Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos ms sencillos.

El nombre diodo rectificador procede de su aplicacin, la cual consiste en separar los ciclos positivos de una seal de corriente alterna. Si se aplica al diodo una tensin de corriente alterna durante los medios ciclos positivos, se polariza en forma directa; de esta manera, permite el paso de la corriente elctrica. Pero durante los medios ciclos negativos, el diodo se polariza de manera inversa; con ello, evita el paso de la corriente en tal sentido. Durante la fabricacin de los diodos rectificadores, se consideran tres factores: la frecuencia mxima en que realizan correctamente su funcin, la corriente mxima en que pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa mximas que soportarn. Una de las aplicaciones clsicas de los diodos rectificadores, es en las fuentes de alimentacin; aqu, convierten una seal de corriente. Un diodo zner es bsicamente un diodo de unin, pero construido especialmente para trabajar en la zona de ruptura de la tensin de polarizacin inversa; por eso algunas veces se le conoce con el nombre de diodo de avalancha. Su principal aplicacin es como regulador de tensin; es decir, como circuito que mantiene la tensin de salida casi constante, independientemente de las variaciones que se presenten en la lnea de entrada o del consumo de corriente de las cargas conectadas en la salida del circuito. El diodo zner tiene la propiedad de mantener constante la tensin aplicada, aun cuando la corriente sufra cambios. Para que el diodo zener pueda realizar esta funcin, debe polarizarse de manera inversa. Generalmente, la tensin de polarizacin del diodo es mayor que la tensin de ruptura; adems, se coloca una resistencia limitadora en serie con l; de no ser as, conducira de manera descontrolada hasta llegar al punto de su destruccin. En muchas aplicaciones de regulacin de tensin, el diodo zner no es el dispositivo que controla de manera directa la tensin de salida de un circuito; slo sirve de referencia para un circuito ms complejo; es decir, el zner mantiene un valor de tensin constante en sus terminales.

3. EL DIODO RECTIFICADOR

3.1. LA UNIN P-N

Lo primero que vamos a hacer es diferenciar entre el dispositivo diodo y el componente diodo, si bien hay que aclarar que en el uso cotidiano se utiliza el trmino diodo para referirse tanto al dispositivo como al componente.

Un dispositivo diodo es una unin P-N. Es decir, una unin de un semiconductor extrnseco de tipo P con un semiconductor extrnseco de tipo N. (A este tipo de unin se le llama homounin, por realizarse entre dos materiales de la misma naturaleza conductiva. Existen tambin las heterouniones, que son las que se realizan entre dos materiales de distinta naturaleza conductiva, por ejemplo la unin entre conductor y semiconductor). La unin P-N surge como consecuencia del dopado de un cristal de silicio, de forma que una mitad del cristal resulte en tipo P y la otra en tipo N (o bien por la fusin de dos cristales aislados, uno de cada tipo).

Al formarse la unin P-N surge el diodo...

- El terminal al que conectemos la mitad de tipo P ser el nodo del diodo.

- El terminal al que conectemos la mitad de tipo N ser el ctodo del diodo.

- Al espacio sin cargas libres situado entre la zona P y la zona N del diodo lo denominaremos zona de agotamiento del diodo.

Este es el smbolo del dispositivo diodo. En l hemos marcado con una A el extremo correspondiente al nodo y con una K el extremo correspondiente al ctodo. (NOTA: en muchos textos el tringulo del smbolo del diodo es un contorno, pero el que est relleno de negro o no es irrelevante).

Smbolo del diodo rectificador.

En cambio, el componente diodo es el encapsulado que contiene esta unin P-N y que se montar directamente en el circuito, con su aspecto y su presentacin.

Esta situacin es anloga a la que puede ocurrir con el "dispositivo" resistencia (la relacin voltaje-intensidad de corriente, dada por la ley de Ohm) y el "componente" resistencia (la "resistencia" de un microondas, de un brasero, etc). Fundamentalmente, aqu trataremos del diodo como dispositivo, no como componente; o lo que es lo mismo, estudiaremos el comportamiento interno del componente diodo (su fundamento fsico, su unin P-N, la razn por la que conduce o no segn la tensin aplicada...), sin meternos en cuestiones como las adecuadas condiciones de temperatura para su funcionamiento, encapsulado, tolerancia a fallos, modelos, etc.

3.2. COMPORTAMIENTO DEL DIODO EN RGIMEN ESTTICO

(NOTA: en lo sucesivo, cuando hablemos de "diodo" a secas se deber entender que nos estamos refiriendo al diodo rectificador).

Hablar de rgimen esttico es hablar de corriente continua. Como primera aproximacin, y aunque como se ver esto no es del todo exacto, diremos que un diodo es un dispositivo que deja pasar la corriente en un solo sentido, concretamente de nodo a ctodo (el que indica la flecha de su smbolo), como se refleja en esta simulacin de Electronics Workbench realizada a temperatura ambiente (27oC):

Diodo en polarizacin directa a temp. ambiente (conduce)

Diodo en polarizacin inversa a temp. ambiente (no conduce)

Observamos que en el circuito de la izquierda el diodo se comporta como una resistencia muy baja, aproximadamente 021 para este ejemplo concreto (y por tanto es casi como si no estuviera), mientras que en la grfica de la derecha se comporta como un interruptor abierto. Es decir: un diodo polarizado directamente se comporta como un cortocircuito, mientras que un diodo polarizado inversamente se comporta como un circuito abierto.

Y es ahora cuando se trata de puntualizar nuestras palabras, puesto que el diodo s conduce polarizado inversamente (y de hecho hay aplicaciones que requieren un diodo polarizado inversamente, e incluso tipos de diodos, como el Zener que ya veremos con ms detalle-, que trabajan nicamente en polarizacin inversa). Esto es lo que ocurre exactamente:

- Al polarizar directamente el diodo se produce una corriente apreciable, del orden de amperios, debido a que los portadores mayoritarios atraviesan la zona de agotamiento en ambos sentidos (los huecos de la zona P van hacia la zona N y los electrones de la zona N van hacia la zona P).

- Al polarizar inversamente el diodo los portadores mayoritarios no tienen tendencia a atravesar la zona de agotamiento sino a alejarse de ella, lo cual provoca un ligero ensanchamiento de la zona de agotamiento. La unin es atravesada por los portadores minoritarios, que generan una pequea corriente llamada inversa o de saturacin dirigida de ctodo a nodo. Dicha corriente de saturacin es del orden de microamperios, y por tanto habitualmente despreciable a temperatura ambiente pero no a temperaturas ms elevadas, como se puede apreciar en la siguiente simulacin de Electronics Workbench realizada a 50oC:

Diodo en polarizacin inversa a temp. superior a la ambiente (conduce)

3.3. PARMETROS QUE CARACTERIZAN EL COMPORTAMIENTO DEL DIODO EN RGIMEN ESTTICO

VD= ddp entre los terminales del diodo ID= intensidad de corriente que lo atraviesa VZ= tensin de ruptura (valor de tensin que en un diodo rectificador no conviene que se alcance si no queremos inutilizar el diodo; este parmetro adquiere otro significado en los diodos Zener, como ya veremos) Vg= tensin umbral (parmetro propio de cada diodo a partir del cual empieza a conducir valores de corriente positivos)

I0= corriente inversa de saturacin. (A 25oC, Io=10 A. Para t25, I0(t)=I0(25) 2 (Muchas veces, en lugar de VD e ID se escribe simplemente V e I).

t 25 10

).

