Intro ELN

Introducción a la Electrónica
2023-2
Dr.-Ing. Miguel Parada Contzen
MPC 2023-2 ELN

MPC 2023-2 ELN
Contenido
0 Teoría de circuitos 1
0.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
0.2 Elementos eléctricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
0.3 Análisis circuital . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1 Materiales Semiconductores 10
1.1 Materiales semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.2 Materiales intrínsecos y extrínsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2 Diodos 15
2.1 Juntura Semiconductora . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.2 Ecuación de Shockley . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.3 Modelos del diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.4 Otros tipos de diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.4.1 Diodo Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.4.2 Schottky . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.4.3 LED . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.4.4 Fotodiodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.5 Circuitos con diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3 Rectificación 39
3.1 Rectificador de media onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.2 Filtro capacitivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.3 Rectificador de onda completa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
3.4 Filtro capacitivo para onda completa . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.5 Filtro inductivo-capacitivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
3.6 Regulación de tensión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
4 Transistores de Unión Bipolar 58

4.1 Una triple juntura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
4.2 Transistores de unión bipolar (BJT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
4.3 Polarización de BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
4.4 Análisis en pequeña señal de BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
5 Transistores de Efecto de Campo 76

5.1 Transistores Efecto de Campo (FET) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
5.2 Polarización FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
5.3 Análisis en pequeña señal de FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
6 Amplificadores operacionales (AO) 90

6.1 AO ideales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
6.2 Aplicaciones lineales de AO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
6.2.1 Aplicaciones estáticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
6.2.2 Aplicaciones dinámicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
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6.2.3 Reglas de construcción de diagramas de Bode asintóticos . . . 98
6.3 Interconexión de sistemas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
6.3.1 Configuración en cascada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
6.3.2 Realimentación negativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
7 Aplicaciones No Lineales de los AO 106

7.1 Aplicaciones de saturación y diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
7.2 Aplicaciones basadas en Transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
7.3 Phase Locked Loop: PLL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
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0 Teoría de circuitos
0.1 Introducción
Este documento es una guía para la asignatura Electrónica 1 de Ingeniería Civil Eléc-
trica en la Universidad del Bío-Bío. Su objetivo es presentar de manera ordenada y
clara los contenidos y desarrollos vistos en la cátedra de la asignatura.
Gran parte de este material se basa en el libro:
• Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky. Electrónica: Teoría de circuitos y

dispositivos electrónicos. 10th ed. Pearson Educación, 2009
como fuente principal. Adicionalmente, otras fuentes también han sido consultadas:
• Donald L. Schilling et al. Circuitos Electrónicos: Discretos e integrados. 3rd ed.
McGraw-Hill, 1993
• C. J. Savant, Martin S. Roden, and Gordon Carpenter. Diseño Electrónico:
Circuitos y Sistemas. Addison Wesley Longman, 2000
• Daniel W. Hart. Introduction to Power Electronics. Prentice-Hall, 1997
Como una manera de hacer este apunte más interactivo, se enlazan sin ninguna
garantía videos de internet relativos a los distintos temas que se estudian. Muchos de
estos se obtienen del canal de YouTube BunkerMaker (https://www.youtube.com/
c/BunkerMaker/featured) pero también desde otras fuentes diversas.
Agradecimientos a Ismael Rodríguez por su trabajo en laboratorio y a Pedro Melín
por su disposición.
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0.2 Elementos eléctricos
Batería
Ejercicio 0.1 (Fuentes). ¿Cuáles son las diferencias entre los siguientes tipos de
fuentes?
+ + https://youtu.be/hCGQuRoYXng
− −
Generador
https://youtu.be/rV47Of-MhfQ
Resistencia
Resistencias La ley de Ohm1 relaciona la corriente y el voltaje en un resistor de la
siguiente manera:
v = Ri
R i https://youtu.be/2rtzSBAXWwQ
+ −
v
1) Distintas resistencias en laboratorio. 2) Potenciómetro (resistencia variable) de 100[kΩ].
Las resistencias comerciales se marcan a través de un código de colores. Existen

códigos de 4, 5 ó 6 bandas. A continuación se muestra el código de cuatro bandas. Colores
1 https://es.wikipedia.org/wiki/Georg_Simon_Ohm
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https://www.digikey.com/es/resources/conversion-calculators/conversion-calculator-resistor-color-code
#1 #2 #3 Tol.
Color 1ra banda 2da banda 3ra banda (mult) Banda de tolerancia
negro 0 0 ×1[Ω]
marrón 1 1 ×10[Ω] ±1%
rojo 2 2 ×100[Ω] ±2%
naranjo 3 3 ×1[kΩ]
amarillo 4 4 ×10[kΩ]
verde 5 5 ×100[kΩ] ±0.5%
azul 6 6 ×1[MΩ] ±0.25%
violeta 7 7 ×10[MΩ] ±0.1%
gris 8 8 ×100[MΩ] ±0.05%
blanco 9 9 ×1[GΩ] ±1%
oro – – ×0.1[Ω] ±5%
plata – – ×0.01[Ω] ±10%
Por ejemplo:
Rojo-rojo-plata-oro Amarillo-violeta-rojo-oro Naranja-naranja-marrón-plata

2-2-×0.01-±5% 4-7-×100-±5% 3-3-×10-±10%
R = 0, 22[Ω] ± 5% R = 4700[Ω] ± 5% R = 330[Ω] ± 10%
Condensador
Condensadores Los condensadores (o capacitores) se oponen a los cambios de voltaje.
La corriente y el voltaje en un capacitor se relacionan de la siguiente manera:
dv
i=C
dt
C
https://youtu.be/oS4WQRXfm-M
i
+ −
v
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Diversos condensadores. 1) Condensadores electrolíticos y cerámicos. 2) Condensadores en
una protoboard. 3) Condensador de alta potencia.
Inductor
Inductores Los inductores (o bobinas) se oponen a los cambios de corriente. La
corriente y el voltaje en un inductor se relacionan de la siguiente manera:
di
v=L
dt
https://youtu.be/MO4pXone5Eg
L i
+ v −
Transformador
Transformadores Un trafo toma un voltaje alterno en su bobinado primario y trans-
forma su amplitud generando un voltaje en el secundario de tal forma que se cumpla
en el caso ideal:
v1 n1
=
v2 n2
donde la razón de vueltas entre el primario y el secundario corresponde a m = n1/n2 . https://youtu.be/JG_BtY-mBZM
n1 : n2
+ +
v1 v2
− −
Protoboards "Una placa de pruebas o placa de inserción (en inglés protoboard o

