UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA BOLIVIANA

CARRERA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

EXAMEN DE GRADO – ÁREA GENERAL

“Estructura Física De Los Componentes”.

PARA OPTAR AL TÍTULO DE LICENCIATURA EN

INGENIERÍA ELECTRÓNICA MENCIÓN INDUSTRIAL

POSTULANTE:

Univ. Miguel Karl Pardo Terán

LA PAZ – BOLIVIA

2023
 DEDICATORIA

Con todo mi amor el presente trabajo lo dedico:

Este trabajo a Dios, quien siempre ha sido el autor

de mi vida y mi destino. El mayor apoyo en tiempos
difíciles.

A mis padres Oswaldo Pardo y Kelmy Terán que

me hicieron el hombre que soy ahora, con los
valores que ellos me impulsaron desde pequeño.

A amigos y colegas que me animaron todos los

días y me ofrecieron apoyo en todo momento.

A la Universidad Tecnología Boliviana por

brindarme una oportunidad de crecer
profesionalmente.

A mis Docentes por sus enseñanzas y guiarme

durante mi estancia en la Universidad

Tecnológica Boliviana.
 AGRADECIMIENTO

Quiero agradecer en primer lugar a Dios, por

guiarme en el camino y fortalecerme
espiritualmente para empezar un camino lleno de
éxito.

A la Universidad Tecnología Boliviana que me

acogió en sus predios y por brindarme una
oportunidad de crecer profesionalmente.

A mis Docentes por haber aportado en mi

formación profesional una serie de valores
éticos, morales e intelectuales.
 CONTENIDO
CAPITULO I.......................................................................................................................1

1. INTRODUCCIÓN ........................................................................................................1

1.1 ANTECEDENTES DEL TEMA.............................................................................2

1.2 ARGUMENTACION.............................................................................................3

CAPITULO II......................................................................................................................4

2. DESARROLLO............................................................................................................4

2.1 Propiedades Eléctricas y Electrónicas de la Materia.......................................4

2.1.1 Superconductores..........................................................................................4

2.1.2 Conductor..........................................................................................................6

2.1.3 Semiconductor...................................................................................................7

2.1.4 Aislante............................................................................................................12

2.2 Componentes Pasivos....................................................................................13

2.2.1 Resistencia..................................................................................................14

2.2.2 Condensadores...........................................................................................18

2.2.3 Inductancia...................................................................................................21

2.3 Transformadores............................................................................................22

2.4 Componentes Activos.....................................................................................24

2.4.1 Diodos..........................................................................................................25

2.4.2 Transistores.................................................................................................26

2.5 Circuitos Integrados........................................................................................28

2.5.1 Historia y Evolución de los Circuitos Integrados.........................................28

2.5.2 Tipos de Circuitos Integrados......................................................................29

2.6 Otros componentes........................................................................................31

2.6.1 Multímetro....................................................................................................31

I
3. CONCLUSIONES .....................................................................................................31

3.1 Recomendaciones..........................................................................................31

3.2 Conclusión......................................................................................................32

4. BIBLIOGRAFIA.........................................................................................................32

II
ÍNDICE DE FIGURAS

Figura 1: Modelo Atómico Planetario de los Elementos Germanio y Silicio.....................9

Figura 2. Material Semiconductor con una Impureza de Valencia 5..............................11
Figura 3. Material Semiconductor con una Impureza de Valencia 3..............................12
Figura 4. Simbología de los Tipos de Resistencias........................................................16
Figura 5. Simbología de los Condensadores..................................................................19
Figura 6. Simbología de las Bobinas...............................................................................21
Figura 7. Zona P Zona N y Agotamiento de un Diodo....................................................24
Figura 8. Símbolos de los Diferentes Tipos de Diodos...................................................25
Figura 9. Simbología de los Transistores Bipolares BJT tanto como NPN PNP............26
Figura 10. Diferentes Tipos de Circuitos Integrados.......................................................30
Figura 11. Multímetro Analógico……………………………………………………………..33

III
ÍNDICE DE IMAGENES
Imagen 1. Resonancia magnética nuclear………………………………………………….. 6
Imagen 2. Resistencia Cerámica con Código de Colores...............................................14
Imagen 3. Varios Tipos de Condensadores....................................................................18
Imagen 4. Inductancias de Bobinas con Núcleo de Aire.................................................20
Imagen 6. Tipos de Transistores.....................................................................................26

IV
ÍNDICE DE TABLAS
Tabla 1: Resistividad de Materiales y Coeficiente de Resistividad a 20 C°.....................7
Tabla 2: Propiedades de Semiconductores de Uso Común a Temperatura Ambiente....8
Tabla 3. Código de Colores de Resistencias Eléctricas Empleadas en Electrónica......18
Tabla 4. Escala de Integración........................................................................................28

V
 CAPITULO I

1. INTRODUCCION

Al hacer mención de la estructura física de los componentes, se refiere a la forma

en que están construidos los distintos dispositivos electrónicos y cómo se
interconectan para formar un sistema completo.

Una de las cosas más notables en el campo de la electrónica es que los sistemas
son cada vez más minúsculos debido a la miniaturización que ha ocurrido en los
años recientes, lo cual hace que nos preguntemos hasta dónde llegarán sus
límites, en vista que hoy en día sistemas completos ahora aparecen en Circuitos
Integrados (CI), miles de veces más pequeñas que el componente electrónico
mismo que se conoció en el nacimiento de la electrónica. Jack Kilby desarrolló el
primer circuito integrado mientras trabajaba en Texas Instruments en 1958. Hoy en
día, el procesador cuádruple Intel Core 2 Extreme cuenta con 410 millones de
transistores en cada chip de doble núcleo.

Paralelamente se refleja en mejoras sustanciales en cuanto a las capacidades del

producto, las velocidades de operación actuales son en verdad extraordinarias y
cada día aparecen nuevos artefactos que a superan a sus antecesores.

Al respecto es fundamenta contar con una comprensión de la estructura física de

los componentes electrónicos para su correcto uso y para el diseño de circuitos
electrónicos eficientes y fiables que brinden soluciones a las necesidades que se
presentan en nuestro día a día, algunos de los ejemplos que se puede mencionar
es la fabricación de pretesis, domicilios inteligentes, sistemas de video vigilancia,
automatización de puetas, etc.
1.1 ANTECEDENTES DEL TEMA
La electrónica es una rama de la física que estudia el comportamiento de los
electrones y de los dispositivos que se construyen a partir de la construcción de
estos, en este sentido, el estudio de la estructura física de los componentes
eléctricos ha permitido el desarrollo tecnológico abismal a través del tiempo.
Los primeros descubrimientos científicos e invenciones se remontan a 1883
cuando se descubre que la corriente eléctrica no necesita cables para poder
circular ya que los portadores de carga pueden moverse a través de un gas o
del vacío, posteriormente este fenómeno recién es analizado por el físico
británico Owen W. Richardson a partir del cual surgen los estudios de la
emisión termoiónica (Martil, 2017)

En base a la los estudios de la emisión termoiónica John Fleming en 1904

realiza el primer avance hacia la invención de la válvula al vacío, la cual estaba
compuesta por un filamento caliente que emitía electrones, un ánodo que atraía
los electrones y un sistema de rejillas para controlar el flujo de electrones; con
la cual bajo ciertas condiciones de trabajo, se puede obtener una corriente
eléctrica (Aprende INSTITUTE, s.f.) (Mártil, 2017).

