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Portada
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Transductor
Un transductor es un dispositivo capaz de transformar o convertir una determinada
manifestacin de energa de entrada, en otra diferente a la salida, pero de valor muy
pequeos en trminos relativos con respecto a un generador.

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Transductor piezoelctrico
Son transductores piezoeltricos aquellos que basan su funcionamiento en el fenmeno
de la piezoelectricidad. Para su fabricacin se utilizan materiales cermicos como el Titano
de Bario, aunque en un principio se usaban el Cuarzo o la Sal de Rochelle.

Deben su nombre cermico :
Porque para su fabricacin se utilizan materiales de este tipo como el Titano de
Bario(BaOTiO2), Zirconato de plomo (PbZrO3), aunque en un principio se usaban
el Cuarzo o la Sal de Rochelle y Actualmente PZT (zirconato titanito de plomo),
combinacin de los dos primeros.
los ms usados en industria son el titaniato de bario (BaOTiO2), y una combinacin de
zirconato de plomo (PbZrO3) y titanato de plomo (PbTiO3). A esta combinacin, se le
llama en la industria PZT (zirconato titanato de plomo) y son fabricados por compresin de
polvo a alta temperatura, moldeados y cocidos en un horno.
Para hacernos una idea de la diferencia de efecto piezoelctrico de uno y otros, podemos
observar sus constantes piezoelctricas. El titaniato de bario fue descubierto en la dcada
de 1940 y su uso fue principalmente enfocado a la fabricacin de sensores de
ultrasonidos, normalmente para snares. Actualmente, aunque se sigue utilizando en la
industria como componente principal de dispositivos de memoria, ha sido ampliamente
reemplazados por el PZT (y sus derivados), que presentan una temperatura crtica (de
Curie) mucho ms alta.


Diapositiva 4:



Mediante el efecto piezoeltrico directo a travs de una fuerza externa se logra un
desplazamiento de cargas lo que induce una corriente de desplazamiento y sta un campo
elctrico. ste es el fundamento de, por ejemplo, los micrfonos piezoelctricos. Mientras
que los altavoces piezoelctricos aprovechan el efecto piezoelctrico inverso, mediante el
cual a travs de un campo elctrico (DDP externo) se produce una deformacin mecnica,
que convenientemente aprovechada, puede llegar a emitir sonidos.
Los aparatos que deben su funcionamiento al proceso de transduccin piezoelctrica,
como los acelermetros, mandos a distancia por ultrasonidos, ciertossistemas sonar y
muchos ms aparte de los mencionados anteriormente.

