.
PRACTICA #2, APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES
Patricio Xavier Cuzco A.
e-mail: pcuzcoa@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana, Sede Cuenca.
Electrnica Analgica II
RESUMEN: en esta prctica de laboratorio
estudiaremos las aplicaciones prcticas del transistor fet
y las aplicaciones del transistor BJT; una de estas
aplicaciones es utilizar estos transistores como una
fuente de corriente continua, con una carga variable de 0
a 1000 . Otra aplicacin prctica que le daremos a los
transistores es la de un generador de una onda diente
de sierra, esta onda ser medida a la salida del
capacitor que acta en rgimen transitorio con las
fuentes de corriente constante. Para realizar estos
circuitos es necesario que tengamos claros los
conceptos de polarizacin de transistores fet.
PALABRAS CLAVE: Calcular, Armar, Medir, Simular.
2 OBJETIVOS
1) Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de
dos generadores de corriente constante.
a) Con BJT.
b) Con transistor Fet.
2) Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de
un circuito que genere la onda diente de sierra.
3 MARCO TEORICO
3.1 ESPEJO DE CORRIENTE BIPOLAR
La forma ms simple de una fuente de corriente es la
basada en un espejo de corriente Figura 1. El espejo de
corriente est constituido por la unin de dos
transistores idnticos que tienen la misma tensin VBE
tal como se ve en la figura a. El transistor Q1 est
operando en modo diodo es decir el colector y la base
estn cortocircuitadas y por ello en numerosas
ocasiones se puede ver representado segn el esquema
b. Ambos circuitos se comportan como una fuente de
corriente de valor Io.
Figura 1. Construccin espejo de corriente.
1
Para el anlisis de la fuente de corriente es necesario
ocupar la siguiente ecuacin:
En un espejo de corriente las tensiones VBE de Q1 y
Q2 son iguales y, al ser transistores idnticos, IS1=IS2.
Por consiguiente, la ecuacin anterior indica que ambas
intensidades de colector deben ser iguales IC1=IC2=Io.
De aqu proviene el nombre de espejo de corriente. La
corriente de colector de ambos transistores es la misma,
de forma que si varia la corriente de uno de ellos tiene
reflejo en el otro. Obteniendo de este anlisis:
Como la corriente de colector es idntica en ambos
transistores y dado que operan en la regin lineal
(IC=IB), se puede despejar IC1 de la ecuacin anterior
obteniendo:
Siendo:
Una fuente de corriente ideal debe suministrar una
corriente constante con independencia de la tensin de
salida. Sin embargo, en las fuentes de corrientes reales
su corriente de salida vara con la tensin de salida. Esta
dependencia est relacionada con la resistencia de
salida del transistor. La figura anterior se representa la
curva de operacin de Q2 con VBE2=Cte. fijada por la
corriente del transistor Q1 en el espejo de corriente de la
primera figura, suponiendo al transistor ideal (recta
horizontal con resistencia de salida ) y real (su
resistencia de salida esta especificada por endiente de la
recta de valor 1/Ro).
Si se considera un transistor ideal sin resistencia de
salida, la intensidad Io es independiente de la VCE, es
decir, de la tensin de salida. Por el contrario, un
transistor tiene una resistencia de salida de forma que la
IC2=Io es variable con la VCE. En cualquier caso, este
transistor deja de comportarse como elemento lineal
cuando entra en la regin de saturacin, siendo este el
lmite de operacin de cualquier fuente de corriente.
.

FUENTES DE CORRIENTE SIMPLES FET tener voltaje VGS=0V; por sus caractersticas de
construccin la corriente de drain ID ser igual a IDSS.
Los espejos de corriente basados en transistores
bipolares pueden ser extendidos a transistores FET pero IDSS = 10mA ID = IDSS
con las propias particularidades de este tipo de
transistores. Al ser los transistores FET dispositivos Vp = - 4 V VDD = 12 V
controlados por tensin, no presentan los problemas de
polarizacin de base de los bipolares. Sin embargo, la ID = 5.5 mA
Vgs = 0 V
relacin cuadrtica entre la ID y la VGS dificulta su
anlisis. La grafica muestra una fuente de corriente
simple basada en un espejo de corriente constituida por VDS = 7V
transistores JFET.
VRD = VDD - VDS
Resolviendo el sistema de ecuaciones tenemos:
VRD 12V - 7V 5 V

5V
Rd = 454 500
11mA

RL 100 , 180 , 750 , 910 , 1000

CALCULOS DE LA PRCTICA
Circuito Generador de la onda Diente de Sierra.
Generador de corriente constante con BJT
Para el circuito del generador diente de sierra
utilizaremos el generador de ondas para obtener las
ondas cuadradas a un periodo en T/2; luego el circuito
de corriente constante carga y descarga al capacitor de
forma lineal y no de forma exponencial, con lo cual se
forma la seal de diente de sierra.

