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LAB.

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Universidad Nacional Mayor


de San Marcos

Contenido FACULTAD DE INGENIERA


ELCTRICA, ELECTRNICA Y
DE TELECOMUNICACIONES

Compendio de Informes

Curso : Lab. Dispositivos


Electrnicos

Alumnos :

Bastidas Cerazo Luis Angel


10190258
Campos Aco Josu Joel 10190165
Prez Reyes Issa Luis 10190245
Tarazona Gambini William
10190224

Profesor : Ing. Luis Ponce Martnez

Ciclo : 3

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 1


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EXPERIMENTO N1
El Diodo Rectificador.................................................................................................. 3

EXPERIMENTO N2
El Diodo Emisor de Luz o LED................................................................................... 12

EXPERIMENTO N3
El Diodo Zener.......................................................................................................... 16

EXPERIENCIA N 4
Fuente de alimentacion no regulada........................................................................21

EXPERIMENTO N 5
Fuente de Alimentacin Regulada con Zener...........................................................27

LABORATORIO N6
Polarizacin del Transistor BJT.................................................................................. 32

LABORATORIO N 7
DIAC......................................................................................................................... 49

LABORATORIO N8
Oscilador Practico con UJT........................................................................................ 54

LABORATORIO N9
Oscilador Practico con PUT....................................................................................... 59

LABORATORIO N 10
El Dimmer................................................................................................................. 63

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EXPERIMENTO N1
El Diodo Rectificador

I. OBJETIVOS

Utilizar caractersticas de operacin de los diodos semiconductores.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

Una fuente de corriente continua


variable.

Un Multmetro.

Un Miliampermetro y un
Microampermetro.

Un diodo semiconductor de SI y GE.

Un Voltmetro de C.C.

Resistencia de 100

Cables y conectores.

III. FUNDAMENTO TERICO

Un diodo es un elemento de dos terminales cuya caracterstica


tensin-corriente no es lineal. Est formado por un cristal semiconductor
dopado de tal manera que una mitad es tipo "p" y la otra "n", constituyendo
una unin p - n. La terminal que corresponde con la parte "p" se llama
nodo y el que coincide con la "n" es el ctodo. Este diodo est compuesto
por un cristal de silicio o de germanio dopado, es decir, al que se le han
incluido impurezas. El dopado del silicio (o del germanio) se realiza para
variar sus propiedades de semiconductor.

El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el


polo positivo de la batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al
paso de la misma si se realiza la conexin opuesta. Esta interesante
propiedad puede utilizarse para realizar la conversin de corriente alterna en
continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin.

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En resumen, son aplicables las condiciones que se describen en la


figura 1.2.

El diodo semiconductor est constituido


fundamentalmente por una unin P-N,
aadindole un terminal de conexin a cada
uno de los contactos metlicos de sus extremos
y una cpsula que aloja todo el conjunto,
dejando al exterior los terminales que
corresponden al nodo (zona P) y al ctodo
(Zona N)

PRUEBA ESTTICA PARA UN DIODO SEMICONDUCTOR

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La resistencia del diodo en polarizacin directa debe ser muy


baja comprada con el nivel de polarizacin inversa. Mientras
ms alta sea la corriente, menor ser el
nivel de resistencia. Para la situacin de polarizacin
inversa la lectura debe ser bastante alta.

NOTA:

Una alta lectura en la resistencia en ambas


direcciones indica con claridad una condicin abierta
(dispositivo defectuoso), mientras que una lectura muy
baja de la resistencia en ambas direcciones quiz indique un
dispositivo en corto.

REGIN ZENER

Existe un punto en el cual la aplicacin de un voltaje demasiado


negativo dar por resultado un agudo cambio en las caractersticas, como lo
muestra la figura 1.22. La corriente se incrementa a una velocidad muy
rpida en una direccin opuesta a aquella de la regin de voltaje positivo.

El potencial de polarizacin inversa que da como resultado este


cambio muy drstico de las caractersticas se le llama potencial Zener y se le
da el smbolo Vz.

La regin de avalancha (Vz) se puede acercar al eje vertical al


incrementar los niveles de: dopado en los materiales tipo p y tipo n. Sin
embargo, mientras Vz disminuye a niveles muy bajos, como -5 V, otro
mecanismo llamado ruptura Zener contribuir con un cambio
agudo en la caracterstica. Este cambio rpido en la
caracterstica a cualquier nivel se denomina regin Zener, y
los diodos que utilizan esta porcin nica de la caracterstica de una
unin p-n son los diodos Zener. La regin Zener del diodo
semiconductor descrito se debe evitar si la
respuesta de un sistema no debe ser
alterada completamente por el severo
cambio en las caractersticas de esta
regin de voltaje inverso.

El mximo potencial de polarizacin inversa que


puede ser aplicado antes
de entrar a la regin Zener
se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el valor PIV,

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por las iniciales en ingls de: Peak Inverse Voltage) o PRV, por las iniciales en
ingls de: Peak Reverse Voltage).

IV. PROCEDIMIENTO:

1. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directas en inversas del


diodo de silicio. Registrar los datos en la tabla 1.

2. Armar el circuito de la figura 1.

a. Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la


corriente y el voltaje directo de diodo, registrar sus datos en la tabla
2.

b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los


instrumentos como en (a), registrando los datos en la tabla 3.

R. Directa R. Inversa
2.44 M
TABLA 1. (SI)

Vcc(
0.50 0.54 0.59 0.66 0.79 0.90 1.22 1.79 2.30 2.83
v)
Id(m 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0

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A)
Vd(v
0.49 0.52 0.55 0.58 0.61 0.64 0.67 0.69 0.72 0.73
)
TABLA2

Vcc(
0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
v)
Vd(v 11.9 14.9 19.9
0 1.99 3.99 6 8 10
) 9 9 9
Id(
0 0 0 0 0 0 0 0 0
A)
TABLA3

3. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo


de germanio. Registrar los datos en la tabla 4.

R. Directa R.
Indirecta
7.55 K
TABLA 4

4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera


similar al paso 2; proceder a llenar la tabla 5 y 6.

Vcc(v 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.8 1.2 1.4 1.6 2.0 2.6
0
) 8 5 1 4 6 8 5 8 6 3 1
Id(m 0. 10. 12. 15. 20.
0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0
A) 0 0 0 0 0
0.1 0.2 0.2 0.2 0.2 0.3 0.3 0.3 0.4 0.4 0.4
Vd(v) 0
7 0 3 6 9 3 7 8 0 2 5
TABLA 5

Vcc(v 0. 10.
1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 12.0 15.0 18.0 20.0
) 0 0
0.9 1.9 3.9 5.9 7.9 9.9 11.9 14.8 17.9 19.9
Vd(v) 0
9 9 9 9 8 7 7 5 4 2

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Id(A
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
)
TABLA 6

V. CUESTIONARIO FINAL:
1. Construir el grfico Id=F(Vd) con los datos de la tabla 2 y 3 (SI)
calcular la resistencia dinmica del diodo.

