TIPOS DE LSER

Lser gaseoso.
Este tipo de lser se caracteriza por tener como medio activo un gas atmico, inico
molecular con el conjunto idneo de niveles de energa. La estructura del nivel de energa
de un gas de baja densidad se aproxima a la de un tomo aislado con transiciones entre
niveles individuales quiz en algunos grupos de niveles muy prximos entre si. El medio
est cerrado en un tubo cilndrico sellado en cada extremo por un espejo a fin de formar la
cavidad ptica. El bombeo se lleva a cabo por medio de una descarga elctrica que se hace
pasar a travs del gas.
El lser de HeNe.
El lser de HeNe fue el segundo sistema en funcionamiento demostrado, pero fue el
primer lser gaseoso en funcionar y tambin fue el primero en producir un haz de salida
continuo, es de uso comn por ejem., ptica general, holografa, topografa y
procesamiento de imgenes.
El medio activo es una mezcla gaseosa de helio y nen, en proporcin aproximada de
10:1,contenida en un tubo de cuarzo cerrado. Se crea una descarga brillante en el gas
mediante la aplicacin de un alto voltaje de entre 1 y 10 kV entre un par de electrodos
insertados en extremos opuestos del tubo (figura 17). Una vez encendido para mantener la
descarga basta una corriente directa estable de entre 3 a 10 mA. La corriente elctrica que
fluye produce excitacin de los tomos de He debido a colisiones con los electrones
energizados. A su vez, los tomos excitados de He transfieren parte de esta energa,
mediante colisiones atmicas, a los tomos de Ne, con lo que stos son elevados a sus
niveles de excitacin superiores. (vase el diagrama de nivel de energa de la Fig. 18). En
ste nivel se establece una inversin de poblaciones y puede llevarse a cabo el efecto lser a
una longitud de onda de 632.8 nm. Es importante observar que los tomos de He
proporcionan el medio para excitar los tomos de Ne; el efecto lser se lleva a cabo en los
niveles del Ne.

Figura 17.- Lser HeNe

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El efecto lser contina en tanto sea posible mantener la inversin de poblaciones y sea
emitido un haz continuo con potencias en el intervalo de 0.5 a 50 mW.

Figura 18.- Diagrama de energa HeNe

La ganancia HeNe a esta longitud de onda es baja y slo es posible permitir pequeas
prdidas de cavidad, lo que implica el empleo de espejos de alta calidad con bajas prdidas
por dispersin y absorcin. Los anchos de lnea en los lser gaseosos son mucho ms bajos
que en cualquier otro tipo de sistema lser. En particular, para el lser de HeNe los anchos
de lnea suelen ser del orden de unos cuantos picmetros.
En el lser de HeNe baratos de baja potencia, hasta aproximadamente 1 mW, los
espejos estn fijos directamente al tubo de descarga. En las versiones de alta potencia, los
espejos son externos al tubo de descarga y ste debe estar sellado con ventanas de ajuste.
Estas ventanas estn inclinadas aun ngulo especfico con respecto al eje ptico, el ngulo
de Brewster. Cuando se hace incidir luz no polarizada sobre una pieza de cristal o cuarzo
inclinada a su ngulo de Brewster, slo son transmitidas las componentes de luz polarizada
en el plano de la ventana. Las dems componentes son reflejadas y la luz emerge
plenamente polarizada.
Requisitos de potencia de bombeo para un lser de HeNe
Los lser de baja potencia, como los de HeNe, suelen bombearse a partir de una fuente
de CD de alta tensin a travs de los extremos de un tubo lleno de gas. Por lo general, para
obtener larga duracin y rendimiento ptimo basta un circuito como el que se muestra en la
figura 19, suponiendo que se tiene cuidado en la eleccin de los parmetros de operacin.
La consideracin ms importante es la relacin negativa voltaje-corriente tpica de tales
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lser (figura 20). La pendiente negativa de esta curva indica el empleo de una resistencia
autorreguladora (o de compensacin) a fin de obtener una resistencia positiva y evitar la
sobrecarga de la fuente de alimentacin. Inicialmente, para producir suficiente ionizacin
del gas, de modo que empiece el efecto lser, se requiere un alto voltaje aproximado de
8kV (Vinicio). La accin lser no puede sostenerse sino hasta que se alcanza una corriente
especfica Ilser en la cual la resistencia positiva de la resistencia de compensacin equilibra
la resistencia negativa de la columna de gas. La corriente a travs del tubo es incrementada
a partir de este punto hasta que se alcanza la corriente ptima de operacin, ala cual la
potencia de salida es mxima. El voltaje ptimo de operacin Vop para el tubo que se
muestra es aproximadamente igual a 1800 V a una corriente ptima Iop igual a 7.5 mA. Los
fabricantes recomiendan valores idneos para la resistencia de carga, de aproximadamente
50 a 100 k., as como puntos de operacin ptimos para el voltaje y la corriente.

