-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

SEP SES DGEST

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Instituto Tecnolgico La Piedad


Alumno:
Lpez Alcal Manuel Alejandro


Profesor:
Ing. Francisco Hernndez Sols


Tema:

U n i d a d II
Unin de p - n



27 / 09 / 2012 La Piedad, Mich.



Unin p - n en estado de Equilibrio
Introduccin:
Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes
electrnicos denominados semiconductores, principalmente
diodos y transistores BJT. Est formada por la unin
metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si),
aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de
naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico.

Estos tipos de cristal se obtienen al
dopar cristales de metal puro
intencionadamente con impurezas, normalmente con algn
otro metal o compuesto qumico.

Una unin p-n consiste en un semiconductor con una regin de tipo:

p (exceso de huecos)
&
n (exceso de electrones)

Separadas por una regin relativamente delgada de transicin de un tipo a otro y
puede tener de 10-6 a 10-4 cm de espesor segn el mtodo de obtencin.



Desarrollo:
Unin P-N en Equilibrio

Una unin p-n se encuentra en equilibrio termodinmico cuando se encuentra a
una temperatura uniforme y no actan sobre ella factores externos que aporten
energa.

En este caso las corrientes de electrones y huecos deben anularse en cada punto
del semiconductor y, desde un punto de vista termodinmico, el nivel de Fermi ha
de ser el mismo para ambos tipos de portadores.

Potencial de Contacto

Antes de producirse el equilibrio y desde el instante del contacto, existen unas
corrientes de difusin producidas por la variacin del gradiente de portadores a
cada lado de la unin.

Unin p - n en estado de Equilibrio
Este desplazamiento de portadores alrededor de la unin metalrgica hace que
aparezca en dicha zona, llamada zona de transicin o de carga espacial, una
densidad de carga elctrica debida a las impurezas ionizadas inmviles, negativa
en la regin P y positiva en la regin N, que origina un campo elctrico en la zona
de transicin y cuya direccin se opone al movimiento por difusin de los
portadores mviles. De ese modo se llega al equilibrio cuando el valor de este
campo elctrico que acta sobre los portadores mviles compensa el efecto
debido a la difusin.

La presencia de este campo elctrico en la zona de transicin conllevar la
aparicin de una diferencia de potencial electrosttico entre las regiones P y N,
que recibe el nombre de potencial de contacto de la unin y cuyo valor, en
equilibrio, permite que el nivel de Fermi sea constante a travs de la unin.

Los potenciales de contacto o potenciales intrnsecos no pueden medirse
externamente con un voltmetro.



Zonas de Vaciamiento

Dentro de la unin P-N se observan dos capacidades que son consecuencia de
fenmenos diferentes:

Capacidad de Vaciamiento.
o Capacidad de Difusin.

Capacidad de Vaciamiento

Unin p - n en estado de Equilibrio
El hecho de modificar la tensin aplicada externamente a la juntura p-n, modula el
ancho total de la zona de vaciamiento. Esta variacin, redunda en una variacin
de la carga y por ende puede asociarse a una capacidad. El valor que toma esta
capacidad es:



Esta capacidad tiene mucha implicancia para tensiones inversas.
En el caso de polarizacin directa se adopta un valor de VD/B = 0,5

Carga Almacenada

El primer efecto termoelctrico fue descubierto en
1821. Seebeck se dio cuenta de que una aguja
metlica es desviada cuando se le sita entre dos
conductores de materiales distintos unidos por uno
de sus extremos y sometidos a una diferencia de
temperatura. Este efecto es de origen elctrico, ya
que al unir dos materiales distintos y someterlos a
una diferencia de temperatura aparece una
diferencia de potencial. La principal aplicacin
prctica del efecto Seebeck es la medida de
temperatura mediante termopares.

Aos ms tarde, en 1834, Jean-Charles Peltier
descubri el segundo efecto termoelctrico: en la
unin de 2 materiales diferentes sometidos a una
corriente elctrica aparece una diferencia de
temperaturas.

