30 3. Estructuras nanomtricas en slidos: dispositivos electrnico-cunticos.

La microelectrnica ha llegado a un nivel de desarrollo en que una serie de problemas fsicos seala, que su futuro desarrollo exige ms nuevos conceptos y no solamente la optimizacin de los conceptos actuales. Las ciencias materiales llaman por un amplio estudio respecto a materiales o combinaciones de sustancias alternativas a las actuales. Esto se refiere a semiconductores, metales y dielctricos al mismo tiempo, procesado por tecnologas ms limpias y mejor controlables. La nanoelectrnica, no obstante, implica mas que solamente una continuada miniaturizacin de la microelectrnica. Su tpico es la fabricacin, el estudio y la aplicacin de estructuras, materiales moleculares, interfases internas y superficies con dimensiones cunticas y tolerancias de produccin de unos 10 nm a tamaos atmicos. El objetivo final consiste en el desarrollo de materiales, cuyas funciones y propiedades dependen exclusivamente de los efectos implcitos de escala nanomtrica y sus componentes. El aprovechamiento controlado del mundo atmico encontr acceso en 1981 con la introduccin de la microscopa de tunelamiento por escaneo (STM). La nanotecnologa une leyes fsicas, propiedades qumicas de materiales en una aproximacin interdisciplinaria, empujando la miniaturizacin en la fsica tcnica, y el desarrollo de la qumica supramolecular. El fin de la microelectrnica clsica ha dado inicio a la microelectrnica cuntica, donde de la naturaleza ondular de los electrones nacen mecanismos operacionales para nuevos dispositivos electrnicos. La nanotecnologa de silicio implica los componentes bsicos para la construccin de dispositivos electrnico-cunticos, como son las barreras y pozos cunticos, alambres cunticos y puntos cunticos envueltos en dixido de silicio. 3.1 Cuantizacin en estructuras slidas. La pregunta surge, desde que tamao de estructuras sern importantes los efectos cunticos en el espacio real, como un hecho importante a ser considerado. Una situacin tpica se establece en la extensin de la funcin de onda de un electrn, en un campo (potencial) creado por una carga puntual, imaginable por un ion donador y su electrn en un semiconductor con una constante dielctrica . El radio efectivo de BOHR a*, a* = 2/m* e4 (3.1)

donde m* es la masa efectiva del electrn en la banda de conduccin, es til para resolver la pregunta. Si la profundidad de la estructura (eje z) y/o el tamao lateral

31 (ejes x, y) son comparables o mas pequeos que el radio efectivo de BOHR de un electrn de cristal, entonces (su funcin de onda est comprimida entre las barreras del potencial, y) se generan efectos cunticos en diversos estados localizados. Una aproximacin diferente pero con un resultado similar podra asignarse a la longitud de onda de DeBROGLIE del electrn en el movimiento, e = h/(2m* E) . (3.2)

Con el uso de la estadstica de BOLTZMANN la energa cintica E, est representada por el valor promedio 3kT/2, con T como la temperatura de equilibrio y k el factor BOLTZMANN. Los electrones calientes se comportarn en forma diferente. La consideracin de la longitud de onda de DeBROGLIE con respecto a los efectos cunticos est justificada por el hecho del tunelamiento de los electrones en, o a travs, de las regiones en donde est excluida la fsica clsica. La siguiente lista (Tabla 3.1) contiene algunos casos tpicos de semiconductores de banda prohibida directa e indirecta, y relaciona los tamaos caractersticos, donde los efectos cunticos estn presentes. material Si GaP GaAs InSb m*/mo 0.98(l); 0.19(t) 0.13 0.07 0.013 a*[] 16 16 100 600 e [] 100 100 240 520 banda prohibida indirecta (1.11 eV) indirecta (2.25 eV) directa (1.43 eV) directa (0.17 eV)

Tabla 3.1: Semiconductores tpicos, radio efectivo a* de BOHR; longitud de onda e DeBROGLIE, y banda prohibida Eg (300 K).

Esto nos lleva a que los semiconductores de brecha indirecta necesitan rasgos estructurales finos para producir efectos cunticos en el espacio real. Para producir pozos cunticos en Si/SiGe se requiere un control de crecimiento mayor que en GaAs. 3.2 Pozos cunticos y superredes. Los pozos cunticos representan un problema matemtico casi didctico para la solucin de la ecuacin de SCHRDINGER. La esencia del clculo es, que los

32 electrones estn restringidos a moverse libremente en la direccin z, que es la direccin de crecimiento del pozo cuntico y ocupando solamente niveles de energa discretos en dos dimensiones (2D) correspondientes a: n = 22n2 / 2m* L2 , n=1,2,... (3.3)

Tal como el propio problema mecnico-cuntico implica pozos infinitamente profundos, la energa confinada En , dada aqu es solamente un valor aproximado. Para el ancho de base del pozo cuntico L = 100 , la expresin En (n = 1) transmite alrededor de 5 meV para un material con una masa efectiva m* = 0.07 mo, y a 27 meV para m* = 0.013mo. La energa FERMI est dada por: EF = 2N / 2m* , (3.4)

donde N es la densidad de portadores por unidad de rea. Sea N = 1011cm-2 en el GaAs (m* = 0.07 mo), entonces EF 12 meV, y solamente unas cuantas sub-bandas En por debajo de EF estarn ocupadas.

Figura 3.1: Pozo de potencial con barrera de altura finita, EB y anchura de barrera L. La energa FERMI EF y los niveles de energa discretos En (n = 1, 2, 3) no estn dibujados a escala.
B

Una secuencia peridica de estructuras de pozos cunticos (Figura 3.1) da lugar a los multipozos cunticos (multi quantum wells, MQW), donde un solo pozo cuntico es suficiente, apartado de los otros, para conocer las funciones de onda de los electrones en la incorporacin de pozos de potencial adyacentes. La estructura electrnica y la forma escalonada de la funcin de densidad de estados se mantiene. Muchos de los dispositivos optoelectrnicos operan con eficiencia bajo ests condiciones de confinar electrones y huecos.

33 Sea la distancia entre los pozos cunticos vecinos reducida a la longitud de onda extendida DeBROGLIE del electrn, e, o la extensin de la funcin de onda del electrn excede el ancho de las barreras de MQW, una superred (SL) en el sentido real de una estructura es formada con nuevas propiedades fsicas (al menos el trmino es usado a menudo genricamente e incluye, multipozos cunticos, y cualquier estructura peridica en composicin o en dopamiento). Superredes han sido investigados a finales de los setenta por ESAKI y TSU, as como las superredes dopadas por DHLER, quien propuso tambin el cristal nipi. La introduccin potencial de la superred perturba la estructura de banda del material husped. De la misma manera, como resolvieron KRONIG y PENNEY, - para un caso muy irreal (pero posible solamente) de un potencial cuadrado en una cadena uniatmica-, la ecuacin de SCHRDINGER, y obtuvieron expresiones cerradas para una estructura de banda de energa E(k) hipottica, la misma pero ahora mas realista con un potencial cuadrado para la superred nos gua a lo que llamamos minibandas en minizonas de una zona BRILLOUIN dividida. En la aproximacin de enlace firme y en la correspondiente substitucin del tomo por un simple pozo cuntico, una solucin para las minibandas de energa vs. el momentum es Enk(k||, kz) = Enk + (2 k2||) / 2m* - Ank cos kzl (3.5)

con Ank como el elemento de matriz del enlace firme de la interaccin con el vecino siguiente. Las minibandas estn separados por una minibrecha en la frontera de la zona kz = /l en completa analoga a la brecha de energa entre la primera y segunda zona de BRILLOUIN, en k = /a en el resultado de KRONIG-PENNEY. Las minibandas de extensin finita E1 y E2 (figura 3.2) causan que la funcin 2D de la densidad de estados pierda su comportamiento escalonado. El transporte vertical a travs de las barreras entre los simples pozos cunticos peridicos tiene como un aspecto fascinante el tunelamiento resonante de electrones, cuando por un campo elctrico externo el nivel de energa E1 de uno y el E2 del siguiente pozo cuntico es ajustado. El efecto de tunelamiento por resonancia encontr amplio uso en dispositivos electrnicos correspondientes (RTD, QC-laser). Muchos tipos diferentes de superredes se han hechos crecer, que son usualmente clasificadas en superredes tipo I, donde la energa de brecha de un semiconductor est completamente contenida en la brecha de la otra; superredes tipo II, y superredes politipos formados por ms de dos materiales. Una superred especial y ms extica pero de tipo composicin tambin, es la superred cuasiperidica FIBONACCI.

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crecimiento.

Figura 3.2: El perfil del potencial cuadrado y las minibandas E1 y E2 (arriba) y sus relaciones energamomentum con las minizonas. En lugar de kx leer kz en la presente definicin de la direccin de

El dopamiento peridico con donadores y aceptores durante el crecimiento de un semiconductor nos lleva a las superredes dopadas, de clases diferentes, e. g. nipi, nini, pipi, didi y otras que se han elaborado. El factor restrictivo en la seleccin del material que debe ser usado para el crecimiento epitaxial de heteroestructuras y superredes est estrechamente relacionado con las constantes de la red de ambos patrones. Sin embargo, las pelculas empleadas son delgadas, entonces la integridad del cristal se mantiene y como una clase ms de superredes, las superredes de pelcula tensionada, puede crecerse con materiales incompatibles entre las redes. La tensin integrada sirve como un parmetro adicional para cambiarse al ser usado, e.g. las brechas en las bandas de los materiales (ver tambin cap. 3.5).

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Fig. 3.3: Caracterizacin del estrs en una capa delgada de CaF2 crecida sobre una oblea de silicio (Zehe et al., Molecular Engineering vol. 8, 403-409 (1999))

Las superredes de pelcula tensionada (SLS) construdas de Si y Si1xGex tienen y han tenido un fuerte impacto sobre esos sistemas materiales debido a la posibilidad de realizar un dopamiento selectivo. El crecimiento de las SLS GexSi1x/Si directamente sobre una oblea de Si resulta en un arreglo de tipo I, y las brechas de las bandas GexSi1x caen entre los bordes de las bandas de Si. Experimentos de dopamiento selectivo produjeron una transferencia de huecos del silicio dopado hacia el compuesto adyacente. Si por lo contrario la SLS Si/SiGe es crecida encima de una inconmensurada pelcula buffer de SiGe sobre un substrato de silicio, la deformacin estar igualmente distribuida y el sistema se convertir en tipo II. Ahora los electrones del compuesto dopado se transfieren al silicio. Las estructuras con perfiles de bandas no solamente en forma de una onda cuadrada sino una leve forma dentada o alguna variedad mas compleja apuntan claramente al alto nivel del control necesario durante el proceso de crecimiento. 3.3 Transistor de un solo electrn (SET). El transmisor de un solo electrn podra sustituir el FET clsico. Est formado en su esencia de una isla, que se encuentra entre dos contactos de tunelamiento

36 cuntico (Fig. 3.4). A travs de estos contactos, los electrones pueden ocupar la isla (Insel) o bien salir de ella.

Figura 3.4: Estructura energtica de un single electrn transistor (SET).

Tunelamiento es un proceso discreto, es decir, la carga elctrica pasa por la unin tnel en mltiplos de e, la carga de un solo electrn. El elemento bsico del SET es entonces el contacto tnel. Tales contactos son imaginables como capacidades comunes, sin embargo con un espezor del dielctrico en el rango de 5 nm tpicamente. La transmisin de la capa aislante para electrones crece en forma exponencial con la reduccin de este espesor, en acordancia con los resultados mecnico-cunticos. El potencial de la isla (Fig. 3.4) puede ser controlado con la ayuda de un electrodo gate Ug. Si Ug = 0 V, apenas ocurre algn tunelamiento. Esta situacin est llamada bloqueo Coulomb. Cambiando Ug (o tambin UB) puede producir una balanza positiva de energa para que un electrn tunele. Este bloqueo requiere muy pequeas capacidades para que sea grande la energa de carga E = e2/2C, que al mismo tiempo debe superar la energa trmica kT. La temperatura de operacin del SET es por lo tanto reversamente proporcional a las capacidades del dispositivo, que a la vez tienen relacin con las dimensiones geomtricas del dispositivo: Mientras ms pequeos son las estructuras, ms pequeas son las capacidades, y consecuentemente mas alto puede ser la temperatura de operacin del SET. Principalmente en tcnicas basadas en la aplicacin del STM se ha podido realizar el efecto SET tanto en estructuras metlicas como semiconductor. Con frecuencia se usan obleas SOI, sobre que se depositan capas de metal o de polisilicio. Las figuras 3.5 a y b muestran el esquema tanto como una imagen AFM de un SET creado en una capa de Ti depositado sobre SiO2, a travs de un proceso llamado STM-nano-oxidacin.

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Figura 3.5a: Esquema de un SET sobre un sustrato SOI, realizado en Titaneo

Figura 3.5b: Imagen AFM de un SET, producido por el proceso de STM-nano-oxidacin (segn Matsumoto 1995).

Las regiones de xido de titanio de apenas 2-3 nm de ancho (el espesor de la capa de Ti es de 3 nm) lleva a una capacitancia tan pequea como 10-19 F, que permite la operacin del SET a temperatura ambiente. Mientras SETs en base a metales tendran ventajas debido a su mayor densidad de electrones particularmente en estructuras sub-decananomtricas (<10 nm), la base de silicio permitira una integracin ms fcil en tecnologas CMOS existentes de la microelectrnica. El dominio de los SETs sern aplicaciones como de almacenamiento. La sustitucin de la tecnologa CMOS por SETs abre el camino para memorias de tamao Terabit. Una densidad tan alta como 1012 bit/cm2 parece posible. Los datos de una buena biblioteca universitaria podra almacenarse entonces en una tarjeta del tamao de una tarjeta telefnica.

38 3.4 Alambres nanomtricos (whiskers) y superredes unidimensionales. Siempre han sido sistemas electrnicos unidimensionales de particular inters. Para la nanotecnologa forman los alambres con dimetros de alrededor de 1 - 10 nm componentes de construccin para circuitos de computacin con propiedades realmente impresionantes. Sometiendo un gas de electrones en un sistema 1D, la ley de conservacin de energa demanda, que un electrn en el estado ki puede ser dispersado hacia atrs (referente a su direccin de propagacin) solamente al estado (-ki), y solamente si estos dos puntos se intersectan entre el eje unidimensional del momentum, kx, y la energa en la superficie sea igual a =2k2i/2m*. Tan grande es el cambio del momentum de |2ki|, que tiene una probabilidad pequea de ocurrir comparada con la situacin del gas de electrones 2D y 3D, donde los electrones pueden ser dispersados ms lejos. Los representantes ms estudiados entre los alambres nanomtricos forman los nanotubitos de carbono (consulta cap. 4.1.2). Otros estructuras nanomtricos, sin embargo, no dejan de ser interesantes. Una de particular inters consiste en los cristales hilo, -los whiskers -, de material semiconductor. Conocido por mucho tiempo, los whiskers de metales, semiconductores y sales poseen propiedades elctricas y mecnicas muy particulares. Aplicaciones prcticas requieren naturalmente tecnologas controlables. Mientras los CNTs, debido al arreglo geomtrico de los tomos (helicidad), salen de los procesos tecnolgicos generalmente como material semiconductor o metal en una relacin semejante, el crecimiento de los whiskers se controlan qumicamente con cierta facilidad. Crecen a una longitud de dcadas de micrmetros por una tecnologa conocida como VLS (vapor-lquido-slido). Para la fabricacin de whiskers de silicio, se genera un vapor de tomos de Si a travs de laser-ablation, agregando algn metal (Fe, Au) al principio, para que el vapor se condensa en forma de arreglos de clusters sobre la oblea correspondiente. Los clusters actan como grmenes, de las cuales el crecimiento cristalino unidimensional procede. Todava es difcil controlar la distancia entre los clusters y as la densidad de whiskers por unidad de rea. La creacin de dispositivos requiere su manipulacin. Whiskers muestran una baja conductividad elctrica y por lo tanto son polarizables en un campo elctrico para poder controlar su movimiento relativo. La base material semiconductor implica otra ventaja: Durante el proceso de crecimiento se puede agregar tomos de dopamiento y conseguir whiskers con diferentes tipos de conductividad (tipo n, tipo p e intrnseco). Llevando la tecnologa un paso ms adelante, y variando los elementos de dopamiento durante

39 el crecimiento (en semejanza a la tcnica MBE), se llega a nano-superredes unidimensionales. Nuevos principios de operacin de tales dispositivos nanomtricos esperan su aplicacin. Diodos, e incluso LEDs y lasers, transistores y unidades de memoria ya mostraron su funcionamiento. La productividad de la tecnologa VLS con millones de whiskers crecidos por hora es bastante alta para ofrecerse como base de una forma de electrnica molecular, donde los alambres nanomtricos se auto-ensamblan en memorias de computo. 3.5 Puntos cunticos (quantum dots). Haber surgido como curiosidad cientfica hace apenas 10 aos, los puntos cunticos se han posicionado como bloques de construccin para una indstria nanoelectrnica del futuro. Los puntos cunticos se forman como estructura material en sistemas metlicos, y contienen un pequeo pero bien definido nmero de electrones. Este nmero puede ser controlado a travs de campos electroestticos, modificndolo entre zero y cientos de electrones. La presencia de un espectro de energas elctricas discretas en los puntos cunticos es nico en todos los sistemas en estado slido (de ah su sobrenombre tomos artificiales). El avance tecnolgico en la MBE y microlitografa ha llevado a la fabricacin de estructuras, en que electrones (o excitones) son confinados en las tres dimensiones de movimiento a una regin de tamao nanomtrico. No obstante es el autoensamble de puntos cunticos durante el proceso de crecimiento epitaxial una opcin con mayor potencial aplicativo, - y se basa en efectos ampliamente estudiados en la deposicin de capas tensionadas sobre una oblea monocristalina. Este tipo de estructuras cunticas tiene tamaos en el rango de pocos nanmetros y potenciales de confinamiento ms fuertes, que las estructuras hechas por microlitigrafa. Empezaron a jugar un papel importante en el rea de la electrnica y la fotnica de una sola partcula. La fabricacin de puntos cunticos con autoensamble hace uso de sistemas materiales epitaxiales, que en condiciones de cristal volumtrico tienen un misfit de las constantes de red. Siguiendo procedimientos conocidos de la MBE ( MOCVD), tomos del material depositado llegan a la superficie ultralimpio y reconstruido del sustrato, donde por procesos de difusin superficial forman una capa monoatmica epitaxial. Debido a la balanza energtica (superficial, interfacial, elstica), los tomos forman un arreglo como para minimizar la suma de estas energas. La energa de tensin elstica crece en forma cuadrtica con el

40 espesor de la capa con el efecto que se forman islas de tamao nanomtrico, que minimizan el total de la energa. Se elige como material depositado un semiconductor con una energa de gap menor que la del sustrato. Una vez formada la isla, se deposita otro semiconductor con un gap energtico mayor que el de las islas. De tal forma las islas se convierten en puntos cunticos con potencial electrosttico mayor en las tres direcciones del espacio. Figura 3.6 muestra la formacin de una isla de InAs sobre un sustrato de GaAs debido a un misfit de las redes cristalinas de 7%.

Figura 3.6: Al depositar InAs sobre un sustrato de GaAs se forma inicialmente una delgada capa de InAs seguido por arreglo peridico de islas en forma de pirmide. Debido al misfit de las redes cristalinas, tanto la capa de InAs como las pirmides estn tensionadas.

3.5.1 Estados energticos. Para tomos reales se conocen las potenciales coulombianas de los electrones mas o menos, y la solucin correspondiente de la ecuacin de SCRDINGER lleva a los estados energticos con bastante precisin. Las fuerzas que mantienen los electrones dentro de los puntos cunticos, no se puede deducir desde primeros principios. Ni la forma exacta ni la composicin qumica se conoce con precisin, dado las implicaciones del procedimiento de crecimiento y la fuerza de tensin, que han causado la autoformacin de las islas. Con la tcnica de espectroscopa de capacitancia (Fig. 3.7a) se puede determinar los estados base de electrones (Fig. 3.7b) dentro de un punto cuntico. Los picos en la Figura 3.7b reflejan la estructura elctrica interna del punto cuntico, donde los primeros dos electrones llenan el estado s, mientras los siguientes cuatro electrones se colocan a la siguiente rbita. De esta forma se podra reproducir lo que se llamara quantum-dot periodic table, agregando

41 siempre un electrn adicional desde el quantum-dot hidrgeno, quantum-dot helio, quantum-dot litio etctera.

Figura 3.7 a: Estructura MIS-FET Para la espectroscopa de capacitancia.

Figura 3.7 b: Estados electrnicos de electrones en el punto cuntico.

Si nos imaginamos, que el potencial parablico de confinamiento para simples puntos cunticos (Figura 3.6 b) toma una forma doble-u, en trminos de estados energticos se forma un anillo cuntico. Los estados energticos en tal anillo cuntico se puede derivar suponiendo los anillos como alambres sin fin de radius R. Tal slido en una dimensin con condiciones de frontera peridicas tiene soluciones simples: n = 2k2/2m= 2n2/2mR2, n= 0, 1, 2 ... (3.6)

donde m es la masa del electrn. La aplicacin de un campo magntico tiene efectos inmediatos sobre el movimiento de los electrones dentro del anillo cuntico y da apertura a la fsica fascinante de las corrientes persistentes en estructuras anillo microscpicas Un excitn en estado base de un punto cuntico autoensamblado forma un sistema ideal para aplicaciones en la electrodinmica cuntica (QED). El sistema elemental en QED es un sistema de dos niveles energticos, que interacta con un modo electrodinmico de cavidad. La modificacin de la emisin espontnea de radiacin (de un tomo, por ejemplo) debido a la presencia de una cavidad se conoce como efecto PURCELL. El intercambio de energa entre un sistema de dos niveles cunticos y un modo de cavidad (rgimen de acoplamiento fuerte) ha encontrado aplicaciones en el rea emergente de las ciencias de informtica cuntica (consulta tambin cap. 5).

42 3.5.2 Dispositivos en base a puntos cunticos. Encerrar electrones dentro de puntos cunticos impide su difusin o deriva y reduce drsticamente la razn de recombinacin con impurezas ionizadas en el semiconductor. Este efecto se ofrece como base para memorias de muy alta densidad, donde la informacin es almacenada y leda por controlar la carga dentro de un punto cuntico. Tal dispositivo (Figura 3.8) podra usar luz para escribir y leer la informacin.

Figura 3.8: Dispositivo de memoria ptica en base a puntos cunticos.

La idea detrs de este dispositivo, -generacin y disociacin de un excitn para su almacenamiento en una pareja de puntos cuntos a travs de un fotn incidente (punto de datos) y su reunificacin con la emisin de un fotn a travs de un pulso elctrico-, podra resultar en un dispositivo de memoria completamente ptico. Microscopios de microfotoluminiscencia y fuentes de luz del tamao molecular ya existen y pueden servir como cabeza escribir-leer de tales memorias. Laseres en base a puntos cunticos (quantum-dot laser) se asemejan en su estructura geomtrica a los laseres con pozo cuntico (GRINSCH-laser). En lugar del pozo se extiende un campo de puntos cunticos, donde la onda ptica es amplificada. El coeficiente de amplificacin es enorme. De hecho, los laseres en base a puntos cunticos tienen el potencial de superar en prcticamente todas las propiedades a temperatura ambiente los laseres GRINSCH. 3.6 Tecnologas avanzadas de la nanoelectrnica. La propiedad de auto-ensamble o auto-organizacin de puntos cunticos en capas delgadas y tensionadas es posiblemente la ms natural e intrnseca en la creacin de

43 dispositivos a escala nanomtrica. En sus bases fsicas sencillas, que implican el control de los diferentes modos de crecimiento de capas delgadas (Frank-Van der Merwe, Volmer-Weber, Stranski-Krastanov), la generacin de superficies monocristalinas ultra-limpias y perfectas, y la composicin de dos materiales (oblea, depsito) con diferentes geometras cristalinas (misfit de la constante de red, etc.), es la ltima perfeccin en la composicin y el arreglo de los puntos cunticos, - incluso en diferentes niveles sobrepuestos -, un reto tecnolgico importante (Figura 3.9 a,b).

Fig. 3.9a: Los tres modos de crecimiento heteroepitaxial

Fig.3.9b: Formacin de una estructura 2D por crecimiento en modo Stranski-Krastanov, litografa y ataque qumico

La colocacin de tomos uno por uno sobre un sustrato (STM), y de esta manera la conformacin de un slido completamente arbitrario es un principio posible y fue en ciertas estructuras realizado con xito. La eficacia del proceso, no obstante, todava no llega a niveles con importancia tecnolgica.

44 3.6.1 Estructuracin por haz electrnico, inico u atmico. En direccin de crecimiento de una capa delgada permite la MBE y la MO-CVD una precisin a un espesor monoatmico. La estructuracin lateral por tcnicas litogrficas, como se realiza en la microelectrnica convencional por fotolitografa, llega a lmites terminales en dimensiones debajo de los 100 nm. Nuevas tcnicas implican el uso de ines y electrones, que en forma de un haz altamente colimado permite la escritura de un patrn directamente sobre la oblea. La litografa con haz de electrones (EBL) hace uso del hecho, que ciertos materiales qumicos cambian sus propiedades al ser iluminados con electrones. El haz de electrones se genera en un microscopio electrnico (SEM), y a travs de control computacional de la posicin del haz de electrones se dejan escribir estructuras arbitrarias a la superficie de la oblea, como muestran las figuras 3.10 a y b

Figura 3.10 a: Pasos para la fabricacin de una nanoestructura por haz de electrones.