En las décadas siguientes los tubos al vacío representaban principalmente el

desarrollo de equipos como radio, teléfono, radar, calculadoras y otros
dispositivos que tenían válvulas al vació en todas sus variantes (diodos, triodos,
pentodos, etc.). Años más tarde se desarrollaron muchos otros tipos de
componentes electrónicos, incluyendo diodos, capacitores, resistencias,
inductores y otros. Posteriormente, con la invención del transistor en 1947, se
abrió una nueva era en la estructura física de los componentes electrónicos.
Los transistores eran mucho más pequeños y duraderos que las válvulas de
vacío, lo que permitió la creación de circuitos electrónicos más complejos y
compactos. Además, los transistores eran más eficientes energéticamente, lo
que los hizo más populares en la industria electrónica, estos componentes
tenían diferentes estructuras físicas y funcionales, pero todos tenían la finalidad
de controlar el flujo de corriente eléctrica en un circuito. Con la miniaturización

2
de la electrónica en los años 70 y 80, los componentes electrónicos se
volvieron cada vez más pequeños y complejos, asi mismo, los avances
tecnológicos permitieron la creación de circuitos integrados (ICs) que contenían
miles o incluso millones de componentes en un solo chip (Universidad de
Salamanca, 2011; Martil, 2017).

En la actualidad, la estructura física de los componentes electrónicos sigue

evolucionando, con el desarrollo de componentes más pequeños y eficientes,
así como la incorporación de tecnologías como la inteligencia artificial y la
robótica. La estructura física de los componentes electrónicos sigue siendo un
campo de investigación y desarrollo activo en la actualidad, con el objetivo de
crear componentes más avanzados y eficientes para la electrónica del futuro.

1.2 ARGUMENTACION
Como bien es sabido, para poder desarrollar un conocimiento concreto sobre
cualquier temática primeramente se tiene que tener un buen conocimiento
respecto a las bases del tema, es por ello que al estudiar electrónica tenemos
que tener muy en claro el funcionamiento de los componentes electrónicos y
cómo se comportan con corriente continua.No podemos simplemente cambiar
una resistencia de un valor en un circuito si no conocemos cual era el
funcionamiento de la misma o cuales eran sus valores de resistencia o potencia
pudiendo llegar a no solo comprometerse el nuevo componente electrónico que
se coloque, sino que podría comprometer el buen funcionamiento del circuito
electrónico.Es por ello que la teoría de circuitos es una de las materias más
importantes en la carrera de Ingeniería Electrónica ya que aprendemos cómo
se comportan los componentes electrónicos en un circuito, determinamos
cuales son las características de cada componente electrónico para su buen
funcionamiento dentro del circuito.

3
 CAPITULO II

2. DESARROLLO
Es importante partir por conocer la estructura y composición de los circuitos
electrónicos para poder realizar un estudio objetivo de sus propiedades, para lo cual
se partirá de conocer su estructura atómica y molecular.

2.1 Propiedades Eléctricas y Electrónicas de la Materia

Una de las propiedades mas importantes de los materiales es la conducción
eléctrica. Esto no debe de extrañar, como consecuencia de la naturaleza
electrónica del enlace atómico. La conducción eléctrica es el resultado del
movimiento de los portadores de carga (como los electrones) dentro del
material. (Shackelford, 2005, pág. 524)

Los electrones son los portadores de carga en metales. Por supuesto que los
electrones tienen carga negativa. En semiconductores, los electrones conducen
carga en la misma forma que los portadores de carga positiva conocidos como
orificios o huecos.

Los materiales electrónicos pueden clasificarse como a) superconductores, b)

conductores, c) semiconductores y d) dieléctricos o aislantes, dependiendo de
la magnitud de su conductividad eléctrica. Los materiales con una
conductividad menor a 10−12 Ω−1 ⋅ c m−1, o resistividad mayor a 1012 Ω ⋅cm , son
considerados aislantes o dieléctricos; los materiales con conductividad menor a
3 −1 −1
10 Ω ⋅ c m pero mayor a 10−12 Ω−1 ⋅ c m−1 son considerados semiconductores.
Los materiales con conductividad mayor a 103 Ω−1 ⋅ c m−1 , o resistividad menor a
−3 −1 −1
10 Ω ⋅c m , son considerados conductores. (Estos son intervalos
aproximados de valores.) (Askeland, Fulay, & Wright, 2011, pág. 722)

2.1.1 Superconductores
La superconducción, o superconductividad, y una de sus consecuencias, la
levitación magnética, fueron descubiertas en 1911 por el físico holandés H. K.
Onnes, premio Nobel de Física en 1913. El investigador notó, entre otros
notables efectos, que el mercurio y el plomo se convierten en conductores

4
perfectos, cuando su temperatura es menor de cuatro grados Kelvin, o 269
grados centígrados bajo cero. La resistencia eléctrica del material se anula
por completo y una corriente eléctrica que estuviera circulando, se mantiene,
indefinidamente, y sin gasto de energía. El plomo y el mercurio son
superconductores de baja temperatura.

