Mtodo de Elementos Finitos - Teora de Campos

Versin 14/09/04

127$662%5((/0(72'2'((/(0(1726),1,726)(0

Este mtodo constituye un mtodo numrico destinado a resolver mediante

ecuaciones matriciales las ecuaciones diferenciales que se plantean en
sistemas discretos (estructuras) o continuos (campos).
Actualmente, se considera al mtodo de las Diferencias Finitas como una
subclase del mtodo de los Elementos Finitos y de hecho se puede demostrar
[Silvester-Chari] que el mtodo FEM se reduce al mtodo DF cuando las mallas
son regulares.
Las aplicaciones actuales del mtodo son muy extensas e incluyen sistemas
lineales y no lineales, estticos, dinmicos tales como Mecnica de Slidos,
Teora de la Elasticidad, Mecnica de Fluidos, Transmisin de Calor y
Electromagnetismo.
En el caso de sistemas contnuos, el mtodo consiste en discretizar el dominio
de inters en Elementos Finitos y resolver, mediante una funcin de prueba o
de aproximacin, la ecuacin que rige el sistema en cada EF para luego sumar
todas las soluciones.
ELEMENTOS
FINTOS
Diferencias
Finitas

Figura N1
Dado un recinto cerrado los pasos para la resolucin son:
1) Dividir el recinto en Elementos Finitos: Tringulos (3 nodos), Tetraedros (4
nodos), etc.
2) Deducir la ecuacin que describe el potencial f dentro de un EF.
3) Plantear las ecuaciones que dan las condiciones de ajuste de las soluciones
en las fronteras de los EF.
4) Calcular los potenciales en los nodos de cada EF mediante algunos de los
mtodos que luego de mencionarn.
5) Resolver las ecuaciones algebraicas planteadas.
*HQHUDFLyQGHORV(OHPHQWRV)LQLWRV
-

Los contornos pueden ser irregulares

Los EF sern tan chicos como lo considere el programador. Cuanto ms
vara el potencial, los EF debern ser ms chicos.

Supongamos una simetra plano-paralela: dentro de cada EF se admite una

tipo de variacin del potencial, por ejemplo, lineal:

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k(xk,yk)

fe(x,y)

i(xi,yi)

j(xj,yj)
Figura N2

Llamando e al elemento finito, el potencial dentro de l ser f ( [, \ ) ,

entonces, para todo el recinto, se cumplir:
f ( [, \ ) =

f




1




( [, \ )

[1]

Aclaremos que la variacin supuesta del potencial dentro del EF podra haber
sido No Lineal.
Tomemos un nica elemento finito triangular plano y analicemos como describir
el potencial dentro de l:
f3(x3,y3)

Superficie
Am
f1(x1,y1)

y1

em
f2(x2,y2)
x

x1
Figura N3
Entonces:
f

donde

( [, \ ) = b 1  + b 2  [ + b 3  \





(x, y en em)

b1 , b 2 , b 3


son constantes diferentes para cada elemento

[2]

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Esta sera una aproximacin de primer orden. Existen otras aproximaciones de
orden superior. Los b son coeficientes a determinar luego.
Notemos que el campo elctrico dentro del cada EF es cte (para la variacin
lineal del potencial propuesta):
(

( [, \ ) = -f


(
(
( [, \ ) = - b 2 [ + b 3 \

[3]

Ahora tenemos que seguir 2 caminos diferentes para resolver el problema:

1 Calcular los potenciales de los nodos de los EF dentro del recinto, a partir de
las condiciones de borde. Esto se efecta mediante clculos variacionales (ver
ms adelante) u otros mtodos como el Mtodo de los Residuos ponderados
de Gaerlekin.
2 Calcular los factores b, una vez calculados los potenciales.
Para un EF solo, esto significa primero calcular los potenciales de los nodos
f1, f2, f3 y luego calcular los factores b1, b2, b3.
&DOFXORGHORVIDFWRUHVGHIRUPD
Mostremos primero el segundo punto. Para eso, supongamos conocidos (por
ahora) los potenciales f1, f2, f3 del elemento.
De aqu en ms no se escribirn los superndices em para no recargar la
notacin (salvo cuando sea necesario para evitar confusiones), pero el lector
no debe olvidarse que estos clculos valen para cada elemento finito.
Evaluando la expresin [2] en los vrtices del tringulo:
f  ( [1 , \1 ) = b1 + b 2 [  + b 3 \ 

f ( [ 2 , \ 2 ) = b1 + b 2 [ + b 3 \
f ( [ 3 , \ 3 ) = b1 + b 2 [ + b 3 \


[4]

