Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
OBJETIVOS ESPECÍFICOS:
1. Conocer los principios de la construcción y el funcionamiento de un diodo
semiconductor.
2. Conocer los principios de la construcción y el funcionamiento de otros
diodos como el Zener y el LED.
3. Conocer algunas de las aplicaciones de un diodo de propósito general, un
diodo Zener y un LED.
4. Analizar, diseñar y construir circuitos utilizando uno o varios diodos.
5. Conocer los principios de la construcción y el funcionamiento de un
transistor de unión bipolar (BJT).
6. Aprender a polarizar (CD) un transistor de unión bipolar en sus distintas
configuraciones.
7. Conocer los principios de la construcción y el funcionamiento de un
transistor de unión bipolar.
8. Analizar, diseñar y construir circuitos simples utilizando un transistor BJT.
9. Conocer los principios de la construcción y el funcionamiento de un
transistor de efecto de campo (FET).
10. Aprender a polarizar (CD) un transistor de efecto de campo..
CONTENIDO DETALLADO:
1.5 El diodo Zener, el diodo emisor de luz (LED) y otros tipos de diodos.
4.3 Parámetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io. (Redes de dos puertos).
Apéndice al capítulo 5
(a)
(b)
(corto circuito)
(circuito abierto)
donde VR es el voltaje de polarización inverso a través del diodo e IR es la
corriente inversa en el diodo.
Figura 1.2 Estados (a) de conducción y (b) de no conducción del diodo ideal.
Figura 1.3 (a) Estado de conducción y (b) de no conducción del diodo ideal
determinados por la dirección de corriente de la red aplicada.
Elemento 1S 2S 2P 3S 3P 3d 4S 4P 4d 4f 5S 5P
_electrones
Carbono __ C __ 6 2 2_2
Germanio__Ge 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2_2
__32
Electrones por 2 8 18 32
Nivel (2 )
Material Intrínseco
Cristal de Silicio
Material Intrínseco Tipo N
Tipo N
⊕ Iones Donadores (Átomos de impurezas con 5 electrones).
- Portadores Mayoritarios.
+ Portador Minoritarios.
Tipo N
Tipo P
+ Portadores Mayoritarios.
- Portadores minoritarios.
Tipo P
Diodo Semiconductor
Las dimensiones de los bloques de material tipo N y tipo P, así como las
técnicas y tecnologías que se utilizan para unirlos no son parte de los
objetivos del curso y por esa razón no se abordará el tema, si alguien
desea saber un poco más de esto, puede consultar el capítulo 13, 20 y/o
21 del libro de texto.
Región de Agotamiento
ID = Imayoritarios - IS
mucho mayor que la resistencia promedio del diodo rd, la cual se podría
DIODOS ZENER
Principio de Funcionamiento:
V - V D - VL = 0
V = VD + IDRL
Si VD = 0:
V = IDRL ó ID = V / RL
Si ID = 0:
V = V D ó VD = V
Como se mostró anteriormente, una línea recta trazada entre estos dos
puntos define la recta de carga.
Con V = 12 volts
Realizando la malla:
V - VT - VR = 0
12 - 0.7 - IR = 0
Despejando I de la ecuación anterior:
I = (12 - 0.7)/1.2 k = 9.42 mA
3.-
6.-
V1 - VR1 - VD - VR2 + V2 = 0
10 - IR1 -0.7 - IR2 + 5 = 0
14.3 - I(R1 + R2) = 0
I = 14.3 / (4.7k + 2.2k) = 2.1 mA
Vo = VR2 - V2 = (4.56 - 5)v = -0.44v
VR2 = (2.1 mA)(2.2k) = 4.56v
7.-
10 - VR - 0.7 = 0
10 - (I)(R) - 0.7 = 0
I = 9.3 / 3.3k = 2.8 mA
VR = (I)(R) = (2.8m)(3.3k) = 9.3 v
8.-
9.-
10.-
Vp = Valor pico
Vpromedio = 0
Vcd = - 6.14V
c) Repita el inciso a) si el diodo ideal se sustituye por uno de silicio y Vi =
179.6 sen ωt volts.