Funcionamiento[editar]
El efecto piezoelctrico es un fenmeno fsico que presentan algunos cristales debido al
cual, aparece una diferencia de potencial elctrico (voltaje) entre ciertas caras del cristal
cuando ste se somete a una deformacin mecnica y se denomina efecto piezoelctrico
directo (si ocurre al contrario, se trata del efecto piezoelctrico inverso).
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Cuando se aplica una tensin mecnica sobre el cristal, los tomos ionizados (cargados)
presentes en la estructura de cada celda de formacin del cristal se desplazan,
provocando la aparicin de cargas en las superficies del material. Debido a la regularidad
de la estructura cristalina, y como los efectos de deformacin de la celda suceden en
todas las celdas del cuerpo del cristal, estas cargas se suman y se produce una
acumulacin de la carga elctrica, produciendo una diferencia de potencial elctrico entre
determinadas caras del cristal que puede ser muchos voltios.
El efecto se produce nicamente en cristales que no tienen un centro de simetra en la
celda unidad (centro simtrico), es decir, el centro de cargas negativas no puede coincidir
con el de centro de cargas positivas a nivel de la celda unitaria. Esta asimetra en las cargas
es la que da lugar a la formacin de dipolos y a esa estructura se la denomina perovskita.
El hecho de que existan dipolos en el cristal, hace posible que al aplicar un campo elctrico
sobre el material, la estructura cristalina se deforme, expandindose o contrayndose
dependiendo de la direccin de la corriente y que al aplicar una fuerza sobre el cristal,
sufriendo este una deformacin mecnica, se genere un desplazamiento elctrico de los
dipolos, crendose una diferencia de potencial entre sus extremos. Esta diferencia de
potencial entre los extremos es la denominada piezoelectricidad y los materiales que
presentan esa propiedad son los materiales piezoelctricos.
Dentro de este tipo de materiales, se pueden distinguir el grupo de los que poseen el
carcter piezoelctrico de forma natural (como el cuarzo, la turmalina o las sales de
Rochelle), que suelen presentar un carcter ms dbil y el grupo que presenta
propiedades piezoelctricas despus de ser sometidos a un proceso de polarizacin, las
cermicas piezoelctricas (tantalio de litio, nitrato de litio, bernilita en forma de
materiales mono cristalinos y cermicas o polmeros polares bajo forma de micro cristales
orientados), llamados ferro elctricos.
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Diapositiva 5:
Clasificacin[editar]
Los materiales que presentan propiedades piezoelctricas se dividen en dos grupos: los
que presentan esas propiedades de forma natural y los que necesitan ser polarizados (que
son los cermicos piezoelctricos). Los primeros tienen un efecto piezoelctrico muy
pequeo, por ese motivo se desarrollaron los segundos, con un efecto mucho mayor, de
los cuales los ms usados en industria son el titaniato de bario (BaOTiO2), y una
combinacin de zirconato de plomo (PbZrO3) y titanato de plomo (PbTiO3). A esta
combinacin, se le llama en la industria PZT (zirconato titanato de plomo) y son fabricados
por compresin de polvo a alta temperatura, moldeados y cocidos en un horno.
Para hacernos una idea de la diferencia de efecto piezoelctrico de uno y otros, podemos
observar sus constantes piezoelctricas. El titaniato de bario fue descubierto en la dcada
de 1940 y su uso fue principalmente enfocado a la fabricacin de sensores de
ultrasonidos, normalmente para snares. Actualmente, aunque se sigue utilizando en la
industria como componente principal de dispositivos de memoria, ha sido ampliamente
reemplazados por el PZT (y sus derivados), que presentan una temperatura crtica (de
Curie) mucho ms alta.
Constantes piezoelctricas[editar]
Las principales propiedades de los materiales piezoelctricos dede el punto de vista de
aplicacin son [3,4,6]:
Constante de carga piezoelctrica d
Unidad: m/V (metros/Volt) o C/N (Coulombs/Newton).
Significado: Informa cul es la proporcin entre la variacin dimensional (l) del
