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Transistores Tiristores Fet Mosfet SCR Diac Triac
Transistores Tiristores Fet Mosfet SCR Diac Triac
INTRODUCCIN
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as
porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su
impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este
inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe
un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de
efecto campo.
Combinacin de portadores.
Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirn
desde el surtidor al drenador (o viceversa segn la configuracin del mismo), aunque hay
que notar que tambin fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la
puerta, ya que el diodo formado por la unin canal puerta, esta polarizado
inversamente. En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente
los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batera y los electrones del material N,
fluyen hacia el terminal positivo de la misma. Lo anteriormente dicho se puede aplicar
al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una regin con
empobrecimiento de cargas libres.
Modelo
de transistorFET ca
nal n
Modelo
de transistorFET ca
nal p
A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata
de un dispositivo simtrico).
APLICACIONES
APLICACIN
PRINCIPAL VENTAJA
USOS
Impedancia de entrada
alta y de salida baja
Amplificador de RF
Bajo ruido
Mezclador
Baja distorsin de
intermodulacin
Amplificador cascodo
Troceador
Ausencia de deriva
Amplificador de baja
frecuencia
Capacidad pequea de
acoplamiento
Oscilador
Mnima variacin de
frecuencia
Pequeo tamao
Siempre nos va a interesar estar en la regin de saturacin, para que la nica variable
que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensin de
puerta.
Ecuacin de Shockley:
ID=IDSS(1VGS/Vp)2
Donde:
La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que
la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas
difundidas en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante
contacto hmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el
extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto hmico a la
terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se encuentran
conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). Por
tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del
canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia de cualquiera
de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin
polarizacin. El resultado es una regin de agotamiento en cada unin, como se ilustra en
la figura siguiente, que se parece a la misma regin de un diodo bajo condiciones sin
polarizacin. Recurdese tambin que una regin de agotamiento es aquella regin
carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de permitir la conduccin a travs de
la regin.
AMPLIFICADOR MOSFET
INTRODUCCION
Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Pese a que el concepto
bsico de los FET se conoca ya en 1930, estos dispositivos slo empezaron a fabricarse
comercialmente a partir de la dcada de los 60. Y a partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET
han alcanzado una enorme popularidad. Comparados con los BJT, los transistores MOS ocupan menos
espacio, es decir, dentro de un circuito integrado puede incorporase un numero mayor. Adems su
proceso de fabricacin es tambin ms simple. Adems, existe un gran nmero de funciones lgicas
que pueden ser implementadas nicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos). Esto ha
hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrnica digital.
CARACTERSTICAS
MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada, es un arreglo de
cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Cada uno entrega una parte a la corriente
total.
Uno de los motivos que impuls su desarrollo es que los transistores bipolares presentan limitaciones.
Es un dispositivo controlado por tensin, Es un dispositivo extremadamente veloz en virtud a la
pequea corriente necesaria para estrangular o liberar el canal. Por esta facultad se los usa
ampliamente en conmutacin. Su velocidad permite disear etapas con grandes anchos de banda
minimizando, as, lo que se denomina distorsin por fase.
La caracterstica constructiva comn a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta
(G) est formado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El xido es aislante, con lo
que la corriente de puerta es prcticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se
emplean para tratar seales de muy baja potencia.
Tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET
de canal P, En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje
(drain)
En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain):
PRINCIPIO DE OPERACION
Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensin en la compuerta no hay
flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)
Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar en la compuerta. As los
electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el
canal P entre ellos.
El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el
drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la
tensin aplicada a la compuerta.
En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar. Cuando se aplica una tensin negativa en la
compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atrados hacia la
compuerta y pasan a travs del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o
anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensin aplicada a la compuerta.
Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la
compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.
APLICACION
El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos ventajas sobre
los MESFETs y los JFETs y ellas son:
En la regin activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y la
trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es
independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de amplificacin muy lineal.
El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFETs de canal n en modo
de vaciamiento pueden operar desde la regin de modo de vaciamiento (-Vg) a la regin de modo de
enriquecimiento (+Vg).
Capacitancia en el MOSFET
Dos capacitancias son importantes en un conmutador de encendido-apagado con MOSFET. stas son
Cgs entre Gate y la fuente y Cgd entre Gate y drenaje. Cada valor de capacitancia es una funcin no
lineal del voltaje. El valor para Cgs tiene solamente una variacin
pequea, pero en Cgd, cuando uDG haya pasado a travs de cero, es muy significativa. Cualquier
desprecio de estas variaciones crea un error substancial en la carga que es requerida en Gate que es
necesaria para estabilizar una condicin dada de operacin.