El VPI del diodo no debe excederse (Vm < VPI) ya que de lo contrario, el
diodo entraría en la región de avalancha o región Zener.
RECORTADORES
Ejemplo:
Figura 2.74
Solución:
Las experiencias anteriores sugieren que el diodo se encontrará en el
estado de conducción en la región positiva de vi (en especial al notar la
contribución de V = 5V). La red aparecerá entonces como se ilustra en la
figura 2.75 y vo = vi + 5V. Sustituyendo id = 0 en vd = 0 para los niveles de
transición, obtenemos la red de la figura 2.76 y vi = -5V.
Para voltajes más negativos que -5V, el diodo está en estado de circuito
abierto en tanto que para voltajes más positivos que -5V el diodo está en
estado de corto circuito. Los voltajes de estrada y de salida aparecen en
la figura 2.77.
En paralelo
Ejemplo:
Solución
-V - V - v o = 0
vo = -2V
Solución
-20 V + Vc - 5 V = 0
Vc = 25 V
+10 V + 25 V - vo = 0
vo = 35 V
Como el intervalo t2→ t3 durará sólo 0.5 ms, es sin duda una buena
aproximación suponer que el capacitor sostendrá su voltaje durante el
período de descarga entre pulsos de la señal de entrada. La salida que
resulta aparece en la figura 2.99 junto con la señal de entrada.
Obsérvese que la excursión de la salida de 30 V equivale a la excursión
de entrada, como se señaló en el comentario 5.
IE = I C + I B
IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria
Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las
direcciones reales, como se definen con base en la elección del flujo
convencional. Nótese en cada caso que IE = IC + IB. También adviértase
que la polarización aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se
establezca la corriente en la dirección indicada para cada rama. Es decir,
compárese la dirección de IE con la polaridad o VEE para cada
configuración y la dirección de IC con la polaridad de ICC.
IC ≈ IE
VBE = 0.7 V
Alfa (α )
En el modo de cd los niveles de IC e IE debidos a los portadores
mayoritarios están relacionados
α cd = IC / IE
IC = α IE + ICBO
Polarización
IL = Ii = 10 mA
V L = IL R
= 50 V
Figura 3.12
La amplificación de voltaje es
Los valores típicos de amplificación de voltaje para la configuración de
base común varían de 50 a 300. La amplificación de corriente (IC/IE)
siempre es menor que 1 para la configuración de base común. Esta
última característica debe ser evidente ya que IC = α IE y α siempre es
menor que 1.
Figura 3.14
Reordenando obtenemos:
Beta(β )
β cd = IC / IB
IE = IC + IB
I C / α = I C + (I C / β )
IC / α = 1 + (1 / β )
de modo que
encontramos que
ICEO = (β + 1) ICBO
ICEO ≈ β ICBO
IC ≈ β IB
Y puesto que
IE = IC + IB
= β IB + IB
IE = (β + 1) IB
PCmáx = VCEIC
VCEIC = 300 mW
VCE = 6 V
IC = 15 mA
ICEO ≤ IC ≤ Icmáx
VCEIC ≤ PCmáx
Para las características de base común la curva de potencia máxima se
define por el siguiente producto de cantidades de salida;
PCmax = VCBIC
Límites de Operación
7.5 uA ≤ IC ≤ 200 mA
0.3 V ≤ VCE ≤ 30 V
VCEIC ≤ 650 mW
VBE = 0.7 V
IE = (β + 1)IB ≈ IC
IC = β IB
IB = (VCC - VBE) / RB
En realidad, la ecuación (4.4) no es difícil de recordar si se considera
simplemente que la corriente de base es la corriente a través de RB y, por
la ley de Ohm, esa corriente es el voltaje a través de RB dividido entre la
resistencia RB. El voltaje a través de RB es el voltaje aplicado VCC en uno
de los extremos menos la caída a través de la unión base-emisor (VBE).
