Dispositivos Optoelectrnicos

Jos Ramn Sendra Sendra 18 de abril de 2001

ndice General
1 Sensores 1.1 Funcionamiento bsico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.1 Cmo se detecta la radiacin electromagntica? . . 1.1.1.1 Cuantos de energa, efecto fotoelctrico. . 1.1.2 Conductividad elctrica. . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.2.1 Conductividad en general . . . . . . . . . 1.1.2.2 Conductividad en metales . . . . . . . . . 1.1.2.3 Conductividad en semiconductores . . . . 1.1.2.4 Fotoconductividad . . . . . . . . . . . . . 1.1.3 Transmisin y absorcin. . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.3.1 Qu zona del espectro se detecta? . . . . 1.1.4 Diferencias entre fotorreceptores . . . . . . . . . . . 1.2 Fotorresistencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.1 Teora de funcionamiento . . . . . . . . . . . . . . 1.2.2 Ejemplos de utilizacin. . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.2.1 Bscula Schmitt-Trigger. . . . . . . . . . 1.2.2.2 Integrador . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.2.3 Oscilador . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.2.4 Oscilador controlado por luz. . . . . . . . 1.3 Fotodiodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.1 Unin PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.2 Fotodiodos PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.3 Fotodiodos PIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.4 Fotodiodos APD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.5 Electrnica para fotodiodos . . . . . . . . . . . . . 1.3.5.1 Amplicador de transconductancia . . . . 1.3.5.2 Tensiones de offset . . . . . . . . . . . . 1.3.5.3 Ancho de banda . . . . . . . . . . . . . . 1.3.5.4 Amplicador oscilante . . . . . . . . . . . 1.4 Fototransistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.1 Circuitera para aplicacin mediante un fototransistor 1.4.2 Caractersticas tcnicas . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.2.1 Caractersticas estticas . . . . . . . . . . 1.5 Comparacin entre los dispositivos sensores . . . . . . . . . 1 6 6 6 6 8 8 9 9 10 11 12 12 14 14 16 16 17 18 19 20 20 21 22 22 23 24 25 25 26 27 27 28 28 31

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NDICE GENERAL
1.6 Circuitos Integrados Optoelectrnicos (OPICs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6.1 TSL260 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2 31 31 32 32 32 33 34 35 36 37 39 39 40 40 41 41 43 43 43 44 47 49 49 50 52 54 54 54 55 55 55 55 55 56 57 57 58 58 59 60 60 60 61

Emisores 2.1 Diodos electroluminiscentes (LEDs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1 Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1.1 Eciencia interna . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1.2 Potencia interna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1.3 Distribucin angular y potencia externa . . . . . . . 2.1.1.4 Ancho de banda espectral . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1.5 Longitud de onda de emisin. . . . . . . . . . . . . 2.1.2 Caractersticas tcnicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.2.1 Potencia ptica y espectro de emisin . . . . . . . . 2.1.2.2 Caracterstica tensin-corriente . . . . . . . . . . . 2.1.2.3 Mxima potencia disipable . . . . . . . . . . . . . 2.1.2.4 Emisin en funcin de la excitacin . . . . . . . . . 2.1.3 Cmo se usa un LED? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2 Fundamentos del lser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.1 Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.1.1 Diferencia entre la emisin estimulada y espontnea 2.2.1.2 Ecuacin de equilibrio en un emisor ptico . . . . . 2.2.2 Caractersticas tcnicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.3 Cmo se usa un lser? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.3.1 Ejemplo 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.3.2 Ejemplo 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.3.3 Ejemplo 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Pantallas electrnicas 3.1 Principios de funcionamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Tubo de rayos catdicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.2 Pantallas de plasma . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.3 Pantallas de LEDs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.4 Pantallas de cristal lquido . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 Pantallas de cristal lquido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Qu es un cristal lquido? . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1.1 Cristal lquido y su relacin con las pantallas . . . 3.2.2 Caractersticas de una pantalla de cristal lquido . . . . . . . 3.2.3 Principio de funcionamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3.1 Polarizacin de la luz . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3.2 Filtros polariradores . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.3.3 Estructura fsica de una pantalla de cristal lquido 3.2.4 Tcnicas de excitacin de LCDs . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.4.1 Posibles estructuras de los electrodos . . . . . . . 3.2.4.2 Excitacin esttica . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.4.3 Excitacin multiplexada . . . . . . . . . . . . . .

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Introduccin
Esta asignatura va a tratar sobre los dispotivos optoelectrnicos, que son aquellos que trabajan conjuntamente con seales electrnicas y pticas. Ms concretamente son capaces de transformar seales electrnicas en pticas o viceversa. Como ejemplo tenemos la lmpara incandescente, ms comnmente conocida como bombillo o tambin un uorescente, ambos transforman una seal elctrica o electrnica en luz, es decir, transforman electrones en fotones. En el otro lado tenemos, por ejemplo, una clula solar que hace la funcin contraria transforma fotones en electrones. Durante la carrera hemos tenido mucha interaccin con seales electrnicas aunque siempre hemos obviado el caracter de particulas elementales de los electrones y hemos trabajado con tensiones y corrientes aunque no sera complicado hacer la conversin. Nos falta profundizar un poco en la otra parte, es decir, en los fotones o, pasando de las particulas elementales a las seales, las seales pticas. Hasta principios de este siglo hubo una gran controversia entre quienes armaban que la luz estaba compuesta por corpusculos, y quienes decan que la luz estaba compuesta por ondas. Haba experimentos que permitan armar ambas cosas. Slo en este siglo qued denitivamente claro que haba una dualidad onda-corpsculo, es decir, la luz est compuesta por paquetes de ondas individuales, cada uno de los cuales tiene una energa determinada. Parece pues que la sea de identidad de cada uno de estos paquetes (en adelante fotones) viene dada por su energa, que equivale a frecuencia de vibracin segn

donde es la frecuencia de vibracin y es la constante de Plank. Adems como estamos hablando de luz, que tiene una velocidad en el vacio tenemos que el tiempo que tardar una onda en recorre una de sus longitudes de onda (valga la redundancia) ser el periodo de la seal, o sea, la inversa de la frecuencia

as pues tenemos una relacin entre energa, frecuencia y longitud de onda, de forma que indicar una equivale a indicar las otras.

Espectro electromagntico
Una vez denidas las relaciones internas de las seales pticas vamos a ver el espectro electromagntico al completo para poder situarnos y ver cuales son los fotones que nos van a interesar a nosotros y tambin el porqu de este inters. En la gura 1 tenemos el espectro, podemos ver tres ejes de ordenadas distintos, uno de energas, otro de frecuencias y otro de longitudes de onda suponiendo que las ondas se desplazan por el vacio. El 3

 !21 & 0  ) ( ' & $"   %#!

(1)

(2)

NDICE GENERAL
Frecuencia (Hz) 10
21

4
h Energia del foton (eV) 1 MeV 10
6

Longitud de onda (m) 10

o

h Energia del foton (J)

-13

Rayos Rayos X
-18

1A 10 -9 1 nm 10 10
15

-10

1 KeV

10

1 m 10

-6

1 eV

10 0 10 -1 10

1 THz 10

12 -2

10 -19 10 -20 10

Ultravioleta Visible Infrarrojo Microondas Radar Radio en FM

Violeta Azul Verde Amarillo Naranja Rojo

390nm 455nm 492nm 577nm 597nm 622nm 780nm

1 cm 1 GHz 10
9

10 10

1m 1 MHz 10
6

10

-6

10 3 1 Km 10 10
5

UHF VHF TV
10
-27

1 KHz 10

10

-11

Radiofrecuencia

Figura 1: Espectro electromagntico motivo de presentar los tres ejes es histrico, ya que, aunque ahora tengamos claro que el espectro es algo continuo su estudio histrico no lo presenta como tal ya que distintas ramas de del saber se encargaban de ellas, as pues:

si seguimos subiendo en frecuencia llegamos al infrarrojo lejano que empieza en los 100 m y sigue hasta el infrarrojo cercano sobre los 0.72 m o 720nm donde empieza el visible y ms concretamente el rojo, seguimos hasta el azul con una longitud de onda sobre 340nm para pasar al los rayos ultravioleta, desde los bronceadores rayos UVA (ultravioleta A) hasta los perniciosos y cancergenos UVC que llegan hasta 1nm. ms arriba la denominacin ya pasa a ser energtica y estamos desde los rayos X que llegan desde 1KeV (baja energa) que se utilizan para las radiografas hasta los 100KeV, nalmente y por parar

3 3 3 3

en la parte baja del espectro nos encontramos con la zona en la que se ha trabajado para transmisin de seal via radio y por lo tanto la nomenclatura de esta zona se hace en frecuencias, para darnos cuenta de ello tan slo debemos reparar en que la seal elctrica es de 50Hz, que 500KHz es una frecuencia en la que se oye la onda media, que la FM est entre los 88 y 108MHz. Todos los datos los solemos utilizar como frecuencias. cuando hablamos de las microondas o de la banda de las milimtricas ya estamos dando a entender que es la longitud de onda lo que se usa para nombrarlos, aunque ltimamente con la telefona mvil o la comunicacin con satlites se habla de GHz, ltimamente nos bombardean con la cuarta licencia digital (UMTS) en 1.8GHz, esta zona del espectro recibe pues ambos tipos de denominacin.

NDICE GENERAL

en algn sitio tenemos los rayos que se usan en tratamientos de radioterapia, como por ejemplo las bombas de cobalto o los aceleradores lineales con energa que superan 1MeV. El rango de energas interesante desde el punto de vista de los dispositivos optoelectrnicos va a estar entre el infrarrojo medio ( <5 m) y el ultravioleta cercano, casualmente de todo el rango de frecuencias, longitudes de onda y energas hemos ido a quedarnos con los alrededores del visible

Dispositivos
Una vez ya hemos denido nuestro rango de actuacin vamos a describir los dispositivos que vamos a utilizar durante el curso. Los dividiremos en dos grandes grupos, los sensores que convertirn una seal ptica en una eletrnica y los emisores que harn la labor contraria, utilizarn la energa de los electrones para emitir fotones. Entre los sensores veremos

fotorresistencias

fotodiodos

fototransistores

clulas solares

as como sus aplicaciones y circuitera par llevarlas a cabo. Entre los emisores analizaremos

LEDs

lseres

lmparas incandescestes

lmparas halgenas

e igualmente ejemplos prcticos de montajes para su utilizacin. Tambin se ver dentro de los emisores los dispositivos de representacin, que aunque algunos estn dentro del campo de los emisores se usan en labores distintas y por tanto la electrnica cambia. Tambin dentro de los dispositivos de representaciones se vern elementos no emisores como dispositivos de cristal lquido.

Medio
Ademss de los dispositivos es importante analizar el medio por el que se propaga la seal ptica, aunque sin nimo de ser excesivamente rigurosos ni exhaustivos. Se analizarn tan slo la bra ptica como medio de transmisin sumamente importante ya que soporta el campo de las comunicaciones pticas y se har hincapie en analizar algunos componentes pticos como las lentes, los atenuadores, dispersores y espejos.

4 &

3 3 3 3 3 3 3 3

Captulo 1

Sensores
1.1
1.1.1
1.1.1.1

Funcionamiento bsico
Cmo se detecta la radiacin electromagntica?
Cuantos de energa, efecto fotoelctrico.

Como ya dijimos la luz es radiacin electromagntica y una de las formas de identicar una zona del espectro es a traves de (frecuencia de la onda), tambin sabemos que cada fotn es una partcula con una energa dada por . La energa es sea de identidad del fotn de modo que no puede ni incrementarse ni disminuirse, slo puede mantenerse o cederse completamente a otra partcula por medio de una interaccin. Albert Einstein obtuvo el premio Nobel precisamente por descubrir el efecto fotoelctrico que daba cuenta de esta caracterstica de la radiacin electromagntica. El experimento que realiz y que nos servir para entender el principio de la deteccin fotoelctrica fue el siguiente:

Figura 1.1: Esquema del efecto fotoelctrico. Los fotones inciden sobre un fotoctodo (inmerso en una ampolla en la que se ha hecho vacio), su energa libera electrones que son acelerados por el campo elctrico hasta el nodo, generando una fotocorriente. Este efecto sucede slo cuando la energa de los fotones supera la energa de ionizacin del material que compone el fotoctodo. En la gura 1.1 podemos apreciar como un haz de luz incide sobre un fotoctodo inmerso en una ampolla en la que se ha realizado el vacio, el fotoctodo est polarizado negativamente respecto al electrodo situado en el otro extremo. El experimento consista en iluminar el fotoctodo con una luz de una longitud de onda (o frecuencia, o energa) para comprobar que sucede cuando se produce un incremento de intensidad de esta luz (incremento del nmero de fotones). Se observ que el incremento de intensidad de la luz produca un incremento de la corriente entre el fotoctodo y el electrodo slo si la energa de cada fotn individual era suciente para extraer un electrn. Hasta entonces se pensaba que la energa era una magnitud continua y que, por tanto, independientemente de la longitud de la onda se poda 6

6 87

CAPTULO 1. SENSORES

producir corriente elctrica mediante un incremento de la intensidad luminosa ya que este implicaba un incremento de la energa. Con este experimento se demostr que esto slo suceda si la longitud de la onda estaba por debajo de un umbral (a menor longitud de onda mayor energa), a su vez el posterior decremento de la longitud de onda no ir acompaado de un incremento de corriente elctrica gradual, sino por escalones. Esto nos indica como se realiza el proceso de la fotodeteccin, un fotn de una determinada energa interacciona con una partcula en un determinado material cedindole su energa. Este incremento en la energa de la partcula puede dar lugar a diversos eventos que describiremos en los siguientes parrafos. Fotoctodos, excitacin electrnica. Qu sucede cuando un fotn interacciona con una partcula? Al chocar con la partcula le cede su energa elevndola, si esta energa es suciente para modicar su estado este cambiar. Pongamos el ejemplo ms simple, el electrn de un tomo de hidrgeno. El estado de

E1 E2 Nucleo Electron

En

Orbitales

Figura 1.2: Representacin grca del tomo de Hidrgeno mnima energa para el electrn se encuentra en el orbital ms cercano al nucleo, para pasar a un orbital superior necesita un aporte de energa igual o mayor a la diferencia entre los niveles, con una energa mayor de y menor de el electrn saltar desde el primer orbital al segundo liberando la energa que le sobra mediante la emisin de un nuevo fotn. Si recibiera una energa escapara a la atraccin del nucleo ionizando el tomo y quedara libre. Esto ocurrira as para cualquier elemento con la diferencia de que la distribucin de los orbitales sera distinta y de que puede aparecer un orbital degenerado con cabida para muchos electrones en el caso de que en lugar de tener un nico tomo tengamos un cristal. Los electrones pueden estar ligados a un tomo o pueden estar en la banda de conduccin. Cuanto ms alejados se encuentren del nucleo la energa que les liga a l ser menor, si consiguen esta energa pueden abandonar el material. Qu es entonces un fotoctodo? Es un material (en un principio podra valer cualquiera) tal que al incidir sobre el un fotn libera un electrn gracias a la energa aportada, lo que implica, como ya hemos dicho, que el susodicho electrn debe encontrarse a una distancia (medida en energa) del nivel de vacio menor que la energa cedida por el fotn. El que el electrn quede libre de la inuencia del tomo, molcula o cristal es un caso extremo de excitacin electrnica, de hecho sern cambios mucho menores los que utilizaremos para la deteccin de luz ya que nuestro inters ser que un electrn ligado a un tomo pase a estar en conduccin y por tanto contribuya a una seal electrnica.

A F G' D

A C B' D

A 9 B' @

CAPTULO 1. SENSORES

1.1.2
1.1.2.1

Conductividad elctrica.
Conductividad en general

La conductividad nos informa acerca de la capacidad de un material para conducir corriente elctrica, cuanto mayor sea este parmetro mayor ser el ujo de corriente para la misma diferencia de potencial. Como ejemplo simple vamos a estudiar lo que ocurre en una disolucin en la que hay aniones y cationes. Si no hay diferencia de potencial entre dos puntos del material habr un cierto movimiento de las prticulas debida a la agitacin trmica, este movimiento tendr una media cero y no apreciaremos corriente elctrica neta en ningn sentido, si ahora se aplica un campo elctrico las cargas elctricas tendern a ser arrastradas por esta segn vemos en la gura 1.3 y aparecer una desplazamiento de carga en la

A + vd t
Figura 1.3: Movimiento neto de portadores de carga a travs de una seccin de rea A cuando se aplica un campo elctrico. direccin del campo que se corresponde con la siguiente expresin

Arrastre de cargas en una disolucin donde es la valencia del catin, la del anin, la carga del electrn, y las densidades de la cargas positivas y negativas y las velocidades de las cargas positivas y negativas respectivamente, el rea y el tiempo, a partir de esta expresin podemos deducir la densidad de corriente que atraviesa el material para as liberarnos de consideraciones geomtricas y temporales. (1.2) La corriente tambin la podemos denir como,

ya que es el producto entre la conductividad y el valor del campo elctrico . Ya ha aparecido el trmino que estabamos buscando, la conductividad. Para seguir acercndonos a la expresin que dene la conductividad expresemos la velocidad de las partculas en funcin de . (1.4)

Ya que todos los trminos de la ecuacin son directamente dependientes de la disolucin tambin lo ser pues la conductividad.

