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Prctica No. 14
Grupo 14 Laboratorio de Dispositivos y Circuitos Electrnicos Mdulo: 3

Coral Castro Manuel

1.- Objetivo Obtener los valores de voltaje y corriente de operacin del motor de corriente directa. 2.-Fundamento terico Los motores de corriente directa son insuperables para aplicaciones en las que debe ajustarse la velocidad, as como para aplicaciones en las que requiere un par grande. En la actualidad se utilizan millones de motores de C.D. cuya potencia es de una fraccin de caballo en la industria del transporte como: automviles, trenes y aviones, donde impulsan ventiladores, de diferentes tipos para aparatos de a/c, calentadores y descongeladores: tambin mueven los limpiadores de parabrisas y accin de levantamiento de asiento y ventanas. Tambin son muy tiles para arrancar motores de gasolina y diesel en autos, camiones, autobuses tractores y lanchas. El motor de C.D. tiene un estator y un rotor (ARMADURA). El estator contiene uno no ms devanados por cada polo, los cuales estn diseados para llevar intensidades de corriente directas que establecen un campo magntico. La ARMADURA, y su devanado estn ubicados en la trayectoria de este campo magntico y cuando el devanado lleva Intensidades de Corriente, se desarrolla un par motor que hace girar el motor. Hay un COMUTADOR conectado al devanado de la armadura, si no se utilizara un conmutador, el Motor solo podra dar una fraccin de vuelta y luego se detendra. Para que un motor de C.D. pueda funcionar, es necesario que pase una Intensidad de Corriente por el devanado de Armadura. El estator debe de producir un campo m (flujo) magntico con un devanado de derivacin o serie (o bien, una combinacin de ambos). El par que se produce en un motor de C.D. es directamente proporcional a la Intensidad de Corriente de la armadura y al campo del estado. Por otro lado, la velocidad de motor la determinara principalmente la Tensin de la Armadura y el campo del Estator. La velocidad del motor tambin aumenta cuando se reduce el campo del estator. En realidad, la velocidad puede aumentar en forma peligrosa cuando, por accidente, se anula el campo del estator. Como ya sabemos los motores de CD pueden explotar cuando trabajan a velocidades muy altas. El motor de C.D. que se usa aqu, ha sido diseado para soportar posibles condiciones de exceso de velocidad. El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. La mayoria de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o canal. La regin activa de los TFT (thin-film transistor, o

transistores de pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFT es como pantallas de cristal lquido o LCD). Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (MetalInsulator-Semiconductor FET). Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales. 3.-Procedimiento e instrucciones para realizar la prctica 1.- Se conecta el motor al rectificador de media onda con un filtro capacitivo y se toma lectura de los voltajes de salida y corriente, esto por medio del osciloscopio y del multmetro.

2.- Se conecta el circuito anterior al circuito amplificador con arreglo colector comn y se toman las mismas lecturas.

3.-Al circuito anterior se le agrega un potencimetro que regule la corriente que entra a la base y se vuelven a tomar las mismas lecturas.

4.-Resultados 1.V= 0.6V I=0.033mA 2.V=6.4V I=0.033 mA 3.Imn=0V Imx=0.033V Vmn=0V Vmx=2.6 5.-Anlisis de resultados Podemos apreciar que el voltaje en el motor aumenta al aplicarle el amplificador, y vemos que cuando se le agrega el potencimetro la entrada al motor vara desde cero hasta los valores obtenidos con el amplificador. 6.-Lo que aprend de la prctica Aprend a utilizar el transistor TBJ como aplificador para regular la entrada de voltaje de un motor de corriente directa. 7.-Material utilizado -Cables BNC -Cables caimn - banana

-Cables caimn caimn -Transistor 2N5457 -Transistor BC547 -Protoboard -Transformador 127/12V a 1A -Fuente de DC -Osciloscopio -Diodo -Generador de seales -Resistencias de 1k, 2.2k, 3.3k, 5.6k y 12k -Capacitor de 10F -Motor de CD