Figura 19.- Suministro de potencia tpica para el lser de HeNe.

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Figura 20.- Caracterstica voltaje-corriente tpica para el lser de HeNe.

Como se ver a continuacin, los lser de argn son inherentemente ms complicados
debido a la necesidad de suministrar grandes cantidades de potencia de bombeo para
ionizar inicialmente los tomos de argn y luego excitar los iones a los niveles de energa
requeridos. El diseo de tales lser est ms all de los objetivos de este texto.
El lser de iones de argn.
A diferencia del lser de HeNe, en el que el efecto lser se lleva a cabo en especie
atmica, el medio activo en el lser de argn es un plasma de iones excitados. Se crea una
descarga elctrica en un tubo estrecho de argn gaseoso. Primero se ionizan los tomos del
argn y luego son excitados por colisiones mltiples con los electrones en sus niveles de
energa superiores (figura 21). Para ionizar los tomos del argn se requieren
aproximadamente 16 eV y otros 20 eV para excitarlos hacia sus niveles lser superiores.
Debido a la existencia de una banda de niveles superiores muy prximos entre si, varias
transiciones lser ocurren simultneamente en la regin azul-verde del espectro, de las
cuales la ms intensa se lleva acabo a 514 y 488 nm (figura 22). Debido a la alta energa
necesaria para ionizar y excitar los tomos de argn se requieren densidades de corrientes
muy altas, del orden de 1 A por mm2.

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Figura 21.- Diagrama de energa para el Argn.

Figura 22.- Espectro de salida del lser de argn (9 W de potencia radiante total).
Un campo magntico rodea un tubo lser para ayudar a constreir la descarga gaseosa y
mantener alta la densidad de corriente. El campo longitudinal incrementa la densidad de
electrones en el plasma al restringir el movimiento de los electrones a una trayectoria
helicoidal alrededor de las lneas de campo. Con esto se evita la prdida de electrones hacia
las paredes. El tubo de descarga generalmente se fabrica de un material con baja
conductividad trmica, como xido de berilio (BeO), grafito o una construccin de un tubo
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de metal-cermica. Para mantener bajas las temperaturas de ejecucin, la ltima generacin

de lser de argn presenta discos metlicos insertados dentro del tubo para actuar como
intercambiadores de calor.
Los lser de argn emiten aproximadamente de 1 a 20 w de flujo distribuido entre casi
todas las longitudes de onda de la accin lser. A las ms poderosas de tales longitudes de
onda es posible obtener hasta 5 6 w. la lnea de 514 nm. Los lser de argn suelen
utilizarse a una sola longitud de onda, en vez de en el modo de todas las lneas. La
operacin en una sola longitud de onda se obtiene mediante la insercin de una componente
selectora de longitud de onda, como un prisma, dentro de la cavidad. Al hacer girar el
prisma se hace entrar en operacin cada longitud de onda en forma idnea. Una vez que el
usuario ha elegido la operacin en una sola longitud de onda, a continuacin puede elegir
pasar a operacin de frecuencia nica, que es esencial para aplicaciones que demandan una
gran longitud de coherencia. Esto se lleva acabo mediante la insercin de una componente
selectora de frecuencia, como un interfermetro. El espectro secuencial de pasar de la
operacin de todas las lneas ala frecuencia nica, con su consecuente prdida de potencia
de salida, se muestra en la figura 23.
Algunas de las aplicaciones comunes de los lser de argn se dan en la holografa,
ciruga ocular, espectroqumica, procesamiento de imgenes, procesamiento de
semiconductores y finalmente, aunque no por ello menos importante en trminos de
nmeros de lser suministrados, espectculos a base de la luz lser.