4V F wGR ` X c g 4 d R e X vs

donde el trmino que

es la movilidad de una partcula. Si reunimos las ecuaciones 1.2, 1.3 y 1.4 obtenemos (1.5)

t 4 f( b t s ts u q c b XV rg%( e X d R UF %( ` YGR b 0 b b ` X F %( gh( eX ib e d c b `X T phg( fX #UF ( aYWVUSR0

P Q I q P

(1.1)

V d

(1.3)

CAPTULO 1. SENSORES

De todo lo deducido anteriormente debera quedarnos una fuerte duda y es la ecuacin 1.4, ya que relaciona el campo directamente con la velocidad, cuando de nuestros conocimientos de fsica sabemos que cuando se aplica un campo a una carga elctrica se produce una fuerza que la arrastra segn la siguiente expresin

aplicable a las cargas positivas, con un cambio de signo llegaramos a la adecuada para cargas negativas. Parece que no hay una relacin directa entre las velocidades y el campo ya que la relacin es con las aceleraciones, sin embargo las partculas aceleradas no recorren la distancia entre dos electrodos de forma directa ya que se encuentran con obstculos que las frenan reducindo su velocidad a cero, de modo que tienen que volver a acelerar. Parece por tanto que podramos con esta informacin calcular una velocidad media si conocisemos el tiempo medio de colisin para una carga. Cul ser entonces la velocidad de un in inmerso en un campo? podemos verlo en la gura 1.4

v vmax vd 2t 4t t

Figura 1.4: Velocidad de un in inmerso en un campo elctrico en funcin del tiempo incluyendo las colisiones. La velocidad media que hemos quedar denida como

Ahora podremos denir movilidad partiendo de las ecuaciones 1.4 y 1.7 como

como se puede observar slo depende de las caractersticas del material. 1.1.2.2 Conductividad en metales

Si centramos nuestro estudio en metales y tenemos en cuenta que a nivel macroscpico un metal es un mar de electrones movindose en innidad de orbitales electrnicos (hay que conservar el principio de Pauli) innitesimalmente cercanos podemos utilizar el estudio anterior extrapolando, ya que nos encontramos que en este segundo caso slo tenemos un tipo de portadores: los electrones y que las valencias de los portadores desaparecen ya que slo tenemos electrones y no aniones, por lo dems es todo idntico. 1.1.2.3 Conductividad en semiconductores

Una vez pasados los dos ejemplos anteriores vamos a centrarnos en nuestro mbito de estudio, los semiconductores dentro de los cuales hablaremos del Si aunque despus los resultados podremos exportarlos

y R y t R t x DX y f( 0 b tR R GfX 4

(1.6)

(1.7)

(1.8)

CAPTULO 1. SENSORES

10

a todos los dems. El Si tiene cuatro electrones en la ltima capa que estn ligados a un orbital degenerado , este orbital no pertenece a un nico tomo sino que adquiere un segundo nivel de degeneracin al interaccionar con los tomos del cristal, por encima de este orbital hay otros libres. Si todos los electrones estuviesen anclados a un tomo no habra cargas libres y por lo tanto sera un aislante. Los orbitales libres no pertenecen a un nico tomo sino que al formarse un cristal se desarrolla un orbital degenerado que pertenece a todos los tomos del cristal, este orbital al que llamaremos banda de conduccin por contraposicin a los ligados a los tomos que son la capa de valencia. Paremos un momento y establezcamos las diferencias aparentes con los metales: en los metales estas dos bandas se solapan con lo que los electrones pueden moverse libremente con un mnimo aporte energtico, sin embargo en los semiconductores hay una banda prohibida similar a los saltos energticos que se apreciaban en el tomo de hidrgeno, con lo que es necesaria una energa apreciable para que un electrn pase a la banda de conduccin y pueda contribuir a la corriente elctrica. La energa trmica genera en un semiconductor pares electrn-hueco, es decir, suministra a un electrn ligado energa suciente como para saltar la banda prohibida y dejar tras de si una posicin electrnica libre a la que llamaremos hueco. En un semiconductor intrnseco (puro) la conductividad vendr dada pues por

ya que el nmero de electrones y de huecos ha de ser el mismo porque se generan por donde pares. Cuntos pares se generarn? Depender de la temperatura segn una frmula llamada de energa de activacin que viene a ser

el 2 aparece ya que cada una de las partculas necesita la mitad de la energa de la banda prohibida, pero ya sabemos que n=p slo para semiconductores intrnsecos, si no son intrnsecos el nmero de portadores de cada tipo no ser el mismo, de hecho tendremos una dependencia para electrones y otra para huecos las frmulas sern

son el nmero de estados de la banda de conduccin-valencia y la energa del nivel de donde y Fermi que es el nivel energtico donde, de haber un contnuo de niveles tendramos un 50% de llenado de esos niveles. Tenemos pues para concluir que la conductividad en un semiconductor cualquiera ser

es decir que aumenta cuando aumenta la temperatura al contrario que en los metales. Adems de las ecuaciones 1.9 y 1.11 podemos deducir que cuanto mayor sea el nmero de portadores mayor ser la conductividad (aunque esto ocurre en cualquier material). 1.1.2.4 Fotoconductividad

Una vez hemos entendido cuales son los parmetros que inuyen en la conductividad de un material llegamos a la parte interesante que es como aprovechar esta caracterstica para medir la cantidad de luz incidente sobre l, lo estudiaremos sobre los semiconductores ya que tanto sobre disoluciones como

v D

g 4 c F 4 R V R g 4 #c F 4 V s d

u tnrkso ` wV qok g pntrm!`s lkwdj ` ' d hV d V i'

e2 % d v ws f x#d ' n#s

ef2 % d V @d ' w

V d V

u V hV g

d $

(1.9)

(1.10)

(1.11)

(1.12)

CAPTULO 1. SENSORES

11

sobre metales los efectos son despreciables. Supongamos que tenemos un semiconductor tipo n (dopado con impurezas donadoras), la conductividad como ya hemos deducido anteriormente ser,

aunque la movilidad no sea una constante la vamos a considerar en un principio como tal, la carga del electrn es constante as que slo nos queda la densidad de portadores, en este caso electrones en el semiconductor. Esta densidad es ja para una determinada temperatura si consideramos que sta es la nica fuente de energa que permite a los portadores saltar a la banda de conduccin. Aqu es donde aparece la energa de los fotones incidentes, en la gura podemos observar un fotn creando un par
+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - + + + + +

E>Ec-E =E v
-

Figura 1.5: Incidencia de un fotn y generacin de un par electrn hueco electrn-hueco, su energa ha de ser igual o superior a la energa de la banda prohibida, el electrn sobre el que ha incidido el fotn saltar a la banda de conduccin creando un hueco en la banda de valencia, ambos portadores de carga participarn ahora en la conduccin aumentando la conductividad del material y por tanto con una misma diferencia de potencial en los extremos del semiconductor la corriente ser mayor debido a la disminucin de la resistencia. Qu longitudes de onda sern las que incrementen la pero vemos fotoconductividad? La respuesta parece evidente, aquellas cuya energa sea mayor que que no es tan simple.

1.1.3

Transmisin y absorcin.

Cuando un fotn de una energa determinada incide sobre una partcula esta absorbe el fotn como ya hemos visto, cuando ha absorbido el fotn la partcula est excitada y puede realizar un cambio de estado, como ascender a un centro (por ejemplo un orbital) de energa superior pero si la energa es menor que la que necesita para cambiar de estado esta partcula liberara el fotn para volver a quedar en un estado de energa mnima, en un principio podra emitirlo en cualquier direccin y sentido pero para ello sera necesaria la participacin de otra partcula llamada fonn que sera la que recibira o donara la cantidad de momento necesaria para cambiar la direccin del fotn y aunque esto ocurre lo hace en una proporcin tan pequea que no vamos a considerarla. Si tras la interaccin con la partcula tenemos un nuevo fotn con la misma energa y el mismo sentido tenemos transmisin. Cuando el fotn tiene una energa superior a la necesaria para que la partcula con la que interacciona llegue a un nuevo estado estable no se emite un nuevo fotn, la energa puede quedar atrapada en el material con el que ha chocado el fotn y este ha sido absorbido. La absorcin slo ocurre cuando hay una interaccin, no todos los fotones interaccionaran con la misma partcula ni a la misma profundidad del material absorbente, hay una probabilidad de que el fotn choque y esta se suele representar como un camino libre medio. Si el espesor del material es del orden del camino libre medio un 63% de los fotones se absorbern pero el

4R F F GhV yns
Ec
g -

Ec

Ev

- + - - - - - - - - - - - -

Ev

CAPTULO 1. SENSORES

12

resto atravesarn el material, este es un concepto que ser necesario asimilar para comprender la forma de fabricacin de los dispositivos y tambin sus limitaciones. 1.1.3.1 Qu zona del espectro se detecta?

Con los datos que tenemos hasta ahora podramos entender porque no se detecta la zona del espectro electromagntico con longitudes de onda superiores a la que proporciona una energa necesaria, pero quiz resulte ms complicado entender porqu no se detectan todas las longitudes de onda inferiores menores que sta. Aqu es donde aparece el problema de la absorcin, para longitudes de onda con una energa muy superior a la anchura de banda prohibida la absorcin es muy fuerte de modo que en unas pocas capas atmicas todos los fotones han cedido su energa a los electrones, estos electrones al estar tan cerca de la supercie tienen un tiempo de vida muy corto ya que en la zona cercana a la supercie hay una gran densidad de centros de recombinacin que no van a permitir que los electrones recorran un camino apreciable de forma que no participan en el incremento de conductividad.

1.1.4

Diferencias entre fotorreceptores

Los fotorreceptores pueden ser usados en situaciones muy distintas, por ejemplo, la clula de deteccin de un ascensor o el sistema de recepcin de un sistema de bra ptica, se citan estos dos porque en ellos hay una diferencia fundamental y es el tiempo de respuesta. Mientras que en la clula del ascensor el tiempo de respuesta puede ser del orden de dcimas de segundo sin que se degraden las caractersticas del sistema en la bra ptica se pueden recibir seales a una frecuencia que puede llegar al gigaherzio, es decir, los tiempos de respuesta han de ser menores de 1ns. No parece que los fotodetectores de respuesta lenta tengan ninguna ventaja pero esto no es cierto, vamos a explorar el comportamiento interno del fotodetector para analizar el tiempo de respuesta. Cuando el sistema se encuentra en equilibrio trmico sin ningn tipo de excitacin adicional el nmero de portadores ha de permanecer constante, aunque ello no signique que deje de haber generacin trmica de pares electrn-hueco ni recombinacin de los mismos, pero ambas magnitudes han de ser iguales. La probabilidad de que un electrn se encuentre con un hueco y que por tanto se recombine ser proporcional a la densidad de huecos existentes, por tanto el nmero total de recombinaciones ser proporcional a la probabilidad de que un electrn se recombine (ya que el nmero de huecos no disminuye en equilibrio trmico) multiplicado por la densidad de electrones.

donde B es la constante de probabilidad y y son las densidades de portadores en equilibrio, como hemos dicho esta tambin ser la generacin de pares electrn-hueco de forma que la variacin de la densidad de portadores o lo que es lo mismo, del incremento de portadores sea nula.

Cuando aplicamos una radiacin electromagntica sobre el semiconductor la generacin de portadores de forma trmica no cambia (la temperatura es la misma) sin embargo la recombinacin si ya que el nmero de portadores es mayor, la frmula anterior nos queda entonces

0 c cw w V xw V V d | w V pd | c g  V G

0 V G  {z ~ 

w V d w w | }dw V Q{z

CAPTULO 1. SENSORES

13

siendo la densidad de pares electrn-hueco generados de forma ptica, el segundo trmino la generacin trmica y el tercero la recombinacin trmica, n es el nmero de pares electrn-hueco generados en exceso sobre los de equilibrio trmico, simplicando bajo la suposicin de que estamos en un semiconductor dopado con impurezas aceptoras (p) y con un bajo nivel de inyeccin llegamos a la siguiente ecuacin,

donde el trmino es el inverso del tiempo de vida de un portador ( ) si resolvemos para regimen permanente, en el que la variacin del nmero de portadores es nulo obtenemos que,

de aqu podemos deducir que para tiempos de vida largos (tiempos de respuesta largos) la ventaja que obtenemos es que para la misma densidad de radicin ptica, es decir, para el mismo nmero de fotones y por tanto la misma densidad de generacin de portadores el incremento de portadores es mayor y est es la gran ventaja, obtemos ms seal para la misma excitacin, lo que nos simplicar la circuitera aadiendo de forma gratuita un ltro paso bajo. Si resolvemos ahora la ecuacin para el rgimen transitorio obtenemos que aqu vemos la otra cara de la moneda, la velocidad, si es pequeo aunque tendremos menos respuesta para la misma excitacin la respuesta ser mucho ms rpida.

V d | c g  V 0 G w F rW` 0 V V 'w F g  V

w pd |

g %

CAPTULO 1. SENSORES

14

1.2
1.2.1

Fotorresistencias
Teora de funcionamiento

Las fotorresistencias son fotorreceptores con un tiempo de respuesta lento, antes hemos visto la ventaja que esto supona, ahora vamos a intentar cuanticarlo deniendo la ganancia (G) que se obtiene gracias a su respuesta lenta. Supongamos un semiconductor con forma de paraleleppedo como la gura 1.6 la ganancia vendr denida por cuantos electrones (huecos) vamos a poder contar por cada par que se

L
Figura 1.6: Movimiento de electrones y huecos en un semiconductor polarizado genere, cuando un electn es generado y contribuye a la conduccin este viaja en direccin al electrodo con potencial positivo, cuando llega all la carga abandona el semiconductor pero como la carga tiene que mantenerse otro electrn es suministrado desde el electrodo contrario generndose algo similar a una cinta sinfn, la carga desaparecer cuando se recombine con lo que la carga sigue en el semiconductor pero ya no participa en la conduccin. La ganancia vendr pues determinada por cuantas veces atraviese este electrn (hueco) el paraleleppedo,

es decir, si viaja a una velocidad durante un tiempo recorrer una distancia un nmero de veces igual a y por tanto lo contaremos veces. Como podemos apreciar todos los parmetros dependen del detector excepto la tensin en bornas (V), incrementando esta tensin incrementamos la velocidad de los portadores y por tanto la ganancia, hasta un cierto lmite, ya que la velocidad tiene un mximo para cada material ( disminuye cuando aumenta por encima de cierto valor). Tambin la longitud es modulable en fabricacin pero si es muy pequea la cantidad de luz que detectamos tambin se reduce. Ejemplos El material que se usa como fotorresistencia es principalmente el Sulfuro de Cadmio (CdS). Los parmetros que seutilizan para denirla son los siguientes: Variacin de resistencia con la iluminacin: en la gura podemos ver varias curvas, tpicamente no se da una sola sino una familia para que con una medida podamos situar un punto en la grca y a partir de la curva ms cercana extrapolar el resto de los valores. Podemos apreciar que el eje de abcisas representa una magnitud denominada fc, son candelas pie, por el nombre podramos deducir que 1fc es la luz que llega desde una vela situada aun pie de distancia, como esto posiblemente no nos de mucha informacin tenemos que para un da de sol hay 1000fc, en un da nublado 100fc en una noche con luna 0.1fc y en una noche estrellada sin luna 0.01fc. Tiempo de respuesta, ste depende fuertemente de la cantidad de luz que est llegando, podemos observar en la tabla ejemplos de los tiempos de subida (inicio de iluminacin) y de bajada (n de iluminacin) en funcin de la iluminacin.

