Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

Captulo VII:
Amplificadores de RF de
potencia

109

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

110

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

7. Amplificadores RF de potencia

7.1 Introduccin
El amplificador de potencia (PA) es la ltima etapa de un trasmisor. Tiene la misin de
amplificar la potencia de la seal (no necesariamente la tensin) y transmitirla a la antena con
la mxima eficiencia. En eso se parecen a los amplificadores de baja frecuencia, pero aqu la
distorsin o falta de linealidad puede no ser importante.

7.2 Clasificacin de los amplificadores de potencia

Los amplificadores de potencia tradicionales emplean dispositivos activos (BJT o MOSFET)
que se comportan como fuentes de corriente controladas por tensin. Estos se clasifican
atendiendo a la fraccin del periodo de la seal en que los dispositivos permanecen en
conduccin. Si la entrada es una funcin sinusoidal, su argumento se incrementa 360 a cada
periodo de seal. La fraccin del periodo en que los dispositivos conducen se mide por el
semingulo de conduccin, , que est comprendido entre 0 y 180.

Fig. 7.1 Transistor de potencia para RF tpico

Se definen tres clases de amplificadores de potencia:
Clase A: = 180 (conducen siempre)
Clase B: = 90 (conducen medio periodo)
Clase C: < 90 (conducen menos de medio periodo)
Cuanto menor es mayor es la eficiencia pero menor es la linealidad.
Existe otro tipo de amplificadores de potencia donde los dispositivos funcionan en
conmutacin. Actan como interruptores que pasan alternativamente de corte a conduccin.
La eficiencia es tericamente del 100% puesto que un interruptor ideal no consume potencia
en ninguno de los dos estados: en corte i = 0 y en conduccin v = 0. En la prctica la eficiencia
se reduce porque hay prdidas de potencia durante el transitorio de conmutacin. Por eso se
han ideado diferentes esquemas que minimizan estas prdidas. Estos amplificadores reciben
distintos nombres (clase D, E, F,) a partir del momento en que se les reconoce su
innovacin respecto a los existentes.

111

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

Fig. 7.2 Clasificacin de amplificadores de potencia

7.3 Clase A
En este tipo de amplificador, el elemento activo est siempre en zona activa. De todos los
tipos es el que produce menos distorsin, pero tambin el que tiene menor rendimiento. En
consecuencia, el ngulo de conduccin es de 360 y produce una rplica amplificada de
voltaje de la seal de entrada. Este tipo de amplificador es comnmente empleado en
transmisores de Banda Lateral nica (SSB: Singled Side Band)
Su esquema es similar al de un amplificador de pequea seal. De las configuraciones bsicas
se elige la de EC: Emisor comn para transistores BJT, porque tiene mayor ganancia en
potencia. El circuito con BJT se muestra en la fig. 7.2.

Fig. 7.3 Amplificador Clase A con transistor BJT

112

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

El punto Q de reposo, se selecciona para conservar siempre el transistor en la regin activa.

Por tanto, el transistor puede modelarse como se muestra en la Fig. 7.4.

Fig. 7.4 Esquema del Amplificador Clase A

Fig. 7.5 Modelamiento de transistor BJT en Clase A

En consecuencia las tensiones de entrada y salida del amplificador clase A muestran en la Fig.
7.4

Fig. 7.6 Tensiones de entrada y salida del amplificador clase A

113

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

Las curvas caractersticas para cada una de los nodos del amplificador de la Fig. 7.4 se
muestran en la Fig. 7.5, para una seal de entrada sinusoidal.

Fig. 7.7 Curvas generadas en el amplificador Clase A

Las ecuaciones que caracterizan este amplificador son:
(7.1)
(7.2)
(7.3)
(7.4)

114

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

En reposo la tensin sobre la inductancia es nula por lo que VCEQ = VCC. Pero la inductancia
mantiene una corriente constante ICQ, es decir que para c.a. se comporta como un circuito
abierto. La amplitud mxima de vo, Vp, que se puede lograr es VCC y para eso es necesario que
ICQRL > VCC
La potencia entregada a la carga es:
(7.5)
Potencia de entrada:
(7.6)

Eficiencia:
(7.7)
En el caso:

Por tanto la eficiencia mxima ser:

(7.8)

