Este Documento Ha Sido descargado desde la web completa en Más Todo tipo de e-

Libros y Tutoriales.

Más información Si DESEAS o libros, ENTONCES ingresa a:

http://www.enigmaelectronica.tk

http://www.foroenigma.tk

Y podras descargar Muchas Aplicaciones Útiles.

• Libros
• Manuales
• tutoriales
• Cursos
• Programas
• Música
• Películas

Grupo Enigma Electrónica

enigma equipo

Si ALGÚN Archivo Requiriera de Contraseña de Acceso siempre Sera:

www.enigmaelectronica.tk
 MODO INTERRUPTOR Fuentes de alimentación

Guía de Diseño Manual de referencia y

SMPSRM / D
Rev. 3B, julio-2002

© SCILLC, 2007 Edición Anterior © 2002

“Todos los derechos reservados ''
 SMPSRM

ON Semiconductor y son marcas comerciales registradas de semiconductores Componentes Industries, LLC (SCILLC). SCILLC se reserva el derecho a realizar cambios sin previo aviso
a cualquiera de los productos del presente documento. SCILLC ofrece ninguna garantía, representación o garantía respecto a la idoneidad de sus productos para un fin concreto, ni tampoco asume SCILLC cualquier responsabilidad que surja de la
aplicación o uso de cualquier producto o circuito, y rechaza específicamente cualquier y toda responsabilidad, incluyendo sin especial limitación , daños indirectos o incidentales. parámetros “típico” que se pueden proporcionar en hojas y / o especificaciones
pueden datos SCILLC y varían en diferentes aplicaciones y el rendimiento real puede variar con el tiempo. Todos los parámetros operativos, incluyendo “Typicals” deben ser validados para cada aplicación cliente por los técnicos del cliente. SCILLC no
concede licencia alguna sobre sus derechos de patente ni los derechos de los demás. SCILLC productos no están diseñados, concebidos, o está autorizado para su uso como componentes en sistemas destinados a implantes quirúrgicos en el cuerpo, o en
otras aplicaciones destinadas a apoyar o sostener la vida, o para cualquier otra aplicación en la que el fallo del producto SCILLC podría crear una situación en la que se pueden producir lesiones personales o la muerte . Si el Comprador compra o uso de
productos SCILLC para cualquier aplicación no deseada o no autorizada, el Comprador deberá indemnizar y mantener SCILLC y sus funcionarios, empleados, subsidiarias, filiales y distribuidores exento de reclamaciones, costos, daños y gastos y
honorarios razonables de abogados que surjan de, directa o indirectamente, cualquier reclamación de daños personales o muerte asociada a dicho uso no intencionado o no autorizado, incluso si dicha reclamación alega que SCILLC fue negligente con
respecto al diseño o fabricación de la pieza. SCILLC es un / acción afirmativa igualdad de oportunidades. Esta literatura está sujeto a todas las leyes de derechos de autor aplicables y no es para la reventa de cualquier manera.

Información de la publicación PEDIDO

LITERATURA CUMPLIMIENTO: Soporte Técnico N. americana: 800-282-9855 Toll Free EE.UU. / Canadá ON Semiconductor Sitio Web: www.onsemi.com
 Centro de Distribución de Literatura para ON Semiconductor P
. O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 EE.UU. Europa, Oriente Medio y África del Soporte Técnico: Solicitar Literatura: http://www.onsemi.com/orderlit
 Teléfono: 303-675-2175 o 800-344-3860 Toll Free EE.UU. / Canadá Fax: 303-675-2176
 Teléfono: 421 33 790 2910
Para obtener información adicional, por favor, póngase en contacto con su
o 800-344-3867 Toll Free EE.UU. / Canadá Email: orderlit@onsemi.com Japón Cliente Centro de Enfoque
representante de ventas local
 Teléfono: 81-3-5773-3850

www.onsemi.com
2
 SMPSRM

Adelante

Cada nuevo producto electrónico, excepto los que son pilas, requiere convertir fuera de línea 115 Vac o 230 Vac potencia en cierta tensión de
corriente continua para la alimentación de la electrónica. La disponibilidad de información de diseño y aplicación y control de circuitos integrados
de semiconductores altamente integrados para fuentes de alimentación conmutadas permite al diseñador para completar esta parte del diseño del
sistema de forma rápida y sencilla. Si usted es un diseñador de fuente de alimentación con experiencia, el diseño de su primera fuente de
alimentación conmutada o responsable de un hacer o comprar decisiones para fuentes de alimentación, la variedad de información en el ¿MODO
INTERRUPTOR? ™ Fuentes de alimentación Manual de Referencia y Guía de Diseño puede ser muy útil.

ON Semiconductor ha sido un proveedor clave de productos semiconductores de fuentes de alimentación conmutadas desde que presentamos
transistores de potencia bipolares y rectificadores especialmente diseñados para fuentes de alimentación conmutadas a mediados de los años 70.
Se identificaron estos como SWITCHMODE ™ productos. Una fuente de alimentación de conmutación diseñado utilizando en los componentes
semiconductores con razón se puede llamar una fuente de alimentación SWITCHMODE o SMPS.

Este folleto contiene información útil sobre fuentes de alimentación conmutadas para aquellos que quieren tener discusiones más
significativas y no son necesariamente expertos en fuentes de alimentación. También proporciona ejemplos reales SMPS, e identifica
varias notas de aplicaciones y recursos de diseño adicionales disponibles de ON Semiconductor, así como libros útiles disponibles de
varias editoriales y sitios web útiles para aquellos que son expertos y quieren aumentar sus conocimientos. También se proporcionan
una lista extensa y breve descripción de circuitos integrados analógicos, transistores de potencia, rectificadores y otros componentes
discretos disponibles de ON Semiconductor para el diseño de un SMPS. Esto incluye nuestro nuevo GreenLine ™, Fácil de Conmutación
y circuitos integrados de muy alta tensión (VHVICs), así como HDTMOS alta eficiencia ® y HVTMOS ® FET de potencia, y una amplia
selección de productos discretos en paquetes de montaje en superficie.

Para obtener las últimas actualizaciones e información adicional sobre los productos discretos para aplicaciones de suministro de energía y
administración de energía analógica y, por favor, visite nuestro sitio web: ( www.onsemi.com).

MEGAHERTZ, POWERTAP, senseFET, SWITCHMODE y TMOS son marcas registradas de semiconductores Componentes Industries, LLC. HDTMOS y HVTMOS
son marcas registradas de Elementos de semiconductor Industrias, LLC. GreenLine, SMARTMOS y Motorola son marcas registradas de Motorola Inc.

www.onsemi.com
3
 SMPSRM

Tabla de contenido
Página

Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Lineal frente a la conmutación Fuentes de alimentación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Cambio de fuente de los fundamentos de oferta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
El Delantero-Mode convertidor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
El tiempo de retorno-Mode convertidor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Comunes de conmutación topologías de fuente de alimentación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Intercalado de múltiples convertidores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Selección del método de control . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
La elección de Semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . dieciséis

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
interruptores de alimentación dieciséis

El poder transistor bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . dieciséis

El MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Conducir MOSFETs de conmutación en aplicaciones de fuente de alimentación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
Bipolar de puerta aislada Transistor (IGBT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
rectificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Los componentes magnéticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Fotomontaje de la placa de circuito impreso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Las pérdidas y las tensiones en el cambio de fuentes de alimentación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Técnicas para mejorar la eficiencia en el cambio de fuentes de alimentación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
El rectificador síncrono . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
Los amortiguadores y abrazaderas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
El tambor de frenaje Lossless . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
El Active Clamp . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
Cuasi-resonante topologías . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
Corrección del factor de poder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Ejemplos SMPS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
Circuitos integrados para la conmutación de fuentes de alimentación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
Componentes sugeridos para Aplicaciones Específicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

La literatura disponible de ON Semiconductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

Notas de aplicación, Folletos, Libros dispositivo de datos y modelos de dispositivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
Referencias para la conmutación de la fuente de alimentación Diseño . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
Libros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
Sitios Web . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59

www.onsemi.com
4

Introducción
El accionamiento sin fin hacia productos más pequeños y ligeros plantea serios
desafíos para el diseñador de la fuente de alimentación. En particular, la
eliminación del exceso de calor generado por los semiconductores de potencia se
está volviendo más y más difícil. En consecuencia, es importante que la fuente de
alimentación sea lo más pequeño y lo más eficiente posible, y con los años los
ingenieros de suministro de energía han respondido a estos retos mediante la
reducción de manera constante el tamaño y la mejora de la eficiencia de sus
diseños. Fuentes de alimentación conmutadas ofrecen una eficacia no sólo
superior, sino también una mayor flexibilidad al diseñador. Los recientes avances
en tecnologías de semiconductores, las tecnologías magnéticas y pasivas hacen
que la fuente de alimentación de conmutación en una opción cada vez más
popular en el campo de la conversión de energía. Esta guía está diseñada para dar
al diseñador prospectivo una visión general de los temas involucrados en el diseño
de fuentes de alimentación conmutadas. En él se describe el funcionamiento
básico de las topologías más populares de fuentes de alimentación conmutadas,
sus parámetros pertinentes, proporciona consejos de diseño de circuitos, e
información sobre cómo seleccionar el más
apropiado semiconductor y pasiva
componentes. La guía también se enumeran los componentes ON Semiconductor
expresamente construidas para su uso en fuentes de alimentación conmutadas.
Lineal frente a la conmutación Fuentes
de alimentación
Conmutación y reguladores lineales utilizar fundamentalmente
diferentes técnicas para producir una tensión de salida regulada de una
entrada no regulada. Cada técnica tiene ventajas y desventajas, por lo
que la aplicación determinará la opción más adecuada.
fuentes de alimentación lineales sólo pueden paso hacia abajo una tensión
de entrada para producir una tensión de salida inferior. Esto se hace funcionar
una unidad de transistor MOSFET o pase bipolar en su lineal modo operativo; es
decir, la unidad a la unidad de pase se cambia proporcionalmente para
mantener el voltaje de salida requerido. Operando en este modo significa que
siempre hay una tensión de la altura libre, Vdrop, entre la entrada y la salida.
En consecuencia, el regulador disipa una cantidad considerable de energía,
dado por (Vdrop Icarga). Esta pérdida de espacio para la cabeza hace que el
regulador lineal sólo para ser de 35 a 65 por ciento eficiente. Por ejemplo, si un
regulador de 5,0 V tiene una entrada de 12 V y está suministrando 100 mA, se
debe disipar 700 mW en el regulador a fin de entregar 500 mW a la carga, una
eficiencia de sólo el 42 por ciento. El costo del disipador de calor realidad hace
que el regulador lineal antieconómico por encima de 10 vatios para pequeñas
aplicaciones. Por debajo de ese punto, sin embargo,
lineal
reguladores son rentables en aplicaciones reductor.
www.onsemi.com
5
SMPSRM
Un regulador de baja caída de salida (LDO) utiliza una etapa de salida
mejorada que puede reducir Vdrop a considerablemente menor que 1,0 V. Esto
aumenta la eficiencia y permite que el regulador lineal para ser utilizado en
aplicaciones de mayor potencia. Diseño con un regulador lineal es simple y barato,
que requiere pocos componentes externos. Un diseño lineal es considerablemente
más silencioso que un conmutador ya que no hay ruido de conmutación de alta
frecuencia. Fuentes de alimentación conmutadas operan por la velocidad de
conmutación de las unidades de paso entre dos estados de funcionamiento
eficientes:
cortar, donde hay un alto voltaje a través de la unidad pase pero hay flujo
de corriente; y saturación, donde hay una corriente de alta a través de la
unidad pase pero a una muy pequeña caída de tensión. En esencia, el
interruptor de semiconductores crea una tensión alterna de la tensión
continua de entrada. Este voltaje de corriente alterna puede ser un paso
arriba o hacia abajo por los transformadores y, finalmente, se filtra de
nuevo a CC en su salida. Fuentes de alimentación conmutadas son mucho
más eficientes, entre el 65 al 95 por ciento. La desventaja de un diseño de
conmutación es que es considerablemente más complejo. Además, la
tensión de salida contiene ruido de conmutación, que debe ser eliminado
para muchas aplicaciones. Aunque hay claras diferencias entre lineal y
reguladores de conmutación, muchas aplicaciones requieren ambos tipos a
utilizar. Por ejemplo, un regulador de conmutación puede proporcionar la
regulación inicial, a continuación, un regulador lineal puede proporcionar
post-regulación para una parte sensible al ruido del diseño,
Cambio de fuente de los fundamentos
de oferta
Hay dos tipos básicos de ancho de pulso modulado (PWM) de conmutación
de fuentes de alimentación, con visión de modo y
modo de impulso. Se diferencian en la forma en se hacen funcionar los
elementos magnéticos. Cada tipo básico tiene sus ventajas y desventajas.
El Delantero-Mode convertidor
El convertidor en modo hacia delante se puede reconocer por la
presencia de un filtro LC en su salida. El filtro LC crea una tensión de
salida DC, que es esencialmente de la media en tiempo voltios de forma de
onda rectangular de entrada de CA del filtro LC. Esto se puede expresar
como:
Vout Vin deber? ciclo (Eq. 1)
El controlador de fuente de alimentación de conmutación varía el ciclo de trabajo
de la forma de onda de voltaje rectangular de entrada y por lo tanto controla
promedio en tiempo voltios de la señal. los dólar o el paso hacia abajo convertidor es
el convertidor más simple-modo de avance, que se muestra en la Figura 1.
 SMPSRM

LO
SO

V en yo en re yo apagado R carga
do fuera

V Sab
voltaje del diodo
(Voltios)

Interrumpa Interrumpa
el el
Interruptor Interruptor
suministro eléctrico suministro eléctrico
de de
encendido de encendido de
HORA

V fwd
corriente del inductor

yo pk
(AMPS)

yo carga

yo min

Power SW Poder SW Diodo Diodo

HORA

Figura 1. Una básica Forward-Mode Converter y formas de onda (Buck convertidor se muestra)

Su funcionamiento se puede entender mejor cuando se divide en dos
periodos de tiempo: cuando el interruptor de encendido se enciende y se apaga.
Cuando el interruptor de alimentación está encendido, la tensión de entrada está
conectada directamente a la entrada del filtro LC. Suponiendo que el convertidor
está en un estado estacionario, existe la tensión de salida en la salida del filtro.
La corriente del inductor comienza una rampa lineal a partir de una corriente
inicial dictada por el flujo que permanece en el inductor. La corriente del inductor
está dada por:
(Vin Vout)
iL (a) t iinit? 0 t ton (eq. 2)
L aplicaciones de regulador de a bordo cuyas potencias de salida se encuentran a
Durante este período, la energía se almacena como flujo magnético dentro del
núcleo del inductor. Cuando el interruptor de encendido está apagado, el núcleo
contiene suficiente energía para alimentar la carga durante el siguiente periodo de
más un poco de energía de reserva.
Cuando el interruptor de encendido se apaga, la tensión en el lado de entrada
del inductor trata de volar por debajo del suelo, pero es
sujetada cuando el diodo de captura D se convierte en polarización directa. La
energía almacenada entonces continúa fluyendo a la salida a través del diodo
de captura y el inductor. La corriente del inductor disminuye desde un valor
inicial yo pk y viene dada por:
iL (off) IPK Voutt 0 t petimetre (Eq. 3)
L ??
El período de apagado continúa hasta que el controlador enciende el interruptor de
alimentación de nuevo y el ciclo se repite. El convertidor reductor es capaz de más
de un kilovatio de potencia de salida, pero se utiliza normalmente para
menos de 100 vatios. En comparación con el convertidor en modo de retorno, el
convertidor hacia adelante exhibe menor tensión de ondulación de pico a pico de
salida. La desventaja es que sólo es una topología de paso hacia abajo. Dado que
no es una topología de aislado, por razones de seguridad el convertidor hacia
adelante no puede ser utilizado para tensiones de entrada mayor que 42,5 V de
CC.

www.onsemi.com
6
 SMPSRM

El tiempo de retorno-Mode convertidor diferente de la moda desde el convertidor de modo de avance. El

El convertidor básico en modo flyback utiliza los mismos componentes que el convertidor flyback modo más elemental, la aumentar o

convertidor básico en modo hacia adelante, pero en una configuración diferente. paso del convertidor, se muestra en la Figura 2.

