CORRIENTES ELCTRICAS EN UN SEMICONDUCTOR

1. CORRIENTE DE ARRASTRE Cuando se aplica un campo E a un semiconductor se obtiene una corriente de arrastre de portadores negativos y positivos, electrones y huecos, ambos cruzan la seccin del semiconductor en direcciones opuestas y contribuyen a la densidad de corriente total.

n(x,y,z,t) p(x,y,z,t)

CORRIENTES DE PORTADORES MAYORITARIOS SERIAN DE TIPO ARRASTRE

+
V

Entonces la densidad de corriente total es: EFECTO Recordando la ley de ohm microscpica ( 2. CORRIENTE DE DIFUSION , entonces: ) [ ( )] CAUSA

La difusin es un proceso por el cual las partculas tienden a dispersarse o redistribuirse como resultado de su movimiento trmico, emigrando de forma visible desde regiones de alta concentracin de partculas a regiones de baja concentracin de las mismas.
n(x)

n, p

p(x)

p n x

CORRIENTES DE PORTADORES MINORITARIOS GENERALMENTE ES LA CORRIENTE DE DIFUSIN

 EFECTO
CONSTANTE DE DIFUSIN DE LOS ELECTRONES

CAUSA

Nota: Los procesos de generacin de portadores son los que dan lugar a la creacin de cargas mviles (normalmente mediante la ruptura de un enlace covalente). Para que ste tenga lugar se requiere proporcionar al electrn de valencia la energa suficiente para que pueda liberarse venciendo las fuerzas de ligadura. Segn el tipo de energa que se proporciona al portador, los procesos de generacin se clasifican en: generacin trmica, ptica, mediante ionizacin por impacto, por campo elctrico. La recombinacion es el fenomeno contrario a la generacin: es la anulacin de un par de electrn-hueco mediante la reconstruccion del enlace covalente. Como el electrn libre tiene las energa que el electrn de valencia, en el proceso de recombiancion debe desprenderse la energia en exceso. Segn el tipo de energia que desprende el electrn en el proceso de recombinacin, ste se denomina de las siguientes formas: recombinacion trmica, ptica, Auger (contraria a la generacin por impacto) En una situacin estacionaria el nmero de portadores que se generan por unidad de tiempo y de volumen debe ser, en promedio, igual a los que se recombinan, esto implica que un portador vive un cierto tiempo: desde que se genera hasta que se recombina De forma similar a lo que ocurre con los seres vivos los tiempos de vida de los portadores no son iguales para todos. Se denomina tiempo de vida media de un tipo de portador al valor medio de los tiempos de vida de este tipo de portadores.

CONCENTRACIONES n Y p EN CONDICIONES GENERALES (DE NO EQUILIBRIO)

Para el caso de huecos:

( ) ( )

n,p

Pero tenemos que: S

( )

Para el caso unidimensional: ( )

EJEMPLO Se hace incidir radiacin ionizante permanente a travs del tiempo sobre una barra. Esta ( ) en x=0, radiacin genera una concentracin de portadores excedentarios igual a calcular la distribucin de huecos a lo largo de toda la barra.

I, radiacin ionizante

Solucin: Usando la ecuacin de continuidad: ( )

( ( ( )(
)

) ) ( )

Donde Lh es la longitud de difusin de huecos: ( ) } ( )( ( ) p(x) p(0) P (0) p0 X Lh ( ) ( )

( )

EJEMPLO2 Se tiene una barra semiconductora. Si el generador emite pulsos intensos de luz ionizante que cae sobre toda la barra uniformemente con una frecuencia f. calcular la concentracin de huecos en funcin del tiempo.

I T

I, radiacin ionizante

Solucin: Una vez que la barra esta ionizada, aplicamos la ecuacin de continuidad:

) ( )

Esto sucede cada T= 1/f segundos:

p(x) p(0) P (0) p0

X h T