Estabilidad Trmica del Transistor

Estiven Corzo Diaz

Docente: Luis Eliecer Hernndez Merchn

Grupo: D151

Unidades tecnolgicas de Santander

Laboratorio de electrnica ll
Bucaramanga
2017
 Estabilidad Trmica del Transistor

Alumna: Ana Mara Berenice Colmenares Espinosa

Docente: Luis Eliecer Hernndez Merchn
Grupo: D151

Unidades tecnolgicas de Santander

Laboratorio de electrnica ll
Bucaramanga
2017
1. Medir el efecto inmediato que produce el calor en el transistor

Estabilidad de temperatura del transistor

A medida que aumenta la temperatura de un transistor, la corriente de colector

aumentar porque:
La corriente de semiconductor intrnseca entre el colector y la base aumenta
con la temperatura. Su flujo a travs de las resistencias de polarizacin, hace
la base ms positiva, aumentando la polarizacin directa en el diodo base-
emisor. Para un diodo de silicio Simpson, se cita un aumento de 2 nA para
un aumento de 10C de temperatura.

El voltaje base-emisor que se requiere para una corriente de colector

determinada, disminuir. Esta disminucin es de aproximadamente -2,5
mV/C.
Una relacin aproximada para el cambio de corriente de colector es:

Un aumento de la temperatura produce un aumento en la corriente portadora

minoritaria, y un cambio negativo en VBE, de modo que ambos efectos conducen a
un aumento de la corriente de colector con la temperatura. Puesto que la resistencia
de emisor aparece en el denominador de ambos trminos, esto demuestra que, para
una deseable estabilidad de temperatura, RE debe tener un valor grande.
La presencia de RE proporciona una realimentacin negativa que estabiliza el
circuito contra los cambios de temperatura, tensin de alimentacin, etc, pero
tambin disminuye la ganancia de voltaje.
ESTABILIZACIN DE LA POLARIZACION

La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de un circuito hacia

las variaciones de sus parmetros. En cualquier amplificador que utiliza un
transistor, la corriente del colector IC es sensible a cada uno de los siguientes
parmetros:
b: se incrementa con el aumento de temperatura.
VBE: decrece aproximadamente 7.5mV por incremento en grados Celsius en la
temperatura.
ICO (corriente de saturacin inversa): duplica su valor por cada 10C de
incremento en la temperatura.

2. Establecer cul de los circuitos de polarizacin analizados es ms estable.

Circuito de polarizacin de emisor.

Si se quiere amplificar, se necesitan circuitos cuyos puntos Q sean inmunes a los

cambios en la ganancia de corriente, esto es, interesa que el punto Q sea lo ms
estable posible.

Para este propsito ahora se analizar el "Circuito de polarizacin de Emisor", que

es el siguiente:
El propsito es amplificar, por esa razn el transistor tiene que trabajar en la zona
ACTIVA.

Como estamos en activa VBE = 0.7 V. Por lo tanto y viendo la malla de entrada la
tensin VC ser de 4.3 V. Entonces la intensidad IE por la resistencia RE ser de:

La malla de
salida:
Grficamente:

Que ocurre si el bcc vara?

Si bcc = 150 solo vara IB.

Vara la IB pero lo dems se mantiene y Q no vara, el transistor se autorregula y

hace que vare IB sin que nada ms vare, por lo tanto:

"El punto Q es muy estable".