breadboard) es un tablero con orificios que se encuentran conectados eléctricamente
entre sí de manera interna, habitualmente siguiendo patrones de líneas, en el cual se
pueden insertar componentes electrónicos, cables para el armado, prototipado de cir-
cuitos electrónicos y sistemas similares. Está hecho de dos materiales, un aislante,
generalmente un plástico, y un conductor que conecta los diversos orificios entre sí.
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Uno de sus usos principales es la creación y comprobación de prototipos de circuitos
electrónicos antes de llegar a la impresión mecánica del circuito en sistemas de pro-
ducción comercial2 ."
Generalmente, una protoboard tiene dos columnas equipotenciales (demarcadas en
rojo y azul) para acceder a los voltajes de tierra y una fuente DC. Además, cada fila
es también equipotencial hasta el canal central donde se posicionan los componentes
principales (circuitos integrados: chips o pastillas). Las protoboards son generalmente
simétricas como se muestra en la siguiente imagen.
+ - A B C D E F G H I J + -
1 1
2 2
3 3
CI
4 4
5 5
6 6
7 7
8 8
9 9
10 10
Chips en una protoboard.

2 Texto tomado de Wikipedia: https://es.wikipedia.org/wiki/Placa_de_pruebas
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Potencia eléctrica El valor RMS de una señal sinusoidal con período T > 0 corre-
sponde a:
s
1 T 2
Z
VRMS := v (t)dt
T 0
s
1 T 2 2 2π
Z
= V sin ( t)dt
T 0 T
s
1 T 2 2π
Z
=V sin ( t)dt
T 0 T
s
1 T 1 − cos(2 2π T t)
Z
=V dt
T 0 2
s T
1 T 4π

=V t− sin( t)
2T 4π T 0
r
1 1
=V (T ) = √ V
2T 2
La potencia entre una corriente y un voltaje DC es:
PDC := V I
√
√ una corriente sinusoidal i(t) = 2IRMS sin(ωt − φ ) y un voltaje sinu-
La potencia entre
soidal v(t) = 2VRMS sin(ωt) con un desfase de φ > 0 corresponde a:
PAC := VRMS IRMS cos(φ )
φ ωt
MPC 2023-2 6 ELN

0.3 Análisis circuital
Ejemplo 0.1 (Circuito resistivo).
R1 I1
+ −
V1 + +
+
V − V2 R2 V3 R3
− I2 − I3
Ley de nodos de Kirchhoffa :

I1 = I2 + I3
Ley de voltaje de Kirchhoff:
V −V1 −V2 = 0
V −V1 −V3 = 0
Ley de Ohm:
V1 = R1 I1
V2 = R2 I2
V3 = R3 I3
Combinando lo anterior podemos despejar los valores de los voltajes:

R1
V1 = V
R1 + R2 //R3
1 R2 //R3
V2 = R2 //R3V1 = V
R1 R1 + R2 //R3
V3 = V2
Donde se utiliza el operador paralelo:

−1
1 1

R2 //R3 = +
R2 R3
Las corrientes se obtienen por ley de Ohm.
a https://es.wikipedia.org/wiki/Gustav_Kirchhoff
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Ejercicio 0.2 (Verificación experimental). Asumiendo los valores de las re-
sistencias en el circuito del ejemplo anterior como R1 = 100[Ω], R2 = 460[Ω],
R3 = 330[Ω], tenemos que R2 //R3 = 192, 15[Ω]. Si la fuente de voltaje corre-
sponde a V = 9[V ], desde las fórmulas para los voltajes tenemos V1 = 3, 0806[V ],
V2 = V3 = 5, 9194[V ]
El circuito se monta en el laboratorio como se muestra en la imagen más abajo.
Se dispone de un multi-tester marca Fluke con el cual se miden los siguientes
valores de las resistencias: R1 = 98, 9[Ω], R2 = 466, 0[Ω], R3 = 330, 4[Ω], lo cual
difiere levemente de los valores nominales. ¿A cuánto deberían corresponder las
mediciones de voltaje sobre cada una de las resistencias?
Ejemplo 0.2 (Circuito dinámico).
L i1
+ v1 −
+
+
+
v − v2 C v3 R
− i2
− i3
Notar la notación en letras mayúsculas para valores DC y minúscula para valores

cambiantes en el tiempo.
Ley de nodos de Kirchhoff:
i1 = i2 + i3
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Ley de voltaje de Kirchhoff:
v − v1 − v2 = 0
v − v1 − v3 = 0
Ley de Ohm:
v3 = Ri3
Características de corriente/voltaje en el plano de Laplace de elementos que al-
macenan energía:
v1 = sLi1
1
v2 = i2
sC
Combinando todo lo anterior podemos encontrar una Función de Transferencia
entre la tensión de la fuente y la tensión en los terminales de la resistencia:
(1/sC)//R
v3 = v
sL + (1/sC)//R
Esta función puede evaluarse en s = ȷ̂ω para estudiar su comportamiento a distin-

tas frecuencias angulares ω = 2π f mediante el diagrama de Bodea .
a https://es.wikipedia.org/wiki/Hendrik_Wade_Bode
MPC 2023-2 9 ELN

1 Materiales Semiconductores
1.1 Materiales semiconductores
• Semiconductores: entre buen conductor y buen aislante.
• Cristalinos: Germanio (Ge) y Silicio (Si)

• Compuestos: Arseniuro de galio (GaAs), sulfuro de cadmio (CdS), nitruro de
galio (GaN), fosfuro de galio y arsénico (GaAsP)
• Semiconductores de Silicio son los más comunes.
• Semiconductores de Germanio fueron los primeros fabricados.

