INDICE

1.- INTRODUCCIN..................................................................................................................................2
2.- DESARROLLO......................................................................................................................................4
2.1.- TERMINOS Y CONCEPTOS:..........................................................................................................4
2.2.- OBTENCION DE SOL GEL.........................................................................................................5
2.3.- OTRAS APLICACIONES................................................................................................................8
2.3.1 CRISTALES Y CERAMICAS.......................................................................................................11
2.3.2 NANOCOMPUESTOS:..............................................................................................................12
2.3.3 REALIZACIN DE RECUBRIMIENTOS DE LMINA DELGADA POR SOL-GEL...............14
Mtodo sol-gel en la pepaa!"#n de la$"nas delgadas %eoel!t"!as.....................................15
&.- CONCLUSIN.....................................................................................................................................1'
1
1.- INTRODUCCIN
La tcnica Sol-Gel ha sido usada en los ltimos aos para preparar un amplio rango de
materiales. El mtodo es atractivo porque involucra procesos a baja temperatura. Tambin la alta
purea ! homogeneidad son atribuibles a su "orma de preparaci#n en sistemas de
multicomponentes. $n progreso considerable ha tenido cabida en la ultima dcada en el
entendimiento de la qu%mica del proceso ! de los mecanismos "%sicos involucrados en las etapas
del &sintering' de los geles obtenidos desde los geles precursores. La tcnica Sol-Gel ha sido
e(plotada para elaborar nuevas composiciones de cristales) nuevos sistemas cer*micos !
compuestos de tiles propiedades. En este in"orme damos una breve revisi#n de las ultimas
tendencias en la s%ntesis Sol-Gel de materiales.
En disciplinas tales como la electroqu%mica) cromatogra"ia ! la detecci#n "otomtrica e(iste una
bsqueda constante de matrices ideales que puedan soportar molculas org*nicas ! que
combinen la versatilidad de "abricaci#n de los pol%meros org*nicos con las propiedades #pticas !
qu%micas "avorables de la s%lica gel. Esta mecla de propiedades es sobre todo importante en el
sensado "otomtrico) donde la transparencia #ptica es de vital importancia.
La ma!or%a de las membranas m*s comunmente usadas utilian pol%meros org*nicos tales como
+,-) +../ 0polimetilmetacrilato1) entre otras) las cuales presentan propiedades #pticas
"avorables.
/vances recientes en la tecnolog%a de cer*micas han hecho posible moldear la s%lica ! otros
#(idos met*licos a temperatura ambiente mediante la tcnica sol-gel ! adem*s se ha demostrado
la posibilidad atrapar compuestos org*nicos en matrices inorg*nicas al introducir el compuesto
deseado con los
precursores del sol-gel. Esta tcnica se ha e(tendido tambin a compuestos biol#gicos.
La qu%mica de la tcnica Sol-Gel para preparar materiales ha sido tratada. 2ecientes tendencias
en el an*lisis de estructuras derivadas por esta v%a han sido descritas. /lgunos de los nuevos
materiales preparados se han e(aminados. Estos inclu!en cristales Sol-Gel con tintes org*nicos
2
incorporados para aplicaciones en #ptica no lineal) en l*seres sintoniables) como concentradores
solares luminiscentes3 "ibras aislantes ! electroconductoras ! superconductores a alta
temperatura. La e"ectividad de la tcnica Sol-Gel en la preparaci#n de nanocompuestos de cristal
met*lico es conocida. Las propiedades #pticas ! elctricas de estos nanocompuestos han sido
descritas ! los modelos te#ricos para e(plicar este comportamiento son discutidas. La s%ntesis de
algunos cristales semiconductores que contienen iones de antimonio ! arsnico son brevemente
tratados. Las e(traamente largas permitividades dielctricas mostradas por estos materiales ! el
comportamiento a su resistividad a /- a bajas temperaturas son e(aminadas bajo la lu de
algunos modelos "%sicos e(istentes.
La tecnolog%a Sol-Gel permite la s%ntesis d cer*micas homogneas tanto de grano "ino
como de grano grueso ! o"rece control de purea qu%mica ! cristalina. Esta permite tambin
el control del proceso de manu"actura a escala micro ! macrosc#pica.
4(idos multicomponentes pueden ser "ormados v%a proceso Sol-Gel. Los constitu!entes
individuales son combinados como l%quidos) resultando una mecla a nivel at#mico.
El mtodo Sol-Gel permite a partir del gel la preparaci#n de productos en diversas "ormas
"%sicas tales como polvos ultra"inos) monodispersos ! mu! reactivos) pieas monol%ticas de
"orma de"inida 0#pticamente limpias1) recubrimientos ! "ibras.
El material "inal es m*s homogneo con respecto a especies qu%micas obtenidas por
procesos en los cuales di"usi#n en estado s#lido o "ase "undida es necesario para la
"ormaci#n del compuesto) adem*s de ser m*s vers*til que los dem*s mtodos no
convencionales en el procesamiento de cer*micas avanadas.
