AO DE LA

DIVERSIFICACIN
PRODUCTIVA Y DEL
FORTALECIMIENTO
DE LA EDUCACIN
FACULTAD DE INGENIERIA SISTEMAS E INFORMATICA
TEMA:

TRANSISTORES
Tipos de transistores, usos y aplicaciones en
circuitos. Lugares de venta. Venta por internet.
Fichas tcnicas o de informacin (worksheet )
proporcionadas por diferentes marcas. Consigue
diferentes transistores en talleres de electrnica
y describe sus caractersticas, sus aplicaciones,
limitaciones, dimensiones, etc.

CURSO: FISICA ELECTRONICA

TUTOR: CARMONA ESPINOZA JORGE
ALUMNA:

ANGELICA CONTRERAS SANCHZ

Huancavelica Per
2015

DEDICATORIA:

A mis familiares por su apoyo

incondicional que me brindan en
todo momento y en especial a Dios
por que el ilumina mi camino.

AGRADECIMIENTOS

Primero y antes que nada, dar gracias a Dios, por estar con migo en cada paso que doy,
por fortalecer mi corazn e iluminar mi mente

y por haber puesto en mi camino

aquellas personas que han sido mi ideal soporte y compaa durante el periodo de estudio
que estamos atravesando.
Agradecer hoy y siempre a mi familia por el esfuerzo realizado por ellos. El apoyo en mis
estudios, de ser as no hubiese sido posible.
A mi Madre y dems familiares ya que me brindan el apoyo, la alegra y me dan la
fortaleza necesaria para seguir adelante.
Un agradecimiento especial al Profesor, por la colaboracin.

INDICE

CARATULA

AO DE LA DIVERSIFICACIN PRODUCTIVA Y DEL FORTALECIMIENTO DE

LA EDUCACIN..................................................................................................................1
DEDICATORIA:.....................................................................................................................2
AGRADECIMIENTOS..........................................................................................................3
INDICE...................................................................................................................................4
PRESENTACIN.................................................................................................................6
INTRODUCCIN..................................................................................................................7
HISTORIA DEL TRANSISTOR...........................................................................................8
Tipos de transistores. Simbologa...................................................................................10
Tipos de transistor:................................................................................................................11
Transistores y electrnica de potencia...........................................................................13
El transistor frente a la vlvula termoinica...................................................................13
Transistor bipolar................................................................................................................14
De esta manera quedan formadas tres regiones:.........................................................15
Las razones de la supervivencia de las vlvulas termoinicas son varias:..............16
Funcionamiento.....................................................................................................................16
Control de tensin, carga y corriente....................................................................................17
Transistor Bipolar de Heterounin........................................................................................18
Regiones operativas del transistor.........................................................................................18

Regin activa:............................................................................................................18

Regin inversa:..........................................................................................................19

Regin de corte :........................................................................................................19

Regin de saturacin:.................................................................................................19
4

Transistor de efecto campo...................................................................................................20

Historia..................................................................................................................................21
Tipo de transistores de efecto campo....................................................................................21
Caractersticas.......................................................................................................................22
Precauciones:........................................................................................................................22
Fototransistor........................................................................................................................23
Aplicaciones de los fototransistores......................................................................................24
Resumen de la Teora del Transistor.....................................................................................25
IE = IC + IB..........................................................................................................................26
LUGARES DE VENTA. VENTA POR INTERNET...........................................................26
Informacin Tcnica y Comercial de los Transistores..........................................................32
Generalidades de los Transistores..................................................................................32
Fichas tcnicas o de informacin (worksheet ) proporcionadas por diferentes marcas.......33
,..............................................................................................................................................47
CONCLUSIONES...............................................................................................................48
BIBLIOGRAFIA...................................................................................................................49
ANEXOS..............................................................................................................................50
Informtica...........................................................................................................................54
Los nuevos transistores para los chips de 22 nanmetros combinan ahorro
energtico y mayores prestaciones como nunca hasta ahora...........................57

PRESENTACIN

Sera imposible entender la evolucin de la electrnica digital en general, y de la

informtica en particular sin una buena comprensin de lo que es, y lo que ha
aportado el transistor a estas ciencias. El transistor vino a reemplazar a un
dispositivo denominado tubo de vaco (los tubos de vaco an se emplean en
electrnica de potencia. El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor
utilizado para entregar una seal de salida en respuesta a una seal de entrada.
Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino
transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistor de
transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos
electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video,
relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos
celulares, entre otros.
Como podemos ver el simple hecho de pasar del tubo de vaco al transistor
supone un gran paso en cuanto a reduccin de tamao y consumo y aumento de
fiabilidad.
Es necesario destacar que el desarrollo del transistor se apoya en mltiples
disciplinas cientficas que abarcan la qumica, la fsica y la ingeniera de materiales
entre otras.

La Alumna

INTRODUCCIN
6

En este apartado trataremos el tema sobre un dispositivo, el cual ha revolucionado

la vida de todos nosotros= el transistor, que es sin duda uno de los mejores
inventos del hombre diseado para operar en circuitos electrnicos como
amplificador, oscilador o conmutador. El trmino Transistor es un acrnimo de
transfer y resistor (resistencia de transferencia) y se compone de tres terminales:
colector, base y emisor. En estos temas estudiaremos las principales
caractersticas bsicas del transistor bipolar y FET, as como sus aspectos fsicos,
sus estructuras bsicas y las simbologas utilizadas para cada uno de ellos. Se
abarcar igual el tema de la polarizacin, el encapsulado y la prueba de los
transistores con multmetros tanto digital como anloga que son indispensables en
estos dispositivos mencionados anteriormente.

HISTORIA DEL TRANSISTOR

7

El transistor fue inventado en los Laboratorios Bell de Estados Unidos en

diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford
Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956.
Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo.
El transistor de efecto campo fue patentado antes que el transistor BJT (en 1930),
pero no se dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los
denominados transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente
entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el
campo elctrico establecido en el canal. Por ltimo, apareci el MOSFET
(transistor FET de tipo Metal-xido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un
diseo extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente
integrados (CI).
Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La tecnologa
CMOS (Complementary MOS MOS Complementario) es un diseo con dos
diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente
y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas
artificialmente

(contaminadas

con

materiales

especficos

en

cantidades

especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas,
el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera
un elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que
son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante
mecnica cuntica.