Estos parmetros nos permiten perfilar todava ms la explicacin sobre la conductividad del diodo; la corriente I que circula por el diodo ser: tiende a - si VZ>V I0 si VZ<V<Vg I0( e VT -1) si V>Vg siendo el factor de correccin (suele despreciarse por ser aproximadamente igual a 1) y VT la tensin equivalente de la temperatura (a su vez VT=KT/q, siendo K la constante de Kaufman). La siguiente grfica representa de manera aproximada la anterior funcin definida a trozos.
V

Curva caracterstica real del diodo rectificador.

Aclararemos tambin que habitualmente se trabaja slo con la parte de la curva limitada por los semiejes positivos de V e I, a la que se denomina curva caracterstica ideal del diodo. Esto es cierto particularmente cuando trabajamos con diodos rectificadores y a temperatura ambiente.

3.4. COMPORTAMIENTO DEL DIODO EN RGIMEN DINMICO Es fcil generalizar el comportamiento estudiado para la corriente continua a las condiciones de cambio de polaridad que impone la corriente alterna: en los semiciclos de tensin positiva se aplicar lo estudiado para los diodos en polarizacin directa, e igualmente a los semiciclos negativos se les aplicar lo estudiado para la polarizacin inversa. Es por esto que slo ser necesario hacer un par de apuntes:

- Si bien el generador de alterna produce una onda senoidal, con sus semiciclos positivos y negativos, el diodo rectificar esos valores de tensin de forma que Vg<0, VD=0 (de ah su nombre de diodo rectificador). Esto se ver con ms detalle en el prximo apartado, Aplicaciones del diodo rectificador. - FRECUENCIA DE CONMUTACIN: En un generador de corriente alterna el cambio de polaridad se produce de forma instantnea. Un diodo ideal respondera de forma instantnea a este cambio, pasando de conducir grandes valores positivos de corriente a no conducir nada (como se ha visto en el prrafo anterior). Sin embargo, en la realidad, cuando se produce el cambio de polaridad aparece un valor de corriente, de signo negativo y de valor absoluto muy alto, en un instante t 1 que se reduce exponencialmente hasta llegar a 0 en el instante t2, como muestra la siguiente grfica (en la cual se ha representado en azul la onda cuadrada del generador de alterna y en rojo la onda rectificada por el diodo real):

Diodo de conmutacin rpida.

Esto es debido a la inercia de los portadores mayoritarios; en el instante de inversin de polaridad, y durante una pequesima fraccin de segundo, el mismo n de portadores mayoritarios sigue atravesando la zona de agotamiento y por tanto la corriente es la misma (en valor absoluto, pero ahora con el signo cambiado) que en el semiciclo positivo. De aqu se deduce que grandes corrientes no pueden invertirse en

tiempo nulo, ni siquiera despreciable. Al tiempo que tarda el diodo en reaccionar frente al cambio de polaridad se denomina trr o tiempo de recuperacin en inversa, que coincide con la diferencia t2-t1. Todo diodo tiene como parmetro caracterstico su frecuencia de conmutacin fD=1/trr. Si la frecuencia de la seal del generador de alterna supera f D, la seal de llegada del semiciclo positivo se producir antes de que llegue el instante t 2 de puesta a 0 y tendremos lo que se llama un diodo de conmutacin lenta:

Diodo de conmutacin lenta.

En el siguiente apartado veremos algunas posibles aplicaciones del diodo rectificador. EL DIODO 1 INTRODUCCION El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. En la Figura 1 se muestran el smbolo y la curva caracterstica tensin-intensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.

Figura 1: Smbolo y curva caracterstica tensin-corriente del diodo ideal. El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta de la flecha del smbolo circuital, representada en la figura 1, indica el sentido permitido de la corriente.

presenta resistencia nula. presenta resistencia infinita.

Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un diodo en circuito sencillo.

Figura 2: Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal. Segn est colocada la fuente, la corriente debe circular en sentido horario. En el circuito de la izquierda, el diodo permite dicha circulacin, ya que la corriente entra por el nodo, y ste se comporta como un interruptor cerrado. Debido a esto, se produce una cada de tensin de 10V en la resistencia, y se obtiene una corriente de 5mA. En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente, comportndose como un interruptor abierto, y la cada de tensin en la resistencia es nula: los 10V se aplican al diodo. 2 DIODO DE UNION PN Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unin de dos materiales semiconductores de caractersticas opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le aaden dos terminales metlicos para la conexin con el resto del circuito. En la Figura 3: se presenta el esquema de los dos tipos de diodos que se fabrican actualmente, el diodo vertical y el plano.

Figura 3: Esquemas de diodos de unin PN El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales conlleva algunas desviaciones de comportamiento con respecto al diodo ideal. En este apartado se presenta en primer lugar el proceso de formacin de los diodos de semiconductores para pasar despus a exponer el comportamiento elctrico y las desviaciones con respecto al comportamiento ideal. 2.1 Formacin de la unin PN Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N (Figura 4). La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo

tomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo V (fsforo). En ambos casos se tienen tambin portadores de signo contrario, aunque en una concentracin varios rdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).

Figura 4: Impurificacin del silicio para la obtencin de diodos PN En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos elctricos internos. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente concentracin de portadores, entra en juego el mecanismo de la difusin. Como se recordar, este fenmeno tiende a llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:

Electrones de la zona N pasan a la zona P. Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrmonos en la regin de la zona P cercana a la unin: 1. El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que llegara el electrn la carga total era nula. 2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa. El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unin se va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P (Figura 5).

Figura 5: Formacin de la unin PN En el ejemplo del captulo 5, los gases difunden completamente hasta llenar las dos estancias de la caja y formar una mezcla uniforme. Sin embargo, a diferencia de lo que ocurre con los gases de aquel ejemplo, en este caso estn difundiendo partculas cargadas. La distribucin de cargas formada en la regin de la unin provoca un campo elctrico desde la zona N a la zona P. Este campo elctrico se opone al movimiento de portadores segn la difusin, y va creciendo conforme pasan ms cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusin y la del campo elctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores. En ese momento est ya formado el diodo de unin PN, y como resultado del proceso se ha obtenido:

Zona P, semiconductora, con una resistencia RP. Zona N, semiconductora, con una resistencia . Zona de agotamiento (depleccin): No es conductora, puesto que no posee portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien entre los extremos acta una barrera de potencial.

Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantneamente en el momento en el que se ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningn aporte de energa, excepto el de la agitacin trmica. 2.2 Polarizacin directa El bloque PN descrito en el apartado anterior (Figura 6) en principio no permite el establecimiento de una corriente elctrica entre sus terminales puesto que la zona de depleccin no es conductora.

Figura 6: Diodo PN durante la aplicacin de una tensin inferior a la de barrera Sin embargo, si se aplica una tensin positiva en el nodo, se generar un campo elctrico que "empujar" los huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento de la zona de depleccin (Figura 7). Sin embargo, mientras sta exista no ser posible la conduccin.