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2.- DESARROLLO
2.1.- TERMINOS Y CONCEPTOS:
En una dispersi#n coloidal se llama fase dispersa o dispersoide a la substancia disuelta que
se halla en menor proporci#n) ! medio de dispersi#n al medio en que se hallan dispersas las
part%culas. Las suspensiones coloidales m*s "amiliares e importantes tienen un l%quido
como medio de dispersi#n aunque tambin puede servir como tal un gas o un s#lido) con
"ase dispersa s#lida) liquida o gaseosa.
La dispersi#n coloidal recibe el nombre genrico de sol. -uando el medio l%quido es el
agua) el sistema se denomina hidrosol ! s% es un alcohol es un alcosol.
Soluciones coloidales o soles contienen !a sea grandes macromolculas) agregados
moleculares o pequeas part%culas ! ocupan una posici#n intermedia entre soluciones
verdaderas de especies de bajo peso molecular ! vulgares dispersiones. +art%culas
coloidales se consideran aquellas que tienen al menos una dimensi#n en el rango 5-566 nm.
La qu%mica coloidal "orma un v%nculo continuo entre la qu%mica molecular ! el estado s#lido.
/lgunos soles pierden gradualmente algo de su l%quido por evaporaci#n ! "orman masas
gelatinosas que se llaman geles. Los hidrosoles dan lugar a hidrogeles, los alcosoles a
alcogeles.
Gel es una "orma de materia entre l%quido ! s#lido. $n gel polimrico es una red
macromolecular in"inita) la cual est* hinchada por solvente.
$n gel puede ser creado cuando la concentraci#n de la especie dispersa aumenta. $na
transici#n Sol-Gel es observada cuando la viscosidad se incrementa notoriamente sobre lo
normal. El solvente es atrapado en la red de part%culas ! as% la red polimrica impide que el
liquido se separe) mientras el l%quido previene que el s#lido colapse en una masa compacta.
La deshidrataci#n parcial de un gel produce un residuo s#lido el*stico que se conoce
tambin como gel) tal como el gel de s%lice3 este residuo s#lido es a su ve conocido con el
nombre de xerogel.
Los geles pueden dividirse en dos clases3 los que se separan como precipitados
gelatinosos de un e(ceso de medio l%quido de dispersi#n 0por ejemplo) #(idos hidratados de
metales) tales como hierro ! aluminio1) ! geles del tipo de la gelatina que absorben un
e(ceso de liquido ! "orman jaleas 0por ejemplo) las jaleas preparadas como combustibles1.
Las dispersiones coloidales se dividen tambin en dos grandes clases segn la a"inidad
relativa entre la "ase dispersa ! el medio de dispersi#n. Si la a"inidad es pequea se dice
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que la "ase dispersa es lifoba. Las substancias li#"obas se designan como coloides
irreversibles pues son precipitadas "*cilmente por los electrolitos ! una ve secas no pueden
dispersarse de nuevo. Si la a"inidad entre la "ase dispersa ! el medio de dispersi#n es mu!
marcada se dice que la "ase dispersa es lifla. Los coloides li#"ilos son reversibles puesto
que pueden separarse del medio de dispersi#n ! secarse) ! el material seco cuando se
mecla con el medio de dispersi#n regenera de nuevo el sistema coloidal. Ejemplos de soles
li#"obos son las dispersiones coloidales de metales) tales como platino) oro ! plata) los
sul"uros coloidales) como el sul"uro arsenioso ! el sul"uro cprico ! los haluros de plata.
Ejemplos de soles li#"ilos son las disoluciones de almid#n) jab#n) gomas ! prote%nas. 7ebe
tenerse presente que estas caracter%sticas opuestas no son absolutas) pues muchos soles)
tales como los #(idos hidratados 0sol de #(ido "rrico) etc.1 se sitan en un grupo intermedio
que presentan algunas propiedades de cada uno de los tipos.
El mtodo Sol-Gel es un mtodo donde uno o varios elementos son usados en la
"orma de sol !8o gel con el "in de obtener un s#lido homogneo) principalmente policristalino
o amor"o.
El desarrollo de Sol-Gel ha sido en"ocado hacia la obtenci#n de #(idos.
2.2.- OBTENCION DE SOL GEL
Este proceso depende de la habilidad de uno o muchos componentes actuando como un
"ormador 0plasmador) matri1 del gel. En el caso de composiciones bien de"inidas) en las
cuales las impureas son cuidadosamente controladas) e(isten dos mtodos para la
obtenci#n de "ormadores de gel9
5.- El primero consiste en el uso de materia prima en "orma de part%culas coloidales) por
ejemplo) el caso de las arcillas 0coloides naturales1. $n mtodo similar es la
hidrataci#n8precipitaci#n de especies inorg*nicas en soluci#n acuosa para sintetiar #(idos
coloidales. Esta reacci#n es bien conocida en el caso del *cido sil%cico) pero otros
compuestos tales como *cido van*dico ! "os"atos, presentan las mismas propiedades.
