenin equivalente para la red a la izquierda de la terminal de base
puede hallarse entonces de la siguiente manera:

RTh: La fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente,


como se ilustra en la figura 4.28.

RTh = R1  R2

ETh: La fuente de voltaje VCC se reintegra a la red y el voltaje Thévenin del


circuito abierto de la figura 4.29 se determina como sigue: Aplicando la
regla del divisor de voltaje:

ETh = VR2 = R2VCC / (R1 + R2)

La red Thévenin se vuelve a dibujar entonces, como se ilustra en la figura


4.30,e IBQ se puede determinar al aplicar en primer lugar la ley de voltaje
de Kirchhoff en dirección de las manecillas del reloj para la malla
indicada:

ETh - IBRTh - VBE -IERE = 0

Sustituyendo IE = (β + 1)IB y resolviendo IB, llegamos a


Aunque inicialmente la ecuación (4.30) parece distinta de las
desarrolladas con anterioridad, nótese que el numerador es de nueva
cuenta una diferencia de dos niveles de voltaje, mientras que el
denominador es la resistencia de base más el resistor de emisor reflejado
por (β + 1), en verdad muy parecido a la ecuación (4.17).

Una vez que se conoce IB, las cantidades restantes de la red pueden
encontrarse del mismo modo que se hizo para la configuración
polarizada de emisor. Esto es:

VCE = VCC - IC(RC + RE)

que es exactamente igual que la ecuación (4.19). Las ecuaciones


restantes para VE, VC y VB son también las mismas que se obtuvieron
para la configuración polarizada de emisor.

Figura 4.27 Detalle del extremo de entrada para la red de la figura 4.25
Figura 4.28 Determinación de RTh

Figura 4.29 Determinación de ETh

Figura 4.30 Inserción del circuito equivalente de Thévenin

Análisis aproximado
La sección de entrada de la configuración con divisor de voltaje puede
representarse por medio de la red de la figura 4.32. La resistencia R¡ es
la resistencia equivalente entre base y tierra para el transistor con un
resistor de emisor RE. Recuerde que la resistencia reflejada entre la base
y el emisor se define por Ri = (β + 1) RE, Si Ri es mucho mayor que la
resistencia R2, la corriente IB será mucho menor que I2 (la corriente
siempre busca la trayectoria de menor resistencia) e I2 será
aproximadamente igual a I1. Si aceptamos la aproximación de que IB es
de 0 amperios comparada con I1 o I2 entonces I1 = I2 y R1 y R2 pueden
considerarse elementos en serie. El voltaje a través de R2, que es en
realidad el voltaje de base, puede determinarse por medio de la regla del
divisor de voltaje (y de aquí proviene el nombre para la configuración). Es
decir,

VB = R2VCC / (R1 + R2)

Puesto que R1 = (β + 1) RE = β RE la condición que definirá si el enfoque


aproximado puede aplicarse será la siguiente:

β RE ≥ 10 R2

En otras palabras, si el valor de beta multiplicado por RE es al menos 10


veces el valor de R2, el enfoque aproximado puede aplicarse con un alto
grado de precisión. Una vez que se determina VB, el nivel de VE se puede
calcular a partir de

VE = VB - VBE

y la comente de emisor se puede determinar a partir de


IE = VE / RE

ICQ ≈ IE

El voltaje de colector a emisor se determina por

VCE = VCC - ICRC - IERE

pero, ya que IE = IC,

VCEQ = VCC - IC(RC + RE)

Advierta que en la secuencia de los cálculos, de la ecuación (4.33) a la


ecuación (4.37), no aparece beta e IB no fue calculada. El punto Q (como
se determina por ICQ y VCEQ) es por tanto independiente del valor de beta.

Saturación del transistor

El circuito colector-emisor de salida para la configuración con divisor de


voltaje tiene el mismo aspecto que el circuito polarizado de emisor
analizado en la sección 4.4. La ecuación resultante para la corriente de
saturación (cuando VCE se establece a cero voltios en el diagrama) es,
por tanto, la misma que se obtiene para la configuración polarizada de
emisor. Es decir,

ICsat = ICmáx = VCC / (RC + RE)

Análisis por recta de carga


Las similitudes con el circuito de salida de la configuración polarizada de
emisor resultan en las mismas intersecciones para la recta de carga de la
configuración con divisor de voltaje. La recta de carga tendrá por
consiguiente el mismo aspecto que la de la figura 4.24, con

El nivel de IB se determina, por supuesto, por una ecuación distinta para


la polarización con divisor de voltaje y las configuraciones polarizadas de
emisor.

3.5 Diversas configuraciones de


polarización.

Hay un número de configuraciones de polarización BJT que no coinciden


con el molde básico dé las que se han analizado en las secciones
precedentes. De hecho, existen variaciones de diseño que requerirían
muchas más páginas de las que son posibles en un texto de esta clase.
Aquí, sin embargo, el propósito primordial es enfatizar aquellas
características del dispositivo que permitan un análisis de cd de la
configuración y que establezcan un procedimiento general para encontrar
la solución deseada. Para cada configuración discutida hasta aquí, el
primer paso ha sido la derivación de una expresión para la corriente de
base. Una vez que se conoce la corriente de base, la comente de
colector y los n i veles de voltaje del circuito de salida se pueden
determinar ya directamente. Esto no implica que todas las soluciones
tomarán este rumbo, pero sí sugiere una posible ruta por seguir si llega a
encontrarse una nueva configuración.

El primer ejemplo es simplemente uno donde el resistor de emisor se ha


retirado de la, configuración de retroalimentación de voltaje de la figura
4.34. El análisis es bastante similar, pero requiere eliminar RE de la
ecuación aplicada.

Ejemplo:

Para la red de la figura 4.39:

a. Determine Icq y vceq.


b. Encuentre VB, VC, VE y VBC.

Figura 4.39 Retroalimentación en colector con RE = 0ohms.


Solución
La ausencia de RE reduce la reflexión de los niveles resistivos a
simplemente el nivel de RC, y la ecuación para IB se reduce a
En el siguiente ejemplo, el voltaje aplicado se conecta a la terminal del
emisor, y RC directamente a tierra. Al principio, la técnica parece un tanto
heterodoxa y bastante diferente a las empleadas hasta ahora; sin
embargo, una aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de
base dará por resultado la corriente de base deseada.

Ejemplo:
Determine VC y VB para la red de la figura 4.40.
Figura 4.40 Ejemplo
Solución
Al aplicar la ley del voltaje de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del
reloj a la malla de base a emisor, el resultado es

El siguiente ejemplo emplea una red conocida como configuración de


emisor-seguidor. Cuando la misma red se analiza sobre una base de ca,
encontraremos que las señales de entrada y salida están en fase (una
siguiendo a la otra) y el voltaje de salida es ligeramente menor que la
señal aplicada. Para el análisis de cd, el colector se conecta a tierra y el
voltaje aplicado está en la terminal del emisor.

Ejemplo:
Determine VCEQ e IE para la red de la figura 4.41

Solución
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada obtenemos

Sustituyendo valores tenemos

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida obtenemos


Hasta aquí, todos los ejemplos han empleado una configuración de
colector común o de emisor común. En el siguiente ejemplo,
investigaremos la configuración de base común. En esta situación se
utilizará el circuito de entrada para determinar IE más que IB. La corriente
de colector está disponible entonces para realizar un análisis del circuito
de salida.

Ejemplo
Determine el voltaje VCB y la corriente IB para la configuración de base
común de la figura 4.42.

Solución
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada obtenemos
-VEE + IERE + VBE = 0
IE = (VEE - VBE) / RE
Sustituyendo valores obtenemos
IE = (4 V - 0.7 V) / 12 Kohms = 2.75 mA

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida obtenemos


-VCE + ICRC - VCC = 0
VCB = VCC - ICRC con IC = IE
= 3.34 V
IB = IC / β = 2.75 mA / 60 = 45.8 uA

El ejemplo anterior emplea una fuente de alimentación doble y requerirá


la aplicación del teorema de Thévenin para determinar las incógnitas
deseadas.

Ejemplo:

Determine VC y VB para la red de la figura 4.43

Figura 4.43
Solución
La resistencia de Thévenin y el voltaje determinan para le red a la
izquierda de la terminal de base, como se muestra en las figuras 4.44 y
4.45

Figura 4.44

Figura 4.45

La red puede volverse a dibujar, como se ilustra en la figura 4.46 y al


aplicarle la ley de voltaje de Kirchhoff, da por resultado
-ETh - IBRTh - VBE - IERE + VEE = 0
Figura 4.46

Al sustituir IE = (β + 1)IB obtenemos

OPERACIONES DE DISEÑO
Hasta este punto las discusiones se han enfocado en el análisis de las
redes existentes. Todos los elementos están en su lugar y es
simplemente asunto de resolver para los niveles de voltaje y corriente de
la configuración. El proceso de diseño es donde puede especificarse una
comente y/o un voltaje y donde deben determinarse los elementos
requeridos para establecer los niveles Ideados. Este proceso de síntesis
supone un claro entendimiento de las características del Impositivo, las
ecuaciones básicas para la red y un firme conocimiento de las leyes
básicas del análisis de circuitos, la ley de Ohm, la ley de voltaje de
Kirchhoff, etc. En la mayoría de las situaciones el proceso mental se
pone a prueba en alto grado en la operación de diseño más que en la
secuencia de análisis. La trayectoria hacia una solución es menos
definida y de hecho puede requerir algunas suposiciones básicas que no
se pueden hacer analizando sencillamente una red.
La secuencia de diseño es obviamente sensible a los componentes que
ya se han especificado y los elementos que van a determinarse. Si se
especifican el transistor y las fuentes, el proceso de diseño simplemente
determinará los resistores requeridos para un diseño particular. Una vez
que se determina el valor teórico de los resistores, se elige por lo general
el valor comercial estándar más cercano y cualquier variación debida a
no usar el valor exacto de la resistencia se acepta como parte del diseño.
Esto es ciertamente una aproximación válida si se toma en consideración
las tolerancias normalmente asociadas con los elementos resistivos y los
parámetros del transistor.
Si se van a determinar los valores resistivos, una de las ecuaciones más
poderosas es sencillamente la ley de Ohm en la forma siguiente:
Rdesconocida = VR / IR
En un diseño particular, el voltaje a través de un resistor puede
determinarse a menudo a partir de los niveles especificados. Si otras
especificaciones definen el nivel de comente, la ecuación (4,44) puede
entonces utilizarse para calcular el nivel de resistencia requerido. Los
ejemplo iniciales demostrarán cómo elementos particulares pueden
determinarse a partir de nivel especificados. Luego se introducirá un
procedimiento completo de diseño para un par de configuraciones
comunes.
Ejemplo:
Dadas las características del dispositivo de la figura 4.47a, determine
VCC, RB y RC para la configuración de polarización fija de la figura 4.47b.

Figura 4.47
Solución
De la recta de carga
Ejemplo:

Dados ICQ = 2 mA y VCEQ = 10 V, determine R1 y RC para la red de la figura


4.48

Figura 4.48
Solución
Los valores comerciales estándar más próximos para R1 son 82 kΩ y 91
kΩ . Sin embargo, haciendo uso de la combinación en serie de los
valores estándar de 82 kΩ y 4.7 kΩ = 86.7 kΩ resultaría en un valor muy
cercano al nivel diseñado.

Ejemplo:
La configuración con la polarización de emisor de la figura 4.49 tiene las
siguiente s especificaciones: ICQ = ½ ICsat, ICsat = 8 mA, VC = 18 V y β = 110.
Determine RC, RE y RB.
Figura 4.49
Solución
El análisis siguiente presenta una técnica para diseñar un circuito
completo para operar en un punto de polarización especifico. Con
frecuencia las hojas de especificaciones de los fabricantes brindan
información que establece un punto de operación apropiado (o región de
operación) para un transistor particular. Además, otros factores del
circuito relacionados con la etapa del amplificador dado pueden dictar
también algunas condiciones de la excursión de corriente, excursión de
voltaje, el valor de voltaje de alimentación común, etc., los cuales pueden
utilizarse para la determinación del punto Q en un diseño.
En la práctica real, muchos otros factores tienen que considerarse y
pueden influir en la selección del punto de operación que se desea. Sin
embargo, por el momento nos concentraremos en la determinación de
los valores de los componentes para obtener un punto de operación
especificado. El análisis se limitará a las configuraciones de polarización
de emisor y de polarización de divisor de voltaje, aun cuando el
procedimiento puede aplicarse a otros circuitos de transistores.

