DEPARTAMENTO DE SISTEMAS ELECTRNICOS

ELECTRNICA I
INFORME DE LABORATORIO
LABORATORIO No. 2
Tema de la prctica: DIODO EN CORRIENTE CONTINUA.
Realizado por:
Alex Padilla
Milton Chasillacta
Bryan Chauca
1. Introduccin
En esta prctica vamos a aprender y a verificar lo estudiado en clase, es
decir ver como acta un diodo conectado en polarizacin inversa o
polarizacin directa, que pasa con su corriente o cmo se comporta este
mismo, adems de revisar con el osciloscopio que la corriente que circula es
de un solo sentido.
2. Objetivos

Reconocer los terminales del diodo.

Obtener la curva caracterstica del diodo con los datos alcanzados.
Medir los voltajes requeridos en las reas solicitadas de los circuitos
diseados.
Realizar las respectivas comparaciones entre los datos calculados,
simulados y medidos.

3. Marco Terico
Diodo

Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la

circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino
generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la
actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos
terminales elctricos.

Polarizacin directa de un diodo

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo
el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente
conduce la electricidad.
Se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En
estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de
potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa
suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado
hacia la unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se
desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el
hilo conductor y llega hasta la batera.

Polarizacin inversa de un diodo

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo
que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor
de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen
del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a
la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital
de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver
semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en
iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona
p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una
vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente
7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es
que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro
de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones
en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones
negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la
temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin
produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de
saturacin.
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
Como identificar los terminales del Diodo.
Metodo 1: Examina las marcas
Comprende cmo funciona un diodo. Un diodo est compuesto de un
semiconductor tipo N unido a un semiconductor tipo P. El semiconductor tipo N es el
extremo negativo del diodo y se llama "ctodo". El semiconductor tipo P es el extremo
positivo del diodo y se llama "nodo".
Si el lado positivo de la fuente de voltaje est conectado al extremo positivo del diodo
(el nodo) y el lado negativo est conectado al extremo negativo del diodo (el ctodo),
el diodo conduce corriente.
Si el diodo est invertido, la corriente est bloqueada (hasta cierto lmite).

Aprende lo que el smbolo esquemtico del diodo significa. Los diodos se

representan en esquemas con el smbolo (|), que muestra cmo deben instalarse.
Se trata de una flecha que apunta a una barra vertical con una lnea que surge de
ella. [1]
La flecha representa el lado positivo del diodo, mientras que la barra vertical
representa el lado negativo. Puedes imaginar que el lado positivo fluye hacia el lado
negativo y que la flecha indica la direccin del flujo.
Busca la franja grande. Si el diodo no tiene el smbolo esquemtico impreso, busca
el anillo, la franja o la lnea impresos en el diodo. La mayora de diodos tiene una gran
franja de color impresa cerca del lado negativo (ctodo). La franja rodea el diodo.
Identifica el lado positivo de un LED. Un LED es un diodo que emite luz y cuyas
patas puedes examinar para comprobar qu lado es el positivo. La pata ms larga es
la clavija positiva, el nodo.
Metodo 2 : Con un multmetro
Conecta el multmetro al diodo. Conecta el lado positivo a un extremo del diodo y
el negativo al otro. Vers una lectura en la pantalla del multmetro. [3]
Si el multmetro tiene un modo diodo, vers el voltaje mostrado en el multmetro si la
conexin es positivo a positivo y negativo a negativo. Si no es as, no se mostrar
nada.
Si el multmetro no tiene un modo diodo, vers muy poca resistencia si la conexin es
positivo a positivo y negativo a negativo. Si no es as, vers resistencia muy alta, a
veces expresada como "OL".

4. Clculos
En el circuito # 1:
1N4001
Vd

Id

Vf

Circuito # 1
a. Vare la fuente de alimentacin Vf de acuerdo a la Tabla No. 1
b. Utilizando un multmetro determine V d e Id para cada voltaje de
alimentacin.
c. Calcule la resistencia del diodo Rd para cada valor de V f.