Id vs Vd (polarizacin directa)
25
20
15
Corriente (mA) 10
5
0
0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75

Voltaje (V)

Debido a que la intensidad de corriente (Id) en la zona de crecimiento


vertical es 20 mA, entonces podemos remplazarla en la siguiente frmula
(forma diferencial de la resistencia dinmica):

26 mV 26 mV
rd = = =1.3
Id 20 mA

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Id vs Vd (polarizacin inversa)
1
0.8
0.6
Corriente (A) 0.4
0.2
0
0 5 10 15 20 25

Voltaje (V)

2. Construir el grfico Id=F(Vd) con los datos 5 y 6 (Ge)


resistencia dinmica del diodo.

Id vs Vd (polarizacin directa)
25

20

15
Corriente (mA) 10

0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5

Voltaje (V)

En este caso la resistencia dinmica se hallar con la siguiente frmula:


V 0.40.3
rd = d = =0.012 K
I d 12.34.5

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Id vs Vd (polarizacin inversa)
1

0.8

0.6
Corriente (A) 0.4

0.2

0
0 5 10 15 20 25

Voltaje (V)

3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.

En el grfico de la curva caracterstica correspondiente a la TABLA


2 podemos notar que a medida que se incrementa la intensidad
de corriente se llega a un donde el voltaje del diodo es casi
estable. Este resultado es de esperarse ya que el diodo de silicio
tiene un voltaje en polarizacin directa aproximadamente de 0.7
voltios (comercialmente).

El grfico de la curva caracterstica correspondiente a la TABLA 3


observamos que pesar de incrementar el voltaje del diodo (Vd) la
corriente a travs de este no aumenta. Esto se debe a que la
resistencia del diodo en polarizacin inversa es muy grande.

Anlogamente en el grfico de la curva caracterstica


correspondiente a la TABLA 4 se dan las mismas observaciones
solo que para el caso del Germanio (Ge) el voltaje en polarizacin
directa es aproximadamente de 0.3 voltios (comercialmente).

Finalmente en la grfica correspondiente la TABLA 5 no hay se da


el paso de corriente a travs del diodo, debido a que este se
encuentra polarizado inversamente.

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4. Exponer sus conclusiones en el experimento.

Lo primero que podemos concluir acerca del diodo semiconductor


es que este dispositivo en de tipo unidireccional, debido a que la
corriente circulara a travs de l si es que esta en polarizacin
directa, mientras que estando en polarizacin inversa la corriente
no lo har (idealmente).

Sobre la corriente de polarizacin inversa o de fuga se puede decir


que idealmente es nula, pero en casos reales se ha comprobado
que esta corriente es del orden de los microamperios (A) o
nanoamperios (nA).

Se puede notar del contrastes entre las curvas caractersticas del


diodo hecho del silicio contra el diodo hecho de germanio, que el
primero alcanza ms rpidamente la regin de condicin en
comparacin con el segundo.

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EXPERIMENTO N2
El Diodo Emisor de Luz o LED

I. OBJETIVOS

Proporcionar los conocimientos necesarios a fin de comprender


correctamente la prctica de los LEDS.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

Un LED tipo TIL 203.

Un Multmetro a pilas.

Un Miliampermetro de 10mA.

Un voltmetro de 5v.

III. FUNDAMENTO TERICO

Un led es un diodo que trabaja en polarizacin directa, el cual en


lugar de disipar la energa en forma de calor, lo hace en forma de luz. Estos
tipos de diodos estn fabricados de galio, arsnico o fsforo y la cada de
tensin en polarizacin directa suele ser de unos 2 V.

Los led
pueden radiar luz
roja, verde, amarilla,
naranja o infrarroja
(invisible). Los led
que producen una
radiacin visible se
utilizan en los
instrumentos,
mientras que los de
radiacin invisible
encuentran su
aplicacin en los
sistemas de alarma
antirrobos
principalmente.

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Como se muestra en la figura 1.54 con su smbolo grfico, la


superficie conductora conectada al material p es mucho ms pequea, con
objeto de permitir la emisin de un nmero mximo de fotones de energa
lumnica. Observe en la figura que la recombinacin de los portadores
inyectados debido a la unin con polarizacin directa genera luz, que se
emite en el lugar en que se da la recombinacin. Puede haber, desde luego,
alguna absorcin de los paquetes de energa de los fotones en la superficie
misma, pero un gran porcentaje se encuentra disponible para salir, segn se
muestra en la figura.

IV. PROCEDIMIENTO:

1. Realizar el siguiente circuito:

2. Variando el voltaje de alimentacin, obtenga el voltaje Vd de acuerdo


con los valores del cuadro N 1; mida y anote el valor de la corriente
de diodo (Id.)

Cuadro N 1

Vd(v) 0.5 1 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8

Id(A 0 0 14.5 22 35 47 60

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3. Con los datos obtenidos en el cuadro N 1, trazar la curva


correspondiente considerando Id=f(Vd).

Id vs Vd
80

60

40
Corriente (A)
20

0
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2

Voltaje (V)

4. Disminuya el voltaje de alimentacin a 0v. luego invierta el LED y


repita las medidas anteriores de acuerdo con el cuadro N 2.

+Vd(v
0.5 1 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8
)

Id(mA
0 0 0 0 0 0 0
)

NOTA: No sobrepase la tensin de Vd de 1.7v

5. Qu nota en el LED? Se ilumina?

S, este se ilumina cuando sobrepasa aproximadamente los 13.9 v en


polarizacin directa (observado en el laboratorio).

6. Cundo trabaja correctamente el LED?

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Despus de haber colocado tanto en directa como en inversa las


polaridades del LED, se puede notar que este trabaja solo en
polarizacin directa.

V. CONCLUSIN FINAL

Concluido este Experimento se obtienen las siguientes conclusiones:

El LED es un componente que conduce en una sola direccin y emite


luz de intensidad luminosa creciente en cuanto sobrepasa el umbral de
conduccin (1.4v).

El motivo por el cual no se recomienda sobrepasar el valor de 1.7 v, es


que, a este valor el LED no trabaja eficientemente, ms an, se corre
el peligro de una ruptura en el instrumento.

En el silicio y el germanio el mayor porcentaje de energa se genera en


forma de calor y la luz emitida es insignificante. Mientras que en otros
materiales, como el fosfuro arseniuro de galio (GaAsP) o fosfuro de
galio (GaP), el nmero de fotones de energa de luz emitida es
suficiente para crear una fuente de luz muy visible.