Malla de colector-emisor
IC = β IB
Es interesante notar que, en vista de que la corriente de base se controla
por el nivel de RB e IC se relaciona con IB por una constante β la magnitud
de IC no es una función de la resistencia RC. El cambio de RC a cualquier
nivel no afectará el nivel de IB o IC en tanto que permanezcamos en la
región activa del dispositivo. Sin embargo, como veremos
posteriormente, el nivel de RC determinará la magnitud de VCE, el cual es
un parámetro importante.
VC + ICRC - VCC = 0
VCE = VC - VE
VCE = VC
Además, puesto que
VBE = VB - VE
y VE = 0 V, entonces
VBE = VB
Si juntarnos las curvas de la figura 4.8a con las que aparecen en la figura
4.8b, se llegará a un método rápido y directo para determinar el nivel de
saturacion.Enlafigura4.8b la corriente es relativamente alta y se supone
que el voltaje VCE es de cero voltios. Al aplicar la ley de Ohm, la
resistencia entre las terminales de colector y emisor se puede determinar
como sigue:
ICsat = VCC / RC
Figura 4.10 Determinación de ICsat, para la configuración de polarización fija.
Una vez que se conoce ICsat, tenemos una idea de la máxima corriente de
colector posible para el diseño elegido y del nivel bajo el cual permanecer
si esperamos una amplificación lineal.
de que una recta está definida por dos puntos. Si elegimos IC con un
valor de 0 mA, estaremos
Figura 4.14 Efectos del incremento en los niveles de RC sobre la recta de carga y
el punto Q.
Figura 4.15 Efecto de la disminución en los valores de VCC sobre la recta de carga
y el punto Q.
Malla de base-emisor
IE = (β + 1)IB
y resolviendo IB llegamos a
Figura 4.19
Malla de colector-emisor
VE = IERE
VC = VCC - ICRC
VB = VCC - IBRB
VB = VBE + VE
Ejemplo
Solución
Nivel de saturación
El nivel de saturación del colector o la comente del colector máxima para
un diseño polarizado de emisor puede determinarse mediante el mismo
enfoque empleado en la configuración de polarización fija: aplicar un
corte circuito entre las terminales colector-emisor, como se ilustra en la
figura 4.23, y calcular la corriente del colector resultante. Para la figura
4.23:
Análisis exacto
RTh = R1 R2
Una vez que se conoce IB, las cantidades restantes de la red pueden
encontrarse del mismo modo que se hizo para la configuración
polarizada de emisor. Esto es:
Figura 4.27 Detalle del extremo de entrada para la red de la figura 4.25
Figura 4.28 Determinación de RTh
Análisis aproximado
La sección de entrada de la configuración con divisor de voltaje puede
representarse por medio de la red de la figura 4.32. La resistencia R¡ es
la resistencia equivalente entre base y tierra para el transistor con un
resistor de emisor RE. Recuerde que la resistencia reflejada entre la base
y el emisor se define por Ri = (β + 1) RE, Si Ri es mucho mayor que la
resistencia R2, la corriente IB será mucho menor que I2 (la corriente
siempre busca la trayectoria de menor resistencia) e I2 será
aproximadamente igual a I1. Si aceptamos la aproximación de que IB es
de 0 amperios comparada con I1 o I2 entonces I1 = I2 y R1 y R2 pueden
considerarse elementos en serie. El voltaje a través de R2, que es en
realidad el voltaje de base, puede determinarse por medio de la regla del
divisor de voltaje (y de aquí proviene el nombre para la configuración). Es
decir,
β RE ≥ 10 R2
VE = VB - VBE
ICQ ≈ IE
Ejemplo:
Ejemplo:
Determine VC y VB para la red de la figura 4.40.