En 1986 K. A. Müller y J. G. Bednorz desarrollaron materiales que presentan

superconductividad a temperaturas superiores a los 77 K y recibieron, por
eso, el premio Nobel de Física de 1987. La receta para fabricarlos resultó tan
sencilla después del descubrimiento, que la hija de uno de ellos la puso en
práctica en una feria escolar de ciencias. Esos materiales, de la familia de los
cerámicos, se conocen como YBCO, en inglés óxidos de itrio, bario y cobre, y
son superconductores de alta temperatura. Aquí alta significa 195 grados bajo
cero, 5 que es la temperatura de ebullición del nitrógeno a la presión normal.
Ese gas es el más abundante del aire. La explicación de la
superconductividad se basa en la física cuántica y es algo complejo,
especialmente, la de alta temperatura. (Rela, 2010, pág. 67)

La superconductividad tiene muchas aplicaciones prácticas, se los usa en

trenes de alta velocidad, que levitan sin rozamiento sobre rieles magnéticos.
En algunos tomógrafos computados, en hospitales, se hacen circular, por
superconductores, corrientes eléctricas muy grandes, que generan campos
magnéticos intensos, necesarios para el análisis por resonancia magnética
nuclear. Los reactores de fusión nuclear, hoy todavía experimentales,
emplean superconductores para las grandes corrientes que generan el campo
magnético que mantiene el plasma en su sitio. Se usan, también, en el Gran
Chocador de Hadrones, en Suiza, donde forman parte de los electroimanes
que hacen girar en círculos las partículas aceleradas. Algunas estaciones de
telefonía celular emplean superconductores en sus generadores de
microondas, y se los usa también en memorias de computadoras de alta

5
velocidad. Quizá la energía de las centrales eléctricas se transmita, algún día,
por superconductores de temperatura ambiente, si su existencia fuera
posible. (Rela, 2010, pág. 67)

Imagen 1. Resonancia magnética nuclear.

Fuente: (ICMA, 2013)

2.1.2 Conductor
Los materiales conductores son aquéllos que tienen altos valores de
conductividad. La conductividad de los conductores típicos es del orden
de 10 ×106 Ω−1 ⋅m−1. La expresión general de la conductividad, puede
reescribirse para los materiales conductores como:

σ =ne qe μ e

Donde el subíndice ℮ hace referencia a la conducción eléctrica pura, y σ

es la que resulta exclusivamente del movimiento de electrones. (La
conducción eléctrica se refiere al valor de σ que puede proceder del
movimiento de cualquier tipo de portador.) El modelo de bandas de la
sección anterior muestra la importancia de la movilidad del electrón, μe , en
la conductividad de los conductores metálicos. Esto se pone de manifiesto
claramente mediante el efecto de dos variables (temperatura y

6
composición) sobre la conductividad de los metales. (Shackelford, 2005,
pág. 535)

Tabla 1: Resistividad de Materiales y Coeficiente de Resistividad a 20 C°

Fuente: Electronicaunicrom
Recuperado: https://unicrom.com/variacion-resistencia-material-con-temperatura/

Para fines de transmisión de energía y para igual corriente, el aluminio es

más barato y liviano que el cobre; y en las aplicaciones de alta tensión los
inconvenientes de empalme y resistencia de contacto se pueden resolver
satisfactoriamente. Es ventajoso, también, en las instalaciones de grandes
edificios e industrias, donde se lo usa en forma de barras. Pero sus
empalmes requieren personal idóneo de instalación y mantenimiento.

Para conductores de pequeño calibre es preferible el cobre, porque ocupa

menos sitio, ahorra aislación y es fácil de unir a presión y de soldar. (Rela,
2010, pág. 71)

2.1.3 Semiconductor
Es un material (sólido o líquido) capaz de conducir la electricidad mejor
que un aislante, pero no mejor que un conductor.

Los semiconductores puros se comportan como aislantes. Sometidos a

altas temperaturas, mezclados con impurezas o en presencia de luz, la
conductividad de los semiconductores puede aumentar de forma

7
extraordinaria y llegar a alcanzar niveles cercanos a los de los
conductores.

La magnitud conductiva que tienen los semiconductores es intermedia

entre los conductores y aislantes, este rango intermedio corresponde a
separaciones entre bandas de energía de menos de 2eV. En un
semiconductor simple tanto los electrones de conducción como los
huevos electrónicos son portadores de carga.

Los materiales semiconductores tienen propiedades a temperatura

ambiente.

Tabla 2: Propiedades de Semiconductores de Uso Común a Temperatura Ambiente

Fuente: (Askeland, Fulay, & Wright, 2011, pág. 733)

Los materiales semiconductores más utilizados en los componentes

electrónicos son el silicio y el germanio, el germanio con un numero
atómico 32 y el silicio con un numero atómico de 14.

8
 Figura 1: Modelo Atómico Planetario de los Elementos Germanio y Silicio
Fuente: Manual Electrónica Básica I, Ternium, pág. 21.

Como se puede ver estos semiconductores se caracterizan por tener un

núcleo de +4 (4 protones) y 4 electrones de valencia.

Los electrones de valencia son los que “orbitan” en la parte exterior del
átomo estos electrones de valencia también indican si los átomos de un
elemento son metales o no.

Los semiconductores elementales puros se denominan semiconductores

intrínsecos.

Se pondrá de manifiesto el importante papel que tienen las impurezas en

la tecnología de los materiales semiconductores al explicar los
semiconductores extrínsecos.

2.1.3.1 Materiales intrínsecos

El término intrínseco se aplica a cualquier material semiconductor
que haya sido cuidadosamente refinado para reducir el número de
impurezas a un nivel muy bajo; en esencia, lo más puro posible que
se pueda fabricar utilizando tecnología actual.

9
Para apreciar plenamente por qué Si, Ge y GaAs son los
semiconductores más utilizados por la industria electrónica, hay que
entender la estructura atómica de cada uno y cómo están enlazados
los átomos entre sí para formar una estructura cristalina. Todo átomo
se compone de tres partículas básicas: electrón, protón y neutrón.
En la estructura entrelazada, los neutrones y los protones forman el
núcleo; los electrones aparecen en órbitas fijas alrededor de éste.

Una importante e interesante diferencia entre semiconductores y

conductores es su reacción ante la aplicación de calor. En el caso de
los conductores, la resistencia se incrementa con un aumento de
calor. Esto se debe a que el número de portadores presentes en un
conductor no se incrementan de manera significativa con la
temperatura, aunque su patrón de vibración con respecto a un lugar
relativamente fijo dificulta cada vez más el flujo continuo de
portadores a través del material. Se dice que los materiales que
reaccionan de esta manera tienen un coeficiente de temperatura
positivo. Los materiales semiconductores, sin embargo, presentan
un nivel incrementado de conductividad con la aplicación de calor.
Conforme se eleva la temperatura,un mayor número de electrones
de valencia absorben suficiente energía térmica para romper el
enlace covalente y así contribuir al número de portadores libres. Por
consiguiente: Los materiales semiconductores tienen un coeficiente
de temperatura negativo.

2.1.1.2 Semiconductor Extrínsecos

La dependencia en la temperatura, que tiene la conductividad en
semiconductores intrínsecos, es casi exponencial pero no es útil
para aplicaciones prácticas. No se puede controlar con precisión el
comportamiento de un semiconductor intrínseco porque ligeras
variaciones en temperatura pueden cambiar de manera importante la
conductividad. Al agregar intencionalmente un pequeño número de

10
átomos de impurezas al material (procedimiento conocido como
dopado o adulteración), es posible producir un semiconductor
extrínseco. La conductividad del semiconductor extrínseco depende
principalmente del número de átomos de impurezas, o dopante, y en
cierto margen de temperatura es independiente de la temperatura.
Esta capacidad de tener una conductividad ajustable, independiente
de la temperatura, es la razón por la que casi siempre se usan
semiconductores extrínsecos para fabricar dispositivos.