 0.4V
SIMULADO
Vd=363.794mV
Id=36.207 A

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

= 6
=103 [ ] =[ k ]
Id
[ A ] 10 [ A ]

Rd =

363.794
=10.047 [ k ]
36.207

MEDIDO
Vd=371mV
Id=30 A

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

= 6
=103 [ ] =[ k ]
Id
[ A ] 10 [ A ]

Rd =

371
=12.36 [ k ]
30

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

0.5V
SIMULADO
Vd=363.794mV
Id=36.207 A

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

= 6
=103 [ ] =[ k ]
Id
[ A ] 10 [ A ]

Rd =

363.794
=10.047 [ k ]
36.207

MEDIDO
Vd=444mV
Id=81 A

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

=
=103 [ ] =[ k ]
Id
[ A ] 106 [ A ]

Rd =

444
=5,48 [ k ]
81

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

0.6V
SIMULADO
Vd=440.477mV
Id=159.539 A

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

=
=103 [ ] =[ k ]
Id
[ A ] 106 [ A ]

Rd =

440.477
=2.760 [ k ]
159.539

MEDIDO
Vd=475mV
Id=154 A

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

=
=103 [ ] =[ k ]
Id
[ A ] 106 [ A ]

Rd =

475
=3,08 [ k ]
154

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

0.7V
SIMULADO
Vd=461.318mV
Id=238.698 A

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

=
=103 [ ] =[ k ]
Id
[ A ] 106 [ A ]

Rd =

461.318
=1.932 [ k ]
238.698

MEDIDO
Vd=500mV
Id=206 A

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

=
=103 [ ] =[ k ]
Id
[ A ] 106 [ A ]

Rd =

500
=2,42 [ k ]
206

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

0.8V
SIMULADO
Vd=476.973mV
Id=323.075 A

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

=
=103 [ ] =[ k ]
Id
[ A ] 106 [ A ]

Rd =

476.973
=1.476 [ k ]
323.075

MEDIDO
Vd=516mV
Id=305 A

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

=
=103 [ ] =[ k ]
Id
[ A ] 106 [ A ]

Rd =

516
=1,69 [ k ]
305

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

 0.9V
SIMULADO
Vd=489.387mV
Id=410.671A

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

= 6
=103 [ ] =[ k ]
Id
[ A ] 10 [ A ]

Rd =

489.387
=1.191 [ k ]
410.671

MEDIDO
Vd=524mV
Id=381 A

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

= 6
=103 [ ] =[ k ]
Id
[ A ] 10 [ A ]

Rd =

524
=1,37 [ k ]
381

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

1V
SIMULADO
Vd=499.617mV
Id=500.378A

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

= 6
=103 [ ] =[ k ]
Id
[ A ] 10 [ A ]

Rd =

499.617
=0.998 [ k ]
500.378

MEDIDO
Vd=535mV
Id= 459A

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

= 6
=103 [ ] =[ k ]
Id
[ A ] 10 [ A ]

Rd =

535
=1.16 [ k ]
459

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

1.3V
SIMULADO
Vd=522.428mV
Id=777.6A

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

=
=103 [ ] =[ k ]
Id
[ A ] 106 [ A ]

Rd =

522.428
=0.671 [ k ]
777.6

MEDIDO
Vd=559mV
Id= 713A

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

=
=103 [ ] =[ k ]
Id
[ A ] 106 [ A ]

Rd =

559
=0,78 [ k ]
713

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

1.6V
SIMULADO
Vd=538.539mV
Id=1.062mA

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

=
=[ ]
Id
[ mA ] 103 [ A ]

Rd =

538.539
=507.098 [ ]
1.062

MEDIDO
Vd=576mV
Id=0.97mA

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

=
=[ ]
Id
[ mA ] 103 [ A ]

Rd =

576
=593,81 [ ]
0.97

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

2.0V
SIMULADO
Vd=554.53mV
Id=1.446mA

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

=
=[ ]
Id
[ mA ] 103 [ A ]

Rd =

554.53
=383.492 [ ]
1.446

MEDIDO
Vd=592mV
Id=1.40mA

Rd =

V d [ mV ] 103 [ V ]

=
=[ ]
Id
[ mA ] 103 [ A ]

Rd =

592
=422,85 [ ]
1.40

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

En el circuito #1 invertir la posicin del diodo

0.4V
SIMULADO
Vd=399.968mV
Id=32.37nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

= 9
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 10 [ A]