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EXPERIMENTO N3
El Diodo Zener

I. OBJETIVOS

Dar los conocimientos necesarios para la comprensin prctica del


funcionamiento del diodo Zener.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

Un diodo Zener para 12 v.

Un Multmetro a pilas.

Un Miliampermetro de 50mA.

Un voltmetro de 20v.

Una resistencia de 1 K.

III. FUNDAMENTO TERICO

El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre


se utiliza polarizado inversamente. En este caso la corriente circula en
contra de la flecha que representa el diodo. Si el diodo zener se polariza
en sentido directo se comporta como un diodo rectificador comn.
Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene
entre sus terminales un voltaje
constante.

Se analizar el diodo Zener, no como un


elemento ideal, si no como un elemento real y se debe
tomar en cuenta que cuando ste se polariza en modo
inverso si existe una corriente que circula en sentido
contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco
valor.

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La regin Zener de la figura 1.47 se analiz con cierto nivel de detalle en la


parte terica concerniente al Experimento 1. La caracterstica cae de manera
casi vertical en un potencial de polarizacin inversa denotado como Vz. El
hecho de que la curva caiga abajo y lejos del eje horizontal, en vez de arriba
y lejos para la regin positiva VD. revela que la corriente en la regin Zener
tiene una direccin opuesta a aquella de un diodo con polarizacin directa.

Esta regin de caractersticas nicas se utiliza en


el diseo de los diodos Zener, los cuales tienen el
smbolo grfico que aparece en la figura 1.48a. Tanto el
diodo semiconductor como el diodo Zener se presentan
uno al lado de otro en la figura 1.48 con objeto de
asegurar que la direccin de la conduccin se
comprenda con todo detalle junto con la
polarizacin requerida del voltaje aplicado. El
diodo semiconductor, en el estado "encendido", soportar una
corriente en la direccin de la flecha en el
smbolo. Para el diodo Zener la direccin de la
conduccin es opuesta a la de la flecha sobre el
smbolo, de acuerdo con el comentario en la
introduccin de esta seccin. Observe, a su
vez, que la polarizacin de VD y de Vz es igual,
como si se hubieran obtenido en caso de que cada uno
hubiera sido un elemento resistivo.

IV. PROCEDIMIENTO:

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NOTA: El procedimiento a describirse, puede emplearse para cualquier


diodo zener, pero, se tendr cuidado con el voltaje de dicho diodo.

7. Realizar el siguiente circuito de la figura A:

8. Variando el voltaje de alimentacin, complementar los datos


solicitados en la Tabla N1.

Val.
5 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
(v)

Iz 1.5 550 2. 3. 4.
0 0 0 1.2 1.6 3 4.1
(mA) m m 4 5 8

Vz 4. 7. 11. 11.9 11. 11. 11.


10 12 12 12 12
(V) 9 9 5 9 9 9 9

9. Qu comportamiento tiene el diodo Zener para el circuito N 1 A?

En un principio el diodo Zener no conduce ninguna corriente, pero a


medida que se la va aumentando en voltaje de alimentacin (Val.)
entonces el voltaje del Zener (Vz) aumenta hasta que en cierto punto
queda prcticamente estable.

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10. Invierta la posicin del diodo Zener de acuerdo la figura 1B y


completar la Tabla N 2 variando los valores del voltaje de
alimentacin.

Val.
5 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
(v)

Iz 5. 5. 6. 6. 7. 8.
1.2 2.1 2.8 3.3 3.9 4.6
(mA) 1 8 3 9 5 1

Vz 0. 0. 0. 0. 0. 0.
0.7 0.7 07 0.8 0.8 0.8
(V) 8 8 8 8 8 8

11. Qu comportamiento tiene el diodo Zener para el circuito de la


figura N 1B??

En este caso, a pesar de que se le est aumentando el Val. al diodo y


que por consiguiente aumenta tambin la corriente Iz, el Vz no vara,
mantenindose estable.

12. Con los datos obtenidos en las Tablas N1 y 2, trazar la grfica


correspondiente para el comportamiento del diodo zener
experimentado.

Grfico N1:

Iz vs Vz
6

Corriente (A)
2

0
4 5 6 7 8 9 10 11 12 13

Voltaje (V)

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Grfico N2:

Iz vs Vz
10
8
6
Corriente (mA) 4
2
0
0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6

Voltaje (V)

V. CONCLUSIN FINAL

El diodo Zener es un componente, que polarizado inversamente, puede


utilizarse como un estabilizador de tensin (voltaje).

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EXPERIENCIA N 4
FUENTE DE ALIMENTACION NO REGULADA

I. OBJETIVOS

Observar y analizar experimentalmente el voltaje de salida de una fuente de


alimentacin simple.

II. MATERIALES Y/O INSTRUMENTOS

Multmetro

Miliampermetro

Microampermetro

Resistencia de 1K

Capacitores

Transformador

Puente rectificador o 4 diodos rectificadores en conexin tipo puente.

Osciloscopio

III. FUNDAMENTO TERICO

Las fuentes de alimentacin son equipos electrnicos cuya funcin en


convertir el voltaje de la red, la cual es de tipo alterno (sin polaridad) a un
voltaje en continua, para luego alimentar los circuitos que deseamos
analizar. En este caso, nuestra fuente ser la fuente de alimentacin bsica.
Conformada por un transformador cuya funcin es reducir la amplitud de la
seal de entrada de la red, as como de proporcionar un aislamiento elctrico
entre la etapa de potencia conectada a la red, y la de salida. Luego, los 4
diodos rectificadores en puente se encargar de dejar pasar solo uno de los
ciclos de la alterna. Se dice entonces que los diodos rectificaron al voltaje de
entrada. Lo simple de esta fuente radica en el hecho de que emplea un
capacitor como filtro. El capacitor se carga y descarga, tratando de linealizar
la salida, hecho que como veremos, no se logra de manera eficaz.

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IV. PROCEDIMIENTO

Implementar el circuito de la figura.

TR1
BR1

220VAC-60HZ Vin

C1 IL RL
100u 20k +88.8 Vo
TRAN-2P2S AC Volts

Donde C1 se ir cambiando a distintos valores (ver la


tabla).
Llenar la tabla.

