Inversores CC - Ca .... Ojo Mono y Trifasicos Excelente!!!!!

ELECTRONICA DE POTENCIA Pgina 1 de 16
V1.4
5.3 Inversores CC - CA 24/10/03
INVERSORES CC - CA
Introduccin:
Los convertidores de CC a CA se conocen como inversores. Su funcin es cambiar un
voltaje de entrada en CC a un voltaje simtrico de salida en CA, con magnitud y frecuencia deseada.
Si se modifica el voltaje de entrada manteniendo fija la ganancia, es posible obtener un voltaje
variable de salida. Por otra parte, si se mantiene constante el voltaje de entrada y se vara la
ganancia se puede obtener un voltaje de salida variable. Esto se hace controlando la modulacin del
ancho del pulso dentro del inversor.
La forma de onda de voltaje de los inversores reales no son exactamente senoidales, siendo
necesarias ondas con muy baja distorsin armnica para aplicaciones de potencia.
El uso de inversores es muy comn en aplicaciones industriales tales como: propulsin de
motores de corriente alterna de velocidad variable, alimentacin ininterrumpida de potencia, etc.
Los inversores se pueden clasifican desde el punto de vista de su etapa de potencia, en dos
tipos: monofsicos y trifsicos. Ambos pueden utilizar dispositivos con activacin y desactivacin
controlada (BJT, MOSFET, IGBT, GTO).
Principio de operacin
El circuito inversor est formado por dos pulsadores (Figura 1-a). Cuando slo el transistor
Q
1
est activo durante un tiempo To/2, el voltaje instantneo en la carga (Vo), es Vs/2. Si en cambio
el Q
2
slo est activo en el tiempo To/2, entonces el voltaje instantneo en la carga ser Vs/2. Q
1
y
Q
2
nunca deben estar activos al mismo tiempo, por lo cual se incluye un tiempo muerto entre ambas
seales. La Figura. 1-b muestra las formas de ondas de la tensin de salida y las corrientes en los
transistores para una carga resistiva. Cuando un transistor est inactivo la tensin entre colector y
emisor es Vs.
A este circuito se lo conoce como Inversor Medio Puente.
La tensin eficaz (Vrms) de salida esta dada por la siguiente frmula:
Para una carga inductiva, la corriente en la carga no puede cambiar al mismo tiempo que la
tensin de salida. Si Q
1
es desactivado en t=To/2, la corriente de la carga seguir fluyendo a travs
de D
2
, la carga y la mitad inferior de la fuente de CC, hasta que la corriente llegue a cero. En forma
) 1 (
2 4
.
2
2
1
0
0
0
0
s
T
s
V
dt
V
T
V =
|
|
.
|
\
|
=

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similar, cuando Q
2
se desactiva en t=To, la corriente de la carga fluye a travs de D1, la carga y la
mitad superior de la fuente de CC.
Cuando D
1
o D
2
conducen, la energa es realimentada a la fuente de CC. Estos diodos son
diodos de realimentacin, conocidos como diodos de efecto volante. La Figura 1-c muestra la
corriente y los intervalos de conduccin de cada dispositivo, para una carga puramente inductiva.
El perodo de conduccin de un transistor con carga inductiva ser entre 90 y 180, dependiendo este
valor del factor de potencia del circuito en cuestin.
Los transistores pueden sustituirse por: Power Mosfet, IGBT, GTO o tiristores de
conmutacin forzada. Si tq es el tiempo de desactivacin de un tiristor, debe existir un tiempo
mnimo de retraso tq entre el tiristor desactivado y el disparado. De lo contrario, entre ambos
tiristores se producir un cortocircuito. Por lo tanto el tiempo mximo de conduccin no puede ser
mayor que (To/2)-tq. Para que el circuito funcione sin estos solapamientos se deben extremar las
precauciones en el diseo de la lgica de control.
Es bueno recordar que en la mayora de las aplicaciones (energizacin de motores elctricos)
la potencia de salida debida a las componentes armnicas se disipa en forma de calor, mientras que
la potencia de salida debido a la componente fundamental es la que se transforma en potencia til.
La calidad de la seal de salida de un inversor se evala en trmino de los siguientes
parmetros de rendimiento:
Factor armnico de la ensima potencia HF
n
Es una medida de la contribucin armnica individual y se define como:

1
n
n
V
V
HF = Ec.2
V
n
es el valor rms de la ensima armnica
V
1
es el valor rms de componente fundamental
Distorsin armnica total DAT [THD]:
Es una medida de la similitud entre la forma de onda y su componente fundamental.
2
1
,... 3 , 2
2
1
1
|
|
.
|
\
|
=

= n
n
V
V
THD Ec.3
Factor de distorsin [DF]:
Proporciona en contenido armnico total pero no indica el nivel de cada uno de sus componentes.
Indica la cantidad de distorsin armnica que queda en una forma de onda particular despus de que
las armnicas de esa forma de onda hayan sido sujetas a una atenuacin de segundo orden (es decir
divididas por n). Por lo tanto, DF es una medida de la eficacia en la reduccin de las componentes
armnicas no deseadas y se define como:
4 . Ec
n
V
.
V
1
DF
2
1
,... 3 , 2 n
2
2
n
1
(
(
|
.
|
\
|
=

=
El factor de distorsin de una componente armnica individual (o de orden n), se define como:
5 . Ec
n . V
V
DF
2
1
n
n
=
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Armnica de menor orden:
Es aquella componente cuya frecuencia es la ms cercana a la fundamental y cuya amplitud es
mayor o igual al 3% de la componente fundamental.
INVERSORES MONOFSICOS EN PUENTE
La Figura 2-a muestra un circuito de este tipo. Est formado por 4 transistores, utilizados como
llave. Cuando los transistores Q
1
y Q
2
se activan simultneamente, el voltaje de entrada Vs aparece
a travs de la carga. Si los transistores Q
3
y Q
4
se activan al mismo tiempo, se invierte la tensin en
la carga. La forma de onda para el voltaje de salida se muestra en la Figura 2-b.
El voltaje rms de salida se expresa como:
6 . Ec dt . V .
T
2
V
2
1
2
0
T
0
2
s
0
o
|
|
.
|
\
|
=

La ecuacin se puede extender para que exprese la tensin de salida instantnea, en una serie de
Fourier.
7 . Ec t n sen .
. n
V . 4
v
,... 5 , 3 , 1 n
s
0

=
=
y para n=1, esta proporcionar la Tensin eficaz de la componente fundamental:

8 . Ec V 90 , 0
. 2
V . 4
V
s
s
1
= =

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Cuando los diodos 1 y 2 conducen, s realimenta la energa a la fuente de CC, por lo que se dice
que son Diodos de Realimentacin. La Figura 2-c muestra la forma de onda de la corriente para
una carga altamente inductiva.
Para determinar la corriente i
0
, es aplicable la ecuacin:
( )
( ) 9 . Ec t . . n sen .
L . . n R . . n
V . 4
i
,.. 5 , 3 , 1 n
n
2 2
s
0