Diseño de un circuito de polarización con resistencia de retroalimentación


en emisor
Considérese primero el diseño de los componentes de polarización de cd
de un circuito amplificador que tiene estabilización de polarización por
resistencia de emisor (véase la figura 4.50), El voltaje de alimentación y
el punto de operación se seleccionarán a partir de la información del
fabricante sobre el transistor utilizado en el amplificador.
Figura 4.50 Circuito de polarización con estabilización de emisor para
consideraciones de diseño.

Figura 4.50 Circuito de polarización con estabilización de emisor para


consideraciones de diseño.
La selección de las resistencias de colector y emisor no puede
desprenderse directamente de la información que acaba de
especificarse. La ecuación que relaciona los voltajes alrededor de la
malla colector-emisor, tiene dos cantidades desconocidas: los valores de
las resistencias de colector y emisor, RC y RE. En este punto debe
hacerse alguna evaluación de ingeniería, como la del nivel del voltaje de
emisor comparado con el voltaje de la fuente aplicada. Recuérdese que
la necesidad de incluir un resistor del emisor a tierra fue brindar un medio
de estabilización de la polarización de cd de manera que el cambio de la
comente de colector debido a las corrientes de fuga en el transistor y la β
del mismo no ocasionarían un gran corrimiento (si lo hay) en el punto de
operación. La resistencia del emisor no puede ser irrazonablemente
grande porque el voltaje que se genera en él limita el nivel de la
excursión del voltaje del colector al emisor (que se mencionará cuando
se discuta la respuesta de ca). Los ejemplos examinados en este capitulo
revelan que el voltaje de emisor a tierra esta por lo regular alrededor de
una cuarta o una décima parte de la fuente de voltaje. Seleccionando el
caso conservador de una décima parte, nos permitirá calcular el resistor
de emisor RE y el resistor RC de manera semejante a los ejemplos apenas
vistos. En el siguiente ejemplo realizaremos un diseño completo de la red
de la figura 4.49 empleando los criterios recientemente introducidos para
el voltaje de emisor.

Ejemplo
Determine los valores de los resistores para la red de la figura 4.50, para
la fuente de voltaje y el punto de operación indicados.
Solución

Diseño de un circuito de ganancia en corriente estabilizada


(independiente de β )
El circuito de la figura 4.51 brinda estabilización tanto para la corriente de
fuga como para los cambios en la ganancia de corriente β . El valor de
las cuatro resistencias que se muestran debe obtenerse para un punto de
operación especificado. El criterio de ingeniería en la selección de' un
valor para el voltaje de emisor, VE, como en el criterio de diseño previo
conduce a una simple solución directa para todos los valores de la
resistencia. Todos los pasos de diseño se muestran en el siguiente
ejemplo.

Figura 4.51 Circuito con estabilización de ganancia de corriente para


consideraciones de diseño.

Ejemplo:
Determine los niveles RC, RE, R1 y R2 para la red de la figura 4.51, para el
punto de operación indicado.
Solución
Las ecuaciones para los cálculos de los resistores de base R1 y R2
requerirán de un poco de consideración. Usando el valor del voltaje de
base calculado anteriormente y el valor de la fuente de voltaje se
obtendrá una ecuación, pero existen dos incógnitas, R1 y R2. Se puede
tener una ecuación adicional mediante el conocimiento de la operación
de estos dos resistores al proveer el voltaje de base necesario. Para que
el circuito opere con eficacia, se supone que la corriente a través de R1 y
R2 debe ser aproximadamente igual y mucho mayor que la corriente de
base (al menos en proporción de 10:1). Este hecho y la ecuación de di
visor de voltaje para el voltaje de base proporcionan las dos relaciones
necesarias para determinar los resistores de base. Es decir,
3.6 Conmutación con transistores.
La aplicación de los transistores no se limita solamente a la amplificación
de las señales. Por medio de un diseño adecuado pueden utilizarse
como interruptor para aplicaciones de control y computadoras. La red de
la figura 4.52a puede emplearse como un inversor en circuitos lógicos de
computadoras. Nótese que el voltaje de salida VC es opuesto al que se
aplica a la base o terminal de entrada. Además, adviértase la ausencia
de una fuente de cd conectada al circuito de base. La única fuente de cd
está conectada al extremo de colector o salida, y para las aplicaciones de
computadoras es típicamente igual a la magnitud del flanco de subida de
la señal de salida, en este caso. de 5 V.
Figura 5.52 Inversor de transistor

El diseño adecuado para el proceso de inversión requiere que el punto


de operación cambie desde el estado de corte hasta el de saturación, a
lo largo de la recta de carga trazada en la figura 4.52b. Para nuestros
propósitos supondremos que IC = ICEq = 0 mA cuando IB = 0 uA (una
excelente aproximación a la luz de las técnicas mejoradas de
construcción), como se muestra en la figura 4.52b. Además,
supondremos VCE = vcesat = 0 V en lugar del nivel típico de 0.1 a 0.3 V.

Cuando Vi = 5 V, el transistor estará en estado "encendido" y el diseño


debe asegurar que la red está completamente saturada con un nivel de IB
mayor que el asociado con la curva de IB que aparece cerca del nivel de
saturación. En la figura 4.52b esto requiere que IB > 50 uA. El nivel de
saturación para la comente de colector del circuito de la figura 4.52a se
define como

ICsat = VCC / RC

El nivel de IB en la región activa, justo antes de que se presente la


saturación puede aproximarse mediante la siguiente ecuación:

IBmáx = ICsat / β cd

Por tanto, para el nivel de saturación, debemos asegurar que se


satisfaga la condición siguiente:

IB > ICsat / β cd

Saturación Suave

BJT saturado ligeramente

RB = (Vi - 0.7V)/IB
IB ≥ ICsat / β mín

RB = (Vi - 0.7V)β mín /ICsat

Saturación Dura

BJT debe saturarse para cualquier valor de beta.

β = 10

RB = (Vi - 0.7V)10 /ICsat

Para ICsat hay que tomar en cuenta la caida de voltaje de la carga

ICsat = (VCC - Vcarga)/RC

3.7 El transistor PNP.


Hasta este punto el análisis se ha limitado exclusivamente a los
transistores npn para asegurar que el análisis inicial de las
configuraciones básicas fuera lo más claro posible y sin complicaciones
al intercambiar entre diferentes tipos de transistores. Afortunadamente, el
análisis de los transistores pnp sigue el mismo patrón establecido para
los transistores npn. El nivel de IB se determina en primer lugar, seguido
por la aplicación de las relaciones de transistor apropiadas para
determinar la lista, de cantidades desconocidas. De hecho, la única
diferencia entre las ecuaciones que se obtienen para una red en la que
se ha reemplazado un transistor npn por otro de tipo pnp es el signo
asociado a cantidades particulares.

Como se advierte en la figura 4.63, la notación de subíndice doble


continúa como fue definida normalmente. Sin embargo, las direcciones
de la corriente se han invertido para reflejar las direcciones de
conducción reales. Empleando las polaridades definidas de la figura 4.63,
tanto VBE como VCE serán cantidades negativas.

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a la malla de base a emisor


obtendremos la siguiente ecuación para la red de la figura 4.63:

-IERE + VBE -IBRB +VCC = 0

Sustituyendo IE = (β + 1 )IB y resolviendo para IB, llegamos a

La ecuación resultante es la misma que la ecuación (4.17), a excepción


del signo para VBE Sin embargo, en este caso VBE = -0.7 V y la sustitución
de los valores resultará en el mismo signo para cada término de la
ecuación (4.49), como la ecuación (4.17). Recuérdese que la dirección
de IB se define ahora como opuesta a la de un transistor pnp, como se
ilustra en la figura 4.63. Para VCE, la ley de voltaje de Kirchhoff se aplica a
la malla de colector a emisor, lo que da por resultado la siguiente
ecuación:

-IERE + VCE -ICRC +VCC = 0


Sustituyendo IE = IC, obtenemos

VCE = -VCC + IC(RC +RE)

La ecuación resultante tiene el mismo formato que la ecuación (4.19),


pero el signo enfrente de cada término a la derecha del signo de igualdad
ha cambiado. Puesto que VCC será mayor que la magnitud del término
siguiente, el voltaje tendrá un signo negativo, como se advirtió en un
párrafo anterior.

Ejemplo:

Determine VCE para la configuración de polarización con divisor de voltaje


de la figura 4.6

Figura 4.64 Transistor PNP en una conñguración de polarización con divisor de


voltaje.

Solución

Probando la condición
β RE ≥ 10 R2

132 kΩ ≥ 100 kΩ (satisfactorio)

Resolviendo para VB, tenemos que

Nótese la similitud en el formato de la ecuación con el voltaje negativo


resultante para VB.

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a lo largo de la malla de base a


emisor, nos lleva a

VB - VBE -VE = 0

VE = VB - VBE

VE = -3.16 V - (-0.7 V)

= -2.46 V

Advierta que en la ecuación anterior se emplea la notación estándar de


subíndice sencillo y doble Para un transistor npn la ecuación VE. = VB -
VBE sería exactamente la misma. La única diferencia surge cuando se
sustituyen los valores. La corriente

IE = VE / RE = 2.46 V / 1.1 kΩ = 2.24 mA

Para la malla de colector a emisor:

-IERE + VCE -ICRC +VCC = 0


Sustituyendo IE = IC y agrupando términos, tenemos que

VCE = -VCC + IC(RC +RE)

Sustituyendo valores, obtenemos

VCE = -18 V + (2.24 mA)(2.4 kΩ + 1.1 kΩ ) = -10.16 V

4 Modelado del transistor BJT

4.1 Amplificador en el dominio de CA.


La construcción básica, aspectos y características del transistor se
presentaron en el capitulo 1. Después, en el capitulo 2 se examinó en
detalle la polarización de cd del dispositivo. Empezaremos ahora a
estudiar la respuesta ca a pequeña señal del amplificador BJT revisando
los modelos que se utilizan con mayor frecuencia para representar el
transistor en el dominio de ca senoidal.

Una de nuestras primeras inquietudes en el análisis de ca senoidal en


redes de transistores es la magnitud de la señal de entrada. Ello
determinará si deben aplicarse técnicas de pequeña señal o técnicas de
gran señal. No existe una línea divisoria entre las dos, peso la aplicación,
así como la magnitud de las variables de interés relativas a las escalas
de las características del dispositivo, determinarán casi siempre con
bastante claridad cuál método es el apropiado. La técnica de pequeña
señal se presenta en este capitulo.

Hay dos modelos que se utilizan por lo común en el análisis de ca de


pequeña señal de redes de transistor: el modelo equivalente híbrido y el
modelo re. Este capitulo no sólo presenta ambos modelos, sino que
define el papel que cada uno desempeña y la relación que existe entre
ellos.

En el capítulo 1 se demostró que el transistor puede emplearse como un


dispositivo amplificador. Es decir, la señal de salida senoidal es mayor
que la señal de entrada o, estableciéndolo de otra manera, la potencia de
ca de salida es mayor que la potencia de ca de entrada. La pregunta que
surge entonces es ¿cómo la salida de potencia de ca puede ser mayor
que la potencia de ca de entrada? La conservación de la energía dicta
que en función del tiempo, la salida de potencia total, Po de un sistema
no puede ser mayor que su entrada de potencia, Pi y que la eficiencia
definida por η = Po/P¡ no puede ser mayor que 1. El factor que no se
considera en la discusión anterior, que permite una salida de potencia de
ca mayor que la potencia de entrada de ca, es la potencia aplicada de cd.
Representa una contribución a la potencia de salida total aun cuando
parte de ella se disipa a través del dispositivo y los elementos resistivos.
En otras palabras, existe un intercambio" de potencia de cd al dominio de
ca, el cual permite establecer una muy alta potencia de salida de ca. De
hecho, una eficiencia-de conversión se define por medio de η =
Po(ca)/Pi(cd) donde Po(ca) es la potencia de ca en la carga, y P¡(cd) la
potencia suministrada de cd.