CONDENSADORES (F)

47 2W04G
100 470 1000 2200
18.50 18.50 18.50
Vin 18.50V 18.50V
V V V
37.00 37.00 37.00
VinPP 37.00V 37.00V
V V V
13.08 13.08 13.08
VinEF 13.08V 13.08V
V V V
VinDC 0 0 0 0 0
13.08 13.08 13.08
VinRMS 13.08V 13.08V
V V V
16.43 15.30 16.53
V0 16.68V 16.77V
V V V
VDC 0 0 0 0 0
0.75m 0.72m 0.74m
IL 0.74mA 0.74mA
A A A
Vr 0.25V 0.08V 0.15V 5mV 4mV

VrEF 0.07V 0.02V 0.04V 1.44mV 1.15mV

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Dibujar V0

Etapa de entrada.-

TR1

220VAC-60HZ Vin

Etapa de rectificacin.-

TR1
BR1
TRAN-2P2S

220VAC-60HZ Vin

RL
C1 20k
2W04G 100u

TRAN-2P2S

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Etapa de filtro.-

TR1
BR1

220VAC-60HZ Vin

RL
C1 20k
100u

Para:
2W04G

C1=47F C1=100F

TRAN-2P2S

C1=470F C1=1000F

C1=2200F

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V. CONCLUSIONES

El voltaje de rizo son las fluctuaciones de alterna que se mantienen


tras el proceso de rectificacin y filtro. Una fuente de alimentacin
eficiente debe reducir este rizo al mnimo.

La capacitancia del condensador electroltico determina la amplitud del


voltaje de rizo. A mayor capacitancia, menor rizo, y a menor
capacitancia, mayor rizo.

La resistencia de carga tambin influye en el rizo.

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EXPERIMENTO N 5
Fuente de Alimentacin Regulada con Zener

I. OBJETIVOS

Analizar el voltaje de salida de una fuente de alimentacin regulada con


diodo zener.

II. MATERIALES Y/O INSTRUMENTOS

Multmetro

Miliampermetro

Microampermetro

Osciloscopio

Trasformador

4 Diodos rectificadores en conexin puente

Condensador electroltico

Diodo Zener

Resistencia (carga)

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III. PROCEDIMIENTO

Implementar el circuito de la figura.

TR1
BR1

R1
220VAC-60HZ Vin
100

RL
C1 D1 IL 100k +88.8 Vo
2200u 1N4728A AC Volts
TRAN-2P2S

Llenar la tabla

2W04G
CONDENSADORES (F)

50 100 470 1000 2200


Vin 12.73V 12.73V 12.73V 12.73V 12.73V
VinPP 25.46V 25.46V 25.46V 25.46V 25.46V
VinEF 9.00V 9.00V 9.00V 9.00V 9.00V

VinDC 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00

VinRMS 9.00V 9.00V 9.00V 9.00V 9.00V

V0 9.39V 9.38V 9.38V 9.39V 9.38V

VRZ 1.99V 1.99V 1.99V 1.93V 2.01V

VZ 9.39V 9.39V 9.39V 9.39V 9.39V

VDC 9.39V 9.39V 9.39V 9.39V 9.39V

IL 0.10mA 0.10mA 0.10mA 0.10mA 0.10mA

Vr 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00

VrEF 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 28


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Etapa de entrada.-

TR1
BR1

220VAC-60HZ

C1
2200u
TRAN-2P2S

TR1
BR1

220VAC-60HZ
2W04G

RL
C1 D1 100k
2200u 1N4728A
TRAN-2P2S

Etapa de rectificacin.-

2W04G

Etapa de filtro.-

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 29


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

TR1
BR1

220VAC-60HZ

C1
2200u
TRAN-2P2S

2W04G

Etapa de regulacin.-

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 30


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

TR1
BR1

R1
220VAC-60HZ
100

RL
C1 D1 100k
2200u 1N4728A
TRAN-2P2S

2W04G

IV. CONCLUSIONES

Observamos que el voltaje de salida en la carga es constante. Lo cual


indica que el diodo zener elimina el rizado y regula el voltaje mantenindolo
constante sin importar la carga.

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 31


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

LABORATORIO N6
Polarizacin del Transistor BJT

I. OBJETIVOS

Conocer la polarizacin por corriente de base de base y tipo H, calcular el


punto Q y ver la respuesta en Ac de dicho transistor NPN.

II. MATERIALES E INSTRUMENTOS

Transistor BC548

Resistencias (1K, 3K, 10K, 100K)

Capacitores (10 uF, 100 uF)

Generador de seales

III. FUNDAMENTO TERICO

El transistor BJT (Bilpolar Junction Transistor en ingls) o transistor de


juntura bilateral, es un dispositivo electrnicos de tres capas, de las cuales
derivan sus dos tipos: PNP o NPN. Acta bsicamente como una fuente de
voltaje o corriente controlada por corriente de base, ello debido a la juntura
PN base emisor, que se polariza en directa, lo cual permite controlar el flujo
de corriente a travs de la juntura de colector emisor mediante el
ensanchamiento o alargamiento del campo elctrico entre las juntura PN.

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 32


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Transistor tipo NPN

Transistor tipo PNP

Su curva caracterstica se hace en funcin de todas las corrientes de


base posibles para el transistor sin que este sufra daos. Dicha curva
presenta tres zonas, la zona de corte, saturacin y la zona activa o de
amplificacin.

Curvas caractersticas del transistor BJT y las zonas de corte y saturacin


indicadas

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 33


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

IV. PRIMERA PARTE: POLARIZACIN POR CORRIENTE DE BASE

Implementar el siguiente circuito:

RB RC Fig 1
100k 3k

VCC Llenar la siguiente tabla


12v

Q1
BC548

IC (mA) 3.94

IE (mA) 4.05

IB (mA) 0.11

IRC (mA) 3.94

IRB (mA) 0.11

VCC 12

VRC 11.8

VRB 11.3

VCE 0.2

VBE 0.7

VCB -0.52

VC 0.19

VB 0.72

VE 0.00

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 34


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Invertir la fuente y llenar tabla nuevamente.

IC (uA) -0.24

IE (uA) -0.24

IB (uA) -0.24

IRC (mA) -0.24

IRB (mA) -0.24

VCC -12

VRC (uV) -720

VRB -0.01

VCE -12

VBE -12

VCB -0.01

VC -12

VB -12

VE 0.00

Cambiar Rb=1M, llenar tabla.

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 35


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

IC (mA) 2.84

IE (mA) 2.85

IB (mA) 0.01

IRC (mA) 2.84

IRB (mA) 0.01

VCC 12

VRC 8.85

VRB 11.3

VCE 3.42

VBE 0.7

VCB 2.74

VC 3.50

VB 0.7

VE 0.00

V. SEGUNDA PARTE: POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE O


TIPO H

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 36


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Implementar el siguiente circuito:

Fig 2
R1 RC
100K 3k
Llenar la siguiente tabla.
Q1 ICVCC
(mA)
BC548 12v 0.43
IE (mA)
0.43
R2 RE
10k 1k IB (uA)
1.41
IR1 (mA)
0.11
IR2 (mA)
0.11

IRE (mA) 0.43

VCC 12

VR1 10.9

VR2 1.08

VRE 0.43

VRC 1.29

VE 0.43

VC 10.7

VB 1.08

VCE 10.3

VBE 0.65

VCB 9.63

Cambiar R1 por R2 y llenar tabla.