• El resto de los materiales se utilizan para aplicaciones especiales o particulares.
+ +
Silicio Germanio
• Átomos están compuestos de un núcleo de carga positiva, al rededor del cual

orbitan electrones sobre capas o niveles de energía definidos.
• Todas las capas están completas, salvo la última que puede tener espacio para
más electrones.
• La última es la capa de valencia, donde se ubican los electrones de valencia.
• Tanto el Silicio como el Germanio tienen cuatro electrones de valencia.
• Niveles de energía: mientras más alejado del núcleo, mayor el nivel de energía.
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− − −
− Si − − Si − − Si −
− − −
− − −
− Si − − Si − − Si −
− − −
− − −
− Si − − Si − − Si −
− − −
• Enlaces covalentes: se comparten electrones de valencia.

• Se forman estructuras rígidas (cristales).
• Electrones libres: electrones que salen del enlace covalente.
• Portadores instrínsecos: electrones libres en estado normal.

• No existe un cristal sólo con átomos de silicio. Siempre hay impurezas.
• Técnica: Manipular la pureza del material.
Energía Energía Energía
Capa de conducción Capa de conducción Capa de conducción
Eg > 5[eV ] Eg − − − −
− − − −
− − − −
Capa de valencia Capa de valencia Capa de valencia
Aislante Semiconductor Conductor
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• En un aislante, un golpe de energía debe ser muy grande para liberar electrones
y llevarlos a la capa de conducción.
• En un conductor, las capas de conducción y valencia están sobrepuestas, luego
todos los electrones están libres para conducir.
• En un semiconductor, las capas de valencia y conducción están más cercanas que
en un aislante, pero más separadas que en un conductor.
• En un semiconductor, un pequeño diferencial de energía aplicado al material
puede liberar electrones para conducción.
• Ge: Eg = 0, 67[eV ]; Si: Eg = 1, 10[eV ]; GaAs: Eg = 1, 43[eV ].
1.2 Materiales intrínsecos y extrínsecos

• Material extrínseco (material dopado): material no químicamente puro.
• Material tipo n: agregando materiales con más electrones (átomos donadores).
• En tipo n: se agregan electrones libres.
• Material tipo p: agregando materiales con menos electrones (átomos aceptores)
o huecos.
• En tipo p: se agregan espacios donde los electrones libres pueden alojarse.
Tipo n:
− − −
− Si − − Si − − Si −
− − −
− − − −
− Si − − Sb − − Si −
− − −
− − −
− Si − − Si − − Si −
− − −
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Energía
Capa de conducción
Eg
Eg′
− − − −
Capa de valencia
Material intrínseco tipo n
Tipo p:
− − −
− Si − − Si − − Si −
− − −
− − −
− Si − − B − Si −
− − −
− − −
− Si − − Si − − Si −
− − −
− + −
++ −+−
++ −− +−−
−+− − + −−−+−− +−+− −
+−++−+ + −− + − ++ + + −++
+ − −
+ − + + −
− + + +−++ − ++
− −+ −−
+ −−+ − −
+ +
Material tipo n Material tipo p

− : portador mayoritario + : portador mayoritario
+ : portador minoritario − : portador minoritario
+ : ion donador − : ion aceptador
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• En material tipo n, iones donadores pierden balance eléctrico y quedan +.
• En material tipo p, iones aceptadores pierden balance eléctrico y quedan −.

• Recuerde: el sentido convencional de la corriente es inverso al sentido físico.
• La corriente eléctrica se definió a partir de una carga positiva.
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2 Diodos
2.1 Juntura Semiconductora
Carborundo
id
+ −
vd
https://youtu.be/khhkYkMugBU
Diodo
https://youtu.be/oB-Q89PiuKE
Diodos comunes.
Un diodo semiconductor corresponde a una juntura de materiales extrínsecos tipo

p y n.
− −− − − + +
− − − + + + + +
− − − + + +
− − − − + + +++
− −− − − + ++ +
− − − − + + + + ++ +
−− − − − + + + +
tipo p tipo n
+ −
• Sin polaridad en los terminales, la juntura es eléctricamente neutra.

• Se genera una región de agotamiento por la atracción de cargas opuestas en la
juntura.
MPC 2023-2 15 ELN

−− − − − − − + + + + VD
− − − − + + + ++++
− − − − + + + + + −
− − − − − − + + + ++ +
− − − − − + + + + +
− − − − − + + + +
− − − − − + + + + + +
IS ≈ 0
tipo p tipo n IS ≈ 0
p n
• Con polaridad opuesta, la región de agotamiento aumenta.

• Sólo algunos portadores minoritarios transitan por el diodo.
• IS ≈ 0: corriente de saturación inversa del orden de los [pA].
− − − + + + + VD
− − − − + + + +
− − + + + + −
− −− − + + + + +
− − −−− − + + +
− − − + +
− − −− − + ++ ++ +
ID > 0
ID > 0 tipo p tipo n
p n
• Con polaridad directa, la región de agotamiento disminuye.

• Mientras mayor el voltaje aplicado, mayor el desgaste de la región de ago-
tamiento.
• Esto permite el flujo libre de portadores mayoritarios.
• Por lo tanto se induce una corriente ID > 0 en el rango de los [mA] a través del
diodo.
2.2 Ecuación de Shockley

Este comportamiento fenomenológico se puede modelar a través de la ecuación del
diodo de Shockley3 :
ID = Is (eVD /(nVT ) − 1)
• Is : la corriente de saturación inversa.
3 https://es.wikipedia.org/wiki/William_Bradford_Shockley
MPC 2023-2 16 ELN

• VD : Voltaje de polarización directa aplicado al diodo.
• n: es un factor de idealidad función de condiciones de operación y construcción.

n ∈ [1, 2].
• VT : voltaje térmico:
kT
VT =
q
• k: cte Boltzmann, k = 1, 38 · 10−23 [J/K].