En consecuencia, éste opera en una

L
re

do fuera

V en SO R carga
yo carga
yo en yo apagado

V en

V flbk
Interruptor Interruptor
(V fuera)
de de
voltaje del conmutador

encendido de encendido de
(Voltios)

Interruptor
V Sab diodo de diodo
EN encendido de EN
HORA

yo pk
corriente del inductor
(AMPS)

yo carga

HORA

Figura 2. Un básico convertidor elevador-Mode y formas de onda (convertidor del alza se muestra)

Una vez más, su funcionamiento se entiende mejor considerando el “ON” y el rectificador de salida cuando su tensión excede la tensión de salida. La
períodos “off” separado. Cuando el interruptor de alimentación está encendido, el energía dentro del núcleo de la bobina se pasa entonces al condensador de
inductor está conectado directamente a través de la fuente de tensión de entrada. salida. La corriente del inductor durante el período de apagado tiene una rampa
La corriente del inductor a continuación, se eleva desde cero y está dada por: negativa cuya pendiente está dada por:

Vint L ???
iL (a) t 0en (Eq. 4) (Vin Vout)
iL (off) (Eq. 6)
L
La energía se almacena dentro del flujo en el núcleo del inductor. La corriente de
pico, yo pk, se produce en el instante en que el interruptor de encendido está La energía es entonces completamente vaciada en el condensador de salida y el
apagado y está dada por: terminal de conmutación de la bobina cae de nuevo al nivel de la tensión de
entrada. Algunos timbre es evidente durante este tiempo debido a la energía
IPK Vin? tonelada (Eq. 5)
L residual que fluye a través de elementos parásitos, tales como las inductancias
Cuando el interruptor de encendido se apaga, el lado conmutado del inductor parásitas y las capacitancias en el circuito.
quiere volar arriba en el voltaje, pero es sujetado por

www.onsemi.com
7
 SMPSRM

Cuando hay una cierta energía residual se permite que permanezca a un ciclo de trabajo del 50 por ciento. Tiene que haber un período de tiempo
dentro del núcleo del inductor, la operación se llama en que se permite el inductor de vaciarse de su energía.
Modo continua-. Esto se puede ver en la Figura 3. La energía para la totalidad de

dentro y fuera de los períodos de tiempo deben ser almacenados dentro del El convertidor de refuerzo se utiliza para el tablero de nivel (es decir, no

inductor. La energía almacenada se define por: aislado) aplicaciones de STEP-up y se limita a menos de 100-150 vatios
debido a altas corrientes pico. Siendo un convertidor no aislado, que se limita
a tensiones de entrada de menos de 42,5 V de CC. Sustitución del inductor
EL 0.5L ipk2 (Eq. 7)
con un transformador de resultados en un convertidor flyback, que pueden ser
El inductor de modo de impulso debe almacenar suficiente energía para step-up o de bajada. El transformador también proporciona aislamiento

suministrar la carga de salida para todo el periodo de conmutación (t en dieléctrico de entrada a salida.
+ limitadas
t apagado). Además, los convertidores de modo de impulso están típicamente

V flbk
voltaje del conmutador

(V fuera)
(Voltios)

en V en
encendido
de
Interruptor Interruptor
diodo de Diodo A
EN encendido de TIEMPO

V Sab

yo pk
corriente del inductor
(AMPS)

HORA

Figura 3. Las formas de onda para un Boost Conversor de modo continuo

Comunes de conmutación topologías de 5. ¿Qué parte de la tensión de entrada se coloca a través del devanado
primario del transformador o inductor? El factor 1 es un asunto relacionado
fuente de alimentación
con la seguridad. voltajes de entrada por encima
Una topología es la disposición de los dispositivos de potencia y sus
42,5 VCC son considerados peligrosos por las agencias reguladoras de seguridad
elementos magnéticos. Cada topología tiene sus propios méritos dentro de
en todo el mundo. Por lo tanto, sólo se topologías de transformadores aislados
ciertas aplicaciones. Hay cinco factores importantes a considerar al
deben utilizarse por encima de este voltaje. Estos son los desconectado aplicaciones
seleccionar una topología para una aplicación particular. Estos son:
en las que la fuente de alimentación está conectado a una fuente de corriente
alterna, tal como un enchufe de pared.
1. ¿Es el aislamiento dieléctrico de entrada a salida necesaria para la
aplicación? Esto normalmente dictada por los organismos reguladores
Varias salidas requieren una topología basada en el transformador.
de seguridad en vigor en la región.
Los motivos de entrada y salida pueden conectarse entre sí si el
2. Se requieren múltiples salidas?
voltaje de entrada está por debajo
3. ¿El lugar topología prospectivo un esfuerzo de tensión razonable a
42,5 VCC. De lo contrario se requiere aislamiento dieléctrico completa.
través de los semiconductores de potencia?
4. ¿El lugar topología prospectivo una tensión de corriente
razonablemente en los semiconductores de potencia?

www.onsemi.com
8
 SMPSRM

Factores de 3, 4 y 5 tienen un efecto directo sobre la fiabilidad del sistema.
Fuentes de alimentación conmutadas ofrecen una potencia constante a la
carga de salida. Esta potencia se refleja luego de vuelta a la entrada, así que a
tensiones de entrada bajas, la corriente de entrada debe ser alta para
mantener la potencia de salida. A la inversa, cuanto mayor sea el voltaje de
entrada, menor será la corriente de entrada. El objetivo del diseño es colocar lo
más posible de la tensión de entrada a través del transformador o inductor a fin
de minimizar la corriente de entrada.
topologías de impulsar de modo tienen picos de corriente que son
aproximadamente el doble de las que se encuentran en topologías de modo hacia
adelante. Esto los hace inutilizables a potencias de salida superiores a 100-150
vatios.
El costo es un factor importante que entra en la decisión de
topología. Hay grandes coincidencias en los límites de rendimiento
entre las topologías. A veces la opción más rentable es diseñar una
topología propósito de operar en una región que por lo general se lleva
a cabo por otro. Esto, sin embargo, puede afectar a la fiabilidad de la
topología deseada.
La figura 4 muestra donde se utilizan las topologías comunes para
un nivel dado de tensión de entrada DC y potencia de salida requerida.
Las figuras 5 a 12 muestran las topologías comunes. Hay más
topologías de las que se muestran, como el Sepic y la Cuk, pero no son
de uso común.

1000
Medio puente
Tensión de entrada CC (V)

Volar de vuelta Puente completo

100

42.5

Puente completo
No aislado

10
Dólar Corrientes de pico

muy alto

10 100 1,000

Potencia de salida (W)

Figura 4. Cuando se usan las diversas topologías

www.onsemi.com
9
SMPSRM

L V FWD
Interruptor de alimentación V re
+ +
0 TIEMPO
V en

re yo PK
+ V fuera
V en
do en do fuera
Controlar
IL
Realimentación
0 TIEMPO
yo CARGA
- - yo MIN

Figura 5. El Buck (Paso-Down) Convertidor

V FLBK

D D

V SO V SAB EN EN

DL SW ON
do en
V en
+ 0 TIEMPO
V en
SO +
Controlar
do fuera V fuera
yo PK
IL
-
yo SO yo re
0 TIEMPO

Figura 6. El Boost (Step-Up) Convertidor

+
V en
VL 0 TIEMPO
Controlar
SW
re
V en do en - - V fuera
+
L do fuera V fuera

- + IL
Comentarios
yo SO yo re
0 TIEMPO
yo PK

Figura 7. El Buck-Boost (inversora) del convertidor

V FLBK

V SAB
SW
V SO ON
0 Tiempo

+ re V en

+
+
N1 N2
do fuera V fuera yo PRI
do en
0 Tiempo
V en
- yo PK
SO
Controlar

yo SEGUNDO
- Realimentación Tiempo
0

Figura 8. El Flyback convertidor

www.onsemi.com
10
 SMPSRM

+ LO
re

+
N1 T N2 +
do fuera V fuera
do en
V en
-
SO
Controlar

- Realimentación

SW
V SO ON

0 HORA
2V en
V SAB

yo PRI

0 HORA
yo MIN yo PK

Figura 9. El One-Transistor Forward Converter (mitad delantera Converter)

SW1 LO
D1
T
+

+
+ V fuera
D2 do fuera

SW2
V en -
Controlar
do en

- Realimentación

2V en

V en SO 2

V SO
SO 1
0 HORA

V SAB

yo PK
yo PRI

0 HORA
yo MIN

Figura 10. El push-pull convertidor

www.onsemi.com
11
SMPSRM

ds +
+
do fuera V fuera

-
+
XFMR N2
SW1 do
T
do en

Controlar N1
V en
SW2 CL O

Realimentación

V en

SO 1
V en

2
SO 2
V SW2 HORA
0
V SAB

yo PK

yo PRI

0 HORA

yo MIN

Figura 11. semipuente del convertidor

LO

ds +
+
do fuera V fuera

-
+

XFMR XFMR
SW1
T SW3
N1 N2
do en
V en Controlar C
SW2 SW4

V en

SO
V en 1-4

2 SO
2-3
V SW2
0 HORA
V SAB

yo PK

yo SW2

0 HORA

yo MIN

Figura 12. El Puente completo convertidor

www.onsemi.com
12
 SMPSRM

Intercalado de múltiples convertidores Los condensadores de entrada y de salida son compartidos entre las fases. El

Un método para aumentar la potencia de salida de cualquier topología y la condensador de entrada ve menos RMS ondulación de la corriente debido a que

reducción de las tensiones sobre los semiconductores, es una técnica las corrientes de pico son menos y el ciclo de trabajo combinado de las fases es

llamada intercalación. Cualquier topología puede ser intercalada. Un de mayor de lo que experimentaría con un solo convertidor de fase. El condensador

múltiples fases intercalado de salida puede hacerse más pequeña porque la frecuencia de onda de corriente

convertidor tiene dos o más idénticos convertidores colocados en paralelo que es norte- veces mayor y su ciclo de trabajo combinado es mayor. Los

comparten componentes clave. Por un norte- convertidor de fase, cada convertidor semiconductores también ven menos tensión actual.

es accionado a una diferencia de fase de 360 ​/ norte Los títulos obtenidos en la

siguiente. La corriente de salida de todas las fases importe sumado a la salida, lo
que requiere sólo yo fuera/ norte amperios de cada fase. Un diagrama de bloques de un convertidor reductor de múltiples fases
intercalado se muestra en la Figura 13. Esta es una topología de 2 fases que es
útil para proporcionar alimentación a un microprocesador de altas prestaciones.

+
+
V EN do EN

- S A1
L UNA

V FDBK S A2

GATEA1

Controlar GATEA2 +
+ C FUERA
V FUERA
GND C FA GATEB2
S B1
GATEB1 L segundo -
do pensión completa

CS5308 S B2

Una realimentación de corriente

de realimentación de corriente B

Comentarios de voltaje

Figura 13. Ejemplo de una de dos fases Buck Converter con tensión y regeneración actual

www.onsemi.com
13
 SMPSRM

Selección del método de control seleccionar el que se desea. La Tabla 1 resume las características de cada uno

Existen tres métodos principales de control de una fuente de alimentación de los métodos más populares de control. Ciertos métodos se adaptan mejor a

conmutada. También hay variaciones de estos métodos de control que ciertas topologías debido a razones de estabilidad o respuesta transitoria.

proporcionan características de protección adicionales. Uno debe revisar estos

métodos cuidadosamente y luego revisar cuidadosamente las hojas de datos
controlador IC a

Tabla 1. Métodos de control comunes utilizados en circuitos integrados

Método de control Protección OC Tiempo de respuesta Topologías preferidas

OC promedio Lento Forward-Mode

Tensión-Mode
Pulso por pulso OC Lento Forward-Mode

Intrínseco Rápido Modo de impulso

Modo actual
histéresis Rápido Impulsar y reenviar-Mode

Tensión histérica Promedio Lento Impulsar y reenviar-Mode

de control de modo de voltaje ( véase la Figura 14) se utiliza típicamente para al instante cortar otras si se exceden sus límites. Esto ofrece una mejor protección

topologías en modo hacia adelante. En el control de modo de voltaje, se controla al interruptor de encendido.

solamente la tensión de salida. Una señal de error de tensión se calcula mediante el control en modo corriente ( véase la Figura 15) se utiliza típicamente con

la formación de la diferencia entre Vout (real) y Vout (desea). Esta señal de error convertidores de modo de impulso. monitores de control en modo corriente no sólo

se alimenta entonces a un comparador que compara con la tensión de rampa la tensión de salida, sino también la corriente de salida. Aquí la señal de error de
tensión se utiliza para controlar la corriente de pico dentro de los elementos
generada por la sección oscilador interno del control IC. Así pues, el comparador
magnéticos durante cada interruptor de alimentación a tiempo. el control en modo
convierte la señal de error de tensión en la señal de accionamiento PWM para el
corriente tiene un tiempo de entrada y salida de respuesta muy rápida, y tiene una
interruptor de alimentación. Dado que el único parámetro de control es la tensión
protección contra la sobretensión inherente. No se utiliza comúnmente para
de salida, y no hay retraso inherente a través del circuito de potencia, control de
convertidores de modo de avance; sus formas de onda de corriente tienen
modo de voltaje tiende a responder lentamente a las variaciones de entrada. La
pendientes mucho más bajos en sus formas de onda de corriente que pueden
protección de sobrecorriente para un convertidor de tensión controlada en modo
crear fluctuación dentro de los comparadores.
puede basarse en la corriente de salida media o usar un método de pulso por

pulso. En protección media de sobrecorriente, se controla la corriente de salida DC,

y si se excede un umbral, se reduce la anchura de impulso del interruptor de
encendido. En pulso por pulso de protección contra sobrecorriente, la corriente de
pico de cada interruptor de alimentación “en” ciclo se controla y el interruptor de
encendido está
el control de histéresis es un método de control que intenta mantener un
parámetro monitorizado entre dos límites. Hay métodos de control de
corriente y tensión de histéresis, pero no son de uso común. El diseñador
debe ser muy cuidadoso al revisar un control prospectivo IC hoja de datos.
El método de control y cualquier variación por lo general no se describen
claramente en la primera página de la hoja de datos.

www.onsemi.com
14
 SMPSRM

V CC

OSC Cargar
reloj de rampa
V error

Descarga
Connecticut

Supresión
voltios. V error Amperio.
de salida
lógica
V pensión completa - +
+ -
Comp
+ Comparador de
V árbitro ancho de pulso
- Gobierno
Comp.

Protección contra
sobrecorriente
promedio
Canalla.

Amp actual.
-
yo fuera ( lavOC) +
Pulso por pulso de
R CS
o yo SW ( P-POC) + protección multifunción
V jefe
-
V SS

Figura 14. Control de Tensión-Mode

OSC
-
+

Connecticut
de descarga V CC
Supresión
de salida
lógica

Comp
S
voltios. V error Amperio. Q Salida

V pensión completa -
+ R

+ corriente V error
V árbitro
Comparador de
-
S R S

-
+

V error
yo SO R CS

yo pk
V SS
yo SO

Figura 15. Turn-On con el reloj actual Modo de Control

www.onsemi.com
15
 SMPSRM
La elección de Semiconductores
interruptores de alimentación
La elección de qué tecnología de semiconductores a utilizar para la función de
interruptor de encendido está influenciada por muchos factores tales como el
coste, la tensión de pico y la corriente, la frecuencia de operación, y heatsinking.
Cada tecnología tiene sus propias peculiaridades que deben ser abordados
durante la fase de diseño.
Hay tres opciones principales del interruptor de potencia: el transistor de unión
bipolar (BJT), el MOSFET de potencia, y el transistor bipolar de puerta integrada
(IGBT). El BJT fue el primer interruptor de alimentación para ser utilizado en este
campo y todavía ofrece muchas ventajas de costo sobre las otras. También todavía
se utiliza para un costo muy bajo o en los convertidores de conmutación de alta
potencia. La frecuencia máxima de funcionamiento de los transistores bipolares es
menos de 80-100 kHz debido a algunas de sus características de conmutación. El
IGBT se utiliza para los convertidores de conmutación de alta potencia,
desplazando a muchas de las aplicaciones BJT. Ellos también, sin embargo, tienen
una característica señal es más lento que limita su frecuencia de operación por
debajo de 30 kHz normalmente aunque algunos pueden llegar a 100 kHz. IGBTs
tienen áreas de matriz más pequeñas que los MOSFET de potencia de las mismas
calificaciones, que típicamente significa un menor costo. MOSFET de potencia se
utilizan en la mayoría de las aplicaciones debido a su facilidad de uso y sus
capacidades de frecuencia más alta. Cada una de las tecnologías serán revisados.
El poder transistor bipolar
El BJT es un dispositivo accionado actual. Esto significa que la corriente de
base es proporcional a la corriente extraída a través del colector. Así que uno debe
proporcionar:
IB IC? HFE (Eq. 8)
En los transistores de potencia, la ganancia media (h FE) exhibido en las corrientes
de colector mayor se encuentra entre 5 y 20. Esto podría crear una pérdida de
excitación de base grande, si el circuito de excitación de base no está diseñado
adecuadamente.
V cama y desayuno
100 pF
control de IC
Planta de energía
(A) Base de accionamiento fijo Circuito
Figura 16. La conducción de un Transistor Bipolar Junction
www.onsemi.com
dieciséis
Uno debe generar un voltaje de excitación de puerta que está tan cerca de 0,7
voltios como sea posible. Esto es para minimizar cualquier pérdida creado por
dejar caer la tensión de excitación de base en la corriente de base necesaria para
el nivel exhibido por la base. Una segunda consideración es la tiempo de
almacenamiento exhibido por el colector durante su transición de apagado. Cuando
la base es saturado, o donde la corriente de base es más de lo necesario para
mantener la corriente de colector, el colector presenta un 0,3-2 s retraso en su
desvío, que es proporcional a la sobremarcha base. A pesar de que el tiempo de
almacenamiento no es una fuente importante de pérdida, que lo limita de manera
significativa
la frecuencia de conmutación máxima de una fuente de alimentación
conmutada basado en bipolar. Hay dos métodos para reducir el tiempo de
almacenamiento y el aumento de su tiempo de conmutación. El primero es el
uso de un condensador de base de aceleración cuyo valor, típicamente
alrededor de 100 pF, se coloca en paralelo con la base resistencia limitadora
de corriente (Figura 16a). El segundo es el uso de excitación de base
proporcional (Figura 16b). Aquí, sólo la cantidad de corriente de base
necesaria es proporcionada por el circuito de accionamiento por el sangrado
del exceso de alrededor de la base en el colector. La última consideración con
los BJT es el riesgo de excesiva segunda avería. Este fenómeno es causado
por la resistencia de la base a través de la matriz, permitiendo que las
porciones más alejados del colector para que se apague después. Esto obliga
al ser corriente forzada a través del colector por una carga inductiva, para
concentrarse en los extremos opuestos de la matriz, lo que provoca un
calentamiento localizado excesivo en la matriz. Esto puede resultar en un fallo
de cortocircuito de la BJT que puede suceder instantáneamente si la cantidad
de concentración de corriente es grande, o puede ocurrir más tarde, si la
cantidad de calor es menor. la concentración de corriente está siempre
presente cuando una carga inductiva está conectado al colector. Al cambiar el
BJT más rápido, con los circuitos de la Figura 15, se puede reducir en gran
medida los efectos de la segunda descomposición de la fiabilidad del
dispositivo.
V cama y desayuno
+
control de IC V CE
+
-
V SER
100 pF -
Planta de energía
(B) proporcional Base Drive Circuit (Baker Clamp)
 SMPSRM