Figura 3.10 b: Estructura escrita con un haz de electrons en una capa epitaxial de CaF2 sobre silicio (Zehe et al. Thin Solid Films 373, 46(2000))

Lneas tan finas como 5 nm pueden resultar en esta tcnica. STM estara necesario para an ms finas estructuras. En semejanza a la litografa por haz de electrones resulta el uso de un haz de tomos cargados elctricamente (FIB) en un esquema tecnolgico comparable a la EBL. Existen resinas para iones, que se desintegran completamente al ser iluminado con iones energticos (auto-revelado). Al otro lado puede ser combinado la tcnica FIB con la MBE para generar directamente estructuras durante el proceso de crecimiento. Recientes avances en la litografa con tomos neutrales, donde se aplican fuerzas de luz para entrapar o guiar tomos, han mostrado un potencial para generar estructuras hasta 1 nm, aplicando los tomos monocromticos de un laser de tomos.

45 3.6.2 Sistemas nano-electro-mecnicos (NEMS). Dispositivos nanoelectromecnicos (NEMS) tienen el potencial de revolucionar las mediciones de desplazamientos extremadamente pequeos, y de fuerzas muy dbiles, - particularmente a escala molecular. Existen NEMS tan pequeos, que su masa apenas llega a pocos attogramos (10-18g), y sus dimensiones caractersticas son de aproximadamente 10 nm. Resonadores mecnicos realizados con nanotecnologa tienen frecuencias de resonancia arriba de los 10 GHz, correspondiendo a la banda X en la comunicacin por microondas. Los transductores electrostticos utilizados con MEMS pierden su potencial a escala de los NEMS, y se requieren nuevos conceptos, como por ejemplo la ptica de campo cercano integrada, magnetos a escala nanomtrica, los transistores HEMT y SET, tanto como dispositivos superconductores con interferencia cuntica. 3.7 Metrologa en nanosistemas. Estructuras y mtodos de prueba, estndares y normales para mediciones, e incluso la realizacin de produccin bajo normas comunes son indispensables para el desarrollo controlado de las tecnologas de nanosistemas. Existen muchos tipos de estructuras de prueba desarrollados en diferentes entidades para la caracterizacin de los procesos de fabricacin. Las superredes ii son uno entre varios (Zehe 1989), pero al mismo tiempo un ejemplo para la caracterizacin de precisin a escala monoatmica tanto como la estabilidad trmica de superredes con dopamiento spike.

Figura 3.11: La superred ii. Planos 2D son dopados con donadores y aceptores formando DAPs (Zehe, Superlattices & Microstructures Vol.10, N1, pp 31-38 (1991))

En contraste a las superredes -dopadas tipo n tipo p, descritas por PLOOG, una superred ii contiene ambas impurezas, donadoras y aceptoras, dentro de cada capa. La funcin de distribucin modificada del par donador-aceptor en una pelcula dopada , y entre las capas vecinas, es introducida en la relacin de

46 intensidad luminiscente de la radiacin entre pares donador-aceptor (DAP). Brincos caractersticos aparecen en la distribucin de la intensidad, cuyas energas corresponden a la participacin de los pares donador-aceptor formados entre pelculas adyacentes. Mientras que este hecho por si mismo proporciona un modo caracterstico de inters en los pozos cunticos o en las superredes, la autodifusin de los tomos impureza de los sitios originales modifica la funcin de distribucin de los DAPs, y los saltos en el espectro luminiscente, que se inclinan en una forma caracterstica.

Figura 3.12: Espectro luminiscente DAP para capas -dopadas separadas por una distancia d=200. Las diferentes curvas corresponden de abajo hacia arriba a densidades de excitacin creciente. Mientras entre 0 y 20 nm la recombinacin es dos-dimensional, la tercera dimensin abre canales para transiciones radiativas adicionales (segn Zehe et al.: phys. stat. sol.(b) 157, 305-310 (1990)).

La informacin que se consigue, tiene una precisin de longitud comparable con la distancia interatmica en el cristal.