• T : temperatura en Kelvin (273 + °C).
• q: carga del electrón, q = 1, 6 · 10−19 [C].
Ejemplo 2.1 (Voltaje térmico). T = 27[°C] = 300[K], entonces
kT (1.38 · 10−23 [J/K])(300[K])

VT = = = 25.875[mV ] ≈ 26[mV ]
q 1.6 · 10−19 [C]
20 ID [mA]
15
ID = Is (eVD /(nVT ) − 1)
10
VD [V ]
−0.5 −0.4 −0.3 −0.2 −0.1 0.2 0.4 0.6 0.8
−10
−20
−30
−40
−50
ID [pA]
Analizando la ecuación de Shockley tenemos que:
• si VD > 0,
ID = Is (eVD /(nVT ) − 1) ≈ Is eVD /(nVT )
• si VD < 0,
ID = Is (eVD /(nVT ) − 1) ≈ −Is
MPC 2023-2 17 ELN

• si VD = 0,
ID = Is (eVD /(nVT ) − 1) = 0
• Resistencia estática (DC):

RD = VD /ID
• Derivada de la ecuación de Shockley:
dID Is VD /(nVT )
= e
dVD nVT
ID + ∆I2D
ID
ID − ∆I2D
VD − ∆V2D VD VD + ∆V2D
• Resistencia dinámica (AC):
dVD nVT nVT n · 26[mV ] 1 · 26[mV ]

rd = = V /(nV ) ≈ ≈ ≈
dID Is e D T ID ID ID
• Resistencia dinámica promedio (AC):

∆VD
r prom =
∆ID
• Los parámetros de la ecuación dependen fuertemente del semiconductor con el

cuál ha sido construido. Ver imagen para casos de germanio, silicio, y arseniuro
de galio .
• Los parámetros de la ecuación dependen también fuertemente de la temperatura,
con una variación de voltaje aproximada de −2, 5mV /°C. Ver imagen para ejem-
plo del silicio.
MPC 2023-2 18 ELN

15
ID [mA] Si ID [mA]
30 Ge
GaAs
10
20
5
10
Si: 25°C
Si: 125°C
VD [V ] Si: −75°C VD [V ]
0.30 0.70 1.20 0.45 0.70 0.95
Ejemplo 2.2 (Ecuación de Shockley). Se pide calcular la resistencia dinámica

de un diodo donde se conoce la corriente de saturación inversa, la constante de
idealidad, la corriente inducida a través del diodo, y la temperatura a la cual opera.
Con la temperatura medida en Kelvin, T , el voltaje térmico del diodo corre-
sponde a VT = kT /q. Desde la ecuación de Shockley se desprende que,

V
ID = Is e /nV − 1
D T
VD/nVT
=⇒ e = ID/Is + 1
=⇒ VD = nVT ln (ID/Is + 1)
Con el valor del voltaje de polarización del diodo, VD , se puede determinar el

valor de la resistencia dinámica notando que:
1 ∂ ID
=
rd ∂VD
Is V /nV
= e D T
nVT
Is ID

= +1
nVT Is
ID + Is
=
nVT
ID
≈
nVT
Luego,
nVT nVT
rd = ≈
ID + Is ID
MPC 2023-2 19 ELN

Ejemplo 2.3 (Modelos empíricos). En una experiencia de laboratorio se montó el
circuito de la figura más abajo con el objetivo de estudiar la curva característica
de un diodo particular. Se obtuvieron las mediciones que se muestran en la tabla
más adelante. Interesa determinar un modelo del diodo basado en la ecuación de
Shockley.
Id
+ −
+ Vd
V − 1[kΩ]
V [V ] 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
Id [mA] 0.1 0.5 1.0 1.5 1.9 2.4 2.9 3.4 3.8 4.4
Vd [mV ] 466.2 534.0 562.8 581.7 594.2 604.0 612.7 620.0 625.3 630.9
1) Asumiendo valores de corriente de fuga Si se tiene alguna estimación

o se conoce la corriente de saturación inversa, basta con estimar el producto
nVT ≈ n · 26[mV ] para tener un modelo. Esto se puede hacer simplemente a través
de un barrido sobre distintos valores de n ∈ [1, 2] y escogiendo el valor que in-
duzca el menor error entre las corrientes predichas por el modelo y los datos
experimentales.
Por ejemplo, con Is = 3 × 10−6 [mA] = 3[nA], escogeremos elvalor n ≈ 1, 71
que minimiza el funcional ∥e∥2 = ∑10
i=1 Id,i − Is (e
Vd,i /(n·VT )
− 1))2 como se apre-
cia en las siguientes figuras:
P !
kek2 = Vd,i /(n·VT )
− 1))2 Id = Is (eVd /nVT − 1)
"
i Id,i − Is (e
30 7
Datos experimentales
Modelo ajustado
6
25
5
20
kek2 [(mA)2 ]
4
Id [mA]
15
10
2
5
1
0 0
1.64 1.66 1.68 1.7 1.72 1.74 1.76 0 100 200 300 400 500 600 700
n Vd [mV ]
MPC 2023-2 20 ELN

2) Por mínimos cuadrados La ecuación de Shockley se puede simplificar des-
preciando el efecto sumativo de la corriente de fuga. Es decir,

V V
Id = Is e /n ·V − 1 ≈ Is e /n ·V
d T d T
Aplicando logaritmo natural tenemos,

1
ln (Id ) = ln (Is ) + Vd
n ·VT
Si definimos las variables conocidas x = Vd y = ln (Id ) y las constantes por deter-
minar α = ln (Is ) y β = 1/n ·VT , entonces la ecuación anterior se puede reescribir
como
y = α +βx
Desde esta expresión, podemos seguir un procedimiento de mínimos cuadrados
ordinarios para estimar los valores de α y β que mejor aproximan el modelo a
los valores experimentales. Para ello agruparemos verticalmente los datos ex-
10 10
perimentales de la tabla en vectores x = col Vd,i i=1 y y = col ln Id,i i=1 .

Además, considerando un vector 1 = col {1}10i=1 podemos definir un error:
e := y − α1 − β x
Cuya norma cuadrática corresponde a:
e′ e = (y − α1 − β x)′ (y − α1 − β x)
El punto de mínimo se da cuando las derivadas de este funcional con respecto a

los parámetros son idénticamente nulas:
∂ ′ !
e e = −2 (y − α1 − β x)′ 1 = 0
∂α
∂ ′ !
e e = −2 (y − α1 − β x)′ x = 0
∂β
Desde donde podemos escribir matricialmente que,
1 1 x′ 1 α
′ ′
y1
=
y′ x 1′ x x′ x β
Luego los estimadores de los parámetros corresponden a:

−1 ′
α
′
11 x′ 1 y1
= ′
β 1x x′ x y′ x
MPC 2023-2 21 ELN

Es decir, en el caso de los valores de la tabla
α = −12, 8708[ln(mA)]
β = 0, 0228[1/mV ]
Y por lo tanto,
Is = eα = 2, 5721 × 10−6 [mA]

nVT = 1/β = 43, 9339[mV ]
La recta de correlación y el modelo ajustado por mínimos cuadrados se muestra

en la siguiente figura.
y = α + βx Id = Is (eVd /nVT − 1)
2 7
Datos experimentales Datos experimentales
Modelo ajustado Modelo ajustado
0
6
-2
5
-4
4
y[ln(mA)]
Id [mA]
-6
3
-8
2
-10
1
-12
-14 0
0 100 200 300 400 500 600 700 0 100 200 300 400 500 600 700
x[mV ] Vd [mV ]
MPC 2023-2 22 ELN

Ejercicio 2.1 (Determinación experimental). En la experiencia de laboratorio que
se muestra más abajo, se obtuvieron mediciones de corriente y voltaje:
Voltaje Fuente [V] Voltaje Diodo [V] Voltaje R [V] Corriente [mA]
-0,748 -0,748 -0,006040 -0,018
-0,678 -0,678 -0,006040 -0,018
-0,500 -0,500 -0,006040 -0,018
-0,466 -0,466 -0,006030 -0,018
-0,338 -0,338 -0,006195 -0,019
-0,224 -0,223 -0,006122 -0,019
-0,189 -0,184 -0,006043 -0,018
0,000 0,000 0,000 0,000
0,157 0,100 0,057 0,173
0,224 0,220 0,004 0,012
0,305 0,303 0,002 0,006
0,438 0,420 0,018 0,055
1,110 0,530 0,580 1,758
1,570 0,620 0,950 2,879
7,480 0,710 6,770 20,515
Determine un modelo del tipo exponencial para el diodo estudiado así como el
valor de la resistencia utilizada.
MPC 2023-2 23 ELN

2.3 Modelos del diodo
La ecuación de Shockley es generalmente un buen modelo del funcionamiento del
diodo. Sin embargo, su característica no-lineal hace difícil su aplicación en circuitos
prácticos donde, además, las corrientes y voltajes están restringidos a ciertos intervalos.
Por ello se proponen otros modelos más sencillos del comportamiento del diodo.
Un diodo ideal está en corte cuando se polariza de manera inversa, y conduce sin
una caída de tensión. Gráficamente esto corresponde a:
Ideal
El modelo ideal puede utilizarse en caso en que la caída de tensión en los diodos
sea despreciable en comparación con otras tensiones en el circuito. Sin embargo, si
no esto no se cumple, entonces un modelo umbral puede ser de mayor utilidad. En
este caso, el diodo está en corte para voltajes inferiores a un valor umbral y si el diodo
conduce, entonces su caída de tensión corresponde al valor umbral. Gráficamente,
Vk
+ − Ideal
En rigor, la figura anterior no corresponde a una función pues a un único valor de la

variable independiente se le pueden asociar distintos valores de la variable dependiente.
Además, en ciertas ocasiones, es conveniente considerar una pequeña pendiente en la
característica del diodo. Por esto, se puede agregar una pequeña resistencia promedio
en serie con el modelo umbral para obtener una característica casi vertical:
Vk
+ − r prom Ideal
MPC 2023-2 24 ELN

Ejemplo 2.4 (Recta de carga).
10V 500[Ω]
En el circuito de la figura tenemos que la ley de mallas de Kirchhof implica
E = VD + R · ID
Además, la ecuación del diodo es ID = IS (eVD /nVT − 1). Esto representa un sistema
no lineal de dos ecuaciones y dos incógnitas. El punto de intersección de ambas
curvas no puede determinarse de manera analítica, sin embargo, si se conocen los
valores de Is y nVT , se puede resolver numéricamente:
Zoom
20 18.6
18.55
18.5
15 18.45
18.4
0.75 0.755 0.76 0.765 0.77
ID [mA]
10
2 4 6 8 10
VD [V ]
Con esto obtenemos que, según el gráfico, VD ≈ 0, 76[V ] e ID ≈ 18, 5[mA].

Si consideramos el modelo ideal del diodo, tenemos que VD = 0 y luego,
E = VD + R · ID =⇒ IR = ID = E/R = 10/500 = 20mA
MPC 2023-2 25 ELN

Lo cual se aleja del valor de la corriente predicho por el modelo de Shockley.
Con modelo umbral del diodo VD = VK = 0, 7V (para los diodos de silicio), y
luego:
E = 0, 7 + RID =⇒ ID = (E − 0, 7)/R = (10 − 0, 7)/500 = 18, 6mA
Lo cual es mucho más cercano al valor predicho por el modelo más exacto, pero
mucho más fácil de determinar.
Ejemplo 2.5 (Modelos empíricos). Considere los datos experimentales en el

Ejemplo 2.3. Para determinar un modelo umbral para este caso se puede
considerar una sección representativa de los datos de voltaje y calcular un
promedio entre ellos. Por ejemplo, si se toman los últimos cinco datos,
obtenemos un voltaje umbral de Vk = 619[mV ].
Alternativamente, se puede utilizar la ecuación de Shockley para determinar
un voltaje umbral en alguna zona de interés. Por ejemplo, con el modelo de
Shockley determinado en el Ejemplo 2.3, si nos interesa polarizar el diodo en
corrientes cercanas a Id = 10[mA], podemos utilizar este valor
para despejar el
Id
voltaje desde la ecuación de Shockley y obtener Vk := nVT ln Is + 1 ≈ 667[mV ].
También es posible que queramos caracterizar el voltaje umbral en una zona
en la que la característica de Shockley es "suficientemente" vertical. Por ejemplo,
si nos interesa que la corriente del diodo varíe ∆Id = 0, 5[mA] por cada ∆Vd =
1[mV ] de variación del voltaje, entonces podemos aproximar
∆Id dId Is V /nV

≈ = e =⇒ Vk ≈ 701[mV ] k T
∆Vd dVd nVT

La siguiente figura muestra gráficamente los tres modelos sugeridos en los pár-
rafos anteriores.
Modelos del diodo
7
Datos experimentales
Shockley por mínimos cuadrados
Modelo umbral 1
6
Modelo umbral 2
Modelo umbral 3
4
Id [mA]
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800
Vd [mV ]
MPC 2023-2 26 ELN

