1.

1 Introduccin a los diodos y diodo

ideal.
Las dcadas que siguieron a la introduccin del transistor en los aos cuarenta han atestiguado
un cambio sumamente drstico en la industria electrnica. La miniaturizacin que ha
resultado nos maravilla cuando consideramos sus lmites. En la actualidad se encuentran
sistemas completos en una oblea miles de veces menor que el ms sencillo elemento de las
primeras redes. Las ventajas asociadas con los sistemas semiconductores en comparacin con
las redes con tubos de los aos anteriores son , en su mayor parte, obvias: ms pequeos y
ligeros, no requieren calentamiento ni se producen prdidas trmicas (lo que s sucede en el
caso de los tubos), una construccin ms resistente y no necesitan un periodo de
calentamiento.
La miniaturizacin de los ltimos aos ha producido sistemas semiconductores tan pequeos
que el propsito principal de su encapsulado es proporcionar simplemente algunos medios
para el manejo del dispositivo y para asegurar que las conexiones permanezcan fijas a la oblea
del semiconductor. Tres factores limitan en apariencia los lmites de la miniaturizacin: la
calidad del propio material semiconductor, la tcnica del diseo de la red y los lmites del
equipo de manufactura y procesamiento.
El primer dispositivo electrnico que se presentar se denomina diodo. Es el ms sencillo de
los dispositivos semiconductores pero desempea un papel vital en los sistemas electrnicos,
con sus caractersticas que se asemejan en gran medida a las de un sencillo interruptor. Se
encontrar en una amplia gama de aplicaciones, que se extienden desde las simples hasta las
sumamente complejas. Aparte de los detalles de su construccin y caractersticas, los datos y
grficas muy importantes que se encontrarn en las hojas de especificaciones tambin se
estudiarn para asegurar el entendimiento de la terminologa empleada y para poner de
manifiesto la abundancia de informacin de la que por lo general se dispone y que proviene
de los fabricantes.
Antes de examinar la construccin y caractersticas de un dispositivo real, consideremos
primero un dispositivo ideal, para proporcionar una base comparativa. El diodo ideal es un
dispositivo de dos terminales que tiene el smbolo y las caractersticas especiales

En forma ideal, un diodo conducir corriente en la direccin definida por la flecha en el

smbolo y actuar como un circuito abierto para cualquier intento de establecer corriente en la
direccin opuesta. En esencia:
Las caractersticas de un diodo ideal son las de un interruptor que puede
conducir corriente en una sola direccin.

En la descripcin de los elementos que sigue, un aspecto muy importante es la definicin de

los smbolos literales, las polaridades de voltaje y las direcciones de corriente. Si la polaridad
del voltaje aplicado es consistente con la que se muestra en la figura 1.1.a, la parte de las

caractersticas que se consideran en la figura 1.1.b, se encuentra a la derecha del eje vertical.
Si se aplica un voltaje inverso, las caractersticas a la izquierda son pertinentes. En el caso de
que la corriente a travs del diodo tenga la direccin que se indica en la figura 1.1.a, la parte
de las caractersticas que se considerar se encuentra por encima del eje horizontal, en tanto
que invertir la direccin requerir el empleo de las caractersticas por debajo del eje.
Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o regin de
operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de ID y la polaridad de VD en la
figura 1.1.a (cuadrante superior derecho de la figura 1.1.b), encontraremos que el valor de la
resistencia directa RF, de acuerdo a como se define con la ley de Ohm es

(corto circuito)

donde VF es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo e IF es la corriente en sentido

directo a travs del diodo.
El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la regin de
conduccin.
Si consideramos la regin del potencial aplicado negativamente (tercer cuadrante) de la figura
1.1.b,

(circuito abierto)

donde VR es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la corriente inversa en

el diodo.
El diodo ideal, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin en la que no
hay conduccin.
En general, es relativamente sencillo determinar si un diodo se encuentra en la regin de
conduccin o en la de no conduccin observando tan solo la direccin de la corriente ID
establecida por el voltaje aplicado. Para el flujo convencional (opuesto al de los electrones), si
la corriente resultante en el diodo tiene la misma direccin que la de la flecha del mismo
elemento, ste opera en la regin de conduccin. Esto se representa en la figura 1.3a. Si la
corriente resultante tiene la direccin opuesta, como se muestra en la figura 1.3b, el circuito
abierto equivalente es el apropiado.

1.2 Materiales semiconductores tipo

N y tipo P.

Enlace covalente: En este tipo de enlace los electrones se comparten, pero no se transfieren.
Un enlace covalente consiste en un par de electrones (de valencia) compartidos por dos
tomos.
El mtodo ms sencillo para liberar los electrones de valencia ligados consiste en calentar e
cristal. Los tomos efectan oscilaciones cada vez ms intensas que tienden a romper los
enlaces y liberar as los electrones. Cuanto mayor sea la temperatura de un semiconductor,
mejor podr conducir.
Material Intrnseco
Cristal de Silicio

Material Intrnseco Tipo N

Cristal de Silicio "dopado" con tomos de Arsnico. tomos "Donadores"

Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se denominan tomos donadores.
Los materiales tipo N se crean aadiendo elementos de impureza (tomos) que tengan cinco
electrones de valencia, "Pentavalentes".
Material Extrnseco Tipo P
Cristal de Silicio "Dopado" con tomos o impurezas de Galio. tomos "Aceptores"

Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se denominan tomos aceptores.
Los materiales tipo P se crean aadiendo elementos de impurezas (tomos) que tengan tres
electrones de valencia.
Por las razones antes expuestas, en un material tipo N el electrn se denomina portador
mayoritario y el hueco, portador minoritario.
Cuando el quinto electrn (electrn sobrante) de un tomo donador abandona al tomo padre,
el tomo que permanece adquiere una carga positiva neta: a ste se le conoce como ion
donador y se representa con un circulo encerrando un signo positivo. Por razones similares, el
signo negativo aparece en el ion aceptor.
Iones Donadores (tomos de impurezas con 5 electrones).
- Portadores Mayoritarios.

+ Portador Minoritarios.
(Huecos generados cuando algunos electrones de tomos de silicio adquieren suficiente
energa para romper el enlace covalente y convertirse en electrones libres y/o portadores
Mayoritarios).
- Iones Aceptores (tomos de impurezas con 3 electrones).
+ Portadores Mayoritarios.
- Portadores minoritarios.
(electrones libres generados cuando estos adquieren suficiente energa para romper el enlace
covalente, el hueco que dejan se convierte en portado mayoritario).
Diodo Semiconductor
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar
construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si.
Las dimensiones de los bloques de material tipo N y tipo P, as como las tcnicas y
tecnologas que se utilizan para unirlos no son parte de los objetivos del curso y por esa razn
no se abordar el tema, si alguien desea saber un poco ms de esto, puede consultar el captulo
13, 20 y/o 21 del libro de texto.
Regin de Agotamiento
En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y
los huecos que estn en , o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como
resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la
regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el
nombre de Regin de Agotamiento por la ausencia de portadores.
Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo:
- No hay polarizacin (VD = 0 V).
- Polarizacin directa (VD > 0 V).
- Polarizacin inversa (VD < 0 V).
VD = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material
tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn directamente al material
tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga
(corriente) en cualquier direccin es cero para un diodo semiconductor.

La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo N y a los

huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura
de la regin de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD 0.7 V para diodos de Silicio.
ID = Imayoritarios - IS
Condicin de Polarizacin Inversa (VD < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones
positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al
mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado.
El nmero de iones negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a
los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos.
El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar que la
regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los
portadores mayoritarios no podrn superar, esto significa que la corriente ID del diodo ser
cero.
Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de
agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corriente IS.
La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina corriente de
saturacin inversa, IS.
El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se satura) en forma
rpida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarizacin
inversa, hasta que al valor VZ o VPI, voltaje pico inverso.
El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en la regin
Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal.
Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente ms altos e
intervalos de temperatura ms amplios que los diodos de germanio.

1.3 Curvas caractersticas (ideal, real

y aproximadas) de un diodo.
La curva de un diodo semiconductor (o diodo real) se puede definir por la siguiente ecuacin:
-------- K = 11,600/--------1 para Ge

TK = TC + 273 ----------------------------------------------- para Si

Para un diodo de silicio la corriente de saturacin inversa IS aumentar cerca del doble en
magnitud por cada 10 C de incremento en la temperatura.
Debido a la forma que tiene la curva caracterstica del diodo, mostrada anteriormente, y la
forma compleja de la ecuacin, con frecuencia se utiliza un modelo simplificado:
El modelo simplificado se puede utilizar siempre que la resistencia de la red y/o de los
dispositivos junto a los cuales se conectar el diodo sea mucho mayor que la resistencia
promedio del diodo rd, la cual se podra calcular como rd, en promedio, la resistencia de un
diodo de pequea seal es de 26. Red >> rd

1.4 Algunas imperfecciones del diodo

y sus hojas de especificaciones.
Los dispositivos electrnicos (entre ellos los semiconductores) son sensibles a frecuencias
muy elevadas. En los diodos se presentan dos efectos principales a altas frecuencias:

Capacitancias parsitas de Transicin y de Difusin.

Tiempo de recuperacin en Sentido Inverso.

En la regin de polarizacin inversa se presenta principalmente la capacitancia de la regin de

agotamiento (CT), en tanto que en la de polarizacin directa se presenta principalmente la
capacitancia de difusin o de almacenamiento (CD).
El tiempo de recuperacin en sentido inverso se representa por trr. Cuando el diodo est
polarizado directamente y el voltaje aplicado se invierte repentinamente, idealmente se
debera observar que el diodo cambia en forma instantnea del estado de conduccin al de no
conduccin. Sin embargo, debido a un nmero considerable de portadores minoritarios en
cada material, el diodo se comportar como se muestra en la siguiente figura:

ts - Tiempo de almacenamiento. Tiempo requerido para que los portadores minoritarios

regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material opuesto.
tt - Intervalo de Transicin. Tiempo requerido para que la corriente inversa se reduzca al nivel
asociado con el estado de no conduccin.
5ns trr1 s en diodos de recuperacin muy rpida (trr 150 Pseg.)

Hojas de especificaciones del diodo.

1. El voltaje directo VF (a una corriente u temperatura especfica).

2. Mxima Corriente Directa IF (Temp. especfica).
3. Corriente de Saturacin Inversa IR (voltaje y temperatura especficos).
4. Voltaje inverso Nominal VPI o VBR (Temperatura).
5. Mximo nivel de disipacin de Potencia PDmx (Temperatura).
6. Capacitancias parsitas.
7. Tiempo de recuperacin en sentido inverso trr.
8. Intervalo de temperatura de operacin.

1.5 El diodo Zener, el diodo emisor

de luz (LED) y otros tipos de diodos.
DIODOS ZENER
La corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la d un diodo polarizado
directamente.
El diodo Zener es un diodo que ha sido diseado para trabajar en la regin Zener.
De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado para trabajar
con voltajes negativos (con respecto a l mismo).
Es importante mencionar que la regin Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula
variando los niveles de dopado. Un incremento en el nmero de impurezas agregadas,
disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ.
As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200 V y
potencias de 1/4 a 50 W.
El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ
se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica
en reguladores de voltaje o en fuentes.

En el circuito que se muestra, se desea proteger la carga contra sobrevoltajes, el mximo

voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8

volts, entonces este se activar cuando el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegindola de
esta manera.
EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED)
El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra
polarizado.
El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente necesaria
para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.
Principio de Funcionamiento:
En cualquier unin P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y principalmente
cerca de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y electrones (al paso de la corriente).
Esta recombinacin requiere que la energa que posee un electrn libre no ligado se transfiera
a otro estado. En todas las uniones P-N una parte de esta energa se convierte en calor y otro
tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz emitida
es insignificante. Por esta razn se utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's,
como Fosfuro Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).
Otros diodos son:

Diodos Schottky (Diodos de Barrera).

Diodos Varactores o Varicap.
Diodos Tunel.
Fotodiodos.
Diodos emisores de luz infrarroja.
Diodo de inyeccin lser (ILD).

Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo, mbar, azul
y algunos otros.
En este punto del curso vale la pena tomar en cuenta los siguiente comentarios:
- Qu tan vlido es utilizar las aproximaciones ?
- Qu tan exacto puede ser un clculo y/o una medicin realizada en el laboratorio ?
Hay que tener en cuenta que las caractersticas obtenidas de las hojas de especificaciones
pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos hayan sido producidos en el
mismo lote.
Tambin hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno marcado de
100 puede ser realmente de 98 o de 102 o tal vez si ser exacto, y una fuente "ajustada" a
10V puede estar ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V.