Quizás el papel que juega la fuente de cd se describa mejor al considerar


primero la red simple de cd de la figura 7.1. La dirección resultante del
flujo se muestra en la figura con una gráfica de la corriente i contra el
tiempo. Insertemos ahora un mecanismo de control, como se muestra en
la figura 7.2. El mecanismo de control se constituye de tal forma que la
aplicación de una señal relativamente pequeña al mecanismo de control
puede resultar en una oscilación mucho más grande en el circuito de
salida.

Figura 7.1 Corriente estacionaria establecida por una fuente de cd.

Para el sistema de la figura 7.2 el valor pico de la oscilación se controla


mediante el nivel establecido de cd. Cualquier intento de exceder el límite
establecido por el nivel de cd resultará en un "recorte" aplanado de la
región pico de la señal de salida. Por lo tanto, en su totalidad, un diseño
apropiado de amplificador requiere que los componentes de cd y de ca
sean sensibles a cada uno de los otros requerimientos y limitaciones. Sin
embargo, es en verdad un hecho afortunado que los amplificadores de
pequeña señal de transistor puedan considerarse lineales para la
mayoría de las aplicaciones, permitiendo el uso del teorema de
superposición para separar el análisis de cd del análisis de ca.
Figura 7.2 Efecto de un elemento de control sobre el flujo en estado estacionario
del sistema eléctrico de la figura 7.1

LÍNEA DE CARGA DE CA.

Excursión máxima de salida de ca al voltaje de ca pico a pico máximo,


sin recortes, que puede proporcionar un amplificador.

La línea de carga de ca es una ayuda visual para entender la operación


con señales grandes.
4.2 Modelado del transistor BJT.
La clave del análisis de pequeña señal de transistor es el empleo de los
circuitos equivalentes (modelos) que serán introducidos en este capítulo.
Un modelo es la combinación de elementos de circuito, seleccionados
adecuadamente, que mejor aproximan el comportamiento real de un
dispositivo semiconductor en condiciones específicas de operación,
Una vez determinado el circuito equivalente de ca, el símbolo gráfico del
dispositivo puede sustituirse en el esquema mediante este circuito, y se
pueden aplicar los métodos básicos del análisis de circuitos de ca
(análisis de nodos, análisis de mallas y el teorema de Thévenin) para
determinar la respuesta del circuito.

Hay dos teorías actuales acerca de cuál será el circuito equivalente que
ha de sustituir al transistor. Durante muchos años la industria y las
instituciones educativas confiaron ampliamente en los parámetros
híbridos (que se presentarán en breve). El circuito equivalente de
parámetros híbridos seguirá siendo muy popular, aun cuando en la
actualidad debe competir con un circuito equivalente derivado
directamente de las condiciones de operación del transistor, el modelo re.
Los fabricantes siguen especificando los parámetros híbridos para una
región de operación particular en sus hojas de especificaciones. Los
parámetros (o componentes) del modelo re pueden derivarse
directamente de los parámetros híbridos en esta región. Sin embargo, el
circuito equivalente híbrido adolece de estar limitado a un conjunto
particular de condiciones de operación si se considerara preciso. Los
parámetros del otro circuito equivalente pueden determinarse para
cualquier región de operación dentro de la región activa y no están
limitados por un solo grupo de parámetros incluidos en la hoja de
especificaciones. A su vez, no obstante, el modelo re no tiene un
parámetro que defina el nivel de impedancia de salida del dispositivo y el
efecto de retroalimentación de la salida a la entrada.

Puesto que en la actualidad ambos modelos se emplean de manera


extensa, los dos se examinan en detalle en este libro. En algunos análisis
y ejemplos se empleará el modelo híbrido, en tanto que en otros se
utilizará en forma exclusiva el modelo re. No obstante, en el texto se hará
todo lo necesario para mostrar la forma tan estrecha en que se
relacionan los dos modelos y cómo la habilidad en el manejo de uno de
ellos conduce a una destreza natural en el manejo del otro.

Con el fin de mostrar el efecto que tendrá el circuito equivalente de ca


sobre el análisis que sigue, considérese el circuito de la figura 7.3.
Supongamos por e] momento que el circuito equivalente de ca de
pequeña señal para el transistor ya ha sido determinado. Puesto que sólo
nos interesa la respuesta de ca del circuito, todas las alimentaciones de
cd pueden sustituirse por equivalentes de potencial cero (corto circuito),
ya que determinan únicamente el nivel de cd (nivel quiesciente) o de
operación del voltaje de salida y no la magnitud de la excursión de la
salida de ca. Esto se muestra claramente en la figura 7.4. Los niveles de
cd fueron importantes simplemente para determinar el punto Q de
operación adecuado. Una vez determinado, es posible ignorar los niveles
de cd en el análisis de ca de la red. Además, los capacitores de
acoplamiento C1 y C2 y el capacitor de desvío C3*** se eligieron de modo
que tuvieran una reactancia muy pequeña a la frecuencia de aplicación.
Por lo tanto, es posible también reemplazarlos para todos los propósitos
prácticos por medio de una trayectoria de baja resistencia (corto circuito).
Nótese que esto producirá el "corto circuito" de la resistencia de
polarización de cd, RE. Recuérdese que los capacitores tienen un
equivalente de circuito abierto en condiciones de estado estable cd,
permitiendo un aislamiento entre etapas en los niveles de cd y las
condiciones de operación.
Figura 7.3 Circuito de transistor examinado en este análisis introductorio.

Figura 7.4 Red de la figura 7.3 después de eliminar la alimentación de cd.

La conexión común de tierra y el rearreglo de los elementos de la figura


7.4 dará como resultado una combinación en paralelo de los resistores
R1, R2, y RC que aparecerá del colector al emisor como se muestra en la
figura 7.5. Como los componentes del circuito equivalente del transistor
insertado en la figura 7.5 son aquellos con los que ya nos hemos
familiarizado (resistores, fuentes controladas, etc.), las técnicas de
análisis tales como superposición y el teorema de Thévenin, entre otras,
pueden aplicarse para determinar las cantidades deseadas.

Figura 7.5 Circuito de la figura redibujado para el análisis de pequeña señal ca.

Examinaremos aún más la figura 7.5 e identifiquemos las cantidades


importantes que se determinarán en el sistema. Puesto que sabemos
que el transistor es un dispositivo amplificador, esperaríamos alguna
indicación de cómo se relacionan el voltaje de salida Vo y el de entrada
Vi, es decir, la ganancia en voltaje. Note en la figura 7.5 que para esta
configuración Ii = Ib, e Io = Ic lo cual define la ganancia en corriente Ai = Io /
Ii. La impedancia de entrada Zi y la impedancia de salida Zo probarán ser
de particular importancia en el análisis que se detalla a continuación. Se
proporcionará mucha más información acerca de estos parámetros en las
secciones siguientes. Por tanto, el equivalente de ca para una red se
obtiene por medio de:
1. El establecimiento de todas las fuentes de cd a cero y su
reemplazo por un corto circuito equivalente

2. El reemplazo de todos los capacitores por un corto circuito


equivalente

3. La eliminación de todos los elementos sustituidos por los corto


circuitos equivalentes introducidos en los pasos 1 y 2

4. El dibujar de nuevo la red en una forma más lógica y


conveniente.

En las secciones siguientes se presentarán los circuitos equivalentes re e


híbrido para completar el análisis de ca de la red de la figura 7.5

4.3 Parámetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai,


Vi, Vo, Ii, Io. (Redes de dos puertos).
Antes de investigar los circuitos equivalentes para BJT con más detalle,
concentrémonos en los parámetros de un sistema de dos puertos que
son de capital importancia desde un punto de vista de análisis y diseño.
Para el sistema de dos puertos (dos pares de terminales) de la figura 7.6,
el extremo de entrada (el lado donde normalmente se aplica la señal) se
encuentra a la izquierda y el extremo de salida (donde se conecta la
carga) se halla a la derecha. De hecho, para la mayoría de los sistemas
eléctricos y electrónicos el flujo general se tiene normalmente de
izquierda a derecha. Para ambos conjuntos de terminales la impedancia
entre cada par de terminales en condiciones normales de operación es
bastante importante.

Figura 7.6 Sistema de dos puertos.

Impedancia de entrada, Zi

Para el extremo de entrada, la impedancia de entrada Z¡ se define por la


ley de Ohm como se indica a continuación:

Zi = Vi / Ii

Si se modifica la señal de entrada Vi, la corriente Ii, puede calcularse


mediante el uso del mismo nivel de impedancia de entrada. En otras
palabras:

Para el análisis de pequeña señal una vez que se ha determinado la


impedancia de entrada, el mismo valor numérico puede utilizarse para
modificar los niveles de la señal aplicada.

De hecho, en las secciones siguientes encontraremos que la impedancia


de entrada de un transistor puede determinarse aproximadamente por
medio de las condiciones de polarización de cd, condiciones que no
cambian sólo porque la magnitud de la señal aplicada de ca se haya
modificado.

Es particularmente interesante que para las frecuencias en el intervalo de


los valores bajos a los medios (normalmente <100 kHz):

La impedancia de entrada de un amplificador de transistor BJT es de


naturaleza puramente resistiva y, dependiendo de la manera en que se
emplee el transistor, puede variar de unos cuantos ohms hasta el orden
de los megaohms.

Además:

No puede emplearse un óhmetro para medir la impedancia de entrada de


pequeña señal de ca puesto que el óhmetro opera en modo de cd.

La ecuación (7.1) es particularmente útil en la medida en que proporciona


un método para medir la resistencia de entrada en el dominio de ca. Por
ejemplo, en la figura 7.7 se ha agregado un resistor sensor al extremo de
entrada para permitir una determinación de Ii*** empleando la ley de
Ohm. Un osciloscopio o un multimetro digital (DMM) sensible puede
utilizarse para medir el voltaje Vs y V¡. Ambos voltajes pueden ser de
pico a pico, pico o valores rms, siempre que ambos niveles empleen el
mismo patrón. La impedancia de entrada se determina entonces de la
siguiente manera:

Ii = (Vs - Vi) / Rsensor

y
Zi = Vi / Ii

Figura 7.7 Determinación de Zi.

La importancia de la impedancia de entrada de un sistema puede


demostrarse mejor mediante la red de la figura 7.8. La fuente de señal
tiene una resistencia interna de 600 Ω el sistema (posiblemente un
amplificador de transistor) tiene una impedancia de entrada de 1.2 kΩ .

Figura 7.8 Demostración del impacto de Zi sobre una respuesta de amplificador.

Impedancia de salida, Zo
La impedancia de salida se define en forma natural para el conjunto de
salida de las terminales, pero la manera en la cual se define es bastante
diferente de la correspondiente a la impedancia de entrada. Es decir,

La impedancia de salida se determina en las terminales de salida viendo


hacia atrás. dentro del sistema con la señal aplicada fijada en cero.

En la figura 7.10, por ejemplo, la señal aplicada se ha establecido a cero


voltios. Para determinar Zo, se aplica una señal, Vs, a las terminales de
salida, y el nivel de Vo se mide con un osciloscopio o DMM sensible. La
impedancia de salida se determina entonces de la siguiente manera:

Io = (V - Vo) / Rsensor

Zo = Vo / Io

Figura 7.10 Deteminación de Zo.

En particular, para las frecuencias de rango bajo y medio (normalmente <


100 kHz): La impedancia de salida de un amplificador de transistor BJT
es resistiva por naturaleza y depende de la configuración y de la
colocación de los elementos resistivos, Zo puede variar entre unos
cuantos ohms y un nivel que puede exceder los 2MΩ .