Figura 4.40 Ejemplo
Solución
Al aplicar la ley del voltaje de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del
reloj a la malla de base a emisor, el resultado es
Ejemplo:
Determine VCEQ e IE para la red de la figura 4.41
Solución
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada obtenemos
Ejemplo
Determine el voltaje VCB y la corriente IB para la configuración de base
común de la figura 4.42.
Solución
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada obtenemos
-VEE + IERE + VBE = 0
IE = (VEE - VBE) / RE
Sustituyendo valores obtenemos
IE = (4 V - 0.7 V) / 12 Kohms = 2.75 mA
Ejemplo:
Figura 4.43
Solución
La resistencia de Thévenin y el voltaje determinan para le red a la
izquierda de la terminal de base, como se muestra en las figuras 4.44 y
4.45
Figura 4.44
Figura 4.45
OPERACIONES DE DISEÑO
Hasta este punto las discusiones se han enfocado en el análisis de las
redes existentes. Todos los elementos están en su lugar y es
simplemente asunto de resolver para los niveles de voltaje y corriente de
la configuración. El proceso de diseño es donde puede especificarse una
comente y/o un voltaje y donde deben determinarse los elementos
requeridos para establecer los niveles Ideados. Este proceso de síntesis
supone un claro entendimiento de las características del Impositivo, las
ecuaciones básicas para la red y un firme conocimiento de las leyes
básicas del análisis de circuitos, la ley de Ohm, la ley de voltaje de
Kirchhoff, etc. En la mayoría de las situaciones el proceso mental se
pone a prueba en alto grado en la operación de diseño más que en la
secuencia de análisis. La trayectoria hacia una solución es menos
definida y de hecho puede requerir algunas suposiciones básicas que no
se pueden hacer analizando sencillamente una red.
La secuencia de diseño es obviamente sensible a los componentes que
ya se han especificado y los elementos que van a determinarse. Si se
especifican el transistor y las fuentes, el proceso de diseño simplemente
determinará los resistores requeridos para un diseño particular. Una vez
que se determina el valor teórico de los resistores, se elige por lo general
el valor comercial estándar más cercano y cualquier variación debida a
no usar el valor exacto de la resistencia se acepta como parte del diseño.
Esto es ciertamente una aproximación válida si se toma en consideración
las tolerancias normalmente asociadas con los elementos resistivos y los
parámetros del transistor.
Si se van a determinar los valores resistivos, una de las ecuaciones más
poderosas es sencillamente la ley de Ohm en la forma siguiente:
Rdesconocida = VR / IR
En un diseño particular, el voltaje a través de un resistor puede
determinarse a menudo a partir de los niveles especificados. Si otras
especificaciones definen el nivel de comente, la ecuación (4,44) puede
entonces utilizarse para calcular el nivel de resistencia requerido. Los
ejemplo iniciales demostrarán cómo elementos particulares pueden
determinarse a partir de nivel especificados. Luego se introducirá un
procedimiento completo de diseño para un par de configuraciones
comunes.
Ejemplo:
Dadas las características del dispositivo de la figura 4.47a, determine
VCC, RB y RC para la configuración de polarización fija de la figura 4.47b.
Figura 4.47
Solución
De la recta de carga
Ejemplo:
Figura 4.48
Solución
Los valores comerciales estándar más próximos para R1 son 82 kΩ y 91
kΩ . Sin embargo, haciendo uso de la combinación en serie de los
valores estándar de 82 kΩ y 4.7 kΩ = 86.7 kΩ resultaría en un valor muy
cercano al nivel diseñado.
Ejemplo:
La configuración con la polarización de emisor de la figura 4.49 tiene las
siguiente s especificaciones: ICQ = ½ ICsat, ICsat = 8 mA, VC = 18 V y β = 110.
Determine RC, RE y RB.
Figura 4.49
Solución
El análisis siguiente presenta una técnica para diseñar un circuito
completo para operar en un punto de polarización especifico. Con
frecuencia las hojas de especificaciones de los fabricantes brindan
información que establece un punto de operación apropiado (o región de
operación) para un transistor particular. Además, otros factores del
circuito relacionados con la etapa del amplificador dado pueden dictar
también algunas condiciones de la excursión de corriente, excursión de
voltaje, el valor de voltaje de alimentación común, etc., los cuales pueden
utilizarse para la determinación del punto Q en un diseño.