2.1.3.2 Semiconductor tipo n

Suponga que al silicio o al germanio se agrega un átomo de
impureza, por ejemplo, de antimonio, que tiene una valencia de
cinco. Cuatro de los electrones del átomo de antimonio participan en
el proceso de enlace covalente, en tanto que el electrón adicional
entra a un nivel de energía justo por debajo de la banda de
conducción.

Figura 2. Material Semiconductor con una Impureza de Valencia 5.

Fuente: Manual Electrónica Básica I, Ternium, pág. 21.

11
Como el electrón adicional no está enlazado fuertemente a los
átomos, sólo se requiere de un pequeño aumento en energía, para
que el electrón entre a la banda de conducción. Un dopante tipo n
“dona” un electrón libre por cada impureza agregada. No se crean
orificios correspondientes cuando los electrones donantes entran a
la banda de conducción. Se da el caso de que pares electrón-orificio
son creados cuando la energía térmica hace que los electrones sean
promovidos a la banda de conducción desde la banda de valencia;
no obstante, el número de pares electrón-orificio es de importancia
sólo a altas temperaturas. (Askeland, Fulay, & Wright, 2011, pág.
737)

2.1.3.3 Semiconductor tipo p

Cuando al Si o al Ge se le agrega una impureza de galio o de boro,
que tiene una valencia de tres, no hay suficientes electrones para
completar el proceso de enlace covalente. Se crea un orificio en la
banda de valencia que puede ser llenado por electrones desde otros
lugares de la banda.

Figura 3. Material Semiconductor con una Impureza de Valencia 3

Fuente: Manual Electrónica Básica I, Ternium, pág. 21.

12
 Los orificios actúan como “aceptantes” de electrones. Estos lugares
de orificios tienen una energía un poco más alta de lo normal y crean
un nivel aceptante de posibles energías de electrones justo arriba de
la banda de valencia. El orificio entonces porta energía. Éste se
conoce como semiconductor tipo p. (Askeland, Fulay, & Wright,
2011, pág. 737)

2.1.4 Aislante

Los materiales aislantes son elementos que prácticamente no conduce la

corriente eléctrica. No existe un aislante ideal, es decir que no conduzca
absolutamente nada de corriente.
Los aislantes son materiales con baja conductividad. La reducida
conductividad de aproximadamente 20 órdenes de magnitud (en
comparación con los metales típicos) es el resultado de una separación
entre bandas mayor que 2 eV (en los metales esta separación es nula).
Es importante hacer notar que los materiales de baja conductividad son
parte importante de la industria electrónica. Por ejemplo,
aproximadamente el 80 por ciento del mercado de cerámicos industriales
mundial pertenece a esta categoría. En el uso industrial predominante de
los cerámicos electrónicos está basado en su comportamiento magnético.
(Shackelford, 2005, pág. 547)
Uno de los conceptos importantes que se manejamos es la separación
entre bandas. Cuando se aplica voltaje al material, un electrón puede
responder al voltaje solo si puede moverse a un estado cuántico
ligeramente más alto, teniendo un poco más de energía al ser afectado
por el voltaje. Esto será posible solo si hay algunos estados libres
cercanos a los que el electrón pueda saltar. Este es el caso de los
materiales conductores.

Por otro lado, si las bandas se llenan de manera que se ocupa

exactamente el límite superior de una banda, entonces los electrones no

13
 pueden responder a un campo eléctrico, ya que hay una brecha de
energía que les impide llegar a un estado cuántico en el que pueden
moverse libremente. Un material con estas características es lo que
conocemos como aislante.

2.2 Componentes Pasivos

Son aquellos componentes de los circuitos que disipan o almacenan energía

eléctrica y constituyen por ello los receptores o cargas de una red. Estos
elementos son modelos matemáticos lineales e ideales de los elementos físicos
del circuito que individualmente pueden presentar las siguientes propiedades:
a) disipación de energía eléctrica (R: resistencia); b) almacenamiento de
energía en campos magnéticos (L: coeficiente de autoinducción); c)
almacenamiento de energía en campos eléctricos (C: capacidad). Las tres
propiedades pueden darse en mayor o menor grado en el comportamiento de
un componente de un circuito real, por ello las características de los
componentes prácticos pueden sintetizarse por medio de una adecuada
combinación de R, L y C.

El término pasivo significa que los elementos no contienen generadores y en

consecuencia no puede aparecer ninguna tensión y corriente en sus terminales
si no se aplica una fuente de energía externa. (Mora, 2012, pág. 15)

2.2.1 Resistencia

La función de una resistencia en un circuito es dificultar el paso de la

corriente eléctrica y, como consecuencia producir una caída de tensión
entre sus terminales, transformando la energía eléctrica en calor.

Imagen 1. Resistencia Cerámica con Código de Colores

14
 Fuente: (Reyes, 2015)

La resistencia vista en la imagen 2 es una de las tantas resistencias que

existen hay una variedad de tipos y para usos específicos desde
resistencias variables, SMD, algunos recubiertos de carbón y otros de
metal.

Las Variedad en tipos de resistencias electrónicas hacen que la

simbología sea amplia, la simbología en circuitos nos ayuda a identificar
no solo los componentes si no también la característica de los mismos.

15
16
 Figura 4. Simbología de los Tipos de Resistencias.
Fuente: (Glosario Terminologia Informatica)

Las resistencias permiten distribuir adecuadamente los valores de

tensión e intensidad en los diferentes puntos del circuito electrónico.
Los parámetros o valores característicos de las resistencias son los
siguientes:

Valor óhmico (R). Mide el grado de oposición al paso de la corriente

y se expresa en ohmios (Ω). El valor puede estar indicando
numéricamente en la superficie de la resistencia o mediante franjas
de colores.

Tolerancia. Indica los valores máximo y mínimo entre los cuales

estará comprendido su valor óhmico real. Se expresa en forma de
porcentaje del valor óhmico: ±1%, ±2%, ±5%, ±10% y ±20%.

Potencia que puede disipar. Indica la potencia máxima a la que es

capaz de trabajar sin que se produzca un sobrecalentamiento

17
 excesivo. Se expresa en vatios (W). las potencias normalizadas mas
usuales son 1/8 W, 1/4 W, 1/3 W, 1/2 W, 1 W, 2 W, 5 W Y 10 W.
(Escribano, 2005, pág. 57)

Para poder identificar todas las características de las resistencias se

tiene el código de colores en este código nos indica el valor óhmico y
la tolerancia que tiene la resistencia.