Este mtodo de preparaci#n de coloides conocido como :.todo de -ondensaci#n: se basa
en el crecimiento de agregados mediante agrupaci#n de part%culas de tamao i#nico o
molecular hasta alcanar la magnitud coloidal. 7ebe evitarse) sin embargo) un crecimiento
demasiado r*pido puesto que podr%a originarse coagulacin ! no "ormarse el coloide.
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7urante la "ormaci#n de coloides por el mtodo de condensaci#n debe producirse un estado
de sobresaturaci#n para lo cual ha! que evitar cualquier precipitaci#n de substancia. El
tamao ! el nmero de part%culas coloidales "ormadas depende del grado de
sobresaturaci#n) del nmero de ncleos presentes sobre los que puede tener lugar la
condensaci#n ! de la velocidad con que el soluto emigre a los ncleos. Si al principio ha!
ncleos o grmenes de condensaci#n) las part%culas coloidales suelen ser de dimensiones
uni"ormes) pero si los ncleos se "orman durante el proceso de condensaci#n) el tamao de
las part%culas es variable. /s% pues) el resultado depende de las condiciones que
determinan ! rigen el proceso) ! la condensaci#n puede producir un precipitado 0suspensi#n
grosera1 o una disoluci#n coloidal. Si se evapora l%quido a partir de la disoluci#n se obtiene
un gel.
La "ormaci#n del sol ! gel en este caso est*n relacionados con el car*cter *cido del
esqueleto molecular) o m*s ampliamente) con el poten!"# $et" o potencial electrocintico
0di"erencia de potencial en capa di"usa "ormada alrededor de la part%cula coloidal por iones
de carga opuesta1) el cual representa interacciones electroest*ticas entre part%culas ! que
regula la "loculaci#n 0agrupaci#n de part%culas ! su separaci#n del l%quido como precipitado1
! gelaci#n.
El +; in"lu!e sobre la solubilidad ! estabilidad del sol. +ara estos materiales) la transici#n
Sol-Gel puede ser reversible bajo ciertas condiciones de concentraciones ! +;.
En resumen) en este caso) el gel es "ormado por interacci#n de cargas entre las
part%culas.
<.- El segundo mtodo esta basado en la hidr#lisis - policondensaci#n de alc#(idos. /lc#(ido
es un compuesto de "#rmula .0421n) donde . es el cati#n ! -42 es un radical proveniente
de un alcohol) por ejemplo) el radical eto(i9 -4-;<-;= proviene del alcohol et%lico ! n da el
nmero de o(idaci#n del cati#n . met*lico o no met*lico. La hidr#lisis del alc#(ido o mecla
de varios alc#(idos) usualmente se e"ecta en una soluci#n de alcohol o he(ano lo que
permite generar una estructura polimrica.
$n mecanismo simple de la hidr#lisis - policondensaci#n es9
.0421n > n ;<4 ---- .04;1n > n 24; hidr#lisis
.04;1n ------ .4n8< > n8< ;<6 policondensaci#n
6
En el caso de tener dos alc#(idos) se puede "ormar un producto intermedio el cual
corresponde a un alc#(ido doble antes de llevarse a cabo la hidr#lisis. Este alc#(ido doble
se "orma !a que es m*s estable que los alc#(idos por separado. /l ser m*s estable resulta
m*s lenta) por lo tanto controlable) la etapa de hidr#lisis.
.0421n > .?0421m ----..?0421
alc#(ido doble
..?0421 > ;<6 ----..?04;1 > 24;
..?04;1 ----- ..?48< > 8< ;<6
La reacci#n de hidr#lisis - condensaci#n entre los alc#(idos lleva a una soluci#n
homognea) e(cepto si ocurre una policondensaci#n pre"erencial de uno de ellos.
La reacci#n de hidr#lisis - condensaci#n de alc#(idos 0.0421n) .? 0421n) .?? 042?1n) etc.1
permite) en el estado l%quido) en escala molecular) una distribuci#n homognea de los varios
elementos 0.) .@) .@?) etc.1) permitiendo as% una distribuci#n estequiomtrica homognea
"inal.
Las condiciones del proceso de geli"icaci#n in"lu!en sobre la estructura) el volumen de poro
! el tamao de poro de gel. +or lo tanto estas propiedades dependen de "actores como la
ra#n agua8alc#(ido) concentraci#n ! naturalea qu%mica de los alc#(idos.