En la práctica real, muchos otros factores tienen que considerarse y
pueden influir en la selección del punto de operación que se desea. Sin
embargo, por el momento nos concentraremos en la determinación de
los valores de los componentes para obtener un punto de operación
especificado. El análisis se limitará a las configuraciones de polarización
de emisor y de polarización de divisor de voltaje, aun cuando el
procedimiento puede aplicarse a otros circuitos de transistores.
Ejemplo
Determine los valores de los resistores para la red de la figura 4.50, para
la fuente de voltaje y el punto de operación indicados.
Solución
Ejemplo:
Determine los niveles RC, RE, R1 y R2 para la red de la figura 4.51, para el
punto de operación indicado.
Solución
Las ecuaciones para los cálculos de los resistores de base R1 y R2
requerirán de un poco de consideración. Usando el valor del voltaje de
base calculado anteriormente y el valor de la fuente de voltaje se
obtendrá una ecuación, pero existen dos incógnitas, R1 y R2. Se puede
tener una ecuación adicional mediante el conocimiento de la operación
de estos dos resistores al proveer el voltaje de base necesario. Para que
el circuito opere con eficacia, se supone que la corriente a través de R1 y
R2 debe ser aproximadamente igual y mucho mayor que la corriente de
base (al menos en proporción de 10:1). Este hecho y la ecuación de di
visor de voltaje para el voltaje de base proporcionan las dos relaciones
necesarias para determinar los resistores de base. Es decir,
3.6 Conmutación con transistores.
La aplicación de los transistores no se limita solamente a la amplificación
de las señales. Por medio de un diseño adecuado pueden utilizarse
como interruptor para aplicaciones de control y computadoras. La red de
la figura 4.52a puede emplearse como un inversor en circuitos lógicos de
computadoras. Nótese que el voltaje de salida VC es opuesto al que se
aplica a la base o terminal de entrada. Además, adviértase la ausencia
de una fuente de cd conectada al circuito de base. La única fuente de cd
está conectada al extremo de colector o salida, y para las aplicaciones de
computadoras es típicamente igual a la magnitud del flanco de subida de
la señal de salida, en este caso. de 5 V.
Figura 5.52 Inversor de transistor
ICsat = VCC / RC
IBmáx = ICsat / β cd
IB > ICsat / β cd
Saturación Suave
RB = (Vi - 0.7V)/IB
IB ≥ ICsat / β mín
Saturación Dura
β = 10
Ejemplo:
Solución
Probando la condición
β RE ≥ 10 R2
VB - VBE -VE = 0
VE = VB - VBE
VE = -3.16 V - (-0.7 V)
= -2.46 V
Hay dos teorías actuales acerca de cuál será el circuito equivalente que
ha de sustituir al transistor. Durante muchos años la industria y las
instituciones educativas confiaron ampliamente en los parámetros
híbridos (que se presentarán en breve). El circuito equivalente de
parámetros híbridos seguirá siendo muy popular, aun cuando en la
actualidad debe competir con un circuito equivalente derivado
directamente de las condiciones de operación del transistor, el modelo re.
Los fabricantes siguen especificando los parámetros híbridos para una
región de operación particular en sus hojas de especificaciones. Los
parámetros (o componentes) del modelo re pueden derivarse
directamente de los parámetros híbridos en esta región. Sin embargo, el
circuito equivalente híbrido adolece de estar limitado a un conjunto
particular de condiciones de operación si se considerara preciso. Los
parámetros del otro circuito equivalente pueden determinarse para
cualquier región de operación dentro de la región activa y no están
limitados por un solo grupo de parámetros incluidos en la hoja de
especificaciones. A su vez, no obstante, el modelo re no tiene un
parámetro que defina el nivel de impedancia de salida del dispositivo y el
efecto de retroalimentación de la salida a la entrada.