2.4 Otros tipos de diodos
2.4.1 Diodo Zener
id
+ −
vd
Diodo Zener.
Al polarizar cualquier juntura p-n de manera inversa con un voltaje suficiente-

mente grande (por ejemplo VZ = −50[V ] ó VZ = −100[V ]) se produce el llamado efecto
Zener4 . Éste consiste en la circulación de una alta corriente inversa en el diodo pro-
ducto del intenso campo eléctrico que se genera entre los terminales y que permite a los
electrones saltar desde la capa de valencia a la capa de conducción del semiconductor.
ID [mA]
VZ VD [V ]
Un diodo Zener aprovecha este efecto mediante un fuerte dopaje del material semi-
conductor, llevando el voltaje de ruptura a niveles prácticos para aplicaciones de elec-
trónica (por ejempo VZ = −3.2[V ] ó VZ = −5, 6[V ]). De esta manera, el diodo permite
el paso de una corriente inversa alta, pero manteniendo el voltaje en aproximadamente
el valor de ruptura. Esto lo hace ideal para aplicaciones donde sea necesario generar
un voltaje de referencia constante o como estabilizador de voltaje.
4 https://en.wikipedia.org/wiki/Clarence_Zener
MPC 2023-2 27 ELN

2.4.2 Schottky
id
+ −
vd
Un diodo Schottky5 se construye de manera similar a un diodo normal, salvo que el
material tipo p es reemplazado por un metal. De esta forma, el voltaje umbral necesario
para el funcionamiento del diodo suele ser mucho menor que en un diodo convencional
(en el rango de los 150 a 450[mV ] ), lo que a su vez permite mayores velocidades de
conmutación entre los estados de conducción.
2.4.3 LED
LED
id
+ −
vd
https://youtu.be/Jr6tcXnDHIo
Laser
https://youtu.be/3CKvdHkAFOU
LEDs de señal estándar.
Cuando un electrón pasa desde la capa de valencia de un átomo donador (impureza

tipo n) hacia la capa de valencia de un átono aceptador (impureza tipo p), entonces
existe un gradiente discreto de energía dependiendo del nivel de energía en el cual se
encuentre la capa de valencia de los átomos. Es decir, un electrón puede pasar desde
un nivel de energía alto a un nivel de energía más bajo en una juntura p-n, disipando
una cantidad de energía en forma de fotones. La frecuencia de la luz que se emite
dependerá de los los átomos que participen del intercambio.
Los diodos emisores de luz (LED: Light Emitting Diodo) funcionan igual que los
diodos comunes, pero disipan energía en forma de luz visible cuando fluye una corri-
ente por ellos. Su funcionamiento se caracteriza por un voltaje umbral de polarización
5 https://es.wikipedia.org/wiki/Walter_H._Schottky
MPC 2023-2 28 ELN

en directa que varía entre los 2[V ] y 4[V ] dependiendo del color, el material de con-
strucción, y la potencia disipada.
En serie con un LED siempre debe incluirse una resistencia para limitar la corriente
que por él circula:
Vs −VLED
ILED = .
R
Vs R ILED
+ −
VLED
2.4.4 Fotodiodo
id
+ −
vd
Un foto diodo corresponde al dispositivo recíproco de un LED que se comporta
como una celda fotovoltaica. Producto del mismo fenómeno, cuando luz de la longitud
de onda adecuada impacte al fotodiodo, se inducirá una corriente. Para su utilización,
un fotodiodo debe polarizarse en inversa de tal manera que no conduzca en oscuridad.
Cuando rayos de luz inciden sobre el dispositivo, entonces se inducirá una corriente
que puede medirse o utilizarse para activar otro circuito.
Ejemplo 2.6 (Celda fotovoltaica).
Rs I
+
+
I ph VD D Rp − V
− ID
IP
La figura muestra un modelo circuital típico de una celda fotovoltaica basado

en un diodo. I ph ≥ 0 corresponde a una corriente fotónica generada por la in-
cidencia de fotones en la superficie de las celdas. En los terminales de la celda
se conecta, como carga, una fuente de voltaje V > 0. Es decir, se asume que es
posible regular la tensión a la cual la celda se conecta. La corriente en el diodo
obedece a la relación de Shockley:

V
ID = Is e /nV − 1D T
MPC 2023-2 29 ELN

Desde un análisis de nodos tenemos,
I = I ph − ID − IP
La caída de tensión sobre la resistencia en serie corresponde a
Rs I = VD −V
Combinando las ecuaciones anteriores finalmente obtenemos un modelo no lineal

e implícito para la corriente que inyecta la celda en función del voltaje que se
induce en sus terminales y de la corriente fotónica:
V +R I
s

(V + R I)/nV
I = I ph − Is e s
−1 −
T
Rp
Esta ecuación puede resolverse numéricamente para determinar la corriente de la

celda. En el caso simplificado donde Rs → 0 y R p → +∞, la expresión se puede
simplificar para obtener
V
I = I ph − Is e /nV − 1 T
Para tensiones bajas, la corriente en el diodo será despreciable y por lo tanto toda
la corriente fotónica se desviará hacia la fuente de tensión. En la medida que la
tensión aumenta, llegará un punto en el cual el diodo conducirá toda la corriente
fotónica y la corriente inyectada por el panel será nula. Esta característica puede
verse más abajo para distintos valores de corriente fotónica.
La potencia que inyecta la celda fotovoltaica corresponde a:

V
P = IV = V I ph −V Is e /nV − 1 T
Esta relación presenta un máximo local para determinada tensión en los terminales
de la celda. Es decir, si podemos manipular la tensión de la celda, podemos
forzarla a trabajar siempre cerca del punto de máxima potencia.
0.5
I[A] P[W ]
0.4
0.6
0.3
0.42
0.31 0.2
0.2
0.1
V [V ] V [V ]
0.2 0.4 0.6 0.8 1 0.2 0.4 0.6 0.8 1
MPC 2023-2 30 ELN

