Electrónica analógica

PARCIAL NRO. 1
ELECTRÓNICA ANALÓGICA
DOCENTE: HÉDRICK ROBLES, MSC.
PROGRAMA DE INGENIERÍA MECATRÓNICA
MARZO 9 DE 2021

Nombres: Emyr Jose

Apellidos: Masquita Garrido

A continuación, encontrará las consultas correspondientes al examen del primer corte de

la asignatura Electrónica Analógica. Las preguntas constan de un enunciado y cuatro
opciones de respuesta, de las cuales Ud. debe marcar con una X (en negrilla y color
rojo) la que considere correcta.
Nota: Las comas (,) en los números indican separación con cifras decimales.
¡Muchos éxitos!

1. En elementos semiconductores construidos con silicio, un material dopado tipo

P difiere de un tipo N en que:
a. En el tipo P los portadores mayoritarios son los electrones, mientras que en el tipo N,
son los huecos.
b. El tipo P se conforma con impurezas que adicionan cargas negativas, y los tipos N, con
cargas positivas.
c. En el tipo P los portadores mayoritarios son los huecos, mientras que en el tipo N
son los electrones. (X)
d. El tipo N se conforma con impurezas naturales en los materiales, tales como óxidos,
ácidos e hidróxidos.
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2. De la curva que describe el comportamiento de un diodo de silicio (ver figura),

¿cuál de las siguientes deducciones es falsa?

Curva característica de diodo semiconductor. En el eje horizontal se ilustra el

voltaje en el diodo (VD) y en el vertical se muestra la corriente que circula por el
mismo (ID).
a. Un diodo ideal se comporta como un cortocircuito en VD = 0 V.
b. En un diodo ideal, la corriente de saturación en inversa es igual a cero.
c. En la región del voltaje umbral o de rodilla (Vk), hay una disminución en el flujo
de corriente en el diodo. (X)
d. En la región del voltaje umbral o de rodilla (Vk), hay un aumento en el flujo de corriente
en el diodo.

3. ¿Cuál de los siguientes diodos se emplea para realizar circuitos de conmutación

rápida, además de poseer un muy bajo voltaje de rodilla (Vk)?
a. LED.
b. Shockley.
c. Schottky. (X)
d. Diodo de silicio.
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4. Se ingresa una señal de voltaje alterno con Vp=20 V en un circuito formado por
un diodo y un resistor en serie, tal como lo ilustra la figura. La gráfica del voltaje de
salida (Vo), mostrará como resultado:

a. Una onda con período T con el semiciclo positivo eliminado.

b. Una onda con período T con el semiciclo negativo eliminado.
c. Una onda con período T recortada en la parte positiva Vrms=14,14 V. (X)
d. Una onda con período T recortada en la parte negativa Vrms=14,14 V.

5. En los diodos semiconductores, la región Zener aparece cuando:

a. No existen regiones Zener en los diodos.
b. Se polariza en directa y se aumenta el voltaje de alimentación.
c. Se polariza en directa y se disminuye el voltaje de alimentación
d. Se polariza en inversa y se aumenta la magnitud de voltaje de entrada. (X)
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6. Para siguiente figura, la cual representa la curva típica de un diodo convencional,
encuentre el valor de resistencia estática para la coordenada marcada con color
rojo:

a. 0.4 ohms.
b. 40 ohms. (X)
c. 25 ohms.
d. No existen los datos suficientes para encontrar dicho valor.

7. Si un diodo zener posee en sus especificaciones técnicas un voltaje (Vz) de 18 V

y una corriente (Iz) de 1,1 mA, el valor de potencia (en watts) con el que puede
trabajar el dispositivo es:
a. 0,019. (X)
b. 19,8.
c. 16 363,63.
d. 0,061
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8. El color de emisión de un diodo LED (Light Emitting Diode) depende de:

a. Brecha de energía de los materiales. (X)
b. Constante de Planck.
c. Velocidad de la radiación electromagnética.
d. Respuesta del ojo humano.

9. Asumiendo un diodo de silicio ideal, encuentra la corriente circulante en el

siguiente circuito (en amperios):

a. 0,018.
b. 0,02. (X)
c. Cero, ya que los diodos no conducen corriente directa.
d. 5000.
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10. Para la red de la siguiente figura, asumiendo un comportamiento real de los

diodos, el valor del voltaje de salida (Vo), en voltios, tiene un valor de:

a. El mismo voltaje de la fuente, es decir, 20 V.

b. 18,6.
c. 0.7 V, que corresponde al voltaje de rodilla de los diodos.
d. Cero. (X)

11. Para la red de la siguiente figura, asumiendo un comportamiento real del diodo,
el valor del voltaje de salida (Vo), en voltios, tiene un valor de:

a. 0,001.
b. 0,7.
c. Cero, ya que el diodo entraría en circuito abierto porque está conectado en inversa.
d. 2,96. (X)
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12. Para la red mostrada en la siguiente figura, asumiendo un comportamiento real

de los diodos, encuentre el valor de R (en ohms) para asegurar una corriente de 20
mA en el circuito.
Se tienen los siguientes datos:
Vk LED rojo: 1,8 V.
Vk LED verde: 2 V.

a. 310.
b. Cero, ya que el circuito se encuentra abierto por la acción de los diodos.
c. 210. (X)
d. 300.

13. Para la red de la siguiente figura, asumiendo un comportamiento real de los

diodos y un valor de Vm=13 V, el valor del voltaje de salida (en voltios), es decir, en
el capacitor C2, es de:
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a. 13.
b. 39.
c. Cero, ya que uno de los diodos entraría en circuito abierto porque está conectado en
inversa.
d. 26. (X)

14. Para la red de la siguiente figura, asumiendo un comportamiento real de los

diodos, el valor de la corriente del circuito, en amperios, tiene un valor de:

a. 5400.
b. 0,015.
c. Cero.
d. 0,010. (X)

15. A una temperatura de 77 °C, el voltaje térmico (en voltios) de un diodo

semiconductor de silicio es de:
a. 0,022.
b. 0,015.
c. 0,038.
d. 0,030. (X)