=

+
=

Donde |
.
|
\
|
=

L
t n
tan
n
. .
1

INVERSORES TRIFSICOS
Los inversores trifsicos se utilizan normalmente en aplicaciones de alta potencia. Tres inversores
monofsicos pueden conectarse en paralelo, como se muestra en la Figura 3-a para formar un
trifsico. Las seales de compuerta de los inversores monofsicos deben adelantarse o atrasarse
120 uno con respecto al otro, para obtener tensiones trifsicas balanceadas. Los bobinados de los
transformadores deben aislarse entre si, tanto los primario como los secundarios, por lo general el
secundario de estos transformadores se conecta en estrella, para poder suministrar energa a
sistemas no balanceados.
Se puede obtener una salida trifsica a partir de una configuracin de 6 transistores y 6
diodos, tal como la que se muestra en la Figura 4-a. A los transistores se les pueden aplicar 2 tipos
de seales de control: conduccin a 180 o conduccin a 120.
Conduccin a 180
Cada transistor conduce durante 180. Cuando el transistor Q
1
est activado el terminal a se
conecta con el terminal de voltaje positivo de entrada. Cuando se activa el transistor 4, el terminal a
se conecta con el terminal negativo de la fuente de CC. En cada ciclo existen 6 modos de operacin,
cuya duracin es de 60. Las seales de excitacin mostradas en la Figura 4c estn desplazadas 60
unas de otras para obtener voltaje trifsico balanceado.
La carga puede conectarse en tringulo o en estrella. Segn se indica en la Figura 4b. En el caso de
una carga conectada en tringulo, las corrientes de fase se obtienen directamente de las tensiones
lnea a lnea. Una vez que se conocen las corrientes de fase se pueden determinar las corrientes de
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lnea. En el caso de una carga conectada en estrella, las tensiones de lnea a neutro deben
determinarse a fin de encontrar las corrientes de lnea o de fase. Existen 3 modos de operacin en
un medio ciclo, los circuitos equivalentes aparecen en la Figura 5, para el caso de una carga
conectada en estrella. Si aplicamos la formula del divisor de tensin a la carga tipo estrella,
obtenemos los circuitos equivalentes mostrados en la Figura 5. La composicin de las ondas est
mostrada en las Figura 6 (carga resistiva pura) y Figura 7 (carga altamente inductiva).
Con cargas resistivas, los diodos a travs de los transistores no tienen ninguna funcin. Si la carga
es inductiva, la corriente de cada brazo del inversor se reemplazar en relacin con su voltaje, tal y
como se muestra en la Figura 6. Cuando el transistor Q
4
de la Figura 4a est desactivado la nica
trayectoria para la corriente de lnea negativa i
a
es a travs de D
1
. De ah que el terminal de la carga
a est conectado a la fuente de CC a travs de D
1
hasta que se invierta la polaridad de la corriente de
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la carga en el tiempo t = t
1
. Durante el periodo de tiempo entre 0 y t
1
, el transistor no conduce. En
forma similar la conduccin del transistor Q
4
slo arranca en t=t
2
. Los transistores deben estar
disparados continuamente, dado que el tiempo de conduccin de los transistores y de los diodos
depende del factor de potencia de la carga.
CONTROL DE TENSION DE LOS INVERSORES MONOFASICOS
En muchas aplicaciones industriales se hace necesario controlar el voltaje de salida de los
inversores:
1- Para hacer frente a las variaciones de entrada de CC.
2- Para la regulacin de la tensin de los inversores.
3- Para los requisitos de control constante de la tensin de salida y frecuencia.
Existen varias tcnicas para modificar la ganancia del inversor. El mtodo ms eficiente de
controlar la ganancia (y el voltaje de salida) es incorporar en los inversores el control de
modulacin del ancho de pulso (PWM). Las tcnicas ms utilizadas son:
Modulacin de un solo ancho de pulso
Modulacin de varios anchos de pulso.
Modulacin senoidal del ancho de pulso.
Modulacin senoidal modificada del ancho de pulso.
Control por desplazamiento de fase.
Modulacin de un solo ancho de pulso
En el control por modulacin de un solo pulso, existe un solo pulso por cada medio ciclo, el ancho
del pulso se hace variar, a fin de controlar el voltaje de salida del inversor, La figura 8, muestra la
generacin de las seales de excitacin y el voltaje de salida para los inversores monofsicos en
puente completo.
Las seales de excitacin se generan comparando una seal rectangular de referencia de
amplitud, Ar, con una onda portadora triangular de amplitud Ac, La frecuencia de la seal de
referencia determina la frecuencia fundamental del voltaje de salida. Si se vara Ar desde 0 a Ac,
el ancho de pulso , puede modificarse desde 0 a 180. La relacin de Ar, con Ac, es la variable de
control y se define como el ndice de modulacin de la amplitud, o simplemente ndice de
modulacin.
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10 . Ec
A
A
M
c
r
=
La tensin de salida se puede determinar a partir de:
( )
( )
( )
11 . Ec . V t d V .
. 2
2
V
s
2
1
2
2
2
s 0