2.5 Circuitos con diodos
Ejemplo 2.7 (Pequeña señal). Una fuente de tensión,
vs (t) = 1, 1 + 0, 1 sin(1000t),
se coloca en una combinación en serie de un diodo y una resistencia de 100[Ω],

como se muestra en la figura. Encuentre la corriente iD (t) si n · VT = 40[mV ], y
Vk = 0, 7[V ].
iD (t)
rd
+ + 0.7[V ] +
− vs (t) 100[Ω] − 1.1[V ] 100[Ω] − 0.1 sin(1000t)[V ] 100[Ω]
Circuito Ejemplo 2.7 Análisis DC Análisis AC
Solución: La fuente se compone por una parte DC y una parte AC de alta frecuen-
cia. Por principio de superposición, se puede analizar el circuito DC separado del
AC.
Usando la ley de mallas para la parte continua:
VS −VK 1, 1 − 0, 7
VS = VK + ID RL =⇒ ID = = = 4mA
RL 100
Esto define un punto de operación DC, sobre el cual la señal AC hace pequeñas
variaciones de voltaje.
Para la parte de pequeña señal AC, se puede utilizar el modelo simplificado
mediante una resistencia dinámica:
nVT 40mV
rd = = = 10Ω
ID 4mA
Ahora en AC se puede reemplazar el diodo por un resistor, y aplicar ley de malla:
vs 0, 1 sin(1000t)
vs = rd id + RL id =⇒ id = = = 0, 91 sin(1000t)mA
rd + RL 110
Luego, la corriente del diodo es la sumatoria de la parte DC con la parte AC:
iD = ID + id = 4 + 0, 91 sin(1000t)mA > 0
El principio de superposición es clave para analizar circuitos con dispositivos

semiconductores donde interactúan señales AC y DC.
MPC 2023-2 31 ELN

Ejercicio 2.2 (Circuitos con diodos). En todos los circuitos siguientes, encuentre
la corriente que circula por los diodos.
4.7[kΩ]
+12[V ] +10[V ]
rojo
VLEDro jo = 1.8[V ] 680[Ω] 2.2[kΩ]
−5[V ]
0.33[kΩ] D1
10[V ] D1 D2 20[V ] D2 3.3[kΩ]
5.6[kΩ]
D1 2[kΩ]
D2 2[kΩ]
10[V ] 2[kΩ]
Ejercicio 2.3 (Circuitos con diodos pequeña señal). En los circuitos del ejercicio
anterior, en serie con las fuentes DC ponga una fuente AC de poca potencia y
determine la(s) corriente(s) sobre el (los) diodo(s).
MPC 2023-2 32 ELN

Ejercicio 2.4 (Puertas lógicas). Determine los voltajes de salida (Vo ) de los sigu-
ientes circuitos en los casos en que los voltajes de entrada valen
• V1 = 10[V ] y V2 = 10[V ]
• V1 = 10[V ] y V2 = 0[V ]
• V1 = 0[V ] y V2 = 10[V ]
• V1 = 0[V ] y V2 = 0[V ]
D1 D1
V1 V1
D2 D2
V2 Vo V2 Vo
1.0[kΩ] 1.0[kΩ]
+10[V ]
Ejemplo 2.8 (Superposición). Determine la corriente que circula por el diodo de

silicio en el circuito de la siguiente figura donde la señal inducida por la fuente
alterna es de baja potencia (pequeña amplitud) y alta frecuencia.
R1 R2 R3
V v(t) D
Análisis DC
Cortocircuitando la fuente de voltaje AC, y considerando el voltaje en el diodo
como Vk = 0, 7[V ], se obtiene el circuito equivalente en la siguiente figura.
MPC 2023-2 33 ELN

R1 R2 R3
ID
V 0.7[V ]
Aplicando Ley de Kirchhoff de corrientes en el nodo superior tenemos que:
I1 = I2 + ID
Haciendo una malla considerando las ramas con las resistencias R1 y R2 , tenemos
que:
V − R1 I1 − R2 I2 = 0
De la malla considerando las ramas de la resistencia R1 y el diodo, tenemos:
V − R1 I1 − R3 ID − 0, 7 = 0
Esto representa un sistema de tres ecuaciones con tres incógnitas (las tres corri-
entes).
La expresión de la primera corriente en función de la corriente del diodo se
puede obtener desde la segunda malla:
1
I1 = (V − R3 ID − 0, 7)
R1
Resolviendo la segunda corriente desde las dos ecuaciones de malla tenemos:
1
R2 I2 = R3 ID + 0, 7 =⇒ I2 = (R3 ID + 0, 7)
R2
Reemplazando en el balance de corrientes en el nodo superior tenemos:
1 1
(V − R3 ID − 0, 7) = (R3 ID + 0, 7) + ID
R1 R2
Desde donde se obtiene:
R3 R3 V 1 1

1+ + ID = − + 0, 7
R2 R1 R1 R1 R2
Luego,
R3 R3 −1 V 1 1

ID = 1 + + − + 0, 7
R2 R1 R1 R1 R2
MPC 2023-2 34 ELN

que tendrá un valor numérico determinado dependiendo de los valores de las re-
sistencias y del voltaje de la fuente.
Notar que si se conoce el producto nVT , se puede determinar la resistencia
dinámica equivalente del diodo como:
nVT
rd =
ID
Análisis AC (pequeña señal)
Reemplazando el diodo por su resistencia dinámica equivalente y cortocircui-
tando la fuente de voltaje podemos obtener el circuito equivalente en la figura
siguiente.
R1 R2 R3
id
v(t) rd
Esta aproximación del comportamiento del diodo es válida cuando la señal de

voltaje alterna tiene una pequeña amplitud en comparación con el punto de op-
eración DC analizado anteriormente.
Desde aquí, podemos aplicar las leyes de Kirchhoff para obtener las siguientes
ecuaciones de nodos y mallas:
i2 = i1 + id
v(t) − R2 i2 − R1 i1 = 0
v(t) − R2 i2 − (R3 + rd )id = 0

Despejando se obtiene:
v(t) R3 + rd
i2 = − id
R2 R2
R3 + rd
i1 = id
R1
Luego desde el balance de corrientes:
v(t) R3 + rd R3 + rd

= + + 1 id
R2 R2 R1
MPC 2023-2 35 ELN

Es decir, −1
1 R3 + rd R3 + rd

id = + +1 v(t)
R2 R2 R1
Respuesta superpuesta
Con todo lo anterior, por el diodo circula una corriente que tiene una compo-
nente AC de pequeña amplitud montada sobre una componente DC. Esto es:
iD = ID + id
R3 R3 −1 V 1 1