~ F ( b F F C A F 4 F pF 4 F F %( ~ t b t

(1.13)

3 3

CAPTULO 1. SENSORES
1000 100 10 1 0.1 0.01

15

Resistencia(K )

0.1

1 10 fc (candelas pie)

100

1000

Figura 1.7: Resistencia en funcin de la iluminacin Iluminacin 1 fc 100fc Tiempo de subida 18ms 2.8ms Tiempo de bajada 120ms 48ms

Respuesta relativa

3 3

Respuesta espectral. No toda la luz nos afecta por igual, como ya analizamos previamente, tan slo un intervalo de longitudes de onda generar seal en nuestra fotorresistencia, si analizamos el eje de abcisas de la gura 1.7 y la gura 1.8a veremos una posible contradiccin Qu pasa si me llega la misma cantidad de luz pero de distintas longitudes de onda? La resistencia de la fotorresistencia ser la misma? La respuesta a la segunda pregunta es no, de todas formaslas fc estn referidas a la respuesta del ojo, no a la cantidad de fotones y la respuesta del CdS es bastante similar a la del ojo.
100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 300 400 500 600 700 800 Longitud de onda (nm) 900 1000

Figura 1.8: Respuesta espectral de una fotorresistencia. Evolucin con la temperatura. No nos podemos olvidar del efecto de la temperatura en el comportamiento de un semiconductor. Si bien con iluminaciones superiores a 5ftc la accin de la temperatura sobre una fotorresistencia es poco importante (alrededor del 1% en la gama de temperaturas entre -60 y 70o C), donde si se aprecia una dependencia trmica acusada es en la resistencia para

CAPTULO 1. SENSORES

16

iluminaciones bajas. Para una iluminacin de 0.01ftc (oscuridad) la resisetncia puede variar en un factor 4 entre 25 y 75o C. La grca 1.7 estaba tomada a 25C.

1.2.2

Oscilador de frecuencia dependiente de la luz Para describir este circuito vamos a ver una breve introduccin a osciladores, para lo que describiremos dos subcircuitos, la bscula Schmitt-Trigger y el integrador. 1.2.2.1 Bscula Schmitt-Trigger.

El circuito de la gura es un operacional con realimentacin positiva, en este circuito no es aplicable o dependiendo de si la el principio de tierra virtual, y el valor de la tensin de salida es bien diferencia de tensiones en los terminales de entrada es positivo o negativo. Cul ser entonces su curva de funcionamiento? Para calcularla haremos dos suposiciones 1. La tensin de salida es

y por tanto deber ser menor que este valor para que esto se cumpla, si ya no se cumple y por tanto 2. La tensin de salida es , esto implica que

e c c z 9Y9 z hgg A z zc 9 z A z 99 z A hgg A c SSA A z z rgg 1 ghg A A e E ` ` A A F A A A A e c z 9 c9 z ghg A c z 9 z z c9 z hgg c z z A 9 z A hgg A A A A 1 A

, esto implica que

hgg hgg A A

` e

Cmo es fsicamente una fotorresistencia? Podemos verla en la gura 1.9. Es un circuito con dos contactos que internamente tiene est diseada como un zig-zag para que la longitud sea mayor y que podamos detectar ms luz.

Figura 1.9: Forma de una fotorresistencia.

Ejemplos de utilizacin.

Rf V ref V in R1 + R2 V o

Figura 1.10: Bscula Schmitt-Trigger inversora

(1.14) esto

(1.15)

CAPTULO 1. SENSORES
y por tanto deber ser mayor que este valor para que esto se cumpla, si ya no se cumple y por tanto Vamos a poner valores numricos para representar la grca, por ejemplo elegiremos y . La grca resultante ser

17

V o
5V 2.5V -2.5V

V in

-5V

Figura 1.11: Tensin de salida frente a tensin de entrada Este tipo de circuito tiene dos variables de diseo, y . Un buen ejercicio para ver si se tiene claro el funcionamiento es disear un circuito de forma que bascule para una tensin de entrada de y la bscula ya no ser inversora -1 y 3V. Igualmente si cambiamos los puntos de aplicacin de como la que hemos analizado (gura 1.12).

Rf V in V ref R1 + R2 V o

Figura 1.12: Bascula Schmitt-Trigger no inversora.

1.2.2.2

Integrador

El circuito integrador es conocido ya por todos por lo tanto no vamos a insistir mucho en l tan slo recordar que la tensin a la salida se puede calcular como

que para el caso de una tensin de entrada constante queda como (1.17)

es decir una rampa de signo contrario al de la seal de entrada.

A A hgg A e `
,

A F A 9 z " z A

0 z 0 F A A A 0  z 0 A A F A

hgg A A

` F A A

esto

z 9  Qz A

(1.16)

CAPTULO 1. SENSORES

18

C V in R + R1 V o

Figura 1.13: Circuito integrador 1.2.2.3 Oscilador

La conjuncin de los dos circuitos anteriores puede generarnos un oscilador. Cmo? Veamos el circuito y que al igual que en el ejemplo del apartado de la gura 1.14. Supongamos que anterior para analizar el circuito supongamos tambin que el valor de para , esto

C V in R in Rf + R2 R1 V o2 V ref R3 +

V o1 -

Figura 1.14: Oscilador implica que y por tanto , como no sabemos cuanto vale vamos a aventurar un valor, por ejemplo tambin vale . El valor de la tensin a la salida del integrador, en valdr

es decir empieza a disminuir, el valor de la tensin en

ser

es decir que

para

en ese momento la bscula cambiar su salida y y la corriente que circulaba por cambiar de signo y a partir de ahora si ponemos el reloj a cero valdr

 0

C A

0 Fz c 0 C A A hgg A A 9 A Fz A F z  A A Fz  10  c 0 F  fz A c C z 9 z hgg A  A A A e 9z A 0 Ffz 0 C A A A

hgg A A 9 A

 SA

z 9 z A

C A  e e A c z Yzc 9 z C A A

A  E e C A A A

Fz

CAPTULO 1. SENSORES

19

su valor empezar a subir hasta que momento en que volver a cambiar la salida de la bscula, por tanto se produce una oscilacin. Qu periodo tiene esta oscilacin? Pues dos veces el tiempo de carga o descarga. Como ya sabemos que va a ser una seal triangular con una amplitud de tenemos que un semperiodo durar

por tanto el periodo ser de

1.2.2.4

Oscilador controlado por luz.

Si la resistencia la sustituimos por una fotorresistencia el periodo de oscilacin depender directamente del ujo luminoso y por tanto midiendo la frecuencia de la oscilacin podemos saber cual es el valor de la intensidad luminosa.

g A

Fz 0 z Ff) 0 0 F z c A 0 C A A A

C A  e

Fz

CAPTULO 1. SENSORES

20

1.3

Fotodiodo

Ya hemos visto como son las fotorresistencias y sus principales caractersticas, el motivo que las diferenciaba era que el tiempo de recombinacin de los portadores era alto, vamos ahora a analizar como trabajar con tiempos de respuesta bajos. Cuando el tiempo de recombinacin es muy bajo la distancia recorrida por los portadores fotogenerados ser corta (ya que la velocidad mxima est limitada por el decaimiento de la movilidad) y slo vamos a poder detectar un portador si llega hasta el electrodo ya que la corriente es carga por unidad de tiempo y si el par electrn-hueco se recombina durante el trayecto se perdi la carga, esto implica que tenemos que o bien aumentar el tiempo de vida (y estropeamos la principal ventaja), incrementar la velocidad de los portadores, pero ya hemos visto que no se puede incrementar mucho o disminuimos la distancia que hayan de recorrer los portadores. Aqu es donde entra la idea del fotodiodo, pero para entenderla hagamos un pequeo inciso y recordemos la unin pn.

Ec Energia Energia Ef Ev 0% 100% Semiconductor intrinseco

Energia

Ec Ef

Ec

Ev 0% 100% Semiconductor n 0%

Ef Ev 100% Semiconductor p

Probabilidad de encontrar un electron en un nivel de energia

Figura 1.15: Distribucin de la probabilidad de encontrar un electrn a un determinado nivel energtico en un semiconductor intrnseco, n y p. Posicin del Nivel de Fermi en cada caso.

1.3.1

Unin PN

Un semiconductor dopado tipo n tiene su nivel de Fermi (gura 1.15) cerca de la banda de conduccin ya que este nos indica el lugar donde hay un 50% de probabilidades de encontrarnos con un portador y ahora hay muchos en la banda de conduccin, por el contrario si est dopado tipo p el nivel de Fermi estar muy cercano a la banca de valencia ya que la banda de conduccin estar muy despoblada de electrones as como la parte alta de la banda de valencia (poblada de huecos). Cuando unimos ambos materiales y mientras permanezcamos en equilibrio el nivel de Fermi ser nico, el principio de entropa har que el exceso de portadores de signo contrario en cada uno de los materiales se uniformice, al producirse esta difusin y debido al mantenimiento de la carga quedarn cargas positivas en el lado n (donadores sin electrn) y negativas en el lado p (aceptores sin hueco) generndose un campo elctrico que impide que esta difusin siga (gura 1.16a). Cuando aplicamos un campo elctrico contrario al generado disminuye el campo que se opone a la circulacin de carga quedando el diodo en directa, mientras que cuando aplicamos un campo elctrico que incremente el existente no se favorece la circulacin de corriente (gura 1.16b). La frmula de la corriente en una unin pn ideal ser

Y  s  b tr !S ' }iQD

(1.18)

CAPTULO 1. SENSORES

21

con lo que cuando V es positiva la corriente directa crece de forma exponencial y cuando V es negativa la corriente es en sentido inverso.

Figura 1.16: (a) Bandas de conduccin y valencia en una unin pn (b) Curva I-V de un diodo pn

1.3.2

Fotodiodos PN

En la zona de carga de espacio (donde hay campo elctrico) hay portadores de ambos tipos, mientras que en el resto del diodo (por ejemplo en la zona n) hay muchos electrones y pocos huecos ,un electrn en exceso en la zona n tiene pocas probabilidades de encontrarse con un hueco con quien recombinarse por lo que el tiempo de vida ser alto, sin embargo en la zona de carga de espacio ser bajo, lo mismo puede decirse para los huecos en el lado p. Supongamos un diodo pn sin polarizacin y sobre el que incida radiacin electromagntica (gura 1.17), los pares electrn-hueco que incidan sobre la zona n o p desaparecern rpidamente ya que el hueco generado en la zona n encontrar un electrn con quien recombinarse e igualmente con el electrn generado en la zona p, pero los pares generados en la zona de carga de espacio aunque tienen alta probabilidad de recombinarse tambin tienen un fuerte campo elctrico que les aparta de la zona y separa al electrn y al hueco enviando a cada uno a la zona en que son mayoritarios y por tanto tienen pocas probabilidades de recombinarse y velocidad para llegar al electrodo, en ese momento si el electrn llega antes que el hueco y para mantener la neutralidad de carga un electrn se generar en el otro electrodo recombinndose rpidamente con un hueco con lo que desaparece el par (lo mismo si hubiese llegado antes el hueco). Acabamos de describir la gran ventaja
Zona n Zona p +

+ -

+ ZCE

Figura 1.17: Posibles zonas de generacin de un par electrn-hueco y su efecto en la deteccin del fotodiodo, hay una zona muy estrecha y de alto campo elctrico (zona de carga de espacio) en que se separan con facilidad los pares electrn-hueco y con un tiempo de vida corto pero inmediatamente llegan

d V

}i

Zona p

Zona n Id Ec Ef Vd

Ev

ZCE

(a)

(b)

CAPTULO 1. SENSORES

22

a una zona en la que tienen tiempo de vida largo por lo que son capaces de llegar al electrodo, este ser un dispositivo rpido en contraposicin a las fotorresistencias. Analicemos la fotocorriente para ello volvamos a mirar la gura 1.17b demonos cuenta que la corriente (que se considera positiva en el sentido de avance de las cargas positivas) va desde la zona n a la p es decir es una corriente inversa ello implica que la frmula 1.18 se modica apareciendo un trmino negativo de la siguiente forma (1.19) donde es la corriente debida a los fotones o fotocorriente, as pues cuando tengamos luz incidiendo sobre sobre nuestro fotodiodo la relacin I-V evolucionar quedando de la forma que podemos ver en la gura1.18
Id Sin luz If Con luz Vd

Figura 1.18: Modicacin de la relacin I-V en un fotodiodo cuando hay luz incidente.

1.3.3

Fotodiodos PIN

Cul es el principal problema de un fotodiodo pn? Pues que la zona til para la generacin efectiva de un par electrn hueco es pequea, tan slo la zona de carga espacial. Cmo solucionarlo? Pues incrementando la zona de carga espacial. Para incrementar la zona de carga de espacio se puede hacer de dos formas. Polarizando fuertemente el diodo en inversa (Despues describiremos los fotodiodos APD) o aadir entre la zona n y la p una zona no dopada, es decir, una zona intrnseca de ah el nombre de fotodiodo pin. Qu sucede en el interior de un fotodiodo pin? Bueno pues apliquemos la misma lgica que es el caso anterior. Un par electrn hueco generado fuera de la zona de carga de espacio tiene pocas posibilidades de ser til, ahora la zona de carga de espacio ha aumentado ya que al tamao de esta zona en un diodo pn hay que aadir la zona i. Podemos hacerla tan grande como queramos. Pues desgraciadamente no ya que el incremento de la zona de carga de espacio hace disminir el campo elctrico y por tanto la velocidad de los portadores y al nal lo que queda perjudicado es la velocidad as que hay que cumplir un compromiso entre velocidad y volumen de captacin de portadores.

1.3.4

Fotodiodos APD

Por timo describiremos los fotodiodos APD que es el acronimo de avalanche photodiodes o traducido fotodiodos de avalancha. Su funcionamiento se basa en la polarizacin inversa muy fuerte (la segunda posibilidad que habamos comentado previamente) al hacer esto se consigue que la zona de carga de espacio crezca pero tambin que crezca fuertemente el campo elctrico en la ZCE. El efecto avalancha lo podemos ver en la gura 1.19 los portadores generados al ser acelerados por el campo elctrico chocan

  s b tr  ' }iQf

CAPTULO 1. SENSORES

23

Par fotogenerado

Generados por avalancha

+

Figura 1.19: Efecto avalancha: un par electrn-hueco generado por un fotn incidente genera por choques otros pares electrn-hueco por lo que aparece ganancia. con tomos cedindoles su energa de esa forma la energa puede aprovecharse para la generacin de nuevos portadores lo que permite que haya ms de un portador de carga por fotn lo que nos devuelve al concepto de ganancia que vimos con las fotorresistencias.1 Cmo se consigue aumentar esta ganancia? Pues incrementando el campo elctrico aunque esto tambin tiene un lmite que viene impuesto por algo similar a la ruptura zener en los diodos, con lo que la corriente aparece ya no por motivos pticos sino electrnicos.

1.3.5

Electrnica para fotodiodos

Empecemos representando el circuito ms simple que se nos podra ocurrir para obtener la seal de un fotodiodo. podemos apreciar que la respuesta en tensin no es lineal respecto a la iluminacin, pero si
Vo R Sin luz If Con luz Vo Vd Id

Id Vd

Figura 1.20: Diodo en paralelo con una resistencia y clculo grco de la tensin de salida.

donde

tena el valor que vimos en la ecuacin 1.19 si sustituimos tenemos (1.21)

y esta ecuacin adems de ser trascendente nos conrma que la respuesta no es lineal, por lo que no es la mejor electrnica para un fotodiodo. Otra posibilidad sera la representada en la gura 1.21 ahora la ecuacin a resolver sera
1 En la gura vemos el par que est a la izquierda que ha sido fotogenerado y despus los otros han sido generados por avalancha, el apilamiento de los electrones a la derecha es la suma de los generados ms los que ya estaban.