=
(
(
=

+
La figura 9 muestra el perfil de armnicas con la variacin del ndice de modulacin, M. La

armnica dominante es la tercera, y el factor de distorsin aumenta en forma significativa a un bajo
voltaje de salida.
Modulacin de varios anchos de pulso
Utilizando varios pulsos en cada medio ciclo de tensin de salida puede reducirse el contenido
armnico. La generacin de seales de excitacin para activar y desactivar los transistores aparece
en la figura 10a, mediante la comparacin de una seal de referencia con una onda portadora
triangular. La frecuencia de la seal de referencia establece la frecuencia de salida, f
c
, determina el
nmero de pulsos por cada ciclo p. El ndice de modulacin control el voltaje de salida. Este tipo
de modulacin tambin se conoce como modulacin uniforme de ancho de pulso (UPWM). El
nmero de pulsos por medio ciclo se determina a partir de:
12 . Ec
f 2
f
p
2
f
m
0
c
= =
Donde
0
f
f
m
c
f
= y se define como la relacin de modulacin de frecuencia.
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La variacin del ndice de modulacin M desde 0 hasta 1 vara el ancho de pulso desde 0
hasta
p
y el ancho del voltaje de salida desde 0 hasta Vs. La tensin de salida para los
inversores monofsicos en puente aparece en la figura 13b para UPWM.
Si es el ancho de cada pulso, el voltaje rms de salida se pude determinar a partir de:
( ) 13 . Ec
p
V t . d V
2
p 2
V
s
2
1
2
p
2
p
2
s 0
=
(
(
(
(
=

|
.
|
\
|
+
|
|
|
.
|
\
|

La forma general de una serie de Fourier para el voltaje instantneo de salida es:
( ) 14 . Ec t . n sen . B t v
,.... 5 , 3 , 1 n
n 0

=
=
El coeficiente B
n
de la Ec.14, puede determinarse considerando un par de pulsos, de tal forma que
el pulso positivo de duracin se inicie en t = a, y el negativo del mismo ancho se inicie en t =
+ a. Esto se muestra en la Figura 10b. Se pueden combinar los efectos de todos los pulsos para
obtener el voltaje efectivo de salida.
En la Figura 11, se indica como es el perfil de armnicos para la modulacin de ancho mltiple de
pulso.
Modulacin senoidal del ancho de pulso
En vez de mantener igual el ancho de todos los pulsos, como es el caso de la modulacin mltiple,
el ancho de cada pulso vara en proporcin con la amplitud de una onda senoidal evaluada en el
centro del mismo pulso. El factor de distorsin y las armnicas de menor orden se reducen en
forma significativa. Las seales de compuerta, segn se muestran en la Figura 12a, se generan al
comparar una seal senoidal de referencia con una onda portadora triangular de frecuencia f
c
. Este
tipo de modulacin se utiliza por lo general en las aplicaciones industriales; se abrevia SPWM. La
V1.4
frecuencia de la seal de referencia, f
r
, determina la frecuencia de salida del inversor, f
0
, y su
amplitud pico, A
r
, controla el ndice de modulacin, M, y en consecuencia, la tensin de salida rms,
V
0.
El nmero de pulsos por medio ciclo depende de la frecuencia portadora. Q
4
, conducir cuando
Q
1
, deje de hacerlo y Q
2
cuando Q
3
no conduzca, de esta forma para determinar la tensin de la
carga ser Va-Vb, esto se muestra en la Figura 13a. Las mismas seales de excitacin se pueden
generar utilizando una onda portadora triangular unidireccional tal y como se muestra en la figura
12b.
El voltaje rms de salida puede controlarse si se vara el ndice de modulacin M. Es fcil
observar que el rea de cada pulso corresponde aproximadamente al rea bajo la onda senoidal
entre los puntos medios adyacentes de los perodos inactivos de las seales de excitacin. Si
m
es
el ancho de pulso de orden m, la ecuacin (13) se puede extender para el voltaje rms de salida
V1.4
15 .
2
1
1
0
Ec V V
p
m
m
s
|
|
|
.
|
\
|
=