Además:

No puede utilizarse un óhmetro para medir la impedancia de salida de


pequeña señal de ca debido a que el óhmetro opera en modo de cd.

Ganancia de voltaje Av

Una de las características más importantes de un amplificador es la


ganancia de voltaje de pequeña señal de ca, que se determina por

Av = V o / V i

Para el sistema de la figura 7.13, no se ha conectado una carga a las


terminales de salida y el nivel de ganancia determinado por la ecuación
(7.6) se denomina como la ganancia de voltaje sin carga. Es decir,

Figura 7.13 Determinación de la ganancia de voltaje sin carga


Para amplificadores de transistor, la ganancia de voltaje sin carga es
mayor que la ganancia de voltaje con carga.

Ganancia de corriente, Ai

La última característica numérica por discutir es la ganancia de corriente


definida por

A i = Io / I i

Aunque por lo regular recibe menos atención que la ganancia de voltaje,


es, sin embargo, una cantidad importante que puede tener un impacto
significativo en la eficiencia global de un diseño. En general:

Para amplificadores BJT, la ganancia de corriente oscila entre los valores


apenas menores que I y un nivel que puede exceder los 100.

Para la situación con carga presente de la figura 7.15,

I i = V i / Zi

Io = Vo / RL
Figura 7.15 Determinación de la ganancia de corriente con carga.

Ai = -Av(Zi / Ii)

La ecuación anterior permite la determinación de la ganancia de corriente


a partir de la ganancia de voltaje y los niveles de impedancia.

Relación de fase

La relación de fase entre las señales senoidales de entrada y salida es


importante por una variedad de razones prácticas. Sin embargo y por
fortuna: Para el amplificador de transistor típico, a frecuencias que
permiten ignorar el efecto de elementos reactivos, las señales de entrada
y salida están ya sea en fase o desfasadas por 180°.

La razón de esta situación ambivalente con respecto a la fase se aclarará


en los capítulos siguientes.

Resumen
Los parámetros de principal importancia para un amplificador ya se han
presentado; la impedancia de entrada Zi, la impedancia de salida Zo, la
ganancia de voltaje Av, la ganancia de corriente Ai y las relaciones de
fase resultantes. Otros factores, tales como la frecuencia aplicada para
los límites inferior y superior del espectro de frecuencias, afectarán
algunos de estos parámetros. En las secciones y capítulos siguientes,
todos los parámetros se determinarán para una variedad de redes de
transistores con el fin de permitir una comparación de las ventajas y
desventajas de cada configuración.

4.4 Modelado re del transistor.


El modelo re emplea un diodo y una fuente controlada de corriente para
duplicar el comportamiento de un transistor en la región de interés.
Recuérdese que una fuente de corriente controlada por corriente es
aquélla donde los parámetros de la fuente de corriente se controlan por
medio de una corriente en otra parte de la red. De hecho,en general:

Los amplificadores de transistor BJT se conocen como dispositivos


controlados por corriente.

Configuración de base común

En la figura 7.16a se ha insertado un transistor pnp de base común


dentro de la estructura de dos puertos empleada en nuestra discusión de
las recientes secciones. En la figura 7.16b se ha colocado el modelo re
para el transistor entre las mismas cuatro terminales. Como se observó
en la sección 7.3, el modelo (circuito equivalente) se escoge de una
forma tal que se tenga una aproximación del comportamiento del
dispositivo al reemplazarlo en la región de operación de interés. En otras
palabras, los resultados obtenidos al colocar el modelo deberían estar
relativamente cercanos a los obtenidos con el transistor real. Usted
recordará, del capítulo 1, que una de las uniones de un transistor en
operación se polariza en forma directa mientras que la otra se polariza
inversamente. La unión directamente polarizada se comportará de
manera muy parecida a un diodo (despreciando los efectos de los niveles
cambiantes de VCE), como se verificó mediante las curvas de la figura 3.7.
Para la unión de base-emisor del transistor de la figura 7.16a, el diodo
equivalente de la figura 7.16b entre las mismas dos terminales parece
ser bastante apropiado. Para el extremo de salida, recuérdese que las
curvas horizontales de la figura 3.8 revelaban que IC = Ie (como se dedujo
de Ic = α Ie) para el intervalo de valores de vce. La fuente de corriente de
la figura 7.16b establece el hecho de que Ic = α Ie con la corriente de
control Ie que aparece en el extremo de entrada del circuito equivalente,
como se indica en la figura 7.16a. Por consiguiente, hemos establecido
una equivalencia en las terminales de entrada y salida con la fuente
controlada por corriente, proporcionando un vínculo entre las dos (una
revisión inicial sugeriría que el modelo de la figura 7.16b es un modelo
válido del dispositivo real).
Figura 7.16 (a) Transistor BJT de base común; (b) modelo re para la configuración
de la figura 7.16a.

Recuérdese del capitulo 1, que la resistencia de ca de un diodo puede


determinarse mediante la ecuación rca = 26 mV/ID, donde ID es la
corriente de cd a través del diodo en el punto Q (estático). Esta misma
ecuación puede utilizarse para encontrar la resistencia de ca del diodo de
la figura 7.16b si sustituimos simplemente la corriente de emisor, como
se muestra a continuación:

re = 26 mV / IE

El subíndice e de re se eligió para enfatizar que es el nivel cd de la


corriente de emisor que determina el nivel ca de la resistencia del diodo
de la figura 7.16b. Al sustituir el valor resultante de re en la figura 7.16b
se obtendrá el modelo de suma utilidad que se muestra en la figura 7.17:
Figura 7.17 Circuito equivalente re de base común.

A causa del aislamiento existente entre los circuitos de entrada y de


salida de la figura 7.17, debería ser bastante obvio que la impedancia de
entrada Zi para la configuración de base común de un transistor fuera
simplemente re. Es decir,

Zi = re

Para la configuración de base común, los valores típicos de Z, varían


entre unos cuantos ohms y un valor hasta de alrededor de 50 Ω .

Para la impedancia de salida, si establecemos la señal a cero, entonces


Ie = O A e IC = α Ie = α (0 A) = O A, resultando en un equivalente de
circuito abierto en las terminales de salida. El resultado es que para el
modelo de la figura 7.17,

Zo ≅ ∞ Ω

En realidad:

Para la configuración de base común, los valores típicos de Zo se hallan


en el orden de los megaohms.

La resistencia de salida de la configuración de base común se determina


por medio de la pendiente de las líneas características de las
características de salida, como se muestran en la figura 7.18.
Suponiendo que las líneas sean perfectamente horizontales (una
excelente aproximación) resultaría en la conclusión de la ecuación (7.13).
Si se tuviera el cuidado de medir Zo gráfica o experimentalmente, se
obtendrían los niveles típicos en el intervalo de 1 a 2 MΩ .

Figura 7.18 Definición de Zo.

En general, para la configuración de base común, la impedancia de


entrada es relativamente pequeña mientras que la impedancia de salida
es bastante alta.

La ganancia de voltaje se determinara ahora para la red de la figura 7.19.

Vo = -IoRL = -(-IC)RL = α IERL

Vi = IEZi = Iere

Av = Vo / Vi = α IeRL / Iere

Av = α RL / re ≅ RL / re

Para la ganancia de corriente


Ai = Io / Ii = -IC / Ie = α Ie / Ie

Ai = -α ≅ -1

7.19 Definición de Av para la configuración de base común.

El hecho de que la polaridad del voltaje Vo tal como se determina a partir


de la corriente IC sea la misma que se define mediante la figura 7.19 (o
sea, el extremo negativo está al potencial de referencia, o tierra) revela

que vo y V¡ están en fase para la configuración de base común. El


equivalente para un transistor NPN en la configuración de base común
aparecería como se ilustra en la figura 7.20.

Figura 7.20 Modelo aproximado para una configuración de transistor NPN de base
común.
Configuración de emisor común

Para la configuración de emisor común de la figura 7.21a, las terminales


de entrada son las terminales de base y emisor, pero el conjunto de
salida lo componen ahora las terminales de colector y emisor. Además, la
terminal de emisor es ahora común entre los puertos de entrada y salida
del amplificador. Sustituyendo el circuito equivalente re para el transistor
npn dará por resultado la configuración de la figura 7.21b. Adviértase que
la fuente controlada por corriente aún esta conectada entre las terminales
de colector y de base y el diodo, entre las terminales de base y de
emisor. En esta configuración, la corriente de base es la corriente de
entrada, mientras que la corriente de salida aun es Ic. Recuerde, del
capítulo 1, que las corrientes de base y de colector están relacionadas
por la siguiente ecuación:

Ic = β Ib

La comente a través del diodo se determina por lo tanto mediante

Ie = (β + 1)Ib

Sin embargo, ya que la beta de ca es normalmente mucho mayor que 1,


haremos uso de la siguiente aproximación para el análisis de comente:

Ie ≅ β Ib

La impedancia de entrada se determina por medio de la siguiente


relación:
Zi = Vi / Ii = Vbe / Ib

El voltaje Vbe se halla a través de la resistencia del diodo, como se


muestra en la figura 7.22. El nivel de re todavía se determina por la
corriente de cd IE***. El uso de la ley de Ohm conduce a

Vi = Vbe = Ie re ≅ β Ibre

Figura 7.21 (a) Transistor BJT de emisor común (b) modelo aproximado para la
configuración de la figura 7.21ª
Figura 7.22 Determinación de Zi empleando el modelo aproximado.

La sustitución nos lleva a

Zi ≅ β re

En esencia, la ecuación (7.19) establece que la impedancia de entrada


para una situación tal como la mostrada en la figura 7.23 es beta veces el
valor de re. En otras palabras, un elemento resistivo en la terminal del
emisor se refleja en el circuito de entrada por un factor multiplicativo β .
Por ejemplo, si re = 6.5 ohms como en el ejemplo 7.4, re = 160 (situación
bastante común a la impedancia de entrada se incrementa a un nivel de

Zi ≅ β re = (160)(6.5 ohms) = 1.04 kohms

Figura 7.23 Impacto de re sobre la impedancia de entrada.


Para la configuración de emisor común, los valores típicos de Zi que se
definen mediante re, oscilan desde unos cuantos cientos de ohms hasta
el orden los kilohms, con valores máximos de entre 6 y 7 kilohms.

Para la impedancia de salida las características de interés son el


conjunto de salida de la figura 7.24, Obsérvese que la pendiente de las
curvas se incrementa con el aumento en la comente de colector. Cuanto
más elevada sea la pendiente, menor será el nivel de la impedancia de
salida (Zo). El modelo re de la figura 7.21 no incluye una impedancia de
salida, pero si se halla disponible a partir de un análisis gráfico o de hojas
de datos, puede incluirse como se ilustra en la figura 7.25.

Figura 7.24 Definición de ro para la configuración de emisor común.


Figura 7.25 Inserción de ro en el circuito equivalente de transistor.

Para la configuración de emisor común, valores típicos de Zo se


encuentran en el intervalo que va de los 40 a los 50 kohms.

Para el modelo de la figura 7.25, si se establece a cero la señal aplicada,


la corriente es de O A y la impedancia de salida es

Zo = ro

Por supuesto, si la contribución debida a ro se ignora como en el caso del


modelo re la impedancia de salida se define por Zo = ∞ Ω .

La ganancia de voltaje para la configuración de emisor común se


determinará ahora por la configuración de la figura 7.26 haciendo uso de
la suposición que Zo = ∞ Ω . El efecto de incluir ro se considerará en el
capítulo 6. Para la dirección definida por Io y polaridad de Vo,

Vo = -IoRL
Figura 7.26 Determinación de la ganancia de voltaje y corriente para el
amplificador de transistor de emisor común.

