ELECTRÓNICA FUNDAMENTAL

Ing. Galo Guarderas Burbano Ph.D.

gfguarderas@espe.edu.ec
 SEMICONDUCTORES
PIEDRA ANGULAR DE LA ELECTRONICA

TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA
ELEMENTOS DISCRETOS • COMUNICACIONES
• PROCESADORES
- DIODOS DESARROLLO • ROBOTICA
MICROPROCESADORES
- TRANSISTORES • CONTROL
- OTROS • POTENCIA
“DESCRIPCIÓN GENERAL DEL COMPORTAMIENTO DE LOS SEMICONDUCTORES Y
SUS PROPIEDADES DE CONDUCCIÓN”

- DISPOSICIÓN DE LOS ELECTRONES EN RELACIÓN A LOS NÚCLEOS DE LOS ÁTOMOS.

- ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DE LA MATERIA
- ENLACE QUÍMICO

ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DE LA MATERIA
ENLACE QUÍMICO
DETERMINADAS POR LA DISPOSICION
DE LOS ELECTRONES DENTRO
PROPIEDADES DE CONDUCCION
DEL ATOMO QUE CONFORMAN EL
MATERIAL SEMICONDUCTOR
CAMPO ELECTRICO

-259 oC FENOMENO DE
CONDUCCION
(movimiento de
los e- libres)

CLASIFICACION
ELECTRICA DE LOS
MATERIALES Controlar
TEMPERATURA conductividad


FENOMENO DE
POLARIZACION
(deformación de la nube y
Formación de dipolos
eléctricos)
 Estructura electrónica de los materiales sólidos.
Diferentes comportamientos:
Composición química.
Estructura electrónica de enlace de los átomos
excitación
-

Orbitales o e- libre (ionizado)

H
niveles atómicos +
q carga
n=1 m0 masa
ε0 permitividad del vacío
h constante de Planck
n nivel atómico u orbital (energía v. discretos)
n = 1 nivel menor, estado fundamental
(-) energía de enlace o de Ionización electrón libre.
n > 1 niveles excitados
13.6 eV energía de ionización para el H

El electronvoltio eV es una unidad de energía que representa la variación de energía que experimenta un e- al saltar de un
potencial V0 hasta un potencial V1 cuando su diferencia V10 = V1 - V0 = 1 V.
 Curva de energía potencial

e-

e- exteriores participan en
el enlace.
Desdoblamiento de niveles Enlace covalente
de energía. Ocupado el
Inferior, libre el superior.

El diferencial de energía, entre el subnivel

más bajo y el más alto es independiente*
del numero de átomos que forma la
molécula,  pocos eV.
 Conducción (estados excitados) Bandas de energía
Valencia Valencia y Conducción
2N e- de valencia
Características eléctricas de los
Materiales.

t°  0 °K (absoluto) e- ocupan niveles más bajos de energía

Nivel de alta energía (vacantes)
2N
Banda prohibida

Nivel de baja energía (todos )

300 °K  27 °C
Conductor Semiconductor Aislante

La presencia de en una banda, de valencia o de conducción, en la cual existen niveles o estados vacantes a los
cuales el pueda migrar, es condición principal para que los participen en la conducción cuando son excitados
por medio de un campo eléctrico.
 Conducción (estados excitados) Bandas de energía
Valencia Valencia y Conducción
2N e- de valencia
Características eléctricas de los
Materiales.

300 °K
vacía* Nivel de alta energía (vacantes)
2N vacía 1010 /cm3
Banda prohibida

1 /átomo
llena saturada Nivel de baja energía (todos )
1022 – 1023 /cm3
Enlace covalente fuerte 2 átomos
Conductor Semiconductor Aislante
300 °K  27 °C
La presencia de en una banda, de valencia o de conducción, en la cual existen niveles o estados vacantes a los
cuales el pueda migrar, es condición principal para que los participen en la conducción cuando son excitados
por medio de un campo eléctrico.
La presencia de en una banda, de valencia o de conducción, en las cuales existen niveles o estados vacantes
a los cuales el se pueda mover, es una de las condiciones que se exige para que los de esa banda puedan
participar en los procesos de conducción al aplicar un campo eléctrico.

Lleno

Casi lleno

Burbujas
 SEMICONDUCTORES INTRINSECOS:
En estado puro y cristalizados.
Tetraédrico (diamante)
Tetravalentes 4 en banda de valencia

Grupo III y V
Arseniuro de galio GaAs
Nitruro de galio GaN
Fosfuro de galio GaP

Grupo II y VI
Sulfuro de Zinc ZnS
Teluro de Cadmio CdTe

Silicio Si 1.1 eV
Germanio Ge 0.7 eV

Hueco: El salto de un a la b.c. genera una ausencia de carga negativa, equivalente a una carga positiva igual a la del , con
movilidad aparente cuando un salta a cubrir la vacante o hueco cercano, el hueco se mueve al lugar de origen del por lo
que su movimiento aparente tiene sentido opuesto al del movimiento del
 FENOMENOS DE EXITACIÓN DE PORTADORES EN CONDUCTORES INTRINSECOS

Equilibrio térmico

b. conducción

excitación
b. valencia La concentración de e- (n) presentes
en la banda de conducción, debe ser
igual a la de h+ (p) en la banda de
valencia (n = p) y constantes en el
Equilibrio térmico tiempo si la temperatura es constante.

b. conducción Gap (brecha) directa e indirecta

recombinación
b. valencia