=

Modulacin senoidal modificada de ancho de pulso

La figura 13 indica que los pulsos ms cercanos al pico de la onda senoidal no cambian en forma
significativa con la variacin del ndice de modulacin. Esto se debe a las caractersticas de una
onda senoidal, la tcnica SPWM se puede modificar de tal manera que la onda portadora se aplique
durante el primero y el ltimo intervalo de 60 de cada medio ciclo (es decir de cero a 60 y de 120
a 180). Este tipo de modulacin se conoce como MSPWM y se muestra en la figura 14. La
componente fundamental se incrementa y las caractersticas armnicas mejoran. Esto reduce el
nmero de conmutaciones de los dispositivos de potencia y las prdidas de conmutacin.
En la figura 15 se muestra el perfil armnico que le corresponde a la modulacin MSPWM.
CONTROL DE VOLTAJE EN INVERSORES TRIFASICOS
Un inversor trifsico puede
considerarse como tres inversores
monofsicos, con la salida de cada
inversor monofsico desplazada 120.
Las tcnicas de control de voltaje
analizadas anteriormente son aplicables
a los inversores trifsicos. Como
ejemplo, la generacin de las seales de
excitacin senoidal de ancho de pulso
aparecen en la figura N26. Se
muestran tres ondas senoidales de
referencia, cada una de ellas desplazada
120. Una onda portadora se compara
con la seal de referencia
correspondiente a una fase, a fin de
generar las seales de excitacin de
V1.4
dicha fase. Para generar el voltaje de salida, como aparece en la figura 16, se elimina la condicin
de que dos dispositivos de conmutacin de una misma rama no pueden conducir simultneamente.
TECNICAS AVANZADAS DE MODULACION
El SPWM, que es el de uso ms comn, tiene desventajas (por ejemplo, un voltaje bajo de salida de
la fundamental). Las tcnicas que ofrecen un mejor rendimiento son:
Modulacin trapezoidal
Modulacin en escalera
Modulacin escalonada
Modulacin por inyeccin de armnicas
Modulacin delta.
En aras de la simplicidad, mostraremos el voltaje de salida, v
ao
, para un inversor de medio puente.
En el caso de un inversor de puente completo, v
o
= v
ao
- v
bo
, donde v
bo
es el inverso de v
ao
.
Modulacin trapezoidal
Las seales de excitacin se generan al
comparar una onda portadora triangular con
una onda moduladora trapezoidal, como se
muestra en la figura 17. La onda trapezoidal
puede obtenerse a partir de una onda triangular
si se limita su magnitud a A
r
, misma que se
relaciona con el valor pico A
r(mx)
mediante:
A
r
= A
r(mx)
Donde es el factor triangular, porque
cuando =1 la forma de onda se convierte en
una onda triangular. El ndice de modulacin
M es:
16 . 1 0
.
(mx)
Ec M para
A
A
M
C
r
C
A
r
A

= =

El ngulo de la porcin plana de la onda trapezoidal est dado por:
2 = (1 - ) Ec.17
Para valores fijos de A
r(mx)
y de A
C
, puede modificarse M, que vara con el voltaje de salida,
cambiando el factor triangular, . Este tipo de modulacin aumenta has 1,05V
s
el voltaje pico de
salida de la fundamental, pero la salida contiene armnicas de menor orden.
V1.4
Modulacin en escalera.
La seal de modulacin es una onda en
escalera, como se muestra en la figura 17.
La escalera no es una aproximacin por
muestreo de la onda senoidal. A fin de
eliminar armnicas especficas, los niveles
de los escalones se calculan. La razn de
modulacin de la frecuencia m
f
y el
nmero de escalones se escoge con el fin de
obtener el voltaje de salida con la calidad
deseada- Este es un PWM optimizado y no
se recomienda para casos con menos de 15
pulsos por ciclo. Ha sido demostrado que
para un alto voltaje de la fundamental de
salida y un bajo factor de distorsin, el
nmero ptimo de pulsos en un ciclo es 15
para dos niveles, 21 para tres niveles y 27
para cuatro niveles. Este tipo de control
suministra un voltaje de salida de alta
calidad, con un valor de la fundamental de hasta 0,94 V.
Modulacin escalonada.
La seal moduladora es una onda
escalonada como la que se muestra en la
figura 24. La onda escalonada no es una
aproximacin por muestreo de la onda
senoidal. Est dividida en intervalos
especficos, digamos de 20, cada uno
controlado en forma individual a fin de
definir la magnitud de la componente
fundamental y de eliminar armnicas
especficas. Este tipo de control logra una
distorsin baja, pero con una mayor
amplitud de la fundamental en comparacin
con el control PWM normal.
Modulacin por inyeccin de armnicas
La seal de modulacin es generada mediante la inyeccin de armnicas seleccionadas en la onda
senoidal. Esto da como resultado una forma de onda de cresta aplanada, y reduce la
sobremodulacin. Suministra una mayor amplitud de la fundamental y una menor distorsin del
voltaje de salida.
La seal moduladora est usualmente compuesta de
: v
r
=

1,15 sen t + 0,27 sen 3t - 0,029 sen 9t
V1.4
En la figura 19 aparece la seal moduladora, con inyecciones de tercera y novena armnica.
Debe hacerse notar que la inyeccin de armnicas de tercer orden no afectar la calidad de la
tensin de salida, dado que la salida de un inversor trifsico no contiene armnicas mltiplos de
tres. Si solo se inyecta la tercera armnica, v
r
estar dado por:
v
r
=

1,15 sen t + 0,19
sen 3t La seal moduladora puede generarse a partir de segmentos de 2/3 de una onda senoidal,
como se muestra en la figura 20. Esto es similar a inyectar armnicas mltiplos de 3 a una onda
senoidal, El voltaje lnea a lnea es PWM senoidal y la amplitud de la componente fundamental es
aproximadamente 15% mayor que la de una PWM senoidal normal. Dado que durante una tercera
parte del perodo cada brazo del puente se desconecta, el calentamiento de los dispositivos
conmutadores se reduce.
Modulacin en delta
En la modulacin en delta, se deja que una
onda triangular oscile dentro de una ventana
definida V por encima y por debajo de la
onda senoidal de referencia v
r
. La funcin de
conmutacin del inversor, que es idntica al
voltaje de salida v
o
, se genera a partir de los
vrtices de la onda triangular v
c
, como se
muestra en la figura 21. Tambin se conoce
como modulacin por histresis. Si se
modifica la frecuencia de la onda moduladora
manteniendo constante la pendiente de la onda
V1.4
triangular, el nmero de pulsos y de anchos de pulso de la onda modulada cambiar.
El voltaje de salida de la fundamental puede ser hasta de 1 Vs y depende de la amplitud pico
A
r
y de la frecuencia f
r
del voltaje de referencia. La modulacin en delta puede controlar la relacin
entre voltaje y frecuencia, caracterstica deseable en el control de motores de C.A.
INVERSOR DE FUENTE DE CORRIENTE
En los puntos anteriormente vistos, los inversores son alimentados a partir de una fuente de voltaje
y la corriente de la cara se fuerza a fluctuar de positiva a negativa y viceversa. A fin de hacer frente
a las caras inductivas, se necesitan interruptores de potencia con diodos de marcha libre, en tanto
que en un inversor de fuente de corriente (CSI), la entrada se comporta como dice su nombre. La
corriente de salida se mantiene constante independientemente de la carga del inversor, y el voltaje
de salida es obligado a cambiar. El diagrama del circuito inversor monofsico transistorizado
aparece en la figura 22a. Dado que debe haber un flujo continuo de corriente desde la alimentacin,
siempre debern conducir dos interruptores, uno del interruptor superior y otro del inferior. La
secuencia de conduccin es 12, 23, 34 y 41 como se muestra en la figura 22b. La forma de onda de
la corriente de salida aparece en la figura 22c. Se requieren diodos en serie con los transistores para
bloquear los voltajes inversos sobre los transistores, estos diodos deben ser necesariamente rpidos
o ultrarpidos.
Cuando conducen dos dispositivos en brazos diferentes, la corriente de la alimentacin I
L
fluye a travs de la carga. Cuando conducen dos dispositivos en el mismo brazo, la corriente de la
fuente se desva de la carga. La corriente de la carga se pude expresar como:
( ) 18 . sen
2
sen .
4
,... 5 , 3 , 1
0
Ec t n
n
n
I
i
n
L
=
=
En un inversor de fuente de corriente, los impulsos de conmutacin para los tiristores requieren slo
de capacitores y son ms sencillos, como se muestra en la figura 23c.
V1.4
Supongamos que T
1
y T
2
estn conduciendo, y
que los capacitores C
1
y C
2
estn cargados con la
polaridad que se muestra. El disparo de los
tiristores T
3
y T
4
produce la polarizacin inversa
de los tiristores T
1
y T
2
. T
1
y T
2
son
desactivados por conmutacin por impulso. La
corriente ahora fluye a travs de T
3
C
1
D
1
, la
carga y D
2
C
2
T
4
. Los capacitores C
1
y C
2
se
descargan y recargan a una velocidad constante
determinada por la corriente de la carga, I
m
= I
L
.
Cuando C
1
y C
2
estn cargados al voltaje de la
carga y su voltaje se abate hasta cero, la
corriente de la carga es transferida del diodo D
1
al D
3
y del diodo D
2
al D
4
. D
1
y D
2
se desactivan
cuando la corriente de la carga est totalmente invertida. El capacitor est ahora listo para
desactivar a T
3
y a T
4
si se disparan los tiristores T
1
y T
2
en el siguiente medio ciclo. El tiempo de
conmutacin depende de la magnitud de la corriente de la carga y del voltaje de la misma. Los
diodos de la figura 23 aslan a los capacitores del voltaje de la carga.
La figura 24a muestra el diagrama de circuito de un inversor trifsico de fuente de corriente. Las
formas de onda para las seales de compuerta y las corrientes de lnea para una carga conectada en
estrella aparecen en la figura 24b.
V1.4
En cualquier instante slo conducen simultneamente dos tiristores. Cada dispositivo conduce para
120. La corriente para la fase a se puede expresar como:
=
|
.
|
\
|
+ =
,... 5 , 3 , 1 n
L
0
6
t n sen
6
n
sen .
n
I 4
i