En consecuencia, los amplificadores de potencia de RF clase A se usan ms comnmente

como amplificadores de excitacin de bajo nivel (drivers). Cabe anotar que el consumo de
potencia es independiente del nivel de seal. Cuando no hay seal el rendimiento es nulo y
adems toda la potencia consumida se disipa en el transistor que va requerir un buen diseo
del disipador de potencia. En la prctica el rendimiento suele estar alrededor del 15%.
7.4 Clase B
En el amplificador clase B los elementos activos estn en zona activa durante la mitad del
tiempo en cada ciclo de la seal si es un BJT, o en saturacin si se trata de un MOSFET.
Es posible utilizar el mismo esquema del clase A, el cual se muestra en la figura 6.1, pero
ahora con VBB 0.7, de forma que el BJT slo conduce cuando vi > 0. En este caso es
imprescindible poner en paralelo con RL un circuito LC sintonizado que elimina todos los
armnicos y deja pasar a la carga nicamente la componente fundamental.

115

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

Sin embargo el amplificador clase B que se va a analizar es otro, se trata del que utiliza dos
transistores complementarios y que est representado en la Fig. 6.6 con dos BJT
complementarios. En este caso no es necesario poner un circuito LC sintonizado en paralelo
con RL.
Tambin aqu se elige VBB 0.7, para que cuando el voltaje de entrada sea vi > 0 conduzca Q1
y cuando sea vi < 0 conduzca Q2. Admitiendo que los parmetros del modelo en pequea seal
de ambos BJT son iguales (matching) y que tienen el mismo valor desde el momento en que
stos entran en zona activa, sus corrientes de colector en el semiciclo que conducen son
proporcionales a vi.

Fig. 7.8 Amplificador Clase A y Clase B.

Fig. 7.9 Amplificador Clase B con transistores complementarios

116

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

Los dos transistores se excitan desfasados 180 para que cada uno est activo medio ciclo y no
opere el resto.
Los dispositivos son lineales y cada uno es una fuente de corriente de media sinusoide y
amplitud Icm.
Durante medio ciclo, solo medio devanado de T1lleva corriente:
(7.9)
A su vez genera un voltaje de salida:
(7.10)
Voltaje en el colector de Q1:
(7.11)
Donde:

(7.12)

R es la resistencia vista a travs de la mitad del devanado primario con la otra mitad abierta.
(7.13)
Mantener un voltaje de colector negativo requiere que
salida a:

; limitando as la potencia de

(7.14)

117

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

Fig. 7.10 Curvas generadas en el amplificador clase B

La corriente

puede calcularse como:

(7.15)

La eficiencia en este caso es:

(7.16)
Como el voltaje pico de colector es:

, la corriente pico de colector es:

118

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

La eficiencia mxima ser:

(7.17)

La disipacin mxima en cada transistor es:

(7.18)
Y tiene lugar en:
(7.19)
Es de anotar que en clase B si no hay seal no se consume potencia. Pero el mximo
rendimiento slo se consigue cuando Vpico =
. No obstante, el amplificador no es tan lineal
como el clase A, especialmente por la distorsin de cruce, justo en el momento en que un
transistor se corta y empieza a conducir el otro.
Los transistores de este amplificador trabajan en colector comn (CC), no ganan en tensin,
slo en corriente. Si la tensin de entrada no es suficiente hace falta una etapa previa de
ganancia en tensin.
7.5 Clase C:
En esta clase de amplificadores el elemento activo conduce un tiempo t1 t2 en cada periodo T
= 2/o, de forma que el semingulo de conduccin, definido como 2 = o(t1 t2) sea
inferior a /2. En el clase B: = /2, mientras que = en el clase A.
Se utilizan en amplificadores de seales de onda continua (CW), modulacin de frecuencia
(FM) y Modulacin de amplitud (AM).
La variacin de amplitud que se requiere para una seal AM, se realiza variando el voltaje de
alimentacin del amplificador de potencia. La Fig. 6.8 muestra un esquema del amplificador
clase C con transistor BJT.
La tensin VBB es ahora negativa, de forma que el BJT slo entra en zona activa alrededor del
mximo de vi, cuando vi + VBB > 0.7 V.

