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A = A(x)
k = k(x)
U = Qx Qx+x + qgen Ax
x
c = calor especfico, = densidad, A = rea transversal = ctes.
U = cambio en energa interna en elemento x, U = cAxT
qgen = potencia generada por unidad de volumen
T T T
cAx = (kA)x + (kA)x+x + qgen Ax
t x x x x+x
T 1 T
c = Ak + qgen
t A x x
Transferencia de Calor p. 4/2
ecuacin del calor
si el rea A es constante, se cancela. Si adems la
conductividad trmica es constante
T 2T
c = k 2 + qgen
t x
y para para el caso 3D, T = T (x, y, x; t), se generaliza a
T k=cte T
c = (kT ) + qgen c = k2 T + qgen
t t
el laplaciano es
2 2 2 2
= + + cartesianas
x2 y 2 z 2
2 2 1 1 2 2
= + + 2 + cilndricas
2 2 z 2
1 2 1 1 2
2 = r+ 2 sin + 2 esfricas
r r 2 r sin r sin2 2
2T qgen
2
=
x k
o bien, en 3D,
2 qgen
T =
k
la misma ecuacin que verifica un potencial electrosttico
(ec. del Poisson o ec de Laplace)
smil elctrico para problemas estacionarios
Q = hAc (T T )
complicacin:
determinacin del h apropiado...
Qe = AT 4 = 5, 67 108 w/m2 K 4
se define
hr (T2 + T1 )(T22 + T12 )
d2 T
k 2 = qgen
dx
q
PSfrag replacements
T1 T2
RT
T1 T2 x
q= RT =
RT kA
PSfrag replacements
q
A B C
T1 T2
q= RT = R A + R B + R C
RT
TAB = T1 qRA , TAB = T1 q(RA + RB ) etc.
T1 T2
RA RC
TAB TBC
RB
T1 T2 RB RB 0
q= , RT = R A + R k + R C , Rk =
RT RB + R B 0
qgen 2 qgen 2
T (x) = T0 x TW = T0 d
2k 2k
Transferencia de Calor p. 14/2
geometra cilndrica
flujo radial (unidimensional),T = T (r),
ley de Fourier
dT
qr = kAr b
dr T(r)
r TB
calor es L
2kL Ta Tb
q= (Ta Tb )
ln(b/a) RT
PSfrag replacements
T (r) ln r T (r) = C0 ln r + C1
ln(b/r)
T (r) = (TA TB ) + TB
ln(b/a)
condiciones:
temperatura en el eje, T (r = 0) = T0
en estado estacionario, todo el calor generado sale
2 dT dT qgen R
qgen R L = k2RL =
dr R dr R 2k
qgen 2
TW = T0 R
4k
modelo:
R0 (conduccin, puntos de contacto),
R00 (conveccin/ radiacin, cavidades)
PSfrag replacements R0
TA TB
R00
0 00
resistencia de contacto, Rc = RR0 +R
R 1
00 h A
c
factores: rugosidad, presin ambiente, presin de contacto, rea de contacto efectiva...
chip
0,02mm epoxy
8 mm aluminio
h=100 w/m2K
determinar la temperatura de operacin (debe ser inferior a 85 o C para evitar que se queme)
datos:
* chip y sustrato tienen rea A = 1 cm2
* el chip (espesor despreciable) genera q = 10 kw/m 2
* ambiente a T = 25 o C
* kAl = 237 w/mK