Ec.19
Las tcnicas PWM, SPWM, MSPWM o MSPWM pueden aplicarse a fin de variar la corriente de la
carga y mejorar la calidad de su forma de onda.
El inversor de fuente de corriente (CSI) es un dual de un inversor de fuente de voltaje (VSI).
En un VSI, la forma del voltaje lnea a lnea es similar a la corriente de lnea de un CSI. Las
ventajas del CSI son:
1. Dado que la corriente en CC de entrada es controlada y limitada, un disparo equivocado de los
dispositivos de conmutacin, o algn corto circuito, no provoca problemas serios.
2. La corriente pico de los dispositivos de potencia est limitada
3. Son ms sencillos los circuitos de conmutacin para los tiristores
4. Tienen la capacidad de manejar cargas reactivas o regenerativas sin necesidad de diodos de
marcha libre.
Un CSI requiere de la corriente de un reactor relativamente grande para exhibir las
caractersticas de fuente y para controlar la corriente de un paso adicional convertidor. La respuesta
dinmica es ms lenta. Debido a la transferencia de corriente de un par de interruptores a otro, se
requiere de un filtro de entrada para suprimir las crestas del voltaje de salida.
INVERSOR DE ENLACE DE CORRIENTE CONTINUA VARIABLE
El voltaje de salida de un inversor se puede controlar variando el ndice de modulacin (o los
anchos de pulso) y manteniendo constante el voltaje de entrada de CC, pero en este tipo de control
de voltaje, estara presente el rango de armnicas de la tensin de salida. Los anchos de pulso se
pueden mantener fijos para eliminar o para reducir ciertas armnicas y el voltaje de salida se puede
controlar variando el nivel de la tensin de entrada (en CC). Una disposicin como esta aparece en
la figura 25 y se conoce como inversor de enlace de CC variable. Esta disposicin requiere de un
paso adicional del convertidor, y si se trata de un pulsador, la potencia no puede ser realimentada a
la fuente de CC. A fin de obtener la calidad y las armnicas del voltaje de salida deseadas, puede
predeterminarse la forma del voltaje de salida, como se muestra en la figura 4b. La alimentacin
en CC es variable a fin de dar una salida variable en CA.

Inversores CC - Ca .... Ojo Mono y Trifasicos Excelente!!!!!

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ELECTRONICA DE POTENCIA Pgina 1 de 16

y para n=1, esta proporcionar la Tensin eficaz de la componente fundamental:

ELECTRONICA DE POTENCIA Pgina 4 de 16

La figura 9 muestra el perfil de armnicas con la variacin del ndice de modulacin, M. La

Modulacin senoidal modificada de ancho de pulso

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