119

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

Fig.7.11 Amplificador clase C con transistor Mosfet

La corriente de colector en funcin del semingulo de conduccin es:

(7.20)
La corriente de polarizacin
es negativa en el amplificador clase C. Llamando 2y el
ngulo de conduccin, el semingulo de conduccin establece el modo del amplificador clase
C:

(7.21)

Polarizacin:
Corriente de alimentacin

requerida:
(7.22)
(7.23)

Potencia de entrada:
Magnitud del voltaje de salida:
(7.24)
120

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

Las curvas caractersticas del amplificador clase C se muestran en la Fig. 6.9

Fig. 7.12 Curvas caractersticas del amplificador clase C

121

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

Potencia de salida:

(7.25)

Eficiencia:

(7.26)
La eficiencia en clase C es ms elevada que en clase A B.
Cuando
conduccin. Fijando:

, La eficiencia puede relacionarse con el semingulo de

:

(7.27)
Entonces la eficiencia mxima ser:

(7.28)

Ejemplo 7.1 Disee un amplificador de potencia clase C para entregar 25W a una carga de 50
con
(sin saturar) y
.
Solucin:
implica:

Este valor se obtiene mediante una red de acople del tipo

con

o mayor.

122

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

Mediante una solucin iterativa de ensayo y error se obtiene:

, para una eficiencia mxima del 85%
Insertando

y en

Para estos valores de corriente:

Voltaje mximo del dispositivo: 2x12=24 volt.

Cabe anotar que, a diferencia del amplificador clase A o B, el clase C no es un amplificador
lineal: la salida es nula hasta que la amplitud de la tensin de entrada supera VBB + 0.7.
Este amplificador slo puede usarse para FM o PM porque emplea seales de amplitud
constante o para seales digitales y de banda estrecha.

7.6 Clase D.
Este es el tipo bsico de amplificador en que los transistores trabajan en conmutacin, pasan
del estado de corte al de conduccin y viceversa de forma instantnea.
Su esquema se muestra en la figura 6.10.
La seal de entrada, vin, debe ser cuadrada y de suficiente amplitud para llevar los transistores
alternativamente de corte a saturacin (de corte a zona lineal si son MOSFETs).
Trabajando en este modo el transistor se puede asimilar a un interruptor ideal (abierto en corte,
cerrado en saturacin).
Este tipo de amplificadores no son lineales (muchas veces ni siquiera ganan en tensin, slo en
corriente), slo se pueden aplicar a seales de amplitud constante, como por ejemplo las
moduladas en PM o en FM (pero de banda muy estrecha), o a seales digitales.

123

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

En RF no se suelen emplear debido a que las prdidas de conmutacin en los transistores son
elevadas. Estas prdidas se producen en los transitorios de corte a conduccin y de conduccin
a corte, porque durante los transitorios ni la corriente ni la tensin en el transistor es nula.

7.7 Adaptadores de impedancia.

Generalmente, los amplificadores de potencia llevan una red adaptadora de impedancia entre
el transistor de salida y la carga como muestra la figura 7.11.
El objetivo es doble: primero que la impedancia vista desde el colector del transistor tenga el
valor adecuado a la potencia de salida deseada, y segundo, minimizar las prdidas de potencia
debidas a los elementos parsitos del transistor.

7.8 Ejercicios propuestos.

7.8.1 Disear un amplificador de potencia CLASE B que entregue 100 watts a una carga
de 50 ohmios.
Asumir
a. Dibuje el circuito amplificador.
b. Calcule
(Potencia de entrada DC).
c. Halle la eficiencia ( ).
d. Encuentre la disipacin mxima de cada transistor.
7.8.2 Disee un amplificador de potencia CLASE C empleando un transistor MOSFET que
entregue una potencia de 100 watts a una carga de 50 mediante una red acopladora con
.
ngulo de conduccin
(1.285 radianes). Frecuencia de operacin de 100 MHz
Fuente de Alimentacin:
.
Sin considerar los efectos de saturacin, calcule:
a. Resistencia de carga.
b. Eficiencia mxima ( mx)
c.
d.
e.

7.8.3 Un amplificador de potencia Clase C con las siguientes especificaciones:

Potencia de salida: 50 Watts sobre una carga de 50 ohms.
Vcc = +28 volts.
Semingulo de conduccin: y=66
Frecuencia de operacin: 120 MHz.
124

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

Calcule:
a. La resistencia vista en el colector del transistor.
b. Determine la eficiencia mxima del amplificador.
c. Determine la corriente en el punto Q:

125

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas

126