Se pueden distinguir dos posibilidades o caminos) dependiendo de la ra#n agua8alc#(ido !
el tiempo de hidr#lisis)
i- $na hidr#lisis lenta involucrando una ra#n agua8alc#(ido baja 0poca agua) ra#n A5
molar1. Este proceso lleva) pasando por un pol%mero gel) a muestras monol%ticas ! es
estudiado e(tensamente para "ormar composiciones v%treas 0glass-"orming compositions1 !
#(idos mi(tos estequiomtricos.
ii- $na hidr#lisis r*pida con gran e(ceso de agua 0ra#n BB51 lleva a la precipitaci#n
de polvos 0polvos de gel1) los cuales pueden ser densi"icados bajo presi#n a temperatura
ambiente.
+ara la obtenci#n de un #(ido mi(to estequiomtrico policristalino es necesario una
polimeriaci#n lenta de una soluci#n de alc#(ido con traas de agua disuelta en alcohol
0hidr#lisis debe e"ectuarse lentamente1.
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En resumen) en este caso) el gel es "ormado por una reacci#n de dos etapas9 una de
hidr#lisis ! una ulterior de policondensaci#n.
En general los alc#(idos son mu! sensibles a la humedad 0se descomponen mu! "*cilmente
ante la presencia de sta1) es por ello que la hidr#lisis para la "ormaci#n del gel es llevada a
cabo usando metanol) etanol) propanol o 0ciclo1 he(ano como un solvente mutuo para los
di"erentes l%quidos inmiscibles 05-<6 mol de solvente por mol de alc#(ido1.
Si la cadena 0radical1 del alcohol usado como solvente 0por ejemplo) +r4; 0propanol11 es
di"erente a la del alc#(ido 0por ejemplo) .04Et1n 0etanol11) ocurre una transesteri"icaci#n que
modi"ica la hidr#lisis C policondensaci#n9
.04Et1n > m +r4; --- .04Et1n-m 04+r1m > mEt4;
En el mtodo hidr#lisis - policondensaci#n de alc#(idos para la "ormaci#n de gel) la
transici#n Sol-Gel no es reversible.
2.%.- OTRAS APLICACIONES
-omo !a se dijo) a travs del mtodo Sol-Gel es posible obtener cer*micas de #(idos mi(tos
en la "orma de polvos mu! "inos) pieas monol%ticas de "ormas de"inidas) "ibras !
recubrimientos 0pel%culas1. En cada caso e(isten condiciones de procesamiento espec%"icas.
/l preparar polvos ultra"inos) monodispersos ! reactivos es necesario una r*pida hidr#lisis
con gran e(ceso de agua 0<6-D66 ml ;<6 por mol de alc#(ido1 en el caso de una hidr#lisis-
policondensaci#n ! en el caso de usar un sol 0dispersi#n coloidal1) este debe ser de alta
concentraci#n para poder inducir la precipitaci#n de polvos. /l introducir las part%culas en la
"orma de suspensi#n coloidal) la gelaci#n proveniente de estas part%culas est* "uertemente
determinado por el +;. El secado se lleva a cabo a bajas temperaturas 0AE6F-1. +or este
procedimiento se logran polvos puros ! "inos) pero en la pr*ctica stos no son utiliados
como tal) teniendo que proceder a una compactaci#n posterior lo que puede introducir
impureas.
+ara obtener pieas monol%ticas de "orma de"inida es necesario una lenta polimeriaci#n) la
cual es controlada por la etapa de hidr#lisis3 por lo tanto) es requerida una lenta hidr#lisis.
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+ero tambin es posible realiar la polimeriaci#n en contacto con la humedad atmos"rica)
con el inconveniente de ser un proceso mucho m*s lento que el e"ectuar la hidr#lisis
mediante adici#n controlada de agua. 4tros "actores son requeridos tales como una baja
ra#n agua8alc#(ido) alta temperatura de hidr#lisis 0temperatura de ebullici#n del solvente1)
el uso de contenedores 0en los cuales se vierte el gel para obtener una "orma deseada1 de
un material hidro"#bico ! un lento secado ! calentamiento posterior.
+el%culas ! "ibras son preparadas bajo las mismas condiciones que las pieas monol%ticas)
es decir) lenta hidr#lisis ! baja ra#n agua8alc#(ido. / di"erencia de polvos ! pieas) las
pel%culas ! "ibras pueden ser preparadas directamente del estado viscoso de la soluci#n. En
el caso de las "ibras es necesario una alta viscosidad) para poder "ormar las "ibras
e(tra!endo "ilamentos del gel ! en el caso de pel%culas la viscosidad 0concentraci#n "inal1
depende del producto deseado) es decir) si se desea una pel%cula gruesa o una de bajo
espesor.
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2.%.1 CRISTALES Y CERAMICAS
$na amplia variedad de materiales han sido preparados por el mtodo
Sol-Gel tomando ventaja de las caracter%sticas de su procesamiento a baja temperatura. /hora se
mencionaran brevemente algunos de estos productos.
