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Objetivos.

Disear circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados


UJT y PUT.
Usando los circuitos diseados disparar un tiristor que activa una carga.

Fundamento teo rico

TRANSISTOR UNI UNIN UJT


Patillaje del UJT Circuito Equivalente del UJT
n= RB1 / RB1+RB2 => 0,65 0,55


VK= VBB / (RB2+RB1)* RB1
El diodo conducir cuando VK sea " 60%(+0,7V de VBB
Circuito de aplicacin
Oscilador de relajacin



T=(RV*R)*C (VBB-Vv) / Iv < RV+R<
(VBB-Vp)/Ip
Cuando el UJT llega a la tensin de Vp se hace negativa su resistencia interna en
la barra de Silicio, se cortocircuita E y B1 y entonces al quedar en paralelo con el
condensador este puede descargarse. Al descargarse el condensador y superar
por abajo la tensin de Valle el UJT deja de conducir y vuelve a cargarse el
condensador y as sucesivamente. Podemos variar el tiempo de carga del
condensador con el circuito RC haciendo la R variable.

UJT 2n264
ESTRUCTURA




Su estructura consiste en una barra de silicio tipo N ligeramente dopada que tiene
dos terminales B y B llamados bases y una barra de aluminio fundida en la
1 2
Superficie opuesta formando una juntura PN. La barra de aluminio est ms cerca
de B que a B.
2 1
La resistencia interna R
B1
vara con I . R
E B1

puede variar desde 5K hasta 50
cuando I vara de 0a50
E
A.


A) Regin de corte
B) Regin de resistencia negativa
C) Regin de Saturacin
V
P
= Voltaje de pico
V
V
= Voltaje de valle
I
V
= Corriente de valle
I
P
= Corriente de pico.
El UJT se usa como oscilador de relajacin (dientes de sierra) y como dispositivo
de disparo de SCR.

GENERADOR DE DIENTES DE SIERRA

l condensador al alcanzar el voltaje de pico V
P
hace conducir el UJT y el
condensador se descarga entonces hasta la tensin V que hace entrar el UJT a
V
Corte volvindose a cargar el condensador a V y repitindose el ciclo se genera la
P
onda correspondiente.



Es un transistor Unijuntura Programable. Esto es, que se pueden controlar R , _,
V prOmedio de R , R , y V
P B1 B2
BB
BB.
ESTRUCTURA
EL PUT

La curva caracterstica del PUT esigual a la del UJT. V = _ V +V = _ V +V
p BB D BB AG
V=V +0,7 (silicio)
p G
Ejemplo:
Encuentre R
B1
y V
BB
para un PUT de silicio si se ha determinado que _ = 0,8,
V=10,3 y R
p B2
= 5k
Las aplicaciones del PUT son similares ala del UJT.
Oscilador de relajacin














Datos y Resultados
Circuito de disparo usando UJT

C(uF) Rp(k) R1() R2(k)
0.47 70 100 3.33
0.94 33.8 100 3.33

Usando las frmulas para hallar el t1(carga) t2(descarga) T(periodo) obtenemos:



t1 carga(ms) t2 descarga(us) T=RCLn(1/(1-n) (ms)
32.9 47 27.76
31.77 94 26.81
SIMULACION
CIRCUITO UJT

GRAFICA DEL OSCILADOR EN EL CIRCUITO UJT:

CIRCUITO PUT:



CUESTIONARIO:

1. Hacer el fundamento terico del experimento realizado,

2. El informe debe contener todos los datos tcnicos del UJT, PUT, valores de
los componentes utilizados, as como los grficos obtenidos en la
experiencia.

TIRISTOR (BT151)
STATIC CHARACTERISTICS
SYMBOL PARAMETER MIN TYP. MAX. UNIT
I
GT
Gate trigger current - 2 15 mA
I
L
Latching current - 10 40 mA
V
T
Holding current - 7 20 V
V
GT
Gate trigger voltaje - 0.6 105 V
I
D
Off-state leakage current - 0.1 0.5 mA
PUT (2N6027 T= 25C)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
SYMBOL PARAMETER MIN TYP MAX UNIT
I
P
Peak current - 0.7 1.0 mA
V
T
Offset Voltage 0.2 0.7 1.6 V
I
V
Valley Current 70 150 - mA
I
GAO
Gate to Anode Leak Current - 1.0 10 nAdc
I
GKS
Gate to Cathode leakage Current - 50 50 nAdc
V
F
Forward Volatage - 0.8 1.5 V
V
O
Peak Output voltaje 6.0 11 - V
t
r
Pulse Voltage Rise Time - 40 80 ns

UJT 2N2646
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
SYMBOL PARAMETER MIN TYP MAX UNIT
n Intrinsic stand off ratio 0.56 - 0.75 -
R
BBO
Interbase Resistance V
B2B1=
3 4.7 - 9.1 K
V
EB1 SAT
Emitter Saturation Voltage - - 2.5 V
I
B2 MOD
Modulated Interbase Current - 15 - V
I
EO
Emitter Revers Current - - 12 uA
V
BR
Base 1 Emitter breakdown Voltage 30 - - V
I
V
Valley Current 4 - - mA
I
P
Peak Current - - 5 uA


Grafica mostrada por el Osciloscopio en el Circuito del UJT







Circuito PUT armado combinando resistencias para obtener la grafica

3. Qu sucede con la lmpara cuando aumenta el valor de C en ambos
circuitos?
La lmpara enciende ms rpido y tiende a ser ms estable debido a la a
que disminuye del Rp y el t1 que son parmetros para el la carga del tiristor


4. Segn su opinin cul de los circuitos integrados de disparo es el
recomendable Por qu?

El que pudimos experimentar fue el circuito con el UJT y podramos recomendarlo
por la facilidad en su uso e implementacin

5. Qu dificultades encontr para realizar este experimento? Sugiera que
cambios se podran hacer para mejorarlo.

Las dificultades surgieron cuando no se encontraban las resistencias
adecuadas para el circuito, ya que los clculos de estos dependan de los
parmetros de los transistores monounion (UJT-PUT).


Observaciones y Conclusiones

El valor del potencimetro (Rp) disminuye pues el valor de ngulo de
disparo tambin disminuye, es decir el voltaje pico (Vp) se alcanza
ms rpido

El tiempo de carga (t1) disminuye levemente al aumentar la
Capacitancia

El tiempo de descarga (t2) aumenta pues este depende del R1*C y el
R1 queda constante.

Se not la facilidad de armar el circuito UJT y la dificultad para armar
el PUT

Se pueden usar curvas para facilitar el clculo de las resistencias
para cada serie de PUT y UJT

Al aumentar la resistencia en el potencimetro se aumenta la
frecuencia y periodo en el osciloscopio hacindose y se hace grande
la imagen