Y z  tr ' }i fb A s zb i)fb A

no lo vemos claro resolvamos la ecuacin siguiente

(1.20)

b 

CAPTULO 1. SENSORES
Vcc Id Vd R Vcc Vo IfCon luz Vo Vd Sin luz Id

24

Figura 1.21: Diodo en serie con una resistencia y cculo grco de la tensin de salida.

donde nos volvemos a encontrar con una ecuacin trascendente y otra vez con problemas de linealida, ya que la corriente inversa es pequea. aunque es este caso son menores ya que 1.3.5.1 Amplicador de transconductancia

La solucin si seguimos el razonamiento del diodo en serie con la resistencia sera eliminar totalmente de la solucin la parte de corriente debida a que el diodo est en inversa, esto se podra hacer si la tensin en inversa del diodo fuera constante (aparecera el trmino de corriente inversa pero sera jo) o incluso mejor si adems de ser constante fuera cero ya que entonces la corriente del diodo sera exclusivamente debida a . Cmo hacer esto ltimo? La solucin es utilizar un amplicador operacional con realimentacin negativa y aprovecharnos as del cortocircuito virtual. Veamos la gura 1.22 en ella podemos ver un fotodiodo conectado en inversa a la entrada inversora de un operacional con una realimentacin a travs de una resistencia la tensin de salida si consideramos que el operacional es ideal ser

Vp -I
d

Figura 1.22: Amplicador de transconductancia.

como en este caso es ja e igual a constante y nos queda

donde es la llamada corriente de oscuridad del fotodiodo, es decir, la corriente resultante de no haber iluminacin.

g z z Q A Y g A  s  tr ' }i A z z b !  A

b  b A  hgg A zb
Rc

(1.22)

(tensin de polarizacin inversa) el trmino exponencial es (1.25)

bA

Rf

-I

Vo

(1.23) (1.24)

g 

CAPTULO 1. SENSORES
1.3.5.2 Tensiones de offset

25

La corriente de oscuridad genera, como ya hemos visto, una tensin de offset que sera conveniente eliminar para ello lo ms simple es que la tensin de polarizacin sea cero ya que esto genera una corriente de oscuridad nula (1.26) parece que ya tenemos la solucin ideal aunque esto sera si el amplicador operacional lo fuera, pero no lo es, de hecho tiene unas corrientes de offset y una tensin de offset, en la hojas de caractersticas las podemos ver como

ambos valores son estimados, pero veamos cual sera la salida si tenemos en cuenta estas desviaciones de la idealidad, para ello en la gura 1.23 hemos puesto todas las corrientes y tensiones deseadas y no .. deseadas, incluyendo la corriente de oscuridad que ha vuelto a apararecer debido a
Rf

I+ Rc

If-I osc +I Vo

I If-I osc- Voff

Figura 1.23: Amplicador de transconductancia con todos los componentes no ideales.

la nica forma de reducir aqu la tensin no deseada es igualar las resistencias y de forma que la tensin debida a las corrientes se reduzca lo ms posible, ya que para grandes amplicaciones el trmino debido a las corrientes es el que ms afecta. 1.3.5.3 Ancho de banda

Una vez hemos conseguido un circuito que transforme linealmente la iluminacin en seal elctrica vamos a ver si cumple la caracterstica que se espera de un fotodiodo, es decir, velocidad. Vamos a ver el ancho de banda del circuito, para ello sustituimos el fotodiodo por su circuito equivalente que que no es ms que un condensador en paralelo con una fuente de corriente ( ) y un condensador (ZCE). Para efectos temporales el nico elemento de inters es el condensador. Veamos pues la respuesta temporal del circuito de la gura1.24 si tenemos en cuenta (a efectos de ancho de banda) que la variacin de tensin que ve el condensador es la tensin de salida dividido por la ganancia del operacional en lazo abierto que es

gz z

i A

g z e z ` c g A

La tensin resultante sera

i A

s b  tr w ' riQ  f c  ~ P ` ` c e i e 

(1.27) (1.28)

CAPTULO 1. SENSORES
Rf

26

Cfot Vo

+
Rc

Figura 1.24: Amplicador con el circuito equivalente del fotodiodo para efectos de clculo de ancho de banda. es el polo del operacional en lazo abierto, la ganancia en lazo abierto y el producto donde ganancia-ancho de banda del operacional, por tanto el condensador ve en paralelo con l una resistencia de valor

con lo que tenemos que la frecuencia de corte del amplicador es

es decir el punto medio (en escala logartmica) entre la frecuencia de ganancia unidad del operacional y la dada por . 1.3.5.4 Amplicador oscilante
Cf Rf

Cfot Vo

+
Rc

Figura 1.25: Amplicador compensado para evitar la oscilacin El amplicador de transimpedancia tiene un problema y es que oscila, debido a que se produce un desplazamiento de fase de -180o cuando la ganancia est por encima de la unidad. Fijemonos que hay un polo a bajas frecuencias debido al operacional y otro a la frecuencia , como un polo tarda dos decadas en desarrollar los -90o , -45o la decada anterior a y -45o en la posterior tenemos que en la frecuencia la fase habr cambiado -180o y como a partir de esa frecuencia la ganancia cae a razn de 40dB por dcada (hay dos polos) si era superior a 40dB (100) tenemos oscilacin.

z % g a z % Q z ~ z z g

g  

CAPTULO 1. SENSORES

27

Cmo evitarla? Para evitarla hemos de poner un cero que compense el desfase, el stio adecuado para ponerlo es en para que la fase no pase de -90o , as pues lo lgico ser situar un condensador en paralelo con y de valor tal que

as pues el circuito ideal nos quedara como en la gura 1.25.

1.4

Fototransistores

El fototransistor sigue el mismo principio de funcionamiento de la fotorresistencia o del fotodiodo, su peculiaridad consiste en su amplicacin de seal debido al efecto transistor, la fotogeneracin de portadores se realiza en la base, los smbolos con los que nos podemos encontrar un fototransistor podemos verlos en la gura1.26. Hay dos smbolos (en este caso para dispositivos npn, que son los normales)
C B E E C

Figura 1.26: Smbolos del fototransistor uno con terminal de base y el otro sin l, en el primer caso la corriente que entra por la base es la suma de la seal electrnica y la fotogenerada mientras que en el segundo caso slo podemos tener seal fotogenerada. Si nos olvidamos por un momento de la seal fotogenerada el comportamiento del dispositivo es exactamente igual que el del transistor convencional.

1.4.1

Circuitera para aplicacin mediante un fototransistor

El uso del fototransistor se puede dividir en dos grupos dependiendo de si el dispositivo tiene dos o tres terminales (gura 1.26). En el caso de que tenga tres terminales su uso ser idntico al de un transitor normal, con la nica diferencia de que la seal en lugar de venir dada de forma electrnica nos llega de forma fotnica. Si comparamos los circuitos de la gura 1.27 vemos que el primero tiene una corriente de base en pequea seal de (1.29) mientras que en el segundo viene dada por la fotocorriente, es decir por la irradiancia, si asumimos esto todos las conguraciones que conocemos para el transistor pueden extrapolarse para el fototransistor de tres terminales. Si slo disponemos de dos terminales la polarizacin del transistor viene forzada y entonces , esto nos puede incitar a pensar que no vamos a poder usar el transistor como amplicador, y de hecho para una alimentacin antisimtrica no podramos tener corrientes de pequea seal negativas ya que el transistor estar cortado. Si nos jamos un poco mejor veremos que esto no puede suceder, las fotocorrientes son siempre positivas, no podemos tener una seal senoidal alrededor de la de polarizacin

hi

C 9 r U z z c z  C z 9 Qx z A

g z %

g z

CAPTULO 1. SENSORES
Vcc R1 Rg Ci RC CL R1 Vcc RC CL

28

Vg

R2

RE

CE

RL

R2

RE

CE

RL

(a)

(b)

Figura 1.27: Circuitos con la misma funcionalidad con (a) un transistor convencional y (b) un fototransistor. ya que podemos tener ms o menos iluminacin aunque nunca iluminacin negativa. Lo que si podremos vendr dada tener es seal senoidales sobre un nivel de contnua (ambos fotnicos) y entonces la por la iluminacin media del sistema.

1.4.2

Caractersticas tcnicas

En este apartado vamos a describir y explicar los detalles especcos del fototransistor (respecto al transistor) con los que nos encontraremos en una hoja de caractersticas. Por ejemplo cogeremos el fototransistor PT481F de Sharp que es el que tenemos en el laboratorio. 1.4.2.1 Caractersticas estticas

Mxima potencia disipada El transitor no debe superar una potencia mxima para evitar daarse, el daado se produce al superarse una mxima temperatura en las uniones, siendo la daada en este caso la tensin colectro-base ya que es la que ms potencia soporta (su tensin es mayor que la de emisorbase). La temperatura mxima se compone de dos trminos, la temperatura ambiente y el incremento de temperatura producida por la disipacin, como nosotros no podemos medir la temperatura interna del dispositivo jamos unos mximos de disipacin, que como es lgico dependern de la temperatura ambiente, ya que ser necesario una elevacin menor de temperatura debida a la disipacin cuanto ms alta sea la temperatura externa. Para el dispositivo elegido podemos ver esta grca de comportamiento en la gura 1.28a Corriente de colector de oscuridad. En todo dispositivo sensor hay una cantidad de seal que no es generada por fotones sino que aparece por efectos electrnicos internos del dispositivo, pero es importante conocer su magnitud para poder saber la abilidad de la seal nal que se obtenga. En la gura 1.28b podemos ver un ejemplo de una curva de la corriente de colector de oscuridad frente a la temperatura, estamos hablando de corrientes del orden entre picoamperios y miliamperios dependiendo de la temperatura. Hemos de tener en cuenta que no podremos aceptar como seales correctas aquellas que sean del orden (en este dispositivos en particular) del que aparece en la gura Variacin de la corriente de colector con la temperatura ambiente La corriente fotogenerada depende de la temperatura principalmente cuando la irradiancia es baja. Debemos recordar que la gen-

CAPTULO 1. SENSORES
Corriente de colector de oscuridad(A) 80 Maxima potencia permitida Pc(mW) 70 60 50 40 30 20 10 0 -25 0 25 50 75 Temperatura ambiente (C) 100 10-4 10-5 10-6 10-7 10-8 10-9
3 V =20V CE 3 3 3 3 3 3 3

29

10-10 10-11

10-12 -25

25 50 75 Temperatura (C)

100

(a)

(b)

Figura 1.28: (a) Mxima potencia disipada permitida en la unin base-colector. (b) Evolucin de la corriente de colector de oscuridad frente a la temperatura. eracin de portadores espontnea depende de la temperatura y que no depende de la temperatura, por ello debemos tener principal cuidado cuando trabajemos con bajos niveles de seal ya que la seal puede variar mucho dependiendo de la temperatura ambiente tal y como podemos apreciar en la gura 1.29a
175 Corriente de colector relativa (%) 150 125 100 75 50 -25
V =2V CE

Corriente de colector (mA)

E e =0.1mW/cm 2

100 80 V =2V CE 50 Ta =25C 30 20 10 8 5 3 2 1 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 Irradiancia E (mW/cm2) 0.5 1

25 50 75 Temperatura (C)

100

(a)

(b)

Figura 1.29: (a) Evolucin de la corriente de colector frente a la temperatura para bajos niveles de irradiacin. (b) Corriente de colector frente a la irradiancia

Corriente de colector frente a la irradiancia. El dato interesante ser que corriente generara el dispositivo cuando una determinada cantidad de luz incida sobre l, este dato lo tenemos en la gura 1.29b si comparamos con la gura 1.29a podemos ver que para una irradiancia de 0.04 la seal sugo C lo cual nos iere ser del orden de la magnitud la corriente de oscuridad para una temperatura de 100 indica que no seran vlidas las medidas tomadas.

G# "

CAPTULO 1. SENSORES

30

Corriente de colector frente a tensin colector-emisor Esta familia de curvas que podemos ver en la gura 1.30a son iguales a las un transistor normal salvo que cada curva lleva asociada una irradiancia en lugar de una corriente de base.
16 T=25C Corriente de colector IC(mA) 14 12 10 8 6 4 2 0 0 2 0.06mW/cm2 0.02mW/cm2 4 6 8 10 12 Tension colector-emisor(VCE ) (a) 14 0.1mW/cm 2 Intensidad relativa (%) 0.15mW/cm2 80 60 40 20 0 400 0.2mW/cm 2 100 T=25C

600 800 1000 Longitud de onda (nm ) (b)

1200

Figura 1.30: (a) Curvas de la corriente de colector frente a la tensin colector-emisor. (b) Sensibilidad espectral del fototransistor PT430

Sensibilidad espectral Como en todo sensor fotnico un parmetro fundamental es la respuesta relativa del dispositivo a distintas longitudes de onda, en este caso podemos ver en la gura 1.30b que la mxima sensibilidad se produce a los 860nm (esta cifra tambin las da el fabricante de forma numrica) y el rango til se extiende desde los 700 hasta los 1100nm Diagrama de sensibilidad angular Otro parmetro importante es la sensibilidad angular, esta caracterstica nos da informacin acerca de respuesta a frente a excitaciones dependiendo de la direccin de la que llega la escitacin, si nos jamos en la curva 1.31a podemos ver que la mxima respuesta se da para iluminacin frontal y que la respuesta se reduce a la mitad para un ngulo de 12o y a tan slo un 10% para un ngulo de 20o . Este sera un fototransistor de ngulo de aceptacin estrecho, por contraposicin podemos encontrarlos que tengan una respuesta del 50% para un ngulo de recepcin de 60%. Seal relativa frente a distancia Por ltimo los fabricantes suelen ofrecer para cada detector un emisor que es el ms conveniente, de forma que para determinadas aplicaciones el uso del uno implica usar tambin el otro, en este caso podemos ver para esta pareja de dispositivos cual sera la respuesta relativa frente a la distancia para nuestro fototransistor para una excitacin ja del emisor. Podemos ver en la gura 1.31b que el incremento de distancia baja mucho la respuesta y que para una distncia de 50mm tenemos ya tan slo un 1% de la respuesta para los dos dispositivos pegados. Ms adelante cuando estudiemos las aplicaciones veremos que esta disminucin dela seal obliga a sistemas de recepcin que sean capaces de separar la seal de inters de seales espreas. Otro detalle de inters en esta grca es que no se cumple la norma de que un incremento de distancia d debera decrementar la seal en un factor ya que la emisin no es istropa sino direccional. Adems de las caractersticas reseadas nos encontraremos con todas las de una transistor normal.

CAPTULO 1. SENSORES
-20 -30 Sensibilidad relativa (%) 80 20 Salida relativa (%) 60 40 20 +40 +50 +60 +70 +80 +90 10 5 2 1 0.5 0.1 0.5 1 5 10 Distancia al emisor (mm) (b) 50 -10 0 +10 100 +20 +30 100 50

31

-40 -50 -60 -70 -80 -90

Desplazamiento angular (a)

Figura 1.31: Respuesta relativa del fotodetector a: (a) Irradiaciones iguales llegadas desde distintos ngulos. (b) Distancia del fotoemisor

1.5

Comparacin entre los dispositivos sensores

Una vez desarrollados los distintos dispositivos vamos a ver las ventajas e inconvenientes de cada uno en la tabla 1.1 para poder escoger una vez establecida la aplicacin Fotosensor Fotorresistencias Fotodiodos Clulas solares Fototransistor Fotodarlington Ventajas Gran sensibilidad radiante. Responden al espectro visible. Respuesta rpida.Dependencia lineal con la irradiacin.Ancho margn de respuestaespectral. No necesitan tensin de polarizacin.Se usan para la generacin de potencia. Fotocorriente elevada. Gran ganancia de corriente. Tabla 1.1: Comparacin entre dispositvos sensores

Elevad

1.6

Circuitos Integrados Optoelectrnicos (OPICs)

Los dispositivos que hemos visto hasta ahora son discretos, sin embargo, podemos encontrar en un slo integrado una aplicacin, por ejemplo un fotodiodo con un amplicador compensado para obtener directamente tensin a partir de luz o un sensor con una bscula Schimtt-Trigger que permita difernciar entre niveles lgicos pticos, etc. Vamos a dar algunos ejemplos prcticos y a analizar sus caractersticas fundamentales.

1.6.1

TSL260

Captulo 2

Emisores
Consideraremos emisores optoelectrnicos todos aquellos que son capaces de convertir energa elctrica en luz, y analizaremos tres tipos de emisores aunque nos centraremos especialmente en unos. Estudiaremos con profundidad los emisores electroluminiscentes (LEDs y lseres) y describiremos someramente los termoluminiscentes (bombillas) y los basados en plasma (halgenos).

