Scientia et Technica Ao XIV, No 40, Diciembre de 2008. Universidad Tecnolgica de Pereira.

ISSN 0122-1701 37

DISEO Y CONSTRUCCIN DE UN INVERSOR TRIFSICO

Design and Construction of a Three-phase inverter

RESUMEN CARLOS ANDRS TORRES P.

Este artculo presenta el diseo y construccin de un inversor trifsico, el cual Ingeniero Electricista, M. Sc.
muestra el principio de operacin de la topologa de 3 ramas, caractersticas de Estudiante de Doctorado en
las protecciones, y resultados experimentales de acuerdo a la tcnica de Ingeniera Electrnica
modulacin utilizada. Como carga se implement una configuracin RL que fue Universitat Rovira I Virgili
sometida a un nivel de voltaje de 72.1V. Adems se aplic un filtro en carlosandres.torres@urv.cat
configuracin L pasa-bajo donde se elimin desde el tercer armnico

PALABRAS CLAVES: Compensacin, Electrnica de Potencia, Red Snubber, DUBERNEY MURILLO Y.

PWM. Ingeniero Electricista, M. Sc (c).
Profesor Catedrtico
ABSTRACT Ingeniera Elctrica
This document presents the design and construction of a three-phase investor, Universidad Tecnolgica de Pereira
who shows the principle of operation of the topology of 3 branches, duberneymurillos@gmail.com
characteristics of the protections, and experimental results according to the
technique of used modulation. As it loads implemented a configuration RL that CARLOS RESTREPO PATIO
was put under a level of voltage of 72.1V. In addition a filter in configuration L Ingeniero Electricista, M. Sc.
was applied pass-under where it was eliminated from the third overtone Estudiante de Doctorado en
Ingeniera Electrnica
Universitat Rovira I Virgili
KEYWORDS: Compensation, Power electronics, PWM, Snubber Network. carlos.restrepo@urv.cat

Grupo de Investigacin en
Electrnica de Potencia UTP

1. INTRODUCCIN dispositivos electrnicos de potencia, que trabajan como

El desarrollo de dispositivos electrnicos, as como gran
cantidad de cargas no lineales existentes en instalaciones
industriales y comerciales tales como convertidores de
potencia (controladores de velocidad de motores, fuentes
de alimentacin conmutadas, hornos etc.), han
deteriorado la calidad de la energa en los sistemas de
distribucin y transmisin, causando una operacin no
deseada de los sistemas elctricos [1].
Por tal motivo se ha creado la necesidad de disear y
construir prototipos tales como inversores trifsicos, para
luego ser implementados en actividades como:
compensadores estticos de reactivos, compensacin de
armnicos, correccin del factor de potencia, etc.,
tratando de esta manera reducir la magnitud de dichos
problemas. El avance que han experimentado los
semiconductores, en trminos de frecuencia de
conmutacin, prdidas en conduccin y facilidad de
manejo han contribuido en gran medida a la
popularizacin de este tipo de convertidores y su
evolucin [2].
El objetivo de un inversor trifsico es generar energa
elctrica de corriente alterna a partir de una fuente de
energa de corriente continua, con magnitudes y
frecuencias deseadas. Se constituye principalmente por
Fecha de Recepcin: 8 de Septiembre de 2008
Fecha de Aceptacin: 1 de Diciembre de 2008.
interruptores operando en corte y saturacin con una
secuencia apropiada para obtener tres tensiones de salida
simtricas y balanceadas. El controlador es otro
componente fundamental en la constitucin del
convertidor, es el que genera las seales de encendido y
apagado de los dispositivos semiconductores y garantiza
su buen comportamiento. Cualquier tipo de inversor
(monofsico trifsico) utilizan dispositivos con
activacin y desactivacin controlada (es decir BJT,
MOSFET, IGBT, MCT, SIT, GTO) o tiristores de
conmutacin forzada, segn la aplicacin. Un inversor se
puede clasificar segn el tipo de entrada en: VSI
(Inversor por fuente de tensin), CSI (Inversor por fuente
de corriente), siendo este ultimo utilizado solo en
aplicaciones con excitadores de motores AC de muy alta
potencia o en excitadores de control vectorial [3].
2. CONFIGURACIN DEL CIRCUITO
La Figura 1 muestra la topologa de un inversor VSI
trifsico en puente completo, el cual se componen de 6
transistores IGBTs, cada uno con un diodo en conexin
inversa, empleados para conducir la corriente reactiva de
retorno a la fuente de tensin E. Estos inversores se
dividen segn su forma de operar en: conduccin a 180
de cada elemento, con lo cual habr 3 elementos en
conduccin al mismo tiempo y conduccin a 120, con 2
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elementos por vez. Adems pueden alimentar los dos transistores. Las seales de excitacin se muestran en la
tipos caractersticos de cargas trifsicas simtricas: figura 3. La secuencia de conduccin de los transistores
conexin delta y estrella. es 61, 12, 23, 34, 45, 56, 61.
G1
2
G2
Q1 Q3 Q5
G3