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcin

amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor slo grada la
corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, segn el tipo
de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre
corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros
parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde
se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector
Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas(configuraciones) bsicos para utilizacin analgica de los transistores
son emisor comn, colector comn y base comn.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,
MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el
terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin
presente en el terminal de puerta o reja de control (graduador) y grada la
conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la
tensin aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo elctrico presente en el
canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De
este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) ser funcin
amplificada de la Tensin presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente (Source).
Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los
equivalentes a Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y
Ctodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integracin a
gran escala disponible hoy en da; para tener una idea aproximada pueden
fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centmetro
cuadrado y en varias capas superpuestas.
9

Tipos de transistores. Simbologa

Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las

apliaciones a las que se destinan. Aqu abajo mostramos una tabla con los tipos
de uso ms frecuente y su simbologa:

Tipos de transistor:

Transistor de punta de contacto. Primer transistor que obtuvo ganancia,

inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de
germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de
modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de
"transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su
da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe
poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el
transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda.
En la actualidad ha desaparecido.

10

 Transistor de unin bipolar, BJT por sus siglas en ingls, se

fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o
Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores,
estado intermedio entre conductores como los metales y los
aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se
contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las
cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos
uniones NP

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la

zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se
utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio
(Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de
uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras
dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo
general, el emisor esta mucho mas contaminado que el colector). El
mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender
de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de
tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitelial, etc.) y del
comportamiento cuntico de la unin.

Fototransistor, sensible a la radiacin electromagntica, en frecuencias

cercanas a la de la luz.

Transistor de unin unipolar.

11

Transistor de efecto de campo, FET, que controla la corriente en funcin de

una tensin; tienen alta impedancia de entrada. O Transistor de efecto de
campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la

compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metalxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est
separada del canal semiconductor por una capa de xido

Transistores y electrnica de potencia

Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia.

El transistor frente a la vlvula termoinica

Antes de la aparicin del transistor los ingenieros utilizaban elementos activos
llamados vlvulas termoinicas. Las vlvulas tienen caractersticas elctricas
similares a la de los transistores de efecto de campo (FET): la corriente que los
atraviesa depende de la tensin en el borne de comando, llamado rejilla. Las
razones por las que el transistor reemplaz a la vlvula termoinica son varias:

Las vlvulas termoinicas necesitan tensiones muy altas, del orden de las

centenas de voltios, tensiones que son letales para el ser humano.

Las vlvulas consumen mucha energa, lo que las vuelve particularmente

poco tiles para el uso con bateras.

Probablemente, uno de los problemas ms importantes es el peso. El
chasis necesario para alojar las vlvulas, los transformadores requeridos
para suministrar la alta tensin, todo ello sumaba un peso importante, que
iba desde algunos kilos a algunas decenas de kilos.

12

El tiempo medio entre fallas de las vlvulas termoinicas es muy corto

comparado al del transistor, sobre todo a causa del calor generado.

Adems las vlvulas termoinicas tardan mucho para poder ser utilizadas.
Las vvulas necesitan estar calientes para funcionar. Como ejemplo de
todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora digital,
llamada ENIAC. Era un equipo que pesaba ms de treinta toneladas y
consuma 200 kilovatios, suficientes para alimentar una pequea ciudad.
Tena alrededor de 18.000 vlvulas, de las cuales algunas se quemaban
cada da, necesitando una logstica y una organizacin importantes.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)

Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de

radiofrecuencia)
Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de
alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de

impulsos PWM)
Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)
Se usan generalmente en electrnica analgica y en la electrnica digital

como la Tecnologa TTL o BICMOS.

Son empleados en conversores estticos de potencia, controles para
motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su
principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un
circuito cerrado.

Transistor bipolar

13

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor , o sus siglas
BJT fue inventado en 1947) es un dispositivo electrnico de estado slido
consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el
paso de la corriente a travs de sus terminales. El transistor bipolar est formado
por una unin PN y por otra NP, caracterstica que hace que un semiconductor de
determinado tipo se encuentre entre dos de tipo opuesto al primero, como se
muestra en la figura 1. Lo que se obtiene con esta configuracin es una
seccin que proporciona cargas(de huecos o de electrones) que son captadas por
otra seccin a travs de la seccin media. El electrodo que proporciona las cargas
es el emisor y el que las recoge es el colector. La base es la parte de en medio y
forma las dos uniones, una con el colector y otra con el emisor. Adems, la base
controla la corriente en el colector. Este tipo de transistores recibe el nombre de
transistores de unin.

De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
Comportndose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

14

Cuando el transistor bipolar, fue considerado una revolucin. Pequeo, rpido,

fiable, poco costoso, sobrio en sus necesidades de energa, reemplaz
progresivamente a la vlvula termoinica durante la dcada de 1950, pero no del
todo. En efecto, durante los aos 60, algunos fabricantes siguieron utilizando
vlvulas termoinicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake;
luego el transistor desplaz a la vlvula de los transmisores pero no del todo de
los amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes, de equipo de audio esta
vez, como Fender, siguieron utilizando vlvulas termoinicas en amplificadores de
audio para guitarras.
Las razones de la supervivencia de las vlvulas termoinicas son varias:

El transistor no tiene las caractersticas de linealidad a alta potencia de

la vlvula Termoinica, por lo que no pudo reemplazarla en los
amplificadores

de

transmisin

de

radio

profesionales

de

radioaficionados.
Los armnicos introducidos por la no-linealidad de las vlvulas resultan
agradables al odo humano (vase psicoacstica), por lo que son

preferidos por los audifilos

El transistor es muy sensible a los efectos electromagnticos de las
explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando vlvulas
termoinicas en algunos sistemas de control-comando de cazas de
fabricacin sovitica.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su

funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinacin de
portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

15

Funcionamiento
En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la
unin base- colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados
por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN
puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En
una operacin tpica, la juntura base-emisor est polarizada en directa y la juntura
base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo,
cuando una tensin positiva es aplicada en la juntura base-emisor, el equilibrio
entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la
regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados
trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs
de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin
de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son
llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P,
los cuales generan "hoyos" como portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para
que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo
que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el
porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la juntura base
colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los
electrones.