1.6 Comportamiento de CC de un
diodo.
ANLISIS POR RECTA DE CARGA
La carga o la resistencia de carga (RL o R) aplicada a un circuito, tendr un efecto importante
sobre el punto de regin de operacin de un dispositivo (en este caso el diodo).

Si se aplica la ley de voltajes de Kirchoff:

V - VD - VL = 0
V = VD + IDRL
Si se realiza un anlisis en esta malla, de tal manera que pueda trazarse una lnea recta sobre
la curva de caractersticas del diodo, entonces la interseccin de stas representar el punto de
operacin de la red o punto Q.
Ntese que la recta de carga queda determinada en sus extremos por RL y V, de tal manera que
representa las caractersticas de la red. Si se modifica el valor de V o de RL o de ambos,
entonces la recta de carga cambiar tambin.
Los extremos de la recta de carga se obtienen buscando las intersecciones con los ejes (ID = 0
y despus VD = 0):
Si VD = 0:

V = IDRL ID = V / RL
Si ID = 0:

V = VD VD = V
Como se mostr anteriormente, una lnea recta trazada entre estos dos puntos define la recta
de carga.
Es muy vlido tambin utilizar para el diodo, en lugar de la curva real, la curva del modelo
simplificado. En este caso, el punto Q no cambiar o cambiar muy poco.

Si en lugar del modelo simplificado se utilizara el modelo del diodo ideal, entonces s
cambiara mucho el punto Q.

COMPORTAMIENTO DE CC DE UN DIODO
En esta seccin se utilizar el modelo simplificado, o modelo aproximado del diodo para
analizar el comportamiento en diversas configuraciones en serie y en paralelo con entradas de
CD.
Para cada configuracin o circuito debe determinarse primero el estado de cada diodo
(Conduccin o No Conduccin). Despus de determinar esto se puede poner en su lugar el
equivalente adecuado y determinar los otros parmetros de la red.
En lo subsecuente, se utilizar el modelo simplificado, o modelo aproximado del diodo para
analizar el comportamiento en diversas configuraciones en serie y en paralelo con entradas de
CC (Corriente Continua, Corriente Directa).
A continuacin se abordarn algunos puntos y conceptos a tomar en cuenta previos y para el
anlisis de un circuito con diodos:
1.- Un diodo estar en estado activo si VD = 0.7V para el Si y VD = 0.3 para el
Ge.
2.- Para cada configuracin o circuito debe determinarse primero el estado de
cada diodo (conduccin o no conduccin).
3.- Despus de verificar el punto anterior, en ocasiones es conveniente poner en
lugar del diodo, el circuito equivalente adecuado y posteriormente determinar los
otros parmetros de la red.
4.- Hay que tener en cuenta que:
o

Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje a travs de sus

terminales (hasta VPI en el caso de un diodo), pero la corriente
siempre es cero (IS en el caso de un diodo, aunque IS0).
Un corto circuito tiene una cada de cero volts a travs de sus
terminales (0.7 volts para un diodo de Si, 0.3 volts para un diodo de
Ge, 0 volts para un diodo ideal) y la corriente estar limitada por la
red circundante.

1.7 El rectificador de media onda.

Si Vm es mucho mayor que VT Vcd 0.318Vm

Vpp = Valor pico a pico = 2Vp

Vp = Valor pico
Vpromedio = 0

a) con Vi = 20 sen t volts y con diodo ideal.

Con el diodo conectado de esta manera, ste conducir nicamente en la parte negativa de Vi.
Vcd = -0.318Vm = -0.318(20)
Vcd = -6.36 volts

b)Repita el inciso anterior si el diodo se sustituye por uno de silicio.

Vcd = - 0.318(Vm - VT)

Vcd = - 0.318(20 -0.7)
Vcd = - 6.14V

c) Repita el inciso a) si el diodo ideal se sustituye por uno de silicio y Vi = 179.6 sen t volts.

d) Repita el inciso anterior con diodo ideal.

El voltaje pico inverso del diodo es de fundamental importancia en el diseo de sistemas de

rectificacin.
El VPI del diodo no debe excederse (Vm < VPI) ya que de lo contrario, el diodo entrara en la
regin de avalancha o regin Zener.
La mayor parte de los circuitos electrnicos necesitan un voltaje de c.d. para trabajar. Debido
a que el voltaje de lnea es alterno, lo primero que debe hacerse en cualquier equipo
electrnico es convertir o "rectificar" el voltaje de alterna (c.a.) en uno de directa (c.d.).
La tarea de la "fuente" o fuente de alimentacin de cualquier equipo o aparato electrnico es
obtener el o los niveles adecuados de c.d. a partir del voltaje de linea (127 VRMS).
El transformador es un dispositivo que se utiliza para elevar o reducir el voltaje de CA, segn
como sea necesario.

donde:
V1 = Voltaje en el devanado primario
V2 = Voltaje en el devanado secundario
N1 = # de vueltas en devanado primario
N2 = # de vueltas en el devanado secundario
P.e. Si la razn de vueltas es 6:1 y Vin es el voltaje de la lnea:

1.8 El rectificador de onda completa

(R.O.C.)
Se conocen y se utilizan dos configuraciones para rectificadores de onda completa. La
primera de ellas es el "Puente" rectificador de onda completa:
Para diodos reales: Vprom = Vcd = 0.636 (Vm-VT)
Para cada diodo: VPI 2V

2.1 Introduccin al BJT y principios

de construccin.
Durante el periodo 1904-1947, el tubo de vaco fue sin duda el dispositivo electrnico de
inters y desarrollo. En 1904, el diodo de tubo de vaco fue introducido por J. A. Fleming.
Poco despus, en 1906, Lee, De Forest agreg un tercer elemento, denominado rejilla de
control, al tubo de vaco, lo que origin el primer amplificador: el triodo. En los aos
siguientes, la radio y la televisin brindaron un gran impulso a la industria de tubos
electrnicos. La produccin aument de cerca de 1 milln de tubos en 1922 hasta
aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de la dcada de los treinta el ttrodo de
cuatro elementos y el pntodo de cinco elementos se distinguieron en la industria de tubos
electrnicos. Durante los aos subsecuentes, la industria se convirti en una de primera
importancia y se lograron avances rpidos en el diseo, las tcnicas de manufactura, las
aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturizacin.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947 la industria electrnica atestigu el advenimiento de
una direccin de inters y desarrollo completamente nueva. Fue en el transcurso de la tarde de
ese da que Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron el efecto amplificador del primer
transistor en los Bell Telephone Laboratorios. El transistor original (un transistor de punto de
contacto) se muestra en la figura 3.1. De inmediato, las ventajas de este dispositivo de estado
slido de tres terminales sobre el tubo electrnico fueron evidentes: era ms pequeo y ligero;
no tena requerimientos de filamentos o prdidas trmicas; ofreca una construccin de mayor
resistencia y resultaba ms eficiente porque el propio dispositivo absorba menos potencia;
instantneamente estaba listo para utilizarse, sin requerir un periodo de calentamiento;
adems, eran posibles voltajes de operacin ms bajos. Obsrvese en la presentacin anterior
que este captulo es nuestro primer estudio de dispositivos con tres o ms terminales. El lector
descubrir que todos los amplificadores (dispositivos que incrementan el nivel de voltaje,
corriente o potencia) tendrn al menos tres terminales con una de ellas controlando el flujo
entre las otras dos.
CONSTRUCCION DEL TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos capas de
material tipo n y una de tipo p o dos capas de material tipo p y una de tipo n. El primero se
denomina transistor npn, en tanto que el ltimo recibe el nombre de transistor pnp. Ambos se
muestran en la figura 3.2 con la polarizacin de cd adecuada. En el captulo 3 encontraremos
que la polarizacin de cd es necesaria para establecer una regin de operacin apropiada para
la amplificacin de ca. Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores con
altos niveles de dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los correspondientes al
material emparedado de tipo p o n. En los transistores que se muestran en la figura 3.2, la
relacin entre el ancho total y el de la capa central es de 0.150/0.001 = 150:1. El dopado de la
capa emparedada es tambin considerablemente menor que el de las capas exteriores (por lo
general de 10:1 o menos). Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la
resistencia) de este material al limitar el nmero de portadores "libres".

En la polarizacin que se muestra en la figura 3.2, las terminales se han indicado mediante
letras maysculas, E para el emisor, C para el colector y B para la base. Una justificacin
respecto a la eleccin de esta notacin se presentar cuando estudiemos la operacin bsica
del transistor. La abreviatura BJT (bipolar junction transistor = transistor de unin bipolar) se
aplica a menudo a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de
que los electrones y los huecos participan en el proceso de inyeccin en el material polarizado
opuestamente. Si slo uno de los portadores se emplea (electrn o hueco), se considera que el
dispositivo es unipolar.
OPERACION DEL TRANSISTOR
La operacin bsica del transistor se describir ahora empleando el transistor pnp de la figura
3.2a. La operacin del transistor npn es exactamente igual si se intercambian los papeles que
desempean los electrones y los huecos. En la figura 3.3 se ha redibujado el transistor pnp sin
la polarizacin base a colector. Ntense las similitudes entre esta situacin y la del diodo
polarizado directamente en el captulo 1. El ancho de la regin de agotamiento se ha reducido
debido a la polarizacin aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios
del material tipo p al tipo n.
Eliminaremos ahora la polarizacin base a emisor del transistor pnp de la figura 3.2a como se
indica en la figura 3.4. Recurdese que el flujo de portadores mayoritarios es cero, por lo que
slo se presenta un flujo de portadores minoritarios, como se ilustra en la figura 3.4. En
resumen, por tanto:
Una unin p-n de un transistor est polarizada inversamente, en tanto que la otra presenta
polarizacin directa.
En la figura 3.5 ambos potenciales de polarizacin se han aplicado a un transistor pnp, con un
flujo de portadores mayoritario y minoritario que se indica. En la figura 3.5 ntense los
anchos de las regiones de agotamiento, que indican con toda claridad qu unin est
polarizada directamente y cul inversamente. Como se indica en la figura 3.5, un gran nmero
de portadores mayoritarios se difundirn a travs de la unin p~n polarizada directamente
dentro del material tipo n. La pregunta es entonces si estos portadores contribuirn en forma
directa a la corriente de base IB o pasarn directamente hacia el material tipo p. Puesto que el
material tipo n emparedado es sumamente delgado y tiene una baja conductividad, un nmero
muy pequeo de estos portadores seguir la trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de
la base. La magnitud de la corriente de base es por lo general del orden de microamperes en
comparacin con los miliamperes de las corrientes del emisor y del colector. El mayor nmero
de estos portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin polarizada inversamente
dentro del material tipo p conectado a la terminal del colector, como se indica en la figura 3.5.
La causa de la relativa facilidad con la que los portadores mayoritarios pueden cruzar la unin
polarizada inversamente puede comprenderse si consideramos que para el diodo polarizado en
forma inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores
minoritarios en el material tipo n. En otras palabras, ha habido una inyeccin de portadores
minoritarios al interior del material de la regin base de tipo n. Combinando esto con el hecho
de que todos los portadores minoritarios, en la regin de agotamiento cruzarn la unin
polarizada inversamente, se explica el flujo que se indica en la figura 3.5.

Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5 como si fuera un solo
nodo, obtenemos
IE = I C + I B
y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector y la
base, Sin embargo, la corriente en el colector est formada por dos componentes: los
portadores mayoritarios y minoritarios como se indica en la figura 3.5. La componente de
corriente minoritaria se denomina corriente de fuga y se simboliza mediante ICO (corriente IC
con la terminal del emisor abierta = open). Por lo tanto, la corriente en el colector se
determina completamente mediante la ecuacin (3.2).
IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria
En el caso de transistores de propsito general, IC se mide en miliamperes, en tanto que ICO se
mide en microamperes o nanoamperes. ICO como Is para un diodo polarizado inversamente, es
sensible a la temperatura y debe examinarse con cuidado cuando se consideren aplicaciones
de intervalos amplios de temperatura. Si este aspecto no se trata de manera apropiada, es
posible que la estabilidad de un sistema se afecte en gran medida a elevadas temperaturas. Las
mejoras en las tcnicas de construccin han producido niveles bastante menores de ICO, al
grado de que su efecto puede a menudo ignorarse.