2.1
2.1.1

Diodos electroluminiscentes (LEDs)

Introduccin

La emisin de un fotn en un semiconductor se produce cuando un electrn se recombina con un hueco, el fotn emitido tendr la energa resultante de la diferencia entre los niveles inicial y nal del electrn (gura 2.1b). Este proceso es el inverso que ocurre cuando se produce la absorcin de un fotn en un fotodiodo, donde la energa de un fotn se utiliza para generar un par electrn-hueco (gura 2.1a). Para
-

(a)

(b)

Figura 2.1: (a) Generacin de un par electrn-hueco por la absorcin de un fotn de energa superior a (b) Emisin de un fotn por recombinacin de un par electrn-hueco de forma radiativa. que un electrn se encuentre con un hueco deberemos tener electrones en la banda de conduccin y huecos en la banda de valencia cuando la situacin en reposo es que los electrones estn en la banda de valencia y los huecos en la de conduccin (mnima energa). Para tener electrones en abundancia en la banda de conduccin deberemos tener un material n, pero en este caso la banda de valencia estar tambin repleta de electrones y por tanto no hay huecos para recombinarse, igualmente si encontramos un nmero apreciable de huecos en la banda de valencia es que tenemos un material p y por tanto la banda de conduccin estar llena de huecos y tampoco habr un gran nmero de recombinaciones. Por ello parece lgico que la forma de conseguir recombinaciones de manera fcil es inyectar electrones en 32

CAPTULO 2. EMISORES

33

un material p o huecos en un material n. La nica forma de conseguir ambas cosas es mediante una unin pn. En la gura 3.1.3a tenemos una unin pn en equilibrio, si la polarizamos en directa (g.3.1.3b) tenemos que los huecos de la zona p pueden entrar en la zona n y los electrones de la zona n entrar en la zona p y se producen recombinaciones. No hemos descubierto nada nuevo, es el modo de operacin normal de cualquier diodo, hemos utilizado diodos algunas veces en prcticas de laboratorio y nunca los hemos visto lucir. Por qu? Hay mucha formas de que se produzca una recombinacin de un electrn
Zona p
-

Zona n Ec
-

Zona p
-

Zona n Ec
-

Efn
+ + + + + + + + +

Ef
+

Efp
+ + + + + + +

Ev ZCE

Ev ZCE

(a)

(b)

Figura 2.2: (a) Unin pn en equilibrio, los electrones y los huecos no pueden desplazarse ya que tienen barrera que se lo impiden (b) Unin pn polarizada positivamente, las barreras han bajado y ahora los electrones se mueven de n a p y los huecos de p a n cuando llegan la la zona contraria se puede producir una recombinacin. con un hueco y no todas las veces la energa generada con el cambio de nivel se utiliza para la emisin de un fotn, puede perderse en calor, a las recombinaciones que produzcan un fotn las llamaremos radiativas y a las que no pues no radiativas (ingenioso eh!). Nos encontraremos con materiales cuya probabilidad de tener transiciones (otra forma de llamar a las recombinaciones) radiativas es mayor que en otros. Podremos deducir que el Silicio es de los que sus transiciones son principalmente no radiativas mientras que en otros como el GaAs (Arseniuro de Galio) sern radiativas. Esta diferencia es debida a un factor que hasta ahora no hemos tenido en cuenta y es que la representacin que hemos hecho de las bandas de conduccin y valencia pertenecen al espacio real, pero hay otra forma de representarlas y es en el espacio recproco. Este no es un curso de fsica del estado slido as que no vamos a describir este fenmeno slo diremos que a los materiales que no emiten se les llama de Gap directo y a los que no de gap indirecto. Entre los primeros se encuentra en GaAs y entre los segundos el Si. 2.1.1.1 Eciencia interna

Hemos conseguido separar materiales que pueden utilizarse como emisores de luz y otros que no, dentro de los que pueden emitir nos encontramos que por desgracia no todas las recombinaciones van a ser radiativas ya que an nos encontramos son una descripcin demasiado ideal, no vamos a profundizar ms en los motivos para que una transicin sea o no radiativa pero si vamos a evaluar sus consecuencias y las vamos a utilizar para el clculo de la eciencia de un diodo emisor de luz (LED). Deniremos eciencia interna como: (2.1)

"  " ' ' F

CAPTULO 2. EMISORES

34

donde es la densidad volmica y el nmero de fotones generados en el interior del semiconductor, j es la densidad supercial de corriente que al ser dividida por d (espesor del diodo) y por e (carga elctrica del electrn) nos da la densidad volmica de electrones inyectados en el LED por unidad de tiempo. El lado derecho de la frmula utiliza nmero en lugar de densidad y por tanto obtenemos una igualdad. Tambin podemos denirla como: (2.2) aqu es la densidad de recombinaciones radiativas por unidad de tiempo en el material y la densidad total de recombinaciones tambin por unidad de tiempo, y ya que la densidad de recombinaciones de cualquier tipo viene dada por

con lo que a partir de parmetros del semiconductor como son los tiempos de vida para recombinaciones radiativas y no radiativas podemos obtener la eciencia para emisin de luz ? Podemos evaluarlas a partir de los datos de tiempo de De que orden de magnitud son las recombinacin para varios semiconductores, veamos algunos ejemplos para Si, Ge y GaAs con dopados de10 cm a una temperatura de 300K. Semiconductor Si Ge GaAs 2.1.1.2

Potencia interna

Una vez visto la relacin entre la para la potencia interna emitida (

es decir, el nmero de fotones emitidos por la energa de cada fotn individual, si suponemos que el LED emite a una nica longitud de onda (es una simplicacin) la energa de cada fotn podremos extraerla de su frecuencia o de su longitud de onda

con lo cual tenemos que la potencia emitida internamente por el LED es directamente proporcional a la corriente que lo atraviesa. Esta es una de las caractersticas ms importantes de un LED y nos indica que la excitacin debe realizarse mediante corriente en lugar de mediante tensin para poder modular correctamente la seal de salida.

F F F F    $ n` pa  $ n`   `    $ n` pD $ n`     n`        $ n` pa $ `   F F F GYV GYV GYV " " " F c " " F GYVc s GYV F

y los tiempos de recombinacin podemos desarrollar una frmula (2.5)

&    e &   'F ' F F

siendo que

el incremento de la densidad de portadores y podemos obtener que

el tiempo de vida de estos portadores, y ya

s F V

F c V s

` 9

(2.3)

(2.4)

(2.6)

CAPTULO 2. EMISORES
2.1.1.3 Distribucin angular y potencia externa

35

Preguntmonos ahora acerca de la distribucin angular de los fotones fuera del emisor. En el interior los fotones son emitidos uniformemente en todas direcciones, como podemos ver en la gura 2.3, si recordamos las leyes de la refraccin para un rayo de luz que pasa de un medio de mayor ndice de refraccin a uno de menor tenemos que hay un ngulo lmite a partir del cual hay reexin total. Esto nos lleva a dos hechos: el primero es que la luz tendr una mayor intensidad segn el vector normal a la supercie e ir disminuyendo para vectores con mayor ngulo, el segundo es que parte de la luz no lograr salir del semiconductor resultando en que la potencia externa es menor que la generada internamente.
Zona n Zona p

+ + + + +

ZCE

Figura 2.3: Emisin omnidireccional de fotones en el interior de un diodo electroluminiscente. La distribucin angular de la luz emitida no es igual para todos los emisores, para los ms simples en cuanto a su fabricacin esta es Lambertiana, es decir, la densidad de luz emitida en funcin del ngulo es , para este tipo de emisin que podemos ver en la gura 2.4a la emisin se reduce al 50%, es decir, la apertura angular es de 120o (60o a cada lado de la normal). Hay emisores con una apertura menor como podemos ver en la gura 2.4b. Esta apertura ser importante cuando intentemos enfocar la luz mediante una lente ya que slo podremos aprovechar la luz hasta un ngulo determinado y el resto se perder.

Sensibilidad relativa (%)

Sensibilidad relativa (%)

Figura 2.4: Espectros de emisin de diferentes dispositivos (a) Lambertiano (b) Emisin direccional Siguiendo con el tema tenemos que la potencia externa ser menor que la interna segn la siguiente

p!ww
-20 -30 -40 -50 -60 -70 -80 -90

-10

+10 100

+20 +30 -30

-20

-10

+10 100

+20 +30

80 60 40 20 +40 +50 +60 +70 +80 +90 -40 -50 -60 -70 -80 -90

80 60 40 20 +40 +50 +60 +70 +80 +90

Desplazamiento angular (a)

Desplazamiento angular (a)

CAPTULO 2. EMISORES
relacin

36

donde F es la transmitividad desde el emisor hasta el medio y es una funcin de los ndices de refraccin de ambos o tambin de la reectividad R

Ejemplo

Intentamos enfocar la salida de luz de un emisor LED a travs de una lente, si tenemos , que el emisor tiene un ndice de refraccin de 3.6, que la luz en cuenta que es emitida de forma Lambertiana y que el ngulo slido que recoge la lente es de . Calcular: la eciencia interna, la eciencia externa y cuantos electrones inyectados en el LED se convierten en fotones enfocados por la lente. 1. 2.

tenemos como resultado que la eciencia nal es de tan slo un 0.1%. 2.1.1.4 Ancho de banda espectral

Deniremos como ancho de banda espectral la diferencia en longitud de onda entre los dos puntos en los que la amplitud de la seal ha caido hasta un 50%. El GaAs que tiene el pico de emisin en 870nm tiene un ancho de banda entre 20 y 40nm, dependiendo del tipo de LED. A qu es debido este ancho de banda? Por qu no todos los fotones son emitidos con la energa (equivale a longitud de onda) del acho de banda prohibida del material. La respuesta podemos obtenerla si analizamos cuales son las posibles transiciones en un semiconductor, veamos algunas de ellas, las ms interesantes para nosotros. En la gura 2.5 podemos ver las posibles transiciones Dentro de ellas algunas sern radiativas y otras no y adems vemos que para cada una la energa liberada es distinta por tanto los fotones emitidos sern distintos. Como punto en que la probabilidad de emisin es mayor tenemos la transicin banda-banda, pero tenemos longitudes de onda mayores (energas menores) como las emisiones desde o hasta los centros donores o aceptores y tambin longitudes de onda menores como en las que intervienen los portadores calientes (sobre-excitados). Una vez ya podemos comprender el motivo para una emisin distinta de la monocromtica surge una nueva duda. Si generamos luz cuya energa es la del ancho de banda prohibida, Por qu esta luz no es absorbida en el mismo semiconductor por el mismo principio por el que funciona un fotodiodo? En realidad si

3.

 "

 q j b C q C j W h bC C

 `  r h! ! q j r h ! ql" j C qj q 9 C Cj ` 9 qlj W S!q j q C C j r h! b qj qj W w b qj qj W u r h! b e b `e  `   9 e e C 9 9 w } F ` F  F  F e C F F F } F v r e  p }   rC C r F

e V V V V c w  {z  x

V r V a l b C  C  F } x

(2.7)

(2.8)

CAPTULO 2. EMISORES
-

37

+ + + + +

(a) (b) (c) (d) (e) (f)

Figura 2.5: Posibles transiciones en un semiconductor (a) electrn relajado- hueco relajado (bandabanda); (b) electrn caliente-hueco relajado; (c) electrn relajado-hueco caliente; (d) nivel donor-hueco; (e) electrn-nivel aceptor; (f) nivel donor-nivel aceptor que se absorbe parte de la luz, pero si nos jamos en la gura 2.2 en la que se representa una unin pn veremos que si el dopado es alto la parte inferior de la banda de conduccin en la zona n est poblada de electrones y la parte superiorde la banda de valencia en la zona p est poblada de huecos con lo que no hay posibilidad de absorcin banda a banda slo sern absorbidos aquellos fotones con energa algo mayor que la de la banda prohibida, de esta forma una gran parte del espectro de emisin no se ver afectado. 2.1.1.5 Longitud de onda de emisin.

Ya hemos dado un repaso algunas de las caractersticas del LED, nos quedara dentro de la distribucin espectral el punto de mxima emisin. Por lo que conocemos del funcionamiento de los emisores electroluminiscentes el punto terico de emisin debera venir jado por el ancho de banda prohibida, si pudisemos modicar ste a voluntad podramos construir LEDs que emitiern en la longitud de onda que desearamos. En la gura 2.6 se representa el ancho de banda prohibida (o longitud de onda para esa energa) frente al tamao de la red cristalina (separacin media entre tomos en el material, este dato lo utilizaremos ms adelante). Podemos apreciar que se representan gran cantidad de semiconductores, entre ellos el Si, el Ge y el GaAs a los que ya hemos aludido anteriormente, adems nos encontramos con todas las posibles combinaciones (tabla 2.1) entre los tres elementos del grupo III (Al, Ga, In) en negrita y los tres elementos del grupo V tambin en negrita, estas combinaciones nos dan lugar a 9 posibles comB Al Ga In Tl C Si Ge Sn Pb N P As Sb Bi

Tabla 2.1: Tabla peridica de los elementos incluyendo las columnas

puestos binarios. Todos estos semiconductores pueden encontrarse en la gura y podemos ver que tienen anchos de banda prohibida distintos, a su vez estos elementos estn unidos por lneas que representan compuestos ternarios, ejemplo, entre el GaAs y el AlAs nos encontramos con una lnea que representa

d pd d C 9
, y

CAPTULO 2. EMISORES
3.0
ZnSe AlP AlAs GaP

38

Ancho de banda prohibida (eV)

CdS

2.0
AlSb GaAs Si InP Ge CdTe

1.0
GaSb

InAs

InSb HgTe

5.4

5.6

6.2 6.0 5.8 Constante de red (A)

6.4

6.6

Figura 2.6: Representacin de los semiconductores ms conocidos mostrando la energa de su banda prohibida frente a la separacin entre tomos. el compuesto , donde x puede variar entre 0 y 1. Los caso extremos son GaAs para x=0 y AlAs para x=1, en cualquier punto intermedio nos encontraremos con el compuesto ternario que tendr un ancho de banda prohibida que podemos calcular aproximadamente como:

(el clculo no es tan simple para otros ternarios como el como podemos observar en la grca), con ello vemos que podemos recorrer la zona de anchos de banda prohibida situada entre ambos, si hacemos una extrapolacin para el vemos que podemos barrer desde el AlAs hasta el InAs una zona que va desde los 600nm hasta los o incluso hasta los si incluimos al InSb. Como conclusin podemos extraer que se pueden fabricar emisores de luz con emisin mxima controlable a voluntad en un amplio rango de longitudes de onda. Ejemplo Cul ser la longitud de onda de emisin para un LED de GaAs? Solucin: A partir de la grca 2.6 trazamos una lnea horizontal y vemos donde corta en el eje y, esa ser bien la energa de la bandaprohibida (eje izquierdo) o la longitud de onda para un fotn con esa energa (eje derecho) Ejemplo De qu material tendra que ser un LED que emitiera en el amarillo (550nm)? Solucin: Trazando una lnea en la gura 2.6 vemos que nos corta en la lnea que une el AlP y el GaP, as que el material deber ser
 

w% 4

w 4 $ P `9 V y ~ ` $ V 9 P    u c u DQ u
  !  $ " %#   

` y 9 ~ P

 

 

  

$ ` P 9y ~ P
 

(2.9)

CAPTULO 2. EMISORES

39

2.1.2

Caractersticas tcnicas

Si olvidamos la conguracin externa y el encapsulado los detalles de funcionamiento de mayor inters para la utilizacin de LEDs son

2.1.2.1

Para los LEDs que emiten en en el visible, el color percibido por el ojo humano depende del espectro de emisin aunque no tiene porque haber una dependencia directa, de hecho nos encontramos con dos parmetros: Longitud de onda de pico

Longitud de onda dominante , que est relacionada con el color captado por el ojo humano, como dijimos previamente no tiene porque coincidr con . As que dos emisores con distinta pueden tener aparentemente el mismo color.