Anlisis de circuito de salida que genera la seal

en forma de diente de sierra.

Ic Id 10mA
Ic
Ib
80 Ic 2mA Vcc 5V
10mA
Ib 1.2mA
80
Vce 1.5 V Vbe 1 Vbe 2 Vcc 0.7V
Rb
Ib
Vcc Vbe 5 0.7
Vcc VR1 V be R1 Rb 100
I Re f 1.2mA

Clculos de la resistencia de emisor:

5 - 0.7
R1 R1 2.2 K
2 mA Vce 5V

RL 330,470,510,570,680, VDs 5VVDs 5V

820,1000
VRE Vcc Vce VDs
Generador de corriente constante con Fet

Usamos esta polarizacin del transistor fet para VRE 12V 5 5

obtener la fuente de corriente constante ya que al no
2V
RE 200
10mA

2
.

4 LISTA DE MATERIALES
Presupuesto de los materiales
# Componente Valor Valor
Unitario total
2 FET MPF102 $0.35 $0.70
15 Resistencias $0.04 $0.60
1m Cable multipar $0.50 $0.50
1 2N3904 $0.30 $0.30
1 capacitor $0.15 $0.15
Total $2.25

Herramientas y Equipos
Fuentes de tensin variables
Voltmetro
Ampermetro
Pelacables
Protoboard

5 DESARROLLO DE LA PRCTICA

5.1 MEDICIONES, SIMULACIONES

Fuente de Corriente constante con BJT

Fuente de corriente constante(Valores Medidos)

Resistencia Voltaje en R I en R
330 0.69 V 2.1 mA
470 0.94 V 2 mA
510 1.02 V 2.02 mA
680 1.35 V 1.99 mA
820 1.64 V 2 mA
1K 1.93 V 1.93 mA

Fuente de corriente constante(Valores Simulados)

Resistencia Voltaje en R I en R
330 0.67 V 2.03 mA
470 0.95 V 2.02 mA
510 1.03 V 2.01 mA
680 1.36 V 2.01 mA
820 1.64 V 2 mA
1K 1.99 V 1.99 V

3
.

Fuente de Corriente constante con Fet

Fuente de corriente constante(Valores Medidos)

Resistencia Voltaje en R I en R
100 0.52 V 5.27 mA
180 0.94 V 5.27 mA
750 3.88 V 5.18 mA
910 4.67 V 5.14 mA
1K 5.1 V 5.12 mA

Fuente de corriente constante(Valores Simulados)

Resistencia Voltaje en R I en R
100 0.51 V 5.12 mA
180 0.92 V 5.11 mA
750 3.78 V 5.05 mA
910 4.57 V 5.03 mA
Circuito generador de la onda diente de sierra:
1 K 5.1 V 5.1 mA

4
.

2. - The sawtooth signal has a period of 50% duty

as the square wave signal at the base input of Rb, we
direct the function generator so to charge the capacitor
when using the T / 2, and for the discharge time period
is T / 2. With this configuration the output signal will
charge the capacitor linearly until it reaches the
generator voltage, then remain at 0 V to the negative
period.

7 REFERENCIAS
[1] Robert L. Boylestad 2004, Electrnica: Teora de Circuitos y
Dispositivos Electrnicos, Editorial Pearson Education.
Pg. 200 201, pg. 429.

6 CONCLUSIONES

1.- En esta prctica analizamos las ventajas de

utilizar el transistor fet como generador de corriente
constante; para obtener esta caracterstica especial del
transistor hay que polarizar el transistor en la
configuracin de source comn ya que cuando el voltaje
VGS=0V la corriente que circula por el drain es
constante e IDSS= ID.

2.- La seal de diente de sierra tiene el periodo de

trabajo de 50%, ya que la seal de la onda cuadrada de
ingreso en la base del Rb, la tomamos directamente del
generador de funciones por lo que para cuando el
capacitor se carga usa el T/2, y para el tiempo de
descarga el periodo es T/2. Con esta configuracin la
seal de salida se cargara linealmente hasta que el
capacitor alcance el voltaje del generador, luego
permanecer en 0 V para el periodo negativo.

Conclusions:

1.- In this practice we analyze the advantages of

using the transistor FET with generator of constant
current; to obtain this special characteristic of the
transistor it is necessary to polarize the transistor since
in the configuration of common source when the voltage
VGS=0V the current that circulates for the drain is
constant and IDSS =ID.