2.2 Configuracin de base comn.

La notacin y smbolos que se usan en conjunto con el transistor en la mayor parte de los
textos y manuales que se publican en la actualidad, se indican en la figura 3.6 para la
configuracin de base comn con transistores pnp y npn, La terminologa relativa a base
comn se desprende del hecho de que la base es comn a los lados de entrada y salida de la
configuracin. Adems, la base es usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de
tierra. A lo largo de estos apuntes todas las direcciones de corriente se referirn a la
convencional (flujo de huecos) en vez de la correspondiente al flujo de electrones. Esta
eleccin se fundamenta principalmente en el hecho de que enorme cantidad de literatura
disponible en las instituciones educativas y empresariales hace uso del flujo convencional, de
que las flechas en todos los smbolos electrnicos tienen una direccin definida por esta
convencin. Recurdese que la flecha en el smbolo del diodo define la direccin de
conduccin para la corriente convencional. Para el transistor:
La flecha del smbolo grfico define la direccin de la corriente de emisor (flujo
convencional) a travs del dispositivo.

Figura 3.6 Notacin y smbolos en la configuracin de base comn.

Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las direcciones reales,
como se definen con base en la eleccin del flujo convencional. Ntese en cada caso que IE =
IC + IB. Tambin advirtase que la polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que

se establezca la corriente en la direccin indicada para cada rama. Es decir, comprese la

direccin de IE con la polaridad o VEE para cada configuracin y la direccin de IC con la
polaridad de ICC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, tales
como los amplificadores de base comn de la figura 3.6, se requiere de dos conjuntos de
caractersticas, uno para los parmetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de
salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base comn, como se muestra en la
figura 3.7, relacionar una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE ) para varios
niveles de voltaje de salida (VCB).
El conjunto de salida relacionar una corriente de salida (IC) con un voltaje de salida VCB para
diversos niveles de corriente de entrada (IE), como se ilustra en la figura 3.8. El conjunto de
caractersticas de salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters, como se indican en la
figura 3.8: las regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la regin
empleada normalmente para amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la
regin actva la unin colector-base est inversamente polarizada, mientras que la unin
base-emisor se encuentra polarizada en forma directa.
La regin activa se define por los arreglos de polarizacin de la figura 3.6. En el extremo ms
bajo de la regin activa la corriente de emisor (IE) es cero, la comente de colector es
simplemente la debida a la corriente inversa de saturacin ICO , como se indica en la figura
3.8. La corriente ICO es tan pequea (del orden de microamperios) en magnitud comparada con
la escala vertical de IC (del orden de los miliamperios), que aparece virtualmente sobre la
misma lnea horizontal que IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para
la configuracin base comn se ilustran en la figura 3.9. La notacin usada con ms
frecuencia para ICO, en hojas de datos y de especificaciones es ICBO como se indica en la figura
3.9. A causa de las tcnicas mejoradas de construccin, el nivel de ICBO para transistores de
propsito general (especialmente silicio) en los intervalos de potencia bajo y medio es por lo
general tan reducido que su efecto puede ignorarse. Sin embargo, para unidades de mayor
potencia ICBO an aparecer en el intervalo de los microamperios. Adems, recurdese que ICBO
para el diodo (ambas corrientes inversas de fuga) es sensible a la temperatura. A mayores
temperaturas el efecto de ICBO puede llegar a ser un factor importante ya que se incrementa
muy rpidamente con la temperatura.
Ntese, en la figura 3.8, que conforme la corriente del emisor aumenta sobre cero, la corriente
del colector aumenta a una magnitud esencialmente igual a la corriente del emisor
determinada por las relaciones bsicas del transistor-corriente. Advirtase tambin el casi
desdeable efecto de VCB sobre la corriente del colector para la regin activa. Las curvas
indican claramente que una primera aproximacin a la relacin entre IE e IC en la regin
activa la da
IC IE
Como se deduce de su nombre, la regin de corte se define como aquella regin donde la
corriente de colector es de 0 A, como se demuestra en la figura 3.8. En suma:
En la regin de corte ambas uniones, colector-base y base-emisor, de un transistor estn
inversamente polarizadas.

La regin de saturacin se define como la regin de las caractersticas a la izquierda de VCB =

0 V. La escala horizontal en esta regin se ampli para mostrar claramente el gran cambio en
las caractersticas de esta regin. Ntese el incremento exponencial en la comente de colector
a medida que el voltaje VCB se incrementa ms all de los 0 V.
En la regin de saturacin las uniones colector-base y base-emisor estn polarizadas
directamente.
Las caractersticas de entrada de la figura 3.7 muestran que para valores fijos de voltaje de
colector (VCB), a medida que el voltaje de base a emisor aumenta, la corriente de emisor se
incrementa de una manera que se asemeja mucho a las caractersticas del diodo. De hecho, los
niveles de aumento de VCB tienen un efecto tan insignificante sobre las caractersticas que,
como una primera aproximacin, la variacin debida a los cambios en VCB puede ignorarse y
se dibujan las caractersticas como se ilustra en la figura 3.10a. Si aplicamos entonces el
mtodo del modelo de segmentos lineales del diodo ideal, se obtendrn las caractersticas de
la figura 3.10b. Adelantando un paso ms e ignorando la pendiente de la curva y por tanto la
resistencia asociada con la unin directamente polarizada, se obtendrn las caractersticas de
la figura 3. lOc. Para los siguientes anlisis en estos apuntes, el modelo equivalente de la
figura 3.l0c se emplear para todos los anlisis de cd para redes de transistores. Es decir, una
vez que el transistor esta en el estado "encendido" o de conduccin, se supondr que el voltaje
de base a emisor ser el siguiente:
VBE = 0.7 V
Alfa ( )
En el modo de cd los niveles de IC e IE debidos a los portadores mayoritarios estn
relacionados
por una cantidad denominada alfa y que se define por medio de la siguiente ecuacin:
cd = IC / IE
donde IC e IE son los niveles de corriente al punto de operacin. Aun cuando las caractersticas
de la figura 3.8 parecen sugerir que = 1, para dispositivos prcticos el nivel de alfa se
extiende tpicamente de 0.90 a 0.998, aproximndose la mayor parte al extremo superior del
intervalo. Ya que alfa se define nicamente por los portadores mayoritarios, la ecuacin (3.2)
se convierte en
IC = IE + ICBO
Para las caractersticas de la figura 3.8 cuando IE = 0 mA, IC es por tanto igual a ICBO, pero
como se mencion con anterioridad el nivel de ICBO es por 1o general tan pequeo que es
virtualmente indetectable en la grfica de la figura 3.8. En otras palabras, cuando IE = 0 mA en
la figura 3.8, IC aparece tambin con 0 mA para el intervalo de valores de VCB.
Para las situaciones de ca en donde el punto de operacin se mueve sobre la curva de
caractersticas, un alfa de ca se define por

El alfa de ca se denomina formalmente el factor de amplificacin de base comn en corto

circuito, por razones que sern obvias cuando examinemos los circuitos equivalentes de
transistor en el capitulo 4. Por el momento, admitamos que la ecuacin (3.7) especifica que un
cambio relativamente pequeo en la corriente de colector se divide por el cambio
correspondiente en IE manteniendo constante el voltaje colector a base. Para la mayora de las
situaciones las magnitudes de ca y de cd se encuentran bastante cercanas, permitiendo usar
la magnitud de una por otra.
Polarizacin
La polarizacin adecuada de la base comn puede determinarse rpidamente empleando la
aproximacin IC IE y suponiendo por el momento que IB 0 uA. El resultado es la
configuracin de la figura 3.11 para el transistor pnp. La flecha del smbolo define la
direccin del flujo convencional para IC IE. Las alimentaciones de cd se insertan entonces
con una polaridad que sostendr la direccin de la comente resultante. En el transistor npn las
polaridades estarn invertidas.
A algunos estudiantes les parece que pueden recordar si la flecha del smbolo del dispositivo
apunta hacia afuera haciendo corresponder las letras del tipo de transistor con las letras
apropiadas de las frases "apuntando hacia adentro" o "apuntando hacia afuera".
ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR
Ahora que se ha establecido la relacin entre IC e IE, la accin bsica de amplificacin del
transistor se puede introducir en un nivel superficial utilizando la red de la figura 3.12. La
polarizacin de cd no aparece en la figura puesto que nuestro inters se limitar a la respuesta
de ca. Para la configuracin de base comn, la resistencia de entrada de ca determinada por
las caractersticas de la figura 3.7 es bastante pequea y vara tpicamente de 10 a 100 ohms.
La resistencia de salida determinada por las curvas de la figura 3.8 es bastante alta (cuanto
ms horizontal est la curva mayor ser la resistencia) y vara normalmente de 50 kohms a 1
Mohms, La diferencia en resistencia se debe a la unin polarizada directamente en la entrada
(base a emisor) y la unin polarizada inversamente en la salida (base a colector). Usando un
valor comn de 20 ohms para la resistencia de entrada, encontramos que

Si suponemos por el momento que ca = 1,

IL = Ii = 10 mA
V L = IL R
= (10 mA)(5 kohms)
= 50 V

La amplificacin de voltaje es

Los valores tpicos de amplificacin de voltaje para la configuracin de base comn varan de
50 a 300. La amplificacin de corriente (IC/IE) siempre es menor que 1 para la configuracin
de base comn. Esta ltima caracterstica debe ser evidente ya que IC = IE y siempre es
menor que 1.
La accin bsica de amplificacin se produjo transfiriendo una corriente I de un circuito de
baja resistencia a uno de alta. La combinacin de los dos trminos en cursivas produce el
nombre de transistor, es decir,
transferencia + resistor > transistor

2.3 Configuracin de emisor comn.

La configuracin de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se muestra en la
figura 3.13 para los transistores pnp y npn. Se denomina configuracin de emisor comn
porque el emisor es comn tanto a las terminales de entrada como a las de salida (en este caso,
es tambin comn a las terminales de la base y del colector). De nuevo se necesitan dos
conjuntos de caractersticas para describir en forma completa el comportamiento de la
configuracin de emisor comn: una para la entrada o circuito de la base y una para la salida
o circuito del colector. Ambas se muestran en la figura 3.14.

Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su direccin de comente

convencional real. Aun cuando la configuracin del transistor ha cambiado, siguen siendo
aplicables las relaciones de comentes desarrolladas antes para la configuracin de base
comn.
En la configuracin de emisor comn las caractersticas de la salida sern una grfica de la
corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de la corriente
de entrada (IB). Las caractersticas de la entrada son una grfica de la comente de entrada (IB)
versus el voltaje de entrada (VBE ) para un rango de valores del voltaje de salida (VCE).
Obsrvese que en las caractersticas de la figura 3.14 la magnitud de IB es del orden de
microamperes comparada con los miliamperes de IC. Ntese tambin que las curvas de IB no
son tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en la configuracin de base comn, lo
que indica que el voltaje de colector a emisor afectar la magnitud de la corriente de colector.
La regin activa en la configuracin de emisor comn es aquella parte del cuadrante superior
derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la regin en la que las curvas correspondientes

a IB son casi lneas rectas y se encuentran igualmente espaciadas. En la figura 3.14 a esta
regin se localiza a la derecha de la lnea sombreada vertical en VCEsat por encima de la curva
para IB igual a cero. La regin a la izquierda de VCEsat se denomina regin de saturacin. En la
regin activa de un amplificador emisor comn la unin colector-base est polarizada
inversamente, en tanto que la unin base-emisor est polarizada directamente.
Se recordar que stas fueron las mismas condiciones que existieron en la regin activa de la
configuracin de base comn. La regin activa de la configuracin de emisor comn puede
emplearse en la amplificacin de voltaje, corriente o potencia.
La regin de corte en la configuracin de emisor comn no est tan bien definida como en la
configuracin de base comn. Ntese, en las caractersticas de colector de la figura 3.14 que
IC no es igual a cero cuando IB = 0. En la configuracin de base comn, cuando la corriente de
entrada IE = 0, la corriente de colector fue slo igual a la corriente de saturacin inversa ICO,
por lo que la curva IE = 0 y el eje de voltaje fueron (para todos los propsitos prcticos) uno.
La razn de esta diferencia en las caractersticas del colector puede obtenerse mediante la
manipulacin adecuada de las ecuaciones (3.3) y (3.6). Es decir,
Ecuacin (3.6): IC = IE + ICBO
La sustitucin da Ecuacin (3.3): IC = ( IC + IB) + ICBO
Reordenando obtenemos:

Si consideramos el caso discutido anteriormente, donde IB = 0 A, y sustituimos un valor tpico

de a
tal como 0.996, la corriente de colector resultante es la siguiente:

Si icbo fuera de 1 uA, la corriente de colector resultante con IB = 0 A sena 250 (1 pA) = 0.25
mA, como se refleja en las caractersticas de la figura 3.14.
Para referencia futura, a la corriente de colector definida por la condicin IB = 0 uA se le
asignar
la notacin indicada por la ecuacin (3.9):

En la figura 3.15 las condiciones que envuelven a esta corriente definida nuevamente se
muestran con su direccin de referencia asignada.
Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin) el corte para la configuracin
de emisor comn se determinar mediante IC = ICEO
En otras palabras, la regin por debajo de IB = 0 uA deber evitarse si se requiere una seal de
salida sin distorsin.
Cuando se emplea como interruptor en la circuitera lgica de una computadora, un transistor
tendr dos puntos de operacin de inters: uno en el corte y el otro en la regin de saturacin.
La condicin de corte, en el caso ideal, sera IC = O mA para el voltaje VCE elegido. Puesto que
ICEO es por lo general de pequea magnitud para los materiales de silicio, el corte existir para
propsitos de conmutacin cuando IB = O uA o IC = ICEO nicamente en el caso de transistores
de silicio. En los transistores de germanio, sin embargo, el corte para propsitos de
conmutacin se definir como aquellas condiciones que existen cuando I C = ICBO. Esta
condicin puede obtenerse normalmente en los transistores de germanio polarizando
inversamente la unin de base emisor, polarizada por lo regular en forma directa a unos
cuantos dcimos de volt.
Recurdese para la configuracin de base comn que el conjunto de caractersticas de entrada
se aproxim por una lnea recta equivalente que result en VBE = 0.7 V para cualquier nivel de
IE mayor de O mA. Para la configuracin de emisor comn puede tomarse la misma
aproximacin, resultando en el equivalente aproximado de la figura 3.16. El resultado apoya
nuestra anterior conclusin de que para un transistor en la regin "activa" o de conduccin el
voltaje de base a emisor es 0.7 V. En este caso el voltaje se ajusta para cualquier nivel de la
corriente de base.
Beta( )
En el modo de cd los niveles de IC e IB se relacionan por una cantidad denominada beta y
definida por la siguiente ecuacin:
cd = IC / IB
El nombre formal para ca es factor de amplificacin de corriente directa de emisor comn.
Puesto que la corriente de colector es por lo general la corriente de salida para una
configuracin de emisor comn y la corriente de base es la corriente de entrada, el trmino
amplificacin se incluye en la nomenclatura anterior.
Aunque no son exactamente iguales, los niveles de ca, y de cd estn por lo general
razonablemente cercanos y con frecuencia se utilizan en forma intercambiable.
Se puede desarrollar una relacin entre y empleando las relaciones bsicas presentadas
con anterioridad. Utilizando = IC /IB obtenemos IB = IC / , y de = IC/IE tenemos que IE =
IC / Sustituyendo en
IE = I C + IB

IC / = IC + (IC / )
y dividiendo ambos lados de la ecuacin por IC resultar en
IC / = 1 + (1 / )
de modo que

encontramos que
ICEO = ( + 1) ICBO
ICEO ICBO
como se indica en la figura 3.14a. La beta es un parmetro particularmente importante porque
proporciona un enlace directo entre niveles de corriente de los circu Los de entrada y salida
para una configuracin de emisor comn. Es decir,
IC IB
Y puesto que
IE = I C + IB
= IB + IB
IE = ( + 1) IB

2.4 Configuracin de colector comn.

La tercera y ltima configuracin de transistores la de colector comn, mostrada en la figura
3.20 con las direcciones apropiadas de corriente y la notacin de voltaje. La configuracin de
colector comn se emplea fundamentalmente para propsitos de acoplamiento de impedancia
ya que tiene una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, que es lo
opuesto a las configuraciones de base comn y de emisor comn.
La configuracin del circuito de colector comn se muestra en la figura 3.21 con la resistencia
de carga del emisor a tierra. Ntese que el colector est conectado a tierra aun cuando el
transistor est conectado de manera similar a la configuracin de emisor comn. Desde el
punto de vista de diseo, no es necesario elegir para un conjunto de caractersticas de colector
comn, los parmetros del circuito de la figura 3.21. Pueden disearse empleando las
caractersticas de emisor comn de la seccin 3.6. Para todos los propsitos prcticos, las
caractersticas de salida de la configuracin de colector comn son las mismas que las de la

configuracin de emisor comn. En la configuracin de colector comn las caractersticas de

salida son una grfica de IE versus VEC para un intervalo de valores de IB. Por ellos, la corriente
de entrada es la misma tanto para las caractersticas de emisor comn como para las de
colector comn. El eje de voltaje para la configuracin de colector comn se obtiene
cambiando simplemente el signo de voltaje de colector a emisor de las caractersticas de
emisor comn. Por ltimo, hay un cambio casi imperceptible en la escala vertical de IC de las
caractersticas de emisor comn si IC se reemplaza por IE en las caractersticas de colector
comn (puesto que = 1). En el circuito de entrada de la configuracin de colector comn,
las caractersticas de la base de emisor comn son suficientes para obtener la informacin que
se requiera.

2.5 Lmites de operacin del

transistor.
Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas, la cual asegurara
que los valores nominales mximos no sean excedidos y la seal de salida exhibe una
distorsin mnima. Una regin de este tipo, se ha definido para las caractersticas de transistor
de la figura 3.22. Todos los lmites de operacin se definen sobre una tpica hoja de
especificaciones de transistor descrita en la seccin 2.6.
Algunos de los lmites se explican por s mismos, como la corriente mxima de colector
(denominada, por lo general, en la hoja de especificaciones, como corriente continua de
colector) y el voltaje mximo de colector a emisor (abreviada a menudo como vCeo.) Para el
transistor de la figura 3.22, ICmx se especific como de 50 mA y vCeo como de 20 V. La linea
vertical de las caractersticas definida como vCEsat especifica la mnima vCE que puede
aplicarse sin caer en la regin no lineal denominada regin de saturacin.

El nivel de VCEsat est regularmente en la vecindad de los 0.3 V especificada para este
transistor. El mximo nivel de disipacin se define por la siguiente ecuacin:
PCmx = VCEIC
Para el dispositivo de la figura 3.22, la disipacin de potencia de colector se especific como
de 300 mW. Surge entonces la cuestin de cmo graficar la curva de disipacin de potencia de
colector especificada por el hecho de que
PCmx = VCEIC = 300 mW
En cualquier punto sobre las caractersticas el producto de VCE e IC debe ser igual a 300 mW.
Si elegimos para IC el valor mximo de 50 mA y lo sustituimos en la relacin anterior,
obtenemos
VCEIC = 300 mW
VCE(50 mA) = 300 mW

VCE = 6 V
Como un resultado encontramos que si IC = 50 mA, entonces VCE = 6 V sobre la curva de
disipacin de potencia, como se indica en la figura 3.22. Si ahora elegimos para VCE su valor
mximo de 20 V, el nivel de IC es el siguiente:
(20 V)IC = 300 mW
IC = 15 mA
definiendo un segundo punto sobre la curvatura de potencia. Si ahora escogemos un nivel de
IC a la mitad del intervalo como 25 mA, resolvemos para el nivel resultante de VCE obtenemos
VCE(25 mA) = 300 mW
VCE = 12 V
como tambin se indica en la figura 3.22. Una estimacin aproximada de la curva real puede
dibujarse por lo general empleando los tres puntos definidos con anterioridad. Por supuesto,
entre ms puntos tenga, ms precisa ser la curva, pero una aproximacin es generalmente
todo lo que se requiere. La regin de corte se define como la regin bajo IC = ICEO. Esta regin
tiene que evitarse tambin si la seal de salida debe tener una distorsin mnima. En algunas
hojas de especificaciones se proporciona solamente ICBO. Entonces uno debe utilizar la
ecuacin ICEO = ICBO para establecer alguna idea del nivel de corte si la curva de
caractersticas no est disponible. La operacin en la regin resultante de la figura 3.22
asegurar una mnima distorsin de la seal de salida y niveles de voltaje y corriente que no
daarn al dispositivo. Si las curvas de caractersticas no estn disponibles o no aparecen en la
hoja de especificaciones (como ocurre con frecuencia), uno simplemente debe estar seguro
que IC, VCE y su producto caigan dentro del intervalo que aparece en la siguiente ecuacin:
ICEO IC Icmx
VCEsat VCE VCEmx
VCEIC PCmx
Para las caractersticas de base comn la curva de potencia mxima se define por el siguiente
producto de cantidades de salida;
PCmax = VCBIC

2.6 Hoja de especificaciones del

transistor.
Puesto que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicacin entre el fabricante y el
usuario, es de particular importancia que la informacin proporcionada sea reconocida y
correctamente comprendida. Aunque no se han presentado todos los parmetros, un amplio
nmero ser ahora familiar. Los parmetros restantes se introducirn en los captulos

siguientes. Se har referencia a esta hoja de especificaciones para revisar la manera en la cual
se presenta el parmetro.
La informacin proporcionada en la figura 3.23 se ha tomado directamente de la publicacin
Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes preparada por Motorola Inc. El 2N4123 es un
transistor npn de propsito general con el encapsulado y la identificacin de terminales que
aparecen en el extremo superior derecho de la figura 3.23a. La mayora de las hojas de
especificaciones se dividen en valores nominales mximos, caractersticas trmicas v
caractersticas elctricas. Las caractersticas elctricas se subdividen adems en
caractersticas en estado "encendido", en estado "apagado" y de pequea seal. Las
caractersticas en estado activo y pasivo se refieren a los limites de cd, mientras que las
caractersticas de pequea seal incluyen los parmetros de importancia para la operacin de
ca.
Ntese en la lista de valores nominales mximos que vcemax = VCEO = 30 V con ICmax = 200 mA.
La mxima disipacin de colectora . = 625 mW. El factor de degradacin bajo los valores
nominales mximos especifica que el valor nominal mximo debe descender 5 mW por cada
grado de incremento en la temperatura sobre los 25C. En las caractersticas durante el estado
"apagado" ICBO se especifica como de 50 nA y durante el estado "encendido" VCEsat = 0.3 V. El
nivel de hFE tiene un intervalo de 50 hasta 150 a una IC = 2 mA y VCE =1 V y un valor mnimo
de 25 a una corriente mayor de 50 mA para el mismo voltaje.
Los limites de operacin se han definido ahora para el dispositivo y se repiten a continuacin
en el formato de la ecuacin (3.17) empleando hFE = 150 (el lmite superior). En realidad, para
muchas aplicaciones, los 7.5 uA = 0.0075 mA se pueden considerar como 0 mA sobre una
base aproximada.
Lmites de Operacin
7.5 uA IC 200 mA
0.3 V VCE 30 V
VCEIC 650 mW
En las caractersticas de pequea seal el nivel de hfe ( ca) se proporciona junto con una
grfica de cmo vara con la corriente de colector en la figura 3.23f. En la figura 3.23j se
demuestra el efecto de la temperatura y la comente de colector sobre el nivel de hFE ( ca). A
temperatura ambiente (25C), advirtase que hFE ( cd) tiene un valor mximo de 1 en la
vecindad alrededor de los 8 mA. A medida que IC, se incrementa ms all de este nivel, hFE cae
a la mitad de su valor con IC igual a 50 mA. Tambin decae a este nivel si IC disminuye al
nivel inferior de 0.15 mA. Puesto que esta es una curva normalizada, si tenemos un transistor
con cd = hFE = 50 a temperatura ambiente, el valor mximo a 8 mA es de 50. A IC = 50 mA
habr decado a 50/ 2 = 25. En otras palabras, la normalizacin revela que el nivel real de hFE
a cualquier nivel de IC se ha dividido por el valor mximo de hFE a esa temperatura e IC = 8
mA.

Figura 3.23 Hoja de especificaciones del transistor.