El MOSFET Desde el terminal de puerta, hay dos capacitancias los encuentros de

MOSFET de potencia son las opciones populares usados ​como diseño, la capacidad de entrada de puerta (C ISS) y la capacitancia de

interruptores de alimentación y rectificadores síncronos. Son, en la superficie, drenaje-gate inversa (C RSS). La capacitancia de entrada puerta es un valor fijo

fácil de usar que los BJT, pero tienen algunas complejidades ocultas. causado por la capacitancia formada entre la metalización puerta y el
sustrato. Su valor por lo general cae en el rango de 800 a 3.200 pF,

Un modelo simplificado para un MOSFET puede ser visto en la Figura dependiendo de la construcción física del MOSFET. La C rss es la

17. Las capacitancias visto en el modelo se precisan en las hojas de capacitancia entre el drenaje y la puerta, y tiene valores en el intervalo de

datos de MOSFET, pero puede ser no lineal y varía con sus tensiones 60-150 pF. Aunque la C rss es más pequeño, tiene un efecto mucho más

aplicadas. pronunciado en la impulsión de la puerta. Se acopla la tensión de drenaje a

la puerta, el vertido de este modo su carga almacenada en la capacitancia de
entrada de puerta. Las formas de onda de accionamiento de puerta típico se
puede ver en la Figura 18. Tiempo de período t1 es sólo el C ISS siendo
cargado o descargado por la impedancia del circuito de excitación de puerta
externa. t2 Período muestra el efecto de la tensión de drenaje cambiar
estando acoplado a la puerta a través de C rss. Se puede observar fácilmente
do DG
la “aplanamiento” de la tensión de accionamiento de puerta durante este
do oss
período, tanto durante el encendido y gire-off del MOSFET. Período de
do GS tiempo t3 es la cantidad de voltaje sobremarcha proporcionada por el circuito
de excitación, pero en realidad no necesita el MOSFET.

Figura 17. El modelo de MOSFET

V DR
ENCENDER APAGAR

t3 t3

T2 T1 t2 t1
V GS
V pl
Vº
0

V DS

yo sol
+

Figura 18. típicos MOSFET Drive formas de onda (Top: V GS, Medio: V DG, En resumen: SOL)

www.onsemi.com
17
 SMPSRM

El tiempo necesario para conmutar el MOSFET entre estados activado y Conducir MOSFETs de conmutación en
desactivado depende de la impedancia del circuito de excitación de puerta. Es muy aplicaciones de fuente de alimentación

importante que el circuito de excitación de ser evitada con un condensador que
mantendrá constante durante el periodo de control de la tensión de excitación. A
0,1 F condensador es más que suficiente.
Hay tres cosas que son muy importantes en la conducción de alta frecuencia
de MOSFETs: tiene que haber un conductor tótem; la fuente de voltaje de
excitación debe estar bien por alto; y los dispositivos de accionamiento deben ser
capaces de fuente de alto niveles de corriente en períodos de tiempo muy cortos
(bajo cumplimiento). El circuito de accionamiento óptimo se muestra en la Figura
19.

V sol V sol
CARGA CARGA

R en

R apagado

a. Pasiva de encendido segundo. Pasiva de apagado

V sol V sol
CARGA CARGA

do. Bipolar tótem re. MOS tótem

Figura 19. Bipolar y circuitos de accionamiento basados ​en FET (a. Drivers bipolar, b. MOSFET Drivers)

www.onsemi.com
18

A veces eso es necesario para proporcionar una
unidad dieléctricamente aislado a un MOSFET. Esta es proporcionada por un
transformador de unidad. Transformadores expulsados ​de una fuente de CC
deben estar acoplados de manera capacitiva del circuito controlador tótem. El
devanado secundario debe ser acoplado capacitivamente a la puerta con una
restauración DC
CR sol
T
V sol
do
1: 1
C> 10 C ISS
Figura 20. Transformador-Aislado Gate Drive
Bipolar de puerta aislada
Transistor (IGBT)
El IGBT es un dispositivo híbrido con un MOSFET como el
dispositivo de entrada, que entonces acciona un rectificador controlado
de silicio (SCR) como un dispositivo de salida conmutada. El SCR se
construye de tal manera que no presenta la característica de enganche
de un SCR típica haciendo su retroalimentación ganancia menor que 1.
El área de boquilla de la IGBT típico es menos de la mitad que la de un
MOSFET de potencia idéntica puntuación, lo que hace menos costoso
para los convertidores de alta potencia. El único inconveniente es la
característica de apagado del IGBT. Al ser un dispositivo portador
minoritario bipolar, las cargas deben ser retirados de las uniones PN
durante una condición de apagado. Esto provoca una “cola actual” al
final de la transición de desconexión de la forma de onda actual. Esto
puede ser una pérdida significativa debido a que el voltaje a través del
IGBT es muy alta en ese momento.
Para conducir un IGBT uno utiliza los circuitos de control de MOSFET que
se muestran en las figuras 18 y 19. Conducción de la puerta IGBT más rápido
hace muy poca diferencia en el rendimiento de un IGBT, por lo que algunos
reducción de corrientes de excitación puede ser utilizado. La caída de tensión
de a través del colector-emisor (V CE) terminales es comparable a los
encontrados en Darlington BJT y MOSFET operados a altas corrientes. El típico
V CE de un IGBT es un apartamento 1.5-2.2 voltios. MOSFET, actuando más
resistente, pueden tener caídas de tensión de hasta 5 voltios al final de algunos
altos rampas de corriente. Esto hace que el IGBT, en entornos de alta corriente,
muy comparables a MOSFETs en aplicaciones de menos de 5-30 kHz.
www.onsemi.com
19
SMPSRM
circuito. Tanto de los condensadores en serie debe ser más de 10 veces el
valor de la C ISS del MOSFET de modo que el divisor de tensión capacitivo
que está formado por los condensadores en serie no causa una atenuación
excesiva. El circuito se puede ver en la Figura 20.
1k
rectificadores
Rectificadores representan alrededor del 60 por ciento de las pérdidas de
fuentes de alimentación conmutadas no síncronos. Su elección tiene un efecto muy
grande sobre la eficiencia de la fuente de alimentación.
Los parámetros significativos del rectificador que afectan el funcionamiento de
fuentes de alimentación conmutadas son:
• Caída de tensión directa ( V F), Cuál es el voltaje a través del diodo
cuando una corriente directa está fluyendo
• la tiempo de recuperación inversa ( t rr), el cual es el tiempo que requiere un
diodo para eliminar las cargas minoritarios de su zona de unión y se
apagará cuando se aplica una tensión inversa
• la tiempo de recuperación hacia adelante ( t FRR) que es el tiempo que toma un
diodo para comenzar a conducir corriente directa después de aplicar una tensión
directa. Hay cuatro opciones de tecnologías de rectificador: estándar, tipos de
recuperación rápido y ultra-rápido, y los tipos de barrera Schottky. UNA diodo de
recuperación estándar sólo es adecuado para 50-60 rectificación Hz debido a
sus características de desconexión lentas. Estos incluyen las familias comunes,
tales como los diodos en serie 1N4000. diodos de recuperación rápida fueron
utilizados por primera vez en fuentes de alimentación conmutadas, pero su tiempo
de apagado se considera demasiado lento para la mayoría de las aplicaciones
modernas. Se puede encontrar aplicación que el bajo coste es de suma
importancia, sin embargo. diodos de recuperación ultra rápida apague
rápidamente y tienen una caída de tensión de 0,8 a
1,3 V, junto con una capacidad de tensión inversa de alta de hasta 1000 V.
A rectificador de Schottky apaga muy rápidamente y tiene una caída de
tensión directa media de entre 0,35 y 0,8 V, pero tiene una baja tensión de
ruptura inversa y
 SMPSRM

una alta corriente de fuga inversa. Para una aplicación típica de suministro de
energía de conmutación, la mejor opción es por lo general un rectificador de
Schottky para tensiones de salida de menos de 12 V, y un diodo de recuperación
ultra-rápido para todas las otras tensiones de salida. Las principales pérdidas
dentro de rectificadores de salida son las pérdidas de conducción y las pérdidas de
conmutación. La pérdida de conducción es los tiempos de caída de tensión directa
la corriente que fluye a través de ella durante su periodo de conducción. Esto
puede ser significativo si su caída de voltaje y corriente son altos. Las pérdidas de
conmutación son determinados por la rapidez con un diodo se apaga (t rr) veces la
tensión inversa a través del rectificador. Esto puede ser importante para altos
voltajes y corrientes de salida.
Las características de los rectificadores de potencia y sus aplicaciones en
fuentes de alimentación conmutadas se cubren en gran detalle en la referencia (5).
Las principales pérdidas dentro de rectificadores de salida son las pérdidas de
conducción y las pérdidas de conmutación. La pérdida de conducción es los
tiempos de caída de tensión directa la corriente que fluye a través de ella durante
su periodo de conducción. Esto puede ser significativo si su caída de voltaje y
corriente son altos. Las pérdidas de conmutación son determinados por la rapidez
con un diodo se apaga (t rr) veces la tensión inversa a través del rectificador. Esto
puede ser importante para altos voltajes y corrientes de salida.

Tabla 2. Tipos de Rectificador Tecnologías

Tipo de rectificador V media F Tiempo de recuperación inversa Aplicaciones Típicas

recuperación estándar 0,7-1,0 V 1.000 ns Rectificación 50-60 Hz

Rápida recuperación 1,0-1,2 V 150-200 ns Rectificación de salida

Rectificación de salida
UltraFast recuperación 0,9-1,4 V 25-75 ns
(Vo> 12 V)

Rectificación de salida
Schottky 0,3-0,8 V <10 ns
(Vo <12 V)

Tabla 3. Estimación de los parámetros significativos de los semiconductores de potencia

Bipolar Pwr Sw MOSFET Pwr Sw Rectificador

topología
V CEO yo do V DSS yo re VR yo F

Dólar V en yo fuera V en yo fuera V en yo fuera

(2,0? Pout) Vin (2,0? Pout) Vin

Aumentar V fuera V fuera V fuera yo fuera
(min) (min)

(2,0? Pout) Vin (2,0? Pout) Vin

Buck / Boost Vin Vout Vin Vout Vin Vout yo fuera
(min) (min)

(2,0? Pout) Vin (2,0? Pout) Vin

Volar de vuelta 1.7? Vin (max) 1,5? Vin (max) 5,0 V fuera yo fuera
(min) (min)

1 Transistor (1,5? Pout) Vin (1,5? Pout) Vin

2,0 V en 2,0 V en 3,0 V fuera yo fuera
Forward (min) (min)

(1,2? Pout) Vin (1,2? Pout) Vin

Empujar tirar 2,0 V en 2,0 V en 2,0 V fuera yo fuera
(min) (min)

(2,0? Pout) Vin (2,0? Pout) Vin

Medio puente V en V en 2,0 V fuera yo fuera
(min) (min)

(1,2? Pout) Vin (2,0? Pout) Vin

Puente completo V en V en 2,0 V fuera yo fuera
(min) (min)

www.onsemi.com
20

Los componentes magnéticos
Los elementos magnéticos dentro de una fuente de alimentación de
conmutación se utilizan ya sea para caminar-arriba o hacia abajo una tensión AC
conmutada, o para almacenamiento de energía. En las topologías de modo de
avance, el transformador se utiliza solamente para caminar-arriba o hacia abajo la
tensión alterna generada por los interruptores de alimentación. El filtro de salida (el
inductor de salida y el condensador) en topologías de modo hacia delante se utiliza
para almacenamiento de energía.
En las topologías de modo de impulso,
transformador se utiliza tanto para el almacenamiento de energía y para
proporcionar un paso-up o función paso hacia abajo.
Muchos ingenieros de diseño consideran los elementos magnéticos de
fuentes de alimentación conmutadas contrario a la intuición o demasiado
complicado de diseñar. Afortunadamente, la ayuda está a la mano; los
proveedores de componentes magnéticos tienen los ingenieros de aplicaciones
que son muy capaces de llevar a cabo el diseño del transformador y discutir las
ventajas y desventajas necesarias para el éxito. Para aquellos que tienen más
experiencia o más aventurero, consulte Referencia 2 en la bibliografía de guías
de diseño del transformador. El procedimiento general en el diseño de cualquier
componente magnético es como sigue (Referencia 2, p 42):
1. Seleccionar un material de núcleo apropiado para la
aplicación y la frecuencia de operación.
2. Seleccionar un factor de forma de núcleo que sea apropiado para la
aplicación y que satisfaga los requisitos reglamentarios aplicables.
3. Determinar el área de sección transversal del núcleo
necesaria para manejar la potencia requerida
4. Determinar si se necesita un entrehierro y calcular el número de
vueltas necesarias para cada devanado. Entonces determinar
si la exactitud de las tensiones de salida cumple los requisitos
y si los devanados encajarán en el tamaño del núcleo
seleccionado.
5. Enrolle el componente magnético utilizando técnicas de bobinado
apropiadas.
6. Durante la fase de prototipo, compruebe el funcionamiento del
componente con respecto al nivel de los picos de voltaje, cruz de
regulación, precisión de salida y la ondulación, RFI, etc., y hacer
correcciones eran necesarias.
El diseño de cualquier componente magnético es una “estimación
calculada.” Hay métodos de “estiramiento” de los límites de diseño de tamaño
más pequeño o pérdidas más bajas, pero éstos tienden a ser diametralmente
opuestos entre sí. Hay que tener cuidado al hacer esto.
Algunas fuentes útiles para los componentes de magnetismo son:
Coilcraft, Inc.
1102 Silver Lake Rd. Cary, IL
(EE.UU.) 60 013
página web: http://www.coilcraft.com/ correo
electrónico: info@coilcraft.com Teléfono:
847-639-6400
www.onsemi.com
SMPSRM
Coiltronics, División de Tecnología Electrónica
Cooper
6000 Park of Commerce Blvd. Boca Raton, FL
(EE.UU.) 33487 sitio web:
http://www.coiltronics.com Teléfono:
561-241-7876
Cramer bobina, Inc.
401 Progreso Dr. Saukville, WI (EE.UU.) 53080
la
sitio web: http://www.cramerco.com correo
electrónico: techsales@cramercoil.com
Teléfono: 262-268-2150
Pulso, Inc.
San Diego, CA web:
http://www.pulseeng.com Teléfono:
858-674-8100
TDK
1600 Feehanville Drive Mount Prospect, IL 60056
sitio web: http://www.component.talk.com Teléfono:
847-803-6100
Fotomontaje de la placa de circuito impreso
El diseño de la placa de circuito impreso (PCB) es la tercera porción crítica de
cada diseño de fuente de alimentación de conmutación, además del diseño
básico y el diseño magnetismo. la disposición inadecuada puede afectar
negativamente a la radiación RFI, fiabilidad de los componentes, la eficiencia y la
estabilidad. Cada diseño de PCB será diferente, pero si el diseñador valora los
factores comunes presentes en todas las fuentes de alimentación de
conmutación, el proceso se simplifica. Todo PCB traza inductancia de
exposiciones y resistencia. Estos pueden causar transiciones de alta tensión
cada vez que hay una alta tasa de cambio en la corriente que fluye a través de la
traza. Para amplificadores operacionales compartir un rastro con señales de
potencia, esto significa que el suministro sería imposible estabilizar. En busca de
rastros que son demasiado estrechas para que la corriente que fluye a través de
ellos, que significa una caída de tensión de un extremo de la traza a la otra lo
que potencialmente puede ser una antena para RFI. Además, el acoplamiento
capacitivo entre trazas adyacentes puede interferir con el funcionamiento del
circuito apropiado.
Existen dos reglas generales para diseños de PCB: “corto y grasa” para
todos los rastros de transporte de energía y “uno a tierra el punto” para los
diversos sistemas de tierra dentro de una fuente de alimentación conmutada.
Las huellas que son cortos y grasa minimizar los aspectos inductivos y
resistivos de la traza, lo que reduce el ruido dentro de los circuitos y RFI. Un
solo punto de conexión a tierra mantiene las fuentes de ruido separados de
los circuitos de control sensibles.
21
 SMPSRM

Dentro de todas las fuentes de alimentación de conmutación, hay cuatro
grandes bucles de corriente. Dos de los bucles de conducta Las corrientes alternas
de alto nivel que necesita el suministro. Estos son el interruptor de alimentación de
CA de bucle de corriente y el rectificador de salida de CA de bucle de corriente. Las
corrientes son los impulsos de corriente típicos trapezoidales con corrientes
máximas muy altas y muy rápidos di / DTS. Los otros dos bucles de corriente son
la fuente de entrada y los bucles de corriente de carga de salida, que llevan
corriente de baja frecuencia se suministra desde la fuente de tensión y a la carga,
respectivamente.
rectificador para el condensador de filtro de salida y de vuelta al inductor o
devanado. Los condensadores de filtro son los únicos componentes que pueden
fuente y sumidero los grandes niveles de corriente AC en el tiempo que necesita
la fuente de alimentación de conmutación. Las trazas de PCB deben hacerse lo
ancho y lo más corto posible, para reducir al mínimo resistiva y efectos
inductivos. Estas trazas será el primero en ser presentado. Volviendo a los
bucles de corriente de fuente de entrada y de carga de salida, tanto de estos
bucles deben conectarse directamente a los terminales de su respectivo del
condensador de filtro, de lo contrario ruido de conmutación podría eludir la
acción de filtrado del condensador y escapar al medio ambiente. Este ruido se

Para el conmutador de alimentación de CA de bucle de corriente, la corriente llama a cabo interferencia. Estos bucles se pueden ver en la Figura 21 para las

fluye desde el condensador de filtro de entrada a través del inductor o devanado dos formas principales de potencia de conmutación
del transformador, a través del interruptor de alimentación y de vuelta a la clavija
negativa del condensador de entrada. Del mismo modo, la corriente fluye del
rectificador de salida del bucle de corriente desde el inductor o transformador suministros, no aislado (Figura 21a) y transformador
bobinado secundario, a través de la aislado (Figura 21b).