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 37


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

IC (mA) 2.79

IE (mA) 3.52

IB (mA) 0.73

IR1 (mA) 0.77

IR2 (mA) 0.04

IRE (mA) 3.52

VCC 12

VR1 7.7

VR2 4.2

VRE 3.52

VRC 8.37

VE 3.52

VC 3.63

VB 4.3

VCE 0.78

VBE 0.11

VCB -0.67

Ubicar el punto Q en la recta de Carga para cada figura

Para la figura 1:

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 38


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Para la malla 1:

I b R b +V BE =VCC

Para la malla 2:

I C R C +V CE=VCC

Pero sabemos que:

I E =hFE I B

Y que:

I C I E V BE 0.7 v

En 1:

I B RB + 0.7=12

11.3
I B= =0.1mA
RB

Luego, como ICQ=4.05 mA

IE
h FE= =36.81
IB

Lo cual concuerda con la hoja de datos.

As, solo nos falta obtener Vce en el punto de trabajo.

De 2:

V CEQ =VCCI CQ RC =12V 3.94 mA 3 K =0.2 v

As, ya tenemos nuestro punto Q = (0.2V,4.05mA)

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 39


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Ahora, hallamos la IE MX, de 2:

VCC
I C MX = =4 mA
RC

Ubicando el punto en la recta de carga:

El transistor est en la zona de saturacin.

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 40


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Para el voltaje negativo, las junturas Base Emisor y Colector-Emisor se


polariza en inversa, por lo que solo tenemos all la corriente de fuga de 0.24
uA. El transistor est en la zona de saturacin, por lo que el voltaje VCE es
igual al voltaje de la fuente.

Luego, el punto de trabajo Q sera: Q(12,-0.24)

El transistor est en corte.

Para RB=1M, el tipo de configracin vara el hfe, por lo que esta debe
reemplazarse por el descrito en el manual. Al reemplazar los datos se
obtiene:

Reemplazando los datos en las ecuaciones dadas tenemos:

ICQ=2.84mA

VCEQ=3.4 V

Entonces, nuestro nuevo punto Q de trabajo es Q=(3.4V, 2.84mA)

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 41


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

El transistor est en la zona activa.

Para la figura 2:

Primero, hallemos el equivalente de


Thevenin del divisor de voltaje:
R1 RC
100K 3k RBB =R1 R2

Q1 VCC 100 K 10 K
BC548 12v RBB = =9.09 K
100 K + 10 K

R2 RE Luego, el VCAB, por divisor de voltaje:


10k 1k

R2
V BB = VCC=1.2 V
R1

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 42


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Reemplazando estos datos en el circuito original:

En 1:

V BB =I B RBB +V BE+ I E R E

Para este caso VBE=0.7V,

IE
VCCV BE= R BB+ I E R E
hFE

De esta ecuacin obtenemos el hfe del


transistor:

I E RBB
h FE= =0.35
11.3 v I E R E

De 2:

VCC=I C RC +V CE +I E RE

Pero IC=IE para este caso:

VCC V CE
IC =
RC + R E

De donde obtenemos IC mx:

VCC
I C MX = =4 mA
R C +R E

Por ltimo, calculemos los valores de Ic y Vce en el punto de trabajo:

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 43


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

De 1:

V BB V BE
I CQ = =0.42 mA
R BB
+RE
h FE

Para calcular VCEQ, de 2:

V CEQ =VCCI CQ ( RC + R E ) =10.32 v

Por lo tanto, el punto Q ser: Q= (10.32v; 0.42mA)

Vemos que el punto Q de trabajo est cercano a la zona de corte, aunque


bsicamente est en la zona de amplificacin o activa.

Cambiemos ahora R1 por R2, y reemplacemos estos valores en las


ecuaciones descritas anteriormente:

Ahora tenemos VBB=10.91v

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 44


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Reemplazando en las ecuaciones 1 y 2 obtenemos nuestro nuevo punto Q de


trabajo.

ICQ=2.7mA

VCEQ=0.1v

Ubicando este punto en la caracterstica del transistor tenemos:

Ahora vemos que el transistor no trabaja, pues su punto Q est fuera de su


recta de carga.

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 45


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Implementar el siguiente circuito.

V1
12V

C1

10uF

R1 RC
100K 3k
C2

Q1
10uF
Vo
BC548

R2 RE
10k 1k C3
100uF

Fig 3

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 46


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Llenar la siguiente tabla:

IC (mA) 0.42

IE (mA) 0.43

IB (uA) 1.45

IR1 (mA) 0.10

IR2 (mA) 0.11

IRE (mA) 0.42

VCC 12

VR1 10.8

VR2 1.07

VRE 0.43

VRC 1.29

VE 0.43

VC 10.6

VB 1.08

VCE 10.3

VBE 0.65

VCB 9.62

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 47


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Vemos que los datos son idnticos a los obtenidos con el circuito sin las
fuentes sinodales, lo cual nos dice que la recta de carga de DC del transistor
BJT es la misma.

VI. CONCLUSIONES

El transistor BJT sirve como amplificador electrnico, pues presenta


una ganancia de voltaje en el emisor.

Existen diversos circuitos de polarizacin para los BJT, en funcin de la


manera en que se quiere que trabaje.

La recta de carga ubica todos los puntos de trabajo posibles del


transistor para diferentes corrientes de base. Un transistor trabajando
en algn punto fuera de esta recta est siendo utilizado de manera
incorrecta.

Al invertir el voltaje de alimentacin en el primer circuito, llevamos al


transistor a la zona de corte, pues la juntura base emisor se polariz
en inversa, provocando un campo muy fuerte entre colector y emisor,
dejndolo abierto.

Al cambiar la resistencia por una de 1M, se llev finalmente al


transistor a la zona activa.

En el segundo caso, al invertir las resistencias de base, solo se alter la


corriente de la base, llevando el punto de trabajo fuera de la recta de
carga.

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 48


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

LABORATORIO N 7
DIAC

I. OBJETIVOS

Proporcionar experimentalmente las caractersticas del DIAC.

II. MATERIALES Y EQUIPOS

DIAC DB3

Multmetro a pilas.

Miliampermetro de 20 mA

Voltmetro para 100v.

Resistencia de 4.7K

III. FUNDAMENTO TERICO

El DIAC es un dispositivo de potencia bidireccional, formada por 4


junturas PNPN, con dos terminales llamados simplemente nodo 1 o nodo 2.
Bsicamente es un diodo de disparo bidireccional para los tiristores, en
especial para el TRIAC.