Figura 7.5 Circuito de la figura redibujado para el análisis de pequeña señal ca.
Impedancia de entrada, Zi
Zi = Vi / Ii
Además:
y
Zi = Vi / Ii
Impedancia de salida, Zo
La impedancia de salida se define en forma natural para el conjunto de
salida de las terminales, pero la manera en la cual se define es bastante
diferente de la correspondiente a la impedancia de entrada. Es decir,
Io = (V - Vo) / Rsensor
Zo = Vo / Io
Además:
Ganancia de voltaje Av
Av = V o / V i
Ganancia de corriente, Ai
A i = Io / I i
I i = V i / Zi
Io = Vo / RL
Figura 7.15 Determinación de la ganancia de corriente con carga.
Ai = -Av(Zi / Ii)
Relación de fase
Resumen
Los parámetros de principal importancia para un amplificador ya se han
presentado; la impedancia de entrada Zi, la impedancia de salida Zo, la
ganancia de voltaje Av, la ganancia de corriente Ai y las relaciones de
fase resultantes. Otros factores, tales como la frecuencia aplicada para
los límites inferior y superior del espectro de frecuencias, afectarán
algunos de estos parámetros. En las secciones y capítulos siguientes,
todos los parámetros se determinarán para una variedad de redes de
transistores con el fin de permitir una comparación de las ventajas y
desventajas de cada configuración.
re = 26 mV / IE
Zi = re
Zo ≅ ∞ Ω
En realidad:
Vi = IEZi = Iere
Av = Vo / Vi = α IeRL / Iere
Av = α RL / re ≅ RL / re
Ai = -α ≅ -1
Figura 7.20 Modelo aproximado para una configuración de transistor NPN de base
común.
Configuración de emisor común
Ic = β Ib
Ie = (β + 1)Ib
Ie ≅ β Ib
Vi = Vbe = Ie re ≅ β Ibre
Figura 7.21 (a) Transistor BJT de emisor común (b) modelo aproximado para la
configuración de la figura 7.21ª
Figura 7.22 Determinación de Zi empleando el modelo aproximado.
Zi ≅ β re
Zo = ro
Vo = -IoRL
Figura 7.26 Determinación de la ganancia de voltaje y corriente para el
amplificador de transistor de emisor común.
Vi = IiZi = Ibβ re
Av = Vo / Vi = -β IbRL / Ibβ re
Av = -RL / re
Ai = Io / Ii = IC / Ib = β Ib / Ib
Ai = β
Utilizando el hecho de que la impedancia de entrada es β re que la
corriente de colector es β Ib y que la impedancia de salida es ro el modelo
equivalente de la figura 7.27 puede ser una herramienta efectiva para el
análisis que sigue a continuación. Para valores de parámetros típicos la
configuración de emisor común puede considerarse como aquella que
disfruta de un nivel moderado de impedancia de entrada, un voltaje y una
ganancia de corriente altos, y una impedancia de salida que puede tener
que incluirse en el análisis de la red.
• Zo:
Zo = Rc
• Av:
Vo = -IORL
IO = (ICRC)/(RC+RL) ⇒ VO = -(ICRC)RL /(RC+RL)
Vo = ViR'L / re ⇒ Vo / Vi = -R'L / re
Av = -R'L / re
Ai = I o / I i
Ejemplo:
Calcule el punto Q, re, Zi, Zo, Av, Ai para el amplificador que se muestra:
f = 1 kHz
Xc ≤ 0.1 R
C1 ≥ 10 / 2π f ≥ 0.22 uF
C2 ≥ 1.3 uF
C3 ≥ 1.06 uF
Análisis de CD:
β RE = (90)(1.5 kΩ ) = 135 kΩ
10R2 = (10)(8.2 kΩ ) = 82 kΩ , ∴ β RE > 10R2
∴ se puede emplear el análisis aproximado
Análisis de CA:
re = 26 mV / IE = 26 mV / 1.41 mA
re = 18.44 Ω
β re =(90)(18.44) = 1.66 kΩ
Zi = 1.35 kΩ
Zo = Rc = 6.8 kΩ , si se toma en cuenta ro suponga que el transistor es el
2N4123: hoe = 14 u para Ic ≈ 1.41 mA
Av = 66.64
Ai = 59.84
5.2 Configuración de polarización de
emisor para emisor común.