Control de tensin, carga y corriente

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente
base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de
voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la juntura base-emisor, la
16

cual es la curva tensin corriente exponencial usual de una juntura PN (es decir,
un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a
que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es
aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser
diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante,
y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para
disear circuitos utilizando TBJ con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de
modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll

Transistor Bipolar de Heterounin

El transistor bipolar de heterounin (TBH) es una mejora del TBJ que puede
manejar seales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un
dispositivo muy comn hoy en da en circuitos ultrarrpidos, generalmente en
sistemas de radiofrecuencia. Los transistores de heterojuntura tienen diferentes
semiconductores para los elementos del transistor. Usualmente el emisor est
compuesto por una banda de material ms larga que la base. Esto ayuda a reducir
la inyeccin de portadores minoritarios desde la base cuando la juntura emisorbase est polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de la inyeccin del
emisor. La inyeccin de portadores mejorada en la base permite que esta pueda
tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor resistencia. Con un
transistor de juntura bipolar convencional, tambin conocido como transistor
bipolar de homojuntura, la eficiencia de la inyeccin de portadores desde el emisor
hacia la base est principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el
emisor y la base. Debido a que la base debe estar ligeramente dopada para
permitir una alta eficiencia de inyeccin de portadores, su resistencia es
relativamente alta.

17

Regiones operativas del transistor

Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes regiones operativas,
definidas principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa:

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte

entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si
lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el

transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los
TBJ son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el
parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo
activo.

Regin de corte :

Un transistor esta en corte cuando corriente de colector = corriente de emisor = 0,(

Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay
cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0)

18

Regin de saturacin:

Un transistor est saturado cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor =

corrientemaxima ,( Ic = Ie = Imaxima ) En este caso la magnitud de la corriente
depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas
en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para
inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib)

Transistor de efecto campo

El transistor de efecto campo ield-Effect Transistor o FET , en ingls) es en
realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET,
como todos los transistores, pueden plantearse como resistencias controladas por
voltaje.
La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora
como la regin activa o canal. La regin activa de los TFTs ( thin-film transistores ,
o transistores de pelcula fina), por otra parte, es una pelcula que se deposita
sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los
TFTs es como pantallas de cristal lquido o LCDs).
Los

transistores de efecto de campo

conocidos

FET ms

son

JFET

(Junction

Field

MOSFET

(Metal-Oxide-Semiconductor

FET)

Effect

los

MISFET
Semiconductor

tres

Transistor),
(Metal-InsulatorFET).

Tienen

terminales, denominadas puerta

19

( gate ), drenador ( drain ) y fuente ( source ). La puerta es el terminal equivalente

a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un
interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite
hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. El funcionamiento del
transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no
absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa
la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras
terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan
un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el
anlisis y diseo de circuitos. As como los transistores bipolares se dividen en
NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y
canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone
al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los
transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en
electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o
chips digitales.

Historia

Desde 1953 se propuso su fabricacin por Van Nostrand (5 aos despus de los
BJT). Aunque su fabricacin no fue posible hasta mediados de los aos 60's.

Tipo de transistores de efecto campo

El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno
tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal
en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el
caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambin
son distinguidos por el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta. Los tipos

20

de FETs son: Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el

mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta:

El MOSFET ( Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ) usa un

aislante (normalmente SiO 2 ).

El JFET ( Junction Field-Effect Transistor ) usa una unin p-n
El MESFET ( Metal-Semiconductor Field Effect Transistor ) substituye la
unin PN del JFET con una barrera Schottky.

En el HEMT ( High Electron Mobility Transistor ), tambin denominado

HFET ( heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos"

forma el aislante entre la puerta el cuerpo del transistor.

Los MODFET ( Modulation-Doped Field Effect Transistor )
Los IGBT ( Insulated-gate bipolar transistor ) es un dispositivo para control
de potencia. Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenajefuente est entre los 200 a 3000V. An as los Power MOSFET todava son
los dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1

a 200V.
Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una

recuperacin ultra rpida del transistor.

Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor,
usando una puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para

detectar cadenas de ADN iguales

La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio
amorfo o del silicio policristalino.

Caractersticas
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).
No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza Conmutador (Interruptor).
Hasta cierto punto inmune a la radiacin.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica
21

Precauciones:
Con los transistores FET
hay que tener cuidados
especiales, pues algunas
referencias se daan con
solo tocar sus terminales
desconentadas
(Esttica). Por tal motivo, cuando nuevos traen sus patas en corto-circuito
mediante una espuma conductora elctrica o con algo metlico, esto no se debe
quitar hasta que estn soldados en la tableta de circuito impreso, hecho esto ya no
hay problema.

Fototransistor

Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los

infrarrojos. La luz incide sobre la regin de base, generando portadores en ella.
Esta carga de base lleva el transistor al estado de conduccin. El fototransistor es
ms sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor. Los
fototransistores no son muy diferentes de un transistor normal, es decir, estn
22

compuestos por el mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las

mismas tres conexiones externas: colector, base y emisor. Por supuesto, siendo
un elemento sensible a la luz, la primera diferencia evidente es en su cpsula, que
posee una ventana o es totalmente transparente, para dejar que la luz ingrese
hasta las junturas de la pastilla semiconductora y produzca el efecto fotoelctrico.
En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexin de base como
sin ella y tanto en cpsulas plsticas como metlicas (TO-72, TO-5) provistas de
una lente.

Aplicaciones de los fototransistores.

Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc.
Para comunicaciones con fibra ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p
i-n. Tambin se pueden utilizar en la deteccin de objetos cercanos cuando forman
parte de un sensor de proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados
conjuntamente con un LED, formando interruptores pticos ( opto-switch ), que
detectan la interrupcin del haz de luz por un objeto. Existen en dos versiones: de
transmisin y de reflexin. Teniendo las mismas caractersticas de un transistor
normal, es podible regular su corriente de colector por medio de la corriente de
base. Y tambin, dentro de sus caractersticas de elemento optoelectrnico, el
fototransistor conduce ms o menos corriente de colector cuando incide ms o
menos luz sobre sus junturas.
Los dos modos de regulacin de la corriente de colector se pueden utilizar en
forma simultnea. Si bien es comn que la conexin de base de los
fototransistores no se utilice, e incluso que no se la conecte o ni siquiera venga de
fbrica, a veces se aplica a ella una corriente que estabiliza el funcionamiento del
transistor dentro de cierta gama deseada, o lo hace un poco ms sensible cuando
se debe detectar una luz muy dbil. Esta corriente de estabilizacin (llamada bias,
en ingls) cumple con las mismas reglas de cualquier transistor, es decir, tendr
una relacin de amplificacin determinada por la ganancia tpica de corriente,
o hfe. A esta corriente prefijada se le suman la variaciones producidas por los
cambios en la luz que incide sobre el fototransistor. Los fototransistores, al igual
23

que los fotodiodos, tienen un tiempo de respuesta muy corto, es decir que pueden
responder a variaciones muy rpidas en la luz. Debido a que existe un factor de
amplificacin de por medio, el fototransistor entrega variaciones mucho mayores
de corriente elctrica en respuesta a las variaciones en la intensidad de la luz.