El signo menos refleja simplemente el hecho de que la dirección de Io en


la figura 7.26 establecerá un voltaje Vo con polaridad opuesta. Al
continuar llegamos a

Vo = -IoRL = -ICRL = -β IbRL

Vi = IiZi = Ibβ re

Av = Vo / Vi = -β IbRL / Ibβ re

Av = -RL / re

El signo menos resultante para la ganancia de voltaje revela que los


voltajes de entrada y salida se encuentran desfasados en 180°. La
ganancia de corriente para la configuración de la figura 7.26:

Ai = Io / Ii = IC / Ib = β Ib / Ib

Ai = β
Utilizando el hecho de que la impedancia de entrada es β re que la
corriente de colector es β Ib y que la impedancia de salida es ro el modelo
equivalente de la figura 7.27 puede ser una herramienta efectiva para el
análisis que sigue a continuación. Para valores de parámetros típicos la
configuración de emisor común puede considerarse como aquella que
disfruta de un nivel moderado de impedancia de entrada, un voltaje y una
ganancia de corriente altos, y una impedancia de salida que puede tener
que incluirse en el análisis de la red.

Figura 7.27 Modelo re para la configuración de transistor de emisor común.

Configuración de colector común

Para la configuración de colector común normalmente se aplica el


modelo definido para la configuración de emisor común de la figura 7.21,
en vez de definir un modelo propio para la configuración de colector
común. En capítulos subsecuentes se investigarán varias
configuraciones de colector común y llegara a ser evidente el efecto de
utilizar el mismo modelo.
4.5 El modelo equivalente híbrido.
En la sección 4.4 se señaló que el modelo re para un transistor es
sensible al nivel de operación de cd del amplificador. El resultado es una
resistencia de entrada que variará en el punto de operación de cd. Para
el modelo equivalente híbrido que se describirá en esta sección se
definen los parámetros en un punto de operación que puede o no reflejar
1as condiciones de operación reales del amplificador. Esto se debe al
hecho de que las hojas de especificaciones no pueden proporcionar los
parámetros para un circuito equivalente para todo punto de operación
posible. Los fabricantes deben escoger las condiciones de operación que
creen que reflejarán las características generales del dispositivo.

Figura 7.32 Circuito equivalente híbrido completo.


5 nálisis de pequeña señal del BJT
5.1 Polarización por divisor de voltaje.
Los modelos de transistores que se presentan en el capítulo 3 se
utilizarán ahora para realizar el análisis de ca de pequeña señal de un
buen número de configuraciones estándar de redes con transistor. Las
redes que se analizarán representan la mayor parte de las que aparecen
en la práctica actual. Las modificaciones de las configuraciones estándar
se examinarán con relativa facilidad una vez que el contenido de este
capitulo se haya revisado y entendido.

Ya que el modelo re es sensible al punto de operación real, será nuestro


modelo principal para el análisis que se realizará. Sin embargo, para
cada configuración se examina el efecto de una impedancia de salida
como se proporciona mediante el parámetro hoe del modelo equivalente
híbrido. Para demostrar las semejanzas que existen en el análisis entre
los modelos, se ha dedicado una sección al análisis de pequeña señal de
redes BJT empleando únicamente el modelo equivalente híbrido.
Circuito equivalente para CD

Circuito equivalente para CA.


• Zi:

• Zo:

Zo = Rc

• Av:

Vo = -IORL
IO = (ICRC)/(RC+RL) ⇒ VO = -(ICRC)RL /(RC+RL)
Vo = ViR'L / re ⇒ Vo / Vi = -R'L / re
Av = -R'L / re

• Ai: Frecuentemente el valor de R' es muy cercano a β re por lo tanto no


puede ser ignorado.

Ib = R'Ii / (R' + β re)


ó
Ib / Ii = R' / (R' + β re)
En la salida

Efecto de ro: Zi no cambia pero Zo = ro Rc


ro = 1 / hoe

Ai = I o / I i

Ejemplo:
Calcule el punto Q, re, Zi, Zo, Av, Ai para el amplificador que se muestra:

f = 1 kHz
Xc ≤ 0.1 R
C1 ≥ 10 / 2π f ≥ 0.22 uF
C2 ≥ 1.3 uF
C3 ≥ 1.06 uF

Análisis de CD:
β RE = (90)(1.5 kΩ ) = 135 kΩ
10R2 = (10)(8.2 kΩ ) = 82 kΩ , ∴ β RE > 10R2
∴ se puede emplear el análisis aproximado

VE = VB - VBE = 2.81 - 0.7 = 2.11 Vcd


IE = VE / RE =2.11 V / 1.5 kΩ = 1.41 mA
VCE = VCC - IC(RC + RE), donde IC ≈ IE
VCE = 22 - (1.41mA)(6.8 kΩ + 1.5 kΩ ) = 10.297 Vcd
Punto Qcd: (10.297 V, 1.41 mA)

Análisis de CA:
re = 26 mV / IE = 26 mV / 1.41 mA

re = 18.44 Ω

β re =(90)(18.44) = 1.66 kΩ

Zi = 1.35 kΩ
Zo = Rc = 6.8 kΩ , si se toma en cuenta ro suponga que el transistor es el
2N4123: hoe = 14 u para Ic ≈ 1.41 mA

Av = 66.64

Ai = 59.84
5.2 Configuración de polarización de
emisor para emisor común.

Circuito equivalente de CD
Circuito equivalente de CA

Como Vi está en paralelo con RB y con la suma de β re + β RE ⇒ Vi = IRB


RB ó

Vi = Ibβ re + IeRE = Ibβ re + (β + 1)IbRE

Zb = Vi / Ib = β re + (β +1)RE
Zb ≈ β (re + RE), si RE >> re ⇒ Zb ≈ β RE

Zi:

Ejemplo

Dado el siguiente circuito encuentre:

a. Punto Q y valor exacto para IE


b. Zi
c. Zo (sin ro y con ro) suponga que hoe = 55 uU
d. Av
e. Ai
a)

IE = (β + 1)IB = (121)(46.5 uA) = 5.63 mA


Ic = β IB =(120)(46.5 uA) = 5.58 mA
VCE = Vcc - Ic (Rc + RE) = 20 - (5.58 mA)(1.3k + 1.2k) = 6.05 Vcd
Punto Q (6.05 Vcd, 5.58 mA)
IE = 5.63 mA

b)

re = 26 mV / 5.63 mA = 4.62 ohms

Zi = 94.65 kohms

c)
Zo = Rc
Zo = 1.3 kΩ (sin ro)

Si ro = 1 / hoe =1 / 55 uU =18.18 kΩ

Zo = 1.21 kΩ (con ro)

d)
Av = -0.3

e)

Ai = 40.52

Zo:
Si Vi = 0, Ib = 0 y β Ib es un corto circuito
Zo = Rc

Av :

Av: Frecuentemente la magnitud de RB es muy cercana a Zb,


por lo tanto no se puede aproximar Ib = Ii. Es necesario
aplicar la regla del divisor de corriente.
Efecto de ro: La colocación de ro para esta configuración es
tal que para los valores de parámetros típicos, el efecto de ro
sobre la impedancia de salida y ganancia de voltaje se
pueden ignorar:

5.3 Configuración de emisor seguidor.


Cuando la salida se toma en la terminal del emisor, en lugar de en el colector, la
red recibe el nombre de emisor seguidor.

El voltaje de salida (CA) siempre es un poco menor que la señal de entrada,


debido a la caída de base a emisor, a pesar de esto la aproximación Av ≈ 1 casi
siempre es satisfactoria.

A diferencia del voltaje en el colector, el voltaje en el emisor está en fase con la


señal Vi, de ahí el nombre de "emisor seguidor".
En la figura se muestra la configuración más común de emisor seguidor. Como se
puede observar, para análisis de CA el colector está conectado a tierra, así que
ésta es una configuración de colector de colector común.

Esta configuración se utiliza con propósitos de acoplamiento de impedancia.


Presenta una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo
cual es opuesto por completo a las configuraciones anteriores. El efecto
resultante es muy similar al que se obtiene con un transformador.

Circuito equivalente de CD
Malla de Entrada

Malla de Salida

Circuito equivalente de CA

Nótese que Vi está en paralelo con RB, pero también con β re + β R'L, así que: Vi
= ZbIb

Zi:
Así que

Zo:

, y en términos de Ie multiplicando por β + 1

Si se dibujara un circuito representando a esta ecuación:

Recuerde que para obtener Zo, Vi se establece a cero volts, así que:

Si se toma en cuenta ro ⇒ R'L está en paralelo con ro

Av: De la figura anterior se puede obtener la ganancia de voltaje.


Ai: De la figura del circuito equivalente:

La siguiente es también una red de emisor seguidor, pero se polariza por divisor
de voltaje.
En este caso para CA se sustituye RB por R1 paralela a R2 y para CD se aplica lo
visto para la polarización por divisor de voltaje, si β RE ≥ 10R2 ⇒ Análisis
aproximado. En el caso contrario se aplica el análisis exacto.

La siguiente también es una red de emisor seguidor, la cual utiliza polarización


por divisor de voltaje y además se incluye una resistencia en el colector para
controlar el VCE.

Para el análisis en CA, la RC incluida no tiene efecto, ni en Zo, ni en la ganancia y


RB se sustituye por R1 paralela a R2.
Para CD es un circuito de polarización por divisor de voltaje.

Ejemplo:

Para la red de emisor seguidor que se muestra en la figura calcule:

a. Punto Q
b. re
c. Parámetros: Zi, Zo, Av, Ai.

a) Circuito equivalente de CD:


b)

c)

Apéndice al capítulo 5.

CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN CON POLARIZACIÓN FIJA

Circuitos Equivalentes de CA
Zi:

Zo: Impedancia de salida = Zo para Vi = 0 ⇒ Ib = 0, Zo = Rc

Av:

El signo menos indica que la polaridad de Vo es opuesta a la definida por la


dirección indicada de Io.
Ai:

Efecto de ro: Zi no cambia, pero


6 Transistor de efecto de campo (FET).
6.1 Introducción al transistor de efecto de
campo.
El transistor de efecto de campo (FET = Field-Effect Transistor) es un
dispositivo de tres terminales que se emplea para una amplia variedad de
aplicaciones que coinciden, en gran parte, con aquellas correspondientes
al transistor BJT descritas en los capítulos 2 y 3. Aunque existen
diferencias importantes entre los dos tipos de dispositivos, también hay
muchas semejanzas que se indicarán en las secciones que siguen.

La diferencia principal entre las dos clases de transistores es el hecho de


que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, como se
ilustra en la figura 5.1a, mientras que el transistor JFET es un dispositivo
controlado por voltaje, como se muestra en la figura 5.1b. En otras
palabras, la corriente IC en la figura 5.1a es una función directa del nivel

de IB. Para el FET la corriente ID será una función del voltaje vGS aplicado
a la entrada del circuito, como se ilustra en la figura 5.1. En cada caso la
corriente de la salida del circuito se controla por un parámetro del circuito
de entrada, en un caso un nivel de corriente y en otro un voltaje aplicado.
Figura 5.1 Amplificador controlado por corriente (a) y (b) amplificador controlado
por voltaje.

Así como hay transistores bipolares npn y pnp, existen transistores de


efecto de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante tener
en cuenta que el transistor BJT es un dispositivo bipolar (el prefijo bi-
revela que el nivel de conducción es una función de dos portadores de
carga, electrones y huecos). El FET es un dispositivo unipolar que
depende únicamente ya sea de la conducción por electrones (canal- n) o
por huecos (canal-p).

El término "efecto de campo" en el nombre elegido amerita una


explicación. Todos estamos familiarizados con la habilidad de un imán
permanente de atraer limaduras de metal sin necesidad de un contacto
físico directo. El campo magnético de un imán permanente actúa sobre
las limaduras y las atrae hacia el imán a través de un esfuerzo por parte
de las líneas de flujo magnético, para mantenerlas a tan corta distancia
como sea posible. Para el FET sé establece un campo eléctrico por
medio de las cargas presentes que controlarán la trayectoria de
conducción del circuito de salida, sin necesidad de un contacto directo
entre la cantidad que controla y la que es controlada.