Rd =

399.968
=12.356[M]
32.37

MEDIDO
Vd=392mV
Id=0nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

= 9
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 10 [ A]

Rd =

392
= [M]
0

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

0.5V
SIMULADO
Vd=499.968mV
Id=32.479nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

=
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 109 [ A]

Rd =

499.968
=15.393[ M]
32.479

MEDIDO
Vd=510mV
Id=0nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

=
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 109 [ A]

Rd =

510
= [M]
0

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

0.6V
SIMULADO
Vd=599.967mV
Id=32.587nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

= 9
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 10 [ A]

Rd =

599.967
=18.411[ M]
32.587

MEDIDO
Vd=593mV
Id=0nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

= 9
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 10 [ A]

Rd =

593
= [M]
0

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

0.7V
SIMULADO
Vd=699.967mV

Id=32.682nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

= 9
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 10 [ A]

Rd =

699.967
=21.417[ M]
32.682

MEDIDO
Vd=703mV
Id=0nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

= 9
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 10 [ A]

Rd =

703
= [M]
0

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

0.8V
SIMULADO
Vd=799.967mV
Id=32.784nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

= 9
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 10 [ A]

Rd =

799.967
=24.401[M]
32.784

MEDIDO
Vd=797mV
Id=0nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

= 9
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 10 [ A]

Rd =

797
= [ M]
0

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

0.9V
SIMULADO
Vd=899.967mV
Id=32.885nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

=
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 109 [ A]

Rd =

899.967
=27.367[ M]
32.885

MEDIDO
Vd=913mV
Id=0nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

=
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 109 [ A]

Rd =

913
= [ M]
0

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

1V
SIMULADO
Vd=999.967mV
Id=32.987nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

=
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 109 [ A]

Rd =

999.967
=30.313[ M]
32.987

MEDIDO
Vd=1.037V
Id=0nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

= 9
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 10 [ A]

Rd =

1.037
= [ M]
0

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

1.3V
SIMULADO
Vd=1.3V
Id=33.285nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

= 9
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 10 [ A]

Rd =

1300
=39.056[M]
33.285

MEDIDO
Vd=1,295V
Id=0nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

=
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 109 [ A]

Rd =

1295
= [M]
0

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

1.6V
SIMULADO
Vd=1.6V
Id=33.583nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

=
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 109 [ A]

Rd =

1600
=47.643[ M]
33.583

MEDIDO
Vd=1.598V
Id=0nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

=
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 109 [ A]

Rd =

1598
= [M]
0

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

2V
SIMULADO
Vd=2V
Id=33.983Na

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

=
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 109 [ A]

Rd =

2000
=58.852 [M]
33.983

MEDIDO

Vd=2.01V
Id=0nA

Rd =

V d [mV ] 103 [V ]

= 9
=10 6 [ ]=[M]
Id
[nA ] 10 [ A]

Rd =

2001
= [M]
0

Porcentaje de error del voltaje medido

%error=

363.794371
100=1.98
363.794

Porcentaje de error de la intensidad medida

%error=

36.20730
100=17.14
36.207

Porcentaje de error de la resistencia medida

%error=

10.04712.36
100=23.02
10.047

5. Simulaciones
En el circuito # 1:

0.4V

VD

ID

0.5V

VD

ID

VD

ID

0.6V

0.7V

VD

ID

VD

ID

0.8V

0.9V

VD

ID

VD

ID

1.0V

1.3V

VD

ID

VD

ID

1.6V

2.0V

VD

ID

En el circuito # 1, invierta la posicin del diodo.

0.4V

VD

0.5V

ID

VD

ID

VD

ID

0.6V

0.7V

VD

ID

VD

ID

0.8V

0.9V

VD

ID

1.0V

VD

ID

1.3V

VD

1.6V

ID

VD

ID

2.0V

VD

ID

Para el circuito # 2:
D1

R1
4k
V1
10 V

D2

1N4001G

1N4001G
R2
3k

V2
3V

Circuito

#2

1.1. Calcule el voltaje en la resistencia R2 y la corriente en el Diodo 1.

1.2. Realice la simulacin correspondiente.
1.3. Complete la siguiente tabla.
Calculos
IAK1
IAK2

R1
4k
V1
10 V

D1

D2

1N4001G

1N4001G
R2
3k

I1
I2

V2
3V

I2

I 1 =I AK 1 ; P . D.
I 2 I AK 2 ; P . I .
Entonces tenemos que el d1 se toma como una Fuente de voltaje y el diodo dos en
polarizacion invers ava a ser un circuito abierto al aplicar la primera aproximacion.

