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Fsica de Semiconductores
Curso 2007
Ing. Electrnica- P2002
Ing. Electrnica/Electricista P88
3er. Ao, V cuat.
Se entiende por partcula cada una de las unidades definidas y estables que componen
un sistema fsico determinado. Por ejemplo: electrones, tomos o molculas
C es una constante que depende del sistema y k es la constante de Boltzmann cuyo valor
es k= 8.62x10-5 [eV/K].
Fermi-Dirac
fFD(E) =
1
E - EF
1 + e kT
E
0
EF
T= 100 K
T= 200 K
T= 300 K
1
1+ e
1
1
=
1+1 2
Por lo tanto, todas las curvas para T > 0 K pasan siempre por fFD(E=EF) = 1/2.
Para temperaturas mayores a T= 0 K hay una probabilidad no nula que algunos estados
de energa por encima de EF estn ocupados por electrones y, consecuentemente,
algunos estados por debajo de EF estarn vacos.
Cuando E - EF >> kT el trmino exponencial es mucho mayor que uno y la distribucin
(E - EF)
kT
fFD(E) e
de Fermi-Dirac puede ser expresada como:
Esta ecuacin es conocida como aproximacin de Maxwell-Boltzmann
1.2
1
1
fMB
f FD
f MB
4.6
fFD
1
2
0.5
x=
E - EF
Ejercicios propuestos:
1- Demostrar que la funcin de distribucin de Fermi-Dirac tiene la propiedad que a
T> 0K, la probabilidad que un estado electrnico E por encima del nivel de Fermi
EF est ocupado es la misma que la probabilidad de que un estado E por debajo de
EF est vaco.
2- Calcular la probabilidad que un nivel de energa 3kT por encima de la energa de
Fermi est ocupado por un electrn a T = 300 K.
3- El nivel de energa de Fermi para cierto material es de 6.25 eV a un temperatura de
300 K. Los electrones en el material siguen la distribucin de Fermi-Dirac.
a) Encontrar la probabilidad que un nivel de energa de 6.5eV sea ocupado por un
electrn
b) Repetir para T= 950K suponiendo que EF permanece constante con T.
c) Calcular la temperatura a la cual hay un 1% de probabilidad que un estado de 0.3
eV debajo del nivel de Fermi est vaco de electrones.
4- Calcular la energa en trminos de kT y EF para la cual la diferencia entre la
aproximacin de Botzmann y la funcin de Fermi-Dirac es 5% de la funcin de
Fermi. (Considerar C=1)