Si i, j, k son 1, 2 ,3 tenemos:
f1 ( [1 , \1 ) = b1 + b 2 [1 + b 3 \1

f 2 ( [ 2 , \ 2 ) = b1 + b 2 [ 2 + b 3 \ 2
f 3 ( [3 , \ 3 ) = b1 + b 2 [3 + b 3 \ 3

[5]

de manera que, en forma matricial:

1 [1
[f ] = 1 [ 2
1 [3

\1 b1
\ 2 . b 2
\3 b 3
3

[6]

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despejando b1, b2, b3:

b1 1 [1
b = 1 [
2
2
b 3 1 [3

\1 f1
\ 2 .f 2
\3 f 3
 1

[7]

Este despeje ser posible (solucin nica) si el determinante:

1 [L
2 $ = 1 [ M
1 [N

\L
\ M 0
\ N

[8]

donde A es el rea del EF.

reemplazando en [2] tenemos:

b1 =

1
D L .f L + D M .f M + D N .f N
2$
1
b2 =
EL .f L + E M .f M + EN .f N
2$
1
b3 =
FL .f L + F M .f M + FN .f N
2$

[9]

donde:
D  = [ \  - [  \ 

E = \  - \ 

[10]

F  = [  - [

Las constantes a, b y c se obtienen por permutacin cclica de los subndices.

Recurdese que tambin estas constantes tienen el superndices em (porque se
deben calcular para cada EF) pero no se han escrito para no complicar la
notacin.
Para i=1, j=2 y k=3 tendremos, en forma matricial:

f ( [, \ ) = [1 [


[ 2 \ 3 - [3 \ 2
1
\]
\ 2 - \3
2$
[3 - [ 2

[3 \1 - [1 \3
\3 - \1
[1 - [3

[1 \ 2 - [ 2 \1 f1
\1 - \ 2 .f 2
[ 2 - [1 f 3

[11]

donde Aem es el rea de cada elemento finito em ya que los EF pueden ser
de distintos tamaos (en un mismo recinto). El determinante 2A nunca ser

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nulo ya que representa el rea de un tringulo por lo que la solucin del
sistema [4] existe y es nica
Finalmente, vemos que para este caso podemos expresar el potencial dentro
de cualquier elemento em en funcin de los tres potenciales de nodos como:
f

( [, \ ) = 1 1 ( [, \ ).f1 + 1 2 ( [, \ ).f 2 + 1 3 ( [, \ ).f 3

 

( [, \ ) =

f


1
3

( [, \ ).f 

 

[12]
[13]

En forma matricial tendremos, en general:

f

( [, \ ) = 1 # ( [, \ ).f # + 1 " ( [, \ ).f " + 1 ! ( [, \ ).f ! = [ 1 ].[f ]

$

[15]

donde
[ 1 ] = [ 1 ' ( [, \ ) 1 & ( [, \ ) 1 % ( [, \ )]
(

[16]

f L
[f ] = f M
f N
H

Las funciones 1  ( [, \ ) se denominan Factores de Forma. Son distintos para

cada tipo de elemento. El potencial dentro de cada EF queda as interpolado
por una funcin de interpolacin [13] entre los potenciales de cada nodo del
tringulo.
f+

* )

son los potenciales de cada nodo del tringulo. Estos potenciales los
calcularemos en el prrafo que sigue a travs de consideraciones energticas
(clculo variacional).
Cada Nj constituye la fraccin con que el potencial de cada nodo del EF
contribuye al potencial en cualquier punto dentro del mismo EF. Se observa la
facilidad de programacin.
Observen que estamos interpolando linealmente el potencial en todo el EF al
contrario que en el mtodo de Diferencias Finitas, en donde slo podamos
saber los potenciales en los nodos de la malla (y luego interpolar, pero esto ya
no sera parte del mtodo, como en EF). El mtodo DF nos d correctamente el
potencial en cada nodo de una malla regular pero el mtodo FEM nos d el
potencial correcto en todos los puntos del recinto, dentro de los errores de
aproximacin, de interpolacin, de eleccin de tamao y tipo de EF, etc.
Escribamos explcitamente los factores de forma de manera general, para este
caso:

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f

/ 0

( [, \ ) =

D . + E . [ + F . \ . D - + E- [ + F - \ D , + E, [ + F , \ ,
f +
f +
f
2$
2$
2$

[14]

&DOFXORGHORV3RWHQFLDOHVGHORVQRGRVSRUHO0pWRGR9DULDFLRQDO
Para calcular los fj de los nodos del tringulo vamos a pedir que la energa
dentro del EF sea mnima, es decir, vamos a elegir la solucin de potenciales
f1, f2, f3 que haga mnima la energa dentro del EF y luego, dentro de todo el
recinto de clculo. Esto se conoce como PpWRGRYDULDFLRQDO
Cuando buscamos el/los extremo/s de una funcin debemos derivar e igualar a
cero. Cuando aplicamos el mtodo variacional lo que queremos encontrar es
toda una funcin que hace mnima una integral. Si tomramos la integral que
nos da la distancia entre 2 puntos en el plano euclidiano cul sera la funcin
que se obtendra? Claramente, la funcin que hace mnimo ese integral es una
recta, la funcin lineal.
Tomemos el caso electroesttico. La energa electroesttica total en un
volumen v ser la suma de la energa almacenada volumtrica (debida a
cargas volumtricas y a campos exteriores) ms la energa almacenada debida
a la carga superficial:
8=

1
e( 2 GY + rf GY + sf GV

[17]

por otro lado, sabemos que, en simetras plano-paralelas:

f f
( = -f ( = +
[ \
2

s = '1 = e

f
Q

[18]

[19]

reemplazando [18] y [19] en [17] nos queda:

8 = I (f ( [, \ ))

[20]

en donde U es la funcional y f(x,y) es el argumento de la funcional.

Necesitamos encontrar los fj tal que U sea mnimo en cada EF y luego en todo
el recinto.

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Antes de ver cmo se lleva a cabo esto, recordemos las condiciones de borde
a utilizar:
Recinto

S2

S1

Figura N4
S1, Condicin de Dirichlet

f ( 6 2 ) = FWH.

[21]

S2, Condicin de Neumann

f
Q
2

= Ks = K

[22]

es decir, un conductor con densidad superficial s=h.

Si h=0, tendremos la condicin de Neumann homognea (es la condicin de
perpendicularidad con las equipotenciales de una lnea de campo o de una
lnea de simetra).
Importante: La condicin de Dirichlet la tendremos que insertar como dato
dentro de nuestro procedimiento, pero la condicin de Neumann homogenea
(llamada tambin en los libros Condicin Natural) se satisface automticamente
debido al procedimiento variacional (sin demostracin, consultar las referencias
al final).
Tenemos que armar el funcional para este problema. Ser:
2
2
e f f
r
, (f ) = 3 + + f GW - K.f .GV
4
2 [ \
e

Si los fj son los correctos, para pequeos df se cumplir:

G, = 0

pero

[23]

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,
Gf
f

G, =

entonces:
,
= 0 , y esta es la ecuacin que se debe resolver.
f

[24]

En la ecuacin [23] debemos introducir los potenciales en funcin de los

factores de forma que habamos sacado antes, es decir:
Introducir f

6
5

( [, \ ) =

1
3

( [, \ ).f 7

6
5

en , (f ) y luego derivar e igualar a cero.

Nos quedar un funcional , (f ) por cada EF y derivando:

9

,
f :

;=<

=0

[25]

ms rigurosamente, las ecuaciones [23] y [24] se cumplen para cada uno de los
elementos en que se ha subdividido el recinto, entonces llamando fe al trmino
de fuente (J o r) y ke al trmino que tiene en cuenta el material (e, m)
tendremos:
,? =
C

N?
2

3 > >

>
1? f?
B
[ 1

3 > >
+
>
1? f?
B
\ 1
2

3
>
>

+ I ? .
>
? f?
1
B
1

3
>
>
.GW ? - A K.
>
? f ? G6 [26]
1
B
@

pero
3
1 E F
3 F F
1
f
=
f E , ya que los f H G son constantes.
D
D

E
E
[ E 1
E 1 [
F

Derivando respecto del parmetro incgnita:

I
,
= N
N M
f J
I

3 1 L I I 1 J 3 1 L I I 1 J
I
I
I
I
I
I
I
f L
+
f L

.GW + I .1 J GW - K .1 J G6 [27]
L
K M
N M
L O 1 [
[ O 1 \
\
2
I

Teniendo en cuenta que slo los N dependen de x e y, y teniendo cuidado con

los subndices al reagrupar, nos queda un sistema de ecuaciones en donde las
incgnitas son los potenciales fj (en este caso 3 ecuaciones con 3 incgnitas):

[ ][ ] [ ]

Q
Q
Q
,
. .{
f +{
) = [{
0]

={
f 3P 3 3P 1
3P 1
3P 1
Q

[28]

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en donde:
. RS = N
T

ES .ER + FS .F R
4$

EW = \ U - \ V

y D W = [ U .[ V - [ V .[ U
F W = [V - [U

[29]

para las ctes. a, b, c con subndices j y k se permuta cclicamente.

)Y X = I
X

$
$
[30] )[ Z = 0 , segn el EF finito est en una zona de fuente o no.
3
3

En general, el potencial, ke y fe asumen los siguientes magnitudes segn el

caso de estudio:
Campo
Electroesttico
Magnetoesttico
Corrientes
Estacionarias

Potencial
f
A

k
e
1/m

f
r/e
mJ

Lo anterior vala para un EF. Si queremos extenderlo para todo el recinto

tendremos:

[. ][. f ] + [) ] = 0

[31]

de la cual despejamos todos los potenciales incgnita de todos los EF del

recinto. La matriz [K] se llama matriz de ensamblaje o matriz de rigidez.
(MHPSOR
Sea el siguiente recinto de calculo sencillo en una simetra planos paralela,
dividido en 2 elementos finitos triangulares. Se quiere calcular las corrientes
y
4

y=1

3
2
1
x

X=2
Figura N5

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estacionarias dentro del recinto de conductividad s (equipotenciales y lneas de

corriente).
Los datos son los potenciales f3, f4 y las incgnitas sern los potenciales f1, f2.
Desarrollamos linealmente el potencial de cada EF:

f 1 ( [, \ ) = 11 ( [, \ ).f1 + 1 2 ( [, \ ).f 2 + 1 3 ( [, \ ).f 3

[32]

f 2 ( [, \ ) = 11 ( [, \ ).f1 + 1 3 ( [, \ ).f 3 + 1 4 ( [, \ ).f 4

[33]

Debemos generar la matriz de ensamblaje o matriz de rigidez total, para

todos los EF. Cada EF tendr su matriz de ensamblaje. En este caso
tendremos un matriz de 4x4 (4 potenciales en total, ver figura). Para no tener
que escribir 2 matrices (una para cada EF) vamos a escribir una matriz sola en
donde en cada elemento de la misma, escribiremos el valor de Kij del EF N2
debajo de una barra inclinada y del EF N1, arriba:

f1 f2 f3 f4
b
b

f1 _ 11 b
_
11
b
f2 __ 21
1/ 2 = _ b
.LM
f3 _ 31 b 31
_
f4 _` b 41
a b

13 b

12

22

32

^
b

13

14 \
\

23
33 b
b

33

43

\
\

34 \
44

]\

Como se genera esta matriz?: Tomemos como ejemplo el K31 en donde

tenemos:
K31=31/31. Esto significa El potencial f3 se influencia con el potencial f1 a
travs de los EF N 2 y N1. Por eso ponemos 31/31
Si tomamos el K42, vemos que esta vaco: / lo que significa El potencial f2
no se influencia con el potencial f4 a travs de ningn EF
Por ltimo tomemos el K23: 23/ que significa El potencial f2 se influencia con
el potencial f3 slo a travs del EF N 1.
Por supuesto debemos calcular cada Kij por separado. Si tuviramos n
elementos finitos en el recinto, deberemos generar n matrices Kij en donde los
casilleros de la matriz total KijT estarn formados por la suma de los Kij de cada
EF:
. RSed = . 1RS + . RS 2 + ... + . RS
c

[34]

Si se trata de un caso de corrientes estacionarias, del cuadro anterior tenemos:

N f = s \ I f = 0 , de manera que:

10

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[. ][. f ] + [{
)]= 0

[35]

De este sistema de ecuaciones tendremos que sacar los potenciales fj. Pero
primero calcularemos los coeficientes a, b, c con las frmulas [11]
Elemento Finito N1:
E1 = \ 2 - \ 3 = 0 - 1 = -1
E2 = \3 - \1 = 1 - 0 = 1
E3 = \1 - \ 2 = 0
F1 = [3 - [ 2 = 2 - 2 = 0

F2 = [1 - [3 = 0 - 2 = -2
F3 = [ 2 - [1 = 2 - 0 = 2
de la misma manera:

D1 = 2
D2 = 0
D3 = 0
Ahora podemos calcular los Kij de cada elemento, por ejemplo
1
.11
=s

E1 .E1 + F1 .F1 s
s
= [(-1)(-1) + 0.0] =
4$
4
4

de la misma manera podemos calcular el resto de los kij. La matriz nos queda:
1
-1
4
-1
5
s
1/ 2
.
=
4 0
-4
0

- 4

0
-4
4

-4

- 4
5 - 1 0 - 4

s -1 5 - 4

.g =
4 0 - 4 5 - 1

- 1

-4 5
- 4

Tenamos que resolver la ecuacin [35], es decir:

[. ][. f ] + [{
)]= 0
0

en general, esta ecuacin se puede separar en submatrices de valores Dato

(D) y valores Incgnita (I):

11

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.i i
. h i

. i f i )i 0
hjh
. h + h =
. f ) 0
h

[36]

La submatrz dato contiene la informacin de las fronteras con la condicin de

Dirichlet.
de la primera ecuacin sale:

. k k .f k + . k l .f l + )k = 0

[37]

de la cual se puede despejar fI con los potenciales incgnita f1 y f2.

Para nuestro ejemplo nos queda:

s
s
s
4 .5.f1 + 4 .(-1).f 2 + 4 .(-4).(-100) = 0
5.f - f 2 + 400 = 0
1
s
s
s
- f1 + 5.f 2 - 400 = 0
.(-1).f1 + .(5).f 2 + .(-4).(100) = 0
4
4
4
(independiente de s!)
cuya solucin es:
f1 = -

200
3

f2 =

200
3

ahora podemos calcular los IDFWRUHVGHIRUPD:

Elemento N1:
1 1m 1 ( [, \ ) =

1 1 1 ( [, \ ) =

1
[2 + (-1) [ + 0. \ ] = 1 (2 - [)
2 .1
2

1
( [ - 2 \)
2
1
H
1 1 1 ( [, \ ) = ( 2 \ )
2
H

de la misma manera se har para calcular los Nie2 para el EF N2, entonces,
reescribiendo el potencial de cada EF:
1
[(2 - [)f1 + ( [ - 2 \)f 2 + 2 \f 3 ]
2
1
f 2 ( [, \ ) = [(2 - 2 \ )f1 + [f 3 + (2 \ - [ )f 4 ]
2

f 1 ( [, \ ) =

Finalmente despus de desarrollar:

12

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f 1 ( [, \ ) = -

200 200
100
+
[+
3
3
3
200
100
f 2 ( [, \ ) = + 100 [ \
3
3

Figura N6
Estas notas han sido redactadas por el Ing. Ernesto Kisielewsky y revisadas
por el Ing. Ariel Lichtig en base en la siguiente bibliografa:
-

Apunte de ctedra de Teora de CamposNXVI-1997 Elementos Finitos

Lpina -Rodriguez Tarrio. Departamento de Electrotecnia. Facultad de
Ingeniera UBA.
El mtodo de EF aplicado al estudio de Campos Elctricos y Magnticos en
Mquinas Elctricas, Hector Laiz, 1986, Beca de Investigacin N8.
Departamento de Electrotecnia. Facultad de Ingeniera UBA.
El mtodo de Elementos Finitos en el clculo de Campos Magnticos en
Mquinas Elctricas. Balbiano J.L. Trabajo Especial. Departamento de
Electrotecnia. Facultad de Ingeniera UBA.
Elementos Finitos para Ingeniera Elctrica. Silvester- Ferrari Ed. Limusa
1989.
Finite Elements in Electric and Magnetic Field Problems, Silvester-Chari
(Ed.), Wiley, 1980.
An Introduction to Finite Element Analysis. Norrie- De Vries. Ed. Academic
Press. 1978

Para un estudio ms profundo se recomienda:

-

Finite Element Method, Zienkiewicz.

The Finite Element Method Procedures, K. Bathe

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