En la gura 2.7a podemos ver el espectro de emisin de cinco LEDs distintos, de menor a mayor longitud de onda tenemos un LED azul (poner ref), verde (HLMP3950), amarillo (HLMP3850), rojo (HLMP3750) e infrarrojo (GL480)
Amarillo Azul Verde Rojo Infrarrojo

100 80 60 40 20 0

T=25C

100 80 60 40 20 0 0
Infrarrojo

T=25C

Intensidad relativa (%)

Corriente directa (mA)

Amarillo Rojo

Verde

Azul

400 600 800 1000 Longitud de onda (nm ) (a)

1 2 3 Tension directa (V) (b)

Figura 2.7: Caractersticas de cinco LEDs (a) Espectro de emisin (b) Curvas I-V

g&

g&

b&

g&

3 3 3 3 3 3

Potencia ptica y espectro de emisin Caracterstica tensin-corriente. Comportamiento en rgimen no contnuo Inuencia con la temperatura Potencia ptica y espectro de emisin

, que es la que corresponde a la intensidad mxima de emisin

CAPTULO 2. EMISORES
2.1.2.2 Caracterstica tensin-corriente

40

Est caracterstica tiene la misma forma que cualquier diodo, ya sea un diodo recticador, un fotodiodo, un LED o incluso un lser, podemos verla en la gura 1.16, las diferencias entre los distintos componentes estarn en la pendiente de la curva en directa (que tiene que ver con la resistencia serie del dispositivo), la tensin de ruptura en inversa y la tensin umbral para la que la conduccin se hace importante. Si analizamos slo los LEDs nos encontramos que la principal diferencia entre ellos es la tensin umbral, esto es debido a que como vimos en el apartado 2.1.1.5 la longiutd de onda de emisin depende directamente de la anchura de la zanda prohibida del dispositivo y esta va a ser tambin la que nos je cuanta tensin de directa hay que poner para que las bandas de conduccin de la zona p y n se acerquen lo suciente para que empiece la conduccin. De esto podremos deducir que cuanto mayor sea la longitud de onda de emisin mayor ser la tensin umbral. En la gura 2.7b tenemos las curvas I-V de los mismo cinco LEDs de los que se represento su espectro de emisin, podemos apreciar que la tensin umbral crece cuando la longitud de onda decrece, es decir, cuando crece la energa de los fotones emitidos (mayor ancho de banda prohibido). La curva tensin- corriente habr que tenerla muy en cuenta cuando diseemos un circuito ya que estamos acostumbrados a decir que en un diodo en directa caen 0.7V y vemos que esto no es cierto para los LED ya que no son de Si, al contrario que la mayoria de los diodos recticadores. 2.1.2.3 Mxima potencia disipable

Como en cualquier dispositivo hay una mxima potencia que se puede disipar en su interior, en el caso de los LEDs se especica una mxima corriente para evitar que la temperatura interna supere un cierto valor. En el caso de los LEDs el funcionamiento puede ser pulsado, por contraposicin a funcionamiento en contnua y esa mxima corriente puede aumentar respecto a la que el fabricante nos da dependiendo tanto de la fraccin temporal en la que el LED est emitiendo como del periodo absoluto de esta emisin, en la gura se aprecia esta caracterstica, vemos que para una determinada anchura de pulso la corriente
6 Relacion entre corriente de pico y correinte media maxima 5 4 3
10KHz 300 Hz 30 KHz 1 KHz 100 KHz 3 KHz 100 Hz

1 100

101 102 103 Duracion del pulso en s

104

Figura 2.8: Mxima corriente de pico en funcin de la duracin del pulso y de la frecuencia. mxima disminuye cuando aumenta la frecuencia ya que el periodo til llega a un valor crtico.

CAPTULO 2. EMISORES
2.1.2.4 Emisin en funcin de la excitacin

41

En la explicacin terica del funcionamiento del LED dedujimos que la intensidad luminosa emitida era proporcional a la corriente directa, sin embargo esto deja de ser cierto cuando trabajando en rgimen de pulsos sobrepasamos la corriente media recomendada, ambos detalles pueden apreciarse en la gura 2.9.
3.0 Intensidad luminoso relativa 2.5 Eficiencia relativa 5 15 25 10 20 Corriente continua media (mA) (a) 30 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 1.5 1.4 1.3 1.2 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Corriente de pico (mA) (b)

Figura 2.9: (a) Luminosidad relativa a la corriente media (b) Eciencia relativa a la corriente de pico

2.1.3

Cmo se usa un LED?

En esta seccin describiremos unos pocos circuitos para LEDs, lo primero que habremos de tener en cuenta es la limitacin de corriente para no daar el LED y su curva tensin -corriente que nos informa de la tensin que caer en bornas del dispositivo par la corriente deseada. Para limitar la corriente que pasar por un LED de forma rpida y sin jarnos en la curva I-V el mejor sistema con emisin contnua ser el que se ve en la gura 2.10a para determinar el valor de la resistencia aplicaremos la frmula siguiente

recordemos que no es 0.7V como en los diodos recticadores ino que depende de la longitud de onda de emisin y que por tanto deberemos mirar las hojas de caractersticas, de todas formas muchas veces tan slo deseamos saber si un LED funciona o no, para ello unos valores siempre vlidos seran: =6V y =220. Excitacin de un LED en circuitos lgicos Veamos un par de ejemplos para integrados TTL y CMOS. El primer circuito (gura 2.10b) exige que el integrado sea capaz de drenar la corriente que necesita el LED y esto slo es posible a nivel bajo que es donde la corriente en un integrado es alta, sin embargo tanto para salidas CMOS como en las TTL a nivel alto la corriente no es lo sucientemente alta como para excitar un LED y hay que recurrir a amplicacin, un circuito ejemplo es el de la gura 2.10c,

b b A F A @z
 

(2.10)

b A


@z

F A

CAPTULO 2. EMISORES
Vin Rs Iled Vled IN Enable Vin Rs IN Enable Vin Rc

42

Rb

(a)

(b)

(c)

Figura 2.10: Circuitos para excitar un LED con limitacin de corriente mxima. ja junto con y la corriente, mientras que donde la resistencia por si cometemos un error en el diseo del resto del circuito.

Control de corriente en LEDs En los circuitos anteriores no hemos controlado la corriente en el LED tan slo la hemos limitado, si deseamos que la corriente que atraviese el LED sea proporcional a la tensin con la que deseamos excitarlo podemos llevarlo a cabo con cualquiera de los circuitos de la gura 2.11 en ambos casos la corriente que excita el LED es

R1 Vin Rin Iled

+
Vin R2 Iled Rin

Rin

(a)

(b)

Figura 2.11: Circuitos de control lineal de la corriente de excitacin a partir de tensin.

en el primer circuito es muy simple gracias al cortocircuito virtual, pero tiene un problema y es que si es negativa obligaremos a pasar corriente en inversa por el LED lo que no es aconsejable. En el segundo caso la situacin parece un poco ms compleja pero es fcil de analizar, si el diodo recticador est polarizado en directa la tensin en el emisor del transistor ser

y como las tensiones del diodo y de la unin base-emisor ser prcticamente iguales tenemos que (2.13)

gz

F A A A b A c F A A

Fz F A Db

b A A


Uz

limita la corriente mxiam

(2.11)

F A

(2.12)

CAPTULO 2. EMISORES

43

y por tanto ya tenemos la ecuacin ??, la ventaja de este circuito respecto al anterior es que no podemos hacer pasar corriente en inversa a travs del LED y que nos sirve como resitencia limitadora ya que para una corriente demasiado alta el transitor se saturar y por tanto la corriente por el LED no podr elevarse.

2.2
2.2.1

Fundamentos del lser

Introduccin

En los fotones emitidos en un LED no hay ninguna relacin entre ellos, cada uno se emite sin correlacin alguna con los parmetros de los otros, cada uno tiene su energa su direccin y sentido y su fase independientemente de los parmetros de los dems fotones, sin embargo en un lser vamos a tener emisin coherente y en sta cuando un totn se emite tiene una correlacin muy fuerte con los dems en todos los parmetros que se acaban de citar. A qu es debido esto? Se debe a lo que se llama emisin estimulada. 2.2.1.1 Diferencia entre la emisin estimulada y espontnea

El descubrimiento de la emisin estimulada es otro de los hallazgos que le debemos a Albert Einstein, l describi una nueva posibilidad a la interaccin entre un fotn y un par electrn-hueco (gura 2.12) que se aade a las dos ya descritas (g 2.1) con anterioridad. Esta nueva interaccin consiste en que un fotn
-

Figura 2.12: Emisin estimulada de un fotn estimula a un electrn situado en la banda de conduccin para que se recombine con un hueco emitiendo un fotn con la misma energa, direccin, sentido y fase que el fotn que le estimulo. Ahora tenemos que en cualquier emisin en un semiconductor tendremos emisin espontnea y estimulada Cal predomina? Evidentemente la espontnea, porque sino no tendramos que molestarnos en fabricar lseres, ya estaran hechos. Ya que la respuesta es que predomina la emisin espontnea un dato interesante sera ver que relacin hay entre el nmero de los fotones emitidos de cada tipo. Tambin debemos a Eistein la frmula para obtener esta relacin, si denominamos al nmero de fotones generados por emisin espontnea y al de generados estimuladamente tenemos que:

Calcular la relacinentre y para fotones con una longitud de onda de 900nm en un emisor a una temperatura de 300K.

como podemos comprobar no es muy probable la emisin estimulada

7 5 4 86

3 '0 2

n` p ia% ` p       & e U2   p U `  C  d g

Ejemplo

e2 d g d '

Fz

) ( 0&

) ( & 0'

(2.14)

CAPTULO 2. EMISORES
2.2.1.2 Ecuacin de equilibrio en un emisor ptico

44

En un emisor vamos a tener los tres procesos de interaccin entre fotones y pares electrn-hueco de los que ya hemos hablado, es decir, absorcin, emisin espontnea y estimulada de forma que en regimen permanente tengamos el mismo nmero de absorciones que de emisiones y el nmero de portadores quede constante (Fotones absorbidos)= (Fotones espontneos)+ (Fotones estimulados) donde , y siendo la densidad de electrones existentes en la banda de valencia, en la banda de conduccin y la densidad de fotones, en estas condiciones nunca se podr conseguir radiacin estmulada ya que los fotones se pierden por absorcin en lugar de utilizarse para generar otros fotones de forma estimulada. P RIMERA CONDICIN para conseguir emisin lser, salirnos del equilibrio ya que tenemos que eliminar la absorcin de los fotones y para ello tendremos que disminuirla cantidad de electrones que hay en la banda de valencia (parece simple, tan slo hay que tener un semiconductor p) y a la vez incrementar el nmero de fotones estimulados y para ello hay que incrementar el nmero de electrones en la banda de conduccin. Parece que las dos condiciones que sera fcil conseguirlas por separado va a ser complicado ponerlas juntas, pero vamos a intentarlo. Volvamos a nuestra querida unin p-n, cuando est en directa tenemos que la zona de carga de espacio disminuye ya que la barrera de potencial entre las dos zonas disminuye, esto permite que las zonas p y n se acerquen. Si incrementamos el dopado de las dos zonas de forma que el nivel de Fermi de la zona n est por encima de la banda de conduccin y el de la zona p por debajo de la banda de valencia tambin y debido al incremento de carga voy a disminuir la zona de carga de espacio de forma que va a haber una zona que cuando yo ponga el diodo en directa en que la banda de conduccin est repleta de electrones y la de valencia de huecos. Esto es lo que se llama inversin de poblacin y con ello conseguimos nuestro primer objetivo. Pero an no hemos conseguido nuestro objetivo nal porque aunque hemos eliminado la absorcin seguimos teniendo emisin espontnea y hemos visto que es mucho ms probable que la estimulada. S EGUNDA CONDICIN, hemos de conseguir que haya una amplicacin interna selectiva en el lser de forma que slo aquellos fotones que nos interesen se autoestimulen y los que no que desaparezcan, bueno el concepto no parece muy claro pero vamos a intentar aclararlo. Imaginemos una cavidad ptica terminada en dos espejos paralelos entre si de modo que los fotones sean reejados y vuelvan hacia atrs, pero no todos, slo aquellos que vayan perpendiculares al espejo por que los que no se saldrn de la cavidad cuando reboten, slo quedarn dentro los perpendiculares. Pensemos ahora en que los fotones son ondas (realmente lo son) y que por tanto en el interior de la cavidad habr interferencias, tan slo aquellas ondas que generen una interferencia construtiva permanecern en la cavidad, las que no se autodestruirn. Qu fotones tendrn interferencia constructiva? Aquellos que en todos sus trayectos de ida y vuelta al pasar por el mismo sitio en el mismo sentido tengan la misma fase, esto implica que un nmero entero de longitudes de onda del fotn tienen que caber en un camino completo. Si analizamos la cavidad de la gura tenemos que:
F C GA9 V T WUR X X Y4 q i rp3 a T R UU`P GC F g hf R 9 D C EA9 D c b a T R eC dUU`P D EC a UT R 9 X Y4 V T R WUSQIH9 P B @ B @ A9

(2.15)

donde q es un nmero entero, n es el ndice de refraccin del medio y L es la longitud de la cavidad. La frmula obtenida nos servira para ms cosas en un futuro pero de momento podemos extraer como consecuencia que no todas las longitudes de onda van a tener una interferencia constructiva, slo las que cumplan con la ecuacin planteada van a poder automantenerse en el interior de la cavidad resonante. Supongamos ahora que se cumplen nuestras dos condiciones anteriores, es decir, la inversin de poblacin y la existencia de una cavidad ptica.

CAPTULO 2. EMISORES

45

Qu ocurre en el interior del lser? Por un lado tenemos un incremento en el nmero de fotones debido a la emisin estimulada de aquellos fotones que permanezcan en el interior de la cavidad (interferencia constructiva). Cmo variar el nmero de fotones en el interior de la cavidad tras un desplazamiento completo por ella? Aparece el concepto de ganancia g como el inverso de la distancia que tendr que recorrer un nmero dado de fotones para que su nmero se multiplique por el nmero e, es decir, cuando recorramos una distancia 2L el nmero de fotones se habr incrementado por exp(2Lg).
t s s s

Tambin tenemos el concepto de perdida de fotones debido a absorcin (aunque tenemos inversin de poblacin el nmero de fotones en la banda de conduccin no es cero), tras el recorrido de una distancia 2L el nmero de fotones se habr decrementado por exp(2L ). Por ltimo tenemos que cada vez que el haz de fotones incide sobre uno de los espejos no todos se reejan, tambin alguno sale al exterior, esto decrementa el nmero de fotones que pueden participar en generacin de nuevos fotones estimulados. Deniremos como y a las reectividades de cada uno de los espejos.
9 b H#6A9 y w xu v #u t

Ahora ya podemos responder a la pregunta anterior sobre la variacin del nmero de fotones en la cavidad, este responder a la siguiente frmula:
w u v u h D c X X x4 t R 4 q ri R y 0 D C Ec R D C ec gex4 f d X q ri 4 R 4 y `3 3 3 R X 9 A9

(2.16)

donde la primera exponencial responde a las ganancias, la segunda a las prdidas y el producto de las reectividades es la cantidad de luz quenos queda tras incidir sobre los dos espejos consecutivamente. En esta relacin vemos que como mnimo tiene que ser 1 para que se automantenga la emisin siendo la luz transmitida la que seremos capaces de detectar. Ya vamos acabando con todo lo necesario para comprender la emisin lser ahora nos queda entender como evoluciona el proceso desde que el lser est apagado hasta que le suministramos potencia. Para ello debemos plantear las ecuaciones dinmicas tanto para la densidad de portadores como para la de fotones, ests se plantean a continuacin: (2.17) (2.18)

en la primera ecuacin tenemos que la densidad de portadores aumenta con la corriente (son cargas que estn entrando en el sistema) y que se decrementa por la emisin espontnea de fotones (dada por la densidad de portadores y el tiempo de vida para una recombinacin espontnea) y por la emisin estimulada de fotones, esta ltima es proporcional al producto de las densidades de fotones y electrones (un fotn slo podr estimular a un electrn si este existe). Como podremos apreciar en esta frmula hemos despreciado las transiciones no radiativas, pero no va a inuir en el resultado del proceso. En la segunda ecuacin vemos la evolucin de la densidad de fotones, en ella slo hemos incluido aquellos fotones interesantes para la emisin lser, es decir, los emitidos de forma estimulada. La densidad de fotones se incrementar por emisin estimulada, es la misma magnitud que en el caso de los electrones,

CAPTULO 2. EMISORES
f

46

tambin participar una pequea parte de las emisiones espontneas que casualmente emitan fotones idnticos a los que necesitamos, es un nmero tan pequeo que podremos despreciar esta contribucin, por ltimo habr un decaimiento del nmero de fotones relacionado con la densidad de fotones y con su vida media. Cuando el sistema est estable tanto la densidad portadores como de fotones ser ja y por tanto las derivadas sern nulas, sin embargo cuando el sistema se inicie el nmero de fotones tendr que empezar a crecer hasta alcanzar un regimen estable, por tanto veamos primero cual ser la condicin para que la emisin lser se inicie (2.19) la densidad de portadores tendr que ser mayor que un determinado valor umbral que viene jado en la ecuacin anterior, a este valor lo denominaremos . Si ahora llegamos a la estabilidad e igualamos la ecuacin dinmica para los electrones a cero cuando se est iniciando la emisin lser y por tanto y tenemos que:
h F R D eC c k 4 h F R m X d4 k R R 4 h F R 7 k X D EC c R 4 k 7 h D c 5 5 k n oR y m h lD c X w R 5 q h F 4 4 X d4 k d 5 X R 4 k l6 R 4 4 h F i { X y i j7

(2.20)

a la corriente que obtenemos la llamaremos y ahora si resolvemos la ecuacin en rgimen estacionari cuando ya tenemos emisin lser podemos concluir que
h F y q rk h F 4 k m X d4 p D C ec R 4 k 7

la densidad de fotones ser cero hasta que se alcance una densidad de corriente umbral (o una corriente si tenemos en cuenta el rea del dispositivo) y que a partir de ah ya tendremos incremento de emisin directamente proporcional al incremento de corriente. Visin de conjunto Ahora podemos ver el funcionamiento del sistema. Inicialmente no hay excitacin (corriente) en el lser y por tanto no hay luz, se inyecta una corriente menor que la umbral y no obtenemos luz coherente, en este momento no hemos llegado a la y , la ganancia de la cavidad no es lo sucientemente grande como para que haya amplicacin ptica, ahora incrementamos la corriente de forma que sobrepasamos el umbral, por tanto sobrepasamos y se incrementa lo cual implica que la ganancia se ha incrementado y hasta que alcanzamos el regimen permanente y tanto n como permanecen constantes, ahora . Como las perdidas y la reectividad en la cavidad permanecen aproximadamente constantes durante el proceso podremos denir una ganancia umbral segn la siguiente relacin (2.22)
X 7 k X h F R w u v ts#u h F R y w u v 0ts#u 5 t 4 i 5 5 sy d 0 9 b #6A9 n 9 b H#6A9 t k 4 h F q 0 X

una vez denida la ganacia umbral toda la disquisicin anterior podra realizarse en funcin de la variacin de este parmetro. De hecho y para lseres con alto grado de connamiento (entraremos ms tarde con este tema) se cumple que (2.24)
5 5 5

y por tanto

con lo que a partir de datos del lser se puede obtener su densidad de corriente umbral.