3.1 Punto de operacin o punto

Quiescente.
El anlisis o diseo de un amplificador de transistor requiere del conocimiento de la respuesta
del sistema, tanto de cd como de ca. Con demasiada frecuencia se supone que el transistor es
un dispositivo mgico que puede alcanzar el nivel de la entrada aplicada de ca sin la asistencia
de una fuente de energa externa. En realidad, el nivel mejorado de potencia de salida de ca es
resultado de una transferencia de energa de las fuentes aplicadas de cd. Por lo tanto, el
anlisis o diseo de cualquier amplificador electrnico tiene dos componentes: la parte de cd
y la correspondiente de ca. Afortunadamente, el teorema de superposicin es aplicable y la
investigacin de las condiciones de cd puede separarse por completo de la respuesta de ca. Sin
embargo, hay que tener presente que durante el diseo o etapa de sntesis, la seleccin de los
parmetros para los niveles de cd requeridos afectarn la respuesta de ca, y viceversa.
El nivel de cd de operacin de un transistor se controla por varios factores, incluyendo el
rango de posibles puntos de operacin sobre las caractersticas del dispositivo. Una vez que se
han definido los niveles deseados de corriente y voltaje de cd, debe construirse una red que
establecer el punto de operacin deseado (algunas de estas redes se analizan en este
captulo). Cada diseo tambin determinar la estabilidad del sistema, es decir, qu tan
sensible es el sistema a las variaciones de temperatura (otro tema que se investiga en una
seccin posterior de este captulo). Aunque se analizan diversas redes en este captulo, existe
una similitud fundamental en e) anlisis de cada configuracin, debida al uso recurrente de las
siguientes relaciones bsicas importantes para un transistor:
VBE = 0.7 V
IE = ( + 1)IB IC
IC = IB
De hecho, una vez que el anlisis de las redes iniciales se comprenda con claridad, la ruta por
seguir hacia la solucin de las redes comenzara a ser ms evidente. En la mayora de los casos
la corriente de base IB es la primera cantidad que se determina. Una vez que IB se conoce, las
relaciones de las ecuaciones anteriores pueden aplicarse para encontrar las restantes cantidad
de inters. Las similitudes en el anlisis sern inmediatamente obvias a medida que
avancemos en este captulo. Las ecuaciones para IB son tan similares para diversas
configuraciones que una ecuacin puede derivarse de otra sencillamente quitando o agregando
un trmino o dos. La funcin primordial de este capitulo es desarrollar cierto nivel de
familiaridad con el transistor BJT, el cual permitira un anlisis de cd de cualquier sistema que
deba emplear el amplificador BJT.
PUNTO DE OPERACIN
El trmino polarizacin que aparece en el titulo de este captulo es un vocablo que incluye
todo lo referente a la aplicacin de voltajes de cd para establecer un nivel fijo de corriente y

voltaje. Para amplificadores de transistor, el voltaje y la comente de cd resultantes establecen

un punto de operacin sobre las caractersticas, el cual define la regin que se emplear para
la amplificacin de la seal aplicada. Ya que el punto de operacin es un punto fijo sobre las
caractersticas, se le conoce tambin como punto quiesciente (abreviado punto Q). Por
definicin, quiesciente significa quieto, inmvil, inactivo. La figura 4.1 muestra una
caracterstica general de salida de un dispositivo con cuatro puntos de operacin indicados. El
circuito de polarizacin puede disearse para establecer la operacin del dispositivo en
cualquiera de estos puntos o en otros dentro de la regin activa. Los valores nominales
mximos se indican sobre las caractersticas de la figura 4,1, por una linea horizontal para la
corriente de colector mxima ICmx y por una lnea vertical para el voltaje de colector-emisor
mximo VCEmax. La mxima potencia de operacin mxima se define por la curva Pcmx en la
misma figura. En el extremo inferior de las escalas se localizan la regin de corte, definida
por IB 0 uA, y la regin de saturacin, definida por VCE VCEsat.
El dispositivo BJT podra polarizarse para operar fuera de estos puntos limite mximos, pero
el resultado de tal operacin causara ya sea el acortamiento de la vida de servicio del
dispositivo, o bien su destruccin. Concentrndonos en la regin activa es posible elegir
muchas reas o puntos de operacin diferentes. El punto Q depende a menudo del uso que se
dar al circuito. No obstante, es posible considerar algunas diferencias entre la operacin en
puntos diferentes de la figura 4.1 para presentar algunas ideas bsicas en tomo al punto de
operacin y, por ello, al circuito de polarizacin.
Si no se utilizara la polarizacin, el dispositivo estara al principio totalmente cortado
(desactivado), lo cual producira la A, esto es, corriente cero a travs del dispositivo (y voltaje
cero a travs del mismo). Es necesario polarizar el dispositivo de modo que pueda responder o
cambiar sus valores de corriente y voltaje en todo el intervalo de una seal de entrada. En
tanto que el punto A no resultara apropiado, el punto B proporciona esta operacin deseada. Si
se aplica una seal al circuito, ademas del nivel de polarizacin, el dispositivo variar sus
valores de corriente y voltaje a partir del punto de operacin B, lo que permite que el
dispositivo reaccione (y posiblemente amplifique) tanto la parte positiva como la parte
negativa de la seal de entrada. Si, como podra suceder, la seal de entrada es pequea, el
voltaje y la corriente del dispositivo variarn, pero no lo suficiente para llevarlo al nivel de
corte o saturacin. El punto C permitira cierta variacin positiva y negativa de la seal de
salida, pero el valor pico a pico sera limitado por la proximida de vCE = 0V/IC = 0mA. La
operacin en el punto C tambin tiene algo que ver con las no linealidades introducidas por el
hecho de que el espacio entre las curvas IB cambia rpidamente, en esta regin. En general, es
preferible operar donde la ganancia del dispositivo es ms constante (o lineal), de tal modo
que la cantidad de amplificacin en toda la excursin de la seal de entrada es la misma. El
punto B es una regin de espaciamiento ms lineal y, por consiguiente, su operacin tiene un
mayor grado de linealidad, como se indica en la figura 4.1. El punto D fija el punto de
operacin del dispositivo cerca del valor de voltaje y potencia mximo. La excursin del
voltaje de salida en la direccin positiva est de este modo limitada si no se excede el voltaje
mximo. En consecuencia, el punto B aparece como el mejor punto de operacin en trminos
de la ganancia lineal o de la excursin de voltaje y corriente ms grande posible. Esta es casi
siempre la condicin que se desea en los amplificadores de pequea seal, pero no
necesariamente para los amplificadores de potencia. En este anlisis, nos concentramos
fundamentalmente en la polarizacin del dispositivo para la operacin de amplificacin de
seales pequeas.

Debe considerarse otro factor de la polarizacin muy importante. Habiendo seleccionado y

polarizado un BJT en un punto de operacin deseado, tambin debe tomarse en cuenta el
efecto de la temperatura. La temperatura provoca cambios en las caractersticas del
dispositivo, tales como la ganancia de corriente ( ca) y la corriente de fuga del transistor
(ICEO). Las altas temperaturas conducen a un incremento de corrientes de fuga en el
dispositivo, por lo que cambian la condicin de operacin establecida por la polarizacin de la
red. El resultado es que el diseo de la red tambin debe proporcionar un grado de estabilidad
de temperatura de modo que los cambios de temperatura resulten en cambios mnimos en el
punto de operacin. Este mantenimiento del punto de operacin puede especificarse por un
factor de estabilidad, S, el cual indica la magnitud del cambio en el punto de operacin
debido a una variacin de temperatura. Es deseable un circuito altamente estable y se
comparar la estabilidad de algunos circuitos de polarizacin bsicos. Para el BJT que se
polarizar en su regin de operacin lineal o activa debe cumplirse:
1. La unin de base a emisor debe estar polarizada directamente (voltaje de la
regin p ms positivo) con un voltaje resultante de polarizacin directa entre la
base y el emisor de aproximadamente 0.6 a 0.7 V.
2. La unin de base a colector debe estar polarizada inversamente (regin n ms
positiva), estando el voltaje de polarizacin inversa en cualquier valor dentro de
los lmites mximos del dispositivo.
[Ntese que en la polarizacin directa el voltaje en la unin p-n es p-positivo, en tanto que en
la polarizacin inversa es opuesto (inverso) con n-positiva. El nfasis que se hace sobre la
letra inicial debe brindar un medio que ayude a memorizar la polaridad de voltaje necesaria.]
La operacin en las regiones de corte, de saturacin y lineal de la caractersticas del BJT se
obtienen de acuerdo con lo siguiente:
1. Operacin en la regin lineal: Unin base-colector con polarizacin directa, Unin

base-colector con polarizacin inversa

2. Operacin en la regin de corte: Unin base-emisor con polarizacin inversa
3. Operacin en la regin de saturacin: Unin base-emisor con polarizacin directa,
Unin base-colector con polarizacin directa

3.2 Circuito de polarizacin fija.

El circuito de polarizacin fija de la figura 4.2 proporciona una introduccin relativamente
directa y simple al anlisis de polarizacin de cd de transistor. Aun cuando la red emplea un
transistor npn, las ecuaciones y clculos se aplican en forma correcta por igual a una
configuracin pnp con slo cambiar todas las direcciones de corriente y polaridades de
voltaje. Las direcciones de corriente de la figura 4.2 son las direcciones de corriente reales, y
los voltajes se definen por la notacin estndar de subndice doble. Para el anlisis de cd la
red puede aislarse de los niveles de ca indicados, remplazando los capacitores por un circuito
abierto equivalente. Adems, la fuente de cd VCC puede dividirse en un par de fuentes (para
propsitos del anlisis solamente), como se ilustra en la figura 4.3, para permitir una
separacin de los circuitos de entrada y de salida. Esto reduce tambin el enlace entre las dos

a la corriente de base IB. La separacin es ciertamente vlida, como observamos en la figura

4.3, ya que VCC se conecta directamente a RB y RC del mismo modo,que en la figura 4.2.
POLARIZACIN DIRECTA DE BASE-EMISOR
Considrese primero la malla circuito base-emisor que se muestra en el diagrama de circuito
parcial de la figura 4.4. Escribiendo la ecuacin de voltaje de Krchhoff para la malla
obtenemos
VCC -IBRB - VBE = 0
Ntese la polaridad de la cada de voltaje a travs de RB, como se establece por la direccin
indicada de IB. Resolviendo la ecuacin para la corriente IB se tendr el siguiente resultado:
IB = (VCC - VBE) / RB
En realidad, la ecuacin (4.4) no es difcil de recordar si se considera simplemente que la
corriente de base es la corriente a travs de RB y, por la ley de Ohm, esa corriente es el voltaje
a travs de RB dividido entre la resistencia RB. El voltaje a travs de RB es el voltaje aplicado
VCC en uno de los extremos menos la cada a travs de la unin base-emisor (VBE).
Ademas, puesto que la fuente de voltaje VCC y el voltaje de base a emisor VBE son constantes,
la seleccin de un resistor de base, RB, establece el nivel de la corriente de base para el punto
de operacin.
Malla de colector-emisor
La seccin de colector-emisor de la red aparece en la figura 4.5 con la direccin indicada de la
corriente IC y la polaridad resultante a travs de RC. La magnitud de la corriente de colector se
relaciona directamente con IB por medio de
IC = IB
Es interesante notar que, en vista de que la corriente de base se controla por el nivel de RB e IC
se relaciona con IB por una constante la magnitud de IC no es una funcin de la resistencia
RC. El cambio de RC a cualquier nivel no afectar el nivel de IB o IC en tanto que
permanezcamos en la regin activa del dispositivo. Sin embargo, como veremos
posteriormente, el nivel de RC determinar la magnitud de VCE, el cual es un parmetro
importante.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del reloj a lo largo
de la malla indicada en la figura 4.5, se obtendr el resultado siguiente
VC + ICRC - VCC = 0
VCE = VCC - ICRC
el que establece en palabras que el voltaje a travs de la regin de colector-emisor de un
transistor en la configuracin de polarizacin fija es la fuente de voltaje menos la cada a

travs de RC. Como un breve repaso de la notacin de subndice y doble subndice, recurdese
que
VCE = VC - VE
donde VCE es el voltaje de colector a emisor y VC y VE son los voltajes de colector y emisor a
tierra, respectivamente. Pero en este caso, ya que VE = 0 V, tenemos
VCE = VC
Adems, puesto que
VBE = VB - VE
y VE = 0 V, entonces
VBE = VB
Tngase en cuenta que los niveles de voltaje como el de VCE se determinan situando la punta
roja (positiva) del voltmetro en la terminal de colector con punta negra (negativa) en la
terminal del emisor, como se ilustra en la figura 4.6. VC es el voltaje del colector a tierra y se
mide como se muestra en la misma figura. En este caso, las dos lecturas son idnticas, pero en
las redes que se vern ms adelante, ambas pueden llegar a ser bastante diferentes.
Comprender con claridad la diferencia entre las dos mediciones probar ser de suma
importancia en la deteccin de fallas de las redes de transistores.