Interruptor de potencia Rectificador de salida del

de bucle de corriente L bucle de corriente

SW V fuera
De entrada de bucle
de corriente
Carga de salida del
bucle de corriente

+ V pensión completa
V en Controlar
do en do fuera
-

analógico GND do

UNA segundo
Planta de entrada Interruptor de Planta de salida del Planta de carga de
Fuente alimentación de tierra rectificador salida

Unirse Unirse
Unirse

(A) El convertidor DC / DC Sin Aislamiento

Rectificador de salida del Carga de salida del

Corriente de entrada Interruptor de potencia
bucle de corriente bucle de corriente
Lazo de bucle de corriente
V fuera

V pensión completa

do fuera
SO
+
V en
do en
Controlar
- segundo
Planta de salida del Planta de carga de
rectificador salida
R CS
Término análogo
Unirse
GND
FB
Unirse
do

UNA
Planta de entrada Interruptor de alimentación de tierra
Fuente

Unirse (B) El convertidor aislado-Transformador

Figura 21. Los bucles de corriente y los motivos de las principales topologías de convertidor

www.onsemi.com
22
 SMPSRM

Los motivos son extremadamente importantes para el correcto funcionamiento
de la fuente de alimentación de conmutación, ya que forman las conexiones de
referencia para todo el suministro; cada planta tiene su propio conjunto único de
señales que pueden afectar negativamente el funcionamiento de la alimentación si
está conectado de manera incorrecta.
El último factor importante en el diseño de PCB es la disposición que rodea a
los nodos de tensión alterna. Estos son el drenaje del MOSFET de potencia (o
colector de un BJT) y el ánodo del rectificador (s) de salida. Estos nodos pueden
capacitiva par en ninguna huella en diferentes capas de la PCB que corren por
debajo de la almohadilla de corriente alterna. En los diseños de montaje

superficial, estos nodos también tienen que ser lo suficientemente grande como
Hay cinco razones distintas dentro de la fuente de alimentación conmutada para proporcionar heatsinking para el interruptor principal o rectificador. Esto está
típico. Cuatro de ellas se agrupan en las vías de retorno para los bucles de en contradicción con el deseo de mantener la plataforma lo más pequeño posible
corriente descritos anteriormente. La planta restante es la planta de control
para desalentar acoplamiento capacitivo a otros rastros. Un buen compromiso es
analógico de bajo nivel que es crítica para el correcto funcionamiento de la
hacer todas las capas por debajo del nodo AC idéntico al nodo de CA y
alimentación. Los motivos que forman parte de los principales bucles de corriente
conectarlos con muchas vías (orificios-a través de chapado). Esto aumenta en
deben estar conectados juntos exactamente como se muestra en la Figura 21. Aquí
gran medida la masa térmica de la almohadilla para mejorar la heatsinking y
de nuevo, el punto de conexión entre el recinto de corriente alterna de alto nivel y el
localiza cualquier rastro que rodean lateralmente donde la capacidad de
recinto de entrada o de salida es en el terminal negativo del condensador de filtro
acoplamiento es mucho menor. Un ejemplo de esto puede verse en la Figura 22.
apropiado (puntos a y B en las Figuras 21a y 21b). Ruido en los terrenos de CA
Muchas veces es necesario condensadores de filtro paralelas para reducir la
puede escapar muy fácilmente en el medio ambiente si los motivos no están
cantidad de rizado de corriente RMS cada uno experimenta condensadores.
conectados directamente al terminal negativo del condensador (s) de filtro. La
Cerca se debe prestar atención a esta disposición. Si los condensadores en
planta de control analógico debe estar conectada hasta el punto en el IC de control
paralelo están en una línea, el condensador cerca de la fuente de la corriente de
y circuitos asociados deben medir los parámetros de potencia clave, como
rizado funcionará más caliente que las otras, acortando su vida útil; los otros no
corriente AC o DC y la tensión de salida (punto C en las figuras 21a y 21b). Aquí
verán este nivel de corriente AC. Para asegurarse de que van a compartir de
cualquier ruido introducido por grandes señales de CA dentro de los terrenos de
manera uniforme la corriente de rizado, idealmente, todos los condensadores en
CA sumará directamente sobre los parámetros de control de bajo nivel y afectar en
paralelo deben estar dispuestos de manera simétrica radialmente alrededor de la
gran medida el funcionamiento de la alimentación. El propósito de la conexión de la
fuente de corriente, por lo general un rectificador o interruptor de alimentación. El
planta de control al lado inferior de la resistencia de detección de corriente o la
diseño de la PCB, si no se hace correctamente, puede arruinar un buen diseño de
salida de divisor de resistencia de tensión es para formar un “contacto Kelvin”
donde cualquier ruido de modo común no es detectado por el circuito de control. En papel. Es importante seguir estas pautas básicas y supervisar el diseño de cada

resumen, sigue el ejemplo dado en la figura 21 exactamente como se muestra para paso del proceso.

los mejores resultados. Aquí cualquier ruido introducido por grandes señales de CA
dentro de los terrenos de CA sumará directamente sobre los parámetros de control
de bajo nivel y afectar en gran medida el funcionamiento de la alimentación. El
propósito de la conexión de la planta de control al lado inferior de la resistencia de
detección de corriente o la salida de divisor de resistencia de tensión es para
formar un “contacto Kelvin” donde cualquier ruido de modo común no es detectado por el circuito de control. En resumen, sigue el ejemplo dado en la figura 21 exactamente como se muestra para los mej

dispositivo de alimentación

Vía Top PCB

ee
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ee
ee
ee
ee
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ee
ee
ee
Chapado a través del agujero Parte inferior de PCB

Figura 22. método para minimizar AC acoplamiento capacitivo y la mejora de heatsinking

www.onsemi.com
23
SMPSRM

Las pérdidas y las tensiones en el cambio de fuentes de la circuitería, y algunos son controlados por simplemente seleccionando una parte

diferente. La identificación de las principales fuentes de pérdida puede ser tan fácil
alimentación
como la colocación de un dedo en cada uno de los componentes en busca de
Gran parte del tiempo del diseñador durante un diseño de fuente de
alimentación conmutada se gasta en identificar y minimizar las pérdidas dentro de calor, o la medición de las corrientes y tensiones asociadas con cada componente

la oferta. La mayor parte de las pérdidas se producen en los componentes de de potencia usando un osciloscopio, AC sonda de corriente y la sonda de tensión.

potencia dentro de la fuente de alimentación conmutada. Algunas de estas pérdidas de semiconductores se dividen en dos categorías: las pérdidas de

pérdidas también pueden presentar tensiones a los semiconductores de potencia conducción y las pérdidas de conmutación. los pérdida de conducción es el

que puede afectar a la fiabilidad a largo plazo de la fuente de alimentación, por lo producto de la tensión en los terminales y la corriente durante el dispositivo de

que saber dónde proceden y cómo controlarlos es importante. Siempre que hay potencia que está en período. Ejemplos de las pérdidas de conducción son la

una caída de tensión simultánea a través de un componente con una corriente que tensión de saturación de un transistor de potencia bipolar y la pérdida “on” de un

fluye a través de, hay una pérdida. Algunas de estas pérdidas son controlables MOSFET de potencia se muestra en la Figura 23 y la Figura 24, respectivamente.

mediante la modificación

V PICO V PICO

DRENAJE-A-fuente de voltaje
(Voltios)

(Voltios)
Colector-emisor

Tensión de OTOÑO
saturación EN TENSIÓN

SATURACIÓN ALMACENAMIENTO
DINÁMICO tiempo de subida HORA OTOÑO
HORA DE LEVANTARSE

RECTIFICADORES
yo PICO
RECTIFICADORES
DE COMPENSACIÓN
DE COMPENSACIÓN yo PICO
CORRIENTE DE DRENAJE
La corriente de colector

(AMPS)

las
(AMPS)

de las TRANSFORMADOR
CARACTERÍSTICAS
TRANSFORMADOR inductivo CARACTERÍSTICAS inductivo de
pellizcando
Saturación de corriente En Current pellizcando

CORRIENTE DE Intensidad de CORRIENTE CORRIENTE DE Intensidad de

ENCENDIDO desconexión COLA ENCENDIDO desconexión

PERIODO
concentración de
La segunda corriente
avalancha
PERÍODO
PÉRDIDA (JOULES)
PÉRDIDA (JOULES)

energía instantánea
energía instantánea

en la pérdida de
SATURACIÓN
PÉRDIDA
De encendido Desvío pérdida de
De encendido Desvío pérdida de
PÉRDIDA conmutación PÉRDIDA
PÉRDIDA conmutación PÉRDIDA

Figura 23. Destaca y Pérdidas dentro de un Figura 24. Destaca y Pérdidas

transistor de potencia bipolar dentro de un MOSFET

www.onsemi.com
24
 SMPSRM

La pérdida de conducción directa de un rectificador se muestra en la Figura
25. Durante el apagado, el rectificador exhibe una pérdida de recuperación
inversa donde los portadores minoritarios atrapados dentro de la unión PN deben
invertir su dirección y salga de la unión después de aplicar una tensión inversa.
Esto se traduce en lo que parece ser una corriente que fluye en sentido inverso a
través del diodo con un terminal de alto voltaje inverso. los pérdida de
conmutación es el producto instantáneo de la tensión del terminal y la corriente
de un dispositivo de alimentación cuando está en la transición entre estados de
funcionamiento (on-a-off y off-a-on). Aquí, los voltajes son de transición entre
estados lleno-en y de corte mientras que simultáneamente la corriente es de
transición entre estados lleno-en y de corte. Esta
crea un producto muy grande VI que es tan significativa como las pérdidas de
conducción. las pérdidas de conmutación son también la pérdida dependiente de la
frecuencia principal dentro de cada fuente de alimentación conmutada PWM.
La generación de calor pérdida inducida por causa estrés en el componente de
potencia. Esto puede ser minimizado por un diseño térmico eficaz. Para los
transistores de potencia bipolares, sin embargo, pérdidas de conmutación
excesivas pueden también proporcionar una tensión letal para el transistor en
forma de segunda ruptura y fallos de concentración de corriente. Se debe tener
cuidado en el análisis cuidadoso de polarización directa, Caja de seguridad Área de
funcionamiento de cada transistor (FBSOA) y la polarización inversa-Caja de
seguridad Área de servicio Servicio (RBSOA).

directa
voltaje del diodo
(Voltios)

Tensión inversa de tensión

yo PK
corriente del diodo
(AMPS)

ADELANTE conducción de corriente

GRADO DE DIODE
RECUPERACIÓN

Recuperación BRUSQUEDAD Tiempo de

para Adelante recuperación
tiempo (t fr) inversa (T rr)
PÉRDIDA (JOULES)
energía instantánea

PÉRDIDA conducción directa

TRASPUESTA
PÉRDIDA

Figura 25. Destaca y Pérdidas dentro de rectificadores

Técnicas para mejorar la eficiencia en el cambio de rectificación es una técnica para reducir esta pérdida de conducción mediante el
uso de un interruptor en lugar del diodo. El interruptor de rectificador síncrono
fuentes de alimentación
está abierta cuando el interruptor de alimentación está cerrado, y se cierra
La reducción de las pérdidas es importante para el funcionamiento eficiente de
cuando el interruptor de alimentación está abierto, y es típicamente un MOSFET
una fuente de alimentación conmutada, y una gran cantidad de tiempo que se
insertado en lugar del rectificador de salida. Para evitar que la corriente “pata de
gasta durante la fase de diseño para minimizar estas pérdidas. Algunas técnicas
comunes se describen a continuación.
cabra” que fluiría si ambos interruptores cerrados al mismo tiempo, el esquema de
conmutación debe ser break-before-make. Debido a esto, un diodo sigue siendo

El rectificador síncrono necesaria para conducir la corriente inicial durante el intervalo entre la apertura

A medida que las tensiones de salida disminución, las pérdidas debidas a la del interruptor principal y el cierre del interruptor rectificador síncrono. Un

salida del rectificador se vuelven cada vez más importante. Para V fuera = 3,3 V, un rectificador de Schottky con una corriente nominal de 30 por ciento de

típico diodo Schottky tensión directa de

0,4 V conduce a una pérdida del 12% de eficiencia. Sincrónico

www.onsemi.com
25
 SMPSRM

el MOSFET debe ser colocado en paralelo con el MOSFET síncrono. El
MOSFET contiene un diodo de cuerpo parásito que podría conducir
corriente, pero es con pérdidas, lento para apagar, y puede reducir la
eficiencia en un 1% a 2%. El encendido de tensión inferior de la Schottky
impide que el diodo parásito de la realización de alguna vez y que muestran
su mala característica de recuperación inversa.
Uso de rectificación síncrona, el voltaje de conducción puede ser
reducido de 400 mV a 100 mV o menos. Una mejora de 1-5 por
ciento se puede esperar para el
fuente de alimentación típica de conmutación. El rectificador síncrono puede ser
impulsado ya sea de forma activa, que es controlado directamente desde el control
IC, o pasivamente, impulsado de otras señales dentro del circuito de potencia. Es
muy importante proporcionar una unidad que no se superponen entre el interruptor
de encendido (es) y el rectificador (s) síncrono para evitar cualquier tiro a través de
las corrientes. Este tiempo muerto es por lo general entre 50 a 100 ns. Algunos
circuitos típicos se pueden ver en la Figura 26.

V en +

- V fuera

SW
Drive

GND

Directo
SR

do R sol

V sol

do re 1k

1: 1

C> 10 C ISS

Transformador aislado

rectificadores síncronos

LO

Primario

Driven rectificadores síncronos (a) activamente impulsado

- V fuera

Figura 26. circuitos síncronos rectificador (b) pasivamente

www.onsemi.com
26
 SMPSRM

Los amortiguadores y abrazaderas
Los amortiguadores y las abrazaderas se utilizan para dos propósitos muy
diferentes. Cuando mal aplicado, la fiabilidad de los semiconductores dentro de la
fuente de alimentación se pone en peligro en gran medida.
Un amortiguador se utiliza para reducir el nivel de un pico de voltaje y disminuir
la tasa de cambio de una forma de onda de voltaje. Esto entonces reduce la
cantidad de superposición de la tensión y las formas de onda de corriente durante
una transición, lo que reduce las pérdidas de conmutación. Esto tiene sus ventajas
en el área de operación segura (SOA) de los semiconductores, y reduce las
emisiones mediante la reducción del contenido espectral de cualquier RFI.
Una abrazadera sólo se utiliza para reducir el nivel de un pico de voltaje. No
tiene ningún efecto sobre la dV / dt de la transición.
Por lo tanto, no es muy útil para reducir la RFI. Es útil
para componentes que impiden como
semiconductores y condensadores de entrar ruptura por avalancha.
transistores de potencia bipolares sufren de la concentración de corriente
que es un modo de fallo instantáneo. Si se produce un pico de voltaje durante la
transición de tensión desvío de más de un 75 por ciento de su calificación VCEO,
puede tener demasiado estrés concentración de corriente. Aquí, tanto la tasa de
variación de la tensión y la tensión de pico de la espiga deben ser controlados. Se
necesita un amortiguador para llevar el transistor dentro de su calificación RBSOA
(polarización inversa de seguridad Área de funcionamiento). circuitos
amortiguadores típica y de la abrazadera se muestran en la Figura 27. Los efectos
que éstos tienen en una forma de onda de conmutación representativo se muestran
en la Figura 28.