material piezoelctrico (en metros) y la diferencia de potencial aplicada (en Volts), y
entre la generacin de cargas elctricas (en Coulombs)y la fuerza aplicada en el
material (en Newtons).
Valores tpicos: De 0,2 a 8 Angstrons por Volt aplicado, y de 20 a 800 pico Coulomb
por Newton aplicado, para cermicas piezoelctricas de PZT.
Cundo/Dnde es una informacin indispensable: En el diseo de posicionamiento
piezoelctrico e sensores de fuerza/deformacin.
Constante de tensin piezoelctrica g
Unidad: Vm/N (voltios por metros/Newton).
Significado: Informa cul es la proporcin entre la diferencia de potencial generada
(en Volts) la fuerza aplicada (en Newton) para una cermica con longitud de 1 metro.
Valores tpicos: De -1 a 60 Volts para cada Newton aplicado (considerando el tamao
del eje en cuestin de 1 metro), para cermicas piezoelctricas de PZT. Diminuyendo
la dimensin de la cermica o aumentando la fuerza, el mdulo de la tensin
generada tambim aumenta. Cundo/Dnde es una informacin indispensable: En el
diseo de detonadores de impacto y magic clics (encendedores de cocina).
Coeficiente de acoplamiento
Unidad: adimensional.
Significado: Eficiencia del material en la transduccin/conversin de energa elctrica
en mecnica y viceversa.
Valores tpicos: De 0.02 (equivalente a 2 % de eficincia) a 0.75 (equivalente a 75 % de
eficiencia), para cermicas piezoelctricas de PZT.
Cundo/Dnde es una informacin indispensable: En el control de calidad de las
cermicas piezoelctricas y en el diseo de dispositivos en que no se desea la
conversin de energa cruzada, o sea, que una vibracin o deformacin en un eje no
genere cargas elctricas o diferencia potencial en otro eje. En este caso, cuanto menor
sea el respectivo factor de acoplamiento mejor.
Factor de calidad mecnico Q
Unidad: adimensional.
Significado: Es una medida del amortiguamiento del material.
Valores tpicos: De 50 a 1500, para cermicas piezoelctricas de PZT.
Cundo/Dnde es una informacin indispensable: En el diseo de dispositivos
dinmicos de alta potencia.
Factor de disipacin dielctrica Tan
Unidad: Adimensional.
Significado: Es una medida dielctricas del material.
Valores tpicos: De 2 10
-3
a 25 10
-3
para cermicas piezoelctricas de PZT (sobre
bajo campo).
Cundo/Dnde es una informacin indispensable: En el diseo de dispositivos
dinmicos de alta potencia y/o sometidos a altos campos elctricos.
Temperatura de Curie TC
Unidad: grados Celsius.
Significado: Es la temperatura donde la estructura cristalina del material sufre una
transicin de fase dejando de presentar propiedades piezoelctricas. Despus de
superar esta temperatura, el material pierde la polarizacin remanente inducida,
tornndose inservible para su utilizacin como elemento transductor de energa
elctrica en mecnica.
Valores tpicos: De 150 a 350 C, para cermicas piezoelctricas de PZT.
Cundo/Dnde es una informacin indispensable: En el diseo de dispositivos que
debern funcionar en altas temperaturas y de alta potencia.
Constantes de frecuencia N
Unidad: Hz m (Hertz metro).
Significado: Es un factor importante ya que permite la estimacin de la frecuencia de
resonancia de los dispositivos piezoelctricos.
Valores tpicos: De 800 a 3000 Hzm, para cermicas piezoelctricas de PZT.
Cundo/Dnde es una informacin indispensable: En el diseo de dispositivos que
funcionan en resonancia
Impedancia acstica Z
Unidad: MRayls (kg/m
2
s).
Significado: Es la manera con que la energa mecnica se propaga por el medio, es una
propiedad anloga a la del ndice de refraccin. La diferencia entre las impedancias
acsticas de dos medios adyacentes es determinante de la fraccin de la energa
reflejada y transmitida de una onda que incide en la interfaz.
Valores tpicos: De 25 a 40 MRayls, para cermicas piezoelctricas de PZT (Z de agua =
2 MRayls y del aire aproximadamente 1 10
3
MRayls). Es calculado por el producto de
la densidad por la velocidad (la velocidad es aproximadamente igual a dos veces la
respectiva constante de frecuencia, en el caso de las cermicas).
Cundo/Dnde es una informacin indispensable: En el diseo de dispositivos, este
factor emitir o captar ultrasonidos/vibraciones mecnicas.