Saturacin del transistor

El termino saturacin se aplica a cualquier sistema, donde los niveles han alcanzado sus
valores mximos. Una esponja saturada es aquella que no puede contener una gota ms de
liquido. Para un transistor que opera en la regin de saturacin, la corriente es un valor
mximo para el diseo particular. Modifquese el diseo y el correspondiente nivel de
saturacin podr elevarse o decaer. Por supuesto, el mayor nivel de saturacin se define por la
mxima corriente de colector, tal como se proporciona en la hoja de especificaciones.
Las condiciones de saturacin se evitan por lo general debido a que la unin de base a
colector ya no est inversamente polarizada y la seal amplificada de salida estar
distorsionada. Un punto de operacin en la regin de saturacin se representa en la figura
4.8a. Ntese que se encuentra en una regin donde se unen las "curvas de caractersticas y el
voltaje de colector a emisor se halla en o sobre VCEsat . Adems, la corriente de colector es
relativamente alta sobre las caractersticas.
Si juntarnos las curvas de la figura 4.8a con las que aparecen en la figura 4.8b, se llegar a un
mtodo rpido y directo para determinar el nivel de saturacion.Enlafigura4.8b la corriente es
relativamente alta y se supone que el voltaje VCE es de cero voltios. Al aplicar la ley de Ohm,
la resistencia entre las terminales de colector y emisor se puede determinar como sigue:

RCE = VCE / IC = 0 V / ICsat = 0 ohms

Aplicando los resultados al esquema de la red resultara la configuracin de la figura 4.9.
Por consiguiente, en el futuro, si hubiera necesidad inmediata de conocer la corriente mxima
de colector aproximada (nivel de saturacin) para un diseo en particular, simplemente inserte
un corto circuito equivalente entre el colector y el emisor del transistor y calcule la corriente
de colector resultante. En resumidas cuentas, haga VCE = 0V. Para la configuracin de
polarizacin fija de la figura 4.10, se utiliz el corto circuito, ocasionando que el voltaje a
travs de RC sea el voltaje aplicado VCC. La corriente de saturacin resultante para la
configuracin de polarizacin fija es:

ICsat = VCC / RC
Una vez que se conoce ICsat, tenemos una idea de la mxima corriente de colector posible para
el diseo elegido y del nivel bajo el cual permanecer si esperamos una amplificacin lineal.
Anlisis por recta de carga
Hasta aqu, el anlisis se ha realizado haciendo uso de un nivel de correspondiente con el
punto Q
resultante. Ahora investigaremos cmo los parmetros de la red definen el posible rango de
puntos
Q y cmo se determina el punto Q real. La red de la figura 4.11a establece una ecuacin. para
la
salida que relaciona las variables IC y VCE de la siguiente manera:
VCE = VCC - ICRC
Las caractersticas de salida del transistor tambin relacionan las mismas dos variables IC y
VCE,
como se ilustra en la figura 4.11b. Por o tanto, tenemos, en esencia, una ecuacin de red y un
conjunto de caractersticas que utilizan las mismas variables. La solucin comn de las dos
ocurre
donde las restricciones establecidas por cada una se satisfacen simultneamente. En otras
palabras,
esto es similar a encontrar la solucin de dos ecuaciones simultneas: una establecida por la
red y otra por las caractersticas del dispositivo.
Las caractersticas del dispositivo de IC contra VCE se proporcionan en la fgura 4.11b. Ahora
debemos sobreponer la linea recta definida por la ecuacin 4.12 sobre las caractersticas. El
mtodo ms directo para trazar la ecuacin (4.12) sobre las caractersticas de salida es

empleando el hecho de que una recta est definida por dos puntos. Si elegimos IC con un valor
de 0 mA, estaremos especificando el eje horizontal como la lnea sobre la cual se localizar un
punto. Al sustituir IC = 0 mA en la ecuacin (4.12), encontraremos que
VCE = VCC para IC = 0 mA
definiendo un punto para la linea recta, como se ilustra en la figura 4.12.
Si ahora escogemos el valor de 0 V para VCE, con el que se establece el eje vertical como la
lnea sobre la cual se definir el segundo punto, encontraremos que IC se determina por la
siguiente ecuacin: como aparece en la figura 4.12. La lnea resultante sobre la grfica de la
figura 4.12 se denomina recta de carga, puesto que est definida por el resistor de carga RC.
Al resolver para el nivel resultante de IB, el punto Q real se puede establecer como se ilustra
en la figura 4.12, Si el nivel de IB se modifica al variar el valor de RB, el punto Q se mueve
hacia arriba o hacia abajo de la recta de carga, como se muestra en la figura 4.13. Si VCC se
mantiene fijo y RC cambia, la recta de carga subir como se representa en la figura4,14. Si IB
es la que se mantiene constante, el punto Q se trasladar como se ilustra en la misma figura.
Si RC se fija y VCC vara, la recta de carga se desplazar como se muestra en la figura 4,15.

3.3 Circuito de polarizacin

estabilizada de emisor.
La red de polarizacin de cd de la figura 4.17 contiene un resistor en el emisor para mejorar el
nivel de estabilidad sobre el de la configuracin de polarizacin fija. La estabilidad mejorada
se demostrar ms adelante en esta seccin mediante un ejemplo numrico. El anlisis se
realizar examinando, en primer lugar, la malla de base a emisor y luego, con los resultados,
se investigar la malla de colector a emisor.
Malla de base-emisor
La malla de base a emisor de la red de la figura 4.17 se puede volver a dibujar, como se ilustra
en la figura 4.18. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en
direccin de las manecillas del reloj, obtendremos como resultado la siguiente ecuacin:
VCC - IBRB - VBE - IERE = 0
Recordando del capitulo 2 que
IE = ( + 1)IB
Sustituyendo a IE en la ecuacin (4.15) da por resultado
VCC - IBRB - VBE - ( + 1)IBRE = 0
Agrupando trminos, nos da lo siguiente:
-IB(RB + ( + 1)RE) + VCC - VBE = 0

Multiplicando todo por (-1), obtenemos

IB(RB + ( + 1)RE) - VCC + VBE = 0

y resolviendo IB llegamos a
IB = (VCC - VBE)/(RB + (RC+RE))
Ntese que la nica diferencia entre esta ecuacin para IB y la obtenida para la con figuracin
de polarizacin fija es el trmino ( + 1) RE. Hay un resultado interesante que puede derivarse
de la ecuacin (4.17) si la ecuacin se utiliza para trazar una red en serie que resultara en la
misma ecuacin. Tal es el caso para la red de la Figura 4.19. Resolviendo para la corriente IB
resultar la misma ecuacin obtenida anteriormente. Advirtase que al lado del voltaje de base
a emisor VBE el resistor RE es reflejado a la entrada del circuito de base por un factor ( + 1).
En otras palabras, el resistor de emisor, el cual es parte de la malla de colector-emisor, "parece
como" ( + 1 )RE en la malla de base-emisor. Puesto que es por lo general 50 o ms, el
resistor de emisor parece ser mucho ms grande en el circuito de base; tanto, para la
configuracin de la figura 4.20.
La ecuacin (4.18) probar su utilidad en los anlisis que siguen. De hecho, proporciona una
manera bastante fcil de recordar la ecuacin (4.17). Empleando la ley de Ohm, sabemos que
la corriente a travs de un sistema es el voltaje dividido entre la resistencia del circuito. Para
el circuito de base-emisor, el voltaje neto es VCC - VBE. Los niveles de resistencia son RB ms
RE reflejado por ( + 1). El resultado es la ecuacin (4.17).
Malla de colector-emisor
La malla de colector-emisor se vuelve a dibujar en la figura 4.21. Aplicando la ley de voltaje
de Kirchhoff para la malla indicada en direccin de las manecillas del reloj, resultar que
IERE + VCE +ICRC - VCC = 0
Sustituyendo IE =IC y agrupando trminos, se obtiene
VCE - VCC + IC(RC + RE) = 0
VCE = VCC + IC(RC + RE)
El voltaje con subndice sencillo VE es el voltaje de emisor a tierra y se determina por
V E = IER E
mientras que el voltaje de colector a tierra puede determinarse a partir de
VCE = VC - VE
VC = VCC - ICRC

E1 voltaje en la base con respecto a tierra puede determinarse a partir de

VB = VCC - IBRB
VB = VBE + VE
Estabilidad de polarizacin mejorada
La adicin de la resistencia de emisor a la polarizacin de cd del BJT proporciona una mejor
estabilidad; esto es, las corrientes y voltajes de polarizacin de cd se mantienen ms cerca de
los puntos donde fueron fijados por el circuito aun cuando cambien las condiciones externas
como el voltaje de alimentacin, la temperatura e incluso la beta del transistor. Aunque el
anlisis matemtico se brinda en la seccin 4.12, puede obtenerse cierta comparacin del
mejoramiento como lo muestra el siguiente ejemplo.
Ejemplo
Elabore una tabla en la que se comparen el voltaje y las corrientes de polarizacin de las
figuras 4.7 y 4.22 para el valor de = 50 y para un nuevo valor de = 100. Compare los
cambios en IC. para el mismo incremento en .
Solucin
Empleando los resultados obtenidos en el ejemplo 4.1 y repitiendo despus para un valor de
= 100, se produce lo siguiente:

Se observa que la corriente de colector del BJT cambia en un 100% debido a un cambio de
100% en el valor de . IB es igual y VCE se decrementa en un 76%.

Utilizando los resultados que se calcularon en el ejemplo 4.4 y repitiendo despus para el
valor de = 100, obtenemos lo siguiente: La corriente de colector del BJT aumenta a cerca
del 81% debido al cambio del 100% en . Ntese que el decremento de IB ayuda a mantener
el valor de IC, o al menos a reducir el cambio total en IC. debido al cambio en .

Nivel de saturacin
El nivel de saturacin del colector o la comente del colector mxima para un diseo
polarizado de emisor puede determinarse mediante el mismo enfoque empleado en la
configuracin de polarizacin fija: aplicar un corte circuito entre las terminales colectoremisor, como se ilustra en la figura 4.23, y calcular la corriente del colector resultante. Para la
figura 4.23:

ICsat = VCC / (RC +RE)

La adicin del resistor de emisor reduce el nivel de saturacin del emisor debajo del nivel que
se obtiene con una configuracin de polarizacin fija por medio del mismo resistor del
colector.

3.4 Polarizacin con divisor de

voltaje.
En las configuraciones polarizadas precedentes, la comente de polarizacin ICQ y del voltaje
Vceq eran una funcin de la ganancia de corriente ( ) del transistor. Sin embargo, ya que es
sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor real de beta
normalmente no est bien definido, sera deseable desarrollar un circuito de polarizacin
menos dependiente, de hecho, independiente de la beta del transistor. La configuracin de
polarizacin con divisor de voltaje de la figura 4.25 es una red de ese tipo. Si se analiza sobre
una base exacta, la sensibilidad a los cambios en beta es bastante pequea. Si los parmetros
del circuito se escogen apropiadamente, los niveles resultantes de ICQ y vCEQ pueden ser casi
totalmente independientes de beta. Recuerde, de las discusiones anteriores, que un punto Q se
define por un nivel fijo de ICQ y VCEQ, como se ilustra en la figura 4.26. El nivel de IBQ se
modificar con el cambio en beta, pero el punto de operacin sobre las caractersticas,
definido por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si se utilizan los parmetros apropiados del
circuito.
Como se observ anteriormente, existen dos mtodos que se pueden aplicar al anlisis de la
configuracin con divisor de voltaje. La razn para la eleccin de los nombres para esta
configuracin se har evidente en cuanto avancemos en los anlisis siguientes. El primero que
se demostrar es el mtodo exacto que puede aplicarse a cualquier configuracin con divisor
de voltaje. El segundo se denominar como mtodo aproximado, y puede aplicarse slo si se
satisfacen ciertas condiciones especificas. El enfoque aproximado permite un anlisis ms
directo con un ahorro en tiempo y energa. Es tambin particularmente til en el modo de
diseo que se describir en una seccin posterior. Sobre todo, el enfoque aproximado puede
aplicarse a la mayora de las situaciones; por ello, debe examinarse con el mismo inters que
el mtodo exacto.
Anlisis exacto
La parte de entrada de la red de la figura 4.25 puede volverse a dibujar, como se muestra en la
figura 4.27, para el anlisis de cd. La red de Thvenin equivalente para la red a la izquierda de
la terminal de base puede hallarse entonces de la siguiente manera:
RTh: La fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente, como se ilustra en la
figura 4.28.
RTh = R1 R2

ETh: La fuente de voltaje VCC se reintegra a la red y el voltaje Thvenin del circuito abierto de
la figura 4.29 se determina como sigue: Aplicando la regla del divisor de voltaje:
ETh = VR2 = R2VCC / (R1 + R2)
La red Thvenin se vuelve a dibujar entonces, como se ilustra en la figura 4.30,e IBQ se puede
determinar al aplicar en primer lugar la ley de voltaje de Kirchhoff en direccin de las
manecillas del reloj para la malla indicada:
ETh - IBRTh - VBE -IERE = 0
Sustituyendo IE = ( + 1)IB y resolviendo IB, llegamos a