~ %y ts#u w u v

w v u q xri

v u q ri

{ z %'k

h F

| }z

h F

(2.21)

(2.23)

(2.25)

CAPTULO 2. EMISORES

47

2.2.2

Caractersticas tcnicas

Cuando compramos un lser este viene junto a un fotodiodo en la misma carcas, siendo este ltimo para poder medir la potencia ptica emitida por el lser. La conguracin tpica con la que nos encontramos podemos verla en la gura 2.13, en el apartado 2.2.3 veremos como se usa el lser aprovechando la existencia del fotodiodo.
1 3

1.- Catodo del diodo laser

Fotodiodo

Laser

2.- Anodo del diodo laser Catodo del fotodiodo 3.- Anodo del fotodiodo

Figura 2.13: Conguracin tpica de un lser comercial Las caractersticas con las que nos encontraremos en una hoja de caractersticas son las siguientes: Corriente umbral Esta caracterstica como ya hemos visto es fundamental, nos indica a partir de que corriente el diodo lser va a cambiar de emisin espontnea a estimulada y por tanto cuando va a ser til. Esta corriente umbral est lejos de ser una constante, de hecho tiene una variacin acusada con la temperatura de la unin. Tpicamente en las hojas de caractersticas (gura 2.14a) tendremos una representacin de la potencia ptica emitida en funcin de la corriente, lo que nos permite extraer esta corriente umbral, a su vez esta evolucin se presenta para varias temperaturas para darnos una idea de los mrgenes en que se mueve este parmetro. De la misma forma en la gura 2.14b podemos ver la en funcin de la temperatura directamente. evolucin de la
10 0C Potencia optica de salida (mW) 8 50C 6 25C 4 2 0 Corriente umbral (mA)
h F 

4.0 3.0 2.0

1.0 0.7 0.4

20

40

60

80

100

0.2 -20

Corriente directa (mA) (a)

0 20 40 Temperatura de la carcasa (C) (b)

60

Figura 2.14: (a) Potencia ptica en funcin de la corriente de excitacin (b) Caracterstica tensin corriente

Caracterstica tensin-corriente Como estamos hablando de un diodo la curva I-V ser la tpica de tal dispositivo, con una tensin umbral que depender como ya sabemos del ancho de banda prohibida

CAPTULO 2. EMISORES

48

(mayor para menor longitud de onda), debido a las grandes variaciones de comportamiento que tiene este dispositivo con la temperatura esta curva nos vendr para varios valores de temperatura (gura 2.15b)
80 50C 25C 60 0C Longitud de onda (nm) Corriente directa (mA) 675 680 Po =10mW

40

670

20

665

660 -10

10

20

30

40

50

Tension directa (V) (a)

Temperatura de la carcasa (C) (b)

Figura 2.15: Variacin de las caractersticas del lser con la temperatura de la carcasa (a) Corriente umbral (b) Longitud de onda central de emisin

Longitud de onda de emisin La longitud de onda en un lser es su principal sea de identidad pero tampoco es una constante, esta varia con muchos parmetros pero principalmente con la emperatura (gura 2.15b) y con la potencia ptica de emisin (gura 2.16a). Esta ltima como ya veremos es proporcional a la corriente de excitacin.
2.0 1.6 1.2 0.8 0.4 0 TC=25C VPD =5V

Intensidad relativa

10mW

5mW

1mW 665 670 Longitud de onda (nm) (a) 675 0 2 4 6 8 10 Potencia Optica (mW) (b) 12

Figura 2.16: (a) Variacin de la longitud de onda con la potencia ptica de salida (b) Corriente en el fotodiodo de referencia en funcin de la potencia ptica de salida

Corriente en el fotodiodo

CAPTULO 2. EMISORES

49

Control de la potencia ptica de salida Como la potencia ptica de salida no depende linealmente de la corriente de excitacin como vimos en la gura 2.14a, principalmente debido a la variacin de la corriente umbral tenemos que buscar un mtodo able para medir esta potencia ptica, para ellos tenemos el fotodiodo de referencia, adems como ya vimos los fotodiodos polarizados de modo fotoconductivo (sin variacin de la tensin entre sus bornas) tienen una corriente de salida que es directamente proporcional a la potencia ptica que les llega. En la gura 2.16b podemos ver la respuesta lineal del fotodiodo de referencia a la potencia ptica del lser, esto nos permitir saber en cada momento que valor tiene esta ltima sin interrumpir el haz.

2.2.3

Cmo se usa un lser?

Los lseres comerciales como vimos en la gura 2.13 vienen con un fotodiodo de referencia, el lser emite luz por sus dos extremos, uno de ellos est enfocado sobre el fotodiodo para poder medir su potencia ptica mientras que el otro emite la luz aprovechable. Debido a que la potencia ptica tiene una variacin tan grande con la corriente dependiendo de cual sea la corriente umbral no es posible jar la potencia ptica en un circuito sin realimentacin. 2.2.3.1 Ejemplo 1

Para empezar analicemos el circuito de la gura 2.17, y la grca que aparece a su derecha, en ella est
Vcc Vcc VBE RF IDL Laser IFD F RE IDL Vcc VBE + R E RL Vcc VBE RE RL T 2 T 1 T 3

RF

IFD FD

Figura 2.17: Circuito realimentado para control de la potencia ptica de un lser representada la corriente del fotodiodo en funcin de la corriente del lser. En la gura 2.16b vimos que la corriente en el fotodiodo de referencia era directamente proporcional a la potencia ptica, por tanto el eje de abcisas con el adecuado escalado podra representar la potencia de salida del lser (gura y , que viene dada por las caractersticas del dispositivo. 2.14a), ya tenemos una relacin entre El circuito fuerza otra relacin entre ambas magnitudes que viene dada por la ecuacin siguiente
T Qj d T d QpU8 08 m m U8 k a a 7 7 k k  U8

(2.26)

donde hemos supuesto que la corriente de base del transistor es despreciable frente a la corriente del fotodiodo y a la de excitacin del lser, vemos que tenemos dos puntos en la grca que vienen dados por
 E k  E'U8

(2.27)

CAPTULO 2. EMISORES

50

y que unidos vienen a ser algo as como una recta de carga. Los puntos de corte entre las dos relaciones, la del lser con el fotodiodo por sus caractersticas internas y las que vienen dadas por el circuito sern los puntos en que se anclar el sistema. La funcin de la resistencia es limitar la corriente mxima que puede pasar por el lser sin daarlo, por ello la mxima corriente viene dada por
T T  l5 T T k o 7 d T q @ d a Ga F @ C T  T k   k k @

(2.28)

y como tal est representada en la gura 2.17. Cmo calculamos los valores de las resistencias? Vamos a hallarlos a partir de las hojas de caractersticas cuyas grcas estn representadas en el apartado anterior. Partiremos del punto de trabajo que deseemos, por ejemplo, la temperatura ambiente es de 25o C y queremos una potencia ptica de salida de 7mW, adems vamos a utilizar una tensin de alimentacin de 15V. A partir de la gura 2.16b tenemos que la corriente del fotodiodo de referencia debe ser de y la corriente de excitacin (gura 2.14a) , si sustituimos ambos valores en la ecuacin2.26 tenemos que de
T 4 'lr7 d 7 0d 4 'l5 k 5 lr7 r

donde los valores de las resistencias vienen dados en libertad, aunque no total ya que tenemos una limitacin
 T s

deber permitir que la corriente necesaria no sature el transistor para las temperaturas posibles, supongamos que la mxima sea 50o C, esto implica una de 75 mA y como la es ha de ser mayor de 0.2V para no saturar nos encontramos con que de unos 2.3V y
@  T k S # 5 a a i T T

Podemos ver que la solucin que hemos elegido no es perfecta ya que slo funciona bien para la temperatura deseada, en cuanto esta cambia la potencia ptica ya es distinta a la deseada ya que la pendiente de la recta de carga no es cero, esto nos indica que cuanto menor sea conseguiremos un mejor control de la potencia ptica de salida. Pero en el caso ptimo que es tenemos que ya no tenemos control sobre ya que ahora dependemos de la del transistor, lo ideal es quedarnos en un punto intermedio y entonces deberemos aadir una resistencia limitadora de valor
T 7 k z 

el nico problema que quedara por resolver es el de las variaciones bruscas del sistema, por ejemplo los problemas relacionado con el arranque del sistema, esto se resolveran aadiendo una red RC en la base del transistor, en paralelo con el fotodiodo de referencia que limitara la frecuencia mxima del sistema. 2.2.3.2 Ejemplo 2

Hemos visto en el circuito anterior que la limitacin fundamental era que no podamos jar la potencia ptica ya que la recta de carga no era de resistencia cero, podramos buscar algn sistema que resolviera esto?. Veamos el circuito de la gura 2.18 Analicemos su funcionamiento partiendo de que el funcionamiento est en rgimen permanente, por tanto la tensin ha de ser un valor prejado y estable e

!5

. Podemos apreciar que tenemos un grado de

CAPTULO 2. EMISORES

51

FD IC IFD IR Cf
f

Laser IDL RL

P RF V+

VB RE

Figura 2.18: Circuito realimentado para control de potencia ptica de un lser igualmente est cargado y la corriente que lo atraviesa es cero, lo que implica que . Ahora supongamos que la temperatura vara incrementndose de forma que la corriente umbral se incrementa y la potencia ptica disminuye, entonces tambin disminuye pero como es un valor jo ( ) y por tanto empieza a circular corriente por debido al cortocircuito virtual tenemos que con un valor , como el condensador est puesto en forma de integrador la tensin se incrementa, incrementando que a su vez hace incrementarse a hasta que alcance el valor de que estabiliza el sistema. (2.29)
b   k U8 T   U8 m m   m i oU  U8 U8 m   m  U p  k  

Queocurrir si la potencia del lser es superior a la deseada? Veamosl el la siguiente ecuacin

a a @ T @ @ k T  T k m 6! q # i 5 k T k m k 6!  m j k k U8 @ @  T m a a  gT

Cual ser el valor de deseado? El que se extrae de la grca 2.16b para la potencia de salida del lser que necesitemos. Calculemos los valores de los componentes para el caso del ejemplo 1. (Fijemos a 5V) Necesitabamos una potencia ptica que generara un fotocorriente de 1mA, para ello jaremos mediante el potencimetro P la tensin a 1V (por ejemplo) est implica que
l5 U8

respecto a la resistencia deber permitir que circule una corriente de al menos 75mA sin saturar el transistor, Como el operacional puede dar una tensin de salida de al menos 4V este no ser un lmite. La tensin en directa del lser ser de 2.3V y por tanto deber ser de a lo sumo
F @ C T gT

y por tanto

si ponemos este valor de resistencia no ser necesario poner una resistencia limitadora en el colector del transistor, si ponemos una valor menor deberemos poner una . Por ltimo nos queda denir el valor del condensador, este depender de la mxima frecuencia que permitamos para la variacin de la corriente de excitacin del lser

k S

i ldr

CAPTULO 2. EMISORES
2.2.3.3 Ejemplo 3

52

En los dos ejemplos anteriores hemos generado circuitos para el mantenimiento de una potencia ptica ja en un lser, esto no nos permite enviar informacin de forma ptica, ya que para ello necesitamos variar la cantidad de potencia emitida. En este ejemplo veremos como jar la corriente para enviar informacin digital mediante un lser suponiendo que slo se modica la corriente umbral y nunca la pendiente que relaciona la potencia ptica con la corriente de excitacin tras la corriente umbral. Veamos el circuito de la gura 2.19, ste nos permite excitar un diodo lser para emisin de informacin digital
C1 R15 R16 Laser R
3

A1

R14

FD

+
-5V Ipol Imod

R 10

R11 5V R11 R11 P1

"1"=-0.8V "0"=-1.8V

V Q1

R1 Q4 -2.5V -1.2V D2 R5 R7 -5V R2 -5V D1 Q5 R A3

Vref (Ipol )

Q2

+
9

R10

R4 -5V

C2 R13

R6 Vref Q

R12 A2

+
6

Q R8 -5V

Figura 2.19: Circuito para control de corriente de excitacin y de referencia de entrada para transmisin de datos digitales controlando por un lado la corriente umbral o de polarizacin y por otro la de modulacin. Vamos a analizar el circuito paso a paso: El circuito est basado en tecnologa ECL (emiter coupled logic) que es muy rpida y se basa en que los transistores que excitan al lser no estn completamente en corte ni en saturacin, por ello el lser est montado en la rama de un par diferencial. En tecnologa ECL el cero lgico es una tensin de -1,8V y el uno -0.8V.
w v e s s

Los transistores

forman el par diferencial, para que durante el cero lgico no se emita y

CAPTULO 2. EMISORES
w

53 ha de estar polarizada a -1.2V.

s durante el uno lgico la base del transistor

 s s s s s s s

El transistor junto con forman la fuente de corriente de modulacin, la tensin en la base es ja porque se supone (es un aproximacin) que el incremento de corriente a partir de la umbral para conseguir una potencia ptica determinada es tambin ja. El transistor junto con , , , y forman una fuente de tensin de 1.2V para la base de . No se usa un simple divisor de tensin para evitar problemas trmicos y de carga debido a variaciones de corriente de base. El transistor junto a es la fuente de corriente de polarizacin del lser. Esta corriente situa una corriente ja en el lser de forma que cualquier incremento lo haga emitir. Esta corriente umbral es necesaria porque acelera mucho la velocidad del sistema.
w y v w w v w

El par diferencial formado por y para el control de potencia del lser.

v

nos sirve paraextraer una tensin de referencia necesaria

El amlicador est montado para amplicar la tensin generada por la corriente del fotodiodo de referencia de forma que en condiciones normales haya a su salida 1V, la realimentacin RC sobre el amplicador sirve de ltro paso bajo para extraer un valor de tensin contnua, relacionado con el valor medio de emisin de potencia del lser. El amplicador hace una labor similar, al de forma que amplica de igual forma la seal que genera el par diferencial de referencia, de forma que tambin en condiciones normales haya 1V de contnua a la salida de .
v w

El amplicador

hace la funciones de sumador-restador. La tensin a su salida es

h v G k

En condiciones normales la tensin de salida la tensin de salida de y se anulan y slo es la que ja la corriente umbral. Si la temperatura sube la potencia de salida del lser disminuye, por tanto la corriente del fotodiodo de referencia baja y lo mismo ocurre con la salida de y por tanto se hace menos negativa y la corriente sube incrementando la tensin que hay en la base de la potencia ptica.
v D w  v

v sv

Captulo 3

Pantallas electrnicas
Las pantallas electrnicas son los que sirven como interfaz entre el hombre y la mquina de forma que convierten seales electrnicas en seales pticas que son reconocibles visualmente por un ser humano. Qu tipos de sistemas de pantallas electrnicas nos podemos encontrar? Aunque hay muchos tipos en investigacin y otros que no han pasado de ella no vamos a nombrar todos los tipos sino tan slo aquellos de uso comn con los que estamos o debemos estar familiarizados, como por ejemplo: Tubos de rayos catdicos (CRT)
s

Pantallas de plasma (PDP)

s

Pantallas de LEDs (LED)

s

Pantallas de cristal lquido (LCD)

s

hay ms tipos posibles de sistemas pero los arriba enumerados son los ms habituales, entre ellos hay una divisin que es que los cuatro primeros estn formadas por dispositivos activos y la ltima por dispositivos pasivos, es decir, los primeros son capaces de emitir luz mientras que el ltimo slo la permite o no pasar.

