Objetivos.

Disear circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados

UJT y PUT.

Usando los circuitos diseados disparar un tiristor que activa una carga.

Fundamento terico
TRANSISTOR UNI UNIN UJT

Patillaje del UJT Circuito Equivalente del UJT

n= RB1 / RB1+RB2 => 0,65 0,55

VK= VBB / (RB2+RB1)* RB1

El diodo conducir cuando VK sea " 60%(+0,7V de VBB
Circuito de aplicacin
Oscilador de relajacin

T=(RV*R)*C (VBB-Vv) / Iv < RV+R< (VBB-Vp)/Ip

Cuando el UJT llega a la tensin de Vp se hace negativa su resistencia interna en
la barra de Silicio, se cortocircuita E y B1 y entonces al quedar en paralelo con el
condensador este puede descargarse. Al descargarse el condensador y superar
por abajo la tensin de Valle el UJT deja de conducir y vuelve a cargarse el
condensador y as sucesivamente. Podemos variar el tiempo de carga del
condensador con el circuito RC haciendo la R variable.

UJT 2n264

ESTRUCTURA

Su estructura consiste en una barra de silicio tipo N ligeramente dopada que tiene
dos terminales B y B llamados bases y una barra de aluminio fundida en la
1
2
Superficie opuesta formando una juntura PN. La barra de aluminio est ms cerca
de B que a B.
2
1

La resistencia interna R
cuando I vara de 0a50A.
E

vara con I . R
puede variar desde 5K hasta 50
B1
E B1

A) Regin de corte
B) Regin de resistencia negativa
C) Regin de Saturacin
V
P
V
V
I
V
I
P

= Voltaje de pico
= Voltaje de valle
= Corriente de valle
= Corriente de pico.

La curva caracterstica del PUT esigual a la del UJT. V = _p V +V =BB_ VD+V

BB
AG
V=V
+0,7
(silicio)
p
G
El UJT se usa como oscilador de relajacin (dientes de sierra) y como dispositivo
de disparo de SCR.

Ejemplo:

Encuentre R B1 y V BB para un PUT de silicio si se ha determinado que _ = 0,8,

GENERADOR
V=10,3
y R B2 = 5k DE DIENTES DE SIERRA
p

EL PUT

Las aplicaciones del PUT son similares ala del UJT.

ESTRUCTURA

Oscilador de relajacin

l condensador al alcanzar el voltaje de pico V

hace conducir el UJT y el
P
Es
un transistor
Programable.
es, queV se
controlar
R BB
, a_,
condensador
se Unijuntura
descarga entonces
hastaEsto
la tensin
quepueden
hace entrar
el UJT
V
V
prOmedio
de R ,aB1
Rcargar
, yB2 VBB.el condensador a V y repitindose el ciclo se genera la
Corte
volvindose
P
P
onda correspondiente.

Datos y Resultados
Circuito de disparo usando UJT
C(uF)

Rp(k)

R1()

R2(k)

0.47

70

100

3.33

0.94

33.8

100

3.33

Usando las frmulas para hallar el t1(carga) t2(descarga) T(periodo) obtenemos:

t1 carga(ms)

t2 descarga(us)

T=RCLn(1/(1-n) (ms)

32.9

47

27.76

31.77

94

26.81

SIMULACION
CIRCUITO UJT

GRAFICA DEL OSCILADOR EN EL CIRCUITO UJT:

CIRCUITO PUT:

CUESTIONARIO:
1. Hacer el fundamento terico del experimento realizado,
2. El informe debe contener todos los datos tcnicos del UJT, PUT, valores de
los componentes utilizados, as como los grficos obtenidos en la
experiencia.

TIRISTOR (BT151)
STATIC CHARACTERISTICS
PARAMETER
MI

SYMBOL
IGT
IL
VT
VGT
ID

N
-

Gate trigger current

Latching current
Holding current
Gate trigger voltaje
Off-state leakage current

TYP. MAX.
2
10
7
0.6
0.1

15
40
20
105
0.5

UNIT
mA
mA
V
V
mA

PUT (2N6027 T= 25C)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
MI
TY

SYMBOL
IP
VT
IV
IGAO
IGKS
VF
VO
tr

Peak current
Offset Voltage
Valley Current
Gate to Anode Leak Current
Gate to Cathode leakage Current
Forward Volatage
Peak Output voltaje
Pulse Voltage Rise Time

N
0.2
70
6.0
-

P
0.7
0.7
150
1.0
50
0.8
11
40

UJT 2N2646
ELECTRICAL CHARACTERISTICS

MA

UNIT

X
1.0
1.6
10
50
1.5
80

mA
V
mA
nAdc
nAdc
V
V
ns

SYMBOL
n
RBBO
VEB1 SAT
IB2 MOD
IEO
VBR
IV
IP

PARAMETER
Intrinsic stand off ratio
Interbase Resistance VB2B1=3
Emitter Saturation Voltage
Modulated Interbase Current
Emitter Revers Current
Base 1 Emitter breakdown Voltage
Valley Current
Peak Current

MIN
0.56
4.7
30
4
-

TYP
15
-

MAX
0.75
9.1
2.5
12
5

Grafica mostrada por el Osciloscopio en el Circuito del UJT

Circuito PUT armado combinando resistencias para obtener la grafica

UNIT
K
V
V
uA
V
mA
uA

3. Qu sucede con la lmpara cuando aumenta el valor de C en ambos

circuitos?
La lmpara enciende ms rpido y tiende a ser ms estable debido a la a
que disminuye del Rp y el t1 que son parmetros para el la carga del tiristor

4. Segn su opinin cul de los circuitos integrados de disparo es el

recomendable Por qu?

El que pudimos experimentar fue el circuito con el UJT y podramos recomendarlo

por la facilidad en su uso e implementacin
5. Qu dificultades encontr para realizar este experimento? Sugiera que
cambios se podran hacer para mejorarlo.

Las dificultades surgieron cuando no se encontraban las resistencias

adecuadas para el circuito, ya que los clculos de estos dependan de los
parmetros de los transistores monounion (UJT-PUT).

Observaciones y Conclusiones
El valor del potencimetro (Rp) disminuye pues el valor de ngulo de
disparo tambin disminuye, es decir el voltaje pico (Vp) se alcanza
ms rpido
El tiempo de carga (t1) disminuye levemente al aumentar la
Capacitancia
El tiempo de descarga (t2) aumenta pues este depende del R1*C y el
R1 queda constante.

Se not la facilidad de armar el circuito UJT y la dificultad para armar

el PUT

Se pueden usar curvas para facilitar el clculo de las resistencias

para cada serie de PUT y UJT

Al aumentar la resistencia en el potencimetro se aumenta la

frecuencia y periodo en el osciloscopio hacindose y se hace grande
la imagen