Resumen de la Teora del Transistor

A vista de esa prueba realizada este dispositivo ha de tener tres electrodos o
bornes, uno por cada uno de los cristales de que se compone. Al cristal que recibe
la corriente, el primero de los tres, se distingue con el nombre de emisor; el cristal
del centro como base, y al cristal de salida de la corriente, colector. Entonces, en
un transistor de tipo NPN, la primera N ser el emisor, P ser la base, y la otra N,
el colector. Estos nombres se suelen abreviar con las letras E, B y C
respectivamente. Para comprender bien el funcionamiento del transistor debemos
recordar la teora atmica, donde el cristal N es un cristal que tiene exceso de
electrones, y el cristal P, es un cristal con exceso de huecos. Por ejemplo un
transistor de tipo NPN, siguiendo la imagen en la que una fuente de alimentacin
(B) provee de corriente al emisor, conectado al polo negativo en el cristal N,
negativo tambin. En estas condiciones se forman como unas barreras Z1 y Z2 en
las uniones con el

cristal P de base, que impiden el paso de la corriente. La base est llena de

huecos que pasan a ser ocupados por los electrones ms prximos de los
24

cristales contiguos, formndose estas barreras de tomos en equilibrio que impide

el paso de la corriente (salvo una muy dbil corriente de fuga de escassimo valor).
Pero si se polariza la fuente del mismo signo que ella, es decir, con una tensin
positiva respecto al emisor, lo que se llama en sentido contrario, la barrera Z1
desaparece porque el potencial positivo aplicado a la base repele los huecos hacia
los cristales N y penetran en la zona de resistencia. Los electrones libres del
emisor la atraviesan siendo atrados por los potenciales positivos de la base y del
colector. Dado que el potencial positivo del colector es mucho ms elevado que el
de la base, los electrones se sentirn ms atrados por el primero, por lo que se
obtendr una elevada corriente del colector (que abreviaremos IC) y una pequea
corriente de base (IB). La corriente del emisor (IE) ser por tanto igual a la suma
de la corriente de colector y la corriente de base, tal como se deduce de las leyes
de Kirchhoff.
Es decir:
IE = IC + IB

De esto se deduce que la corriente que sale

por el colector no va incrementada con la
corriente de base. De hecho, la corriente que
pasa por emisor y que se designa IE se
compone de la corriente de la base y del
colector que luego circularn en diferente
sentido. En la imagen vemos un esquema de
circuito elemental de un transistor en el que
se designa tambin el nombre de las
tensiones (V). As tenemos que VBE es la
tensin base-emisor, VCE es la tensin
colector-emisor. Como puede verse, en el emisor las corrientes de base colector
se suman, tal como dice la ley de Kirchhoff.

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Informacin Tcnica y Comercial de los Transistores

Generalidades de los Transistores

Descripcin de los Transistores:
Los transistores son dispositivos fundados en el uso de semiconductores, que
segn su estructura y montaje actan en los circuitos elctricos como lmparas
detectoras, amplificadoras u oscilatrices.

31

Propiedades de los Transistores:

Carece de elementos que se gasten o destruyan. No requiere caldeo equivalente
del filamento de las lmparas, por lo que su funcionamiento es instantneo con
consumo ntimo de energa elctrica y un rendimiento elevado. No es frgil, es
resistente a los impactos y vibraciones. Tiene dimensiones y peso insignificantes.

Fichas tcnicas o de informacin (worksheet )

proporcionadas por diferentes marcas

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

CONCLUSIONES
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo
de los circuitos electrnicos. Se puede comentar que con el invento de estos
dispositivos han dado un giro enorme a nuestras vidas, y a que en casi todos los
aparatos electrnicos se encuentran presentes. Se conocieron los distintos tipos
de transistores, as como su aspecto fsico, su estructura bsica y las simbologas
utilizadas, pudiendo concluir que todos son distintos y que por necesidades del
hombre se fueron ideando nuevas formas o nuevos tipos de transistores. Adems
de todos esto, ahora si podremos comprobar o hacer la prueba de los transistores
para conocer si se encuentra en buenas condiciones para su uso.

42

BIBLIOGRAFIA

N.R. Malik,

Prentice Hall, 1998, ISBN: 84-89660-03-4.

G.W. Neudeck, El transistor bipolar de unin, Ed. Addison-Wesley

Iberoamericana, 1989, ISBN: 0-201-60143-5.

E. Muoz Merino, Circuitos Electrnicos: Analgicos I , E.T.S. de Ingenieros

de Telecomunicacin (U.P.M.), 1986, ISBN: 84-7402-066-2.

A.P. Malvino, Principios de Electrnica. Ed. Mc Graw Hill, 1996, ISBN: 84-

481-1999-1.
C.J. Savant Jr., M.S. Roden, G.L. Carpenter, Diseo Electrnico: Circuitos y

sistemas ,Ed. Addison-Wesley Iberoamericana, 1992, ISBN: 0-201-62925 9.

A.R. Hambley, Electrnica , Ed. Prentice Hall, 2000, ISBN: 84-205-2999-0.
M.H. Rashid, Circuitos Microelectrnicos. Anlisis y Diseo . International

Thomson Editores. 2000. ISBN: 968-7529-79-2

Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre Transistor.

Wikcionario tiene definiciones y otra informacin sobre transistor.

Transistores Vs. Vlvulas para aplicaciones en audio de alta fidelidad,

Circuitos Electrnicos. Anlisis, simulacin y diseo , Ed.

Oscar Bonello, fundador de la compaa Solidyne y miembro de Audio

Engineering Society (AES), propone una interpretacin posible sobre la

rivalidad entre entusiastas de una u otra tecnologa.