10+ 4 I 1+ 0.7+3 I 1=0

7 I 1=9.3
I 1 =1.33[mA ]

Donde por la polarizacion directa se cumple:

I 1 =I AK 1=1.33 [mA ]

Para sacar el voltaje en la Resistencia 2 solo aplicamos la ley de ohm:

V R 2=I 1R 2=1.333=3.99 [V ]

Simulaciones

Voltaje en la resistencia R2

Corriente en el diodo 1

Calculos:
Va=5V,Vb=5V
Como existe voltaje en la fuente a y b entonces la direccion de la corriente viene dada
por estos voltajes
Si VA= 5 [V]; IIAK1 P.I.
Si VB= 5[V]; IIAK2 P.I.
Entonces como los voltajes estn en polarizacin inversa se produce un corto circuito
asi que el Vo solo va a depender del Vcc.
Vo=Vcc=5V
Va=0V,Vb=5V y en el caso de Va=5V, Vb=0V
VA= 0 [V]; I=IAK1 P.D.
VB= 5 [V]; IIAK1 P.I.

Entonces podemos observar que uno de los diodos va a estar en polarizacin directa
por lo que el Vo de salida va a depender del menor voltaje que haya en la fuente en
este caso el del diodo 1 que va a ser el voltaje umbral=0.7V, el otro caso es el mismo
solo que ahora depende del diodo 2 que va a ser el voltaje umbral.
Va=0V,Vb=0V
Si VA= 0 [V]; I=IAK1 P.D.
Si VB= 0 [V]; I=IAK2 P.D.
1era Aproximacin
El voltaje de salida depende del menor voltaje en este caso como el voltaje de entrada
son 0 en los dos casos el voltaje de salida va a hacer el voltaje umbral del diodo ya
que est en polarizacin directa.
Vr=0.7V=Vo

VR2
Valor calculado.
Valor simulado

ID1

3.99V
4.05V

1.33mA
1.35mA

2. En el circuito # 3.
2.1. Calcule el V0 de acuerdo a la siguiente tabla. VCC= 5V
VA
5
0
5
0

VB
5
5
0
0
V cc
VA
D2

R2
3k
+

Vo

1N4001G
D1

VB

1N4001G

2.2.Realice la simulacin de: V0 para cada valor de VA, VB.

Simulacion
Va=5v, Vb=5v,Vcc=5v

Simulacion
Va=0v, Vb=5v,Vcc=5v

Simulacion
Va=5v, Vb=0v,Vcc=5v

Simulacion
Va=0v, Vb=0v,Vcc=5v

2.3.Complete la tabla con los datos obtenidos.

VA
VB
5
5

V0
Calculado
Simulado
Calculado
Simulado

Calculado
Simulado

Calculado
Simulado

5V
5V
0.7V
555.114
mV
0.7V
555.114
Mv
0.7V
522.556
mV

6. Conclusiones

Se logr reconocer correctamente las terminales del diodo poniendo en prctica dos
mtodos muy simples. El primero consiste en identificar una franja o lnea en una de las
terminales del diodo, indicando su parte negativa (ctodo). Para el segundo mtodo, nos
apoyamos con el multmetro y su funcin de diodo, consiste en mostrar en pantalla el
voltaje umbral del diodo solo si las terminales del multmetro van positivo con el nodo y
negativo
con
el
ctodo
del
diodo.
A lo largo de la evolucin de la prctica, se not la importancia de reconocer las
terminales del diodo. Al ser un instrumento electrnico con dos terminales que tienen
polaridad, una positiva y una negativa, nodo y ctodo respectivamente. Es indispensable
analizar el comportamiento que tendr al conectarlo en la misma direccin de la corriente
del circuito (polarizacin directa) o en la direccin contraria (polarizacin inversa), esto se
evidencia claramente en las simulaciones, ya que los valores en polarizacin directa son
muy diferente a los de polarizacin inversa.