Circuito equivalente de CD
Circuito equivalente de CA
Zb = Vi / Ib = β re + (β +1)RE
Zb ≈ β (re + RE), si RE >> re ⇒ Zb ≈ β RE
Zi:
Ejemplo
b)
Zi = 94.65 kohms
c)
Zo = Rc
Zo = 1.3 kΩ (sin ro)
Si ro = 1 / hoe =1 / 55 uU =18.18 kΩ
d)
Av = -0.3
e)
Ai = 40.52
Zo:
Si Vi = 0, Ib = 0 y β Ib es un corto circuito
Zo = Rc
Av :
Circuito equivalente de CD
Malla de Entrada
Malla de Salida
Circuito equivalente de CA
Nótese que Vi está en paralelo con RB, pero también con β re + β R'L, así que: Vi
= ZbIb
Zi:
Así que
Zo:
Recuerde que para obtener Zo, Vi se establece a cero volts, así que:
La siguiente es también una red de emisor seguidor, pero se polariza por divisor
de voltaje.
En este caso para CA se sustituye RB por R1 paralela a R2 y para CD se aplica lo
visto para la polarización por divisor de voltaje, si β RE ≥ 10R2 ⇒ Análisis
aproximado. En el caso contrario se aplica el análisis exacto.
Ejemplo:
a. Punto Q
b. re
c. Parámetros: Zi, Zo, Av, Ai.
c)
Apéndice al capítulo 5.
Circuitos Equivalentes de CA
Zi:
Av:
de IB. Para el FET la corriente ID será una función del voltaje vGS aplicado
a la entrada del circuito, como se ilustra en la figura 5.1. En cada caso la
corriente de la salida del circuito se controla por un parámetro del circuito
de entrada, en un caso un nivel de corriente y en otro un voltaje aplicado.
Figura 5.1 Amplificador controlado por corriente (a) y (b) amplificador controlado
por voltaje.
Figura 5.8 Fuente de corriente equivalente para VGS = 0 V, VDS > Vp.
VGS < o v
Construcción básica
Además:
VMOS
Una de las desventajas de los MOSFET típicos son los reducidos niveles
de manejo de energía (en general, menos de 1 W) en comparación con
los transistores BJT. Esta leve deficiencia para un dispositivo con tantas
características positivas puede suavizarse al cambiar el modo de
construcción de naturaleza planar, como el que se ilustra en la figura
5.23, a uno con estructura vertical, como el que se muestra en la figura
5.42. Todos los elementos del MOSFET planar están presentes en el
FET vertical de óxido metálico y silicio (VMOS: Vertical Metal-Oxide-
Silicon), la superficie metálica de conexión a las terminales del
dispositivo, la capa de SiO2*** entre la compuerta y la región tipo p entre
el drenaje y la fuente para el crecimiento del canal n inducido.
Figura 5.42 Construcción del VMOS.
CMOS
IG = 0 A
ID = Is
resistor rG. Está presente para asegurar que Vi, aparezca a la entrada del
amplificador FET para el análisis de ca. Para el análisis de cd,
IG = 0 A
VGS = -VGG
VS = 0 V
VDS = VD - VS
VD = VDS + VS = VDS + 0V
VD = VDS
VGS = VG - VS
VG = VGS + VS = VGS + 0V
VG = VGS
Is = iD y
VRS = IDRS
-VGS - VRS = 0
VGS = -VR
VGS = -IDRS
REFERENCIAS: