MOSFET

El transistor de efecto de campo metal-xidosemiconductor o MOSFET (en ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect

transistor) es un transistor utilizado para amplificar o
conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria
microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque
el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo.
Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn
basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S), drenador
(D), puerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est
conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden
encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el
aluminio que fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue
sustituido por el silicio policristalino debido a su capacidad de formar puertas
auto-alineadas. Las puertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad,
dada la dificultad de incrementar la velocidad de operacin de los transistores
sin utilizar componentes metlicos en la puerta. De manera similar, el 'xido'
utilizado como aislante en la puerta tambin se ha reemplazado por otros
materiales con el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin de
tensiones ms pequeas.
Un transistor de efecto de campo de puerta aislada o IGFET (Insulated-gate
field-effect transistor) es un trmino relacionado que es equivalente a un
MOSFET. El trmino IGFET es ms inclusivo, ya que muchos transistores
MOSFET utilizan una puerta que no es metlica, y un aislante de puerta que no
es un xido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de
efecto de campo metal-aislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor
field-effect transistor).

Transistores MOSFET en encapsulado

D2PAK
SIMBOLO
ELECTRICO

Estructura del
MOSFET