Como funcionan realmente los transistores Versin original en Ingls
Smbolos de transistores

ANEXOS
Intel inventa los transistores en tres dimensiones

43

Intel ha dado a conocer una nueva tecnologa de fabricacin de transistores

denominada Tri-Gate, consistente en estructuras tridimensionales, en la que
lleva trabajando los ltimos aos. Su intencin es producirlos en grandes
volmenes para una generacin de chips de 22 nanmetros que llevar el nombre
de Ivy Bridge.
Los transistores en tres dimensiones son una reinterpretacin del transistor
convencional, y rompen con la estructura bidimensional hasta ahora utilizada para
estos componentes que integran los procesadores de ordenadores, telfonos
mviles y aparatos electrnicos, as como electrodomsticos y vehculos. Su
estructura permitir continuar aumentando la densidad de transistores
integrada en los chips, y por tanto seguir cumpliendo la Ley de Moore, segn la
cual esta densidad se duplica cada dos aos.
Gracias a los transistores Tri-Gate los chips podrn consumir menos energa y
ofrecer ms potencia, incrementando el rendimiento de los chips de 22
nanmetros hasta un 37% en voltajes bajos en comparacin con los de 32
nanmetros.

44

La denominacin Tri-Gate proviene de los tres lados de su puerta, segn la

compaa. Mientras los transistores convencionales planos tienen una nica
puerta en la parte superior, los tridimensionales tienen puertas a cada uno de los
tres lados expuestos de la conduccin, permitiendo que la corriente circule con
todo el flujo posible cuando funciona y que casi se anule cuando est apagado,
minimizando el consumo energtico. En la imagen superior se aprecia a la
izquierda un transistor convencional frente a uno tridimensional (derecha).
Intel ya dispone de un prototipo de Ivy Bridge basado en estos transistores,
aunque no estar listo para su fabricacin a gran escala hasta finales de ao.
En este vdeo la compaa explica las principales caractersticas de estos
transistores (en ingls).

Sesenta aos reduciendo el tamao de los transistores

45

En 1953 se mont una radio con 4 transistores; el ltimo chip de Intel tiene
820 millones

A finales de 1947, los laboratorios Bell inventaron de la mano de John

Bardeen, Walter Brattain y William Shockley el transistor, por el que
recibieron el Nobel de Qumica en 1956. Basado en semiconductores como
el silicio -deja pasar la corriente o la corta segn su estado-, un transistor es
algo parecido a un interruptor. Sesenta aos despus su descubrimiento
est presente en la mayora de los aparatos creados por el hombre gracias
a la electrnica.

El transistor se aplic de forma industrial, en primer lugar, a los aparatos de

radio. Hasta entonces, las ondas sonoras se amplificaban para que las
captara el odo humano mediante vlvulas al vaco, muy grandes y
costosas. El transistor, mucho ms barato, y sobre todo ms pequeo,
permite amplificarlas igualmente, pues otra de las virtudes del transistor,
adems de cerrar o abrir el paso a la corriente o al audio, es dejarla pasar
con mayor o menor intensidad. As, en 1954 se vendi en EE UU la primera
radio con transistores, en concreto con cuatro. Sin embargo, el primer
aparato que mont un transistor fue un sonotone un ao antes.

En aquella poca, los transistores se fabricaban de uno en uno, y se

aplicaban a radios, telfonos o, incluso, ordenadores. Estos ltimos realizan
sus clculos, procesan datos, reproducen DVD o visualizan fotografas
basndose en una informacin binaria de nicamente dos posiciones.
Concretamente del 1, que se obtiene cuando el transistor deja pasar la
corriente, y del 0, cuando no. Sin embargo, para que los ordenadores
pudieran desarrollar instrucciones ms complejas, no vala con un nico
transistor. El reto fue comunicar muchos transistores y eso se consigui con
los circuitos integrados de transistores. A partir de aqu, la carrera fue
vertiginosa.

46

Intel, el primer fabricante mundial de chips para ordenadores, ha mantenido

la apuesta, lanzada por uno de sus fundadores, Gordon Moore, de duplicar
cada dos aos el nmero de transistores que se montan en un chip o
procesador. A ms transistores ms rdenes se pueden dar, lo que redunda
en mayor velocidad y mayor capacidad para realizar operaciones ms
complejas.

Hasta ahora, la apuesta se ha ido cumpliendo. De hecho, el primer

procesador que mont la multinacional estadounidense, el 4004 en 1971,
tena 2.300 transistores. El ltimo, el Core 2 quad, alcanza los 820 millones.
Y todo eso en un cuadrado de silicio pulido del tamao de un pulgar.

Semejante prodigio ha sido resultado de una vertiginosa apuesta por una

miniaturizacin de dimensiones imperceptibles. De hecho, los milmetros
son gigantescos y se miden en nanmetros (mil millones de veces ms
pequeo que un metro). El ltimo procesador de Intel se ha elaborado en
un proceso de produccin a 45 nanmetros. Eso explica que el proceso de
elaboracin del nuevo chip dure 12 semanas.

Pero las exigencias del mercado, que busca ordenadores ms rpidos y

capaces de funciones mucho ms sofisticadas, obliga a seguir reduciendo
el tamao. Antonino Albarrn, director tecnolgico de Intel Iberia, asegura
que todava hay camino. De hecho, dentro de dos aos se trabajar a 32
nanmetros y para 2020 se alcanzarn los 7 u 8, el lmite. Para ello, los
chip del futuro no sern planos sino tridimensionales. Eso s, el ojo humano
no podr apreciarlo.

47

LOS TRANSISTORES DE NANOTUBOS MS PEQUEOS

JAMS CREADOS SUPERAN A LOS DE SILICIO

Nanopuerta: Una ilustracin conceptual muestra

un nanotubo posicionado entre la fuente y el
drenador de un transistor.
Fuente: IBM
Informtica
Un dispositivo de nueve nanmetros demuestra
que los nanotubos podran ser una alternativa viable al silicio a medida que la
electrnica se haga cada vez ms pequea.
El transistor de nanotubos de carbono ms pequeo jams creado, un dispositivo
de nueve nanmetros, funciona mejor de lo que lo haya hecho cualquier otro
transistor del mismo tamao.
Durante ms de una dcada, los investigadores han prometido que los nanotubos
de carbono, con sus propiedades elctricas superiores, permitiran crear mejores
transistores a tamaos cada vez ms pequeos, aunque esa afirmacin no haba
sido probada en el laboratorio a tales extremos. Investigadores de IBM han
fabricado transistores de nanotubos y aseguran que esta es la primera evidencia
experimental de que el material resulta un potencial reemplazo viable del silicio a
un tamao menor de 10 nanmetros.

