INTRODUCCIN

Seccin de una celdilla elemental

Fuente Puerta

TEMA 6. TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA SiO2

xido de puerta
AISLADA (IGBT) n+ n+ n+ n+ 1019 cm-3
p canal 1016 cm-3
p
(sustrato)
6.1. INTRODUCCIN n-
L

6.2. TECNOLOGAS DE FABRICACIN Y CURVA WD

RD
101415 cm-3

CARACTERSTICA I-V iD iD

6.3. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT n+ (oblea) 1019 cm-3

6.3.1. Estado de Bloqueo

Drenador
6.3.2. Estado de Conduccin
6.4. EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARSITO Transistor D-MOS
INTERNO DEL IGBT (LATCH UP)
6.4.1. Efecto del Latch up En un Transistor MOS para conseguir altas tensiones (BVDSS):
6.4.2. Mtodos para Evitar el Efecto del Latch up 1.3 1017
Para un dopado Nd, la mxima tensin de ruptura es: BVDSS
6.5. CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN ND
6.5.1. Encendido
5
La zona de deplexin tiene un espesor: WD 1 10 BVDSS (cm)
6.5.2. Apagado La resistividad especfica es: RD A 3 10
7
BV 2.5 2.7
( cm 2 )
DSS
6.6. REA DE OPERACIN SEGURA
6.7. CARACTERSTICAS Y VALORES LMITE DEL IGBT Grficamente:

log(cm2)
BVDSS

Tema 6. IGBT Transparencia 1 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 2 de 20

 INTRODUCCIN TECNOLOGAS DE FABRICACIN
Seccin de una celdilla elemental

Fuente Puerta Aparece en dcada de los 80

Entrada como MOS, Salida como BJT
SiO2
Velocidad intermedia (MOS-BJT)
xido de puerta Tensiones y corrientes mucho mayores que MOS (1700V-400Amp)
n+ n+ n+ n+ -
1019 cm-3
Geometra y dopados anlogos a MOS (con una capa n mas ancha y
p canal 1016 cm-3
(sustrato)
p menos dopada)
L Soporta tensiones inversas (no diodo en antiparalelo). No el PT
n-
101415 cm-3
Tiristor parsito no deseado
WD
RD
Existen versiones canal n y canal p
iD iD

n+ (oblea) 1019 cm-3 Seccin de una celdilla elemental

Drenador Fuente Puerta

Transistor D-MOS
SiO2
En un Transistor MOS para conseguir tensiones (BVDSS) elevadas, RD tendr un
valor elevado al ser ND necesariamente bajo y el espesor WD grande. xido de puerta
n+ n+ n+ n+

Transistor n-MOS
La cada en conduccin ser: iDRON Donde RON ser la suma de las p canal
resistividades de las zonas atravesadas por la corriente de drenador (incluyendo p
la de canal). (sustrato)
L Regin de arrastre
Si la BVDSS del dispositivo es mayor que 200 o 300 Voltios La resistencia de la n -
del Drenador
capa n- (RD) es mucho mayor que la del canal. WD
RD

Slo en PT-IGBT
iD iD
iD iD
n+ Capa de almacenamiento

1/RON p+ Oblea Capa de inyeccin

Drenador

Transistor IGBT
VDS VDS
a) MOS de alta tensin b) MOS de baja tensin

Tema 6. IGBT Transparencia 3 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 4 de 20

 TECNOLOGAS DE FABRICACIN. TRANSISTOR TRANSISTOR IGBT. CURVA CARACTERISTICA Y
EN TRINCHERA (TRENCHED) SIMBOLOS
S SiO2 G
G S
ID Avalancha
Saturacin VGS
n+ n+ n+ n+

p p p

VRRM, Muy
bajo si es un
Canal PT-IGBT
Corte
n-epitaxial
Corte VDS
VDSon, Menor si BVDSS
+
n -epitaxial Avalancha es un PT-IGBT

p+-sustrato Curva Caracterstica Esttica de un Transistor IGBT de Canal n

C D
iC iD

Transistores IGBT de potencia modernos: Transistores en Trinchera

VCE VDS
G
G

VGE E VGS S
Microfotografa de una seccin
de la puerta de un transistor a) b)
IGBT tipo Trenched

Representacin Simblica del Transistor IGBT. a) Como BJT,

b) Como MOSFET

Tema 6. IGBT Transparencia 5 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 6 de 20

 FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT
El comportamiento cortado es anlogo al MOS cortado. En conduccin ser: G
G S
S
n+ n+
Rarrastre
n+ n+ p
p
Rdispersin n-

Rarrastre n-
n+
n+ p+
p+
D
D Seccin Vertical de un IGBT. Transistores MOSFET y BJT Internos a la
Estructura del IGBT
Seccin Vertical de un IGBT. Caminos de Circulacin de la Corriente en Estado
de Conduccin D
Rarrastre
J1
Varrastre
ID Rcanal
G

Circuito Equivalente aproximado del IGBT.