William Thomson en 1851 dice los efectos Seebeck y Peltier estn relacionados:

Un material sometido a un gradiente de temperatura y recorrido por una corriente
elctrica intercambia calor con el medio exterior.
Recprocamente, un material sometido a un
gradiente de temperatura y recorrido por un flujo
de calor genera una corriente elctrica. La
Unin p - n en estado de Equilibrio
diferencia fundamental entre los efectos Seebeck y Peltier considerados por
separado y el efecto Thomson es la existencia de este ltimo en un nico material,
sin necesidad de que exista 1 unin entre materiales distintos.

Carga almacenada

Q: est en coulombs
I: est en amperios
t: est es segundos

Experimentalmente se puede comprobar que la carga almacenada en un capacitor
es directamente proporcional al voltaje aplicado entre sus terminales.

Entonces: Q = C x V (carga = capacidad x voltaje)

Donde:
Q: est en coulombs
C: est en faradios
V: est en voltios

Igualando la ltima ecuacin con la primera se tiene que: Q = I x t = C x V

Despejando: V = I x t / C.

Si se mantiene el valor de la corriente "I" constante y como el valor de "C" tambin
es constante, el voltaje "V" es proporcional al tiempo.

Entonces se puede decir que:

Cuando un capacitor se carga a corriente
constante, el voltaje entre sus terminales es
proporcional al tiempo de carga.

Capacitancia de Difusin y Transicin

Tipos De Diodos

Hablando del diodo rectificador. Podemos considerar variantes de este modelo,
como el diodo condensador o el de efecto avalancha, y otros tipos de diodos como
el Schottky o el Zener.

Unin p - n en estado de Equilibrio
Diodo Condensador

Un diodo rectificador puede presentar 2 tipos de capacidad: de transicin y de
difusin.

La capacidad de transicin, aparece en polarizacin inversa, como consecuencia
del enfrentamiento de las cargas a lo largo de la zona de agotamiento.
La capacidad de difusin aparece en polarizacin directa a causa de un proceso
que requiere algo de explicacin.

La corriente se produce como consecuencia del paso de la zona de agotamiento
por parte de los portadores mayoritarios. Por ejemplo, electrones que van de la
zona N a la zona P del diodo. Pero cuando llegan a la zona P los electrones pasan
a ser minoritarios, y si contina el proceso llegar a haber una gran concentracin
de electrones al otro lado de la frontera. Una situacin anloga ocurre para los
huecos que han atravesado la frontera hacia la zona N, por lo que al final
acabaremos teniendo una gran concentracin de portadores minoritarios a cada
lado de la frontera. Dicha concentracin aumentar conforme aumente la tensin
directa aplicada entre nodo y ctodo. Dicho aumento de la concentracin es lo
que hace que surja la capacidad de difusin.

Ambos tipos de capacidad conllevan una evolucin de la tensin y la corriente de
forma exponencial. Por muy brusco que sea el cambio de tensin, los portadores
siempre requerirn un tiempo de reaccin. De aqu se extrae la existencia de la
propiedad capacitiva del diodo.

Conclusin:
Con este trabajo explico el comportan de los semiconductores p-n, as como sus
propiedades, forma de trabajo y descubrimientos de funciones.

Aprendiendo que a X temperatura y con ciertas caractersticas cada diodo
reacciona, diferente de otro. Haciendo a cada semiconductor que su composicin
interna sea muy diferente, generando una forma de trabajo amplia con el
dispositivo.

Fuentes de Informacin:
http://html.rincondelvago.com/uniones-semiconductores.html
http://www.unicrom.com/Tut_carga_tension
http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Guias/tema4.pdf
http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_5.htm
http://personales.upv.es/jquiles/prffi/semi/ayuda/hlppotcontacto.htm
http://www.slideshare.net/reysonhidelex/diodo-5867130