Figura 23.- Seleccin del modo longitudinal en un lser de argn. (a) Operacin en
todas las lneas (potencia total 6 W); (b) Operacin nica (2 W);
(c) Operacin en frecuencia nica (1 W).
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El lser de bixido de carbono.

El tercer lser gaseoso que se analiza es fundamentalmente distinto a los otros dos. Los
niveles de energa importantes se obtienen no por la distribucin de los electrones, sino que
se deben al movimiento oscilatorio de toda la molcula de carbono en s. Esta molcula
puede representarse como un arreglo lineal de tomos O-C-O que vibran cada uno con
respecto a los dems. Varios diferentes modos de vibracin originan un conjunto de niveles
de energa con transmisiones que se ubican en el infrarrojo profundo. La principal longitud
de onda del CO2 es 10.6 m. Se obtienen salidas de potencia continuas hasta de varios kilo
watts, por lo que este lser es la eleccin preferida para aplicaciones de procesamiento de
materiales como corte, soldadura y recocido. A diferencia de casi todos los dems lser, el
de CO2 presenta eficiencia apreciablemente alta, tpicamente de l0 a 25%. Para alcanzar las
elevadas potencias requeridas de este lser, las longitudes de la cavidad pueden estirarse
hasta 2, 3 o ms metros. Algunas variantes, como el atmosfrico excitado transversalmente
(AET), en el cual la excitacin es aplicada a travs en lugar de a lo largo de la descarga,
permiten la construccin de lser de CO2 ms compactos. Otras variantes, como los lser de
CO2 de gua de ondas son capaces de producir cientos de miliwatts en un lser que mide no
ms de 20 30 cm de longitud.
Lser de estado slido.
Este tipo de lser se caracteriza por tener como medio activo no un gas, sino una varilla
una plancha slida de aislante cristalino ligeramente impurificado. Es el constituyente
impurificador lo que proporciona la estructura energtica requerida para producir el efecto
lser. La red cristalina acta especialmente como material husped, aunque tambin
modifica la estructura energtica global.
Lser de rub.
El lser de rub tiene un lugar histrico debido a que fue el primer lser cuyo
funcionamiento se demostr. El medio activo es un cristal cilndrico de rub sinttico
(Al2O3) no purificado, con aproximadamente 0.05% en peso de iones de cromo (Cr).Los
extremos de la varilla son planos, paralelos y estn pulidos. Se requieren normas bastante
rigurosas de calidad de plano y paralelismo, la calidad del plano en toda la cara no debe
variar en mas de un cuarto de longitud de onda y ambas superficies deben ser paralelas
entre s con una exactitud de unos cuantos segundos de arco. El bombeo se obtiene por
energa ptica de un tubo de destellos. A menudo el rub y el tubo de destellos se colocan
en los focos respectivos de un reflector elptico, para asegurar que se bombee a la varilla la
mxima cantidad de luz posible. El rub absorbe la energa de bombeo en la regin azulverde del espectro y emite su energa lser principal a una longitud de onda de 694.3 nm.
La absorcin de la luz verde eleva los iones de cromo a una banda ancha de niveles
superiores a partir de los cules se relajan muy rpidamente al nivel superior de la

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transicin lser (figura 24). Este es un estado metaestable cuya duracin es de 3ms. Entre
este estado y el estado fundamental se establece una inversin de poblaciones.
La emisin radiante ocurre como un pulso corto de energa de duracin aprox. de
250s, Las energas comunes para los lser de rub varan desde unos cuantos milijoules
hasta varios cientos de joules.

Figura 24 -. Lser de estado solido y Diagrama de energa de Rub

El lser de Nd-YAG
Ahora, concediendo que el lser de rub es el lser de aislante impurificado de mayor
uso, el material husped es un cristal de itrio-aluminio-granate (YAG) impurificado con
iones de neodimio (Nd3+). La ventaja del lser de Nd-YAG sobre el de rub es su menor
umbral y mayor ganancia. Las implicaciones de lo anterior son que el lser funciona ms
fro, tiene una operacin ms eficiente, puede hacerse ms pequeo para una energa dada y
se puede operar a velocidades de repeticin relativamente altas, hasta de 50 kHz.