Se comporta como dos diodos en oposicin, que se disparan cuando


la tensin entre sus nodos llega o supera a la tensin de disparo
proporcionada por el fabricante.

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 49


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Curva caracterstica del DIAC. Vemos como a


partir de cierto V, el DIAC comienza a
conducir.

IV. PROCEDIMIENTO

1. Realizar el siguiente circuito:

O A 60v

R1
4.7k

+88.8
Volts

+88.8
D1 Volts
DIAC

+88.8
Amps

2. Variando la tensin de la alimentacin, partiendo de cero, determinar


los valores de V2 e I con cada valor de V1.

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 50


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

3. En correspondencia de largas variaciones de la intensidad I, variar


esmeradamente el voltaje V1. Anotar los valores obtenidos en la tabla
correspondiente.

4. Invierta las conexiones del DIAC y repetir las mediciones llevando los
valores a la parte correspondiente de la misma tabla.

5. Trazar la grfica I= f(v) y observe el comportamiento general de la


curva.

A partir del grfico, vemos que el voltaje de activacin del


DIAC es 40 v voltios. Ello, pues antes de que el voltaje llegue a ese
valor, la corriente a travs del DIAC es muy pequea (tiende a cero),
mientras que pasado ese voltaje, el DIAC entra en conduccin.

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 51


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

6. Tomando en consideracin los valores de la tabla y la curva obtenida


con estos valores, determine el comportamiento del DIAC.

V2(v) I(mA)
V1(v)
DIRECTA INVERSA DIRECTA INVERSA

0 0 0 0 0

15 15.16 -15.06 0 0

30 30.18 -30.17 0 0

32 30.54 -29.89 0.350 -0.5

34 29.33 -28.89 1.050 -1.1

36 28.68 -28.18 1.6 -1.65

38 28.17 -26.78 2.150 -2.4

39 27.94 -26.52 2.4 -2.6

40 26.68 -26.23 2.8 -2.9

42 26.3 -25.8 3.4 -3.45

44 25.9 -25.41 3.85 -4

46 25.59 -25.2 4.4 -4.45

48 25.3 -24.85 4.8 -5

50 25.06 -24.55 5.15 -5.4

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 52


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

V. CONCLUSIONES

El DIAC es un dispositivo bidireccional, cuyo equivalente son dos


diodos en oposicin.

El DIAC es un tipo de tiristor controlado por el voltaje entre sus nodos.


Mientras el voltaje entre sus terminales sea menor que este voltaje, el
DIAC no conduce. Una vez que lo hace, el voltaje a travs de l
disminuye para luego incrementarse, ello quiere decir que el DIAC
entr en conduccin.

El DIAC se usa generalmente como elemento de disparo de los TRIACs,


as como para el control de sistemas de potencia, como en los
Dimmers.

El DIAC utilizado es el DB3, cuyo voltaje de activacin es 40 voltios en


ambos sentidos (bidireccional).

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 53


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

LABORATORIO N8
Oscilador Practico con UJT
(Transistor de Unin nica)

I. OBJETIVOS:

Proporcionar todo lo necesario a fin de lograr los conocimientos a


prcticos sobre el UJT.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

Un UJT tipo 2N2646

Resistencias (15K, 470 ohm, 22 ohm)

Potencimetro de 20K.

Capacitor de 100 F 16v.

Osciloscopio.

Una fuente de alimentacin.

III.CARACRTERSTICAS DEL UJT:

El transistor mono unin (UJT) se utiliza generalmente para generar


seales de disparo en los SCR. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como
emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la mono unin tiene las
caractersticas de una resistencia ordinaria.

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 54


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

a) Estructura fsica, b) modelo equivalente, c) circuito equivalente y


d) smbolo.

IV. PROCEDIMIENTO

1. Implementamos el siguiente circuito.

VCC

R1
2k

R2
470
RV1
10K

2N2646
UJT

Vout

R3
C1 22
100uF

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 55


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

2. Ajustamos el amplificador vertical del osciloscopio para operar en


modo cd. Conectamos las puntas de entrada vertical entre la Base 1
y tierra. Y as obtenemos la siguiente curva en el osciloscopio.

3. Ahora
conectamos las puntas de entrada vertical entre la Base 2 y tierra. Y
as obtenemos la siguiente curva en el osciloscopio.

4. Ahora conectamos las puntas de entrada vertical entre el emisor y


tierra. Y as obtenemos la siguiente curva en el osciloscopio.

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 56


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

V. CIRCUITO CON UJT:

VI. CONCLUSIONES:

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 57


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

El circuito con UJT sirve para generar seales para dispositivos


de control como Tiristores o Triac.

Observamos que el capacitor se carga hasta llegar al voltaje de


disparo del transistor UJT, cuando esto sucede este se descarga
a travs de la unin Emisor-B1.

Luego el capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje


(aprox. 2.5v), con este voltaje el transistor UJT se apaga (es decir
deja de conducir entre E-B1); y el capacitor inicia su carga otra
vez.

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 58


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

LABORATORIO N9
Oscilador Practico con PUT
(Transistor de Unin Programable)

I. OBJETIVOS:

Proporcionar las caractersticas y la prueba de los PUT para poder


emplear correctamente.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

Un PUT tipo 2N6027.

Una fuente de alimentacin.

Resistencias de 180K, 16K y 56 ohm.

Un potencimetro de 20K.

Osciloscopio.

Un condensador de 2200nF

III.CARACTERISTICAS DE UN PUT:

El PUT (Transistor Uniunin programable) es un dispositivo que,


a diferencia del transistor bipolar comn que tiene 3 capas (NPN o PNP),
tiene 4 capas.

El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son:


ctodo K, nodo A, puerta G.

A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar


los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros de
conduccin del PUT son controlados por la terminal G

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 59


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay corriente


entre A y K y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la
corriente de A a K es muy pequea.

Este transistor se polariza de la siguiente manera:

Cuando IG = 0,
VG = VBB * [ RB2 / (RB1+RB2) ]
VG = n x VBB
donde: n = RB2 / (RB1+RB2)

La principal diferencia entre los transistores UJT y


PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias
internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias estn en el
exterior y pueden modificarse.

Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT


y la tensin mnima de funcionamiento es menor en el PUT.

IV. PROCEDIMIENTOS:

1. Implementamos el siguiente circuito:

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 60


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

VCC

R1 R3
180k 10k

PUT
2N6028

RV1

R2
C1 56
220nF
47K

2. Ajustando el amplificador vertical del osciloscopio para operar en modo


cd, tambin ajustamos la deflexin vertical y el barrido horizontal segn
sea necesario. Conectamos las puntas de entrada vertical entre el
nodo y ctodo del PUT.

