Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Objetivos:
Despus de realizar este laboratorio usted podr:
Resumen de la Teoria
Los semiconductores son materiales cristalinos que pueden ser alterados con
impurezas para cambiar radicalmente sus caractersticas elctricas. La impureza
puede ser un donador de electrones o un aceptor de electrones. Las impurezas del
donante proporcionan un electrn "extra" que es libre de moverse a travs del cristal a
temperaturas normales. El cristal total es elctricamente neutro, pero la disponibilidad
de electrones libres en el material hace que el material sea clasificado como
semiconductor de tipo N (para negativo). Las impurezas del aceptor dejan un "agujero"
(la ausencia de un electrn) en la estructura cristalina. Estos materiales se llaman
semiconductores tipo P (para positivos). Conducen por el movimiento de los electrones
compartidos del enlace de valencia que se mueven entre los tomos del cristal. Este
movimiento se denomina movimiento de agujero porque la ausencia de un electrn de
la estructura cristalina puede considerarse como un agujero.
Cuando un material de tipo P y un material de tipo N se hacen o fabrican en
la misma base de cristal, se forma un diodo. La unin PN tiene
caractersticas elctricas nicas. Los electrones y los agujeros difunden a
travs de la unin, creando un potencial de la barrera, que evita ms
corriente sin una fuente de voltaje externo. Si se conecta una fuente de
tensin continua al diodo, la direccin en la que est conectado tiene el
efecto de aumentar o disminuir el potencial de barrera. El efecto es permitir
que el diodo conduzca fcilmente o se convierta en un conductor pobre. Si
el terminal negativo de la fuente est conectado al material de tipo N y el
terminal positivo est conectado al material de tipo P, se dice que el diodo
est polarizado hacia delante y conduce. Si el terminal positivo de la fuente
est conectado al material de tipo N y el terminal negativo est conectado
al material de tipo P, se dice que el diodo est polarizado en sentido inverso
y el diodo es un conductor defectuoso.
Mientras que los procesos reales que ocurren en un diodo son bastante
complejos, el funcionamiento del diodo puede ser simplificado con tres
aproximaciones. La primera aproximacin es considerar el diodo como un
interruptor. Si est polarizado hacia delante, el interruptor est cerrado. Si
est polarizado en sentido inverso, el interruptor est abierto. La segunda
aproximacin es la misma que la primera excepto que toma en cuenta el
potencial de barrera. Para un diodo de silicio, ste es aproximadamente 0,7
V. Un diodo de silicio polarizado hacia delante caer aproximadamente 0,7 V
a travs del diodo. La tercera aproximacin incluye la primera y segunda
aproximaciones y aade la pequea resistencia hacia adelante (a granel)
que est presente cuando el diodo est polarizado hacia delante.
Materiales necesarios:
Resitencias de: 330, 1.0M
Diodo de seal (1N914 o equivalente)
Mida y registre la resistencia de las resistencias enumeradas en la Tabla 311. Luego compruebe su diodo con el ohmmetro. Seleccione un rango de
ohmios bajos y mida la resistencia hacia delante y hacia atrs invirtiendo el
diodo. El diodo es bueno en esta prueba si la resistencia es
significativamente diferente entre las direcciones hacia delante y hacia
atrs. Si est usando un medidor automtico, el medidor puede no producir
suficiente voltaje para superar el potencial de barrera. Debe seleccionar un
rango de ohmios bajos y mantener ese rango. Consulte el manual del
operador para obtener instrucciones especficas. Registre los datos en la
Tabla 31-1.
7. Los datos de este paso sern precisos slo si su voltmetro tiene una impedancia de
entrada muy alta. Puede averiguar si su medidor es de alta impedancia midiendo el
voltaje de la fuente de alimentacin a travs de una resistencia de la serie 1.0 MCI. Si
el medidor lee con precisin la tensin de alimentacin, tiene una alta impedancia de
entrada. Conecte el circuito de polarizacin inversa mostrado en la Figura 31-2. Ajuste
la fuente de alimentacin a cada voltaje listado en la Tabla 31-3. Aplicar la ley de Ohm
a la resistencia y calcular la corriente inversa en cada caso. Introduzca la corriente
calculada en la Tabla 31-3.
8. Graficar las curvas de diodo polarizadas hacia adelante y hacia atrs en la grfica
31-1. Los diferentes factores de escala de voltaje para las curvas hacia delante y
hacia atrs se eligen para permitir que los datos cubran ms del grfico. Es
necesario elegir un factor de escala actual adecuado que pondr la mayor corriente
grabada cerca de la parte superior del grfico.