+ G4
E a b c
- G5

G6
Q4 Q6 Q2
V ab

b
Vab Vbc V bc
Vca
a c
n
.
V ca
Figura 1. Inversor puente trifsico de 3 ramas.

2.1 Conduccin a 180

Figura 3. Secuencia de la seales de excitacin de los
transistores a 120.
Cada transistor conducir durante 180. Tres transistores
se mantienen activos durante cada instante del tiempo. 3. PROTECCIN PARA ENCENDIDO Y
Cuando el transistor Q1 est activado, la fase a se conecta APAGADO DE LOS IGBTs
con la terminal positiva del voltaje de entrada. Cuando se
activa el transistor Q4, la fase a se lleva a la terminal Esta proteccin ms conocida como red snubber, se
negativa de la fuente DC. En cada ciclo existen seis puede considerar como un conjunto de componentes
modos de operacin, cuya duracin es de 60o. Los (pasivos y/o activos) que se incorporan a un circuito de
transistores se numeran segn su secuencia de excitacin potencia, para la proteccin de dispositivos de
por ejemplo (123, 234, 345, 456, 561, 612). Las seales conmutacin contra las transiciones de encendido y de
de excitacin mostradas en la Figura 2 estn desplazadas apagado, asegurando un rgimen de trabajo seguro [4].
60o unas de otras, para obtener voltajes trifsicos La funcin principal que desarrollan los circuitos
balanceados [3]. snubber es absorber la energa procedente de los
G1 elementos reactivos del circuito durante el proceso de
2
G2 conmutacin controlando parmetros tales como la
G3
evolucin de la tensin o corriente en el interruptor, o
bien limitando los valores mximos de tensin que ha de
G4
soportar. Se incrementa de esta forma la fiabilidad de los
G5 semiconductores al reducirse la degradacin que sufren
G6 debido a los aumentos de potencia disipada y de la
temperatura de la unin. Aunque existen distintos tipos
V ab
de circuitos, en el diseo solamente utilizaremos el
Snubber de Tensin RCD, el cual es un tipo de circuito
que encuentra un amplio campo de aplicacin en la
V bc
proteccin de interruptores, como es el caso de los
transistores bipolares. Se distinguin dos utilidades en los
circuitos RCD (resistencia condensador y diodo):
V ca

Control de la pendiente de subida de la tensin

en el interruptor durante el transitorio de
Figura 2. Secuencia de la seales de excitacin de los apagado.
transistores a 180. Enclavamiento de la tensin en el interruptor.
2.1 Conduccin a 120
En la Figura 4 se observa el esquema de la red snubber a
implementar.
En este tipo de control, cada transistor conduce durante
120. En cualquier instante del tiempo, slo conducen dos
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P
6.76 Rs < 666.6
Q1 Rs = 56
Ds Rs

