GUIA DOCENTE DE LA ASIGNATURA

ELECTRNICA FSICA

Curso 2014- 2015

(Fecha ltima actualizacin: 9/06/14)

MDULO

MATERIA

CURSO

SEMESTRE

CRDITOS

TIPO

Estructura de la Materia

Electrnica Fsisca

Obligatoria

PROFESORES* 1

Juan E. Carceller Beltrn (Grupo Grande y

Pequeo)
Francisco M. Gmez Campos (Grupo Pequeo)

DIRECCIN COMPLETA DE CONTACTO PARA TUTORAS

(Direccin postal, telfono, correo electrnico, etc.)
Dpto. Electrnica y Tecnologa de
Computadores, 2 planta, Facultad de Ciencias,
Seccin de Fsica.
Despachos:
Prof. J.E. Carceller:
n 1
Prof. F.M. Gmez Campos: n 11
Correos electrnicos: jcarcell arroba ugr.es
fmgomez arroba ugr.es
HORARIO DE TUTORAS*
Prof. J. E. Carceller: Ma., Mi.: 10h a 12 h.
Prof. F.M. Gmez:
L., Mi.: 10h a 13h.

GRADO EN EL QUE SE IMPARTE

OTROS GRADOS A LOS QUE SE PODRA OFERTAR

Grado en Fsica

Grado en Ingeniera de Tecnologas de

Telecomunicacin.
Grado en Ingeniera Electrnica Industrial.

PRERREQUISITOS Y/O RECOMENDACIONES (si procede)

Se recomienda tener cursadas las asignaturas Electromagnetismo, Fsica Estadstica, Fsica Cuntica y
Fsica del Estado Slido, as como tener los conocimientos correspondientes a las asignaturas de
matemticas propias de la titulacin.
BREVE DESCRIPCIN DE CONTENIDOS (SEGN MEMORIA DE VERIFICACIN DEL GRADO)
En esta asignatura se explicarn los principios bsicos de los Semiconductores, su estructura fsica y tipos, las
propiedades de transporte de corriente elctrica, los procesos de Generacin y Recombinacin de portadores,
las ecuaciones de difusin deriva, la unin P-N, las heteroestructuras y capas bidimensionales de huecos y
electrones. Tambin se tratarn las clulas solares y los dispositivos semiconductores optoelectrnicos: LEDs

* Consulte posible actualizacin en Acceso Identificado > Aplicaciones > Ordenacin Docente.

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y LASERES
COMPETENCIAS GENERALES Y ESPECFICAS

CT1:
CT2:
CT5:
CT6:
CT8:
CT9:
CE1:
CE2:
CE4:
CE5:
CE7:
CE9:

Capacidad de anlisis y sntesis.

Capacidad de organizacin y planificacin.
Capacidad de gestin de la informacin.
Resolucin de Problemas.
Razonamiento crtico.
Aprendizaje autnomo
Conocer y comprender los fenmenos y las teoras fsicas ms importantes.
Estimar rdenes de magnitud para interpretar fenmenos diversos.
Medir, interpretar y disear experiencias en el laboratorio o en el entorno
Modelar fenmenos complejos, trasladando un problema fsico al lenguaje matemtico.
Trasmitir conocimientos de forma clara tanto en mbitos docentes como no docentes.
Aplicar los conocimientos matemticos en el contexto general de la fsica.XXXX

OBJETIVOS (EXPRESADOS COMO RESULTADOS ESPERABLES DE LA ENSEANZA)