Para el primer circuito se obtuvo varios datos de la corriente del diodo a partir de las
diferentes tensiones que se proponan para este circuito. Con estos datos de corriente y
los valores de voltajes propuestos se realiz la curva caracterstica del diodo.
Los datos que se necesitaban para completar la grfica de la curva caracterstica del
diodo son las corrientes. Podemos mencionar que sus mediciones sern en dos grupos,
por as decirlo. El primer grupo ser el de las corrientes resultantes del diodo cuando se
encuentra conectado en polarizacin directa. Estos valores son pequeos e irn
aumentando conforme los voltajes aumenten tambin. El segundo grupo son las
corrientes que se miden cuando el diodo est en polarizacin inversa, es decir tendremos
datos negativos, estos valores de corriente son muy bajos porque el diodo interrumpe el
paso de corriente. El valor de intensidades es sumamente bajo, fuera del rango de
medicin del multmetro. Es por eso que nos basamos en los valores que arroja la
simulacin, que se encuentran en una escala de nano amperios. Conociendo los valores
de la corriente y del voltaje, los trazamos como puntos en el plano cartesiano y
obtenemos la curva caracterstica del diodo. En la curva se puede apreciar que a partir de
cierto voltaje positivo, que es el umbral, la corriente comienza a aumentar hasta su valor
mximo.

Se midi los voltajes que se requeran para los clculos en cada uno de los circuitos.
Tomando en cuenta las especificaciones del instrumento de medicin.
Para el primer circuito se solicit que la medicin se la realice con un multmetro. Los
valores medidos de voltaje se los realizaron en el diodo. Para las mediciones del diodo en
polarizacin directa, el voltaje del diodo tiene que ser igual al del umbral. Pero en las
mediciones del diodo para polarizacin inversa el voltaje del diodo tiene que ser igual al
voltaje de la fuente. Con este concepto podemos verificar que efectivamente el voltaje del
diodo en las simulaciones es muy semejante al terico. Para el circuito dos y tres, la toma
de las mediciones de los voltajes en los puntos que se peda medir, se realiz con el
osciloscopio, estas mediaciones consideran con los datos calculados y los simulados,
pero una leve variacin.

Se compar los datos que se calcularon con anterioridad, con los datos de la simulacin y
los obtenidos mediante las mediciones en el laboratorio.
Los valores calculados se los realizaron tomando en cuenta el anlisis de mallas o el
anlisis de nodos dependiendo el dato que se quera conocer. Para todos estos clculos
tericos no so tom en cuenta el error que presentan los instrumentos utilizados. A pesar
de despreciar estos errores los valores calculados con respecto a los datos de simulacin,
no tuvieron diferencias notables, de igual manera los valores calculados con respecto a
los datos medidos, tambin presentaron poca variacin.
7. Recomendaciones

Entonces podemos recomendar que la identificacin y conexin de los terminales del

diodo en el circuito es muy significativa para determinar el comportamiento de este. Es

decir, se puede confirmar si habr un flujo de corriente o de forma anloga, se opone al

paso de corriente.

Para la curva caracterstica del diodo, tenemos que recordar que en polarizacin directa
tendremos una pequea zona donde la corriente es cero, en esa zona estar el voltaje
umbral. Cuando el voltaje de fuente sea mayor al del umbral comenzar a pasar corriente
y en la grfica se aprecia que esta corriente comienza a subir hasta su valor mximo. En
cambio la corriente en polarizacin inversa ser cero o muy cercana a cero. En la grfica
se observa una lnea recta horizontal, apegada al eje de la corriente que se dirige a la
izquierda, es decir la corriente es muy baja, casi cero.

Para realizar las mediciones de los voltajes con el multmetro, se facilita el trabajo, poro
tiene la desventaja de no poder apreciar la curva que genera el circuito. En cambio con el
osciloscopio se puede apreciar la grfica, pero tiene una desventaja, que los factores
externos que afectan la medicin son muy evidentes y afectan mucha la medicin d
valores bajos de voltaje.
Podemos recomendar que los datos calculados con respecto a los simulados y medidos
tienen errores pequeos, no ms del 10%. Si analizamos este porcentaje de error con los
datos de la simulacin, podemos recomendar que el simulador que se utiliz es apropiado
para esta prctica.