48

"Los resultados realmente resaltan el valor de los nanotubos en el tipo ms

sofisticado de transistores", afirma John Rogers, profesor de ciencias de los
materiales en la Universidad de Illinois en Urbana-Champaign (EE.UU.).
"Sugieren, muy claramente, que los nanotubos tienen el potencial de lograr
realmente competir con el silicio, o de ser un elemento complementario".
La disminucin del tamao de los transistores de silicio en las ltimas dcadas ha
reducido el coste de la electrnica y ha conducido a una mayor potencia de
procesamiento con un menor consumo de energa. Sin embargo, la reduccin de
la electrnica de silicio podra tener su lmite alrededor de los 10 nanmetros,
indica Aaron Franklin, investigador del Centro de Investigacin Watson de IBM en
Yorktown Heights, Nueva York. "Estamos llegando a los lmites fsicos", seala. A
medida que los transistores se hacen ms pequeos, es ms difcil controlar el
modo en que los electrones se mueven a travs del canal de silicio para encender
y apagar el transistor. Al tener que hacer frente a este comportamiento 'rebelde'
que incrementa el consumo energtico, Intel anunci el ao pasado que cambiara
a un nuevo diseo de transistor en tres dimensiones para su generacin de chips
de 22 nanmetros. Otras empresas, sin embargo, estn trabajando en los
llamados transistores de cuerpo ultrafino. No obstante, al margen de la forma que
se le d, el silicio es silicio, y utilizarlo a tamaos tan pequeos presenta
problemas incluso en estos nuevos diseos.
Se ha dicho de muchos materiales, entre ellos los nanotubos de carbono, que son
el reemplazo potencial del silicio. Los nanotubos y otros materiales han resultado
prometedores para su uso en transistores ms grandes, pero hasta ahora nadie
haba hecho una demostracin de un transistor de nanotubos de carbono de
menos de 10 nanmetros. "Si los nanotubos no logran ir mucho ms lejos que el
silicio, trabajar en ellos es una prdida de tiempo", seala Franklin. "Hemos hecho
transistores de nanotubos de dimensiones enormemente reducidas, y hemos
demostrado que son mucho mejores que los mejores dispositivos de silicio".

49

Para comprobar cmo afecta el tamao de un transistor de nanotubos a su

rendimiento, el grupo de Franklin cre varios transistores de diferentes tamaos a
lo largo de un nico nanotubo. Esto les permiti controlar las posibles variaciones
que puedan producirse de nanotubo a nanotubo. En primer lugar, tuvieron que
colocar una capa muy delgada de material aislante sobre la que asentar los
nanotubos. Despus, desarrollaron un proceso de dos pasos para agregarles
puertas elctricas sin daarlos. Estas tcnicas no estn en absoluto listas para la
manufactura, pero permitieron al grupo de IBM crear los primeros dispositivos de
nanotubos de menos de 10 nanmetros y ponerlos a prueba en el laboratorio. El
trabajo se describe en la revista Nano Letters.
El grupo de IBM demostr que su transistor de nanotubos de nueve nanmetros
tena un consumo de energa mucho menor que otros transistores del mismo
tamao. Adems, puede llevar ms corriente que otros dispositivos de silicio
comparables, lo que da como resultado una mejor seal.
Siguen existiendo varios problemas de ingeniera importantes, explica Franklin. En
primer lugar, los investigadores tienen que encontrar mejores mtodos para crear
lotes puros de nanotubos semiconductores: aadir tubos metlicos a la mezcla
provocara cortocircuitos en los circuitos integrados. En segundo lugar, deben
crear un modo de colocar un gran nmero de nanotubos en una superficie con una
alineacin perfecta.

50

Principio del formulario

Final del formulario

Intel reinventa el transistor

empleando una nueva estructura
tridimensional
Publicado por Intel Espaa en Sala de noticias Intel Espaa encendido 04-may2011 9:45:23
Los nuevos transistores para los chips de 22 nanmetros combinan ahorro
energtico y mayores prestaciones como nunca hasta ahora

ASPECTOS DESTACADOS

Intel

anuncia

una

importante

revolucin

tcnica

una

innovacin histrica en el campo de los microprocesadores: los

primeros transistores en tres dimensiones, con la tecnologa
que Intel ha bautizado como Tri-Gate.

51

La transicin a los transistores tridimensionales Tri-Gate

permite mantener la constancia en los avances tecnolgicos, y
permitir que la Ley de Moore se siga cumpliendo durante aos.

Su capacidad indita para combinar prestaciones superiores

con ahorro energtico abre las puertas a nuevas posibilidades
de innovacin para toda una gama de dispositivos basados en
chips de 22 nm, que iran desde los dispositivos mviles ms
pequeos hasta potentes servidores para computacin en nube.

Un nuevo microprocesador de 22 nm, bajo el nombre en clave

"Ivy Bridge", ser el primer chip de produccin en masa en
emplear los transistores tridimensionales Tri-Gate.

Madrid, 4 de mayo de 2011.- Intel Corporation ha anunciado hoy un importante

salto cualitativo en la evolucin de los transistores, los microscpicos
componentes clave en toda la electrnica moderna. Por vez primera desde la
invencin de los transistores de silicio hace ya ms de 50 aos, Intel iniciar la
produccin en masa de transistores creados con estructuras tridimensionales. As,
la compaa introducir un revolucionario diseo de transistores tridimensionales,
llamados Tri-Gate, que la compaa ya plante por primera vez en 2002, y los
producir en grandes volmenes en el nodo de 22 nanmetros para una
generacin de chips que Intel ha bautizado con el nombre en clave de Ivy Bridge.
Los

transistores tridimensionales Tri-Gate

representan

una

ruptura

fundamental con la estructura bidimensional que durante dcadas no slo ha dado

vida a todos los ordenadores, mviles y dispositivos electrnicos creados hasta la
fecha, sino a todos los controles electrnicos de coches, vehculos espaciales,
electrodomsticos, equipamientos mdicos y, a efectos prcticos, los miles de
dispositivos cotidianos.
Los cientficos e ingenieros de Intel han reinventado el transistor una vez
ms, y esta vez lo han hecho abrindolos a la tercera dimensin, afirma Paul
52