3.1.2 Potencia Disipada

Cs
PRS = 0.5.C S .V D2 . f = 0.5 * 0.1F .(250V ) 2 * 5kHz
PRS = 16W
Q4
4. PROTECCIN POR TEMPERATURA
Ds Rs

4.1 Disipador de Calor

Cs
N

Figura 4. Red Snubber RCD. El disipador de calor en los circuitos electrnicos es una
pieza clave, sobre todo si se trata de electrnica de
Los diodos que se encuentran en paralelo con los IGBTs, potencia, donde las elevadas corrientes por los
los protegen contra altos picos de voltaje (manteniendo el semiconductores pueden causar su destruccin. Tanto as,
flujo de corriente en la misma direccin), los que en muchas aplicaciones, la potencia mxima de un
condensadores aseguran un nivel mnimo de voltaje en el circuito de potencia est limitada por el diseo trmico
dispositivo hasta que la corriente sea cero, garantizando del sistema [6].
con esto reducir las prdidas de potencia en la
conmutacin, y las resistencias limitan el pico de 4.1.1 Diseo Trmico del Disipador
corriente de descarga a travs del transistor a un valor
seguro.
La diferencia de temperaturas entre la juntura y el
ambiente en condiciones de estado estacionario est dada
3.1 Diseo de la Red Snubber
por la siguiente ecuacin obtenida del circuito trmico de
la Figura 5.
Para el clculo de la red snubber se aplica el siguiente TJ T A = PAVE (RJC + RCS + RSA ) (1)
criterio [5].
TJ TC Ts
3.1.1 Capacitor Snubber
I L .t f 2 *140s R JC R CS R SA
Cs = TA
2.VCD 2 * 200V PAV E
C s 0.7F
Figura 5. Modelo trmico bsico.
C s = 0.1F
3.1.2 Resistencia Snubber Donde:
Resistencia Mnima PAVE : Representa la potencia de prdida disipada en
VD 250V cada semiconductor.
Rs =
I M I L 39 A 2 A RJC : Representa la resistencia trmica entre la juntura y
Rs 6.76 la carcasa del semiconductor.

Resistencia Mxima
RCS : Resistencia trmica entre la carcasa del
semiconductor y el disipador de calor.
TON (min) 2 x10 4 s
Rs < = RSA : Resistencia trmica entre el disipador y el
3.C S 3 * 0.1F
ambiente.
Donde TON (min) es el mnimo tiempo de encendido. Esto TJ : Representa la temperatura de la juntura del
semiconductor.
quiere decir que RS debe ser pequeo para lograr una
TC : Representa la temperatura de la de la carcasa.
rpida descarga de C S .
TS : Representa la temperatura del disipador.
Rs < 666.6
T A : Representa la temperatura ambiente
Por lo tanto RS debe estar entre: La resistencia RSA no depende del semiconductor, sino
del tipo de disipador a usar, por tanto es una cantidad que

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1. Las notas de pie de pgina debern estar en la pgina donde se citan. Letra Times New Roman de 8 puntos
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depende del material, el pulimiento de su superficie, el Para este inversor las condiciones son ms
tamao y la diferencia de temperatura entre el disipador y conservadoras, debido a que no se pudo acceder a
la temperatura ambiente. De la hoja de datos tcnicos del fusibles ms avanzados como son los fusibles rpidos.
IGBT IRG4PC50FD obtenemos los parmetros de Se utilizo fusibles de 5A de 5 ciclos por segundo, para
acuerdo a lo especificado anteriormente. cada salida y entrada del inversor tal y como se ve en la
Figura 6.
Parmetros Valores
PAVE 78W 1. 5 A 39 A
RJC 0.64 C/W
2.
(5 A)2 (5cps ) (39 A)2 (0.5cps )
RCS 0.24 C/W 2.0833A 2 s < 12.675A 2 s
IC 39A
Se puede observar que para esta seleccin de fusible las
Tabla 1. Parmetros para el clculo del disipador condiciones se cumplen.
F1
De la curva TC contra I C se observa que
Q1 Q3 Q5
TC ( mx ) = 100 C .
Asumimos una temperatura ambiente T A = 40 C . E
+
- F2 a
F3
F4
b
c
TS = TS PAVE .RCS = 81.28 C (2) Q4 Q6 Q2

T = TS T A = 41.28 C (3)
T C
RSA = 0.5292 (4) Figura 6. Inversor Trifsico con fusibles.
PAVE W
1 5. CONSTRUCCIN DEL INVERSOR
A= 755.85cm 2 (5)
RSA . 5.1 Rectificador Monofsico Implementado

Pero cuando el disipador que se utiliza no es plano y con
aletas, las dimensiones calculadas son ms pequeas, por
tal razn se escoge un disipador de calor de aluminio por
conveccin natural, con dimensiones A = 263.78cm 2 ,
para el inversor [7].
Como fuente DC para la utilizacin del inversor se utilizo
un rectificador monofsico de onda completa, constituido
por 4 diodos de potencia de 600V y 50A, y un
condensador electroltico de 2200F a 250V , tal y como
se muestra en la Figura 7.
+

