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Guia 5 - Transistores PDF
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GUA 5: TRANSISTORES
1. CLASIFICACIN DE TRANSISTORES
PNP
Bipolar
(BJT)
NPN
Canal N (JFET N)
Efecto de campo
(FET)
Canal P (MOSFET P)
Metal Oxide -
Semiconductor
Canal N (MOSFET N)
Liceo Diego Portales Circuitos Electrnicos
3 Electrnica Rogelio Ortega B
- Transistor PNP
- Transistor NPN
PNP NPN
C C
B B
E E
a) Condiciones de funcionamiento
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el diodo base -
emisor se encuentra polarizado en directa y el diodo base - colector se encuentra polarizado en
inversa. En esta situacin gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base consiguen
atravesar sta, debido a su poco grosor y dbil dopado, y llegar al colector.
- Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente,
determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos de la corriente de base
corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi independiente
de la tensin entre emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo base - emisor ha
de estar polarizado en directa, mientras que el diodo base - colector, ha de estar polarizado
en inversa.
Liceo Diego Portales Circuitos Electrnicos
3 Electrnica Rogelio Ortega B
Los transistores se usan en su zona activa cuando se emplean como amplificador de seales. Las
zonas de corte y saturacin son tiles en circuitos digitales, vale decir, trabajan como interruptor
abierto o cerrado.
JFET MOSFET
D D D D
G G G G
S S S S
- El transistor de unin bipolar (BJT) es un dispositivo operado por corriente, y requiere que
haya cambios de corriente en la base (IB) para producir cambios en la corriente de colector
(IC).
- El transistor de efecto de campo (FET) es controlado por tensin y los cambios en tensin
de la compuerta (VGS) permiten cambios en la corriente de drenador (ID).
Liceo Diego Portales Circuitos Electrnicos
3 Electrnica Rogelio Ortega B
As como hay transistores bipolares NPN y PNP, existen transistores de efecto de campo de canal
N y canal P. Sin embargo, es importante tener en cuenta que el transistor BJT es un dispositivo
bipolar (el prefijo bi revela que el nivel de conduccin es una funcin de dos portadores de carga,
electrones y huecos). El FET es un dispositivo unipolar que depende nicamente ya sea de la
conduccin por electrones (canal N) o por los huecos (canal P). El trmino "Efecto de campo" en
el nombre elegido amerita una explicacin. Todos estamos familiarizados con la habilidad de un
imn permanente de atraer limaduras de metal sin necesidad de un contacto fsico directo. El
campo magntico de un imn permanente acta sobre las limaduras y las atrae hacia el imn a
travs de un esfuerzo por parte de las lneas de flujo magntico, para mantenerlas a tan corta
distancia como sea posible. Para el FET se establece un campo elctrico por medio de las cargas
presentes que controlaran la trayectoria de conduccin del circuito de salida, sin necesidad de un
contacto directo entre la cantidad que controla y la que es controlada.
En general, los FET son ms estables con relacin a la temperatura que los BJT, y los FET son
normalmente ms pequeos en construccin que los BJT, hacindolos particularmente tiles en
circuitos integrados (IC). Sin embargo, las caractersticas de construccin de algunos FET pueden
hacerlos ms sensibles al manejo que los BJT.
Una de las caractersticas ms importantes del FET es su alta impedancia de entrada. En un nivel
de 1 hasta varios cientos de mega ohms (M), este dispositivo exceder con mucho los niveles
tpicos de resistencia de entrada de las configuraciones con transistores BJT, una caracterstica
muy importante en el diseo de sistemas amplificadores lineales de AC. Por otro lado, el
transistor BJT tiene una sensibilidad mucho mayor a los cambios en la seal aplicada. En otras
palabras, la variacin en la corriente de salida es por lo general mucho mayor para los BJT que
para los FET, con el mismo cambio en el voltaje. Por esta razn, las ganancias tpicas de voltaje
de AC para amplificadores BJT son mucho mayores que para FET. En general los FET son ms
estables con relacin a la temperatura que los BJT, y los FET son normalmente ms pequeos en
construccin que los BJT, hacindolos particularmente tiles en circuitos integrados (IC). Sin
embargo, las caractersticas de construccin de algunos FET pueden hacerlos ms sensibles al
manejo que los BJT.
TO 92 TO 220 TO 3
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3 Electrnica Rogelio Ortega B
50k 12 V
2N2222
5V
a) 12V I C 1k VCE
b) 5V I B 50k 0,7V IB 86 A
A continuacin se presenta el circuito con las respectivas corrientes de base y colector, as como
tambin el voltaje colector emisor.
- +
9.855m A
1k
DC 1e-009
+ - +
0.087m A 2.145 V DC 10M
50k - 12 V
DC 1e-009 2N2222
5V
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3 Electrnica Rogelio Ortega B
En saturacin el VCE = 0V
a) 12V I C 1k 0V I C 12mA
b) 5V I B RB 0,7V
IC 12mA
c) IB 120 A
IB 100
A continuacin se presenta el circuito con las respectivas corrientes de base y colector, as como
tambin el voltaje colector emisor.
- +
0.011 A
1k
DC 1e-009
+ - +
0.123m A 0.695 V DC 10M
35k - 12 V
DC 1e-009 2N2222
5V
a) 12V I C 1k 12V I C 0A
b) 5V I B RB 0,7V
IC 0A
c) IB 0A
IB 100
5V 0 A RB 0,7V RB
Esto quiere decir que RB es muy grande, tal como se puede ver en el siguiente circuito
esquemtico.
- +
0.000 A
1k
DC 1e-009
+ - +
0.888u A 11.998 V DC 10M
100M - 12 V
DC 1e-009 2N2222
5V
4. Calcular los parmetros elctricos existentes en el circuito con polarizacin por divisor de
voltaje?
12V
10k 3.3k
2N2222
2.2k
1.0k
c) ( I 1 I B ) 2,2k 0,7V I C 1k
IC
d) I C 100 I B
IB
Reemplazando IC de ecuacin d) en ecuacin c) tenemos:
12,2k I 1 2,2k I B 12
2,2k I 1 102,2k I B 0,7
12V
10k 3.3k
+
+ 1.503m A DC 1e-009
DC 1e-009 0.985m A -
-
+ - +
9.770u A 5.528 V DC 10M
-
DC 1e-009 2N2222
2.2k
1.0k
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3 Electrnica Rogelio Ortega B
12V
Ext T rig
+
_
A B
+ _ + _
10k 3.3k
10uF-POL
10uF-POL
2N2222
2.2k
1.0k
10uF-POL
Vo 1.135mV
Av
Vi 10mV
Av 113,5
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3 Electrnica Rogelio Ortega B
El transistor cuando trabaja como interruptor cerrado (saturacin) el voltaje colector emisor
tiende a cero voltios, mientras que cuando trabaja como interruptor abierto (corte) el voltaje
colector emisor es cercano a la tensin de alimentacin. Por otra parte cuando el transistor trabaja
como amplificador el voltaje colector emisor es aproximadamente la mitad de la tensin de
alimentacin.
Adems podemos indicar que la ganancia de voltaje del amplificador Av = 113,5 la cual es muy
cercana a la ganancia de corriente considerada para los clculos = 100
Tambin podemos sealar en este apartado que el transistor NPN puede trabajar solamente si est
bien polarizado, esto es que el diodo base emisor debe estar en polarizacin directa, es este caso
el terminal de base positivo y el de emisor negativo. Con lo anterior se logra que exista una
pequea corriente en la base y con esto la existencia de corriente de colector.