Aunque inicialmente la ecuacin (4.30) parece distinta de las desarrolladas con anterioridad,
ntese que el numerador es de nueva cuenta una diferencia de dos niveles de voltaje, mientras
que el denominador es la resistencia de base ms el resistor de emisor reflejado por ( + 1), en
verdad muy parecido a la ecuacin (4.17).
Una vez que se conoce IB, las cantidades restantes de la red pueden encontrarse del mismo
modo que se hizo para la configuracin polarizada de emisor. Esto es:
VCE = VCC - IC(RC + RE)
que es exactamente igual que la ecuacin (4.19). Las ecuaciones restantes para VE, VC y VB son
tambin las mismas que se obtuvieron para la configuracin polarizada de emisor.
Anlisis aproximado
La seccin de entrada de la configuracin con divisor de voltaje puede representarse por
medio de la red de la figura 4.32. La resistencia R es la resistencia equivalente entre base y
tierra para el transistor con un resistor de emisor RE. Recuerde que la resistencia reflejada
entre la base y el emisor se define por Ri = ( + 1) RE, Si Ri es mucho mayor que la resistencia
R2, la corriente IB ser mucho menor que I2 (la corriente siempre busca la trayectoria de menor
resistencia) e I2 ser aproximadamente igual a I1. Si aceptamos la aproximacin de que IB es de
0 amperios comparada con I1 o I2 entonces I1 = I2 y R1 y R2 pueden considerarse elementos en
serie. El voltaje a travs de R2, que es en realidad el voltaje de base, puede determinarse por
medio de la regla del divisor de voltaje (y de aqu proviene el nombre para la configuracin).
Es decir,
VB = R2VCC / (R1 + R2)
Puesto que R1 = ( + 1) RE = RE la condicin que definir si el enfoque aproximado puede
aplicarse ser la siguiente:

RE 10 R2

En otras palabras, si el valor de beta multiplicado por RE es al menos 10 veces el valor de R2,
el enfoque aproximado puede aplicarse con un alto grado de precisin. Una vez que se
determina VB, el nivel de VE se puede calcular a partir de
VE = VB - VBE
y la comente de emisor se puede determinar a partir de
IE = VE / RE
ICQ IE
El voltaje de colector a emisor se determina por
VCE = VCC - ICRC - IERE
pero, ya que IE = IC,
VCEQ = VCC - IC(RC + RE)
Advierta que en la secuencia de los clculos, de la ecuacin (4.33) a la ecuacin (4.37), no
aparece beta e IB no fue calculada. El punto Q (como se determina por ICQ y VCEQ) es por tanto
independiente del valor de beta.
Saturacin del transistor
El circuito colector-emisor de salida para la configuracin con divisor de voltaje tiene el
mismo aspecto que el circuito polarizado de emisor analizado en la seccin 4.4. La ecuacin
resultante para la corriente de saturacin (cuando VCE se establece a cero voltios en el
diagrama) es, por tanto, la misma que se obtiene para la configuracin polarizada de emisor.
Es decir,
ICsat = ICmx = VCC / (RC + RE)
Anlisis por recta de carga
Las similitudes con el circuito de salida de la configuracin polarizada de emisor resultan en
las mismas intersecciones para la recta de carga de la configuracin con divisor de voltaje. La
recta de carga tendr por consiguiente el mismo aspecto que la de la figura 4.24, con

El nivel de IB se determina, por supuesto, por una ecuacin distinta para la polarizacin con
divisor de voltaje y las configuraciones polarizadas de emisor.

3.6 Conmutacin con transistores.

La aplicacin de los transistores no se limita solamente a la amplificacin de las seales. Por
medio de un diseo adecuado pueden utilizarse como interruptor para aplicaciones de control
y computadoras. La red de la figura 4.52a puede emplearse como un inversor en circuitos
lgicos de computadoras. Ntese que el voltaje de salida VC es opuesto al que se aplica a la
base o terminal de entrada. Adems, advirtase la ausencia de una fuente de cd conectada al
circuito de base. La nica fuente de cd est conectada al extremo de colector o salida, y para
las aplicaciones de computadoras es tpicamente igual a la magnitud del flanco de subida de la
seal de salida, en este caso. de 5 V.

El diseo adecuado para el proceso de inversin requiere que el punto de operacin cambie
desde el estado de corte hasta el de saturacin, a lo largo de la recta de carga trazada en la
figura 4.52b. Para nuestros propsitos supondremos que IC = ICEq = 0 mA cuando IB = 0 uA
(una excelente aproximacin a la luz de las tcnicas mejoradas de construccin), como se
muestra en la figura 4.52b. Adems, supondremos VCE = vcesat = 0 V en lugar del nivel tpico de
0.1 a 0.3 V.
Cuando Vi = 5 V, el transistor estar en estado "encendido" y el diseo debe asegurar que la
red est completamente saturada con un nivel de IB mayor que el asociado con la curva de IB
que aparece cerca del nivel de saturacin. En la figura 4.52b esto requiere que IB > 50 uA. El
nivel de saturacin para la comente de colector del circuito de la figura 4.52a se define como

ICsat = VCC / RC
El nivel de IB en la regin activa, justo antes de que se presente la saturacin puede
aproximarse mediante la siguiente ecuacin:
IBmx = ICsat / cd
Por tanto, para el nivel de saturacin, debemos asegurar que se satisfaga la condicin
siguiente:
IB > ICsat / cd
Saturacin Suave
BJT saturado ligeramente
RB = (Vi - 0.7V)/IB
IB ICsat / mn
RB = (Vi - 0.7V) mn /ICsat
Saturacin Dura

BJT debe saturarse para cualquier valor de beta.

= 10
RB = (Vi - 0.7V)10 /ICsat
Para ICsat hay que tomar en cuenta la caida de voltaje de la carga
ICsat = (VCC - Vcarga)/RC

3.7 El transistor PNP.

Hasta este punto el anlisis se ha limitado exclusivamente a los transistores npn para asegurar
que el anlisis inicial de las configuraciones bsicas fuera lo ms claro posible y sin
complicaciones al intercambiar entre diferentes tipos de transistores. Afortunadamente, el
anlisis de los transistores pnp sigue el mismo patrn establecido para los transistores npn. El
nivel de IB se determina en primer lugar, seguido por la aplicacin de las relaciones de
transistor apropiadas para determinar la lista, de cantidades desconocidas. De hecho, la nica
diferencia entre las ecuaciones que se obtienen para una red en la que se ha reemplazado un
transistor npn por otro de tipo pnp es el signo asociado a cantidades particulares.
Como se advierte en la figura 4.63, la notacin de subndice doble contina como fue definida
normalmente. Sin embargo, las direcciones de la corriente se han invertido para reflejar las
direcciones de conduccin reales. Empleando las polaridades definidas de la figura 4.63, tanto
VBE como VCE sern cantidades negativas.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a la malla de base a emisor obtendremos la siguiente
ecuacin para la red de la figura 4.63:
-IERE + VBE -IBRB +VCC = 0
Sustituyendo IE = ( + 1 )IB y resolviendo para IB, llegamos a

La ecuacin resultante es la misma que la ecuacin (4.17), a excepcin del signo para VBE Sin
embargo, en este caso VBE = -0.7 V y la sustitucin de los valores resultar en el mismo signo
para cada trmino de la ecuacin (4.49), como la ecuacin (4.17). Recurdese que la direccin
de IB se define ahora como opuesta a la de un transistor pnp, como se ilustra en la figura 4.63.
Para VCE, la ley de voltaje de Kirchhoff se aplica a la malla de colector a emisor, lo que da por
resultado la siguiente ecuacin:
-IERE + VCE -ICRC +VCC = 0
Sustituyendo IE = IC, obtenemos
VCE = -VCC + IC(RC +RE)

La ecuacin resultante tiene el mismo formato que la ecuacin (4.19), pero el signo enfrente
de cada trmino a la derecha del signo de igualdad ha cambiado. Puesto que VCC ser mayor
que la magnitud del trmino siguiente, el voltaje tendr un signo negativo, como se advirti en
un prrafo anterior.
Ejemplo:
Determine VCE para la configuracin de polarizacin con divisor de voltaje de la figura 4.6
Solucin
Probando la condicin
RE 10 R2
132 k 100 k (satisfactorio)
Resolviendo para VB, tenemos que

Ntese la similitud en el formato de la ecuacin con el voltaje negativo resultante para VB.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a lo largo de la malla de base a emisor, nos lleva a
VB - VBE -VE = 0
VE = VB - VBE
VE = -3.16 V - (-0.7 V)
= -2.46 V
Advierta que en la ecuacin anterior se emplea la notacin estndar de subndice sencillo y
doble Para un transistor npn la ecuacin VE. = VB - VBE sera exactamente la misma. La nica
diferencia surge cuando se sustituyen los valores. La corriente
IE = VE / RE = 2.46 V / 1.1 k = 2.24 mA
Para la malla de colector a emisor:
-IERE + VCE -ICRC +VCC = 0
Sustituyendo IE = IC y agrupando trminos, tenemos que
VCE = -VCC + IC(RC +RE)
Sustituyendo valores, obtenemos

VCE = -18 V + (2.24 mA)(2.4 k + 1.1 k ) = -10.16 V

4.1 Amplificador en el dominio de CA.

La construccin bsica, aspectos y caractersticas del transistor se presentaron en el capitulo 1.
Despus, en el capitulo 2 se examin en detalle la polarizacin de cd del dispositivo.
Empezaremos ahora a estudiar la respuesta ca a pequea seal del amplificador BJT
revisando los modelos que se utilizan con mayor frecuencia para representar el transistor en el
dominio de ca senoidal.
Una de nuestras primeras inquietudes en el anlisis de ca senoidal en redes de transistores es
la magnitud de la seal de entrada. Ello determinar si deben aplicarse tcnicas de pequea
seal o tcnicas de gran seal. No existe una lnea divisoria entre las dos, peso la aplicacin,
as como la magnitud de las variables de inters relativas a las escalas de las caractersticas
del dispositivo, determinarn casi siempre con bastante claridad cul mtodo es el apropiado.
La tcnica de pequea seal se presenta en este capitulo.
Hay dos modelos que se utilizan por lo comn en el anlisis de ca de pequea seal de redes
de transistor: el modelo equivalente hbrido y el modelo re. Este capitulo no slo presenta
ambos modelos, sino que define el papel que cada uno desempea y la relacin que existe
entre ellos.
En el captulo 1 se demostr que el transistor puede emplearse como un dispositivo
amplificador. Es decir, la seal de salida senoidal es mayor que la seal de entrada o,
establecindolo de otra manera, la potencia de ca de salida es mayor que la potencia de ca de
entrada. La pregunta que surge entonces es cmo la salida de potencia de ca puede ser mayor
que la potencia de ca de entrada? La conservacin de la energa dicta que en funcin del
tiempo, la salida de potencia total, Po de un sistema no puede ser mayor que su entrada de
potencia, Pi y que la eficiencia definida por = Po/P no puede ser mayor que 1. El factor
que no se considera en la discusin anterior, que permite una salida de potencia de ca mayor
que la potencia de entrada de ca, es la potencia aplicada de cd. Representa una contribucin a
la potencia de salida total aun cuando parte de ella se disipa a travs del dispositivo y los
elementos resistivos. En otras palabras, existe un intercambio" de potencia de cd al dominio
de ca, el cual permite establecer una muy alta potencia de salida de ca. De hecho, una
eficiencia-de conversin se define por medio de = Po(ca)/Pi(cd) donde Po(ca) es la potencia
de ca en la carga, y P(cd) la potencia suministrada de cd.
Quizs el papel que juega la fuente de cd se describa mejor al considerar primero la red
simple de cd de la figura 7.1. La direccin resultante del flujo se muestra en la figura con una
grfica de la corriente i contra el tiempo. Insertemos ahora un mecanismo de control, como se
muestra en la figura 7.2. El mecanismo de control se constituye de tal forma que la aplicacin
de una seal relativamente pequea al mecanismo de control puede resultar en una oscilacin
mucho ms grande en el circuito de salida.
Para el sistema de la figura 7.2 el valor pico de la oscilacin se controla mediante el nivel
establecido de cd. Cualquier intento de exceder el lmite establecido por el nivel de cd

resultar en un "recorte" aplanado de la regin pico de la seal de salida. Por lo tanto, en su

totalidad, un diseo apropiado de amplificador requiere que los componentes de cd y de ca
sean sensibles a cada uno de los otros requerimientos y limitaciones. Sin embargo, es en
verdad un hecho afortunado que los amplificadores de pequea seal de transistor puedan
considerarse lineales para la mayora de las aplicaciones, permitiendo el uso del teorema de
superposicin para separar el anlisis de cd del anlisis de ca.
LNEA DE CARGA DE CA.
Excursin mxima de salida de ca al voltaje de ca pico a pico mximo, sin recortes, que puede
proporcionar un amplificador.
La lnea de carga de ca es una ayuda visual para entender la operacin con seales grandes.