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Diapositiva 6:

Este tipo de transductor genera una tensin elctrica proporcional a la aceleracin por
presin sobre un cristal piezoelctrico. Un acelermetro piezoelctrico puede captar con
precisin seales entre 1 Hz y 15.000 Hz. Estos dispositivos son muy apropiados para
tomar datos de vibracin a alta frecuencia, donde aparecen grandes esfuerzos con
desplazamientos relativamente pequeos. Algunos transductores especiales pueden
medir frecuencias mucho ms bajas y tambin mucho ms altas. La recogida de datos de
vibracin a altas frecuencias depende del medio de fijacin del transductor a la mquina.
Un velocmetro piezoelctrico se construye igual que un acelermetro, pero con un
amplificador de seal que realiza una integracin lgica. Como esta etapa de integracin
se hace dentro del velocmetro, la salida de seal viene en unidades de velocidad. El
velocmetro aprovecha las buenas caractersticas de respuesta en frecuencia de un
acelermetro, de modo que genera una salida lineal en un rango de frecuencia mucho
mayor que el velocmetro ssmico.
Diapositiva 7:


Los sensores piezoelctricos consisten en dos discos de cristal con un electrodo situado
entre ellos. Cuando se aplica una fuerza, se produce una carga elctrica que se puede
medir con ayuda de un amplificador de carga. Dicha carga elctrica es proporcional a la
fuerza aplicada.
Link:
http://www.hbm.com/es/menu/consejos-y-trucos/medicion-de-fuerza/demasiado-
donde-elegir-sensores-piezoelectricos-o-transductores-de-fuerza-con-galgas-
extensometricas/
Estos dispositivos son muy apropiados para tomar datos de vibracin a alta frecuencia,
donde aparecen grandes esfuerzos con desplazamientos relativamente pequeos. Algunos
transductores especiales pueden medir frecuencias mucho ms bajas y tambin mucho
ms altas. La recogida de datos de vibracin a altas frecuencias depende del medio de
fijacin del transductor a la mquina. Un velocmetro piezoelctrico se construye igual que
un acelermetro, pero con un amplificador de seal que realiza una integracin lgica.
Como esta etapa de integracin se hace dentro del velocmetro, la salida de seal viene en
unidades de velocidad. El velocmetro aprovecha las buenas caractersticas de respuesta
en frecuencia de un acelermetro, de modo que genera una salida lineal en un rango de
frecuencia mucho mayor que el velocmetro ssmico.

Diapositiva 8:
Ejemplos
Diapositiva 9:
Leidas


Anexo:

Las cermicas piezoelctricas son cuerpos macizos semejantes a las utilizadas en
aisladores elctricos, ellas estn constituidas por innumerables cristales ferroelctricos
microscpicos llegando a denominarse como policristalinas. Particularmente en las
cermicas del tipo PZT, esos pequeos cristales poseen estructuras cristalinas
tipo perovskita, pudiendo presentar simetra tetragonal, rombodrica o cbica simples,
teniendo en cuenta la temperatura en la que el material se encuentre.
Estando por debajo de una temperatura crtica, conocida como Temperatura de Curie, la
estructura Perovskita presentar la simetra tetragonal donde el centro de simetra de las
cargas elctricas positivas no coincide con el centro de simetra de las cagas negativas,
dando origen a un dipolo elctrico. La existencia de este dipolo provoca que la estructura
cristalina se deforme en presencia de un campo elctrico y genere un desplazamiento
elctrico cuando es sometida a una deformacin mecnica, caracterizando el efecto
piezoelctrico inverso y directo respectivamnete.
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La deformacin mecnica o la variacin del dipolo elctrico de la estructura cristalina de la
cermica no necesariamente implica efectos macroscpicos, ya que los dipolos se
organizan en dominios, que a su vez se distribuyen aleatoriamente en el material
policristalino. Para que ocurran manisfestaciones macroscpicas es necesario una
orientacin preferencial de estos dominios, conocida como polarizacin. Inclusive esta
polarizacin se desvanece con el tiempo y el uso, inutilizando el material para la
transformacin de energa elctrica en mecnica.
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Polarizacin[editar]
En los materiales piezoelctricos, los dipolos con orientacin paralela estn agrupados en
los denominados dominios de Weiss. En las cermicas piezoelctricas estos dominios de
Weiss estn orientados aleatoriamente. Las respuestas de los dipolos a un campo
elctrico aplicado desde el exterior tendern a cancelarse unas a otras, no producindose
cambios significativos en las dimensiones de la cermica y no observndose ningn
comportamiento piezoelctrico macroscpico.
Para obtener una respuesta piezoelctrica a nivel macroscpico, los dipolos deben estar
alineados unos con otros permanentemente, para lo que se recurre al proceso de
polarizacin. Una caracterstica de los materiales piezoelctricos es que poseen una
temperatura de Curie, por encima de la cual los dipolos de los cristales pueden cambiar su
orientacin dentro de la fase slida del material. En el proceso de polarizacin, el material
es calentado por encima de esta temperatura de Curie y se le aplica un potente campo
elctrico en cuya direccin (direccin de polarizacin) se alinearn los dipolos.
Conservando el campo elctrico constante, el material se enfra por debajo de su
temperatura de Curie, haciendo que los dipolos se queden permanentemente alineados
ya habiendo suprimido el campo elctrico pudiendo decir que el material est polarizado.
Los dipolos no quedarn completamente alineados ni paralelos unos con otros, pero esa
alineacin ser suficiente para que presenten las propiedades piezoelctricas. Ya con el
material piezoelctrico polarizado, los dominios de Weiss aumentan su alineamiento
proporcionalmente al voltaje que le sea aplicado, con el resultado de un cambio en las
dimensiones del material.
Un detalle importante en los materiales piezoelctricos es que si una vez polarizados se
sobrepasa en ellos la temperatura de Curie, perdern o vern reducidas sus propiedades
piezoelctricas.
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Este tipo de transductor genera una tensin elctrica proporcional a la aceleracin por
presin sobre un cristal piezoelctrico. Un acelermetro piezoelctrico puede captar con
precisin seales entre 1 Hz y 15.000 Hz. Estos dispositivos son muy apropiados para
tomar datos de vibracin a alta frecuencia, donde aparecen grandes esfuerzos con
desplazamientos relativamente pequeos. Algunos transductores especiales pueden
medir frecuencias mucho ms bajas y tambin mucho ms altas. La recogida de datos de
vibracin a altas frecuencias depende del medio de fijacin del transductor a la mquina.
Un velocmetro piezoelctrico se construye igual que un acelermetro, pero con un
amplificador de seal que realiza una integracin lgica. Como esta etapa de integracin
se hace dentro del velocmetro, la salida de seal viene en unidades de velocidad. El
velocmetro aprovecha las buenas caractersticas de respuesta en frecuencia de un
acelermetro, de modo que genera una salida lineal en un rango de frecuencia mucho
mayor que el velocmetro ssmico.