Cuando se introduce un segundo dispositivo con un rango de


aplicaciones semejante a otro presentado con anterioridad, existe una
tendencia natural a comparar algunas de las características generales de
uno contra el otro. Una de las características más importantes del FET es
su alta impedancia de entrada. En un nivel de 1 hasta varios cientos de
megaohms, este dispositivo excederá con mucho los niveles típicos de
resistencia de entrada de las configuraciones con transistores BJT, una
característica muy importante en el diseño de sistemas amplificadores
lineales de ca. Por otro lado, el transistor BJT tiene una sensibilidad
mucho mayor a los cambios en la señal aplicada. En otras palabras, la
variación en la corriente de salida es por lo general mucho mayor para
los BJT que para los FET, con el mismo cambio en el voltaje. Por esta
razón, las ganancias típicas de voltaje de ca para amplificadores BJT son
mucho mayores que para FET. En general los FET son más estables con
relación a la temperatura que los BJT, y los FET son normalmente más
pequeños en construcción que los BJT, haciéndolos particularmente
útiles en circuitos integrados (CI). Sin embargo, las características de
construcción de algunos FET pueden hacerlos más sensibles al manejo
que los BJT.

En este capítulo se introducirán dos tipos de FET: el transistor de efecto


de campo de unión (JFET) y el transistor de efecto de campo de metal-
óxido-semiconductor MOSFET. La categoría MOSFET se subdivide
posteriormente en los tipos decremental e incremental, que se
describirán en su oportunidad. El transistor MOSFET se ha convertido en
uno de los más importantes dispositivos empleados en el diseño y
construcción de circuitos integrados para computadoras digitales. Su
estabilidad térmica otras características generales lo han hecho
extremadamente popular en e) diseño de circuitos de computadora. Sin
embargo, ya que es un elemento discreto en un típico encapsulado
cilíndrico, debe manejarse con cuidado (como se discutirá en una
sección posterior).

Una vez que se presenten las características y la construcción del FET,


se cubrirán los arreglos de polarización en el capítulo 7. El análisis
realizado en el capítulo 3 empleando transistores BJT probará su utilidad
en la derivación de las ecuaciones importantes y la comprensión de los
resultados obtenidos para los circuitos FET.

6.2 Construcción y características de los


JFET.
Como se indicó con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres
terminales, siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente
entre las otras dos. En nuestra explicación sobre el transistor BJT se
utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de
análisis y diseño, con una sección dedicada a los efectos resultantes de
emplear un transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo de canal-
n aparecerá como el dispositivo predominante, con párrafos y secciones
dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p.

La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura 5.2.


Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que
forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p. El extremo
superior del canal tipo n se conecta mediante contacto óhmico a la
terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo
inferior del mismo material se conecta por medio de contacto óhmico a la
terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se
encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de
compuerta (gate) (Q). Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se
conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta, a las
dos capas del material tipo p. En ausencia de cualquiera de los
potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin
polarización. El resultado es una región de agotamiento en cada unión,
como se ilustra en la figura 5.2, que se parece a la misma región de un
diodo bajo condiciones sin polarización. Recuérdese también que una
región de agotamiento es aquella región carente de portadores libres y
por lo tanto incapaz de permitir la conducción a través de la región.

Figura 5.2 Transistor de unión de efecto de campo (JFET).


Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser
engañosas, pero la analogía hidráulica de la figura 5.3 proporciona un
sentido al control del JFET en la terminal de compuerta y a la
conveniencia de la terminología aplicada a las terminales del dispositivo.
La fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje aplicado del
drenaje a la fuente, el cual establecerá un flujo de agua (electrones)
desde el grifo o llave (fuente). La "compuerta", por medio de una señal
aplicada (potencial), controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje".
Las terminales del drenaje y la fuente están en los extremos opuestos del
canal-n, como se ilustra en la figura 5.2, debido a que la terminología se
define para el flujo de electrones.

Figura 5.3 Analogía hidráulica para el mecanismo de control del JFET.

VGS = 0 V, Vds cualquier valor positivo

En la figura 5.4 se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a través del canal


y la compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para
establecer la condición VGS = 0 V. El resultado es que las terminales de
compuerta y fuente se hallan al mismo potencial y hay una región de
agotamiento en el extremo inferior de cada material p, semejante a la
distribución de las condiciones sin polarización de la figura 5.2. En el
instante que el voltaje vDD ( = VDS) se aplica, los electrones serán atraídos
hacia la terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional ID
con la dirección definida de la figura 5.4. La trayectoria del flujo de carga
revela con claridad que las comentes de fuente y drenaje son
equivalentes (ID = Is). Bajo las condiciones que aparecen en la figura 5.4,
el flujo de carga es relativamente permitido y limitado únicamente por la
resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente.

Figura 5.4 JFET en la región VGS = 0 V y VDS > 0 V.

Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha


cerca del extremo superior de ambos materiales tipo p. La razón para el
cambio en la anchura de la región se puede describir mejor con la ayuda
de la figura 5.5. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-n, la
resistencia del canal puede dividirse en las partes que aparecen en la
figura 5.5. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a través del
canal, como se indica en la misma figura. El resultado es que la región
superior del material tipo p estará inversamente polarizada alrededor de
los 1.5 V, con la región inferior inversamente polarizada sólo en los 0.5 V.
Recuérdese, la explicación de la operación del diodo, que cuanto mayor
sea la polarización inversa aplicada, mayor será la anchura de la región
de agotamiento, de aquí la distribución de la región de agotamiento que
se muestra en la figura 5.5. El hecho de que la unión p-n esté
inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una
corriente de compuerta de cero amperes, como se ilustra en la misma

figura. El hecho que iG = O A es una importante característica del JFET.

Figura 5.5 Variación de los potenciales de polarización inversa a través de la unión


p-n de un JFET de canal n.

En cuanto el voltaje VDS se incrementa de O a unos cuantos voltios, la


corriente aumentará según se determina por la ley de Ohm, y la gráfica
de ID contra VDS aparecerá como se ilustra en la figura 5.6. La relativa
linealidad de la gráfica revela que para la región de valores inferiores de
VDS la resistencia es esencialmente una constante. A medida que VDS se
incrementa y se aproxima a un nivel denominado como Vp en la figura
5.6, las regiones de agotamiento de la figura 5.4 se ampliarán,
ocasionando una notable reducción en la anchura del canal. La reducida
trayectoria de conducción causa que la resistencia se incremente, y
provoca la curva en la gráfica de la figura 5.6. Cuanto más horizontal sea
la curva, más grande será la resistencia, lo que sugiere que la resistencia
se aproxima a "infinitos" ohmios en la región horizontal. Si VDS se
incrementa hasta un nivel donde parezca que las dos regiones de
agotamiento se "tocarían", como se ilustra en la figura 5.7, se tendría una
condición denominada como estrechamiento (pinch-off). El nivel de VDS
que establece esta condición se conoce como el voltaje dé
estrechamiento y se denota por Vp, como se muestra en la figura 5.6. En
realidad, el término "estrechamiento" es un nombre inapropiado en

cuanto a que sugiere que la corriente iD disminuye, al estrecharse el


canal, a 0 A. Sin embargo, como se muestra en la figura 5.6, es poco
probable que ocurra este caso, ya que ID mantiene un nivel de saturación
definido como IDSS en la figura 5.6. En realidad existe todavía un canal
muy pequeño, con una corriente de muy alta densidad. El hecho de que
ID no caiga por el estrechamiento y mantenga el nivel de saturación
indicado en la figura 5.6 se verifica por el siguiente hecho: la ausencia de
una corriente de drenaje eliminaría la posibilidad de diferentes niveles de
potencial a través del canal de material n, para establecer los niveles de
variación de polarización inversa a lo largo de la unión p-n. El resultado
sería una pérdida de la distribución de la región de agotamiento, que
ocasiona en primer lugar el estrechamiento.
Figura 5.6 ID contra VDS para VGS = 0 V.

Figura 5.7 Estrechamiento (VGS = 0 V, VDS = Vp).

A medida que VDs incrementa su valor más allá de Vp, la región de


estrechamiento cutre las dos regiones de agotamiento aumentará en
longitud a lo largo del canal, pero el nivel de ID continúa siendo
fundamentalmente el mismo. Por tanto, esencialmente, una vez que VDS
> Vp el JFET posee las características de una fuente de corriente. Como
se muestra en la figura 5.8, la corriente está fija en ID = IDSS, pero el
voltaje VDS y (para niveles > Vp ) se determina por la carga aplicada.

La elección de la notación para IDSS se deriva del hecho de que es la


corriente de drenaje a fuente con una conexión en corto circuito de la
compuerta a la fuente. A medida que continuemos investigando las
características del dispositivo hallaremos que: Idss es la máxima corriente
de drenaje, para un JFET y se define por las condiciones VGS = 0 V y VDS
> Vp. Nótese en la figura 5.6 que VGS = O V para la longitud total de la
curva. Los breves párrafos siguientes describirán cómo se afectan las
características de la figura 5.6 a causa de los cambios en el nivel de
VGS.

Figura 5.8 Fuente de corriente equivalente para VGS = 0 V, VDS > Vp.

VGS < o v

El voltaje de la compuerta a la fuente, que se denota como VGS es el


voltaje de control del JFET. Del mismo modo que fueron establecidas
varias curvas de IC contra VCE para diferentes niveles de IB para el
transistor BJT, pueden desarrollarse curvas de ID contra VDS para varios
niveles de VGS para el JFET. Para el dispositivo de canal n el voltaje de
control VGS se hace más y más negativo con respecto a. su nivel de VGS =
O V. En otras palabras, la terminal de compuerta se situará en niveles de
potencia cada vez más bajos en comparación con la fuente.

En la figura 5.9 se ha aplicado un voltaje negativo de -1 V entre las


terminales de compuerta y fuente para un nivel bajo de VDS. El efecto de
la polarización negativa aplicada VGS es el de establecer regiones de
agotamiento semejantes a las obtenidas con Vgs = 0 V pero a menores
niveles de VDS. Por lo tanto, el resultado de aplicar una polarización
negativa a la compuerta es el de alcanzar el nivel de saturación a un
nivel menor de VDS, como se ilustra en la figura 5.10 para VGS = -1 V. El
nivel de saturación resultante para ID se ha reducido y de hecho
continuará disminuyendo en tanto VGS continúe haciéndose más y más
negativo. Obsérvese también en la figura 5.10 cómo el voltaje de
estrechamiento continúa decayendo en forma parabólica a medida que

VGS se vuelve más y más negativo. Eventualmente, cuando vGS = -Vp,


VGS, será lo suficientemente negativo para establecer un nivel de
saturación que es esencialmente de O mA, y para todos los fines
prácticos el dispositivo se habrá "apagado". En resumen:

El nivel de vGS que resulta en ID = 0 mA se define por VGS = Vp, siendo


Vp, un voltaje negativo para dispositivos de canal n y un voltaje positivo
para JFETs de canal-p.
Figura 5.9 Aplicación de un voltaje negativo a la compuerta de un JFET.

En la mayoría de las hojas de especificaciones, el voltaje de


estrechamiento se especifica como VGS (apagado), en lugar de Vp, Se
revisará una hoja de especificaciones posteriormente en el capítulo,
cuando se hayan introducido los elementos principales de interés. La
región de la derecha de la curva de estrechamiento de la figura 5.10 es la
región normalmente empleada para amplificadores lineales
(amplificadores con una mínima distorsión de la señal aplicada) y se le
conoce comúnmente como región de corriente constante, de saturación o
de amplificación lineal.
Figura 5.10 Características de un JFET de canal n con IDSS = 8 mA y Vp = -4 V.

6.3 Características de transferencia.


Derivación

Para el transistor BJT la corriente de salida IC y la comente controladora


de entrada IB estaban relacionadas por medio del factor beta, el cual se
consideraba constante para el análisis a realizarse. En forma de
ecuación,

En la ecuación anterior existe una relación lineal entre IC e IB. Duplíquese


el nivel de IB e IC, también se incrementará por un factor de 2.
Desafortunadamente, esta relación lineal no existe entre las cantidades
de salida y entrada de un JFET. La relación entre ID y VGS se define por la
ecuación de Shockley:

El término cuadrado de la ecuación dará como resultado una relación no


lineal entre ID y VGS, produciendo una curva que crece exponencialmente
con el incremento de los valores de VGS.