Tabla 3. Código de Colores de Resistencias Eléctricas Empleadas en Electrónica.

Fuente: (Electrónica Unicrom, 2016)
También las resistencias se caracterizan en tres tipos Fijas, Variables
y dependientes.

2.2.2 Condensadores
Un capacitor, o condensador, es un objeto construido especialmente para
almacenar cargas eléctricas. Se usan mucho en los circuitos electrónicos
para retardar señales o para separar las de diferente frecuencia. La forma
más difundida es el capacitor plano, formado por dos placas conductoras
paralelas, separadas por un dieléctrico, o materia aislante. Hay
capacitores de muchas formas constructivas.

18
 Imagen 2. Varios Tipos de Condensadores.
Fuente: (VidaBytes, 2020)

La más simple es un disco aislante metalizado en ambas caras, con dos

alambres soldados y recubierto de plástico para mejor aislación. Se hacen
también de papel y aluminio, o de plástico aluminizado, y se enrollan para
que ocupen menos sitio. Los más pequeños (como el de la derecha) se
llaman electrolíticos polarizados, y sólo sirven para una polaridad; la
opuesta los daña. (Rela, 2010, pág. 15)

Figura 5. Simbología de los Condensadores.

Fuente: Quia
Recuperado: https://www.quia.com/files/quia/users/istomar/PEAD/Tema_1/capacitores_simbologa.html

19
 La constante de proporcionalidad (C) es la capacidad del condensador y
se mide en faradios (F). Como quiera que esta unidad es muy elevada se
suelen emplear en la práctica submúltiplos de la misma como el
microfaradio (1 μF=10−6 F ), el nanofaradio (1 nF=10−9 F ) y el picofaradio (
−12
1 pF=10 F ). El valor de la capacidad de un condensador depende de
sus dimensiones y de la permitividad del dieléctrico incluido entre las
placas y su expresión para un condensador plano es C=εS ∕ d . (Mora,
2012, pág. 24)

Donde:

C es la capacidad, en faradios.

S es el área de las placas, en metros cuadrados.

ε es la permitividad.

d es la separación entre las placas, en metros.

2.2.3 Inductancia
El elemento del circuito que acumula energía en forma de campo
magnético es el inductor o bobina (también llamado inductancia). Con una
corriente variable con el tiempo, la energía se acumula durante una parte
del ciclo en el elemento y durante la otra parte del ciclo se devuelve a la
fuente. Cuando el inductor se desconecta de la fuente, el campo
magnético desaparece, y, por tanto, no hay energía acumulada en el
elemento. Las bobinas que se encuentran en los motores eléctricos, en
los transformadores y en dispositivos similares son inductancias y, por
tanto, deben tenerse en cuenta en la representación del circuito
correspondiente. La configuración de dos hilos conductores en paralelo
presenta efecto de inductancia, que debe tenerse en cuenta cuando la
corriente eléctrica es variable. Ver Imagen 4 (Edminister & Nahvi, 1999,
pág. 13)

20
 Imagen 3. Inductancias de Bobinas con Núcleo de Aire.
Fuente: (OnubaElectronica, 2014)

Los inductores o bobinas más comunes, según su aplicación, pueden

tener núcleo de aire, de hierro o de ferrita. Es posible conseguir núcleos
sueltos, y armar uno mismo los inductores, si son de pocas vueltas. Su
inductancia se mide en henry (H). Cuando se usa un inductor para
bloquear el paso de interferencias de alta frecuencia, se los llama
estranguladores; pero casi nadie habla así. En este ámbito, y en nuestro
país, se usa el nombre en inglés, choke, aunque pronunciado como se lee
en nuestra fonética. Algunos lo escriben choque, y no sería del todo
incorrecto, si imaginamos que la radiofrecuencia choca contra ese filtro;
pero no es ése el sentido original de la palabra. (Rela, 2010, pág. 173)

La simbología de las bobinas se ven en la Figura.

21
 Figura 6. Simbología de las Bobinas.
Fuente: (OnubaElectronica, 2014)

2.3 Transformadores
Uno de los más ingeniosos inventos de Michael Faraday, de importante valor
teórico en su época, y de gran utilidad tecnológica en todos los tiempos, es el
transformador eléctrico, la aplicación más directa de la inducción estática.

Los transformadores se emplean sólo en corriente alterna y tienen uno o más

devanados. Los de alimentación se llaman primarios; y los de salida,
secundarios. En ciertas aplicaciones de alta tensión, hay también una bobina
terciaria. Las variaciones de corriente en el primario hacen que el flujo
magnético que comparten las bobinas varíe; y eso induce fuerzas
electromotrices en ellas. La relación de transformación entre la tensión de
entrada y la de salida, es la que existe entre los números de vueltas, o espiras,
de los bobinados. (Ver Imagen 5). Por ejemplo, un transformador con un
primario de mil vueltas, y un secundario de quinientas, sirve como
transformador de 220 V a 110 V. Las corrientes están en relación inversa a la

22
de las tensiones. En este ejemplo, cuando la corriente primaria sea de 1 A, la
secundaria será de 2 A. Así la potencia, igual al producto de la tensión por la
intensidad, es la misma, idealmente, a la entrada y a la salida. En la práctica
hay algo de pérdida en forma de calor. (Rela, 2010, pág. 93)

Imagen 5. Bobinas de un Transformador.

Fuente: (Área Tecnológica)

La construcción básica de un transformador, como ya se ha mencionado

previamente, consiste de una parte activa, conformada generalmente por un
núcleo de material ferromagnético, sobre el cual se encuentran alojados
devanados o bobinas de material conductor (cobre o aluminio), como se
observa en la imagen 5. Adicional a estos elementos se encuentran otros
materiales no ferromagnéticos y aislantes, que se emplean para asegurar un
óptimo desempeño del transformador. A continuación, se describen
brevemente las principales características de los materiales empleados en su
construcción. (Pérez Londoño & López Quintero, 2018, pág. 23)

Material Ferromagnético. Los materiales ferromagnéticos como el acero al

silicio de grano orientado (Cold Rolled Grain-Oriented Electrical Steel Sheet,
CRGO, por sus siglas en inglés) que se emplean en la construcción del

23
 núcleo, tienen numerosos momentos magnéticos atómicos en su estructura
molecular cristalina, que se denominan dominios magnéticos.

Los devanados. Los devanados o bobinas de los transformadores se

construyen con material conductor de cobre o aluminio, del tipo circular,
rectangular o en láminas de fleje. La selección de uno u otro depende del
diseño, el cual está directamente ligado a consideraciones técnicas y
económicas.