El Sol-Gel completamente denso deriva en s%lica con un alto nivel de purea ! homogeneidad.
Estos monolitos tienen e(celentes propiedades #pticas con un corte vac%o $, de 5DE nm. Esto ha
sido atribuido a la ausencia de grupos 4; en estos materiales.
-ompuestos con interesantes propiedades #pticas han sido desarrollados con la incorporaci#n
de tintes org*nicos en cristales derivados Sol-Gel. -oncentradores luminiscentes solares han sido
"abricados cubriendo un colector de plato plano con un "ilm delgado de Sol-Gel que contiene
rhodamina GG o el tinte "otoestable H/SI-<J5. Sol-Gel dopado con rhodamina GG deriva en
cristales de silica que dan propiedades l*ser mu! tiles. La incorporaci#n de tintes org*nicos
convenientes como la "luorescina en un cristal Sol-Gel ha resultado en materiales para aplicaci#n
en conjugaci#n de "ase #ptica. Esto ultimo corrige cualquier onda "rontal de distorsi#n que ocurre
cuando un ra!o de lu pasa por un medio #ptico aberrante. $n compuesto de o(aina-5K6 ! cristal
Sol-Gel ha sido desarrollado el cual puede ser usado como un sensor #ptico reversible para
vapores de amonio o de *cidos. -ristales de s%lica dopados con neodimio tienen "avorables
propiedades trmicas ! mec*nicas para aplicaciones de l*seres de alta potencia. ;a! una
limitante en la solubilidad del #(ido neodimico en los cristales de silica cuando este ultimo es
preparado por la tcnica convencional de "undir-apagar. En todo caso) ha sido posible incorporar
sobre un <6L en peso de neodimio en la silica usando la tcnica Sol-Gel.
Las cer*micas modi"icadas org*nicamente 042.4-E2S - 4rganicall! modi"ied ceramics1
constitu!en un grupo de materiales constituidos por pol%meros org*nicos e inorg*nicos. Estos
combinan las propiedades de la cer*mica con esos componentes org*nicos. $na de las
aplicaciones ha sido como una capa dura en pol%meros org*nicos.
Iibras con un amplio rango de composiciones ! propiedades han sido desarrolladas usando la
tcnica Sol-Gel. Iibras aislantes con composiciones en los sistemas Si4<) Si4< CTi4<) Si4< C/l<4=)
Si4< CMr4<) Ti4<) Mr4<) etc. Iibras electroconductoras con composiciones como TiN ! - almina.
Se han realiado intentos con cierto (ito para preparar "ibras de superconductores de alta
temperatura en los sistemas OHa<-u=4K-P ! Hi-+b-Sr--a--u-4 respectivamente.
Las pel%culas 0"ilms1 delgados de los superconductores de alta temperatura descritos recin
tambin han sido sintetiados por la tcnica Sol-Gel. Las pel%culas muestran una "uerte
orientaci#n en el eje c perpendicular al sustrato. En todo caso) la actual densidad cr%tica ha sido
reportada como 566 /8cm
<
.
2.%.2 NANOCOMPUESTOS:
Los nanocompuestos) como su nombre implica) consiste en una o mas "ases de
dimensiones de unos cuantos nan#metros dispersos en una matri. La ma!or%a de los in"ormes
conocidos a la "echa hablan de una dispersi#n de nanopart%culas met*licas dentro de una matri
de cristal. La preparaci#n de compuestos cer*mica-metal por la v%a Sol-Gel "ue in"ormada en
principio por 2o! ! 2o!. El principio utiliado es obtener un sol conveniente que contenga todos
los componentes requeridos para que estn presentes en el producto "inal. Lo anterior est* sujeta)
entonces) a las reacciones de hidr#lisis ! de policondensaci#n. Las especies met*licas en estos
ejemplos "ueron cobre) n%quel) platino ! estao.
En algunos laboratorios han sido preparados pel%culas de nanocompuestos de cristal-metal con
un grosor de unos cuantos micr#metros. El sol precursor consiste de tetraet#(ido de silicona ! un
compuesto organomet*lico conveniente en etil alcohol. El compuesto organomet*lico tiene una
baja descomposici#n trmica. ;a sido utiliado o(inato de n%quel para precipitar el n%quel en el
cristal de silicona mientras el complejo &p!ridine' Q.e0-D;DN1JR 0S-N1< 0donde .eSIe) -o o .n1 ha
sido incorporado en el sol para preparar el nanocompuesto implicando Ie) -o o .n
respectivamente. Las pel%culas congeladas 0gelled1 son tratadas con calor a temperaturas en un
tango de D<= a KK=T por un per%odo del orden de algunas minutos. ,ariando convenientemente el
programa del tratamiento trmico) ha sido posible obtener nanocompuestos con part%culas
met*licas de di*metro variables que van desde = a 5J nm. $na distribuci#n de tamaos
raonablemente estrecha ha sido alcanada. La "igura <a muestra una microgra"%a t%pica de un
electr#n de un nanocompuesto N%quel8Silica ! la "igura <b es el patr#n de di"racci#n
correspondiente a ese electr#n. Los anillos con"irman la presencia de n%quel met*lico.