3. Ahora conectamos las puntas de entrada vertical entre

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 61


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

V. CONCLUSIONES:

Observamos que el condensador se carga a travs de la R=180K


ohm hasta alcanzar un voltaje de pico (V p). Al alcanzar Vp, el PUT
dispara y fluye la corriente de nodo. Entonces el condensador se
descarga a travs del circuito de baja impedancia de nodo-ctodo.
Cuando el condensador se descarga en forma suficiente, la
corriente de nodo cae por debajo del valor necesario para
mantenerla en conduccin, lo que hace que el PUT se apague y la
accin se repita continuamente.

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 62


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

LABORATORIO N 10
El Dimmer
I. OBJETIVOS:

Dara los conocimientos necesarios para el funcionamiento de un Dimmer.

II. MATERIALES:

1 Triac BT 138

1 Diac

1 Led

2 condensadores de 100nF y 56nF.

1 resistencia de 56K

III. MARCO TERICO:

Los dimmer o dmer son dispositivos usados para regular la energa


en una o varias lmparas, con el fin de variar la intensidad de la luz que
emiten (siempre y cuando las propiedades de la luminaria lo permitan).

Actualmente los circuitos ms empleados incluyen la funcin de


encendido al "paso por cero" de la tensin. La disminucin del valor eficaz en
la bombilla se logra recortando la seal en el momento de subida en el punto
que se elija (si cortamos la seal cuando la onda llega a 60 V p.e. se
encender muy poco, mientras que si la cortamos al llegar a 200 V se
encender casi al mximo).

Existen sistemas ms complejos capaces de regular el flujo de


iluminacin para otro tipo de luminarias (fluorescentes, de bajo consumo,
etc.) pero son ms complicados.

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 63


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Algunos dimmer pueden ser controlados remotamente a travs de


controladores y protocolos especiales. En el caso de la iluminacin para
escenarios uno de los protocolos ms utilizados es DMX (Digital MultipleX),
que es un protocolo de comunicaciones usado para controlar la iluminacin
de escenarios, o DMX512, el cual permite que la intensidad de las luces
convencionales pueda ser sincronizada con las luces de efectos especiales,
mquinas de humo, etc.

Son dispositivos que permiten reducir la intensidad de luz de lmparas


incandescentes o halgenas con transformador o balastos electrnicos Nuestros
Reguladores nicamente funcionan con balastos electrnicos Dimmable a Triac
por corte en inicio de fase.

Como funciona:

El principio de funcionamiento, se basa en el control de potencia que se


logra variando el ngulo de conduccin de un Triac, de 30 a 160.

Mtodos de Regulacin

TRIAC. Concientes de los habituales problemas de presupuesto, la


tecnologa triac es la ms simple y econmica de todas las presentadas.
La tcnica simple de variar el punto de encendido de la lmpara a lo largo de
la mitad del ciclo, est tradicionalmente establecido.
Los inconvenientes de esta tcnica son la aparicin de ruidos en el filamento
de la lmpara, los cuales producen un zumbido audible, y la posible aparicin
de interferencias en la red.

TIRISTOR. La tecnologa a base de Tiristores da un paso adelante en la


tecnologa convencional con el decrecimiento del ruido.
Proteccin electrnica y una medida completa de las funciones del dimmer.
An siendo una tecnologa similar a la del Triac, la avanzada tecnologa del
Tiristor combina la solidez y la calidad del control de alta resolucin que le da
el filtraje anti parasitario para reducir el ruido del filamento de las lmparas
disminuyendo el rise time de la curva.

IGBT Regulacin por fase inversa.


Esta tecnologa en los dimmers son silenciosos y utilizan IGBT (Insulated
Gate Bipolar Transistors), Transistor bipolar de puertas aisladas para variar

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 64


LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

gradualmente la curva de la corriente frente a la curva de carga, en


contraste con el resultado obtenido mediante la tecnologa Triac y Tiristor de
control directo de fase.
Los dimmers IGBT desconectan en la segunda mitad del ciclo de la senoide.
El IGBT, al igual que el tiristor, recorta la forma de la senoide, pero debido a
las condiciones de desconexin y el hecho de que el IGBT sea un transistor,
es posible controlar de forma muy precisa el tiempo de cada y la forma de la
curva, as como optimizar el rendimiento del dimmer.

PWM. Regulacin sinusoidal por amplitud.


Los dimmers PWM (Pulse With Modulation, Modulacin por anchura de
Pulso), ofrecen una eficacia energtica, un completo silencio y representan el
sistema de regulacin del futuro, esta tcnica es empleada en los dimmers
para controlar la amplitud de la onda que alimenta la
lmpara.
En trminos bsicos, la alimentacin de entrada se hace con un muestreo a
altas frecuencias (40kHz) y los equipos IGBT son controlados durante cada
perodo de muestreo mediante la variacin del ratio de tiempo On/Off.

El perodo de encendido es proporcional a la potencia requerida para


coincidir con la forma sinusoidal en cada punto del ciclo.

La forma de la senoide de la corriente de salida es suavizada usando


conexiones pasivas para producir una onda de salida exacta a la onda de
entrada.

Los procesadores PWM aaden menos de un 1% de distorsin a la


alimentacin principal, lo que hace que estos dimmers sean completamente
silenciosos y con una completa facilidad a la hora de regular cualquier tipo
de carga.
La ausencia de corrientes armnicas implica un descenso del costo
energtico (no hay potencia reactiva), aumento de la vida de las lmparas y
transformadores y la infraestructura de cableado, normalmente
sobredimensionada un 40% para instalaciones de regulacin estndar, es
ms sencilla y barata.

Ventajas de los Dimmers:

Principalmente, ahorro de luz y aumento de la vida til de las lmparas y en


caso de los Dimmer ahorro en la instalacin cuando se desea conmutada o
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cruzamiento, porque solo se necesita un dimmer y x cantidad de pulsadores


el precio de un pulsador es inferior al de un interruptor conmutado y la
mitad de un cruzamiento y un cable menos en la instalacin.

Tipos de Reguladores:

Silix dispone de dos familias de reguladores.

Reguladores Analgicos: Son aquellos que utilizan un potencimetro


para el ajuste del nivel.

Dimmer: Son aquellos que utilizan un pulsador de mecanismo para el ajuste


del nivel y adems hace las funciones de Telerruptor encendido o apagado.
Tambin hay versiones para sistemas demticos.