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El bombeo ptico eleva los iones hacia el gran nmero de niveles de aproximadamente
2 eV, con relajamiento no radiativo hacia el nivel lser superior (figura 25). La emisin
lser se lleva acabo a 1.064 m.

Figura 25.- Diagrama de energa para el Nd-YAG (Nd+3)

Conmutacin Q.
El modo de operacin que acaba de describiese para los lser de estado slido se
denomina funcionamiento libre. Existe un modo alternativo de operacin, de uso comn,
denominado conmutacin Q (CQ) que permite la obtencin de potencias pico mucho ms
altas para una energa de bombeo dada. En cl modo CQ, en la cavidad se coloca un
obturador ptico, por lo general entre el espejo posterior y cl medio lser, a fin de impedir
la realimentacin del espejo. De esta forma se incrementa la capacidad de la cavidad para
almacenar energa, con respecto a su valor normal y, an cuando la inversin de
poblaciones se est llevando a cabo, se evita el afecto lser. La capacidad de una cavidad
resonante para almacenar energa suele definiese en trminos de su factor Q. La Q de una
cavidad es una medida de cunta energa es posible almacenar en ella en contra de la
prdida de potencia de esta. Una cavidad con una Q alta permite el almacenamiento de
bastante energa. Los lser suelen tener factores Q de unos cuantos millones, en
comparacin con los pocos cientos de los osciladores elctricos. La inversin de poblacin
se llevar a cabo bastante por encima de su valor umbral normal. Cuando se abre el
obturador, se lleva a cabo emisin de energa en un destello corto y brillante. De esta
forma es posible obtener duraciones de pulso tan breves como del orden de unos cuantos
nanosegundos, obtenindose potencias medias de megawatts y mayores.
Para la conmutacin Q existen varios mecanismos. Uno de los mtodos ms sencillos, y
de uso ms reciente, era la sustitucin del reflector total, el espejo posterior, por un espejo
giratorio. La oscilacin lser es impedida hasta que el espejo se alinea con el eje ptico de
la cavidad, en otras palabras, hasta que los espejos frontal y posterior se encuentran

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momentneamente paralelos entre s. Por consiguiente, se obtienen mejor control de la

operacin y mayor flujo mediante el empleo de un colorante orgnico decolorable, como la
criptocianina. El colorante (o tinte) es opaco inicialmente, y mantiene la oscilacin lser
hasta que se alcanza cierto flujo y a partir de entonces el colorante se vuelve transparente y
es posible llevar a cabo la accin lser. El valor particular del flujo umbral depende del tipo
y espesor del colorante, as como de la longitud de onda de la luz lser. La principal
desventaja del colorante es su duracin limitada y la variabilidad en la sincronizacin del
inicio de la accin lser. Estas deficiencias son superadas gracias al empleo de una celda de
Pockel. Cuando a travs de una celda de Pockel se establece un alto voltaje, se hace girar el
plano de polarizacin del haz de luz. Entre haces de polarizaciones diferentes no es posible
que se efecten oscilaciones de cavidad, por lo que suspende el efecto lser. Al eliminar el
voltaje, el plano de polarizacin se invierte a su estado original y entonces se lleva a cabo la
oscilacin.
Bombeo de lmpara estroboscpica de lser de estado slido.
El principal mtodo para suministrar energa de bombeo a un lser de estado slido es
mediante la inundacin de radiacin ptica de banda ancha a partir de un tubo de descarga
gaseosa. La energizacin se lleva a cabo descargando la energa almacenada de un
capacitor cargado a travs de los extremos del tubo de descarga. El tipo de circuito que se
utilice depende de la naturaleza de la aplicacin. Si solamente se requiere un pulso lser,
por lo general basta una sola red RC a la que se aplica un alto voltaje. Para velocidades de
repeticin rpidas hasta de l0 Hz, entonces una red LC crticamente amortiguada
proporciona mejor control de las condiciones de carga y descarga. La energa descargada en
el tubo de descarga est dada por:
Wdescarga = CV2 / 2
en donde C es la capacitancia y V es el voltaje de carga. La activacin se lleva a cabo a
partir de un pulso de alto voltaje aplicado a una bobina de alambre arrollada alrededor de
una envolvente de cuarzo. En la figura 26 se muestra un circuito tpico.