La absorci#n de espectro #ptico de estas pel%culas de nanocompuestos son controladas por la
absorci#n de resonancia de plasma por las pequeas part%culas met*licas. En la "igura = se
muestra el patr#n de absorci#n del nanocompuesto Ni8Si4< en "unci#n de su longitud de onda.
12
Tambin se muestran en la "igura las curvas te#ricas bas*ndose en los modelos de .a(Uell-
Garnett 0.G1 ! Hruggeman 0H21 respectivamente.
7e la "igura = parece que el modelo .G da una mejor apro(imaci#n con los datos
e(perimentales que el modelo H2. Esto ha sido encontrado t%pico para todos los nanocompuestos
investigados por los autores. Se cree que el modelo .g es adecuado aqu% porque la "racci#n de
volumen de la "ase met*lica es pequea 0V < C =L1 ! las islas met*licas son aisladas unas de
otras.
Las propiedades elctricas de las pel%culas de algunos nanocompuestos de cristal met*lico han
sido tambin investigadas. 7ependiendo de la "racci#n de volumen de la "ase met*lica presente)
los materiales muestran un comportamiento semiconductor o met*lico. +ara las pel%culas
preparadas para esta investigaci#n) el sol precursor utiliado consiste de tetraet#(ido de silicona)
el cloruro met*lico correspondiente ! etil alcohol. En el caso de cobre met*lico) ha sido
encontrado nitrato cprico para dar resultados satis"actorios. Las pel%culas depositadas en
cristales ordinarios deslian por un mtodo de mojar ! luego tratar trmicamente en hidr#geno a
temperaturas en un rango de W<= a E<=T en un per%odo que va desde 5D minutos a 5 hora.
.ediante este procedimiento se han obtenido part%culas met*licas del orden de = a 5< nm. $na
caracter%stica interesante en los resultados es que la precipitaci#n de las part%culas de metal
ocurre a una velocidad ma!or cuando la concentraci#n de sal met*lica es mas alta en la soluci#n
precursora. Esto probablemente implica que el crecimiento de las part%culas met*licas es
controlado por la di"usi#n del *tomo de metal involucrado. / ma!or concentraci#n de sal met*lica)
el *tomo de metal reducido debe migrar a una distancia menor para el crecimiento de las islas de
metal.
La "igura J muestra la variaci#n de la resistividad como "unci#n de la temperatura en el caso del
nanocompuesto Ni8Si4< en tres di*metros di"erentes. Es evidente que la resistividad disminu!e a
medida que el di*metro de la part%cula aumenta. Esto es t%pico de los resultados obtenidos para
todos los nanocompuestos cuando la "racci#n volumtrica de la "ase met*lica est* bajo el limite
de percolaci#n. +ara temperaturas bajo 5D6T la conducci#n deber* alarse debido a un
mecanismo de tnel 0tunnelling1 de electr#n entre las islas met*licas. $n mecanismo simplemente
activado ah sido mostrado para poder "uncionar en ese rango de temperatura. Las energ%as de
activaci#n en distintos nanocompuestos tienen valores que var%an entre 6.65 a 6.5 e,. La
variaci#n en la resistividad en el intervalo de temperaturas de 5D6 a =66T ha sido atribuida a los
estados localiados entre la banda vac%a resultante de los *tomos met*licos distribuidos dentro de
una matri de cristal de silica.
13
Xncrementando la concentraci#n de iones met*licos en el sol precursor es posible generar una
con"iguraci#n percolativa para la "ase met*lica con las part%culas de metal teniendo dimensiones
nanomtricas. La "igura D muestra la variaci#n de la resistividad en "unci#n de la temperatura para
el nanocompuesto Ie8Si4< con dos di*metros de part%cula distintos) ambos e(hibiendo
caracter%sticas de conductividad met*lica.
2.%.% REALI$ACIN DE RECUBRIMIENTOS DE L&MINA DELGADA POR SOL-GEL
Yrea de /ctividad9 Energ%a solar
-ampos -ient%"icos9 .ateriales) electr#nica) "%sica) qu%mica
/plicaciones9
+roducci#n de materiales por la tcnica sol-gel9
Z 2e"lectores de plata 02solarS6)EG1 ! aluminio 02solarS6)E61 de primera super"icie protegidos por Si4<
depositado por la tcnica sol-gel.
Z -ermets compuestos de una matri de s%lice dopada con cobre) oro o platino met*lico
producidos por sol-gel para absorbentes solares selectivos) "iltros #pticos) etc.