El alumno sabr/comprender:
El concepto de hueco en un semiconductor y su utilizacin para evaluar el transporte de carga.
Cmo obtener las concentraciones de huecos y electrones en un semiconductor y su concentracin
intrnseca.
El uso de impurezas en los semiconductores para determinar su tipo y comportamiento.
El clculo y determinacin de la densidad de huecos y electrones en un semiconductor extrnseco.
El concepto de neutralidad elctrica aplicado a semiconductores
La movilidad de los electrones y su dependencia de la temperatura, de las concentraciones de
impurezas y de los campos elctricos.
La fsica de los mecanismos de generacin y recombinacin de portadores en semiconductores, el
concepto de bajo nivel de inyeccin y el de pseudo-nivel de Fermi para electrones y huecos, as como
su uso para la determinacin de concentraciones de portadores estticas y transitorias.
Las ecuaciones de Difusin-Deriva (o Arrastre) y las de continuidad en semiconductores. Su resolucin
en algunos casos simples.
El funcionamiento de la unin P-N en equilibrio y bajo polarizacin: Constitucin real y modelos
prcticos. Los modelos sencillos para resolucin analtica. El campo y el potencial elctrico autoconstituido (Built-in). El concepto de Zona de Carga Espacial. las relaciones de equilibrio entre las
corrientes de difusin y de arrastre. la corriente inversa de saturacin y su dependencia con la
temperatura. El concepto de polarizacin en directo y en inverso. Ecuacin y forma de la corriente I-V
de un diodo. Una aplicacin simple: la rectificacin de seales alternas.
Las nociones bsicas de las heteroestructuras y gases de huecos y electrones bidimensionales (2D):
Qu son los pozos cunticos simples y mltiples, los hilos y puntos cunticos
Los principios bsicos de la interaccin luz (radiacin electromagntica)-semiconductor. El efecto
fotovoltaico. La estructura y los fundamentos de los dispositivos detectores de luz: Fotodiodos y
Clulas Solares. La curva I-V de una clula solar. La potencia suministrada y el rendimiento
energtico.
La emisin de luz por parte de los semiconductores. La estructura y funcionamiento elemental de los
dispositivos LED y LASER.

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TEMARIO DETALLADO DE LA ASIGNATURA

TEMARIO TERICO:
Tema 1. Revisin de los resultados de la teora de bandas en los slidos. Caractersticas de las bandas
de los semiconductores. Corriente de los electrones en una banda. Modelo semiclsico. Modelo de la
masa efectiva. Matriz de la masa efectiva. Concepto de hueco.
Tema 2. Concentracin de electrones y huecos en los semiconductores. Semiconductores intrnsecos.
Densidad de estados. Funcin de ocupacin. Concentracin intrnseca ni. Dopado de los
semiconductores: impurezas aceptadoras y donantes. Factores de ocupacin de los niveles de energa
creados por las impurezas. Ecuacin de neutralidad elctrica.
Tema 3. Transporte de carga en los semiconductores: Movilidad de los portadores. Dependencia con
la Temperatura y con la concentracin de impurezas. Efectos de campos elctricos altos.
Tema 4. Generacin y Recombinacin de portadores: Conceptos bsicos. Tipos de recombinacin:
modelos elementales. Inyeccin de bajo nivel. Pseudo-niveles de Fermi.
Tema 5. Procesos de difusin en semiconductores. Corrientes de difusin. Corrientes de Difusin y
Deriva: Consecuencias en Equilibrio termodinmico. Ecuaciones de continuidad.
Tema 6. La unin P-N: Esquema de fabricacin de una unin P-N real. Esquema terico. La unin P-N
en equilibrio termodinmico: Descripcin cualitativa. Modelo de la unin abrupta e hiptesis de
vaciamiento: Clculo del Campo y Potencial elctrico en la estructura. Heterouniones y
Heteroestructuras: Gases 2D.
Tema 7: La unin P-N en rgimen esttico: Descripcin cualitativa. Hiptesis de baja inyeccin. Curva
I-V. Zona de deplexin: Capacidad de Transicin. Una aplicacin comn: Rectificacin de una seal
alterna.
Tema 8: Dispositivos Semiconductores Optoelectrnicos I: Fotodetectores y clulas solares. Principio
de Funcionamiento. Similitudes y diferencias. Curva I-V. Potencia mxima suministrada por una clula
solar. Eficiencia energtica
Tema 9: Dispositivos Semiconductores Optoelctronicos II: Dispositivos emisores de Luz: Principio de
funcionamiento. Conservacin de la Energa y del momento cristalino. LEDs. LASERes: Emisin
estimulada. Ganancia de luz: Condiciones para que se produzca. Estructuras LASER: Uniones P-N,
Pozos cunticos(QW: Quantum Well): nico y Mltiple (MQW: Multiple Quantum Well). Estructuras
prcticas.

