GTO-IGCT

Sistemas Electrnicos de Potencia

-1-

Estructura y smbolo del GTO

G
K

G
K

Sistemas Electrnicos de Potencia

-2-

Curvas caracterstica del GTO

iA
Estado de
bloqueo inverso
-30 V
debido a los
cortocircuitos
de nodo

Conduccin
directa

iG>0

iH
iL

VBO
iG=0
VH

Estado
bloqueo
directo

VAK

El modo de operacin de un GTO es bsicamente el mismo que el

de un tiristor. Las principales diferencias residen en las modificaciones
realizas sobre la estructura de tiristor para conseguir dotarlo de
capacidad de apagado.
Una consecuencia es que no soporta tensin inversa.

Sistemas Electrnicos de Potencia

-3-

Descripcin fsica de funcionamiento del tiristor

J1
nodo (A)

n-

P IA

IA

Contacto
metlicos

J3

J2

IA

Ib1 J1
Q1
Ic2

G
Q2

IK
IK

IG

Ic1

J2

Ctodo (K)

N IK

Puerta (G)

J3
K

Ib2

IA
p

iA

K
IK

IG

Sistemas Electrnicos de Potencia

IH

Conduccin
directa

iG>0

BVF
iG=0

Estado
bloqueo
directo

VAK

-4-

Puntualizacin sobre el resultado obtenido.

Tal y como se ha hecho el anlisis con el modelo de dos

transistores, parece siempre posible apagar el dispositivo si se

aplica un valor suficientemente grande de la corriente de puerta.
Como ms adelante se justificar, existe un lmite para la corriente
mxima de nodo que si se supera no permite el apagado del GTO,
debido al flujo lateral de la corriente de huecos por debajo de la
regin n2 de ctodo, que no se ha considerado en este estudio.
Un estudio ms detallado usando un modelo tridimensional de la

estructura de regiones semiconductoras, y parte adicionalmente

de considerar los transistores completamente saturados,
obtiene para OFF :
4 L2
OFF 1

WP 2

WP 2
Representa la longitud de la regin p2 desde el centro de las islas hasta la
conexin de puerta.
Lo
Representa la longitud de difusin en el semiconductor p2.

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-5-

El GTO MECANISMO DE APAGADO

A
iA

Expresando las relaciones entre las corrientes de la

estructura del GTO:

Ic1
2

I b 2 1 I A I G

iG

iK
K

IG

Ic 2

I A (1 2 1)

OFF

IC 2 (1 1 ) I A

I A (1 1 )(1 2 )

IA
IG

OFF

Definiendo

G
ib2

Ic 2

La condicin de apagado implica:

I b 2 1 I A I G
Ic2

Ib2

IA

OFF

OFF grande

1 y 2 1

IA
2

IG (1 2 1)

Para 21

se requiere disminuir la anchura de la regin de base, regin P2, y contar con un alto
dopado de la regin de emisor, regin n2. Esto es lo mismo que para el transistor
bipolar, y son pasos normalmente usados en un tiristor convencional.

Sistemas Electrnicos de Potencia

-6-

EFECTO DE LOS CORTOCIRCUITOS DE NODO EN EL VALOR DE

1
A

iA
iR

I E1

Rshunt

Q1

pnp

Ic1
2

iG

Q2

ib2
iK

Para 1
nodo

se usan los cortocircuitos de

Insercin de regiones n+ entre las zonas p+ de

nodo.

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pnp

IR
1

E1

-7-

IC 1
IA

Circuito de gobierno del GTO

+20V
R2

Snubber de
apagado

R4
Q1

Q2

L1

R1
Circuito
de control

2A

10A
R6

R5
L2
L

R7

L L1 L2
Inductancias
parsitas

M1
-10V

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-8-

Conmutacin de encendido del GTO

Sistemas Electrnicos de Potencia

-9-

Conmutacin de apagado del GTO

Sistemas Electrnicos de Potencia

-10-

Consideraciones adicionales sobre la conmutacin del GTO

Tiempo mnimo de apagado.

El GTO no puede nuevamente recibir una orden de encendido hasta

que ha estado apagado durante un cierto tiempo mnimo a causa de la
posibilidad de un pobre reparto de corriente entre todas las islas de
ctodo.
La razn es que fcilmente algn exceso de portadores existir en
algunas islas respecto a otras. Si nuevamente se da la orden de
encendido sin haber respetado el tiempo mnimo de apagado, las islas
con exceso de portadores tendern a conducir toda la corriente, pudiendo
ocasionar as la destruccin del GTO.

Tiempo mnimo de apagado.

El GTO debe ser mantenido en conduccin durante un tiempo mnimo

especificado antes de iniciar el apagado.
De nuevo la razn es el pobre reparto de corriente entre las islas de
ctodo.

Por otra parte, el diseador debe tener presente que para que

funcionen correctamente los snubber de apagado y de encendido,

estos tambin necesitan unos tiempos mnimos de apagado
(snubber de encendido) y de encendido (snubber de apagado).

Sistemas Electrnicos de Potencia

-11-

El IGCT (Integrated Gate Controlled Thyristor)

IGCT (10 kV , 6 kA) mostrando su circuito de gobierno y encapsulado

optimizado para que la inductancia de dispersin del camino de la

corriente de puerta sea <5 nH y tambin que capaz de soportar
pulsos de corriente iguales a la corriente de nodo (hasta 6kA) con
duraciones de 5 a 10 s.

Sistemas Electrnicos de Potencia

-12-

Estructura de distintos tipos de GCT incorporando la regin n emisor transparente

ABB: Recent Advancements in IGCT Technologies for High Power

ElectronicsApplications. EPE 2015, Ginebra, Suiza.

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-13-

Conmutacin dura del

IGCT
I)

II)

III)

Para conseguir las ventajas de la

conmuntacin dura

diG
kA
3
dt
s
La inductancia del circuito de gobierno
de puerta tiene que ser inferior a 5 nH
par que no entre en avalancha la unin
p-n de ctodo
L

diG
A
3nH 3 VGG 9 V
dt
ns

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-14-

Conmutacin de apagado del IGCT

Sistemas Electrnicos de Potencia

-15-

Conmutacin rama inversora con IGCTs

Con snubber de encendido y
enclavamiento de sobretensin

tdead

tdead
CS1

ON

OFF
ON
CS2
OFF

VD1

Caso 1
Icarga>0A IT1

Dcl

Li

IT1

VD1
VD2

Rs

IT2
IT2

Vdc

Ccl
VD2

VD1

Caso 2
Icarga<0A
IT1

VD2
IT2

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