Aislamiento. El aislamiento desempeña una función muy importante en la

vida útil del transformador. Se pueden emplear materiales sólidos como el
papel tipo Kraft o Pressboard, líquidos como el aceite mineral, sintético o
vegetal y materiales gaseosos como aire o nitrógeno. En el caso del papel,
este puede ser elaborado de fibras vegetales (celulosa) en forma de láminas,
que permiten aislar las bobinas entre sí, respecto al núcleo y respecto a los
otros componentes internos del transformador. (Pérez Londoño & López
Quintero, 2018, pág. 26)

2.4 Componentes Activos

Los componentes activos a diferencia de los pasivos estos pueden controlar el
flujo de electricidad. La mayoría de los circuitos impresos de hoy en día tienen
componentes activos, algunos de estos son los transistores y diodos, también
son denominados así las fuentes o generadores de corriente.

2.4.1 Diodos
El diodo de unión se forma a partir de un único cristal de silicio o germanio
que, mediante los procedimientos descritos anteriormente, ha sido
dopado, por un lado, con átomos de impurezas aceptadoras de electrones
libres (zona P) y, por otro, con impurezas donadoras (zona N). y entre
medio de las dos zonas aparece la zona de agotamiento, denominada de
difusión, que contiene muy pocos portadores de carga.

24
 Figura 7. Zona P Zona N y Agotamiento de un Diodo
Fuente: (HETPRO, 2020)

Esta zona aparece debido a que en la frontera de las zonas P y N, los

huecos de la zona P son ocupados por los electrones libres de la zona N;
como consecuencia, en dicha zona no existen portadores de carga, con lo
que posee una elevada resistencia especifica y se comporta como un
aislante al paso de la corriente eléctrica.

Además del diodo rectificador, existen otros tipos, como el diodo Zener, el
diodo LED, el fotodiodo, el diodo túnel, el diodo varicap y el diodo
Schottky. En la página siguiente se detallan las características mas
destacadas de los diodos que se utilizan con mayor frecuencia el diodo
rectificador, el LED y el Zener. (Escribano, 2005, pág. 63)

Figura 8. Símbolos de los Diferentes Tipos de Diodos.

Fuente: (Fácil Electro)

25
2.4.2 Transistores
El termino transistor proviene del inglés y está formado por la unión de
dos palabras, transfer resistor (transferencia y resistor). Que aluden al
funcionamiento de este componente sobre la base de la transferencia
resistencia que se produce en las dos uniones que lo forman.

El transistor resulta esencial en muchos de los circuitos electrónicos

empleados para amplificar, controlar o estabilidad una señal eléctrica, los
sensores y transductores que generan señales de control, ya sea una
LDR, una NTC, un detector de tipo inductivo, etc, producen señales
eléctricas de tensión muy débil que resultan insuficientes para activar el
receptor o dispositivo de salida (relé, bombilla, motor, altavoz…). La
incorporación del triodo de vacío y, después, del transistor en los circuitos
electrónicos hizo posible amplificar señales de entrada para adaptarlas a
las necesidades del receptor. Los transistores se clasifican en dos grupos:

Imagen 4. Tipos de Transistores

Fuente: (TECNOELITE, 2021)

2.4.2.1 Transistor Bipolar

Un transistor bipolar está formado por dos uniones PN (diodos) juntas y
en oposición. Estas dos uniones están contenidas en un cristal
semiconductor de silicio o de germanio que presenta tres zonas con
dopados, alternos de tipo P y N, denominadas emisor (E), base (B) y
colector (C). La base es la zona de menor espesor y con menos cantidad

26
 de impurezas, dependiendo de cómo estén situadas estas zonas, existen
dos tipos de transistores bipolares NPN y PNP. El primer tipo es el mas
utilizado, ya que es alfo as rápido y se adapta mejor a los circuitos en los
que el polo negativo de la fuente de alimentación se conecta a masa.
(Escribano, 2005, pág. 68)

Figura 9. Simbología de los Transistores Bipolares BJT tanto como NPN PNP
Fuente: (TECNOELITE, 2021)

2.4.2.2 Transistores Unipolares

Son transistores que usan el campo eléctrico para controlar la forma y, por
lo tanto, la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de
portador de carga, por eso se conocen como unipolares. Como hemos
dicho los transistores son dispositivos semiconductores, y en los unipolares
tienen cuatro terminales: puerta (representado con la G de “gate”),
drenador (D de “drain”), fuente (S de “source”) y sustrato (B de “substrate”),
pero el sustrato generalmente está conectado internamente al terminal de
fuente y por este motivo se pueden encontrar casi siempre los dispositivos
FET con tres terminales. La puerta está separada del cuerpo por medio de
una capa de aislante. (Escribano, 2005, pág. 68)

2.5 Circuitos Integrados

El progreso en electrónica suele ir asociado a consideraciones acerca de una
mayor eficacia del funcionamiento de dispositivos eléctricos, de una mejora de
la fiabilidad y de reducción de costos. La válvula de vacío dio paso al transistor

27
porque éste exhibía claramente una fiabilidad y rendimiento mayores y se pres-
taba a la miniaturización del equipo electrónico. El circuito integrado (CI) para
señales digitales se aceptó fácilmente para aplicaciones en las que se utilizan
ordenaciones de circuitos semejantes, tal como sucede en los sistemas para
cálculo digital. La eliminación de numerosos cables de conexión originó, en
dichos sistemas, reducciones considerables de los costes. La integración a
gran escala (IGE) logra nuevas economías al reducir el número de pasos
necesarios en la fabricación de equipos electrónicos complejos. (Fitchen, 2005)

Las tecnologías de fabricación han ido solucionando problemas de disipación

de potencia y miniaturización, estableciéndose una clasificación, denominada
escala de integración, que indica la cantidad de puertas lógicas que contiene
un circuito integrado. (Acha Alegre, Pérez Martinez, Castillo Gil, & Rioseras
Gómez, 2006, pág. 308)

Tabla 4. Escala de Integración.

Fuente: (Martinez, 2015, pág. 13)

2.5.1 Historia y Evolución de los Circuitos Integrados

La invención del transistor en 1947 sentó las bases de la era moderna de
los ordenadores, en los primeros días, cada transistor venía en un
paquete de plástico separado y cada circuito estaba formado por
transistores, condensadores y resistores discretos. Debido al gran tamaño
de estos componentes, los primeros circuitos integrados sólo eran
capaces de albergar unos pocos en la placa de circuito.

Con el tiempo, el desarrollo de la electrónica de estado-sólido facilitó la

reducción del tamaño de los componentes.