4.2 Modelado del transistor BJT.

La clave del anlisis de pequea seal de transistor es el empleo de los circuitos equivalentes
(modelos) que sern introducidos en este captulo. Un modelo es la combinacin de
elementos de circuito, seleccionados adecuadamente, que mejor aproximan el
comportamiento real de un dispositivo semiconductor en condiciones especficas de
operacin,
Una vez determinado el circuito equivalente de ca, el smbolo grfico del dispositivo puede
sustituirse en el esquema mediante este circuito, y se pueden aplicar los mtodos bsicos del
anlisis de circuitos de ca (anlisis de nodos, anlisis de mallas y el teorema de Thvenin)
para determinar la respuesta del circuito.
Hay dos teoras actuales acerca de cul ser el circuito equivalente que ha de sustituir al
transistor. Durante muchos aos la industria y las instituciones educativas confiaron
ampliamente en los parmetros hbridos (que se presentarn en breve). El circuito equivalente
de parmetros hbridos seguir siendo muy popular, aun cuando en la actualidad debe
competir con un circuito equivalente derivado directamente de las condiciones de operacin
del transistor, el modelo re. Los fabricantes siguen especificando los parmetros hbridos para
una regin de operacin particular en sus hojas de especificaciones. Los parmetros (o
componentes) del modelo re pueden derivarse directamente de los parmetros hbridos en esta
regin. Sin embargo, el circuito equivalente hbrido adolece de estar limitado a un conjunto
particular de condiciones de operacin si se considerara preciso. Los parmetros del otro
circuito equivalente pueden determinarse para cualquier regin de operacin dentro de la
regin activa y no estn limitados por un solo grupo de parmetros incluidos en la hoja de
especificaciones. A su vez, no obstante, el modelo re no tiene un parmetro que defina el nivel
de impedancia de salida del dispositivo y el efecto de retroalimentacin de la salida a la
entrada.
Puesto que en la actualidad ambos modelos se emplean de manera extensa, los dos se
examinan en detalle en este libro. En algunos anlisis y ejemplos se emplear el modelo
hbrido, en tanto que en otros se utilizar en forma exclusiva el modelo re. No obstante, en el
texto se har todo lo necesario para mostrar la forma tan estrecha en que se relacionan los dos

modelos y cmo la habilidad en el manejo de uno de ellos conduce a una destreza natural en
el manejo del otro.
Con el fin de mostrar el efecto que tendr el circuito equivalente de ca sobre el anlisis que
sigue, considrese el circuito de la figura 7.3. Supongamos por e] momento que el circuito
equivalente de ca de pequea seal para el transistor ya ha sido determinado. Puesto que slo
nos interesa la respuesta de ca del circuito, todas las alimentaciones de cd pueden sustituirse
por equivalentes de potencial cero (corto circuito), ya que determinan nicamente el nivel de
cd (nivel quiesciente) o de operacin del voltaje de salida y no la magnitud de la excursin de
la salida de ca. Esto se muestra claramente en la figura 7.4. Los niveles de cd fueron
importantes simplemente para determinar el punto Q de operacin adecuado. Una vez
determinado, es posible ignorar los niveles de cd en el anlisis de ca de la red. Adems, los
capacitores de acoplamiento C1 y C2 y el capacitor de desvo C3*** se eligieron de modo que
tuvieran una reactancia muy pequea a la frecuencia de aplicacin. Por lo tanto, es posible
tambin reemplazarlos para todos los propsitos prcticos por medio de una trayectoria de
baja resistencia (corto circuito). Ntese que esto producir el "corto circuito" de la resistencia
de polarizacin de cd, RE. Recurdese que los capacitores tienen un equivalente de circuito
abierto en condiciones de estado estable cd, permitiendo un aislamiento entre etapas en los
niveles de cd y las condiciones de operacin.
La conexin comn de tierra y el rearreglo de los elementos de la figura 7.4 dar como
resultado una combinacin en paralelo de los resistores R1, R2, y RC que aparecer del colector
al emisor como se muestra en la figura 7.5. Como los componentes del circuito equivalente
del transistor insertado en la figura 7.5 son aquellos con los que ya nos hemos familiarizado
(resistores, fuentes controladas, etc.), las tcnicas de anlisis tales como superposicin y el
teorema de Thvenin, entre otras, pueden aplicarse para determinar las cantidades deseadas.
Examinaremos an ms la figura 7.5 e identifiquemos las cantidades importantes que se
determinarn en el sistema. Puesto que sabemos que el transistor es un dispositivo
amplificador, esperaramos alguna indicacin de cmo se relacionan el voltaje de salida Vo y
el de entrada Vi, es decir, la ganancia en voltaje. Note en la figura 7.5 que para esta
configuracin Ii = Ib, e Io = Ic lo cual define la ganancia en corriente Ai = Io / Ii. La impedancia
de entrada Zi y la impedancia de salida Zo probarn ser de particular importancia en el anlisis
que se detalla a continuacin. Se proporcionar mucha ms informacin acerca de estos
parmetros en las secciones siguientes. Por tanto, el equivalente de ca para una red se obtiene
por medio de:
1. El establecimiento de todas las fuentes de cd a cero y su reemplazo por un corto
circuito equivalente
2. El reemplazo de todos los capacitores por un corto circuito equivalente
3. La eliminacin de todos los elementos sustituidos por los corto circuitos
equivalentes introducidos en los pasos 1 y 2
4. El dibujar de nuevo la red en una forma ms lgica y conveniente.
En las secciones siguientes se presentarn los circuitos equivalentes re e hbrido para
completar el anlisis de ca de la red de la figura 7.5

4.3 Parmetros importantes: Zi, Zo,

Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io. (Redes de dos
puertos).
Antes de investigar los circuitos equivalentes para BJT con ms detalle, concentrmonos en
los parmetros de un sistema de dos puertos que son de capital importancia desde un punto de
vista de anlisis y diseo. Para el sistema de dos puertos (dos pares de terminales) de la figura
7.6, el extremo de entrada (el lado donde normalmente se aplica la seal) se encuentra a la
izquierda y el extremo de salida (donde se conecta la carga) se halla a la derecha. De hecho,
para la mayora de los sistemas elctricos y electrnicos el flujo general se tiene normalmente
de izquierda a derecha. Para ambos conjuntos de terminales la impedancia entre cada par de
terminales en condiciones normales de operacin es bastante importante.

Impedancia de entrada, Zi
Para el extremo de entrada, la impedancia de entrada Zi se define por la ley de Ohm como se
indica a continuacin:
Zi = Vi / Ii
Si se modifica la seal de entrada Vi, la corriente Ii, puede calcularse mediante el uso del
mismo nivel de impedancia de entrada. En otras palabras:
Para el anlisis de pequea seal una vez que se ha determinado la impedancia de entrada,
el mismo valor numrico puede utilizarse para modificar los niveles de la seal aplicada.
De hecho, en las secciones siguientes encontraremos que la impedancia de entrada de un
transistor puede determinarse aproximadamente por medio de las condiciones de polarizacin
de cd, condiciones que no cambian slo porque la magnitud de la seal aplicada de ca se haya
modificado.
Es particularmente interesante que para las frecuencias en el intervalo de los valores bajos a
los medios (normalmente <100 kHz):
La impedancia de entrada de un amplificador de transistor BJT es de naturaleza puramente
resistiva y, dependiendo de la manera en que se emplee el transistor, puede variar de unos
cuantos ohms hasta el orden de los megaohms.
Adems:
No puede emplearse un hmetro para medir la impedancia de entrada de pequea seal de
ca puesto que el hmetro opera en modo de cd.
La ecuacin (7.1) es particularmente til en la medida en que proporciona un mtodo para
medir la resistencia de entrada en el dominio de ca. Por ejemplo, en la figura 7.7 se ha

agregado un resistor sensor al extremo de entrada para permitir una determinacin de Ii***
empleando la ley de Ohm. Un osciloscopio o un multimetro digital (DMM) sensible puede
utilizarse para medir el voltaje Vs y V. Ambos voltajes pueden ser de pico a pico, pico o
valores rms, siempre que ambos niveles empleen el mismo patrn. La impedancia de entrada
se determina entonces de la siguiente manera:
Ii = (Vs - Vi) / Rsensor
y
Zi = Vi / Ii
.

La importancia de la impedancia de entrada de un sistema puede demostrarse mejor mediante

la red de la figura 7.8. La fuente de seal tiene una resistencia interna de 600 el sistema
(posiblemente un amplificador de transistor) tiene una impedancia de entrada de 1.2 k .
.

Impedancia de salida, Zo
La impedancia de salida se define en forma natural para el conjunto de salida de las
terminales, pero la manera en la cual se define es bastante diferente de la correspondiente a la
impedancia de entrada. Es decir,
La impedancia de salida se determina en las terminales de salida viendo hacia atrs. dentro
del sistema con la seal aplicada fijada en cero.
En la figura 7.10, por ejemplo, la seal aplicada se ha establecido a cero voltios. Para
determinar Zo, se aplica una seal, Vs, a las terminales de salida, y el nivel de Vo se mide con
un osciloscopio o DMM sensible. La impedancia de salida se determina entonces de la
siguiente manera:
Io = (V - Vo) / Rsensor
y
Zo = Vo / Io

En particular, para las frecuencias de rango bajo y medio (normalmente < 100 kHz): La
impedancia de salida de un amplificador de transistor BJT es resistiva por naturaleza y
depende de la configuracin y de la colocacin de los elementos resistivos, Zo puede variar
entre unos cuantos ohms y un nivel que puede exceder los 2M .
Adems:

No puede utilizarse un hmetro para medir la impedancia de salida de pequea seal de ca

debido a que el hmetro opera en modo de cd.
Ganancia de voltaje Av
Una de las caractersticas ms importantes de un amplificador es la ganancia de voltaje de
pequea seal de ca, que se determina por
Av = Vo / Vi
Para el sistema de la figura 7.13, no se ha conectado una carga a las terminales de salida y el
nivel de ganancia determinado por la ecuacin (7.6) se denomina como la ganancia de voltaje
sin carga. Es decir,

Para amplificadores de transistor, la ganancia de voltaje sin carga es mayor que la ganancia
de voltaje con carga.
Ganancia de corriente, Ai
La ltima caracterstica numrica por discutir es la ganancia de corriente definida por
Ai = Io / Ii
Aunque por lo regular recibe menos atencin que la ganancia de voltaje, es, sin embargo, una
cantidad importante que puede tener un impacto significativo en la eficiencia global de un
diseo. En general:
Para amplificadores BJT, la ganancia de corriente oscila entre los valores apenas menores
que I y un nivel que puede exceder los 100.
Para la situacin con carga presente de la figura 7.15,
Ii = V i / Z i
y
Io = V o / R L
Ai = -Av(Zi / Ii)
La ecuacin anterior permite la determinacin de la ganancia de corriente a partir de la
ganancia de voltaje y los niveles de impedancia.
Relacin de fase

La relacin de fase entre las seales senoidales de entrada y salida es importante por una
variedad de razones prcticas. Sin embargo y por fortuna: Para el amplificador de transistor
tpico, a frecuencias que permiten ignorar el efecto de elementos reactivos, las seales de
entrada y salida estn ya sea en fase o desfasadas por 180.
La razn de esta situacin ambivalente con respecto a la fase se aclarar en los captulos
siguientes.
Resumen
Los parmetros de principal importancia para un amplificador ya se han presentado; la
impedancia de entrada Zi, la impedancia de salida Zo, la ganancia de voltaje Av, la ganancia de
corriente Ai y las relaciones de fase resultantes. Otros factores, tales como la frecuencia
aplicada para los lmites inferior y superior del espectro de frecuencias, afectarn algunos de
estos parmetros. En las secciones y captulos siguientes, todos los parmetros se
determinarn para una variedad de redes de transistores con el fin de permitir una
comparacin de las ventajas y desventajas de cada configuracin.