Figura 7: Diodo PN bajo la accin de una tensin mayor que la de barrera Si la tensin aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de depleccin y el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente (Figura 7): 1. Electrones y huecos se dirigen a la unin. 2. En la unin se recombinan. En resumen, polarizar un diodo PNen directa es aplicar tensin positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas mviles la zona de depleccin. La tensin aplicada se emplea en:

Vencer la barrera de potencial.

Mover los portadores de carga.

2.3 Polarizacin inversa Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin. Estos portadores son atrados hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de depleccin. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula (Figura 8). Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en inversa lo est en directa para los minoritarios, que son atrados hacia la unin. El movimiento de estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior que la obtenida en polarizacin directa para los mismos niveles de tensin.

Figura 8: Diodo PN polarizado en inversa Al aumentar la tensin inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de depleccin, al igual que sucede en un material aislante: el campo elctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los tomos de silicio, originando un proceso de rotura por avalancha. (Nota: Sin embargo, ello no conlleva necesariamente la destruccin del diodo, mientras la potencia consumida por el diodo se mantenga en niveles admisibles). 2.4 Caracterstica tensin-corriente La Figura 9 muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.

Figura 9: Caracterstica V-I de un diodo de unin PN. En la grfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento explicadas en el apartado anterior:

Regin de conduccin en polarizacin directa (PD). o Regin de corte en polarizacin inversa (PI). o Regin de conduccin en polarizacin inversa.

Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequea, hasta que no se alcanza la tensin de barrera (VON). El paso de conduccin a corte no es instantneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye progresivamente, hasta quedar limitada slo por las resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que circula por la unin aumenta rpidamente. En el caso de los diodos de silicio, VON se sita en torno a 0,7 V. Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensin que en directa, hasta llegar a la ruptura, en la que de nuevo aumenta. 2.5 Diferencias entre el diodo de unin PN y el diodo ideal Las principales diferencias entre el comportamiento real y ideal son: 1. 2. 3. 4. La resistencia del diodo en polarizacin directa no es nula. La tensin para la que comienza la conduccin es VON. En polarizacin inversa aparece una pequea corriente. A partir de una tensin en inversa el dispositivo entra en coduccin por avalancha.

En la Figura 10 vemos representadas ms claramente estas diferencias entre los comportamientos del diodo de unin PN e ideal.

Figura 10: Diferencias entre el comportamiento del diodo de unin PN y del diodo ideal 2.6 Principales caractersticas comerciales A la hora de elegir un diodo para una aplicacin concreta se debe cuidar que presente unas caractersticas apropiadas para dicha aplicacin. Para ello, se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. Las caractersticas comerciales ms importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son: 1. Corriente mxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua mxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningn dao, puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. Los fabricantes suelen distinguir tres lmites:
o o o

Corriente mxima continua (IFM) Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica tambin el tiempo que dura el pico Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se especifica la frecuencia mxima del pico

1. Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensin a la que se produce el fenmeno de ruptura por avalancha. 2. Tensin mxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensin que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operacin en inversa segura. 3. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensin inversa 4. Cada de tensin en PD, VF (Forward Voltage): Pese a que se ha sealado anteriormente los 0.7V como valor tpico, en muchas ocasiones los

fabricantes aportan datos detallados de esta cada de tensin, mediante la grfica I-V del dispositivo. Adems, es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal. En el Anejo A.1 de este documento se incluyen unas hojas de datos de diodos a modo de ejemplo. 3 MODELOS DEL DIODO DE UNION PN A continuacin se van a explicar los diferentes tipos de modelos propuestos para el funcionamiento de un diodo de unin PN. 3.1 Modelos para seales continuas Bajo el trmino seales continuas se engloban en este apartado tanto las seales constantes en el tiempo como aquellas que varan con una frecuencia muy baja. 3.1.1 Modelo DC del diodo real El comportamiento del diodo real se corresponde con el indicado por la siguiente expresin:

en donde:

n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2. Depende de las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la magnitud de la corriente directa y del valor de IS. VT, es el potencial trmico del diodo y es funcin de la constante de Boltzmann (K), la carga del electrn (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K). La siguiente expresin permite el clculo de VT:

con

El potencial trmico a temperatura ambiente, T=25C, es VT=271mV.

R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la tensin que se est aplicando en la unin PN, siendo I la intensidad que circula por el componente y V la tensin entre terminales externos.

IS, es la corriente inversa de saturacin del diodo. Depende de la estructura, del material, del dopado y fuertemente de la temperatura.

La representacin grfica de este modelo se muestra en la Figura 11:

Figura 11: Representacin grfica del modelo del diodo real. Como puede apreciarse, este modelo no da cuenta de la tensin de ruptura en inversa. El modelo puede completarse mediante la adicin de nuevos parmetros que incluyan efectos no contemplados en la teora bsica. Por ejemplo, algunos modelos empleados en los programas simulacin por ordenador constan de hasta quince parmetros. Sin embargo, a la hora de realizar clculos sobre el papel resulta poco prctico. Por ello es habitual realizar simplificaciones del modelo para obtener soluciones de modo ms simple. 3.1.2 Modelo ideal del diodo de unin PN. El modelo ideal del diodo de unin PN se obtiene asumiendo las siguientes simplificaciones:

Se toma el factor de idealidad como la unidad, n=1. Se supone que la resistencia interna del diodo es muy pequea y que, por lo tanto, la cada de tensin en las zonas P y N es muy pequea, frente a la cada de tensin en la unin PN.

Para V<0, el trmino exponencial es muy pequeo, despreciable frente a la unidad. Entonces la intensidad tiende al valor IS, que como ya se haba indicado anteriormente, es

la corriente inversa del diodo. Para V>0, la exponencial crece rpidamente por encima de la unidad. 3.1.3 Modelo lineal por tramos Al igual que el modelo real, el modelo ideal sigue siendo poco prctico, dado su carcter no lineal. El modelo lineal por tramos se obtiene como una aproximacin del modelo ideal del diodo de unin PN, considerando las siguientes simplificaciones:

En inversa, la corriente a travs de la unin es nula. En directa, la cada de tensin en la unin PN (VON) es constante e independiente de la intensidad que circule por el diodo.

Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unin PN de silicio con una I S= 85 fA a una temperatura ambiente de T=25 C. El potencial trmico a esa temperatura es V T=27 mV. Tomando como variable independiente la intensidad I, la ecuacin ideal del diodo queda:

A partir de esta expresin, se puede calcular la cada de tensin en el diodo para las magnitudes de corriente habituales en los circuitos electrnicos. Por ejemplo, para un intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones 0.6 V <VDIODO< 0.77 V. Como se puede apreciar, mientras que la corriente ha variado 3 rdenes de magnitud, la tensin apenas ha experimentado un cambio de 200 mV, por lo que es posible aproximar la cada de tensin en la unin PN a un valor constante de 0.7 V. Con estas simplificaciones se consigue evitar las expresiones exponenciales que complican los clculos en la resolucin del circuito. Sin embargo, se divide el modelo en dos tramos lineales denominados inversa y directa (o corte y conduccin), cada uno de los cuales obedece a ecuaciones diferentes: el diodo queda convertido en un componente biestado. El modelo lineal por tramos queda sintetizado en la siguiente tabla: Estado Conduccin Corte La Figura 12 muestra la curva caracterstica V-I del modelo lineal Modelo Condicin

Figura 12: Modelo lineal por tramos del diodo. En la Figura 12, quedan reflejados los dos posibles estados del diodo el diodo:

Conduccin o Polarizacin Directa "On", donde la tensin es VON para cualquier valor de la corriente. Corte o Polarizacin Inversa "Off", donde la corriente es nula para cualquier valor de tensin menor que VON.