ZENER PINZA snubber snubber PINZA ZENER

PINZA SUAVE SUAVE PINZA

Figura 27. Los métodos comunes para la activación de los picos y / o RFI Tensión

ABRAZADERA

snubber
VOLTAJE (voltios)

forma de onda
original

t, el tiempo ( μ segundo)

Figura 28. Efectos de un amortiguador frente a una abrazadera

www.onsemi.com
27
SMPSRM

El tambor de frenaje Lossless 2. Cuando el amortiguador sin pérdidas es “reset”, el

Un amortiguador sin pérdidas es un amortiguador cuya energía atrapada se
recupera por el circuito de potencia. El amortiguador sin pérdidas está diseñado
para absorber una cantidad fija de energía a partir de la transición de un nodo de
tensión de CA conmutada. Esta energía se almacena en un condensador cuyo
tamaño determina la cantidad de energía que el amortiguador puede absorber.
Una implementación típica de un amortiguador sin pérdidas se puede ver en la
Figura 29. El diseño para un amortiguador sin pérdidas varía de topología a la
topología y para cada transición deseada. Algunos adaptación puede ser necesario
para cada circuito. Los factores importantes en el diseño de un amortiguador sin
pérdidas son:
3. La forma de onda de corriente de restablecimiento debe ser banda
la energía debe ser devuelto al condensador de entrada o de nuevo
en la trayectoria de potencia de salida.
Estudiar el suministro de cuidado. Volviendo la energía al
condensador de entrada permite que el suministro de usar la energía
de nuevo en el siguiente ciclo. Devolver la energía a tierra en un
suministro boostmode no devuelve la energía para su reutilización,
sino que actúa como un camino de corriente de derivación alrededor
del interruptor de encendido. A veces se utilizan bobinas del
transformador adicionales.

1. El amortiguador debe tener condiciones iniciales que limitado con un inductor en serie para evitar EMI adicional de ser
le permiten operar durante la transición deseada y en los voltajes generado. El uso de un inductor PCB espiral 2 a 3 a su vez es
deseados. amortiguadores Lossless deben ser vaciados de su energía suficiente para disminuir considerablemente el di / dt de la energía que
antes de la transición deseada. La tensión a la que está dictados de sale del amortiguador sin pérdidas.
reposición en el que el amortiguador comenzará a operar. Así que si el
amortiguador se restablece a la tensión de entrada, a continuación, que
actuará como una abrazadera sin pérdidas, lo que eliminará cualquier
pico por encima de la tensión de entrada.

Unsnubbed V SO

+ desairado V SO

yo re

- V SO

Consumo de corriente (I RE)

Figura 29. Lossless de supresor de un transistor Forward o Flyback convertidor

www.onsemi.com
28
 SMPSRM

El Active Clamp energía almacenada) justo antes de la transición de apagado. Se desactiva a

Una abrazadera activo es un circuito MOSFET cerrada que permite que el
controlador IC para activar una abrazadera o un circuito de protección en un
momento particular en el ciclo de una fuente de alimentación de conmutación de
operación. Una abrazadera activo para un convertidor flyback se muestra en la
Figura 30.
En la Figura 30, se restablece la abrazadera activa (o vaciado de su
continuación, durante la transición negativa. Obviamente, la aplicación de
una pinza activa es más caro que otros enfoques, y por lo general se reserva
para las fuentes de alimentación muy compactas donde el calor es un tema
crítico.

Interruptor de

tensión Desblocado

(V SO)

Sujeta Interruptor de
tensión (V SO)

V en

Interruptor

de corriente (I SO)

+
V DR yo CL

+
-
yo SO V SO
Variador

- de voltaje (V DR)
GND
descargue la carga

Pinza de
corriente (I CL)

Figura 30. Una abrazadera activo utilizado en un un transistor adelante o un convertidor flyback

www.onsemi.com
29
 SMPSRM

Cuasi-resonante topologías frecuencias de conmutación están en los 100 de los kHz. Esquemáticamente,

Una topología cuasi-resonante está diseñado para reducir o eliminar las topologías cuasi-resonante son modificaciones menores de las topologías de

pérdidas de conmutación dependientes de la frecuencia dentro de los interruptores PWM estándar. Un circuito tanque resonante se añade a la sección de interruptor

de alimentación y rectificadores. pérdidas de conmutación representan de alimentación para hacer ya sea la corriente o el “anillo” de tensión a través de
un medio una forma de onda sinusoidal. Desde la sinusoide comienza en cero y
aproximadamente el 40% de la pérdida total dentro de una fuente de alimentación
termina en cero, el producto de la tensión y la corriente en el puntos inicial y final
PWM y son proporcionales a la frecuencia de conmutación. La eliminación de estas
es cero, por lo que no tiene pérdida de conmutación.
pérdidas permite al diseñador para aumentar la frecuencia de funcionamiento de la

fuente de alimentación conmutada y así utilizar inductores y condensadores más

pequeños, reduciendo el tamaño y el peso. Además, los niveles de RFI se reducen

debido a la velocidad controlada de cambio de corriente o tensión.
La desventaja de los diseños cuasi-resonantes es que son más complejas
que las topologías no resonantes RF debido a los efectos parásitos que
deben ser considerados cuando se
Hay dos métodos cuasi-resonante: cero de conmutación de corriente (ZCS) o
de conmutación de tensión cero (ZVS). ZCS es A, la variable método de tiempo de
apagado del tiempo de funcionamiento de control fijo. ZCS comienza a partir de un
estado inicial en el que el interruptor de encendido está apagado y no fluye
corriente a través del inductor resonante. El convertidor reductor cuasi-resonante
ZCS se muestra en la Figura 31.

yo LR

LO

do R re
V en V SO V fuera
do fuera
do en CONTROLAR TURN-OFF L R
REALIMENTACIÓN

Un cuasi-resonante ZCS Buck convertidor

INTERRUPTOR

V en
VSW

INTERRUPTOR DE ALIMENTACIÓN

EN

yo PK
yo LR
enfermedad venérea

Figura 31. Representación esquemática y formas de onda para una ZCS cuasi-resonante Buck convertidor

www.onsemi.com
30
 SMPSRM

En este diseño, tanto el interruptor de encendido y el diodo de captura
funcionan en un modo de conmutación de corriente cero. El poder se pasa a la
salida durante los períodos de resonancia. Así que para aumentar la potencia
entregada a la carga, la frecuencia aumentará, y viceversa para la disminución de
las cargas. En diseños típicos de la frecuencia puede cambiar 10: 1 sobre el rango
de operación del suministro ZCS.
El ZVS se fija fuera de tiempo, variable de control método del tiempo de
funcionamiento. Aquí la condición inicial se produce cuando el interruptor de
alimentación está encendido, y la rampa de corriente familiarizado está fluyendo a
través del inductor de filtro. El convertidor reductor cuasi-resonante ZVS se
muestra en la Figura 32. Aquí, para controlar el
potencia entregada a la carga, la cantidad de “resonante de tiempos” son
variados. Para cargas ligeras, la frecuencia es alta. Cuando la carga es pesada,
la frecuencia cae. En una fuente de alimentación típica ZVS, la frecuencia varía
típicamente 4: 1 en todo el intervalo de funcionamiento de la alimentación. Hay
otras variaciones sobre el tema resonante que promueven pérdidas cero de
conmutación, tales como PWM completamente resonante, topologías completo y
de medio puente para mayor potencia y topologías de transición de resonancia.
Para un tratamiento más detallado, véase el capítulo 4 en el “Suministro de
energía Cookbook” (Bibliografía de referencia 2).

LR LO

do R
V en VI/P V fuera
do fuera
REACCIÓN D
CONTROL DE C en

Un cuasi-resonante ZVS Buck convertidor

V en
VIP

INTERRUPTOR DE ALIMENTACIÓN

ENCENDER

Vin Vout Vin LR

yo PK
LO LR
me SW

yo CARGA
0
CARNÉ DE IDENTIDAD

Figura 32. Representación esquemática y formas de onda para una

ZVS cuasi-resonante del convertidor Buck

www.onsemi.com
31
 SMPSRM

Corrección del factor de poder requiriendo todo el equipo eléctrico conectado a un sistema de

Factor de potencia (PF) se define como la relación entre la potencia real a la distribución de baja tensión para minimizar armónicos de corriente y

potencia aparente. En una aplicación de la fuente de alimentación típica AC maximizar el factor de potencia.

donde tanto el voltaje y la corriente son sinusoidales, el PF está dado por el 2. La potencia reflejada no se desperdicia en la resistencia del cable de
alimentación puede generar calor innecesario en la fuente (el
coseno del ángulo de fase entre la corriente de entrada y la tensión de entrada y
transformador reductor local), lo que contribuye a un fallo prematuro
es una medida de la cantidad de la corriente contribuye a la potencia real en la
y que constituyen un peligro de incendio.
carga. Un factor de potencia de la unidad indica que el 100% de la corriente está
contribuyendo a la energía en la carga, mientras que un factor de potencia de
3. Desde la red de CA se limitan a una corriente finita por sus interruptores
cero indica que ninguna de la corriente contribuye a la energía en la carga.
de circuito, es deseable para obtener el máximo de energía posible de la
Puramente cargas resistivas tienen un factor de potencia de la unidad; la
corriente dada disponible. Esto sólo puede ocurrir cuando el factor de potencia
corriente a través de ellos es directamente proporcional a la tensión aplicada.
es cercana o igual a la unidad. El circuito de rectificación de entrada típica de CA
es un puente de diodos seguido por un gran condensador de filtro de entrada.
Durante el tiempo en que los diodos de puente conducta, la línea de CA está
impulsando un condensador electrolítico, una carga casi reactiva. Este circuito
La corriente en una línea de CA se puede considerar como que consta de
sólo dibujar actual desde las líneas de entrada cuando el voltaje de la entrada
dos componentes: reales e imaginarios. La parte real resultados de potencia
supera la tensión del condensador de filtro. Esto conduce a corrientes muy altas
absorbida por la carga, mientras que la parte imaginaria es la energía que es
cerca de los picos de la forma de onda de voltaje de CA de entrada como se ve
reflejada de vuelta a la fuente, tal como es el caso cuando la corriente y la
en la Figura 33. Dado que los períodos de conducción de los rectificadores son
tensión son de polaridad opuesta y su producto, el poder, es negativo. Es
pequeñas, el valor pico de la corriente puede ser 3-5 veces la corriente de
importante tener un factor de potencia lo más cerca posible a la unidad para
entrada media necesaria por el equipo. Un interruptor automático sólo se detecta
que ninguno de la potencia entregada es reflejada de vuelta a la fuente. la corriente promedio, por lo que no se disparará cuando la corriente de pico se
Potencia reflejada no es deseable por tres razones: vuelve insegura, tal como se encuentra en muchas zonas de oficinas. Esto
puede presentar un peligro de incendio. En los sistemas de distribución
trifásicos, estos picos de corriente suma a la línea neutra, no sirve para realizar
1. Las líneas de transmisión o cable de alimentación generarán calor este tipo de corriente, que a su vez presenta un peligro de incendio.
de acuerdo con el, la parte real actual que está siendo llevado a
total más la parte reflejada. Esto causa problemas para los
servicios de electricidad y ha llevado a diversas regulaciones

El poder no

utilizado
VOLTAJE

energía utilizada

yo
110/220
+
voltios en corriente alterna
DC fuente de
do grande
alimentación Para

-
CORRIENTE

yo AV

Figura 33. Las formas de onda de un filtro de entrada capacitivo

www.onsemi.com
32

Un circuito de corrección de factor de potencia (PFC) es un convertidor
de potencia de conmutación, esencialmente un convertidor elevador con una
muy amplia gama de entrada, que controla con precisión su corriente de
entrada sobre una base instantánea para que coincida con la forma de onda
y la fase de la tensión de entrada. Esto representa un cero grados o 100 por
ciento del factor de potencia e imita una carga puramente resistiva. La
amplitud de la forma de onda de corriente de entrada se varía sobre los
marcos de tiempo más largos para mantener una tensión constante en el
condensador de filtro de salida del convertidor. Esto imita una resistencia
que cambia lentamente valor para absorber la cantidad correcta de energía
para satisfacer la demanda de la carga. excesos y déficits causados ​por
cambios bruscos en la carga de energía a corto plazo de se complementan
con un “condensador de almacenamiento de energía a granel”, el dispositivo
de filtro de salida del convertidor elevador.
El convertidor de PFC impulsar puede operar por debajo de aproximadamente
30 V antes de que haya tensión insuficiente para dibujar cualquier potencia más
importante de su entrada. El convertidor puede entonces comenzar de nuevo
cuando el haversine de entrada alcanza 30 V en la siguiente haversine de media
onda. Esto aumenta en gran medida el ángulo de conducción de los rectificadores
de entrada. se filtra entonces la región de abandono del convertidor de PFC
(suavizada) por el filtro EMI de entrada.
Un circuito PFC no sólo asegura que ningún poder se refleja de vuelta a
la fuente, sino que también elimina los altos pulsos de corriente asociados a
los circuitos de entrada rectificador de filtro convencionales. Debido a
pérdida de calor en los circuitos de línea de transmisión y adyacentes es
proporcional al cuadrado de la corriente en la línea, corriente fuerte corto
corriente de conmutación
Voltaje de entrada
ángulo de conducción
Figura 34. Circuito de alimentación Factor de Corrección
voltaje
Corriente
Figura 35. Forma de onda de entrada corregido
www.onsemi.com
33
SMPSRM
pulsos generan más calor que una carga puramente resistiva de la misma
potencia. El circuito de corrección de factor de potencia activa se coloca justo
después del puente rectificador de corriente alterna. Un ejemplo puede verse
en la Figura 34. Dependiendo de la cantidad de energía se obtiene por la
unidad, hay una selección de tres modos de control común diferentes. Todos
los esquemas de las secciones de potencia son los mismos, pero el valor del
inductor PFC y el método de control son diferentes. Para corrientes de entrada
de menos de 150 vatios, una discontinua-mode esquema de control se usa
típicamente, en el que el núcleo PFC se vacía completamente antes del
siguiente ciclo de conducción interruptor de alimentación. Para potencias entre
150 y 250 vatios, el modo de conducción crítica es recomendado. Este es un
método de control donde el IC de control detecta justo cuando el núcleo PFC
se vacía de su energía y el ciclo de conducción siguiente interruptor de
encendido se inicia inmediatamente; esto elimina cualquier tiempo muerto
exhibido en el discontinua en modo de control. Para una potencia de entrada
superior a 250 vatios, el
-Modo continuo del control se recomienda. Aquí las corrientes de pico se
pueden reducir mediante el uso de un inductor más grande, pero
una recuperación inversa problemático
característica del rectificador de salida se encontró, que puede agregar un
20-40 por ciento adicional en pérdidas para el circuito PFC.
Muchos países cooperan en la coordinación de sus requisitos de
factor de potencia. El documento más apropiado es IEC61000-3-2, que
abarca el rendimiento de los productos electrónicos generalizadas. Hay
especificaciones más detalladas para determinados productos hechos
para mercados especiales.
yo
V fuera
V sentido
do pequeña +
Controlar do grande Para la fuente
de alimentación
-
yo AVG
SMPSRM

Bibliografía

1. Ben-Yaakov Sam, Gregory Ivensky, “pasivo sin pérdidas amortiguadores para los convertidores PWM de alta frecuencia,” Seminario 12, 99 APEC.

2. Brown, Marty, Fuente de alimentación Cookbook, Butterworth-Heinemann, 1994, 2001.

3. Brown, Marty, “Tendido de Tarjetas de Circuito Impreso de alimentación conmutadas Embedded” Diseño Electrónico, De diciembre de 1999.
4. Martin, Robert F., “Corrientes armónicas” Ingeniería cumplimiento - 1999 Guía Anual de Recursos, Cañón
Communications, LLC, pp. 103-107.
5. ON Semiconductor, Rectificador de Aplicaciones Manual, HB214 / D, Rev. 2, noviembre de 2001.

www.onsemi.com
34
 SMPSRM

Ejemplos SWITCHMODE fuente de alimentación

Esta sección proporciona información inicial y detallado para simplificar la selección y el diseño de una variedad de fuentes de alimentación conmutadas. Los ICs para la

conmutación de fuentes de alimentación de la figura de control identifica, tensión de referencia, de protección de salida y de conmutación de circuitos integrados regulador

para varias topologías.

Página

. . alimentación
Circuitos integrados para la conmutación de fuentes de . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
Los circuitos integrados identificados por varias secciones de una fuente de alimentación conmutada.

Componentes sugeridos para Aplicaciones Específicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Una lista de los circuitos integrados de control sugeridas, transistores de potencia y rectificadores para fuentes de alimentación conmutadas por aplicación.

• Sistema de pantalla CRT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

• Alimentación AC / DC potencia de las pantallas CRT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
• Alimentación AC / DC motor para el almacenaje, Imaging y entretenimiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
• Conversión CC-CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
• PC típica Forward-Mode SMPS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

SMPS reales Aplicaciones

Controlador de corrección del factor de potencia de 80 W . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
Corrección del Factor de Potencia compacta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
Monitorear Pulsada-Modo SMPS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
70 w Gran red de televisión SMPS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
100 w Gran red de televisión SMPS con 1,3 W Stand-by . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
Bajo costo fuera de línea IGBT cargador de batería . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
110 W de salida de Flyback SMPS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
Circuito de seguridad eficiente para lastre electrónico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
AC-DC cargador de batería - corriente constante con el límite de voltaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55

Algunos de estos circuitos pueden tener una aplicación de notas, información sobre el modelo más completo de especias o incluso una placa de evaluación disponibles.