Ventajas del transductor piezoelctrico :
La mayora de los sensores tiene un amplio rango de frecuencia, normalmente
entre 2 Hz y 15.000 Hz. Hay que observar que la respuesta en frecuencia
depende del tipo de montaje del sensor en la mquina.
Estos transductores son muy compactos, sin partes mviles, ligeros y de tamao
reducido, necesitando pequeas bases magnticas.
El transductor del tipo ICP (Integrated Circuit Piezoelectric) tiene un
acondicionador de seal interno. Aunque ICP es una marca registrada de PCB
Piezotronics Inc., se ha convertido en un trmino genrico para referirse a un
acelermetro con amplificador integrado. Tambin se les suele denominar con
ms precisin acelermetros en modo voltaje.
Se montan fcilmente con adhesivos o atornillados. Tambin se puede disponer
de bases magnticas para montajes temporales o aplicaciones especiales.

Inconvenientes del transductor piezoelctrico :
Cuando se usa en modo "hand-held" o "stinger" para medir altas frecuencias, la
respuesta de seal es muy pobre por encima de 1.200 Hz.
Los acelermetros necesitan una fuente de alimentacin externa.
La salida de amplitud viene dada en unidades de aceleracin. Esta salida debe ser
integrada para obtener la representacin espectral o el valor global de amplitud
de velocidad.

http://www.sinais.es/Recursos/Curso-
vibraciones/sensores/transductores_piezoelectricos.html