TEMARIO PRCTICO:
Seminario: EL MOSFET. Principios de funcionamiento. Curvas caractersticas
Prcticas de Laboratorio
Prctica 1. Medida y caracterizacin de las curvas caractersticas de una unin P-N.
Prctica 2. Obtencin de las curvas I-V de un MOSFET y extraccin de sus parmetros fundamentales
Prctica 3. Medida y caracterizacin de la potencia entregada por una celula solar.Seminarios

BIBLIOGRAFA
BIBLIOGRAFA FUNDAMENTAL:
Fsica del Estado Slido y de los semiconductores. J. P. Mckelvey. Ed. Limusa, 1976.
Solid State Electronic Devices, 6th Edition. B. G. Streetman, S. K Banerjee Pearson Prentice Hall,
2006. USA. (ISBN: 0-13-149726-X)
Semiconductor Devices: Physics and Technology. 2nd Edition. S. M. Sze. John Wiley and Sons, 2002.
(ISBN: 0-471-33372-7)

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BIBLIOGRAFA COMPLEMENTARIA:
Fundamentals of Solid State Electronics. C. T. Sah World Scientific, 1993 (ISBN: 9810206380)
Fundamentals of Semiconductor Theory and Device Physics. S. Wang. Prentice Hall, 1989. (ISBN: 013-344409-0)
Photonic Devices. J. M. Liu. Cambridge University Press, 2005. (ISBN: 978-0-521-55195-3)
Fundamentals of Photonics B. E. A. Saleh, M. C. Teich. John Wiley and Sons, Inc., 1991. (ISBN: 0471-83965-5). Captulos 15, 16 y 17)
La bibliografa bsica de las asignaturas Fsica Estadstica y Fsica del Estado Slido.
ENLACES RECOMENDADOS
Algunos vdeos realizados por miembros del Departamento de Electrnica y Tecnologa de Computadores sobre
distintos aspectos de la fsica de los semiconductores y dispositivos electrnicos relacionados con el temario
de la asignatura:
Densidad de Estados: http://www.youtube.com/watch?v=cqUCYramcFA
Unin P-N:
http://www.youtube.com/watch?v=hsJGw_c-Nn4
MOSFET:
http://www.youtube.com/watch?v=9JKj-wlEPMY
El siguiente enlace no trata sobre materia del temario de la asignatura propiamente, pero puede contribuir a
la formacin del alumno y ser un adecuado complemento para la comprensin del funcionamiento del
osciloscopio: http://www.youtube.com/watch?v=wVXOIwtkFZk
METODOLOGA DOCENTE
El profesor expondr en clase los contenidos tericos necesarios para afrontar con xito las siguientes
actividades que debern realizar los estudiantes.
Resolucin de problemas al final de cada tema.
Desarrollo y ampliacin de contenidos tericos
Prcticas de Laboratorio. Asistencia Obligatoria.
EVALUACIN (INSTRUMENTOS DE EVALUACIN, CRITERIOS DE EVALUACIN Y PORCENTAJE SOBRE LA CALIFICACIN FINAL, ETC.)

Evaluacin de problemas y desarrollo o ampliacin de temas. Pruebas parciales de evaluacin: 20% de

la calificacin final.
Evaluacin de prcticas: 20% de la calificacin final Asistencia obligatoria.
Examen final: 60% de la calificacin final. Nota mnima de esta prueba para la compensacin con las
anteriores: 4 sobre 10. La superacin de la asignatura requiere una nota final igual o superior a 5
sobre 10.
Para los alumnos que, de acuerdo con la Normativa de Evaluacin y calificacin de los Estudiantes de
la Universidad de Granada opten por la evaluacin nica final, el examen final nico incluir una
parte prctica y otra escrita. La parte prctica consistir en la realizacin de una prctica, excepto
para quienes hayan realizado y superado las prcticas de laboratorio durante el curso. Para aprobar la
asignatura, se deber sacar una puntuacin de 5 sobre 10 en cada parte. XXXX

INFORMACIN ADICIONAL
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