Consultar en la página web de semiconductores ( www.onsemi.com) o en la oficina local de ventas para obtener más información.

www.onsemi.com
35
 snubber /
ABRAZADERA
SMPSRM

1N62xxA Los filtros de salida

1N63xxA
MBR1100 MBRS240L
CONVERSIÓN DC-DC
potencia MOS MUR160
MC33153 de
MC33151 MC33152 MBR3100 MBRS360
CONTROLADORES MUR260 CS51031 MC34063A
MURS160 MBR360 MURHF860CT CS51033 MC34163
MURS260 MBRD360 MURS360 CS51411 MC34166
FACTOR DE POTENCIA
P6KExxxA
MBRS1100 CS51412 MC34167
CORRECCIÓN P6SMB1xxA
CS51413 NCP1400A
PROTECCIÓN DE SALIDA
Switching Power Supplies

CS51414 NCP1402
MC33260
CS5171 NCP1410
MC33262 MAX707 MC33161
CS5172 NCP1411
Figura 36.. Ciruits integrada para

MC33368 CONTROLADORES DE MAX708 MC33164

CS5173 NCP1417
POTENCIA MOS
MC34262 MAX809 MC3423 CS5174 NCP1450A
NCP1650 MAX810 NCP30x MC33463 NCP1550
NCP1651 MC33064 NCP803 MC33466

FACTOR DE POTENCIA Snubber / TRANS- Los filtros de SALIDA VOLTAJE

CORRECCIÓN PINZA FORMERS salida PROTECCION REGULACIÓN

CONVERSIÓN
DC-DC Vref

36
PODER

www.onsemi.com
CAMBIAR
REF

L4949 MC33275 MC7905A

OSC PWM
LM2931 MC33761 MC7906
LM2935 MC34268 MC7908
PUESTA EN MARCHA CONTROLAR LM317 MC78xx MC7912
VOLTAJE
REALIMENTACIÓN LM337 MC78Bxx MC7915
LM350 MC78Fxx MC7918
LM317L MC78Lxx MC7908A
MC33362
MC33363 LM317M MC78Mxx MC7924
CS3843 CS51227 MC44604 NCP100
MC33365 LP2950 MC78PCxx MC79Mxx
CS51021 CS5124 MC44605 TL431 /A/B
CS5101
NCP100x MC33023 MC44608 LP2951 MC78Txx NCP1117
CS51022 TLV431A
NCP105x CS51023 MC33025 NCP1200 MC33263 MC7905 NCP50x
MMBZ52xx
CS51024 MC33065 NCP1205 MC33269 MC7905.2 NCP51x
CONMUTACIÓN HV MMSZ52xx REACCIÓN DE
CS5106 MC33067 UC384x
REGULADORES VOLTAJE
MMSZ46xx CS51220 MC33364 REGULACION DE VOLTAJE
CS51221 MC44603A
PUESTA EN MARCHA
CONTROLAR

Figura 30. Circuitos integrados para la conmutación de fuentes de alimentación

 RWM
Vídeo

. 15”
Visualización en pantalla
monitor de Conductor
yo 2 C BUS

La Figura 37.
Generador

de energía
del monitor
MCU 10101100101

Suministros
R
overlayed
RGB RGB
PROCESADOR DE SINCRONIZACIÓN
V_Sync
sol CRT
V_Sync
1280 H_Sync
x
H_Sync 1024
RGB segundo

HC05
núcleo de
MEMORIA
la CPU
PWM o

I 2 do R
Vertical
sol Conductor
RGB
segundo
ABAJO
HUB USB
H-Driver TR
MTD6N10 / 15
corrección de la geometría H-Driver
ARRIBA
MC33363A / B
conductor de línea
NCP100x

37
USB y auxiliar de espera NCP105x
AC / DC fuente
NCP1200 IRF630 / 640/730/740/830/840

www.onsemi.com
amortiguador de diodo
de alimentación
De base de tiempo del procesador
V_Sync MUR8100E
CC a CC H-Output TR MUR4100E
Línea CONTROLADOR
H_Sync MUR460
C.A.

MOSFET UC3842 / 3
Dispositivos de PFC
600V 8A MTP6P20E
NCP1650 SMPS N-Ch
NCP1651 Controlador
MC34262
MC33368
MC33260

UC384x MUR420
MC44603 / 5 Señalsync MUR440
MC44608 MUR460
NCP1200
NCP1205

Figura 31. 15” Suministros de energía del monitor

SMPSRM
SMPSRM

Interruptor de ultrarrápida
Rectificador
+
puesta en marcha
Carga
Rectificador + Condensador de
Abultar
almacenamiento

control
MOSFET
PWM
línea IC n-salidas
de CA Prog.
Prec.
PWM Switcher Árbitro

Figura 38. AC / DC fuente de alimentación para pantallas CRT

Tabla 1.

Parte # Descripción Los parámetros clave Las muestras / Prod.

MC33262 PFC de control IC Controlador PFC conducción crítica Ahora ahora

MC33368 PFC de control IC La conducción crítica controlador PFC + interna de puesta en marcha Ahora ahora

MC33260 PFC de control IC Sistema de bajo coste, con PFC sincronización capacidad, el modo Ahora ahora

de refuerzo Seguidor o Modo Normal

MC33365 PWM de control IC Frecuencia fija Controller + 700 V Puesta en marcha, un interruptor de Ahora ahora

alimentación 1

MC33364 PWM de control IC Controlador de frecuencia variable + 700 V Interruptor de puesta en marcha Ahora ahora

MC44603A / 604 PWM de control IC GreenLine, Sync. Instalación con el modo de espera baja Ahora ahora

MC44605 PWM de control IC GreenLine, Sync. Instalación, Current-mode Ahora ahora

MC44608 PWM de control IC GreenLine, de frecuencia fija (40 kHz, 75 kHz y 100 kHz opciones), Controller Ahora ahora

+ interna de puesta en marcha, de 8 pines

MSR860 ultrasoft rectificador 600 V, 8 A, trr = 55 ns, IR max = 1 uA Ahora ahora

MUR440 rectificador ultrarrápido 400 V, 4 A, trr = 50 ns, IR max = 10 uA Ahora ahora

MRA4006T3 Rectificador rápido de la recuperación 800 V, 1 A, Vf = 1,1 V @ 1,0 A Ahora ahora

MR856 Rectificador rápido de la recuperación 600 V, 3 A, Vf = 1,25 V @ 3,0 A Ahora ahora

NCP1200 Controlador PWM de modo corriente 110 mA de fuente / sumidero, O / P Protección, 40/60/110 kHz Ahora ahora

NCP1205 Controlador PWM de terminación única Operación cuasi-resonante, 250 mA de fuente / sumidero, 8-36 V Ahora ahora

Operación

UC3842 / 3/4/5 Alto Rendimiento actual-Mode 500 kHz Freq., Tótem O / P, ciclo a ciclo actual limitación, Ahora ahora

controladores UV Lockout

www.onsemi.com
38
 SMPSRM

Interruptor de ultrarrápida
Rectificador
+
puesta en marcha
Carga
Rectificador + Condensador de
Abultar
almacenamiento

control
MOSFET
PWM
línea IC n-salidas
de CA Prog.
Prec.
PWM Switcher Árbitro

Figura 39. AC / DC fuente de alimentación para el almacenamiento,

Imaging y entretenimiento

Tabla 2.

Parte # Descripción Los parámetros clave Las muestras / Prod.

MC33363A / B / 65 PWM de control IC Controller + 700 V Puesta en marcha y del interruptor de alimentación, <15 W Ahora ahora

MC33364 PWM de control IC Modo de Conducción crítico, SMPS Controlador Ahora ahora

TL431B Programa de precisión de referencia 0,4% Tolerancia, Prog. De salida de hasta 36 V, Compensación de temperatura Ahora ahora

MSRD620CT ultrasoft rectificador 200 V, 6 A, trr = 55 ns, IR max = 1 uA Ahora ahora

MR856 Rectificador rápido de la recuperación 600 V, 3 A, Vf = 1,25 V @ 3,0 A Ahora ahora

NCP1200 Controlador PWM de modo corriente 110 mA de fuente / sumidero, O / P Protección, 40/60/110 kHz Ahora ahora

NCP1205 Controlador PWM de terminación única Operación cuasi-resonante, 250 mA de fuente / sumidero, 8-36 V Ahora ahora

Operación

UC3842 / 3/4/5 Alto Rendimiento actual-Mode 500 kHz Freq., Tótem O / P, ciclo a ciclo actual limitación, Ahora ahora

controladores UV Lockout

www.onsemi.com
39
SMPSRM

co Lo
Regulacion
+ de voltaje + + +

Vin de control IC Lo Vout Carga Vin Carga

control de IC
Vout Co
- - - -

Regulador Buck Sincrónica regulador reductor

Figura 40. DC - Conversión DC

Tabla 3.

Parte # Descripción Los parámetros clave Las muestras / Prod.

MC33263 Bajo ruido, baja caída 150 mA; 8 salidas 2.8 V - 5 V; SOT 23L Paquete 6 Plomo Ahora ahora

regulador IC

MC33269 Medio Dropout Regulador IC 0,8 A; 3.3; 5, 12 V a cabo; 1 V diff; 1% Tolerancia Ahora ahora

MC33275 / 375 Regulador de baja caída 300 mA; 2,5, 3, 3,3, 5 V a cabo Ahora ahora

LP2950 / 51 De baja caída, de tensión fija IC 0,1 A; 3, 3,3, 5 V a cabo; 0,38 V diff; 0,5% Tolerancia Ahora ahora

MC78PC CMOS de tensión lineal LDO yo fuera = 150 mA, disponible en 2,8 V, 3 V, 3,3 V, 5 V; SOT 23 - 5 Leads Ahora ahora

Regulador

MC33470 Controlado Synchronous Buck regulador IC digital; V CC = 7 V; Respuesta rapida Ahora ahora

NTMSD2P102LR2 P-Ch FET w / Schottky en SO-8 20 V, 2 A, 160 m FET / 1 A, Vf = 0,46 V Schottky Ahora ahora

NTMSD3P102R2 P-Ch FET w / Schottky en SO-8 20 V, 3 A, 160 m FET / 1 A, Vf = 0,46 V Schottky Ahora ahora

MMDFS6N303R2 N-Ch FET w / Schottky en SO-8 30 V, 6 A, 35 m FET / 3 A, Vf = 0,42 V Schottky Ahora ahora

NTMSD3P303R2 P-Ch FET w / Schottky en SO-8 30 V, 3 A, 100 m FET / 3 A, Vf = 0,42 V Schottky Ahora ahora

MBRM140T3 Schottky 1A en POWERMITE ® 40 V, 1 A, Vf = 0,43 @ 1 A; IR = 0,4 mA @ 40 V Ahora ahora

Paquete

MBRA130LT3 Schottky 1A en el paquete de SMA 40 V, 1 A, Vf = 0,395 @ 1 A; Ir = 1 mA @ 40 V Ahora ahora

MBRS2040LT3 Schottky 2A en SMB Paquete 40 V, 2 A, Vf = 0,43 @ 2 A; IR = 0,8 mA @ 40 V Ahora ahora

MMSF3300 Individual MOSFET N-Ch en SO-8 30 V, 11,5 A ( 1), 12,5 m @ 10 V Ahora ahora

NTD4302 Individual MOSFET N-Ch en DPAK 30 V, 18,3 A ( 1), 10 m @ 10 V Ahora ahora

NTTS2P03R2 Individual MOSFET P-Ch en 30 V, 2,7 A, 90 m @ 10 V Ahora ahora

Micro8 ™ Paquete

MGSF3454X / V Individual MOSFET N-Ch en 30 V, 4,2 A, 65 m @ 10 V Ahora ahora

TSOP-6

NTGS3441T1 Individual MOSFET P-Ch en 20 V, 3,3 A, 100 m @ 4,5 V Ahora ahora

TSOP-6

NCP1500 Dual Mode PWM Buck Lineal Prog. Voltaje 1,0, 1,3, 1,5, 1,8 V O / P Ahora ahora

Convertidor

NCP1570 Baja Tensión Synchronous Buck Bloqueo UV, 200 kHz oscilador. Frec., 200 ns Respuesta Ahora ahora

Convertidor

NCP1571 Baja Tensión Synchronous Buck Bloqueo UV, 200 kHz oscilador. Frec., 200 ns Respuesta Ahora ahora

Convertidor

CS5422 Dual Synchronous Buck 150 kHz-600 kHz Prog. Frec., UV bloqueo, 150 ns Respuesta Ahora ahora

Convertidor transitoria

(1) continua en T A = 25 ° C, montado en 1” cuadrado FR-4 o G10, V GS = 10 V t 10 segundos

www.onsemi.com
40
 (V) Nº de pieza V (V) I (A) o Paquete
Nº de pieza V I (A) o Paquete RRM
RRM
MBR160 60 1 Axial MBR2535CTL 35 25 TO-220
Nº de pieza V (V) I (A) o Paquete
RRM
1N5404RL 400 1000 3 Axial + 3,3 V 14 A
1N5406RL 400 1000 3 Axial + Nº de pieza V (V) I (A) o Paquete
RRM
1N5408RL 400 1000 3 Axial
MBR2535CTL 35 25
30 A-220
A-247
30
25 A-218
A-220
MBR2545CT 45 30
25 A-220
TO-220
+ 5 V 22 A MBR3045ST 45
MBRF2545CT 45
+
Mains + MBR3045PT 45
230 Vac
voltaje MBR3045WT 45
Stand-by 5 V 0,1 A
Nº de pieza V (V) I (A) o Paquete
RRM
+ 12 V 6 A
MBR2060CT 60 20
16 A-220
A-220
16
16 A-220
A-220
MBR20100CT 100 20
20 A-220
TO-220
+
MBR20200CT 200
MUR1620CT 200
MUR1620CTR 200
- 5 V 0,5 A MURF1620CT 200
Nº de pieza Paquete
Nº de pieza V (V) I (A) o Paquete
Serie U384X SO-8 / SO-14 RRM
+
MC34060 TL494 DIP14 / SO-14 MBRS340T3 40 3 SMC
3 Axial
PWM 3
3 Axial
Axial
TL594 DIP16 / SO-16 MBRD340 40 3 DPAK

41
IC
DIP16 / SO-16 - 12 V 0,8 A 1N5821 30
MC34023 DIP16 / SO-16 1N5822 40

www.onsemi.com
MC44608 DIP8 DIP8 / MBR340 40
+
MC44603 DIP16 / SO-16
MC44603A DIP16 / SO-16
Nº de pieza V (V) I (A) o Paquete
RRM

MATRIZ MBR3100 100 3 Axial

Nº de pieza Paquete

TL431 A-92
Nº de pieza V (V) I (A) o Paquete
RRM
MUR180E, MUR1100E 600 1000 1 Axial
1
6
MUR480E, MUR4100E 600 1000 600 4 axial
MR756RL, 1N4937 MR760RL 1000 axial
Forward Modo SMPS

600 Axial
Figura 41.. Típica 200 W ATX

Figura 35. Modo típica 200 W ATX Forward SMPS

SMPSRM
 SMPSRM

Aplicación: 80 W Controlador de Factor de Potencia

1 100 k R 6
do 5
1N4934
8
re 6
re 2 re 4 +
+ 36 V 100
corriente cero 1,2 V C4
T
Filtro RFI

92 a 138 DETECTOR
Vac re 1 re 3 + 6,7 V 5 22 k
1,6 V /
R4
1,4 V
UVLO
2,5 V
REFERENCIA + 13 V / MUR130
8,0 V 7
re 5 VO

MINUTERO R OUTPUT10 230 V /

500 V / 8 A
0,35 A
16 V 10 N-Ch
RETRASAR MOSFET +
220
cerrojo UNIDAD Q1
C3
RS

2.2 MR 5 1.0 MR 2
20 k 4

1,5 V COMPARATOR 0.1

10 pF
SOBRETENSION R7
COMPARATOR
SENTIDO
ACTUAL + 1,08 V árbitro

ERROR AMP
+ V árbitro
MULTIPLICADOR 1
0,01 7,5 k R 3 3
11 k
C2
RÁPIDO 10 A R1

6 2
0.68
C1
Figura 42. 80 controlador de factor de potencia W MC33262

caracteristicas:
Reducido número de piezas, solución de bajo costo.

En las ventajas de semiconductores:

Solución completa de semiconductores en torno MC33262 altamente integrado.

dispositivos:

Número de pieza Descripción

MC33262 Controlador del Factor de Potencia

MUR130 Plomo Axial ultrarápido Rectificador de recuperación (300 V)

Transformador Coilcraft N2881-A primario: 62 vueltas de

# 22 AWG secundario: 5 vueltas de # 22
AWG Core: PT2510 Coilcraft

Gap: 0.072” total para una inductancia primaria (Lp) de 320 H

www.onsemi.com
42
 SMPSRM

Aplicación: Corrección del Factor de Potencia compacta

Vcc

FUSIBLE 0.33 μ F
1N5404 L1
+
10 μ F /
Filtro de
AC LÍNEA 100 nF 16 V Vout
red MUR460

+ 100 μ F /
450 V

1 8
500 V / 8 A
N-Ch
100 nF 2 7
MOSFET

MC33260
10
3 6

4 5
12 k
1M

120 pF

45 k 1M
0,5 / 3 W

Figura 43. La corrección del factor de potencia compacto

Caracteristicas :
solución de sistema de bajo costo para seguidora modo de refuerzo. Cumple

con la norma IEC1000-3-2. conducción crítica, el modo de tensión.

Modo seguidor impulso para la reducción de los costes del sistema - el inductor más pequeño y el MOSFET se pueden utilizar. Irrupción de

detección de corriente.

Protección contra sobrecorriente, sobretensión y baja tensión.