Donde se puede instalar:

--En cuadros elctricos: Carril Din


--Dentro de los mecanismos de pulsadores o en cajas de registros: De
pastilla
--En pared, armarios, muebles, debajo de mostradores: De superficie
--Enchufables: En caja con enchufe macho y hembra tipo Schuko

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DIMMER como Regulador de Voltaje:

En pocas palabras un Dimmer la idea de este circuito es poder regular el


voltaje, podemos variar la intensidad lumnica de una foco incandescente
(especifico que en un foco ahorrativo no podemos utilizar el dimmer porque
el foco ahorrativo ya incluye un circuito interno al cual no se le puede regular
el voltaje), el circuito es simple el potencimetro vara el voltaje, el diac
permite la oscilacin de la onda de 60Hz o 50 Hz con el triac, dependiendo
del triac y del diac ser la potencia que podemos regular en el datasheet
encontraremos la cantidad de corriente que soportan, si el circuito lo
utilizamos por largo tiempo es ideal colocar un disipador de calor al triac.
Conecte un Three Way el cual me permite seleccionar entre el foco y un
tomacorriente con el cual podemos variar algn otro aparato.
Lista de materiales utilizados para el circuito:

1 Triac BT136.
1 Diac DB3.
1 resistencia de 1k ohm 1/4 watt.
1 potencimetro de 250k ohm.
1 capacitor de polister de 100n / 400V.

Elementos aadidos:

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1 Dado Tomacorriente.
1 Interruptor Three Way.
1 Plafonera.
1 Foco Incandescente.

El Dimmer nos proporciona ahorro de energa elctrica y aumento de la vida


til del Foco o lmpara.

Nota: Mucha precaucin al momento de montar los componentes ya


que trabajamos directamente con la energa elctrica y podemos
recibir una descarga.

Control de Iluminacin con LDR

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Se trata de un DIMMER, pero actuando como interruptor crepuscular.


La diferencia ms apreciable que existe es la adicin de un LDR en paralelo
con C1. Este condensador se carga a travs de R1 hasta la tensin de
conduccin del DIAC,

Que origina el disparo del TRIAC; la lmpara se encender siempre


que exista un nivel bajo de iluminacin. Por tanto un valor hmico elevado
del LDR permite a C1 alcanzar y mantener la tensin de ruptura del DIAC.

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Cuando la cantidad de luz que incide sobre la LDR es importante el


valor hmico de este decrece considerablemente, impidiendo la carga de
C1.En este estado la lmpara permanecer apagada al no conseguir
suficiente tensin de cebado en extremos del citado condensador.

Entre los lmites descritos, el conjunto permite un grado de


iluminacin de la lmpara inversamente proporcional a la luz incidente sobre
la LDR.

IV. PROCEDIMIENTO

A partir de la explicacin anterior pasaremos a poner en prctica lo


expuesto siguiendo el procedimiento que se detalla a continuacin:

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Efectuar el montaje del circuito de la figura analizando su


comportamiento con la variacin de iluminacin ambiente.

Se propone observar el efecto destellante que se produce en la


lmpara cuando la aproximamos a la LDR: la luz de la lmpara origina
la disminucin de la resistencia LDR, con lo que el TRIAC queda
bloqueado y la lmpara se apaga.

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V. CONCLUSIONES

El experimento demostr que el potencimetro controlaba la cantidad


de energa proporcionada al led, el cual simula a la lmpara de
potencia conectada en alterna.

Se vio la bidireccionalidad del DIAC y del TRIAC.

RECURSOS INFORMTICOS Y BIBLIOGRFICOS


Durante la realizacin de este trabajo, se acudi a los siguientes recursos
intelectuales:

FUENTES BIBLIOGRFICAS

Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos,8va Edicin Robert


L. Boylestad Louis Nashelsky,

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 72


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Dispositivos Electrnicos, 4ta Edicin, Thomas Floyd.

Dispositivos Electrnicos, 2da Edicin, Rodolfo N. Selva.

FUENTES INFORMTICAS

Diodo Rectificador:

http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo

http://www.unicrom.com/Tut_diodo.asp

http://www.electronica2000.com/temas/diodostipos.htm

Diodo LED:

http://es.wikipedia.org/wiki/Led

http://www.unicrom.com/Tut_diodo_led.asp

http://www.iearobotics.com/personal/ricardo/articulos/diodos_led/index.html

Diodo Zener:

http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Zener

http://www.unicrom.com/Tut_diodozener_.asp

Fuentes de Alimentacin

http://es.wikipedia.org/wiki/Fuente_de_alimentaci%C3%B3n

http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Fuentes-alimentacion.php

http://www.electronica-basica.com/fuente-de-alimentacion.html

http://www.unicrom.com/Tut_rectificador_onda_completa_puente.asp

http://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_de_onda_completa

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 73


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http://www.electronica-electronics.com/fuentes/Fuentes-de-alimentacion-no-
reguladas.html

http://www.hispavila.com/3ds/lecciones/lecc3.htm

http://www.ucontrol.com.ar/forosmf/explicaciones-y-consultas-
tecnicas/regulacion-con-diodo-zener-problemas/

DIAC

http://es.wikipedia.org/wiki/Diac

http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_diac/diac.htm

http://www.unicrom.com/Tut_DIAC.asp

UJT y PUT

http://www.unicrom.com/Tut_transistor_ujt.asp

http://www.unicrom.com/tut_funcionamiento-ujt.asp

http://www.angelfire.com/electronic2/electronicaanalogica/ujt.html

http://www.unicrom.com/cir_oscilador_con_ujt.asp

http://konnan2001.galeon.com/OSCILADOR.HTML

http://www.electronicafacil.net/circuitos/Oscilador-relajacion.html

http://www.unicrom.com/Tut_put.asp

http://es.wikipedia.org/wiki/PUT

http://www.unicrom.com/Tut_put_funcionamiento.asp

http://es.scribd.com/doc/52035204/10/DISPARO-POR-PUT

SCR y TRIAC

http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_scr/pag_scr.htm

Ing. Luis Ponce Martnez Pgina 74


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http://www.monografias.com/trabajos78/rectificador-controlado-silicio-
scr/rectificador-controlado-silicio-scr.shtml

http://www.unicrom.com/Tut_scr.asp

http://proton.ucting.udg.mx/temas/circuitos/omar/Omar.htm

http://es.wikipedia.org/wiki/Triac

http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_triac/triac.htm

http://www.unicrom.com/Tut_triac.asp

Dimmer

http://es.wikipedia.org/wiki/Dimmer

http://www.unicrom.com/cir_dimmer_cntrl_motor.asp

http://electrounico.blogspot.com/2009/07/circuito-dimmer.html

XSC1

Ext Trig
+
R1 _

1.0k A
_
B
_
+ +

R4 R2
1.0k
500k
50 %
Key=A
Q1
2N6028
V1
12 V
C1
R3
1F
1.0k

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