Z 2ecubrimientos antirre"lectantes de s%lice porosa depositada por sol-gel para cubiertas de vidrio !
absorbentes solares 0TvidrioS6)ED1.
7eposici#n de pel%culas met*licas sobre materiales aislantes 0vidrio) cer*micos1 por electrolesis
con aplicaciones en producci#n de re"lectores) detectores de radiaci#n ! microelectr#nica.
+rotecci#n contra la corrosi#n de sustratos met*licos mediante pel%culas protectoras densas de
materiales dielctricos producidos por sol-gel.
De'(!p!)n
La tcnica sol-gel es un mtodo de deposici#n de pel%culas de #(idos met*licos tales como /l<4=)
Si4<) Ti4<) etc.) a partir de un gel precursor preparado hidroliando en condiciones *cidas una
disoluci#n alcoh#lica de un alc#(ido del metal en cuesti#n. Este gel se deposita sobre el sustrato
mediante e(tracci#n a velocidad constante) pulveriaci#n o centri"ugaci#n. $na ve depositada la
capa de gel se sintetia en un horno para alcanar la densi"icaci#n del material.
La tcnica denominada electroless consiste en la deposici#n de pel%culas met*licas sobre
sustratos dielctricos o met*licos. +ara ello se catalia el sustrato con paladio ! se introduce el
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material en una disoluci#n que contiene una sal del metal a depositar) un complejante del ion
met*lico) un reductor ! una sustancia tamp#n. El metal se deposita espont*neamente sobre el
sustrato cataliado sin necesidad de aplicar una corriente e(terna.
C"("te(*'t!"'
El mtodo elegido para depositar la pel%cula de gel en el sustrato es la e(tracci#n a velocidad
constante de la muestra) por presentar una serie de ventajas tcnicas como ma!or tamao de las
muestras) homogeneidad del recubrimiento para sustratos planos ! "acilidad de control del
espesor del recubrimiento 0a ma!or velocidad de e(tracci#n) ma!or espesor1. Se dispone de un
sistema e(tractor de muestras a velocidad constante de una longitud til de 5.D66 mm) as% como
de un horno tubular de 566 mm de di*metro ! 5.666 mm de longitud.
.ediante la tcnica electroless se han depositado recubrimientos de n%quel) oro) paladio) cobre)
plata ! cobalto sobre metales ! dielctricos 0vidrio ! cer*micos1. El tamao de la muestra a
recubrir viene determinado e(clusivamente por el tamao del contenedor de la disoluci#n.
A'peto' +e't"",#e'
En comparaci#n con otras tcnicas de deposici#n de l*minas delgadas) las tcnicas de sol-gel !
electroless presentan una serie de ventajas "undamentales como9 bajo coste) elevado
rendimiento) simplicidad del proceso) m%nima in"raestructura necesaria) gran versatilidad ! m%nima
generaci#n de residuos.
Mtodo sol-gel en la pepaa!"#n de la$"nas delgadas %eoel!t"!as
Se han preparado l*minas delgadas de titanato de plomo modi"icado a partir de un proceso sol-gel
que utilia como disolventes alcoholes dihidro(%licos ! agua. Este sistema de reacci#n permite la
incorporaci#n de elementos modi"icadores en el sistema del +bTi4= ) gracias al mecanismo de
rehidrataci#n del gel de Ti-diol obtenido cuando se incorporan los elementos modi"icadores como
compuestos disueltos en agua. -omo modi"icadores se han ensa!ado cationes alcalinotrreos)
-a
<>
) ! lant*nidos) La
=>
! Sm
=>
.
Se han estudiado la in"luencia del tipo de diol ! relaciones ;<48diol en los mecanismos de
gelaci#n ! rehidrataci#n !) consecuentemente) en la viscosidad de las soluciones resultantes) en
la evoluci#n trmica de la l*mina depositada ! en su espesor "inal.
.ediante la tcnica de EG/ 0evolved gas an*lisis1 con espectrometr%a de masas se ha realiado
el estudio de la secuencia de descomposici#n de las soluciones precursoras) anali*ndose la
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in"luencia de los aniones) N4=
-
o -;=-44
-
) cuando los elementos modi"icadores se introducen
como nitratos o acetatos.
Las soluciones sintetiadas se depositan sobre sustratos de +t8Ti4<805661Si mediante9
centri"ugaci#n 0:spin-coating:1. /s% se obtienen pel%culas amor"as que son sometidas a
tratamientos trmicos para cristaliar la perovs[ita de titanato de plomo modi"icado. La
cristaliaci#n se ha llevado a cabo en un horno super-r*pido) que utilia velocidades de caldeo de
hasta =66F-8s. Estas altas velocidades de calentamiento durante la cristaliaci#n de la "ase
perovs[ite permiten minimiar la interacci#n entre la pel%cula "erroelctrica ! el sustrato ! evitar la
"ormaci#n de "ases cristalinas no deseadas.