Para el análisis de cd que se realizará en el capítulo 7, será más fácil y


directo en general aplicar un enfoque más gráfico que matemático. Sin
embargo, el enfoque gráfico requerirá una gráfica de la ecuación anterior
para representar el dispositivo y una gráfica de la ecuación de la red
relacionando las mismas variables. La solución está definida por el punto
de intersección de las dos curvas. Es importante tener en cuenta cuando
se aplique el enfoque gráfico que las características del dispositivo no se
afectarán por la red en la que se emplea el dispositivo. La ecuación de la
red puede cambiar junto con la intersección entre las dos curvas, pero la
curva de transferencia definida por la ecuación (5.3) no se afecta. Por lo
tanto, en general:

Las características de transferencia definidas por la ecuación de


Shockley se mantienen sin afectarse por la red en la que se emplea el
dispositivo.
La curva de transferencia puede obtenerse utilizando la ecuación de
Shockley o a partir de las características de salida de la figura 5.10. En la
figura 5.15 se suministran dos gráficas con la escala vertical en
miliampereos para cada gráfica. Una es la gráfica de ID contra VDS,
mientras que la otra es de ID contra VGS. Haciendo uso de las
características del drenaje a la derecha del eje de las "y", se puede trazar
una línea horizontal desde la región de saturación denotada por VGS = 0 V
hasta el eje de ID. El nivel de corriente resultante para ambas gráficas es
IDSS. El punto de intersección sobre la curva de ID contra VGS se
encontrará como se ilustra, ya que el eje vertical se define como VGS = O
V. En resumen: Cuando VGS = 0 V, ID = IDSS.

Figura 5.15 Obtención de la curva de transferencia a partir de las características


de drenaje.
Cuando VGS = Vp = -4 V, la corriente de drenaje es de 0 miliampereos, y
define otro punto sobre la curva de transferencia. Es decir: Cuando VGS =
Vp, ID = 0 mA.

Antes de proseguir, es importante enfatizar que las características de


drenaje relacionan una cantidad de salida (o drenaje) a una cantidad de
entrada (o compuerta). ambos ejes se definen por variables en la misma
región de las características del dispositivo. Las características de
transferencia son la gráfica de una corriente de salida (o drenaje) contra
una cantidad controlada de entrada. Existe, por lo tanto, una
"transferencia" directa de variables de entrada a variables de salida
cuando se emplea la si curva a la izquierda de la figura 5.15. Si la
relación fuera lineal, la gráfica de ID contra VGS resultaría en una línea
recta entre VDSS y Vp. Sin embargo, se obtendrá una curva parabólica
debido a que el espaciado vertical entre los pasos de VGS sobre las
características de drenaje de la figura 5.15 decrece notablemente a
medida que VGS se hace cada vez más negativo. Compárese el
espaciado entre VGS = O V y VGS = -1 V con el que se da entra VGS = -3 V
y el estrechamiento. El cambio en VGS es el mismo, pero el cambio
resultante en ID es muy diferente.

Si se dibuja una línea horizontal desde la curva para VGS = -1 V hasta el


eje de ID y luego se extiende hasta el otro eje, puede localizarse otro
punto sobre la curva de transferencia. Nótese que VGS = -1 V sobre el eje
inferior de la curva de transferencia con ID = 4.5 mA. Obsérvese en la
definición de ID a VGS = O V y -1 V que se utilizan los niveles de
saturación de ID y se ignora la región óhmica. Al continuar con VGS = -2 V
y -3 V puede completarse la curva de transferencia. Esta es la curva de
transferencia de ID contra VGS que se utilizará con mucha frecuencia en el
análisis del capitulo 7 y no las características de drenaje de la figura 5.15.
En los siguientes párrafos se presentará un' rápido y eficaz método para
graficar ID contra VGS dados únicamente los niveles de IDSS y Vp, así como
la ecuación de Shockley.

Aplicación de la ecuación de Shockley

La curva de transferencia de la figura 5.15 puede obtenerse en forma


directa mediante la ecuación de Shockley (5.3), dando simplemente los
valores de IDSS y Vp. Los niveles de Idss y Vp definen los límites de la curva
sobre ambos ejes y dejan solamente la necesidad de encontrar unos
cuantos puntos intermedios de graficación. La validez de la ecuación
(5.3) como una fuente para la curva de transferencia de la figura 5.15 se
demuestra mejor al examinar unos cuantos niveles específicos de una
variable y hallando el nivel resultante de la otra, en la forma siguiente:
Sustituyendo VGS = 0 V se obtiene

Al sustituir VGS = Vp resulta que


Para las características de drenaje de la figura 5.15, si sustituimos VGS = -
1 V,

como se muestra en la figura 5.15. Adviértase la precaución con la que


se manejan los signos negativos para VGS y Vp en los cálculos anteriores.
La pérdida de un signo daría un resultado totalmente erróneo.

Debería ser obvio de lo anterior que dadas IDSS y Vp (como se proporciona


una regla general en las hojas de especificaciones), el nivel de ID puede
hallarse para cualquier nivel de VGS. A la inversa, por medio del uso de
álgebra básica podemos obtener [de la ecuación (5.3)] una ecuación para
el nivel resultante de VGS para un nivel dado de ID. La derivación es
bastante directa y dará como resultado

Probemos la ecuación anterior para hallar el nivel de VGS que resultará en


una corriente de drenaje de 4.5 m A, para el dispositivo con las
características de la figura 5.15

tal y como se sustituyó en el cálculo anterior y se verificó por la figura


5.15.
RELACIONES IMPORTANTES

En las últimas secciones se han introducido varias ecuaciones


importantes y características de operación que son de particular interés
para el análisis a seguir relacionado con las configuraciones de cd y ca.
En un esfuerzo por aislar y enfatizar su importancia se reproducen a
continuación, junto con la ecuación correspondiente para el transistor
BJT. Las ecuaciones JFET se definen para la configuración de la figura
5.22a, mientras que las ecuaciones BJT se relacionan con la figura
5.22b.

Figura 5.22 (a) JFET contra (b) BJT.


MOSFET DE TIPO DECREMENTAL

Como se habrá observado en la introducción del capítulo, hay dos tipos


de FET: JFET y MOSFET. Los MOSFET además se dividen en tipo
decremental y tipo incremental. Los términos decremental e incremental
definen sus modos básicos de operación, mientras que la palabra
MOSFET significa transistor de efecto de campo de metal óxido
semiconductor (metal-oxide-semiconductor-field-effect transistor). Puesto
que existen diferencias en las características y operación de cada tipo de
MOSFET, éstos son tratados en secciones separadas. En esta sección
examinaremos el MOSPET tipo decremental, que parece tener
características similares a las de un JFET entre el corte y la saturación
para IDSS, pero luego tiene el rasgo adicional de las características que se
extienden dentro de la región de polaridad opuesta para VGS.

Construcción básica

La construcción básela de un MOSFET de tipo decremental de canal n


se esquematiza en la figura 5.23. Una "plancha" de material tipo p se
forma en una base de silicio y se le denomina sustrato. Es el cimiento
sobre el que se construirá el dispositivo. En algunos casos el sustrato se
conecta internamente con la terminal fuente. Sin embargo, muchos
dispositivos discretos suministran una terminal adicional denominada SS,
resultando un dispositivo de cuatro terminales, como el que aparece en la
figura 5.23. Las terminales de fuente y drenaje se conectan a través de
contactos metálicos a las regiones con dopado tipo n (n dopadas) unidas
mediante un canal n, como se muestra en la figura. La compuerta
también se conecta a una superficie de contacto metálico pero
permanece aislada del canal n por una capa muy delgada de dióxido de
silicio (SiO2). El SiO2 es un tipo particular de aislante conocido como un
dieléctrico, que establece una oposición (como se indica por el prefijo di-)
de campos eléctricos dentro del dieléctrico, cuando éste se expone a un
campo externamente aplicado. El hecho de que la capa de SiO2 sea una
capa aislante revela el hecho siguiente:

No hay una conexión eléctrica directa entre la terminal de compuerta y el


canal para un MOSFET.

Además:

La capa aislante de SiO2 en la construcción del MOSFET es la que


cuenta para la muy conveniente alta impedancia de entrada del
dispositivo.

Figura 5.23 MOSFET de tipo decremental de canal n.


De hecho, la resistencia de entrada de un MOSFET es con frecuencia la
del JFET típico, aun cuando la impedancia de entrada de la mayoría de
los JFET sea suficientemente alta para la mayor parte de las
aplicaciones. La muy alta impedancia de entrada continúa para soportar
el hecho de que la corriente de compuerta (IG) es esencialmente de cero
amperes para las configuraciones polarizadas de cd.

La razón para el nombre FET metal-óxido-semiconductor es ahora


bastante obvia. El metal por las condiciones de compuerta, fuente y
drenaje a la superficie adecuada (en particular, la terminal de compuerta
y el control que ofrece por la terminal de contacto superficial), el óxido
por la capa aislante de dióxido de silicio, y el semiconductor por la
estructura básica sobre las que se difunden las regiones tipo n y p. La
capa aislante entre la compuerta y el canal ha dado por resultado otro
nombre para el dispositivo: FET de compuerta aislada (insulated-gate) o
IGFET, aunque esta denominación se utiliza cada vez menos en la
literatura actual.

Operación básica y características

En la figura 5.24 el voltaje compuerta-fuente se fija a cero voltios por la


conexión directa de una terminal a la otra, y se aplica un voltaje VDS a
través de las terminales drenaje-fuente. El resultado es una atracción de
los electrones libres del canal n por el potencial positivo del drenaje y una
corriente similar a la establecida a través del canal del JFET. De hecho,
la corriente resultante con VGS = O V continúa denominándose IDSS.
Figura 5.24 MOSFET de tipo incremental de canal n con VGS = 0 V y un voltaje
aplicado VDD.

MANEJO DE LOS MOSFET

La delgada capa de SiO2 entre la compuerta y el canal de los MOSFET


tiene el efecto positivo de proporcionar una característica de alta
impedancia de entrada para el dispositivo, pero debido a que es
extremadamente delgada introduce una inquietud acerca de su manejo,
la cual no se hizo presente para los transistores BJT o JFET. Con
frecuencia hay suficiente acumulación de electricidad estática (la cual
recogemos de nuestro entorno) para establecer una diferencia de
potencial a través de la delgada capa que puede acabar con ella y
establecer la conducción a través de la misma. Es imperativo, por tanto,
que dejemos la laminilla (o anillo) de cortocircuitado (o conducción)
conectando las terminales del dispositivo juntas hasta que éste se inserte
en el sistema. El anillo o segmento de corto circuito previene la
posibilidad de que se aplique un potencial a través de cualquiera de las
dos terminales del dispositivo. Con el anillo la diferencia de potencial
entre cualquiera de ellas se mantiene a O V. Como mínima precaución,
tóquese siempre un conducto a tierra para permitir la descarga de la
electricidad estática acumulada antes de manejar el dispositivo, y
siempre tome el transistor por su encapsulado.

A menudo existen transitorios (cambios bruscos en voltaje o corriente) en


una ,red cuando son removidos o insertados elementos y la fuente de
energía está encendida. Los niveles de transitorios pueden ser con
frecuencia más de lo que el dispositivo puede soportar y, por lo tanto, la
fuente de energía siempre deberá apagarse cuando se efectúen cambios
en la red. El máximo voltaje de compuerta-fuente por lo general se
proporciona en la lista de valores nominales máximos de dispositivo.