28
 A finales de los años 50, los inventores Jack Kilby, de Texas Instruments,
Inc. y Robert Noyce, de Fairchild Semiconductor Corporation, encontraron
la forma de colocar finos caminos de metal en los dispositivos y hacerlos
funcionar como cables. Su solución al problema del cableado entre
pequeños dispositivos eléctricos fue el inicio del desarrollo del CI moderno

Desde que en 1961 la empresa Fairchild comercializo el primer circuito

integrado las puertas lógicas se han desarrollado en este tipo de soporte y
han evolucionado hacia la miniaturización, la mayor complejidad, la mayor
fiabilidad y el menor coste. Esto ha contribuido al rápido desarrollo que
han experimentado hoy en dia las telecomunicaciones, la electrónica de
consumo e industrial, la informática, etc.

Existen muchos circuitos integrados que contienen solo circuitos digitales

y muchos que contienen solo circuitos analógicos, hay varias unidades
que contienen tanto circuitos analógicos como digitales. Entre los circuitos
integrados analógicos/digitales se encuentran los circuitos comparadores,
los convertidores de digital/analógico.

2.5.2 Tipos de Circuitos Integrados

Cada aparato electrónico que usamos en nuestra vida diaria, como
teléfonos móviles, laptops, refrigeradores, computadoras, televisores y
todos los demás dispositivos eléctricos y electrónicos, se fabrican con
algunos circuitos simples o complejos.

Los circuitos integrados se clasifican en circuitos integrados analógicos,

circuitos integrados digitales y circuitos integrados mixtos. (Caribe, 2010)

2.5.2.1 Circuitos Integrados Analógicos

Los Circuitos Integrados analógicos se fabrican usado gran variedad
de tecnologías de semiconductores, como bipolar, efecto de campo,
óxidos metálicos y combinaciones de estas tres. Pueden constar
desde simples transistores encapsulados juntos, sin unión entre

29
ellos, hasta dispositivos completos como amplificadores, osciladores
o incluso receptores de radio completos. Los Circuitos Integrados
analógicos se seleccionan normalmente siguiendo criterios
individuales, y solo es importante su compatibilidad con los
requisitos de alimentación. Incluso en este aspecto, la mayoría de
los Circuitos Integrados analógicos están disponibles con amplios
márgenes de alimentación, por lo que su empleo no suele estar
condicionado por su compatibilidad. (Caribe, 2010)

2.5.2.2 Circuitos Integrados Digitales

Pueden ser desde básicas puertas lógicas (Y, O, NO) hasta los más
complicados microprocesadores o microcontroladores. Éstos son
diseñados y fabricados para cumplir una función específica dentro
de un sistema. En general, la fabricación de los CI es compleja ya
que tienen una alta integración de componentes en un espacio muy
reducido de forma que llegan a ser microscópicos. Sin embargo,
permiten grandes simplificaciones con respecto los antiguos
circuitos, además de un montaje más rápido. (Caribe, 2010)

2.5.2.3 Circuitos Integrados de Señal Mixta

Los circuitos integrados que se obtienen mediante la combinación de
circuitos integrados analógicos y digitales en un solo chip se
denominan Circuitos Integrados de Señal Mixta. Estos circuitos
integrados funcionan como Convertidores digitales a analógicos,
convertidores analógicos a digitales y circuitos integrados de
reloj/temporización. (Caribe, 2010)

30
 Figura 10. Diferentes Tipos de Circuitos Integrados.

Fuente: (MCI Capacitación, 2019)

2.6 Otros componentes

2.6.1 Multímetro
También de nominado tester, es un dispositivo eléctrico y portátil, que
le permite a una persona medir distintas magnitudes eléctricas que
forman parte de un circuito, como ser corrientes, potencias,
resistencias, capacidades, entre otras.
Puede medir magnitudes en distintos rangos, es decir, si sabemos
que vamos a medir una corriente de 10 A (Amper) entonces,
elegiremos un rango de 1 A a 50 A. Puede medir corriente continua o
corriente alterna de forma digital o analógica. (Universidad de
Salamanca, 2011)
Un multímetro tiene muchas funciones. A modo general sirve para
medir distintas magnitudes en un circuito eléctrico. Algunas de las
funciones del multímetro son:
 Medición de resistencia.
 Prueba de continuidad.
 Mediciones de tensiones de Corriente Alterna y Corriente
Continua.
 Mediciones de intensidad de corrientes alterna y continua.

31
  Medición de la capacitancia.
 Medición de la frecuencia.
 Detección de la presencia de corriente alterna.

2.6.2 Historia del multímetro

El multímetro tiene un antecedente, denominado AVO, que ayudó a
elaborar los multímetros actuales tanto digitales como analógicos.
Su invención vino de la mano de Donald Macadie, quien se le ocurrió
la idea de unificar tres aparatos en uno, el amperímetro, el voltímetro
y el óhmetro (de ahí viene su nombre, Multímetro AVO), que facilitó
el trabajo a todas las personas que estudiaban cualquier ámbito de
la electrónica.

Tras su creación únicamente quedaba vender el proyecto a una

empresa, cuyo nombre era Automatic Coil Winder and Electrical
Equipment Company (ACWEECO, fue fundada probablemente en
1923), saliendo a la venta el mismo año.

Este multímetro se creó inicialmente para analizar circuitos en

corriente continua y posteriormente se introdujeron las medidas de
corriente alterna.

2.6.3 Funcionamiento de un multímetro

El funcionamiento de un multímetro involucra varios instrumentos de
medición, como el voltímetro, amperímetro, entre otros. Lo que es
importante conocer de un multímetro es saber usarlo.

En principio debemos identificar que vamos a medir y tener una idea

de entre que valores oscila esa medición. Una vez identificados
buscamos en la escala del tester los datos. Por ejemplo, si
queremos medir voltaje de una corriente continua de 100 V,
buscamos en el tester la V que al lado tiene una rayita continua y
elegimos el valor más grande, más cercano al valor aproximado de
medición.

32
 Luego se deben conectar los cables al multímetro. El cable negro
debe ir conectado en la clavija que tiene denominación COM, de
común. Luego buscamos la clavija que tiene como denominación la
magnitud que queremos medir. Si queremos medir voltaje, buscamos
la V y conectamos el clave en esa clavija. Luego se deben conectar
las otras terminales de los cables, el negro en la parte negativa del
circuito y el rojo en la parte positiva del circuito.

2.6.4 Tipos de multímetro

Existen dos tipos de multímetros los cuales serán descritos a

continuación:

2.6.4.1 Multímetro analógico

Los multímetros analógicos muestran un resultado de la
medición mediante una aguja que indica en una escala el
valor medido. Tienen una exactitud aproximada en la
medición de voltaje de 1% y un rango de entre 0.4 mV a
1000V. Si hablamos de intensidad de corriente, puede
medir entre 0.1 μA y 10A, con una exactitud de 2%.
(Boylestad & Nashelsky, 2009)

Figura 11. Multímetro Analógico.