Tema 6. IGBT Transparencia 7 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 8 de 20

 FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT

Rarrastre D G
J1 S
Varrastre
ID Rcanal IC 0.1 ID n+
n+
G
p
Rdispersin
S -
n
Circuito Equivalente aproximado del IGBT.
Comparacin VDS(on) MOS-IGBT para la misma BVDSS n+
p+
VDS(on)=VJ1+ IDRcanal +IDRarrastre

Vj1=0.71Volt.
Rcanal =Rcanal (MOS) D
Rarrastre (IGBT) << Rarrastre (MOS)
+
Debido a la inyeccin de huecos desde p
Seccin Vertical de un IGBT. Transistores MOSFET y BJT Internos a la
Esta resistencia es menor an si es PT-IGBT, ya que para soportar la
Estructura del IGBT
misma tensin puede ser casi la mitad de ancha.
(adems en los PT-IGBT la tensin VJ1 es menor al estar ms
dopadas las capas que forman la unin) D
J1
La cada total es menor en el IGBT para tensiones a partir de 600V. (1.6V
para 1.200 Voltios) J2
En el mercado existen IGBTs de 600, 1.200, 1.700, 2.200 y 3.300 Voltios
Hay anunciados IGBTs de 6.500 Voltios J3
G
Resistencia de
dispersin del
sustrato
S

Circuito Equivalente del IGBT que Contempla el Tiristor Parsito

Tema 6. IGBT Transparencia 9 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 10 de 20

 EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARSITO EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARSITO
INTERNO DEL IGBT (LATCH UP) INTERNO DEL IGBT (LATCH UP). Mtodos para
Evitar el Efecto del Latch up
Si VJ3>V el transistor npn entra en
G
conduccin y activa el SCR.
D Prdida de control desde puerta
J1 =latch-up esttico (ID>IDmax).
S
J2 Si se corta muy rpido, el MOS es
mucho ms rpido que el BJT y n+ n+ p,
J3 p, 1016
aumenta la fraccin de la corriente 1016
G que circula por el colector del p-BJT, p+,1019
VJ3<V esto aumenta momentneamente VJ3,
haciendo conducir el SCR.
latch-up dinmico.
n-
S Debe evitarse porque se pierde el control
del dispositivo desde la puerta
n+
Entrada en conduccin del SCR parsito p+
Mtodos para evitar el Latch-up en IGBTs:

A) El usuario: D
A.1) Limitar ID mxima al valor recomendado por el fabricante. Tcnica para evitar el Latchup en los Transistores IGBT's. Modificacin del
A.2) Limitar la variacin de VGS mxima al valor recomendado por el Dopado y Profundidad del Sustrato
fabricante (ralentizando el apagado del dispositivo).
B) El fabricante: En general intentar disminuir la resistencia de dispersin
de sustrato del dispositivo:
B.1) Hacer L lo menor posible
B.2) Construir el sustrato como dos regiones de diferente dopado
B.3) Eliminar una de las regiones de fuente en las celdillas.

Tema 6. IGBT Transparencia 11 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 12 de 20

 EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARSITO CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
INTERNO DEL IGBT (LATCH UP) . Mtodos para El encendido es anlogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de cola:
Evitar el Efecto del Latch up

G VGS(t)