EN ventajas semiconductor:
Muy bajo el número de componentes. No se
requiere devanado auxiliar. Alta fiabilidad.

solución semiconductor completa. Reducción

significativa el costo del sistema.

dispositivos:

Número de pieza Descripción

MC33260 Controlador del Factor de Potencia

MUR460 Ultrarápido Rectificador de recuperación (600 V)

1N5404 Rectificador de propósito general (400 V)

www.onsemi.com
43
SMPSRM

Aplicación: Monitor de Pulsada-Modo SMPS

90 Vac a
270 Vac

22 μ H
FILTRO nF / 1 kV 90 V / 0,1 A
RFI
MR856
+ +
1 nF / 500 V 4,7 M
47 μ F 47 μ F

1 V en
D1 - D4
1N5404 150 μ F 3,9 k / 6 W 4,7 k 120 pF
400 V
1N4148

1N4934 MCR22-6
1 nF / 500 V 2W 100 nF
1N4934
22 k
SINC MR856 45 V / 1
47 μ F + +
A
25 V
MR856 1,000 μ F
3.3 k 1μH
1,2 k 10 pF 47 k SMT31
9 8
2,2 nF
10 7 MR852 15 V /
470 pF +
4.7 μ F 2,2 k 0.8 A

+ 11 6 1,000 μ F
4.7 μ F + L pag
8,2 k
10 V
12 5
MC44605P

22 470 k 4.7 μ F + 150 k

1N4148
nF 10 V
13 4
MR852 - 10 V /
2,2 nF +
0.3 A
Nota 1
14 3 10 560 k
56 k 220 μ F
1N4934
15 2
1k
270
dieciséis 1
MBR360 V/
470 +
56 k 0.1 470 pF 1.5 A
4700 μ F

MOC8107 1 100
1,8 M 10 k
96,8 k 8
10 k

V en 100 nF
TL431
1N4742A
12 V 2,7 k
2,7 k
Nota 1: 500 V / 8 A N-Channel MOSFET

1k 100 nF

BC237B V PAG

DE P 0:
STAND-BY 1: MODO
NORMAL

Figura 44. Monitor de Pulsada-Mode SMPS

www.onsemi.com
44
 SMPSRM

caracteristicas:
Apagado Consumo de energía: 40 mA extrae de la salida 8 V en el modo de ráfaga.

Vac (110 V) aproximadamente 1 watt

Vac (240 V) alrededor de 3 vatios

Eficiencia (faneca = 85 vatios)

Alrededor de 77% @ Vac (110 V)

Alrededor de 80% @ Vac (240 V) limitación de

potencia máxima. detección de exceso de

temperatura. Winding detección de cortocircuito.

En las ventajas de semiconductores:

Diseñado alrededor de controlador de modo de corriente de alto rendimiento. Una función

de modo de trabado incapacitante. solución semiconductor completa.

dispositivos:

Número de pieza Descripción

MC44605P Alta seguridad con bloqueo modo de controlador Para GreenLine (Multi)
Aplicaciones sincronizadas

TL431 Programable de precisión de referencia

MR856 Rectificador rápido de la recuperación (600 V)

MR852 Rectificador rápido de la recuperación (200 V)

MBR360 Plomo Axial Schottky rectificador (60 V)

BC237B NPN Transistor bipolar
1N5404 Rectificador de propósito general (400 V)

1N4742A Zener Regulador (12 V, 1 W)

Transformador G6351-00 (SMT31M) de Thomson Orega inductancia

primaria = 207 H Área = 190 nH / turns2 espiras del
primario = 33 vueltas (90 V) = 31

www.onsemi.com
45
SMPSRM

Aplicación: 70 W Amplia red de televisión SMPS

95 Vac a
265 Vac

F1 Fusible 1,6 A

C30
100 nF
250 Vac

FILTRO
LF1 RFI
C19 1 nF
/ 1 kV

R21
4,7 M
1N4007
D1-D4
C1 220 F
R16
3,8 M 68 k / 2 W L3 22 μ H115 V / 0,45 A

C4-C5 1 nF
/ 1 kV R7 68 k / 1N4148 C26
D12
1W D13 4,7 nF
MR856 C20 D23
C16 47 μ F 47 μ F
1N4148
100 μ F
D15 1N4937
L1
D7
C9 100 1μH
C15 220 pF 15 V / 1,5 A
nF
9 8
C11 de 100 D5
C8 560 pF R19 27 k C21 1000 μ
pF R22 MR854
10 7 F
C12 1 1k
C10 1 μ F
R3 22 nF
11 6
k
R18 15 k
11 V / 0,5 A
12 5
MC44603AP

5,6 k
180 k Q1 600 D8 MR854
13 4 C22 1000 μ
C7 10 V / 4 A N-Ch F
R15 1
nF MOSFET
M 14 3
R20 47 R8 1
k OREGA TRANSFORMADOR
15 2
R4 Componentes del televisor
R9 150
3,9 k G6191-00 THOMSON
dieciséis 1
R5 R33 C14 220
2,2 k R14 0.31 pF

47 k R13
10 k

Figura 45. 70 W ancha Mains TV SMPS

www.onsemi.com
46
 SMPSRM

caracteristicas:
potencia de salida de 70 W a partir 95 a 265 VCA. Eficiencia

@ 230 Vac = 86% @ 110 Vac = 84%

Regulación de la carga (115 Vac) = 0.8 regulación V.

Cross (115 Vac) = 0,2 V. Frecuencia 20 kHz

completamente estable.

En las ventajas de semiconductores:

DIP16 o opciones de embalaje SO16 para el controlador. Cumple con las

normas IEC radiación EMI.

Un diseño de tensión de alimentación estrecho (80 W) también está disponible.

dispositivos:

Número de pieza Descripción

MC44603AP Enhanced Mixta Frecuencia Modo

GreenLine controlador PWM
MR856 Rectificador rápido de la recuperación (600 V)

MR854 Rectificador rápido de la recuperación (400 V)

1N4007 Rectificador de uso general (1000 V)

1N4937 Rectificador de propósito general (600 V)

Transformador Thomson Orega SMT18

www.onsemi.com
47
SMPSRM

Aplicación: Amplia red 100 W TV SMPS con 1,3 W de TV Stand-by

F1
C31
100 nF

FILTRO C19
47283900 R F6 2N2F-Y
RFI

C3 1
nF R16 4,7 M / 4 kV

C11 220 pF
1N5404 / 500 V
D1-D4
+ C5 220 F 112 V / 0,45 A
R1
400 V 14 1
22 k
C4 1 D18 MR856 +
5W
nF J3
C12 C13 100 2
C6
12 47 μ F / 250 V nF
1N4007 47 nF 630 V
16 V / 1,5 A
D6 MR856 3
D5
R7 47 k Ω C17 120 pF
100 k

6 1 1
J4
1N4934 DZ1
1N4148 2
D12 MCR22-6
D7
11 8V/1A
7
1 8 2 D9 MR852 3
+ C7 22 F 16 V C14 +
Presiento 1000 μ F / 35 V
2 100 nF
7 R5
MC44608P75

10

3 6 C9 C16 R19
470 pF 100 pF 18 k 1N4148
Vcc
630 V D13
4 5
R2 10 600 V / 6 A
N-CH 8
D14 D10
MOSFET +
C8 MR856 R12 1 C18 100
MR852
C15 k nF
R17 9 1000 μ F / 16 V

2,2 k 5 W
R4 3,9 k

R3
0.27
EN APAGADO
R9
100 k

nF R21 47
OPT1
R10 EN normal Modo OFF = =
10 k modo pulsado
C19 33

R11 DZ3 10 V
47 k 1N4740A DZ2
R8
TL431CLP
2,4 k

Figura 46. anchas Mains 100 W TV SMPS con Secondary

Reconfiguración de 1,3 W TV Stand-by

www.onsemi.com
48
 SMPSRM

caracteristicas:
Apagado Consumo de energía: 300 mW extraída de la salida 8V en modo pulsado. PAG en = 1.3W
independiente de la red eléctrica. Eficiencia: 83%

limitación de potencia máxima. detección

de exceso de temperatura. detección de

desmagnetización. Protección contra

circuito abierto.

En las ventajas de semiconductores:

controlador de muy bajo número de componentes. Fallar

bucle de retroalimentación abrir la caja fuerte.

Programable de transferencia de potencia en modo de impulsos para el sistema de modo de stand-by eficiente. Las

pérdidas en modo independiente del valor de la red. solución semiconductor completa.

dispositivos:

Número de pieza Descripción

MC44608P75 Línea verde Controlador PWM Muy Alta Tensión

TL431 Programable de precisión de referencia

MR856 Rectificador rápido de la recuperación (600 V)

MR852 Rectificador rápido de la recuperación (200 V)

1N5404 Rectificador de propósito general (400 V)

1N4740A Zener Regulador (10 V, 1 W)

Transformador SMT19 40346-29 (9 ranuras de bobina) inductancia

primaria: 181 mH Nprimary: 40 espiras N 112 V: 40
espiras N 16 V: 6 vueltas N 8 V: 3 vueltas

www.onsemi.com
49
 SMPSRM

Aplicación: Bajo Costo Desconectado IGBT cargador de batería

130-350 V DC +

D1 R1 C3
+ + 8 V a 400 mA
220 F /
C2 220 F /
150 1N4148 10 V
10 V -
D3

R3
R13 C10 1 MBRS240LT3
220 k D4
100 k nF
D5 R2

1N4937 150
1N4148

R1 M1
R11
+ MMG05N60D
113 k
120 k

R5
IC1
1k MOC8103
MC14093
R5

1,2 k 8 7 6 5
F / 350 V +

10 F C3 10 1F
+
V C8
1 2 3 4 D4 12
C7 R9 C4
MC33341
47 nF
470 R12
D2 C5 1 R2 20 k
R9
12 V nF Q1 MBT3946DW C9 1 3.9
100 Q5 R10
nF

0V

Figura 47. Bajo Costo Desconectado IGBT cargador de batería

caracteristicas:
entrada de corriente alterna universal.

3 capacidad Watt para cargar equipos portátiles. El peso

ligero.
diseño de montaje en superficie ahorro de espacio.

En las ventajas de semiconductores:

IGBT-proceso especial (IGBT normales no funcionarán correctamente en esta solicitud). Componentes
estándar.
modelo SPICE disponible para MC33341.

dispositivos:

Número de pieza Descripción

MMG05N60D El transistor bipolar de puerta aislada en SOT-223 Paquete

MC33341 Fuente de alimentación del cargador de batería del regulador del circuito de control

MBT3946DW De doble propósito general (transistores bipolares)

MBRS240LT3 Surface Mount Schottky rectificador de potencia

MC14093 “NAND” Quad 2-Input Schmitt Trigger

1N4937 Rectificador de propósito general (600 V)

www.onsemi.com
50
 SMPSRM

Aplicación: 110 W de salida de Flyback SMPS

180 VAC a 280 VAC C3 1 nF /

1 KV

FILTRO
RFI R1
1 /5W
4,7 k

C32 220 pF 120 V / 0,5 A

C1 100 R20
1N4007 F 22 k 5 D8 MR856
D1-D4
W
C30 C31
100 F 0.1 F
C17 47
nF Laux R3
D7 MR856 D5
220 F
R2 68 k /
27 k C2 L1 1 H 1N4934
2W
R4

220 pF 28 V / 1 A
9
C16 100 R9 1N4148
D9 MR852 C29
C9 820 pF pF 1k D6
10
R5 C27 C28
1,2 k 1000 F 0.1 F
C10 1 F
11
LP
nF

12 4,7 nF
R6
MC44603P

C15 1
R15 R8 15
180
10 k
180k k k C14 C26 220 pF 15 V / 1 A
13
nF / 1000 V
C11 1
10 R7 Nota 1 D10 MR852
nF
14
R10 R26 1 C25 C24
R16 7 8 C4-C7 1
1000 F 0.1 F
10 k 15

16 123456

R19 R14 2 220 pF 8V/1A

10 k R18 27 k C13
X 0,56 //
100 nF D11 MR852 C23

C21 C22
1000 F 0.1 F

R17
10 k R24
270 R23
117,5 K

R21 C19
1N4733
10 k 100 nF
D14

C20
R25 1 C12 33 nF
k 6,8 nF
TL431
Nota 1: 600 V / 6 A N-Channel MOSFET R22
2,5 k

Figura 48. 110 W de salida de Flyback SMPS

www.onsemi.com
51
 SMPSRM

caracteristicas:
operación fuera de línea de 180 V a 280 Vca. frquency
fija y el modo stand-by.
Cambia automáticamente el modo de funcionamiento basado en los requisitos de carga. Precise

limitación de la potencia máxima en el modo de frecuencia fija.

En las ventajas de semiconductores:

El trazado de circuito de protección para la limitación de corriente, de detección de sobretensión, foldback, desmagnetización y de arranque suave. frecuencia reducida en

modo stand-by.

dispositivos:

Número de pieza Descripción

MC44603P Mejorado Modo de frecuencia PWM Mixta GreenLine

MR856 Rectificador rápido de la recuperación (600 V)

MR852 Rectificador rápido de la recuperación (200 V)

TL431 Programable de precisión de referencia

1N4733A Zener Regulador de voltaje de diodo (5,1 V)

1N4007 Rectificador de uso general (1000 V)

www.onsemi.com
52
 SMPSRM

Aplicación: Circuito de seguridad eficiente para el lastre electrónico

C13 100 nF C14 100 nF

AGND
250 V R18 PTC C12 22 nF 250 V

C11 4,7 nF

1200 V

PTUBE = 55
W

L1 1,6 mH Q3 T1A FT063

Q2
MJE18004D2 MJE18004D2

R13 R14
2.2 R 2.2 R

C9 C8
2,2 nF R11 4.7 R 2,2 nF R12 4.7 R

DIAC
C6 10 nF C7 10 nF
± 0,25 W
NOTAS: * Todas las resistencias son del 5%,
D4 salvo indicación en contrario
* Todos los condensadores son de policarbonato, 63 V, 10%, a
T1B R10
T1C ± menos que se indique lo contrario
10 R
1N4007 D3

C5 0,22 F
R9
330 k
C4 47 M
+

450 V
R7 1,8 M P1 20 k
C15 100 nF
Q1 500 V / 4
A N-Ch 1N5407 1N5407
D2 MUR180E MOSFET 3 R6 1.0 R

1 D8 D9

C16 47 nF 630 V
2 R5 1.0 R
1N5407
T2

D7 D6
1N5407

+ 1 3 8 5 7 AGND R4 F
C3 1,0 224 k2 6 FILTRAR

C2 330
MC34262

D1
U1

F 25 V 47 nF
MUR120

630 V C17
R3 100 k /
C1 10 nF
1,0 W
R2 1,2 M
220 V FUSIBLE
LÍNEA
R1 12 k

Figura 49. eficiente Circuito de seguridad para lastre electrónico

www.onsemi.com
53
 SMPSRM

caracteristicas:
Fácil de implementar el circuito para evitar la fuga térmica cuando la lámpara fluorescente no golpea.

En las ventajas de semiconductores:

Los dispositivos de potencia no tienen que ser de gran tamaño - solución de menor coste. Incluye

la corrección del factor de potencia.

dispositivos:

Número de pieza Descripción

MC34262 Controlador del Factor de Potencia

MUR120 Ultrarápido rectificador (200 V)

MJE18004D2 Alta Tensión planar Bipolar Transistor de potencia (100 V)

1N4007 Diodo de uso general (1000 V)

1N5240B Zener Regulador de voltaje de diodo (10 V)

1N5407 Rectificador (3 A, 800 V)

* Otras opciones de electrónica de alta potencia:

1, 2 Lámparas 3, 4 lámparas

825 V BUL642D2 BUL642D2

100 V MJD18002D2 MJB18004D2
1200 V MJD18202D2 MJB18204D2
MJE18204D2

En cuanto al proceso de H2BIP Semiconductor integra un diodo y el transistor bipolar de una solución solo paquete.

www.onsemi.com
54
 SMPSRM

Aplicación: AC-DC cargador de batería - corriente constante con el límite de voltaje

T0.2x
J1
D1
F1
1 250R

+ 1N4140 R4 5V
2

LÍNEA C1 D8 C5 +
10 F / 350 V R8 100
D9 J2
10 V R1 1N4140 T1 1F
5 6 BZX84 / 5 V 4 k
1
100 F +
220 D3
4 2
R2 D7 C5
+ 7
R5 3
D2 C2 20 F 4k
MURS320T3
D4 47 k R14
R6 47
BZX84 / 18V 22 k
1N4140 k
R3 C4 1
U2 6 5
nF

HACER
D6

CC V
2
22 k

CSI
VSI
U1 1N4140 D5 MURS160T3
Línea CIE
V CC MC33341
178 Q1 600 V / 1 A N-Ch
R4
6
5 MC33364 MOSFET 378 R13

CMP

GND
CTA
CSI
GND 2 330 12 k
C3
R7 1 2 4
V árbitro Florida
2.7 C7
4 3 33 nF
C3 1SO1 R12
R10
100 nF 5 2 10 k
100 R R11
MOC0102
1 0.25
4

Figura 50. AC-DC cargador de batería - corriente constante con el límite de voltaje

caracteristicas:
entrada de corriente alterna universal.

9.5 vatios capacidad para cargar equipos portátiles. El peso ligero.

diseño de montaje en superficie ahorro de espacio.

En las ventajas de semiconductores:

Componentes estándar
modelo SPICE disponible para MC33341

dispositivos:

Número de pieza Descripción

MC33341 Fuente de alimentación del cargador de batería del regulador del circuito de control

MC33364 Controlador SMPS conducción crítica

MURS160T3 Surface Mount ultrarápido rectificador (600 V)

MURS320T3 Surface Mount ultrarápido rectificador (200 V)

BZX84C5V1LT1 Zener Regulador de voltaje de diodo (5,1 V)

BZX84 / 18V Zener Regulador de voltaje de diodo (MMSZ18T1)

Transformador Para más detalles consultar AN1600

www.onsemi.com
55
 SMPSRM

La literatura disponible de ON Semiconductor

notas de aplicación

Estas notas de aplicación antiguos pueden contener números de pieza que ya no están disponibles, pero la información de las aplicaciones todavía pueden ser útiles en el
diseño de un SMPS. Están disponibles a través de la página web en ON Semiconductor
www.onsemi.com.