El uso de este modelo slo est justificado en aquellas ocasiones en las que no se requiere una gran exactitud en los clculos. 3.2 Modelo para pequeas seales de alterna Hay aplicaciones en las que el diodo se polariza en un punto de tensin positiva, y sobre ese punto se superpone una seal alterna de pequea amplitud.

Figura 13: Diodo polarizado con una seal alterna superpuesta a una continua

El funcionamiento del diodo en esta situacin queda representada grficamente en la Figura 14:

Figura 14: Tensin y corriente en un diodo polarizado con una seal alterna superpuesta a una continua Cuando al diodo se le aplica una tensin dada por la expresin:

la corriente que lo atraviesa puede calcularse aplicando cualquiera de los modelos explicados anteriormente. Si se opta por el modelo exponencial ideal:

Supongamos que conocemos la amplitud de las oscilaciones de la tensin aplicada (V D) y queremos conocer la amplitud de las oscilaciones de la corriente (ID). El mtodo de clculo sera:

Como puede apreciarse, el clculo se complica. Si se considera adems que el diodo est dentro de un circuito es posible que ni siquiera pueda obtenerse una solucin analtica. Para obtener la solucin al problema citado de una forma ms simple se linealiza la curva del diodo en el entorno del punto de operacin, es decir, se sustituye dicha curva por la recta que tiene la misma pendiente en el punto de operacin, segn se aprecia en la Figura 15

Figura 15: Aproximacin de la caracterstica exponencial del diodo por la tangente en el punto de operacin Teniendo en cuenta esta aproximacin, la relacin entre los incrementos de tensin y de corriente pueden relacionarse tal y como se indica:

Obviamente, esta aproximacin ser tanto ms cierta cuanto menores sean los valores de VD e ID. A la derivada de la tensin con respecto a la corriente en el punto de operacin se le llama resistencia dinmica del diodo rD, y su expresin puede determinarse a partir del modelo exponencial del diodo, teniendo en cuenta que si VDQ es mayor que VT puede despreciarse la unidad frente al trmino exponencial:

Como VT 25 mV, la expresin vlida para el clculo de la resistencia dinmica de un diodo en funcin de la corriente de polarizacin continua puede escribirse de la siguiente forma, llamada aproximacin de Shockley:

Esta aproximacin slo es vlida en la regin de conduccin en polarizacin directa del diodo. 4 APLICACION DE LOS MODELOS AL ANALISIS DE CIRCUITOS En este apartado se detallan algunos mtodos vlidos para el anlisis de circuitos con diodos, basndose en los modelos expuestos en el apartado anterior. 4.1 Modelo exponencial Suponiendo que se dispone de un circuito en el que se desconoce la polarizacin del diodo, los pasos para resolver el problema seran: 1. Sustituir el diodo por una fuente de tensin VD con el signo positivo en el nodo, y nombrar como ID a la corriente que va de nodo a ctodo del diodo 2. Resolver el circuito empleando las variables VD e ID como si fueran conocidas 1. Obtener la expresin que relaciona VD con ID 2. La ecuacin del modelo del diodo proporciona otra relacin entre VD e ID 3. Se resuelve el sistema de dos ecuaciones con dos incgnitas resultante 4.2 Modelo lineal por tramos Los pasos para calcular las tensiones y corrientes en un circuito con un diodos empleando el modelo lineal por tramos son: 1. Se asume la hiptesis de que el diodo est en uno de los dos estados posibles: corte o conduccin

2. Se sustituye el diodo por el modelo correspondiente y se calculan las tensiones y corrientes del circuito 3. Una vez calculado el punto de polarizacin del diodo se comprueba la validez de la hiptesis: los resultados obtenidos han de ser coherentes con la condicin de existencia. En el caso de que no lo sean, la hiptesis de partida no es correcta y es necesario rehacer todos los clculos desde el punto 1 con el modelo para el estado contrario. 4.3 Mtodo grfico El procedimiento para el clculo sera ahora: 1. Eliminar el diodo del circuito 2. Calcular el circuito equivalente Thevenin entre los puntos en los que se encontraba conectado el diodo 3. Dibujar la recta de carga correspondiente al circuito Thevenin calculado 4. Dibujar en el mismo grfico la curva caracterstica del diodo 5. Hallar el punto de interseccin de ambas curvas 4.4 Pequeas seales de alterna Los circuitos en los cuales las excitaciones son suma de una componente continua y otra alterna de pequea amplitud se resuelven aplicando el principio de superposicin (Figura 16)

Figura 16: Anlisis de circuitos con componentes continuas y pequeas seales de alterna El mtodo se resume en los siguientes puntos:

1. Anlisis DC del circuito: Se cortocircuita la fuente de AC y se calcula por cualquiera de lo mtodos anteriores el punto de operacin del diodo. 2. Clculo de la resistencia dinmica del diodo, basndose en los resultados del punto anterior 3. Anlisis AC del circuito: Se cortocircuitan las fuentes DC y se sustituye el diodo por su resistencia dinmica. De ese modo se obtiene el circuito equivalente AC, vlido para el clculo de las amplitudes de las oscilaciones de las seales. 5 DIODOS ZENER Algunos diodos se disean para aprovechar la tensin inversa de ruptura, con una curva caracterstica brusca o afilada. Esto se consigue bsicamente a travs del control de los dopados. Con ello se logran tensiones de ruptura de 2V a 200V, y potencias mximas desde 0.5W a 50W. La caracterstica de un diodo zener se muestra en la Figura 17. Tericamente no se diferencia mucho del diodo ideal, aunque la filosofa de empleo es distinta: el diodo zener se utiliza para trabajar en la zona de ruptura, ya que mantiene constante la tensin entre sus terminales (tensin zener, VZ). Una aplicacin muy usual es la estabilizacin de tensiones.

Figura 17: Caracterstica V-I de un diodo Zener. Los parmetros comerciales del diodo zener son los mismos que los de un diodo normal, junto con los siguientes:

VZ: Tensin de zener IZM: Corriente mxima en inversa.

NOTA: Hay que tener en cuenta que el fabricante nos da los valores de V Z y IZM en valor absoluto. Al resolver un problema, no hay que olvidar que los valores son negativos con el criterio de signos establecido por el smbolo del componente (Figura 17). El zener es un dispositivo de tres estados operativos:

Conduccin en polarizacin directa: Como en un diodo normal Corte en polarizacin inversa: Como en un diodo normal Conduccin en polarizacin inversa: Mantiene constante la V=VZ, con una corriente entre 0 y IZM.