Un método para asegurarse de que no se exceda este voltaje (quizás a


causa de efectos transitorios) para cualquier polaridad es introducir dos
diodos Zener, como se ilustra en la figura 5.41. Los Zener se colocan
frente a frente para asegurar la protección de cualquier polaridad. Si
ambos diodos Zener fueran de 30 V y surgiera un transitorio positivo de
40 V, el Zener inferior se "dispararía" a 30 V y el diodo superior se
activaría con una caída de cero voltios (en forma ideal, por la región de
conducción positiva de un diodo semiconductor) a través del otro diodo.
El resultado es un máximo de 30 V para el voltaje de compuerta-fuente.
Una desventaja introducida por la protección Zener es que la resistencia
de apagado para un diodo Zener es que la resistencia de entrada
establecida por la capa de SiO2. El resultado es una reducción en la
resistencia de entrada, pero aun así es lo suficientemente alta para la
mayoría de las aplicaciones. Como un gran número de los dispositivos
discretos tienen ahora la protección Zener, algunas de las inquietudes
mencionadas anteriormente ya no son tan molestas. Sin embargo,
todavía es mejor tomar algunas precauciones cuando se manejen
dispositivos MOSFET discretos.

VMOS

Una de las desventajas de los MOSFET típicos son los reducidos niveles
de manejo de energía (en general, menos de 1 W) en comparación con
los transistores BJT. Esta leve deficiencia para un dispositivo con tantas
características positivas puede suavizarse al cambiar el modo de
construcción de naturaleza planar, como el que se ilustra en la figura
5.23, a uno con estructura vertical, como el que se muestra en la figura
5.42. Todos los elementos del MOSFET planar están presentes en el
FET vertical de óxido metálico y silicio (VMOS: Vertical Metal-Oxide-
Silicon), la superficie metálica de conexión a las terminales del
dispositivo, la capa de SiO2*** entre la compuerta y la región tipo p entre
el drenaje y la fuente para el crecimiento del canal n inducido.
Figura 5.42 Construcción del VMOS.

CMOS

Un circuito lógico muy efectivo se puede establecer al construir un


MOSFET de canal p y un MOSFET de canal n sobre el mismo sustrato,
como se muestra en la figura 5.43. Obsérvese el canal p inducido a la
izquierda y el canal n inducido a la derecha de los dispositivos de canal p
y de canal n, respectivamente. La configuración denominada arreglo
MOSFET complementario, abreviada CMOS, tiene una extensa
aplicación en el diseño de computadoras. La impedancia relativamente
alta, rápidas velocidades de conmutación y bajos niveles operativos de
energía de la configuración CMOS han ocasionado el surgimiento de una
disciplina completamente nueva conocida como diseño lógico de CMOS.
Figura 5.44 Inversor CMOS.

7 Polarización de CD del FET.


7.1 Configuración de polarización fija.
En el capitulo 6 encontramos que los niveles de polarización para una
configuración de transistor de silicio puede obtenerse haciendo uso de
las ecuaciones características VBE = 0.7 V, IC = IB e IC = IE. La interrelación
entre las variaciones de entrada y de salida se obtiene por β , la que se
supone de magnitud fija para el análisis por realizarse, El hecho de que
beta sea una constante establece una relación. El hecho de que beta sea
una constante establece una relación lineal entre IC e IB. Al duplicar el
valor de IB se duplica el nivel de IC, y así sucesivamente. Para el transistor
de efecto de campo la relación entre las cantidades de entrada y salida
no es lineal debido al término cuadrático en la ecuación de Shockley. Las
relaciones lineales resultan en líneas rectas cuando se traza una gráfica
de una variable contra la otra, en tanto que las funciones no lineales
resultan en curvas tales como las obtenidas para las características de
transferencia de un JFET. La relación no lineal entre ID y VGS puede
complicar el enfoque matemático para el análisis de cd de las
configuraciones con FET. Un enfoque gráfico puede limitar las soluciones
a una precisión de decenas, pero es un método más rápido para la
mayor parte de los amplificadores FET, Puesto que el enfoque gráfico es
en general más popular, el análisis de este capitulo tendrá
preferentemente una orientación gráfica en lugar de técnicas
matemáticas directas.

Otra diferencia expresa entre el análisis de los transistores BJT y FET es


que la variable controlada de entrada para un transistor BJT es un nivel
de corriente, mientras que para el FET la variable de control es un
voltaje. Sin embargo, en ambos casos, la variable controlada en el
extremo de salida es un nivel de corriente que también define los
importantes niveles de voltaje del circuito de salida. Las relaciones
generales que pueden aplicarse al análisis de cd para todos los
amplificadores FET son

IG = 0 A

ID = Is

Para JFET y MOSFET de tipo decremental, se aplica la ecuación de


Shockley para relacionar las cantidades de entrada y salida:

Es de particular importancia enfatizar que todas las ecuaciones


anteriores son únicamente para el dispositivo. No cambian para cada
configuración de red siempre que el dispositivo se encuentre en la región
activa. La red simplemente define el nivel de corriente y voltaje asociados
con el punto de operación a través de su propio conjunto de ecuaciones.
En realidad, la solución de cd para las redes FET y BJT es la solución de
las ecuaciones simultáneas establecidas por el dispositivo y la red. La
solución puede determinarse utilizando ya sea un enfoque gráfico o uno
matemático, hecho que se demostrará en las primeras redes que se
analizarán. Sin embargo, como ya se hizo ver, el enfoque gráfico es el
más popular para las redes FET y se emplea en este libro.

Las primeras secciones de esta capitulo se limitan a los JFET y al


análisis con el enfoque gráfico. El MOSFET de tipo decremental será
examinado posteriormente con su intervalo creciente de puntos de
operación, seguido del MOSFET de tipo incremental. Finalmente, se
investigarán problemas de naturaleza de diseño para poner a prueba en
forma completa los conceptos y procedimientos introducidos en este
capitulo.

El más simple de los arreglos de polarización para el JFET de canal n


aparece en la figura 6.1, Conocida como configuración de polarización
fija, es una de las pocas configuraciones FET que pueden resolverse en
forma directa utilizando tanto el enfoque gráfico como el matemático.
Ambos métodos se incluyen en esta sección para mostrar la diferencia
entre las dos filosofías, pero también para establecer el hecho de que
puede obtenerse la misma solución haciendo uso de cualesquiera de los
métodos.

La configuración de la figura 6.1 incluye los niveles de ca Vi y Vo los


capacitores de acoplamiento (C1 y C2). Recuérdese que los capacitores
de acoplamiento son "circuitos abiertos" para el análisis de cd y bajas
impedancias (esencialmente cortos circuitos) para el análisis de ca. El

resistor rG. Está presente para asegurar que Vi, aparezca a la entrada del
amplificador FET para el análisis de ca. Para el análisis de cd,

IG = 0 A

VRG = IGRG = (0A)RG = 0 V

Figura 6.1 Configuración de polarización fija.

La caída de cero voltios a través de RG permite reemplazar a rG por un


corto circuito equivalente, como aparece en la red de la figura 6.2,
específicamente redibujada para el análisis de cd.

El hecho de que la terminal negativa de la batería se conecte de manera


directa al potencial definido positivo de VGS muestra claramente que la

polaridad de VGS se opone en forma directa a vGG. Aplicando la ley de


voltaje de Kirchhoff en dirección de las manecillas del reloj a la malla
indicada de la figura 6.2, se tiene que

VGS = -VGG

Puesto que vGG es una fuente constante de cd, el voltaje VGS es de


magnitud fija, dando como resultado la denominación "configuración de
polarización fija".

Figura 6.2 Red para el análisis de cd.

El nivel resultante de corriente de drenaje ID se controla ahora por la


ecuación de Shockley:

Ya que VGS es una cantidad fija para esta configuración, su signo y su


magnitud simplemente pueden sustituirse en la ecuación de Shokley y
calcularse el nivel resultante de ID. Este es uno de los pocos ejemplos en
el cual la solución matemática para una configuración FET es bastante
directa.

Un análisis gráfico requeriría una gráfica de la ecuación de Shockley


como se muestra en la figura 6.3. Recuérdese que la elección de VGS =
Vp/2 dará como resultado una corriente de drenaje de IDSS***/4 cuando
se grafique la ecuación. Para el análisis de este capítulo, los tres puntos
definidos por IDSS***, Vp y la intersección que se acaba de describir
serán suficientes para trazar la curva.

Figura 6.3 Grafícación de la ecuación de Shockley.

En la figura 6.4 el nivel fijado de VGS se ha sobreimpuesto en forma de


una línea vertical en VGS = -VGG. En cualquier punto de la línea vertical el
nivel de VGS es -VGG (el nivel ID debe determinarse sobre esta línea
vertical). El punto donde las dos curvas se intersecan es la solución
común a la configuración (conocida generalmente como el punto estático
o de operación}. El subíndice Q se aplicará a la corriente de drenaje y al
voltaje de compuerta-fuente para identificar sus niveles en el punto Q.
Obsérvese en la figura 6.4 que el nivel estático de ID se determina al
trazar una linea horizontal desde el punto Q hasta el eje vertical ID, como
se ilustra en la figura 6.4. Es importante enfatizar que una vez que la red
de la figura 6.1 se construye y está en operación, los niveles de cd de ID y
VGS que se medirán con los medidores de la figura 6.5 son los valores
estáticos definidos por la figura 6.4.

Figura 6.4 Encontrando la solución para la configuración de polarización fija.


Figura 6.5 Medición de los valores estáticos para ID y VGS.

El voltaje de drenaje-fuente de la sección de salida puede determinarse


mediante la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff como sigue:

VDS + IDRD - VDD = 0

VDS = VDD - IDRD

Recuérdese que los voltajes con subíndice sencillo se refieren al voltaje


de un punto con respecto a tierra. Para la configuración de la figura 6.2,

VS = 0 V

Utilizando notación de subíndice doble:

VDS = VD - VS

VD = VDS + VS = VDS + 0V

VD = VDS

VGS = VG - VS

VG = VGS + VS = VGS + 0V

VG = VGS

El hecho de que VD = VDS y VG = VGS es bastante obvio del hecho que Vs


= 0 V pero las deducciones anteriores se incluyeron para enfatizar las
relaciones existentes entre la notación de subíndice doble y la de
subíndice sencillo. Puesto que la configuración requiere de dos fuentes
de poder de cd, su uso está limitado y no será incluido en la lista

subsecuente de las configuraciones más comunes de FET.

7.2 Configuración de autopolarización.


La configuración de autopolarización elimina la necesidad de tener dos
fuentes de cd. El voltaje controlador de compuerta-fuente se determina
ahora por el voltaje a través de un resistor RS introducido en la terminal
de la fuente de la configuración, como se muestra en la figura 6.8.

Figura 6.8 Configuración JFET de autopolarización.

Para el análisis de cd los capacitores pueden remplazarse de nuevo por

"circuitos abiertos", y el resistor rG, por un equivalente de corto circuito ya


que IG = 0 A. El resultado es la red de la figura 6.9 para el importante
análisis de cd. La corriente a través de Rs es la corriente de fuente, pero

Is = iD y

VRS = IDRS

Para la malla cerrada indicada de la figura 6.9, encontramos que

-VGS - VRS = 0

VGS = -VR

VGS = -IDRS

Advierta en este caso que VGS es una función de la comente de salida ID y


no un valor de magnitud constante como ocurre para la configuración de
polarización fija.

Figura 6.9 Análisis de cd para la configuración de autopolarización.


La ecuación (6.10) se define por la configuración de la red y la ecuación
de Shockley relaciona las cantidades de entrada y salida del dispositivo.
Ambas ecuaciones relacionan las mismas dos variables, permitiendo una
solución ya sea matemática o gráfica.

Una solución matemática podría obtenerse simplemente al sustituir la


ecuación (6.10) en la ecuación de Shockiey como se muestra a
continuación:

Rs, IDSS y Vp son constantes, la incógnita es ID


Bibliografía
TEXTO:

o ELECTRÓNICA TEORÍA DE CIRCUITOS. Robert Boylestad, Louis


Nashelsky. Editorial Prentice Hall. 5ª edición.

REFERENCIAS:

o MICROELECTRONICS CIRCUITS. Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith.


Oxford University Press. 4ª ed.
o PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA. Albert P. Malvino. McGraw-Hill. 3ª
edición.
o ANÁLISIS DE CIRCUITOS POR COMPUTADORA USANDO
SPICE. David Báez. Prentice Hall. 1ª edición.