Encendido
En la mayora de los circuitos con MOSFET, el objetivo es encenderlo tan rpido como sea posible para
minimizar las prdidas por conmutacin. Para lograrlo, el circuito manejador del gatillo debe ser capaz
de alimentar la suficiente corriente para incrementar rpidamente el voltaje de gatillo al valor
requerido.
Apagado
Para apagar el MOSFET, el voltaje gate-fuente debe reducirse en accin inversa como fue hecho para
encenderlo. La secuencia particular de la corriente y el voltaje depende de los arreglos del circuito
externo.
rea segura de operacin
El rea segura de operacin del MOSFET est limitada por tres variables que forman los lmites de una
operacin aceptable. Estos lmites son:
1. Corriente mxima pulsante de drenaje
2. Voltaje mximo drenaje-fuente
3. Temperatura mxima de unin.
Prdidas del MOSFET
Las prdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la seleccin de un
dispositivo de conmutacin. La eleccin no es sencilla, pues no puede decirse que el MOSFET tenga
menores o mayores prdidas que un BJT en un valor especfico de corriente. Las prdidas por
conmutacin en el encendido y apagado juegan un papel ms importante en la seleccin. La
frecuencia de conmutacin es tambin muy importante.
1. El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutacin presenta una gran versatilidad de trabajo;este puede
reemplazar dispostivos como el jfet.
2. Los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia esto es una gran ventaja ya que pueden ser
utilizados en una gran gama de aplicaciones
3. Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar en la compuerta. As los
electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el
canal P entre ellos.
4. Gracias a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la
compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.
SCR
INTRODUCCION
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivo
semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn (Figura 2). Est formado por
tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el
terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez.
Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los valores mximos que
colocan al elemento en lmite de sus posibilidades:
- Tensin inversa de pico de trabajo .............................................: VRWM
- Tensin directa de pico repetitiva ...............................................: VDRM
- Tensin directa ...........................................................................: VT
- Corriente directa media ...............................................................: ITAV
- Corriente directa eficaz ................................................................: ITRMS
- Corriente directa de fugas ............................................................: IDRM
- Corriente inversa de fugas ............................................................: IRRM
- Corriente de mantenimiento ..........................................................: IH
Corresponden a la regin puerta-ctodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde
mejor a las condiciones de disparo. Los fabricantes definen las siguientes caractersticas:
-Tensin directa mx. ....................................................................: VGFM
- Tensin inversa mx. ...................................................................: VGRM
- Corriente mxima..........................................................................: IGM
- Potencia mxima ..........................................................................: PGM
- Potencia media .............................................................................: PGAV
- Tensin puerta-ctodo para el encendido......................................: VGT
- Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento.............: VGNT
- Corriente de puerta para el encendido ...........................................: IGT
- Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento............: IGNT
Entre los anteriores destacan:
- VGT e IGT , que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor.
- VGNT e IGNT, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones
normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado.
rea de disparo seguro.
En esta rea (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y corrientes
admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las curvas:
Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en funcin de la corriente positiva de
puerta, para una corriente nula de nodo.
Curva C: tensin directa de pico admisible VGF.
Curva D: hiprbola de la potencia media mxima PGAV que no debemos sobrepasar.
Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conduccin a corte. Se divide en dos partes (Figura 7):
Tiempo de recuperacin inversa (trr): tiempo en el que las cargas acumuladas en la conduccin del SCR,
por polarizacin inversa de este, se eliminan parcialmente.
Tiempo de recuperacin de puerta (tgr): tiempo en el que, en un nmero suficiente bajo, las restantes
cargas acumuladas se recombinan por difusin, permitiendo que la puerta recupere su capacidad de
gobierno.
Toff = trr + tgr
MTODOS DE DISPARO.
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada en directo y la
seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance
un valor de corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a
conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente
mnima de valor IH, marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo.
Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:
- Por puerta.
- Por mdulo de tensin.
- Por gradiente de tensin (dV/dt)
- Disparo por radiacin.
DIAC
INTRODUCCIN
El DIAC (Diode Alternative Current, Figura 1) es un dispositivo bidireccional simtrico (sin
polaridad) con dos electrodos principales: MT1 y MT2, y ninguno de control. Es un
componente electrnico que est preparado para conducir en los dos sentidos de sus
terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensin de
cebado o de disparo.
2.
ESTRUCTURA.
TRIAC
INTRODUCCION.
El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo
de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y
puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por debajo del
valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de la polarizacin
de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa.
Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de
una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la polaridad del voltaje externo
aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso
contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos casos el triac se comporta como un interruptor
cerrado. Cuando el triac deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales
principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta como un
interruptor abierto. Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin
importante al triac(dv/dt) an sin conduccin previa, el triac puede entrar en conduccin
directa.
CARACTERSTICAS
La estructura contiene seis capas como se indica en la Fig. 1, aunque funciona siempre como
un tiristor de cuatro capas. En sentido MT2-MT1 conduce a travs de P1N1P2N2y en sentido
MT1-MT2 a travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta
Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en anti paralelo, con
una conexin de compuerta comn, como se muestra en la Fig.3. Dado que el TRIAC es un
dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales como nodo y ctodo. Si la
terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, se activar al aplicar una seal
negativa a la compuerta, entre la compuerta y la terminal MT1.No es necesario que estn
presentes ambas polaridades en las seales de la compuerta ya que un TRIAC puede ser
activado con una sola seal positiva o negativa de compuerta. En la prctica, la sensibilidad
vara de un cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje y
corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta
negativos).La diferencia ms importante que se encuentra entre el funcionamiento de un triac
y el de dos tiristores es que en este ltimo caso cada uno de los dispositivos conducir
durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente, bloquendose cuando la corriente
cambia de polaridad, dando como resultado una conduccin completa de la corriente alterna.
El TRIAC, sin embargo, se bloquea durante el breve instante en que la corriente de carga pasa
por el valor cero, hasta que se alcanza el valor mnimo de tensin entre T2 y T1, para volver
de nuevo a conducir, suponiendo que la excitacin de la puerta sea la adecuada.
Mtodos de disparo
Como hemos dicho, el TRIAC posee dos nodos denominados (MT1 y MT2) y una compuerta
G. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden con respecto al nodo
1.El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la
aplicacin entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo. Esto
le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. Veamos cules
son los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo.
1. El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la tensin del
nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas con respecto al nodo MT1 y este es el
modo ms comn (Intensidad de compuerta entrante). La corriente de compuerta circula
internamente hasta MT1, en parte por la uninP2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se
produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2, que es favorecida en el rea prxima a
la compuerta por la cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de
compuerta. Esta cada de tensin se simboliza en la figura por signos + y -. Parte de los
electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1 que bloquea el potencial exterior y
son acelerados por ella inicindose la conduccin.
2. El segundo modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la tensin
del nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de disparo de la compuerta
es negativa con respecto al nodo MT1( Intensidad de compuerta
saliente).El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la
estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. El disparo dela primera se
produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura
auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2
que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1de la estructura
principal, que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la
estructura auxiliar, entrando en conduccin.
3. El tercer modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la tensin
del nodo T2 es negativa con respecto al nodo MT1, y la tensin de disparo de la compuerta
es positiva con respecto al nodo MT1(Intensidad de compuerta entrante).El disparo tiene
lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la estructura
P2N1P1N4. La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que alcanzan
por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose ms
conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de unin P2N1
prxima a ella que la prxima aT1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que
alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la
entrada en conduccin.
4. El cuarto modo, del tercer cuadrante, y designado por III (-) es aquel en que la tensin del
nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos con respecto l nodo MT1 (Intensidad
La Fig. 4 describe la caracterstica tensin corriente del Triac. Muestra la corriente a travs
del Triac como una funcin de la tensin entre los nodos MT2 y MT1. El punto VBD (tensin
de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a una resistencia
baja y la corriente, a travs del Triac, crece con un pequeo cambio en la tensin entre los
nodos. El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la
corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de la tensin de la
fuente. Una vez que el Triac entra en conduccin, la compuerta no controla mas la
conduccin, por esta razn se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera
se impide la disipacin de energa sobrante en la compuerta. El mismo proceso ocurre con
respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el nodo MT2 es negativa con respecto al
nodo MT1 y obtenemos la caracterstica invertida. Por esto es un componente simtrico en
cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I
de la curva es iguala la del III
APLICACIONES
La versatibilidad del TRIAC y la simplicidad de su uso le hacen ideal para una amplia variedad
de aplicaciones relacionadas con el control de corrientes alternas. Una de ellas es su
utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores
mecnicos convencionales, que requieren siempre el movimiento de un contacto, siendo la
principal la que se obtiene como consecuencia de que el TRIAC siempre se dispara cada
medio ciclo cuando la corriente pasa por cero, con lo que se evitan los arcos y sobre tensiones
derivadas de la conmutacin de cargas inductivas que almacenan una determinada energa
durante su funcionamiento.