El modelo lineal por tramos para el diodo zener es el siguiente: Estado Conduccin P.D. Corte Conduccin P.I. Modelo V=VON I=0 V=VZ Condicin I>0 VZ<V<VON I<0

6 EJEMPLO DE APLICACION DEL DIODO: RECTIFICACION La energa elctrica generada en las centrales de potencia es de tipo alterna sinusoidal. Esta energa se transmite hasta los centros de consumo mediante las redes de distribucin. Sin embargo, en muchas ocasiones, se requiere una tensin de alimentacin continua. Un rectificador es, bsicamente, un dispositivo que transforma la tensin alterna en continua.

Figura 18: Esquema general de la rectificacin. El rectificador es un aparato muy empleado en la vida diaria. Una gran parte de los electrodomsticos utilizados en el hogar llevan incorporado un dispositivo de este tipo. En general, estos aparatos necesitan menos tensin de alimentacin que la suministrada por la red, por ello llevan incorporado en primer lugar un transformador de tensin. El transformador reduce la tensin de la red (220V eficaces es una tensin generalmente demasiado alta para pequeos electrodomsticos) a la tensin deseada. Una vez reducida la tensin, el rectificador convierte la tensin alterna en continua.

En este apartado se van a presentar los esquemas rectificadores ms comnmente empleados, partiendo para ello de un circuito bsico, e introduciendo en l los componentes necesarios para mejorar su comportamiento. 6.1 Notaciones Las notaciones empleadas en este apartado se detallan en la Figura 19.

Figura 19: Notaciones.

vi: tensin de entrada, vi=VMsen(wt). VO: tensin de salida. RL: resistencia asociada al aparato o "carga" que se conecta al rectificador.

En el caso ms general, segn la notacin de la figura, la tensin vi sera la tensin de la red , la VO sera la tensin deseada en continua y la RL simbolizara al aparato musical, video, que por ser un elemento pasivo, puede reducirse a una simple resistencia de carga mediante su circuito equivalente Thevenin. Un rectificador funciona en vaco cuando no se le conecta ningn aparato, es decir, cuando la RL no est unida al circuito. En caso de que s est conectada se dice que funciona en carga. 6.2 Esquema bsico. Rizado de la onda de salida El esquema de la Figura 20 es el ms sencillo de los rectificadores: el diodo. A continuacin se estudia este circuito, para despus discutir la validez del mismo.

Figura 20: Esquema de un sencillo rectificador. Cuando el valor de la tensin de entrada es superior a la de conduccin del diodo se crea una corriente, y se cumple que: VO = vi -VON. Como se puede apreciar, la tensin de salida VO se parece muy poco a lo que se entiende por tensin continua, es decir, un valor constante en el tiempo. Sin embargo, esta onda no es tan mala como parece. Aunque no es constante, siempre es mayor que cero. Adems, su valor medio es diferente de cero. Con los esquemas ms complejos, se intenta que esta onda de salida se parezca lo ms posible a una lnea horizontal, pero siempre tendremos una desviacin de la ideal, que se cuantifica por el rizado de la onda de salida:

En este caso, el rizado es del 100%. El problema con el que nos encontramos es que cuando el diodo est en corte no se alimenta a la carga. Para disminuir el rizado, es preciso suministrar energa a la carga durante los semiciclos en los que la fuente no acta.

Figura 21: Tensiones en el circuito de la Figura 20. 6.3 El condensador en los rectificadores Como se recordar, el condensador es un componente que almacena energa. Cuando se somete a una diferencia de potencial, esta obliga a las cargas a situarse entre sus placas. En el momento en el que cesa el potencial, las cargas pueden retornar a un circuito y comportarse como un generador de tensin. En la Figura 22 se presenta el esquema elctrico que aplica este principio a la rectificacin. Lo que se pretende es que sea el condensador el que alimente a la carga cuando no pueda hacerlo la fuente de alimentacin.

Figura 22: Esquema de rectificador con condensador. 6.3.1 Funcionamiento en vaco: Se estudiar en primer lugar el esquema en vaco, es decir, sin carga aplicada.

Figura 23: Funcionamiento en vaco. Sea vI = VMsen(wt), y la cada de tensin en el diodo en conduccin despreciable. En el instante inicial el condensador se encuentra descargado. En un punto entre , vi es mayor que cero, por lo tanto, el diodo D est polarizado en directa. Por l circula una corriente que carga al condensador. Se considera que el condensador se carga instantneamente (VC = vi). La carga del condensador es posible porque hay un camino en el circuito que se lo permite. En el instante , la tensin de entrada es mxima, vi = VM, as como la tensin del condensador. Cuando la tensin de entrada empieza a decrecer el condensador, cargado con una diferencia de potencial VC = VM, intenta seguir el ritmo que le marque la fuente de tensin, disminuyendo VC. Evidentemente, para que el valor de VC disminuya, es necesario que el condensador pierda parte de su carga ( ). Para ello, la corriente de descarga ha de seguir un camino contrario al de la corriente que lo carg, ya que el

circuito se encuentra funcionando en vaco, sin ninguna carga RL conectada. La corriente no puede circular dado que el diodo est en inversa para ese sentido de circulacin, con lo que C no puede descargarse y mantiene fija la tensin VM. La siguiente figura refleja la carga y descarga del condensador:

Figura 24: Funcionamiento del condensador. Se puede deducir fcilmente, aplicando la ley de las mallas que cuando el diodo est en corte , o sea, VD siempre es menor o igual que cero, el diodo nunca conducir y el condensador nunca se descargar.

Figura 25: Tensiones en el circuito de la Figura 22. Por lo tanto el condensador mantiene la diferencia de potencial entre sus terminales. La Figura 25 resume todo lo visto en este subapartado. La onda de salida es perfecta para nuestros propsitos, ya que salvo entre 0 y es totalmente horizontal; pero vamos a ver qu pasa cuando el dispositivo funciona en carga. 6.3.2 Funcionamiento en carga: Segn se ha definido previamente, el funcionamiento en carga es el que se obtiene al conectar una carga RL al dispositivo objeto de estudio.

Figura 26: Dispositivo en carga. Dado un valor de vi entre 0<wt<p/2. Al ser un valor positivo, el diodo est en conduccin. Hay dos caminos posibles para la intensidad que salga del generador. Por un lado, hay una corriente que carga el condensador, y por otro, una corriente que circule por RL. Si suponemos que estamos en bajas frecuencias, el valor de la intensidad que absorbe el condensador es despreciable frente a la que circula por RL, y se puede determinar el valor de la corriente que atraviesa la carga como:

Cuando wt>p/2 como en el caso anterior el diodo entra en corte al intentar descargarse el condensador por l. Sin embargo, ahora el condensador tiene un camino para descargarse a travs de RL. Mientras el diodo est en corte, la parte derecha del circuito se comporta independientemente con respecto al generador.

Figura 27: Descarga de C a travs de RL. El condensador va perdiendo su carga al poder cerrarse una corriente a travs de R L. De este modo, se cumple el objetivo de este diseo: C alimenta a la carga. Volviendo al circuito original. D estar en corte mientras VB sea menor que VA. Por lo tanto hay un punto en el que D vuelve a conducir (VB=VA), repitindose a partir de aqu toda la secuencia. Dicho funcionamiento se muestra en la Figura 28.

Figura 28: Tensiones en el circuito de la Figura 26.

Tal como se aprecia en la figura Figura 28, el rizado obtenido es menor que el del esquema anterior. Su valor depende de la rapidez con que se descargue C a travs de la resistencia. Como se recordar, cuanto mayor sea el valor de C, mayor ser el tiempo que necesita para descargarse, y menor el rizado. Como contrapartida, si C es muy grande es posible que no tenga tiempo suficiente para cargarse durante el tiempo de conduccin de D. 6.3.3 Seleccin de los componentes Una vez finalizado el anlisis del esquema elctrico de la Figura 22, se aborda seguidamente la tarea de la seleccin de los componentes adecuados para una aplicacin concreta. 6.3.3.1 Diodo A la vista de las grficas de la Figura 28, se pueden calcular las caractersticas comerciales exigibles al diodo del esquema.

Corriente mxima en polarizacin directa, IFmax: Mientras est en conduccin y, despreciando su cada de tensin (V(ON)):

Tambin se desprecia la corriente que absorbe C para cargarse.

Tensin mxima en inversa, PIV: Cuando est en corte, VD=vi-VC. VC es siempre mayor que cero, tal y como se aprecia en la figura, y su valor mximo es VM. En este aspecto es ms exigente el funcionamiento en vaco que en carga, ya que cuando llega a ser -VM, VC sigue siendo VM, y se tiene VD=vi-VC=-VM-VM=-2VM.

Los parmetros comerciales del diodo sern, por lo tanto:

PIV=2VM 6.3.3.2 Condensador El valor de la capacidad del condensador se ha de calcular teniendo en cuenta el rizado mximo exigido al aparato. Para la frecuencia de la red elctrica domstica, es posible emplear la siguiente expresin:

en la que:

I0: cociente entre la tensin mxima, VM, y la resistencia de carga, RL. tc: tiempo de descarga del condensador. VRIZADO: Diferencia entre la tensin mxima y mnima admisible.

La deduccin de esta frmula ha sido discutida ya en el captulo segundo de estos apuntes. 6.4 Rectificador de onda completa el esquema anterior produce una onda de salida bastante aceptable, cuando el condensador es lo suficientemente grande como para alimentar la carga durante un semiciclo aproximadamente. Sin embargo, se desaprovecha medio ciclo de la red, con lo que la potencia transmitida a la carga se limita. En el siguiente circuito, el puente de diodos consigue que durante el semiciclo negativo tambin alimente la red a la carga.

Figura 29: Rectificador de onda completa. Dado un valor positivo de la tensin de entrada, vi=V>0. El punto A est sometido al mayor potencial del circuito, V, mientras que D se encuentra a potencial nulo, el menor en ese instante. Por lo tanto, los puntos B y C se encontrarn a un potencial intermedio entre 0 y V voltios. Un circuito que est alimentado entre 0 y 10V, por ejemplo, no tiene sentido que haya un punto del mismo que tenga un potencial mayor que 10V con respecto a la referencia, ya que la tensin slo puede disminuir entre los nodos de los componentes del circuito (esto es vlido slo para el rgimen permanente).

Suponiendo que hay una corriente intentando circular. Como VA es mayor que VC el diodo D2 esta en condiciones de conducir, mientras que D1 est en corte. La corriente circular de a C. D4 est en corte, puesto que VDC=VD-VC<0, por lo tanto la intensidad atraviesa RL de arriba a abajo. El retorno de corriente ser por D3, puesto que VB<VA y VB>VD. As pues, D1 y D4 no conducen en el semiciclo positivo de vi. El esquema equivalente sera:

Figura 30: Rectificador de onda completa durante los semiciclos positivos. Mediante un razonamiento anlogo se consigue determinar el esquema equivalente mostrado en la Figura 31.

Figura 31: Rectificador de onda completa durante los semiciclos negativos.

Figura 32: Tensiones en el rectificador de onda completa. En ambos casos, la corriente que circula por RL circula en el mismo sentido, luego la cada de tensin en RL siempre es del mismo signo: Si ahora se filtrase esta seal mediante un condensador, mejorara su rizado. El condensador necesario es de menor capacidad que en el esquema anterior, puesto que debe alimentar durante menos tiempo a la carga. 1 Si se aplican 18 V al siguiente circuito, qu tensin medir el voltmetro si D1 es de silicio?

2 Si el diodo D del circuito del problema 3 puede soportar una corriente mxima de 500 mA, cul es el mnimo valor de la resistencia R con el que se puede utilizar el circuito si se aplican 20 V? 3 Si la resistencia R de la figura es de 100 y se aplican 10 V al circuito, cunto valdr la potencia disipada en el diodo D?

4 Si el diodo D de la figura del problema 5 tiene un pico inverso de voltaje (PIV) de 100 V, cunto es la tensin mxima que se puede aplicar al circuito?, y si se conecta una resistencia en paralelo con el diodo R2=2.7 kW? 5 Cul ser la potencia disipada el en diodo D de la figura si se aplican 60 V al circuito?, y si se conecta una resistencia de 2.7 kW en paralelo con el diodo?

6 Calcular la corriente que atraviesa el diodo en el circuito de la figura, empleando el modelo lineal por tramos.

7 En el problema de la figura anterior, calcular la corriente que circula por el diodo mediante el mtodo grfico, tomando como caracterstica V-I del diodo la curva que se presenta a continuacin.

8 El generador del el circuito de la figura puede aportar una tensin comprendida entre 20 y +20 V. Se pide determinar las expresiones que permitan calcular V OUT en funcin de VIN dentro del rango indicado.

9 Calcular el punto de operacin del diodo (corriente y tensin en el mismo) para ECC=10V, R1= R2= R3=1k.

Aplicando el modelo lineal por tramos del diodo. Mediante un mtodo grfico.

10 En el circuito de la figura adjunta se pide:

Potencia suministrada por la fuente. Potencia disipada por cada una de las resistencias. Potencia disipada por el diodo.

11 En el circuito de la figura representar las ondas de tensin y corriente de salida (v o(t), io(t)) del circuito de la figura, siendo e(t) la tensin de red domstica europea.

12 Si el generador de seal "e" de la figura produce una onda senoidal de 10 V entre pico y pico, y la resistencia R tiene un valor de 500 ohmios, qu caractersticas debemos exigir a un diodo de silicio para utilizarlo como se indica en la figura?

13 Se quiere fabricar un circuito como el de la figura adjunta. Qu caractersticas deberamos exigir al diodo? (e = 10 sen t)

14 Calcular la tensin y la corriente en la resistencia RL (VM = 10 V; RL = 2,2 k).

15 Deducir la expresin de la resistencia dinmica de un diodo partiendo del modelo exponencial del mismo. Si VT = 25 mV para T = 25 C, comparar el resultado obtenido con la aproximacin de Shockley.

16 Calcular la resistencia esttica del diodo, cuya curva caracterstica se incluye a continuacin, en los puntos A, B, C y D de la curva. (Nota: Las escalas de los ejes x positivo y negativo son diferentes)

17 Calcular la resistencia dinmica del diodo del problema anterior en los cuatro puntos indicados. Comparar el mtodo grfico de clculo con la aproximacin de Shockley. 18 Hallar la resistencia esttica y dinmica en el punto A de la figura.

19 Sea el circuito de la figura con VZC=10 V e IZM=0,05 A. Entre qu valores puede variar RL mantenindose alimentada a 10 V?

20 Para una tensin de entrada de 28 V (DC), calcular la corriente en TP1 para el circuito de la figura. R1=1 K, RL=1 K, Vz=9.6 V.

21 Cunta potencia ser disipada por un diodo Zener de 9 V cuando le atraviesa una corriente de 100 mA en polarizacin directa? Y si a ese mismo diodo le atraviesa la misma corriente en inversa? 22 En el siguiente circuito:

Determinar la mxima corriente que se puede aplicar a la carga antes de que el Zener deje de regular la tensin. Si RL es 1 k, hallar la corriente y la potencia disipada en el Zener, la corriente en la carga y V0. Idem si RL toma el valor 10 k.

23 Mediante la recta de carga hallar el punto de operacin del zener del problema 20 para R2=400, si se cambia el zener por otro que tenga IZM=0.1A. 24 En el circuito de la figura,

Determinar la mxima corriente que se puede aplicar a la carga Rc antes de que el Zener falle. Si Rc fuera 2 k, hallar la corriente del Zener y la corriente en la carga. Hallar la potencia que disipa el Zener en los casos en que Rc tome como valor 2 k.

25 Para el circuito de la figura:

Representar grficamente la tensin de salida vo si en la entrada se aplica una seal alterna vi = V sen t. (Para el diodo despreciar la cada de tensin en directa). Si V = 200 voltios, R1 = R2 = 1 k , determinar las caractersticas comerciales del diodo apropiado para esta aplicacin. Si nos interesara disminuir el rizado de la onda vo: Qu esquema adicional podra aadrsele a este?.

26 Dado el circuito siguiente:

Hallar la tensin de salida del dispositivo, funcionando en vaco (sin carga en la salida). Despreciar la cada de tensin en el diodo. Qu misin tiene la resistencia R?. Se podra quitar?. Calcular las caractersticas comerciales del diodo D. Discutir la posibilidad de sustituir la rama AB por un diodo Zener. Qu comportamiento tendr entonces el dispositivo?. Qu caractersticas debera tener este diodo para que no se deteriore?.

DATOS: e = 500 sen t ; E = 100 V ; R = 1 K 27 En el dispositivo de la figura:

Cul es la situacin ms desfavorable para el diodo, el funcionamiento en vaco o con una carga resistiva colocada entre A y B?. (El valor de E es menor que eMAX). 28 El circuito de la figura adjunta est preparado para rectificar ondas sinusoidales de 220 V de valor eficaz ( V de valor de pico). Debido a un error de manipulacin, se conecta el dispositivo en carga a una tensin continua de 500 V. A los pocos segundos de dicha conexin se impregna el ambiente de un olor a plstico quemado, y el dispositivo deja de funcionar (no se reciben seales en la carga). Sabras decir qu componente/s se ha/n quemado y por qu?. Datos adicionales: Potencia disipable mxima en las resistencias = 100 W.

29 Dado el circuito de la figura:

Dibujar aproximadamente las formas de onda de las tensiones V0 y V0' para dos ciclos completos de la onda de entrada Vi. Caractersticas comerciales del diodo D2. Podra ser C un condensador electroltico?. Justificar la respuesta.

DATOS: e = 200 sen(100t) V. R = 1 k VZ = 50 V. RL = 1 k Despreciar las cadas de tensin en los diodos en conduccin. Considerar que la velocidad de descarga de C sobre RL es pequea comparada con la frecuencia de la red.

30 Disear un puente rectificador de onda completa que entregue 10V en tensin continua con un rizado menor de 0.1 V de pico a pico a una carga que requiere 10 mA. Elegir una adecuada tensin de entrada al circuito.

31 Se quiere proteger un circuito conectado a la salida Vout del circuito de la figura frente a posibles sobretensiones producidas por una seal de entrada Vin excesivamente fuerte.

Si se desea que Vout sea menor que 5V, cual debe ser la tensin a la que se conecta el diodo. 32 Disear con un diodo Zener una fuente de tensin regulada de 12V para corrientes entre 0 y 100mA. La tensin de entrada puede variar entre +20V y +25V. La corriente mnima que debe atravesar el Zener debe de ser de 10mA en las condiciones ms desfavorables de trabajo. Cual es la potencia disipada por el zener? Diodos Semiconductores Contenido:

Diodo Semiconductor Clasificacin. Diodos Rectificadores. Caractersticas. Diodos de Seal. Resumen de funcionamiento.

Diodos de Conmutacin. Resumen de funcionamiento Diodos de alta Frecuencia.Resumen de funcionamiento. Diodos Zener. Resumen de funcionamiento.

Diodo Semiconductor El diodo semiconductor est constituido fundamentalmente por una unin P-N, aadindole un terminal de conexin a cada uno de los contactos metlicos de sus extremos y una cpsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al nodo (zona P) y al ctodo (Zona N) El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el polo positivo de la batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexin opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversin de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin. En efecto. si se aplica a este diodo una tensin alterna, nicamente se producir circulacin de corriente en las ocasiones en que el nodo sea ms positivo que el ctodo, es decir, en las alternancias positivas, quedando bloqueado en las ascendencias negativas, lo que impide el paso de la corriente por ser en estas ocasiones el nodo ms negativo que el ctodo. La corriente resultante ser pulsante, ya que slo circular en determinados momentos, pero mediante los dispositivos y circuitos adecuados situados a continuacin puede ser convertida en una corriente continua constante, que es el que se emplea actualmente casi en exclusiva; presenta sobre el de vaco algunas ventajas fundamentales: - Es de tamao mucho ms reducido, lo que contribuye a la miniaturizacin de los circuitos. - La cantidad de calor generado durante el funcionamiento es menor, ya que no necesita ningn calentamiento de filamento. - Funciona con tensiones mucho ms bajas, lo que posibilita su empleo en circuitos alimentados a pilas o bateras.

- Pueden ser utilizados en equipos que manejen grandes corrientes, aplicacin que con diodos de vaco resultaba prohibitiva en ocasiones por el gran tamao de stos. Existen diodos semiconductores de muy pequeo tamao para aplicaciones que no requieran conducciones de corrientes altas, tales como la demodulacin en receptores de radio. Estos suelen estar encapsulados. en una caja cilndrica de vidrio con los terminales en los extremos, aunque tambin se utiliza para ellos el encapsulado con plstico. Clasificacin

Dentro del amplio conjunto de modelos y tipos diferentes de diodos semiconductores que actualmente existe en el mercado, se puede realizar una clasificacin de forma que queden agrupados dos en varias familias, teniendo en cuenta aquellas caractersticas ms destacadas y que, de hecho, son las que determinan sus aplicaciones. De esta forma se pueden encontrar las siguientes: - Diodos rectificadores de toda la gama de potencias, con encapsulado individual o en puente. - Diodos de seal de use general. - Diodos de conmutacin. - Diodos de alta frecuencia. - Diodos estabilizadores de tensin. - Diodos especiales. Diodos rectificadores El encapsulado de estos diodos depende de la potencia que hayan de disipar. Para los de baja y media potencia se emplea el plstico hasta un lmite de alrededor de 1 vatio. Por encima de este valor se hace necesario un encapsulado metlico y en potencias ms altos deber estar la cpsula preparada para que pueda ser instalado el diodo sobre un radiador de color, por medio de un sistema de sujecin a tornillo. Cualquier sistema rectificador de corrientes, tanto monofsicas como trifsicas o polifsicas, se realiza empleando varios diodos segn una forma de conexin denominada en puente. No obstante, tambin se utiliza otro sistema con dos diodos, como alternativa del puente en algunos circuitos de alimentacin monofsicos.