Figura 26.- Circuito tpico de bombeo de lmpara estroboscpica.

Una vez que se ha calculado cunta energa es necesaria descargar a travs del tubo de
descarga, ahora se requiere calcular los parmetros del circuito con los que sea posible
lograr lo anterior. Dado que la curva voltaje-corriente de un tubo de descarga no es lineal,
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para el clculo de parmetros idneos del circuito se utilizan procedimientos empricos de

diseo.
Lser de estado slido moderno.
Los principios y procedimientos que acaban de describirse deben permitir el diseo y
construccin de un lser sencillo, de Nd-YAG aunque por supuesto que los lser a la venta
en el mercado son algo ms complicados. En la prctica, en vez de considerar varillas ms
y ms largas y disear consecuentemente mayores bancos de capacitores, el diseo de un
lser moderno es ms sutil. Por lo general, se construye una varilla lser primaria,
denominada oscilador, que produce aproximadamente de l0 a 30 mJ. La salida del oscilador
se sincroniza para llegar a una segunda varilla, el amplificador, exactamente cuando la
energa del tubo de descarga haya creado una inversin de poblacin en sta. El pulso que
llega estimula la emisin de fotones, lo que origina una salida amplificada
aproximadamente igual a l joule. Etapas adicionales de amplificacin pueden agregarse
segn sea necesario. Arreglos como el mencionado tambin permiten mejor control del
perfil temporal y espacial del haz.
Lser semiconductor.
El lser semiconductor es en muchos sentidos la ltima fuente optoelectrnica. Al
proporcionar alta potencia en un pequeo paquete a bajo costo, el diodo lser (para llamarlo
por su nombre alternativo) se ha convertido en la fuente normal de las comunicaciones
pticas y de aplicaciones de almacenamiento de alta densidad como el disco ptico. Para
apreciar por completo su operacin, es necesario estudiar algo de los principios bsicos de
los semiconductores, ya que se aplican a los diodos lser.
El diodo lser.
El primer diodo lser operacional consisti en un solo cristal de arseniuro de galio
(GaAs), impurificado para formar una unin pn, y un potencial directo aplicado (figura 27).
Se eligi el arseniuro de galio para en lugar de silicio debido a su banda prohibida directa.
En materiales de banda prohibida directa, los electrones de conduccin pueden perder
energa directamente por emisin de fotones. En materiales de banda prohibida indirecta,
los electrones deben perder primero el exceso en cantidad de movimiento (mpetu) antes de
emitir un fotn. Por consiguiente, los materiales de banda prohibida directa son mas
eficientes para la produccin de luz.

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Figura 27.- Estructura de un diodo lser de homounin nica.

A fin de crear una inversin de poblacin y mejorar la posibilidad de recombinacin se
requieren altos niveles de impurificacin para asegurar que, en la regin de agotamiento,
los estados llenos en la banda de conduccin estn directamente por encima de los estados
vacos en la banda de valencia. Lo anterior se aplica solo a travs de una regin muy
estrecha del rea de agotamiento, de aproximadamente 1nm de ancho, denominada capa
activa. Para ganancia significativa, es necesaria alta densidad de corriente, del orden de
varios cientos de amperes por milmetro cuadrado. El inicio del efecto lser se caracteriza
por una corriente de inyeccin especifica denominada corriente umbral. Por debajo de ste
umbral. (Iumbral), la emisin de luz es espontnea e incoherente. Los extremos del diodo
estn hundidos y pulidos a fin de proporcionar la cavidad ptica. Los lados son speros,
para impedir la prdida de luz. Los primeros lser tienen duraciones de slo unos cuntos
cientos de horas y requieren enfriamiento a base de nitrgeno lquido para operacin
eficiente.
Las mejoras al funcionamiento de los diodos lser se presentaron con las
modificaciones a la estructura sencilla de unin nica (homounin). Al rodear la capa
activa con regiones de menor ndice de refraccin que la capa activa en s, la emisin lser
fue confinada horizontalmente a esta estrecha regin de unin en la cual puede estimular
mas fotones (figura 28). Este en un tipo de efecto de gua de ondas. Tales estructuras de
heterounin nica (HU) pueden producir impulsos lser cortos con potencias pico bastante
altas (hasta de unos cuantos watts) para corrientes de inyeccin en el intervalo de 1 a 40
amperes. Mejoras adicionales fueron posibles con el diodo de heterounin doble (HD). Al
reducir mas la regin activa y emparedando una doble capa fue posible reducir las
corrientes umbral a cientos de miliamperes y permitir operacin eficiente tanto en el modo
por impulsos como en el modo continuo. Mejoras a la calidad del haz de salida fueron
posibles con el lser de ndice guiado en el haz esta confinado tanto horizontal como
verticalmente por capas de diferente ndice de refraccin. Los lser de ganancia guiada (o
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de banda) obtiene un comportamiento, semejante mediante la restriccin de del flujo de