Otellini, presidente y consejero delegado de Intel. Las posibilidades que ofrecen

estos nuevos transistores contribuirn a crear dispositivos increbles que
cambiarn el mundo y nos permitirn seguir cumpliendo con la Ley de Moore
adentrndonos en nuevos campos, aadi.
Desde hace aos, los cientficos son conscientes de las ventajas que
presentaran la estructura tridimensional en los transistores de cara a seguir
cumpliendo la Ley de Moore, mxime en un momento en el que las dimensiones
de los dispositivos se reducen hasta tal punto que las leyes de la fsica se
convierten en obstculos para la innovacin. La clave de la revolucin a la que
asistimos hoy es la capacidad de Intel de implementar su novedoso diseo de
transistores tridimensionales Tri-Gate en la produccin a gran escala, inaugurando
con ello una nueva era para la Ley de Moore y posibilitando as la creacin de una
nueva generacin de productos innovadores para un amplio espectro de
dispositivos.
La Ley de Moore es una prediccin del desarrollo de la tecnologa de
semiconductores de silicio que afirma que la densidad de los transistores de un
chip se dobla aproximadamente cada 2 aos, aumentando as su funcionalidad y
prestaciones, al tiempo que se reducen los costes. Esta Ley se ha erigido en el
modelo bsico de negocio para el sector de los semiconductores desde hace ya
ms de 40 aos.
Un ahorro energtico y un aumento de las prestaciones sin precedentes
Los transistores tridimensionales Tri-Gate de Intel permiten a los chips
basados en ellos operar a un voltaje ms reducido con menores prdidas
elctricas, con lo que, si se los compara con los transistores ms avanzados de la
generacin anterior, ofrecen una combinacin de prestaciones y eficiencia
energtica sin precedentes. Estas posibilidades brindan a los diseadores de
chips la suficiente flexibilidad como para elegir diseos de transistores orientados
a un menor consumo energtico o a alcanzar las mximas prestaciones,
dependiendo de la finalidad del chip.
53

Los transistores tridimensionales Tri-Gate en 22 nanmetros ofrecen un

incremento del rendimiento de hasta un 37% en voltajes bajos respecto a los
transistores de 32 nm que Intel produce en la actualidad. Este increble aumento
de las prestaciones facilita su uso en pequeos dispositivos mviles, ya que
emplean menos energa al cambiar entre sus estados. Por otro lado, a igualdad de
rendimiento, estos nuevos transistores consumen menos de la mitad energa que
los transistores bidimensionales empleados en los chips de 32 nm.
El aumento del rendimiento y el ahorro energtico que ofrecen los
transistores tridimensionales Tri-Gate, exclusivos de Intel, no tienen comparacin
con ninguno otro que hayamos visto antes, afirma Mark Bohr, investigador jefe de
Intel. Este logro revolucionario va ms all de una mera perpetuacin de la Ley
de Moore. Lo ptimo de su comportamiento en entornos de bajo voltaje y
consumos energticos reducidos supera con creces los avances que hemos vivido
en el pasado al evolucionar de un nodo de proceso al siguiente. Estos transistores
brindarn a los diseadores de productos la suficiente flexibilidad como para hacer
que los dispositivos actuales sean ms inteligentes y adems crear nuevos
productos. Desde Intel, creemos que este logro tcnico aumentar ms si cabe la
ventaja tecnolgica de la compaa respecto del resto del sector de los
semiconductores.
Manteniendo el ritmo innovador: la Ley de Moore
Cada da los transistores son ms pequeos y baratos y alcanzan una
mayor eficiencia energtica, tal y como reza la Ley de Moore, que recibe su
nombre por Gordon Moore, cofundador de Intel. Gracias a esta evolucin, Intel ha
podido innovar e integrar en sus productos, aadiendo ms funciones y ncleos de
ejecucin a cada generacin de chips, aumentando sus prestaciones y reduciendo
el coste de produccin por transistor.
Con la introduccin de la generacin de proceso de 22 nm, mantener la
evolucin de la Ley de Moore es una labor ms compleja que nunca. En previsin
de este problema, en 2002, los cientficos de Intel inventaron lo que dieron en
54

llamar como transistores Tri-Gate, que reciben su nombre por los tres lados de su
"puerta". La presentacin de hoy es fruto de aos de trabajo altamente coordinado
por parte de las reas de investigacin, desarrollo y produccin de Intel, y marca la
implementacin de este proyecto en la produccin a gran escala.
Los transistores tridimensionales Tri-Gate son una reinterpretacin del
transistor convencional. As, los tradicionales transistores bidimensionales planos
se ven reemplazados por conducciones tridimensionales de silicio de un grosor
increblemente reducido, que se alzan en vertical desde el sustrato de silicio. El
control de las corrientes se realiza mediante la implementacin de "puertas" a
cada uno de los tres lados expuestos de la conduccin, dos en cada lado y una
tercera en la parte superior, en lugar de una nica puerta en la parte superior,
como suele ser el caso de los transistores bidimensionales. El control adicional
que brindan estas puertas permite que la corriente circule con todo el flujo posible
cuando el transistor est en el estado "ON" (para un mayor rendimiento), y que
esta sea prcticamente nula cuando ste est en su estado "OFF" (para minimizar
el consumo energtico). Adems, este sistema permite al transistor pasar de uno a
otro estado con gran rapidez, una vez ms, para alcanzar las mximas
prestaciones posibles.
Del mismo modo en que los rascacielos permiten a los urbanistas optimizar
el uso del espacio disponible mediante la construccin en altura, la estructura de
los transistores tridimensionales Tri-Gate de Intel ofrece un medio de optimizar la
densidad. Dado que estas conducciones son de perfil vertical, pueden colocarse
juntas en menor espacio, un factor crtico a la hora de aprovechar las ventajas
tecnolgicas y econmicas que plantea la Ley de Moore. De cara a futuras
generaciones de productos, los diseadores tendrn la posibilidad de seguir
desarrollando estas conducciones en vertical para obtener as un rendimiento y
una eficiencia energtica an mayores.
Para Moore, durante aos hemos visto limitaciones a la miniaturizacin de
los transistores. Este cambio en la estructura bsica del transistor constituye un
55

