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STM Scanning Tunneling Microscopy Microscopia de efecto tnel

Taisia Gorkhover y Daniela Rupp

Sevilla, con el Grupo de Fsica No Lineal, 22 de enero de 2007

Estructura
Historia de la microscopa electrnica Principios bsicos y magnitudes Teora de STM Construccin y preparaciones del experimento Grabacin y anlisis de imgenes con STM STM posibilidades y fronteras SEM principios y comparacin con STM
Gorkhover&Rupp, con GFNL en Sevilla, 22-01-2007

Historia de la microscopa electrnica


1931 primer microscopio electrnico de Ruska 1933 emisin efecto fotoelctrico 1935 emisin termoinica 1936 emisin de campo 1972 emisin de campo con escner 1982 STM de Binnig/Rohrer, premio Nobel en 1986

www.ieee-virtual-museum.org

Pricipios bsicos y magnitudes


la corriente tnel depende de d y Ubias distancia d entre punta y superficie 5nm tensin aplicada Ubias 1V
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Teora de STM

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Efecto tnel
Ecuacin de Schrdinger ~ e-x en la barrera de potencil I ~ 2 ~ e-2d

Modelo sencillo: barrera de potencil rectangular con anchura d

La corriente tnel depende exponencialmente de la distancia d alta resolucin


Wagner, Dhne: Seminarskript STM, S. 2

Visin esquemtica
distancia grande: mismo nivel de vaco; i trabajo de extraccin distancia pequea: equilibrio trmico, mismo EF (energa de Fermi) con tensin: EF empujado por U*e

pequ.

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Teora del efecto tnel de Baardeen


interaccin puntaprueba pequea => teora de perturbaciones de primer orden con la punta como perturbacin

4e 2 m p IT = m (EFermi + ) p (EFermi + ) M d h 0
eU

corriente tnel IT : s son densidades de estados, aproximacin de bajas temperaturas

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Aproximacin de Tersoff y Hamann


determinacin de la matriz de interaccin

Suposiciones:

La densidad de estados en la punta p es constante. Slo el tomo ms externo de la punta interviene en el proceso tnel. La funcin de onda de ese tomo proporciona un orbital tipo s.
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Aproximacin de Tersoff y Hamann

Ecuacin de la corriente tnel:


p I T p m ,local R, EFermi + d 0 eU

p :

densidad de estados en la punta con energa EF+ en la coordenada R del tomo externo de la punta
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m,local : densidad de estados local de la muestra

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Dependencias de la corriente tnel


p m ) m (r, EFermi ) I T = C U bias p (EFermi

IT ~ Ubias : para U pequeo, independiente de U IT ~ e-d : viene de m (densidad de estado local) IT ~ m(r,EFermi) : importante para interpretacin de las imgenes

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Dependencias de la corriente tnel


I T = C U bias p (E
p Fermi

) (r, E
m

m Fermi

Corriente constante significa densidades de estados locales constantes (cerca de EF) en la superficie de la muestra

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Visualizacin de las dependencias


la informacin topogrfica es limitada (los escalones son topogrficos, los huecos de impurezas no)

el STM reconstruye las densidades de estados de la muestra y de la punta

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Scanning-Tunneling-Spectroscopy
coordenada fija (x,y,z) Ubias variando => la funcin caracterstica I(U) informacin sobre la estuctura de bandas de los semiconductores

Bonnell: Scanning Tunneling Microscopy, S. 43

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Modo de corriente constante

Ventaja: ptima para estucturas rugosas por regulacion de altura Desventaja: barrido lento, errores a causa del piezoelctrico que se retarda
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Modo de altura constante

Ventaja : barrido rpido Desventaja : slo para superficies muy lisas(<<5nm)


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Construccin y preparacin del experimento

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Scanner
Modo cc: el ordenador arregla los piezoelctricos de x e y ajusta Ubias y Itnel requerido lee la corriente de tnel IT lo reacopla al piezoelctrico de z

Bonnell: Scanning Tunneling Microscopy, S. 11

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Proceso de aproximacin
Problema: para cambiar la muestra es necesario una distancia macroscopica (~cm) contacto de tnel solo a distancia mucho ms pequea (~ 0,5-5nm) al principio, acercamiento hasta < 0,1mm despus walker con longitud de paso < 5nm pero puede pasar distancia ~ 0,1mm

Wagner, Dhne: Seminarskript STM, S. 8

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Amortiguacin de las vibraciones


Problema: d < 5nm => Vibraciones pequeas pueden romper la punta I ~ e-2kd => hasta elongaciones mnimas falsean el resultado => la construccin entera, sobre una plataforma, est colgando de muelles => imanes dentro de unas placas de aluminio amortiguan con el principio de frenado por corriente inducida
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Preparacin de la punta

La punta monoatomica es condicin necesaria para la STM! punta delgada mediante corrosin con NaOH

Wagner, Dhne: Seminarskript STM, S. 6

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Grabacin y anlisis de imgenes con STM

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Dificultades durante la medida


Suciedad sobre la superficie Intercambio de materia entre superficie y punta Vibraciones del piezoelctrico por una ganancia errnea Movimiento trmico Para medidas y resultados con sentido se tiene que saber reconocer las fuentes de error!
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Perfil de altura

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Perfil de altura

perfil de altura muestra el grosor de la capa de casi 0,3 nm La constante de celda unidad gGaAs = 0,6nm => 1/2 de celda unidad (distancia entre los tomos de Ga y As)

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Evaluacin de STS => Energa de la banda prohibida


Se sabe que la muestra (GaAsN) contiene 3% N
Eg,GaAs = 1,4eV Eg,GaN = 3,5eV

Obtenemos para Eg,GaAsN = 1,5eV Tiene sentido, es cerca de Eg,GaAs !

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STM posibilidades y fronteras

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Sistema muestra-punta

IDEAL slo las cualidades de la muestra

REAL IT depende de EFermi de la punta perdida de resolucin por escalones puntas multiples intercambio de material movimiento trmico

resolucin atomica reproducible

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SEM-Scanning Electron MicroscopyMicroscopa electrnica de barrido

Argonne, University of Chicago

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SEM-Principios y magnitudes
Focalizacin fina del rayo de electrones en lneas sobre la muestra Construccin de la imagen por productos de la interaccin de electrones primarios energticos (E=30eV) y los tomos superficiales de la muestra Topografa (resolucin nm) y anlisis qumico
Argonne, University of Chicago

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RadiacinInformacin
Topografa de la muestra Distribucin de los potenciales elctrico y magntico Anlisis de los elementos Orientacin cristalogrfica Distribucin del dopado
www2.unijena.de/chemie/institute/glaschemie/Anleitung_REM. pdf

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SEM-Medida
Construccin tpica, muestra en vaco

Lectura y escritura sincronizadas

intensidad del rayo de escritura modulada por la seal de medida

www.microscopy.ethz.ch

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Imgenes de SEM
Topografa superficial visible mediante distintos efectos de contraste, ej. contraste por rugosidad Igual para propiedades del material, ej. contraste del material Mezcla de ambos procesos
Mica muscovita y disilicato de lutecio tras una transformacin reconstructiva
J.Phys. Chem. B 2006,110,24112-24120,Archilla et al.

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SEM STM
Comn: solo para superfcies conductoras Ventajas resolucin mnm muestras biolgicas anlisis qumico
orientacin cristalogrfica

Desventajas

no tiene resolucin atomica es necesario el vaco destruccin de la muestra no hay informacin 3-D errores de aberracin

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