corriente a travs del diodo y por lo tanto de la emisin de luz, a una banda central. Las
menores corrientes de inyeccin decenas de miliamperes, prolongan la vida de operacin.
Compara esto con los pocos cientos de amperes necesarios para operar los diodos de
homounin originales.
Existen a disposicin diodos con un amplio intervalo de longitud de onda de emisin en
el infrarrojo cercano, tpicamente 820nm, 850nm, 904nm, 1.3m, y 1.5m. Las diferentes
longitudes de onda se obtienen mediante el empleo de un material semiconductor
compuesto, como GaxAl1-xAs y haciendo variar la proporcin Ga:A1 de las concentraciones
de impurificacin.
Debido a que entre bandas anchas de energa ocurren transiciones pticas, el ancho de
lnea de la luz emitida es mayor que para otros tipos de lser, y suele ser aproximadamente
entre 5 y 10 nm. La pequea longitud de la cavidad ptica, del orden de los 500 m,
aumenta la separacin del modo longitudinal hasta varios cientos de Giga hertz y, por
consiguiente, disminuye las longitudes de coherencia hasta fracciones de milmetro. Debido
a que la radiacin lser es emitida a partir de una delgada rea activa, la difraccin del haz
origina divergencias ms altas. Adems, ya que el rea activa es varias veces ms ancha
que su altura, la divergencia es mayor en el plano horizontal que en el plano vertical,
originando un perfil espacial elptico. El perfil elptico vuelve ms engaoso el enfoque de
un haz diodo lser que el de los perfiles circulares.

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Figura 28.- Estructuras de diodos lser

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Circuitos de activacin para diodo lser.

Al disear circuitos de activacin para diodos lser debe tomarse en cuenta la baja
resistencia del diodo cuando se opera con un voltaje directo a travs de l. Aqu la
implicacin es que los diodos deben alimentares con una fuente de corriente, es decir, con
una fuente que tenga alta resistencia interna. Tales condiciones pueden lograrse mediante la
sustitucin del resistor de carga en un circuito de emisor comn completamente
estabilizado por el diodo lser (figura 29). La corriente constante se obtiene al sustituir un
diodo Zener en lugar de la resistencia, normalmente entre la base y tierra. La corriente a
travs del diodo lser est dada por:
ID = (VZ -VBE) / RE
en donde Vz es el voltaje de ruptura del diodo Zener, VBE es el voltaje base-emisor y RE es
la resistencia del emisor. Una disposicin alternativa es colocar el diodo en el emisor del
circuito. Debido a que la corriente del emisor es determinada por el voltaje de la base, y por
ello el voltaje Zener, esta disposicin ayuda a asegurarse en contra de variaciones del
voltaje suministrado.

Figura 29.- Circuito de activacin para un diodo lser.

El circuito de emisor comn completamente estabilizado tambin representa un punto
de inicio idneo en caso de que el diodo vaya a ser activado en el modo por pulsos con la
seal de modulacin acoplada capacitivamente a la base. El punto de operacin es
determinado por la resistencia de emisor y por la cadena de polarizacin del
potencimetro, R1 y R2 (figura 30) y debe elegirse a1rededor del punto medio de la
caracterstica de salida potencia-corriente. En caso de que no se disponga de esta
informacin, el punto de operacin debe elegirse a 1a mitad de 1a corriente umbral y la
corriente directa pico.

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Figura 30.-Circuito de modulacin para un diodo lser.

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