La importancia de la estequiometr%a de la soluci#n precursora se evala mediante el an*lisis !
estudio estructural) microestructural ! composicional de las l*minas obtenidas mediante las
tcnicas de di"racci#n de ra!os P con *ngulo rasante 0GXP271) microscop%a electr#nica de barrido
! de transmisi#n 0SE. ! TE.1) microan*lisis por E7S) espectroscop%a de iones retrodispersados
02HS1 ! per"ilometr%a.
E't-+!o +e #./!n"' +e#0"+"' 1e((oe#2t(!"' o,ten!+"' po( 'o#-0e# 3
",#"!)n +e #"'e(
Se ha avanado en la preparaci#n ! estudio de l*minas delgadas de 0-a)+b1Ti4= obtenidas por el
mtodo de sol-gel. Se ha mejorado la etapa de preparaci#n de soluciones multicomponentes
empleando dioles ! se han establecido relaciones entre los par*metros que a"ectan al procesado
! las prestaciones "erroelctricas "inales de las l*minas3 se ha instalado un nuevo horno de
tratamientos r*pidos con los que se espera optimiar los procesos. +or otro lado) se han
estudiado los mecanismos que intervienen en los pretratamientos elctricos ! trmicos) ! que
condicionan sus propiedades) determin*ndose como lo m*s conveniente los recocidos previos)
que conduce a incrementos de polariaci#n remanente superiores a =6\8cm
<
) altos tiempos de
remanencia ! "atiga reducida. 7e medidas pieoelctricas) se conclu!e que tales l*minas) son
atractivas para aplicaciones micromec*nicas.
Se ha podido justi"icar la "uerte disminuci#n de la tetragonalidad c8a de las l*minas como debido a
dos "actores9 las prdidas de plomo durante el proceso de "ormaci#n ! las "uertes tensiones que
se generan en la l*mina como e"ecto del mojado del substrato ! del posterior proceso de
cristaliaci#n) pudiendo prevenir sus e"ectos. Las prdidas de +b4) se han medido mediante
tcnicas 2HS) lo que ha permitido disear su compensaci#n parcial. Las tensiones) se han
deducido analiando el ensanchamiento de las l%neas de di"raccion de ra!os P ! por per"ilometr%a.
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Su e(istencia ! su caracter de tracci#n se ha podido con"irmar al medir el desplaamiento de la
temperatura de transici#n ! el corrimiento de los modos del espectro 2aman.
Se ha iniciado el desarrollo de l*minas de 0La)+b1Ti4= ) solucionando los problemas derivados de
la 5a baja solubilidad de los precursores de La e iniciado el estudio de sus propiedades
"erroel]ectricas en "unci#n de las diversas microestructuras desarrolladas variando las condiciones
de cristaliaci#n. Se han conseguido l*minas con un contenido de hasta <6LLa. Se espera que
estos materiales sean potencialmente aplicables en microactuadores ! sensores piroelctricos
integrados) dada la alta respuesta "erroelctrica obtenida.
Xm*genes de -apa 7elgadas tratadas con el mtodo de Sol-Gel9
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E4e/p#o' +e ot("' "p#!"!one' +e# /2to+o 'o# - 0e#
Hiomateriales
;%bridos
+recursores
-at*lisis
.ateriales compuestos
2ecubrimientos
-er*mica
.embranas
,idrios
Electrocer*mica
Nanopart%culas
,itrocer*micas
Iibras
+igmentos
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%.- CONCLUSIN
-omo todo mtodo este tiene sus ventajas ! desventajas. Las ventajas son tener control de
la heterogeneidad) control sobre las impureas 0se logra alta purea1) preparaci#n de
cer*micas de grano "ino 0o grano grueso segn el uso1) control de porosidad ! cristalinidad)
manu"actura de pieas de "ormas especiales sin la utiliaci#n de maquinaria) obtenci#n de
especies #pticamente limpias) baja temperatura de procesamiento. El uso de especies en
estado l%quido lleva a una mecla a nivel at#mico provocando una distribuci#n homognea
de ellas ! una combinaci#n nica de propiedades) permitiendo depositar pel%culas por
mtodos de inmersi#n 0dip-coating1 ! de rotaci#n 0spinning1. Las desventajas son el dr*stico
encogimiento en el secado que tiene como consecuencia la aparici#n de micro"isuras) la
permanencia de traas de carbono en el #(ido "inal) el largo tiempo de duraci#n de la etapa
de hidr#lisis 0pieas monol%ticas) "ibras ! pel%culas1) el di"%cil secado de estructuras de "orma
compleja) la di"erencia en la cintica de hidr#lisis de los di"erentes alc#(idos) en algunos
casos la e(istencia de reactivos e intermediarios vol*tiles) la gran cantidad de solvente
utiliado ! el desprendimiento de agua "ormada en la policondensaci#n.
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