MICRFONOS PIEZOELCTRICOS
El transductor piezoelctrico tiene la ventaja sobre todos los otros tipos
mencionados en este captulo de no estar limitado al uso en el aire. Un transductor
piezoelctrico puede estar unido a un slido o inmerso en un lquido no conductor para
captar seales sonoras. Adems, el transductor piezoelctrico se puede usar fcilmente a
frecuencias ultrasnicas, algunos tipos se pueden usar hasta la regin alta de los MHz.
Todos los transductores piezoelctricos requieren un material cristalino en el cual los
iones del cristal estn desplazados de un modo asimtrico cuando el cristal se deforma. La
linealidad puede variar considerablemente segn el tipo de material que se use.
Los tipos originales de micrfonos de cristal usaban cristales de sal Rochelle
acoplados a un diafragma. Esto aseguraba niveles de salida muy altos (del orden de 100
mV), con una gran impedancia de salida y una linealidad muy mala. La sal Rochelle dejo de
usarse hace tiempo debido a que pasaba a un estado inactivo cuando se mantena a una
temperatura y humedad moderadamente altas.
Hoy en da se usan cristales sintticos en lugar de naturales. Uno de los materiales
usados es el titanato de bario, el cual se usa en transductores piezoelctricos para
frecuencias por encima de varios cientos de Khz. El micrfono piezoelctrico que usaba un
diafragma unido a un cristal es raramente visto ahora, porque la sensibilidad de los
materiales piezoelctricos modernos a la vibracin es tal que es suficiente el impacto de la
onda de sonido en el cristal para producir la salida adecuada.
El micrfono piezoelctrico tiene un gran nivel de impedancia y una salida mucho
ms grande que otros tipos. El nivel de la impedancia es del orden de varios
megaohmnios, en comparacin con unos pocos ohmnios para uno del tipo de bobina
mvil. A este alto nivel de impedancia, la recepcin electrosttica de zumbidos/murmullos
es casi imposible de evitar, solamente con los problemas de los efectos de carga y filtrado
del cable del micrfono. Para micrfonos de baja calidad esto tiene poca importancia,
pero no para los propsitos de los estudios de grabacin. Para estos, el cristal transductor
se acopla directamente a un preamplificador MOS que puede sacar una baja impedancia
de salida con el mismo nivel alto de voltaje de salida que proporciona el transductor
piezoelctrico. El voltaje de operacin del preamplificador puede ser dado por una batera
para evitar los problemas de llevar la alimentacin a travs de cables adems de los cables
de la seal.
http://www.hbm.com/es/menu/consejos-y-trucos/medicion-de-fuerza/demasiado-
donde-elegir-sensores-piezoelectricos-o-transductores-de-fuerza-con-galgas-
extensometricas/
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Diapositiva 12-13:
Transductores De Efecto Hall
Explicacin Del Efecto Hall
El efecto Hall es el fenmeno en el que los portadores de carga que se mueven a travs de
un campo magntico son forzados hacia un lado del medio conductor. Haga referencia a la
figura 13, en la que se ilustra el efecto Hall para una situacin en la que el movimiento de
los portadores de carga es perpendicular a un campo magntico externo impuesto. En la
parte a, la corriente elctrica sencilla est operando en un espacio vaco de campos
magnticos. Se considera que la corriente est compuesta de portadores de carga positiva
que fluyen de arriba abajo a travs de una pieza metlica plana. Note el hecho de que, en
ausencia de un campo magntico, los portadores de carga estn distribuido de manera
uniforme a travs del ancho de la pieza metlica plana.
Sin embargo, si el circuito idntico es operado en la presencia de un campo magntico, los
portadores de carga se agrupan en un lado de la pieza plana. Los portadores de carga
positiva se congregan a la izquierda de la pieza debido a las fuerzas ejercidas sobre ellas
resultantes de la interaccin del movimiento de las cargas y el flujo magntico. La
magnitud de una fuerza individual en un portador de carga esta dada por la relacin de
Lorentz.
F = qvB
En donde q es la carga, en coulombs, en un portador de carga individual; y es la velocidad
del portador de carga en metros por segundo; y B es la densidad de flujo magntico en
webers por metro cuadrado, o teslas.
https://www.youtube.com/watch?v=cKSav5B55Pc
Apartir de 5 minutos solo en material semiconductor


Diapositiva 14:
Resumenes lo de la explicacin solo con lo que dice, puedes leer lo de diapositiva 12-13
para saber
Diapositiva 15:
Sensor de efecto Hall

Ventilador de un motor con un sensor Hall.
El sensor de efecto Hall o simplemente sensor Hall o sonda Hall (denominado
segn Edwin Herbert Hall) se sirve delefecto Hall para la medicin de campos
magnticos o corrientes o para la determinacin de la posicin.
Si fluye corriente por un sensor Hall y se aproxima a un campo magntico que fluye en
direccin vertical al sensor, entonces el sensor crea un voltaje saliente proporcional al
producto de la fuerza del campo magntico y de la corriente. Si se conoce el valor de la
corriente, entonces se puede calcular la fuerza del campo magntico; si se crea el campo
magntico por medio de corriente que circula por una bobina o un conductor, entonces se
puede medir el valor de la corriente en el conductor o bobina.
Si tanto la fuerza del campo magntico como la corriente son conocidos, entonces se
puede usar el sensor Hall comodetector de metales.
http://es.wikipedia.org/wiki/Sensor_de_efecto_Hall



















Anexo

Transductor De Potencia De Efecto Hall
La forma de onda de voltaje de efecto Hall obtenida del transductor de la figura 14
consiste en un componente de cd superpuesto sobre un componente alternante al doble
de la frecuencia de la lnea.
Algunos sistemas industriales modernos basados en una microcomputadora usan la
potencia instantnea mxima de un circuito como un parmetro de toma de decisiones.
Esto generalmente se logra haciendo que la microcomputadora tome muestras muy
rpidamente del voltaje instantneo de salida de un transductor de efecto Hall.

Diapositiva
http://www.aficionadosalamecanica.net/sensores2-modelos.htm