S VT
-VGG
n+
p+ iD(t)
td(off) Corriente
p de cola

n- tfi1 tfi2
trv

n+ VDS(t)
+ VD
p

D
Tcnicas para evitar el Latchup en los Transistores IGBT's. Estructura de
Formas de Onda Caractersticas de la Tensin y Corriente en el Apagado de un
bypass de la Corriente de Huecos
Transistor IGBT conmutando una carga inductiva (no comienza a bajar Id hasta
Es un procedimiento muy eficaz. que no sube completamente Vd)
Disminuye la transconductancia del dispositivo.
La corriente de cola se debe a la conmutacin ms lenta del BJT, debido a la carga
almacenada en su base (huecos en la regin n-).
Provoca prdidas importantes (corriente relativamente alta y tensin muy
elevada) y limita la frecuencia de funcionamiento.
La corriente de cola, al estar compuesta por huecos que circulan por la
resistencia de dispersin, es la causa del latch up dinmico.
Se puede acelerar la conmutacin del BJT disminuyendo la vida media de los
huecos en dicha capa (creando centros de recombinacin). Tiene el
inconveniente de producir ms prdidas en conduccin. Es necesario un
compromiso.
En los PT-IGBT la capa n+ se puede construir con una vida media corta y la n-
con una vida media larga, as el exceso de huecos en n- se difunde hacia la capa
n+ dnde se recombinan (efecto sumidero), disminuyendo ms rpido la
corriente.
Tema 6. IGBT Transparencia 13 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 14 de 20
 REA DE OPERACIN SEGURA CARACTERSTICAS Y VALORES LMITE DEL IGBT

iD IDmax Limitada por efecto Latch-up.

10-6s VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio.
Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre
10-5s 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante
unos 5 a 10 s. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde
DC 10-4s
puerta.
VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja, ser
VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700,
2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan
VDS valores mayores)
a) Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
La tensin VDS apenas vara con la temperatura Se pueden conectar en
iD paralelo fcilmente Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad,
1000V/ s p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios.
En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un
2000V/ s par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

3000V/s

b) VDS
rea de Operacin Segura SOA de un Transistor IGBT. a) SOA directamente
Polarizada (FBSOA) b) SOA Inversamente Polarizada (RBSOA)

IDmax , es la mxima corriente que no provoca latch up.

VDSmax , es la tensin de ruptura de la unin B-C del transistor bipolar.
Limitado trmicamente para corriente continua y pulsos duraderos.
La RBSOA se limita por la VDS/t en el momento del corte para evitar el
latch-up dinmico

Tema 6. IGBT Transparencia 15 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 16 de 20

 CARACTERSTICAS Y VALORES LMITE DEL IGBT CARACTERSTICAS Y VALORES LMITE DEL IGBT

VDS Tj constante Cgd D

ID creciente

G Cds

a) VGS Cgs

ID S
Tj=25C Las capacidades que aparecen en los catlogos suelen ser:
Cre o Cmiller : es la Cgd.
Tj=125C Anlogo al Ci, Capacidad de entrada: es la capacidad suma de Cgd y Cgs. (Medida
transistor manteniendo VDS a tensin constante).
VDS/ t=0 VDS/ t>0 MOS Co, Capacidad de salida: es la capacidad suma de Cgd y Cds. (Medida
manteniendo VGS a tensin constante).
Anlogo al 105 pF
VDS/ t<0 transistor
BJT Ci
b) VDS
Efecto de la tensin VDS sobre
104 pF
a) Efecto de VGS y la corriente de drenador sobre la cada en conduccin las capacidades medidas en un
(Prdidas en conduccin). Uso de VGS mximo (normalmente=15V). transistor IGBT.
Co
b) Efecto de la corriente de drenador sobre la derivada de la cada en
conduccin respecto a la temperatura. 103 pF Puede observarse que cuando
Cre est cortado son mucho
Derivadas positivas permiten conexin en paralelo.
menores que cuando est
Para funcionamiento de dispositivos aislados es preferible una derivada
conduciendo
negativa, ya que al subir la corriente, sube la temperatura disminuyendo la
cada de potencial (suben menos las prdidas). 102 pF
En los PT-IGBT, la corriente nominal suele quedar por debajo del lmite 0.1 V 1V 10 V 100 V
(siempre derivadas negativas) en los NPT-IGBT, se suele trabajar en zona de VDS (V)
derivada positiva.

Tema 6. IGBT Transparencia 17 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 18 de 20

CARACTERSTICAS Y VALORES LMITE DEL IGBT CARACTERSTICAS Y VALORES LMITE DEL IGBT

Mdulo Semipuente 1200V, 400Amp

Mdulo con 7 IGBTs encapsulados.1200V, 75Amp

105x45x18mm

Tema 6. IGBT Transparencia 19 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 20 de 20