3.1

Principios de funcionamiento

Veamos someramente cual es el principio de funcionamiento de cada uno de ellos.

3.1.1

Tubo de rayos catdicos

Es el ms conocido y el nico de los nombrados que no vamos a analizar, ya que est fuera de los objetivos del curso, aunque es muy familiar y por ello le dedicamos unas pocas lneas. Su funcionamiento se basa en un barrido electrnico sobre una supercie fosforescente. En el extremo ms alejado de la pantalla hay un lamento que por efecto termoinico libera electrones que son focalizados en un haz y con l se barre la pantalla mediante lnes, durante el barrido se interrumpe o no el haz, cuando el haz incide en una zona esa zona emite luz y si no no lo emite.

54

CAPTULO 3. PANTALLAS ELECTRNICAS

55

3.1.2

Pantallas de plasma

Su funcionamiento es similar al de los uorescentes, es decir, un pixel es una zona cerrada en la que se encuentra un gas enrarecido (presin baja), cuando con unos electrodos se aplica un campo (variable o contnuo) el pixel luce. El funcionamiento permite la existencia simple de pantallas palnas ya que las celdas puden serlo y tambin los electrodos. El problema se encuentra en generar una matriz lo sucientemente densa como para permitir imgenes.

3.1.3

Pantallas de LEDs

Las pantallas de LEDs son matrices de estos dispositivos, que pueden ser monocromas o bien policromas, la excitacin de estos mediante inyeccin de corriente los hace emitir luz. Se puede conseguir mediante la combinacin de 3 colores la gama completa con la variacin de la potencia emitida por cada uno de ellos. No es posible hoy en da la consecucin de pantallas de TV, por ejemplo, por la baja eciencia de los emisores de azul.

3.1.4

Pantallas de cristal lquido

Su principio de funcionamiento diere de las anteriores en que est basada en dispositivos pasivos. Esto podemos apreciarlo en que no podemos ver la hora de los relojes digitales en oscuridad y tenemos que recurrir a fuentes externas de luz, ese mismo problema es una ventaja ya que al no haber emisin el consumo es muy bajo. Su funcionamiento se baja en la polarizacin de la luz mediante ltros y la rotacin o no del eje de polarizacin mediante el cambio de orientacin de las molculas del cristal lquido. Ahora nos parece muy confuso pero posteriormente se aclarar.

3.2
3.2.1

Pantallas de cristal lquido

Qu es un cristal lquido?

La mayoria de las sustancias tienen un nico punto de fusin que cuando se supera su estado cambia de slido a lquido, pero hay un grupo de materiales, denominados cristales lquidos, que a una temperaturase transforman en un lquido opaco y como nuboso para a una temperatura superior transformasrse en un lquido tpico. El trmino cristal lquido a esa fase intermedia y tambin al material que tiene esta caracterstica. A partir de ahora llamaremos cirstal lquido a al material que tiene este doble punto de fusin a una temperatura intermedia entre stos. Un cristal lquido se comporta externamente como un uido, pero a su vez tiene internamente una estructura cristalina que presenta doble refraccin ptica. La mayora de estas sustancias son compuestos orgnicos que tienen unas molculas alargadas en forma de puro o bien pueden ser planas. En la fase de cristal lquido las molculas se ordenan de forma especial. Segn la organizacin los cristales lquidos se dividen en tres tipos: smecticos, nemticos y colestricos, podemos verlos en la gura 3.1. No vamos a hacer ms hincapie en las diferencias entre las conguraciones, slo que cuando veamos una pantalla que nos suene el nombre de la estructura porque suele venir en las hojas de caractersticas.

CAPTULO 3. PANTALLAS ELECTRNICAS

56

Figura 3.1: Orientaciones moleculares en los tres tipos de cristal lquido 3.2.1.1 Cristal lquido y su relacin con las pantallas

La organizacin estructural de molculas en una cristal lquido no es tan rgida como en una estructura cristalina. Las molculas se pueden reorientar fcilmente como resultado de un estmulo externo como puede ser un campo elctrico, magntico, cambios de temperatura o tensin mecnica y de sete modo pueden cambiar las propiedades pticas del material. Es precisamente esta posibilidad de cambio de la orientacin molecular en los cristales lquidos lo que abre la puerta a las aplicaciones tanto en dispositivos de representacin como en sensores. En particular, en la aplicacin como pantalla, las molculas estn en una orientacin inicial, esta puede cambiarse mediante una tensin elctrica y el cambio producido en las propiedades pticas como la doble refraccin, la rotacin del eje ptico, el dicroismo, etc consigue un cambio visible externamente. Dicho de otro modo una pantalla de cristal lquido utiliza la modulacin de la luz externa y por tanto es un dispositivo pasivo (no emisivo).

CAPTULO 3. PANTALLAS ELECTRNICAS

57

3.2.2

Caractersticas de una pantalla de cristal lquido

Las principales caractersticas de los LCDs, cuando se las compara con otros tipos de pantallas son su bajsimo consumo y la baja tensin necesaria para su funcionamiento. Son muy apropiados para el uso en sistemas de larga vida. Enumeros, pues, sus ventajas

Bajo consumo de potencia (unas pocas decenas de par las bateras. Ahorro energtico.
s s

Con bajas tensiones (10V o menos) se consigue el correcto funcionamiento del circuito. La circuitera es compacta y simple. El dispositivo es delgado y se puede aplicar a pantallas grandes y minsculas, de modo que es muy adecuado para dispositivos portables.
s

Debido a que es un dispositivo pasivo, la pantalla est clara incluso con mucha luz incidiendo sobre ella.
s

Se pueden hacer pantallas a color.

s

Se puede usar este tipo de pantallas para proyeccin de modo que pueden conseguirse imgenes grandes (varios metros cuadradros).
s

Aunque tambin hay inconvenientes, enumermoslos. Como es un dispositivo pasivo no puede verse en sitios oscuros.
s

El contraste de la imagen depende del ngulo de visin.

s

La respuesta depende de la temperatura, no funciona bien para temperaturas bajas (<-20o C)

s

3.2.3

Principio de funcionamiento

El mdo exacto de funcionamiento varia entre las distintas variedades de cristales lquidos, como el objetivo del curso radica ms bien en el funcionamiento externo vamos a describir slo un modo de funcionamiento, el del tipo Twisted nematic, o sea, cristales del tipo nemtico rotados. Los dispositivos se preparan de la siguiente forma: una capa del material de grosor aproximado de 10 m se sita entre dos electrodos transparentes, de forma que en el interior de la celda el eje de rotacin molecular del cristal rote 90o entre los dos sustratos. Como el grosor de la capa es mucho ms grande que la longitud de onda de la luz visible que atraviesa el material ocurre que la direccin de la polarizacin de la luz linealmente polarizada rota 90o debido a la orientacin molecular del cristal, si la luz que ha llegado al cristal estaba polarizada de forma lineal acabar igualmente polarizada pero con giro ngular de 90o . Veamos la gura 3.2 para entender el proceso, supongamos que la luz entra desde abajo y que la echa que se muestra es el eje de polarizacin de la luz, podemos ver como segn ascendemos el eje rota hasta que al salir por la parte superior ha girado 90o . Esto ocurrir con cada polarizacin lineal de la luz. Esto que hemos visto no tiene mayor inters si no se aplican otros conceptos, para ello vamos a explicar brevemente que es la polarizacin de la luz y que son los ltros polarizadores.

db

) lo que signica largo tiempo de vida

CAPTULO 3. PANTALLAS ELECTRNICAS

58

(a)

(b)

(c)

Figura 3.2: Rotacin del eje de polarizacin de luz al atravesar el cristal lquido; (a) Vista lateral (b) Vista superior (c) Imagen tridimensional 3.2.3.1 Polarizacin de la luz

Cuando vimos la forma de emisin de una bombilla o un uorescente se explic que la emisin era omnidireccional y de banda ancha y no correlacionada, en cuanto a los LEDs emitan en todas direcciones y sin ninguna correlacin entre los fotones, pero no un menor ancho de banda sin embargo, en los lseres los fotones estaban correlacionados, la emisin era coherente, y el espectro era muy estrecho. Pero qu es un fotn? para nosotros es una onda de una determinada longitud de onda que se desplaza, qu caractersticas tiene? pues la ya sabidas para cualquier radiacin: longitud de onda, direccin, fase y polarizacin. La polarizacin nos indica el eje de oscilacin, si viesemoa la intensidad de una onda en un determinado punto sera como un vector cuya amplitud vara de forma senoidal, este vector tendr una direccin, pues eso es la polarizacin. Dos ondas que tengan la misma energa, la misma direccin, sentido y fase pueden diferir en la polarizacin. Pero difcilmente nos vamos a topar con un fotn solitario, lo tpico es que nos encontremos con muchos de ellos, Cual ser su polarizacin? pues la suma de las polarizaciones y aqu tenemos varias posibilidades: Luz no coherente: Cuando la luz sale del emisor no tiene una polarizacin denida, lo normal es que sea elptica, es decir, que el eje de polarizacin global vaya girando sobre dos ejes de distinta magnitud, esta luz estar compuesta por multiplies polarizaciones lineales
s s

Luz coherente: En este caso los fotones son coherentes y por tanto tienen la misma fase, no tienen porque tener la misma polarizacin pero la suma de vectores que varan todos a la vez es un vector que no gira. Filtros polariradores

3.2.3.2

Estos ltros slo permiten el paso de la luz polarizada en una determinada direccin, la gura 3.3 nos muestra el modo de funcionamiento de estos ltros. Si nos jamos veremos que los vectores resultantes de atravesar el ltro tienen una amplitud mayor que los iniciales, con esto se quiere indicar que no

CAPTULO 3. PANTALLAS ELECTRNICAS

59

Figura 3.3: Luz no polarizada en la parte superior y ya polarizada en la parte inferior tras pasar por el ltro. solamente pasa la luz polarizada en el sentido del ltro sino que cada vector se puede descomponer en un vector que pasa y uno ortogonal y que por tanto la resultante es la suma de todos las componentes en el sentido del ltro. 3.2.3.3 Estructura fsica de una pantalla de cristal lquido

La gura 3.4 nos muestra la seccin transversal de un LCD , en ella hay una capa de cristal lquido de unas 10 m entre dos capas de orientacin molecular que jan el eje de las molculas del cristal que las tocan. la celda adems tiene dos barreras para que el cristal no uya, los electrodos para la polarizacin y los polarizadores externos. Esta estructura sera la misma que en un reloj digital.
Polarizador

Sustrato de vidrio Electrodo transparente Capa de orientacion molecular Cristal liquido Capa de orientacion molecular Electrodo transparente Sustrato de vidrio Polarizador Sustrato reflector

Barrera lateral

Barrera lateral

Figura 3.4: Estructura de un LCD reectivo tipo twisted nematic y transparente por defecto. El funcionamiento global de esta estructura sera: Sin polarizacin en los electrodos
s

la luz externa incide sobre el polarizador superior y tras l nos encontramos luz polarizada de forma lineal en la direccin que permite el ltro. la luz linealmente polarizada atraviesa el sustrato de vidrio, el electrodo y la capa de orientacin molecular sin ningn cambio. en el interior del cristal lquido la luz sufriraun giro del eje de polarizacin de 90o tras el ltro la luz atraviesa de nuevo el sustrato de vidrio, el electrodo y la capa de orientacin molecular sin ningn cambio.

CAPTULO 3. PANTALLAS ELECTRNICAS

60

el siguiente ltro ha sido colocado de forma que permita pasar la luz polarizada a 90o respecto al primer ltro y como es el caso la luz lo atravesar. la luz se reeja en el espejo inferior recorre el camino de vuelta desandando los pasos descritos y sale al exterior y por tanto si lo miramos se ve claro. Con polarizacin en los electrodos.
s

hasta llegar al cristal lquido el proceso es el mismo. el cristal al estar polarizado se ha reorientado de forma que ya no gira el eje de la luz por lo que sta lo atraviesa sin cambiar su polarizacin. cuando la luz llega al segundo polarizador no est orientada a 90o ya que no ha girado y por tanto no atravesar el segundo. no queda luz que reejar en el espejo y por tanto desde el exterior se ve algo oscuro De la misma forma si evitamos el reector trasero se podra hacer una pantalla trasmisiva como en el caso de una pantalla de ordenador.

3.2.4
3.2.4.1

Tcnicas de excitacin de LCDs

Posibles estructuras de los electrodos

Los tipos de electrodos con los que nos encontramos en pantallas de cristal lquido son de tres tipos Electrodos segmentados (pantallas numricas, grcos de barras, etc)
s s s

Electrodos de patrn jo (smbolos, tragaperras, las antiguas mquinas de marcianos) Electrodos matriciales (caracteres, gracos y pantallas de video)

Las ms comunes son las de electrodos segmentados y entre ellas una de las ms tpicas es la que se presenta en la gura 3.5a que es lo comnmente conocido como display de siete segmentos. Los electrodos de patrn jo tambin son corrientes y podemos verlos en los relojes, son por ejemplo el smbolo AM o PM que nos indica si es por la maana o por la tarde. Por ltimo los ms complejos pero tambin extendidos son los matriciales en ellos se puede representar cualquier cosa, los tenemos desde para representacin alfanumrica como para imagen (gura 3.5b). Para excitar estas pantallas tenemos tres posibilidades principales que son la excitacin esttica, multiplexada y la de matriz activa que vamos a describir de forma somera 3.2.4.2 Excitacin esttica

Puede aplicarse cuando cada electrodo se activa de forma diferenciada, es decir, tiene su propia lnea de seal, esta puede aplicarse, por ejemplo, a los displays de siete segmentos, en ese caso las formas de onda tpicas con las que nos encontraramos seran del tipo de la gura 3.6, en ella podemos ver que no se excita con una seal contnua, esto es debido a que la seal contnua degrada el cristal lquido. Vemos que se aplica una seal pulsada al electrodo comn y aparte en cada electrodo tendremos tambin una seal pulsada de forma que si est en fase con la del electrodo comn el sgmento estar en OFF y si est en contrafase estar en ON (suponiendo un LCD normally OFF).

CAPTULO 3. PANTALLAS ELECTRNICAS

Electrodo comun Electrodo segmentado X1 X2 X3 X4 X5 X6 X7 X8 X9 X10 X11 Xn Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 Y8 Electrodos columna (a) (b) Ym

61

Figura 3.5: Tipos de electrodos: (a) Segmentados (b) Matriciales

Seal del electrodo comun Seal del segmento Seal aplicada al cristal liquido segmento ON segmento OFF

Figura 3.6: Ejemplos de formas de onda para excitacin esttica 3.2.4.3 Excitacin multiplexada

El problema de la excitacin esttica es que necesita una conexin diferenciada para cada segmento, esto slo se puede hacer si tenemos un nmero bajo de ellos. Imaginemos una pantalla con 12 digitos, nos encontramos con 12 electrodos comunes ms 12x7 segmentos, lo que resulta en 96 conexiones, un nmero demasiado elevado para ponerle pines a un integrado. Cmo proceder en este caso? La solucin es la multiplexacin temporal. Dispondremos de un contacto distinto para cada electrodo comn y todos los segmentos correspondientes a la misma posicin tendrn un nico contacto, para el caso de electrodos matriciales tendremos un contacto por al y uno por columna. El tipo de seal apropiado para esta excitacin particularizando en el caso matricial puede verse en la gura 3.7 donde se ha considerado que los electrodos la son los comunes (similitud con los n dgitos). Analicemos el funcionamiento del circuito: cada se activa una de las las durante un tiempo , cada una de las columnas puede estar activada si presenta un nivel de seal de signo opuesto al de la la o desactivada con un nivel de seal del mismo signo que la la. La tensin que hay en cada pixel se puede ver en las ltimas lneas de la gura 3.7, el pixel estar activado durante un tiempo , sin embargo el pixel estar desactivado aunque tambin hay una determinada tensin en el cristal lquido. Esta tensin es un problema ya que la accin del cristal
v 0s w 8 R xb R xb

Electrodos fila

CAPTULO 3. PANTALLAS ELECTRNICAS

TF V(X1) V(X2) TF n

62

V(Xn)

V(Yj ) V(Yk)

activar

desactivar

V(X1Yj )pixel on

V(X2Yk )pixel off

Figura 3.7: Seales para activacin por multiplexacin temporal. no es abrupta sino lineal y por tanto disminuye el contraste entre un pixel activado y desactivado. Otro problema es el tiempo mnimo que puede estar activado cada pixel, esto viene dado por el tiempo de respuesta entre otras cosas y nos limita el nmero mximo de las y columnas o dgitos que pueden multiplexarse, este nmero est alrededor de 200.