planteamiento revolucionario que debera posibilitar la continuacin de la Ley de

Moore y de la cadencia histrica de la innovacin.
La primera muestra de transistores tridimensionales Tri-Gate en proceso de
22 nm de la historia
Los transistores tridimensionales Tri-Gate se implementarn en el prximo
proceso de produccin de la compaa, llamado nodo de 22 nm en referencia al
tamao de los elementos de cada transistor. As, gracias al proceso de 22 nm, en
el punto final de esta frase podran caber ms de 6 millones de transistores TriGate.
Hoy Intel ha mostrado al pblico su primer procesador realizado en 22 nm
bajo el nombre en clave Ivy Bridge, que se ha podido ver en un ordenador
porttil, en uno de sobremesa y en un servidor. Los procesadores de la familia
Intel Core basados en Ivy Bridge sern los primeros en implementar la
produccin en masa de transistores tridimensionales Tri-Gate. Intel prev que la
familia Ivy Bridge est lista para la produccin a gran escala antes de fin de ao.
Esta revolucin en la tecnologa de los semiconductores contribuir adems
a ofrecer productos basados en los procesadores Intel Atom ms integrados y
que permitan contar con el rendimiento, funcionalidad y compatibilidad de software
necesario para una amplia variedad de sectores de mercado, al tiempo que
satisfagan sus requisitos de consumo energtico, coste y tamao.
Acerca de Intel
Intel (NASDAQ: INTC), es un lder mundial en innovacin informtica. La
compaa disea y fabrica tecnologas fundamentales que sirven como base para
los dispositivos informticos del mundo. Para ms informacin, visite la direccin:
newsroom.intel.com y blogs.intel.com.
Tambin puede seguirnos en Twitter: @intel_spain

56

* Intel, Intel Core, Atom y el logotipo de Intel son marcas comerciales de Intel
Corporation en los EE.UU. y en otros pases.
* Otras marcas pueden ser propiedad de otras compaas.

Transistores

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo
de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de
control.
Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas.
Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles
llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en un par de
segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a
vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30
segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas,
debido al gran consumo que tenan.

57

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)

Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin

de radiofrecuencia)

Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de

alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por
anchura de impulsos PWM)

Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)

Los transistores de unin (uno de los tipos ms bsicos) tienen 3 terminales

llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga
el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

58

Por otro lado, los Transistores de Efecto de Campo (FET) tienen tambin 3
terminales, que son Puerta (Gate), Drenador (Drain) y Sumidero (Sink), que
igualmentedependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar
distribuidos de varias formas.
Tipos de Transistores. Simbologa
Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las
apliaciones a las que se destinan. Aqu abajo mostramos una tabla con los tipos
de uso ms frecuente y su simbologa:

Transistor Bipolar de Unin (BJT)

Transistor de Efecto de Campo, de
Unin (JFET)
Transistor de Efecto de Campo, de
Metal-xido-Semiconductor (MOSFET)
Fototransistor

Nota: En un esquema electrnico, los transistores se representan mediante su

smbolo, el nmero de transistor (Q1, Q2, ...) y el tipo de transistor, tal como
se muestra aqu:

Aqu podemos ver una seleccin de los transistores ms tpicos, mostrando su

encapsulado y distribucin de patillas. (Para ver la imgen en grande se puede
hacer click sobre ella).

59

Encapsulado de Transistores
Ahora vamos a ver los transistores por fuera. Estn
encapsulados de diferentes formas y tamaos, dependiendo
de la funcin que vayan a desempear. Hay varios
encapsulados estndar y cada encapsulado tiene una
asignacin de terminales que puede consultarse en un
catlogo general de transistores.
Independientemente de la cpsula que tengan, todos los transistores tienen
impreso sobre su cuerpo sus datos, es decir, la referencia que indica el modelo de
transistor. Por ejemplo, en los transistores mostrados a la derecha se observa la
referencia

"MC

140".

Cpsula TO-3. Se utiliza

para transistores de gran
potencia,

que

siempre

suelen llevar un radiador de

aluminio

que

ayuda

disipar la potencia que se

genera

en

l.

Arriba a la izquierda vemos

su

distribucin

de

terminales, observando que

60

el colector es el chasis del

transistor. Ntese que los
otros terminales no estn a
la misma distancia de los
dos

agujeros.

A la derecha vemos la forma

de

colocarlo

sobre

un

radiador, con sus tornillos y

la mica aislante. La funcin
de la mica es la de aislante
elctrico

la

vez

conductor trmico. De esta

forma,

el

transistor

colector
no

est

del
en

contacto elctrico con el

radiador.
Cpsula TO-220. Se utiliza
para transistores de menos
potencia, para reguladores
de tensin en fuentes de
alimentacin

para

tiristores y triacs de baja

potencia.
Generalmente necesitan un
radiador
aunque

de
a

veces

aluminio,
no

es

necesario, si la potencia que

van a disipar es reducida.
Abajo vemos la forma de
colocarle el radiador y el
tornillo de sujeccin. Se
61

suele

colocar

una

mica

aislante entre el transistor y

el radiador, as como un
separador de plstico para
el tornillo, ya que la parte
metlica est conectada al
terminal central y a veces
no interesa que entre en
contacto elctrico con el
radiador.
Cpsula TO-126. Se utiliza
en transistores de potencia
reducida, a los que
resulta

no

generalmente

necesario

colocarles

radiador.
Arriba a la izquierda vemos
la asignacin de terminales
de un transistor BJT y de un
Tiristor.
Abajo

vemos

dos

transistores que tienen esta

cpsula

colocados

pequeos

sobre

radiadores

de

aluminio y fijados con su

tornillo correspondiente.
Cpsula TO-92. Es muy
utilizada en transistores de
pequea
En

el

seal.
centro

vemos

la

62

asignacin de terminales en
algunos

modelos

de

transistores, vistos desde

abajo.
Abajo

vemos

dos

transistores de este tipo

montados sobre una placa
de circuito impreso. Ntese
la indicacin "TR5" de la
serigrafa, que indica que en
ese lugar va montado el
transistor
circuito,

nmero
de

acuerdo

del
al

esquema elctrnico.
Cpsula TO-18. Se utiliza
en transistores de pequea
seal.

Su

cuerpo

est

formado por una carcasa

metlica

que

tiene

un

saliente

que

indica

el

terminal del Emisor.

Cpsula miniatura. Se utiliza
en transistores de pequea
seal.

Al

igual

que

el

anterior, tienen un tamao

bastante pequeo.

63

Para ms informacin acerca del encapsulado de los transistores, hemos colocado

aqu estas hojas de caractersticas. En ellas se observan la forma y dimensiones
de los diferentes tipos de transistores.

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IIMAGENES DE TRANSISTORES

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