Fuente: (Centros, 2019)

33
2.6.4.2 Multímetro digital
Mediante un circuito, el multímetro digital convierte los
datos analógicos obtenidos en valores digitales que luego
son mostrados en una pantalla. Estos tipos de
multímetros miden con la misma exactitud que los
analógicos, pero aumentan la precisión a la hora de leer la
medición, ya que con aguja hay un pequeño error.
(Boylestad & Nashelsky, 2009)

Figura 12. Multímetro Digital.

Fuente: (Aprende INSTITUTE, s.f.)

34
CAPITULO III

3. APORTES Y RECOMENDACIONES
Se insinúa tomar en cuenta las siguientes recomendaciones las cuales surgieron
conforme al avance del presente documento:

 Revisar libros de texto especializados en vista que existen muchos contienen

temas relacionados con la estructura física de los componentes, estos libros
proporcionan una base sólida en teoría y práctica que te ayudarán a entender
mejor los principios y aplicaciones de la mencionada materia.

 Revisar cada teorema expuesto ya que dependiendo del circuito puede que
resulte más fácil algún teorema que otro.

 Realizar los cálculos en hojas auxiliares por más sencillo que este aparente, de
manera que se obtengan apuntes más meticulosos.

 Trabajar en la creación de nuevos circuitos a fin de poner en práctica los

conocimientos adquiridos respecto a la estructura física de los componentes
electrónicos también requiere práctica.

 Experimentar con diferentes componentes electrónicos te ayudará a comprender

mejor cómo funcionan y cómo interactúan entre si.

 Investigar nuevos logros en el área tecnología en vista que en este campo

existen constantes progresos de los cuales debemos estar al tanto.

35
CAPITULO IV

4. BIBLIOGRAFIA

Acha Alegre, S., Pérez Martinez, J., Castillo Gil, M. A., & Rioseras Gómez, M. Á.
(2006). Electrónica Digital: Introducción a la Lógica Digital. Ra-Ma.
Aprende INSTITUTE. (s.f.). Aprende INSTITUTE. Obtenido de
https://aprende.com/blog/oficios/reparacion-electronica/que-es-la-electronica/
#:~:text=Los%20primeros%20cimientos%20de%20la,para%20la%20invenci
%C3%B3n%20del%20diodo.

Área Tecnológica. (s.f.). Obtenido de

https://www.areatecnologia.com/electricidad/transformador.html

Askeland, D. R., Fulay, P. p., & Wright, W. J. (2011). Ciencia e ingeniería de

materiales. Mexico: Cengage Learning.

Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2009). Electrónica: Teoria de Circuitos y Dispositivos

Electrónicos. Mexico: Pearson Educación.

Caribe, C. U. (2010). Circuitos Integrados. Facultad Tecnologica Sincelejo/Sucre, pág.

5.

Centros, S. V. (2019). IES Marques de Comares. Obtenido de

https://blogsaverroes.juntadeandalucia.es/iesmarquesdecomares/5-5-multimetro-
analogico-es/

Delgado Martinez, E. (5 de Febrero de 2017). Intrave. Recuperado el 13 de Marzo de

2023, de Intrave: https://intrave.com/que-es-y-para-que-sirve-un-plc/

Edminister, J. A., & Nahvi, M. (1999). Circuitos Eléctricos. Madrid: McGraw Hill.

Electrónica Unicrom. (2016). Obtenido de https://unicrom.com/codigo-de-colores-de-

las-resistencias/

Escribano, J. O. (2005). Electricidad y electrónica. Madrid: Oxford University Press.

Fácil Electro. (s.f.). Obtenido de https://www.facilelectro.es/que-es-el-diodo/

36
Fitchen, F. (2005). Circuitos Integrados y Sistemas. En F. Fitchen, Circuitos Integrados
y Sistemas (pág. 3).

Glosario Terminologia Informatica. (s.f.). Obtenido de

http://www.tugurium.com/gti/termino.php?Tr=resistor

HETPRO. (2020). Obtenido de https://hetpro-store.com/TUTORIALES/diodo/

ICMA. (22 de marzo de 2013). INMESOL. Obtenido de La superconductividad aplicada

a nuestra vida: https://www.inmesol.es/blog/la-superconductividad-aplicada-a-
nuestra-vida

Martil, I. (2017). La historia de la electronica antes del transitor. En Microelectrónica. La

historia de la mayor revolucion silenciosa del siglo XX. Ediciones Complutense.

Mártil, I. (31 de marzo de 2017). Público. Obtenido de https://blogs.publico.es/ignacio-

martil/2017/03/31/la-historia-de-la-electronica-antes-del-transistor/

Martinez, J. F. (2015). Circuitos integrados de pequeña, mediana y gran escala.

Obtenido de http://ri.uaemex.mx/bitstream/handle/20.500.11799/63803/secme-
35342.pdf?sequence=1

MCI Capacitación. (2019). Obtenido de

https://cursos.mcielectronics.cl/2019/06/18/circuitos-integrados/

Mora, J. F. (2012). Circuitos Eléctricos. Madrid: Pearson Educación, S.A.

OnubaElectronica. (2014). Obtenido de https://www.onubaelectronica.es/inductores/

Pérez Londoño, S. M., & López Quintero, J. G. (2018). Transformadores Eléctricos.

Pereira: Universidad Tecnológica de Pereira.

Rela, A. (2010). Electricidad y Electrónica. Buenos Aires: Anselmo L. Morvillo.

Reyes, L. A. (8 de agosto de 2015). Ingenieriaelectronica.org. Obtenido de Resistencia

Eléctrica: https://ingenieriaelectronica.org/definicion-de-resistencia-electrica-
tipos-y-como-calcular-su-valor/

37
Shackelford, J. F. (2005). Introducción a La ciencia de los materiales para ingenieros.
Madrid: Pearson Prentice Hall.

TECNOELITE. (13 de junio de 2021). Obtenido de https://tecnoelite.co/transistores-

importancia-usos/

Universidad de Salamanca. (2011). Electrónica: del pasado al presente. Salamanca.

Universidad Nacional Autónoma de Mexico. (2017). Portal Academico. Obtenido de

https://e1.portalacademico.cch.unam.mx/alumno/quimica1/unidad2/modelos_ato
micos/modelo_rutherford

VidaBytes. (16 de marzo de 2020). VidaBytes. Obtenido de Electrónica:

https://vidabytes.com/condensador/

38