AN873 - Comprensión de transistor de potencia comportamiento dinámico: dv / dt de conmutación Efectos sobre RBSOA AN875 - Transistor de potencia

de seguridad Área de funcionamiento: una consideración especial para Switching Power Supplies AN913 - Diseño con MOSFETs de potencia TMOS

AN915 - Caracterización de colector-emisor y el drenaje-a-Fuente diodos para aplicaciones Switchmode AN918 - En paralelo con MOSFET de

potencia de conmutación Aplicaciones AN920 - Teoría y Aplicaciones de la MC34063 y A78S40 conmutación control del regulador Circuitos

AN929 - Asegurar un rendimiento seguro de potencia MOSFET AN952 - ultrarrápida recuperación rectificadores extender el poder de

transistor SOA AN1040 - Consideraciones para el montaje de semiconductores de potencia AN1043 - SPICE Modelo de TMOS de potencia

MOSFET

AN1080 - Externa-Sync fuente de alimentación con rango universal de voltaje de entrada para los monitores AN1083 - Gestión térmica

básica del poder Semiconductores AN1090 - Comprensión y predicción de MOSFET de potencia de conmutación AN1320

Comportamiento - 300 vatios, 100 kHz Convertidor Utiliza económica bipolares Planar Transistores de potencia AN1327 - Muy Amplia

entrada Rango de voltaje, línea fuera del tiempo de retorno Fuente de alimentación conmutada AN1520 - HDTMOS potencia MOSFET

de Excel en rectificador síncrono Aplicaciones AN1541 - Introducción a la bipolar de puerta aislada transistor AN1542 - Limitación de

corriente de irrupción activa Usando MOSFET AN1543 - Electronic Design lámpara de lastre

AN1547 - Un convertidor de CC a CC para ordenadores portátiles Uso HDTMOS y síncrona Rectificación AN1570 - Básico

Semiconductor medición térmica

AN1576 - Reducir el Costo fluorescente compacta con Motorola (ON Semiconductor) IGBT para AN1577 Iluminación - Motorola (ON

Semiconductor) D2 Transistores de la serie de convertidores fluorescente AN1593 - Low Cost 1.0 Una fuente de corriente para cargadores

de baterías

AN1594 - Modo de Conducción crítico, Retorno Unidad de potencia Utilizando el MC33364 AN1600 - AC-DC cargador

de batería - Corriente constante con el límite de voltaje

www.onsemi.com
56
 SMPSRM

La literatura disponible de ON Semiconductor (continuación)

AN1601 - Circuito de seguridad eficiente para el lastre electrónico AN1628 - transistores de

energía Comprensión Parámetros Breakdown

AN1631 - Uso de PSPICE para analizar el rendimiento de los MOSFET de potencia en el Paso-Down, Reguladores de conmutación

El empleo de rectificación síncrona AN1669 - MC44603 en un 110 W de

salida SMPS Aplicación AN1679 - Cómo hacer frente a fugas en los elementos

convertidores Flyback

AN1680 - Consideraciones de diseño para la sujeción de las redes de muy alta tensión monolítico fuera de línea PWM
controladores

AN1681 - Cómo mantener a un interruptor de tiempo de retorno Modo de suministro estable con un controlador crítico-Mode

Folletos y Guías Selector

La siguiente bibliografía está disponible para su descarga desde el sitio web en ON Semiconductor www.onsemi.com.

Maestro Guía componentes de selector SG388 / D

Guía de selección de soluciones de conversión de energía SGD510 / D

Fuente de alimentación y de alimentación Adaptador de Soluciones BRD8063 / D

Modelos de dispositivos

Los modelos de dispositivos para circuitos SMPS (MC33363 y MC33365), transistores de potencia, rectificadores y otros productos discretos están disponibles a través de la

página web de ON Semiconductor o poniéndose en contacto con su oficina local de ventas.

www.onsemi.com
57
 SMPSRM

Libros de referencia relativos a la conmutación de fuente de alimentación Diseño

Baliga, B. Jayant,
Dispositivos semiconductores de potencia , PWS Publishing Co., Boston, 1996. 624 páginas. Brown, Marty,

Diseño práctico de fuente de alimentación de conmutación , Academic Press, Harcourt Brace Jovanovich, 1990. 240 páginas. Brown, Marty

Libro de cocina de fuente de alimentación , Serie EDN para los ingenieros de diseño, en la serie de semiconductores en electrónica de estado sólido,

Butterworth-Heinmann, MA, 1994. 238 páginas Chrysiss, GC,

High Frequency fuentes de alimentación conmutadas: Teoría y diseño, segunda edición , McGraw-Hill, 1989. 287 páginas Gottlieb, Irving M.,

Fuentes de alimentación, Reguladores de conmutación de frecuencia, inversores y convertidores, 2ª edición , TAB Books, 1994. 479 páginas. Kassakian, John

G., Martin F. Schlect, y George C. Verghese,

Principios de Electrónica de Potencia , Addison-Wesley, 1991. 738 páginas. Lee, Yim-Shu,

Asistido por Ordenador Análisis y Diseño de conmutadas Fuentes de alimentación , Marcel Dekker, Inc., Nueva York, 1993 Lenk, John D.,

Diseño simplificado de Suministros de energía , Serie EDN para Diseño Ingenieros, Butterworth-Heinmann, MA,
1994. 221 páginas.

McLyman, CWT,
El diseño de componentes magnéticos de alta frecuencia convertidores DC-DC , KG Magnetics, San Marino, CA, 1993. 433 páginas, 146 figuras, 32

tablas Mitchell, Daniel,

Pequeña señal Mathcad Diseño SIDA , E / j Bloom Associates, 115 Duran Drive, San Rafael, CA 94.903 a 2.317, 415-492-8443, 1992. Disco

de computadora incluido. Mohan, Ned, Tore M. Undeland, William P. Robbins,

Electrónica de Potencia: Converter, Aplicaciones y Diseño, 2ª edición , Wiley, 1995. 802 páginas Paice, Derek A.,

Electrónicos de potencia del convertidor de armónicos, Métodos de múltiples impulsos para la energía limpia , IEEE Press, 1995. 224 páginas. Whittington, HW,

Cambia el modo de Fuentes de alimentación: Diseño y construcción, 2ª edición , Wiley, 1996 224 páginas. Basso, Christophe,

Switch-Mode Power Supply SPICE Cookbook , McGraw-Hill, 2001. CD-ROM incluido. 255 páginas.

www.onsemi.com
58
 SMPSRM

Ubicaciones web de cambio del modo de información de fuente de alimentación

Ardem Associates (Dr. David R. Middlebrook)

http://www.ardem.com/

Conferencia de Electrónica de Potencia Aplicada (APEC)

La conferencia electrónica de potencia para los aspectos prácticos de las fuentes de alimentación.

http://www.apec-conf.org/

Página de inicio del Dr. Vicente G. Bello

simulación SPICE para fuentes de alimentación de modo de conmutación.

http://www.SpiceSim.com/

e / j BLOOM Associates
(Ed Bloom) Materiales y servicios para el Power Electronics educativos.
http://www.ejbloom.com/

El Grupo Darnell
(Jeff Shepard) Contiene una excelente lista de sitios web de electrónica de potencia, una extensa lista de información de contacto del fabricante y más.

http://www.darnell.com/

Conmutación-modo de diseño de fuente de alimentación de Jerrold Foutz

Una excelente ubicación para cambiar el modo de poder suministrar información y enlaces a otras fuentes.
http://www.smpstech.com/

Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos (IEEE)

http://www.ieee.org/

Sociedad de Electrónica de Potencia del IEEE

http://www.pels.org/pels.html

Control de Potencia y Movimiento Inteligente (PCIM) Artículos de

problemas presentes y pasados.

http://www.pcim.com/

esquina de energía

Esquina de alimentación de Frank Greenhalgh en EDTN

http://fgl.com/power1.htm

Los diseñadores de poder

http://www.powerdesigners.com/

Garantía de calidad Power Magazine Artículos de

problemas presentes y pasados.
http://powerquality.com/

Las fuentes de energía Asociación de Fabricantes de una organización

comercial para la industria de fuentes de energía.

http://www.psma.com/

Quantum laboratorios de energía

Una excelente glosario de hipertexto ligado términos de electrónica de potencia.

http://www.quantumpower.com/

Ridley Engineering, Inc. El Dr.

Ray Ridley
http://www.ridleyengineering.com/

www.onsemi.com
59
 SMPSRM

Ubicaciones web de cambio del modo de información de fuente de alimentación (continuación)

Primavera Enterprises - Rudy Severns

Rudy Severns tiene más de 40 años de experiencia en el diseño de la fuente de alimentación de modo de conmutación y conversión de energía estática para los ingenieros

de diseño.

http://www.rudyseverns.com/

TESLAco
El Dr. Slobodan Cuk es a la vez presidente de TESLAco y la cabeza del Poder Electronics Group Caltech.
http://www.teslaco.com/

Venable Industrias
http://www.venableind.com/

www.onsemi.com
60
 Ventas y Asistencia de Diseño de ON Semiconductor
NORTEAMÉRICA Y OFICINAS COMERCIALES firmas de representantes
Alabama Huntsville e-Componentes (256) 533-2444

Huntsville En la Oficina de Ventas (256) 774-1004

Arizona Fénix Centaur Corporación (480) 839-2320

California Irvine Centaur Corporación (949) 261-2123

los Angeles Centaur Corporación (805) 579-0519

San Diego Centaur Corporación (858) 278-4950

CANADÁ Todas las regiones Astec (905) 607-1444

Colorado Englewood En la Oficina de Ventas Karl Colina: (720) 895-1367 Mike

Barone: (303) 670-8000

Connecticut Monroe Ventas Técnicas de impacto (203) 268-7229

Florida Boca Ratón e-Componentes (561) 289-1379

lake Mary e-Componentes (407) 804-0042

Plantación En la Oficina de Ventas (954) 325-1223

palm Harbor e-Componentes (727) 937-3016

Melbourne e-Componentes (321) 676-5659

www.onsemi .com
Georgia Duluth e-Componentes (678) 380-5080

Illinois Hoffman Estates Stan Clothier (847) 781-4010

Indiana pescadores oso VAI (317) 570-0707

ON Semiconductor Socios de distribución Kokomo En la Oficina de Ventas (765) 865-2091

Arrow Electronics www.arrow.com (800) 777-2776 Iowa Cedar Rapids Stan Clothier (319) 393-1576

Avnet www.em.avnet.com (800) 332-8638

Kansas Overland Park Stan Clothier (913) 894-1675

Maryland Columbia Third Wave Soluciones (410) 290-5990

suministro de chip www.chipsupply.com (407) 298-7100
Massachusetts Burlington Ventas Técnicas de impacto (781) 238-8888
Digi-Key www.digikey.com (800) 338-1003
Lowell En la Oficina de Ventas (978) 452-6075
EBV Elektronik www.ebv.com/en/locations.html (49) 8121 774-0
Michigan Livonia En la Oficina de Ventas (734) 953-6848
Farnell www.farnellinone.com + 44 8701 200 200
Minnesota Eden Prairie Stan Clothier (952) 944-3456
Future Electronics Europa www.futureelectronics.com/contact info-eur-future@futureelectronics.com
Misuri St. Charles Stan Clothier (636) 916-3777
Futuro y FAI Electrónica www.futureelectronics.com/contact 1-800-futuro1 (388-8731)
New Jersey denville CJR Associates (973) 625-2796
Marubun / Flecha www.marubunarrow.com (852) 2375-1126
Nueva York Isla Grande CJR Associates (973) 625-2796
Minco www.mincotech.com (512) 834-2022
Nueva York CJR Associates (973) 625-2796
Mouser Electronics www.mouser.com (800) 346-6873
Rochester TriTech® (716) 385-6500
Newark Electronics www.newark.com (800) 4-NEWARK
Binghamton TriTech® (607) 722-3580
NU Horizons www.nuhorizons.com (888) 747-6846
Ohio brecksville oso VAI (937) 748-1341
NuVision www.nuvision-tech.com (886) 2 8228 a 0688
Oregón Portland Technical Sales SiFore (503) 977-6267
Rochester Electrónica www.rocelec.com (978) 462-9332
Pensilvania hatboro Técnico de Ventas de Delta (215) 957-0600
Semi Dados Inc www.semidice.com 1 (800) 345-6633
Texas Austin Associates West (512) 343-1199
Sílice (una empresa de Avnet) www.silica.com + 33 1 6447 2929
Richardson Associates West (972) 680-2800
WPI www.wpi-group.com (886) 2 2788-5200 Washington Bellevue Technical Sales SiFore (425) 990-4701
Spoerle (Una Flecha Company) www.spoerle.de/de/about/offices + 49 6103 3040 Wisconsin En todo el estado Stan Clothier (847) 781-4010

INTERNACIONAL INTERNACIONAL INTERNACIONAL

BRASIL San Paulo (55-11) 3842-8911 FRANCIA París 33 (0) 1 39-26-41-00 MALASIA Penang 60-4-226-9368

CHINA MAS GRANDE Beijing 86-10-8518-2323 ALEMANIA Munich 49 (0) 89-93-0808-0 MEXICO Guadalajara (5233) 3123-9199

Chengdu 86-28-8678-4078 INDIA Bangalore 91-80-2532-5084 SINGAPUR Singapur 65-6391-1260

Hong Kong 852-2689-0088 ISRAEL herzelia 972 (0) 9-9609-111 ESLOVAQUIA piestany 421 33 790 2450

Shenzhen 86-755-8209-1128 ITALIA Milán 39 02-530-0951 REINO UNIDO Mudar 44 (0) 1753 70 1676

Llevar a la fuerza 86-21-5131-7168 JAPÓN Tokio 81-3-5773-3850

Taipei, Taiwán 886-2-2377-9911 COREA Seúl 82-2-2190-3500

May-07

ON Semiconductor y el logotipo son marcas registradas de EN Elementos de semiconductor Industries, LLC (SCILLC) registrada. SCILLC se reserva el derecho a realizar cambios sin previo aviso a los productos aquí. SCILLC ofrece ninguna garantía, representación o garantía respecto a la idoneidad de sus productos para un fin
concreto, ni tampoco asume SCILLC cualquier responsabilidad que surja de la aplicación o uso de cualquier producto o circuito, y rechaza específicamente cualquier y toda responsabilidad, incluyendo sin especial limitación , daños indirectos o incidentales. parámetros “típico” que se pueden proporcionar en hojas y / o
especificaciones pueden datos SCILLC y varían en diferentes aplicaciones y el rendimiento real puede variar con el tiempo. Todos los parámetros operativos, incluyendo “Typicals” deben ser validados para cada aplicación cliente por los técnicos del cliente. SCILLC no concede licencia alguna sobre sus derechos de patente ni los
derechos de los demás. productos SCILLC no están diseñados, concebidos, o autorizados para su uso como componentes en sistemas destinados a implante quirúrgico en el cuerpo, o en otras aplicaciones destinada a soportar o sostener la vida, o para cualquier otra aplicación en la que el fallo del producto SCILLC podría crear
una situación en la que se pueden producir lesiones personales o la muerte. Si el Comprador compra o uso de productos SCILLC para cualquier aplicación no deseada o no autorizada, el Comprador deberá indemnizar y mantener SCILLC y su de ficers, empleados, subsidiarias, Filiates AF y distribuidores exento de reclamaciones,
costos, daños y gastos, y el abogado razonable honorarios que surjan de, directa o indirectamente, cualquier reclamación de daños personales o muerte asociada a dicho uso no intencionado o no autorizado, incluso si dicha reclamación alega que SCILLC fue negligente con respecto al diseño o fabricación de la pieza. SCILLC es un
empleador de Acción firmative igualdad de oportunidades / Af. Esta literatura está sujeto a todas las leyes de derechos de autor aplicables y no es para la reventa de cualquier manera.

Información de la publicación PEDIDO

LITERATURA CUMPLIMIENTO: Soporte Técnico N. americana: 800-282-9855 Toll Free EE.UU. / Canadá. ON Semiconductor Sitio Web: www.onsemi.com
Centro de distribución de la literatura para ON Semiconductor

PO Box 5163, Denver, Colorado 80217 EE.UU. Europa, Oriente Medio y África del Soporte Técnico: Solicitar Literatura: http://www.onsemi.com/orderlit

Teléfono: 303-675-2175 o 800-344-3860 Toll Free EE.UU. / Canadá Fax: Teléfono: 421 33 790 2910

303-675-2176 o 800-344-3867 Toll Free EE.UU. / Canadá Japón Cliente Centro de Enfoque Para obtener información adicional, por favor, póngase en contacto con

Email: orderlit@onsemi.com Teléfono: 81-3-5773-3850 su representante de ventas local

PDF
Este Documento Ha Sido descargado desde la web completa en Más Todo tipo de e-
Libros y Tutoriales.

Más información Si DESEAS o libros, ENTONCES ingresa a:

http://www.enigmaelectronica.tk

http://www.foroenigma.tk

Y podras descargar Muchas Aplicaciones Útiles.

• Libros
• Manuales
• tutoriales
• Cursos
• Programas
• Música
• Películas

Grupo Enigma Electrónica

enigma equipo

Si ALGÚN Archivo Requiriera de Contraseña de Acceso siempre Sera:

www.enigmaelectronica.tk