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Dispositivos Semiconductores.

Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrnica de Potencia se clasifican en tres grupos,


de acuerdo con su grado de control:
1. Dispositivos no controlados
2. Dispositivos semicontrolados
3. Dispositivos totalmente controlados
DISPOSITIVOS NO CONTROLADOS
- DIODOS DE POTENCIA
El diodo es un interruptor unidireccional , sus principales caractersticas son:
Tiene una estructura P-N; con una rea mayor para soportar mayores corrientes en conduccin
(en el orden de los KA) y tensiones inversas (en el orden de los KA). El mayor tamao se debe al
aumento de una regin intermedia n de bajo dopaje que lo diferencia de los diodos de seal.
La tensin de cada aumenta a 1 o 2 V siento esta nueva regin es la causante de este fenmeno.
Tiene dos estados de recuperacin:
Recuperacin inversa: Es el tiempo de paso de conduccin a bloqueo (on - off)
Recuperacin Directa: Es el tiempo de paso de bloqueo a conduccin (off -on)
Los tipos de diodos de potencia son:
Diodos Schotky,
Diodos de recuperacin rpida
Diodos rectificadores o de frecuencia de lnea.
DISPOSITIVOS SEMICONTROLADOS
- TIRISTORES
Es una estructura de cuatro capas (P-N-P-N) El paso de On a Off, realiza normalmente por control
externo
El paso de Off a On, se da cuando la correinte del tiristor es mas pequea que la corriente de
mantenimiento.
Sus tipos dentro de estos semiconductores son:
SCR (Rectificador Controlado de Silicio)
TRIAC (Triodo de Corriente Alterna)
GTO (Gate Turn-Off Thyristor)
TIRISTORES
- SCR

Es el dispositivo que control mayor potencia.
Soporta mayor tensin inversa entre sus terminales
La corriente establece en el sentido nodo- ctodo.
Nuevos parmetros en su recta de funcionamiento
ZONA DE BLOQUEO INVERSO (VAK<0).- Estado de OFF inversa,
comportndose como un diodo
ZONA DE BLOQUE DIRECTO( VAK >0 sin disparo).- Comporta como un circuito abierto hasta
alcanzar el voltaje de ruptura
ZONA CONDUCCIN (VAK >0 disparado).- Se comporta como interruptor cerrado y se mantiene
hasta que sea menor a la corriente de mantenimiento.


- TRIAC

Es un tiristor bidireccional de tres terminales.
Permite el paso de la corriente en los dos sentidos entre terminales
A1 y A2
Puede disparse con tensiones de puerta de ambos signos, pero solo
tiene un gate en el exterior, es decir un solo circuito de control
Funciona como dos SCR en antiparalelo
Mximo 1000v, 15 A, 15kW, 50/60 Hz.
- GTO:
Mximo 5000v, 4000A
El GTO tiene control externo en el paso de conduccin a bloqueo, de On a Off.
Y tambien permiete controlar externamente el paso de OFF a ON.
El mecanismo de disparo es parecido al del SCR
Si gate + pasa de estado de ON a OFF
Si gate oasa de estado de OFF a ON



TRANSISOTES

Los transistores de potencia tambien trabajan en zona de conmutacin, es cir en ON-OFF
Sus ventajas es que son totalmente controlados
Se clasifican en
BJT (B IPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)
MOSFET
IGBT


BJT
Son interruptores de potencia controlados por corriente.
Los de tipo npn son los mas utilizados
Consumen mayor energa que los SCR
Se controlan por la base
Trabaja en 3 zonas pricipalmente
CORTE.- No inyecta corriente a la base (interruptor abierto)
ACTIVA.- Inyecta corriente a la base del transistor. Se da cuando funciona
como amplificador mas no como semiconductor de potencia
SATURACION.- Inyecta suficiente corriente a la base. Interruptor ideal.






- MOSFET
Son transistores controlados por Tensin. Debido al aislamiento de xido de silicio de la
base.
Existen dos tipos dentro de estos transistores de potencia:
De canal n y de canal p
Desventaja.- Maneja reducida potencia porque se calientan mucho
Ventaja.- Son los transistores mas rpidos que existen
Trabaja en 3 zonas fundamentalmente:
CORTE.- VG y Vcc es menor al voltaje de umbral. Interruptor abierto
HMICA.- Si Vg y Vcc es mayor a Vp y Vcc, se cierra el transistor modelado por una resistencia.
SATURACION.- Si se cierra el transistor pero con un voltaje en el drain-source elevado













IGBT
Son dispositivos semiconductores hbridos
Une la velocidad de disparo de un MOSFET con las pequeas prdidas de conduccin de
un BJT
Velocidad de conmutacion en KhZ menor al MOSFET
Maneja hasta decenas de amperios, 1200-2000v
Tiene una entrada de alta impedancia
No presenta problemas de ruptura secundaria como los BJT
Tambien son activados por tensin

Tablas de comparaciones y rendimientos de los diferentes semiconductores de potencia