5. PROTECCIN CONTRA SOBRECORRIENTE

Los convertidores de potencia pueden provocar cortos
circuitos o fallas, y las corrientes resultantes debern
eliminarse con rapidez. Con el fin de prevenir situaciones
de riesgo para los usuarios o el convertidor, se instalaron
fusibles, el cual su objetivo es que, en funcionamiento
fuera de rango, estos se destruyan antes que otras partes
valiosas del convertidor o antes que se produzcan
incendios o explosiones.
Las condiciones a tener en cuenta en la seleccin del
fusible son:
1. I rms fusible I rms IGBT
2. I 2 t fusible I 2 t IGBT
3. Varco fusible Vrms IGBT
F
C
N
-
Figura 7. Rectificador Monofsico.
5.2 Tarjeta de Potencia
Para la construccin del inversor se utilizaron
semiconductores de potencia del tipo IGBT.
Especficamente se utiliz un mdulo integrado fabricado
por International Rectifier (modelo IRG4PC50FD), con
los que se construy cada rama del inversor. Estos IGBTs
soportan 39A y un voltaje de 600V entre colector y
emisor. En la Figura 8 se observa el esquemtico de la
tarjeta de potencia elaborada en el software EAGLE 4.11.
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los condensadores de compensacin, debido a que en este

tipo configuracin la conexin no presenta punto de
retorno.

Q1 Q3 Q5

C1

+ RL
E
-
C2

Q4 Q6 Q2

Figura 8. Tarjeta de Potencia.

5.3 Tarjeta de Disparo

Figura 10. Inversor Trifsico con carga RL en Y
Para que los IGBTs conduzcan es necesario generar una
seal de voltaje de alrededor de 15V entre la puerta y el Finalmente se implement un filtro en configuracin L,
emisor. Por lo tanto, al cambiar de estado los IGBTs la inductancia utilizada fue de 10mH y la capacitancia de
generan tierras flotantes en las fuentes de disparo, lo que 0.1F. La medida de las formas de onda sin y con filtro
hace necesaria la implementacin de un circuito de para una entrada de 72.1Vdc, se ilustran a continuacin.
disparo que sea capaz de generar los 15V
independientemente para cada uno [8]. Para solucionar
este problema de excitacin adecuada se utiliz el
circuito integrado IR2110 de International Rectifier. En
la Figura 9 se muestra el esquemtico de la tarjeta de
disparo.

Figura 11. Voltaje de lnea Vab en conexin Y.

Figura 9. Tarjeta de Disparo.

6. RESULTADOS EXPERIMENTALES

Para la evaluacin experimental del inversor, se utiliz el

montaje mostrado en la Figura 10, con un PWM a
conduccin 120 programado en el DSP (Digital Signal
Procesing) TMS320F2812 de spectrum digital. Esta
configuracin se realiz para compensar el desequilibrio
de las seales de carga (voltajes y corrientes) que se
presentaban, debido a que los IGBTs no posean las
mismas caractersticas. A la salida de tensin alterna del Figura 12. Voltaje de fase Va en conexin Y.
inversor se conect una carga RL, de valores 300 y
20mH conectadas en estrella y en delta, esta ultima sin

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1. Las notas de pie de pgina debern estar en la pgina donde se citan. Letra Times New Roman de 8 puntos
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Figura 16. Voltaje de lnea Vab filtrado en conexin delta.

Figura 13. Voltaje de lnea Vab filtrado en conexin Y. 7. CONCLUSIONES

Se diseo y construy un inversor trifsico de potencia de

tres ramas utilizando transistores bipolares de puerta
aislada (IGBTs). El diseo fue avalado mediante
simulacin utilizando Matlab. El anlisis de resultados
permiti seleccionar la red snubber y observar el
comportamiento del modelo para conexiones en Y y
Delta con carga RL. Los resultados observados
evidencian el buen desempeo del prototipo. La conexin
Y con filtro LC present el mejor comportamiento.

8. BIBLIOGRAFA
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[7] L.H. Ros and A. Alzate, Electrnica de Potencia,
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[8] L.H. Ros and A. Alzate, IC excitacin de Alta
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