Debido al gran consumo a nivel mundial de diodos que ms tarde son empleados en montajes puente, los fabricantes decidieron, en un determinado momento, realizar ellos mismos esta disposicin, uniendo en fbrica los cuatro diodos y cubrindolos con un encapsulado comn. Esto dio lugar a la aparicin de diversos modelos de puentes de diodos con diferentes intensidades mximas de corriente y, por lo tanto, con disipaciones de potencia ms o menos elevadas, en la misma forma que los diodos simples. En los tipos de mayor disipacin, la cpsula del puente es metlica y est preparada para ser montada sobre un radiador. Caractersticas Cualquier diodo rectificador est caracterizado por los siguientes factores: - Corriente directa mxima (If). - Tensin directa (Vd), para una corriente If determinada. - Tensin

inversa mxima de pico de trabajo (VRWM). - Tensin inversa mxima de pico repetitiva (VRRM). - Corriente mxima de pico (Ifsm). - Corriente inversa mxima de pico (IRM), medida a VRRM. - Potencia total (P/tot). Estas caractersticas debern ser tenidas en cuenta en el momento de la eleccin del modelo ms adecuado para cada aplicacin, procurando no ajustarse demasiado a los valores lmites, ya que ello acortara excesivamente la duracin del componente. Diodos de seal Los diodos de seal de use general se emplean en funciones de tratamiento de la seal, dentro de un circuito o bien para realizar operaciones de tipo digital formando parte de puertas lgicas y circuitos equivalentes, Son de baja potencia. Las caractersticas de estos diodos son: - Tensin inversa (Vr), hasta 75 V como mximo. - Corriente directa (If), 100 mA. - Potencia mxima (P/tot), 200 milivatios (mW) El encapsulado es en forma de un cilindro miniatura, de plstico o vidrio, estando los dos terminales de conexin situados en los extremos. Sobre el cuerpo deber estar marcado el hilo de conexin que corresponde al ctodo, mediante un anillo situado en las proximidades de ste. Diodos de conmutacin Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con seales de tipo digital o <<lgico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o parmetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperacin inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la carga elctrica que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulacin de carga de un condensador), y recibe sbitamente un cambio de tensin que la polariza en sentido directo. Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos. Diodos de alta frecuencia Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 milln de ciclos por segundo). Se caracterizan por presentar una baja capacidad de difusin (Cd) entre las dos zonas semiconductoras que forman la unin P-N, cuando stas estn polarizadas en sentido directo. Diodos zener

Los diodos estabilizadores de tensin se emplean, como su nombre indica, para producir una tensin entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa. Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad muy interesante que presenta la unin semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel.

Normalmente un diodo que recibe una polarizacin inversa no permite el paso de la corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilsima. Sin embargo, al alcanzar una determinada tensin, denominada tensin zener se produce un aumento de la cantidad de corriente, de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene prcticamente constante, aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la intensidad que lo atraviesa. Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar, desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios, con encapsulado plstico o metlico. Los parmetros que caracterizan a un diodo zener son: - Tensin zener (Vz). - Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz). - Potencia mxima (P/tot). Diodos especiales Dentro del grupo de diodos especiales estn comprendidos los diodos varicap, diodos tnel y diodos Led Los primeros se construyen buscando acentuar al mximo la propiedad que presente la unin P-N de comportarse de una forma anloga a un condensador, cuando se la polariza inversamente. La capacidad resultante es, adems, variable con la tensin aplicada; lo cual permite disponer de una forma muy simple de condensadores variables, controlados por una diferencia de potencial. Su empleo est muy generalizado en etapas de sintona de receptores de radio y TV. El diodo de potencia Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas.

El diodo responde a la ecuacin:

La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde: VRRM: tensin inversa mxima VD: tensin de codo. A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente forma:

Caractersticas estticas: o Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa). o Parmetros en conduccin. o Modelo esttico. Caractersticas dinmicas: o Tiempo de recuperacin inverso (trr). o Influencia del trr en la conmutacin. o Tiempo de recuperacin directo. Potencias: o Potencia mxima disipable. o Potencia media disipada. o Potencia inversa de pico repetitivo. o Potencia inversa de pico no repetitivo. Caractersticas trmicas. Proteccin contra sobreintensidades. Volver

Caractersticas estticas

Parmetros en bloqueo

Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms. Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo. Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo. Volver

Parmetros en conduccin

Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos sinusuidales de 180 que el diodo puede soportar. Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20

ms , con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25). Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms. Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin. Volver Modelos estticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos. Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms complejos para programas de simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las libreras del programa.

Caractersticas dinmicas Volver

Tiempo de recuperacin inverso

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciedo el exceso de portadores.
o o

ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste. trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

o o o

Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo. di/dt: es el pico negativo de la intensidad. Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de un tringulo :

De donde :

Para el clculo de los parmetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos:
o o

Para ta = tb trr = 2ta Para ta = trr tb = 0

En el primer caso obtenemos:

Y en el segundo caso:

Volver Influencia del trr en la conmutacin

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :

o o

Se limita la frecuencia de funcionamiento. Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida. Factores de los que depende trr :
o o

A mayor IRRM menor trr. Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor ser la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser trr. Volver

Tiempo de recuperacin directo tfr (tiempo de recuperacin directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensin nodoctodo se hace positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en el valor VF. Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no suele producir prdidas de potencia apreciables. Volver

Disipacin de potencia

Potencia mxima disipable (Pmx) Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia

de trabajo. Volver Potencia media disipada (PAV) Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas. Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como :

Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta :

y como :

es la intensidad media nominal

es la intensidad eficaz al cuadrado Nos queda finalmente :

Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media). Volver Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)

Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo. Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM) Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico. Volver Caractersticas trmicas Temperatura de la unin (Tjmx) Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin. En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo. Temperatura de almacenamiento (Tstg) Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura. Volver Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc) Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula: Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable. Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd) Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc). Volver

Proteccin contra sobreintensidades Principales causas de sobreintensidades La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentacin de motores, carga de condesadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etc. Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin, que es incapaz de evacuar las calorias generadas, pasando de forma casi instantnea al estado de cortocircuito (avalancha trmica). Organos de proteccin Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los casos. Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn compuestos y tienen sus caractersitcas indicadas en funcin de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da slo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y su tensin. Volver Parmetro I2t La I2t de un fusible es la caractersitca de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios. Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser el fusible el que se destruya y no el diodo. Volver