= 1+ + − + 0, 7 +
R2 R1 R1 R1 R2
−1
1 R3 + rd R3 + rd

+ +1 v(t)
R2 R2 R1
Notar que esto se puede hacer por el principio de superposición de fuentes y

considerando el modelo equivalente del diodo en pequeña señal.
Ejercicio 2.5 (Circuitos con diodos pequeña señal). Determine la corriente en el

diodo del siguiente circuito, donde vi (t) es una señal de baja potencia y β > 0
un parámetro conocido. Determine además la relación entre el los voltajes vi (t) y
vo (t).
RC Co
+
β iB
+ RB
VC iB (t)
−
+ vo (t)
vi (t)
−
+
VB RE −
−
MPC 2023-2 36 ELN

DC/DC
Ejemplo 2.9 (Buck). El circuito de la figura representa un conversor DC/DC re-
ductor, también conocido como Buck. El interruptor conmuta a alta frecuencia,
con un ciclo de trabajo controlable, y permite obtener en la salida v(t) un voltaje
que es una fracción del voltaje de la fuente e(t).
Sw L i(t) v(t) https://youtu.be/PX1eFU0KPD4
e(t) C R
Considerando un diodo ideal, cuando el interruptor está abierto (Sw = 0), tenemos
di
que el voltaje en el inductor viene dado por vL (t)|Sw=0 = L dt = −v(t). En este
caso, el diodo está en conducción permitiendo la circulación de la corriente de la
bobina.
Cuando el interruptor está cerrado (Sw = 1), entonces el voltaje en el inductor
di
corresponde a vL (t)|Sw=1 = L dt = e(t) − v(t). En este caso el diodo se encuentra
en corte, pues la corriente de la bobina es suministrada por la fuente.
Combinando ambas casos, podemos escribir que:
di
L = Sw(t)e(t) − v(t)
dt
Por otro lado, haciendo un balance de corrientes en el nodo v(t), la corriente
en el condensador corresponde a:
dv 1
iC (t) = C = i(t) − v(t).
dt R
Ambas ecuaciones anteriores describen el comportamiento dinámico del circuito.
Se deja como ejercicio el caso en el cual el diodo no es ideal y presenta un
voltaje de polarización positivo y una resistencia de conducción.
MPC 2023-2 37 ELN

Ejercicio 2.6 (Convertidores Boost y Buck-Boost). Para los circuitos más abajo,
encuentre las ecuaciones que describen su comportamiento dinámico. Repita con-
siderando diodos no ideales, con voltaje de polarización positivo y resistencia de
conducción.
L i(t) v(t)
e(t) Sw C R
Sw v(t)
e(t) L C R
i(t)
MPC 2023-2 38 ELN

3 Rectificación
3.1 Rectificador de media onda
Considere un voltaje sinusoidal y un circuito como el que se muestra en la figura más
abajo:
vi = Vm sin(ωt), ω = 2π/T
vi vi vo
Vm
R
T T
2
Durante el semi-ciclo positivo, esto es para t ∈ [0, T /2[ cuando vi > 0, si el diodo es
ideal, entonces éste se comporta como un corto circuito y la señal de salida corresponde
a la señal de entrada:
vi vo vo
Vm
R
T
2
Durante el semi-ciclo negativo, es decir, para t ∈ [T /2, T [ cuando vi < 0, el diodo

se encuentra polarizado en inversa y por lo tanto no permite el paso de la corriente
comportándose como un circuito abierto. Por lo tanto, la señal de salida corresponde a
vo (t) = 0:
vi vo vo
Vm
R vo = 0
T T
2
Observando este proceso de manera períodica obtenemos que la señal de salida deja
de alternar entre valores positivos y negativos. Es decir, se parece más a una señal DC:
MPC 2023-2 39 ELN

vi
VDC = 0
vo
VDC = Vm /π
El voltaje medio que se mide en los terminales de la carga se puede calcular determi-
nando el área bajo la curva y redistribuyendo este valor durante todo el período:
Z T /2
1
A= Vm sin(2π t)dt
0 T
1 1 T /2
= −Vm cos(2π t)
2π T1 T 0
1
= −Vm 1 (cos(π) − cos(0))
2π T
1
= −Vm 1 (−1 − 1)
2π T
Vm T
=
π
Vdc = A/T = Vm/π = 0.3183Vm
En el caso de diodos no ideales, el voltaje máximo que alcanza la señal de salida
disminuye en la medida de la caída de tensión del diodo:
vi vo vo
VK Vm −VK
R
T T
2
MPC 2023-2 40 ELN

Ejemplo 3.1 (Rectificador no ideal). Con un diodo con caída de tensión Vk , con-
siderando el diagrama más abajo, interesa determinar los instantes en los cuales
la función sinusoidal alcanza el nivel de umbral:
Vk = Vm sin(ωtk ) =⇒ ωtk = arcsin(Vk /Vm )
Con ello, se puede determinar las áreas sobre y bajo el nivel umbral:
Z T /2−tk
A1 = Vm sin(ωt)dt
tk
Vm
=− cos(ωt)|tTk /2−tk
ω
Vm T
=− (cos(π − ωtk ) − cos(ωtk ))
2π
Vm T
=− (− cos(ωtk ) − cos(ωtk ))
2π
Vm T
= cos(ωtk )
π
A2 = Vk (T /2 − tk − tk )
= Vk T (1/2 − (1/π) arcsin(Vk /Vm ))
Finalmente, el voltaje DC corresponde a:
Vdc = (A1 − A2 )/T

Vm
= cos(arcsin(Vk /Vm )) −Vk (1/2 − (1/π) arcsin(Vk /Vm ))
π
A1
Vk
A2
tk T
− tk T
2 2
MPC 2023-2 41 ELN

3.2 Filtro capacitivo
Considere ahora el siguiente circuito, agregando un condensador en paralelo con la
carga.
vi vo
C R
Vθ
Vm
vo ∆Vo
π
2 2π
θ α 2π + α
En este caso el condensador se opone a los cambios de voltaje y ayuda a sostener

en alto el voltaje de salida cuando la onda de entrada disminuye. Es decir, el capacitor
se carga mientras el diodo esté polarizado directamente y se descarga cuando la tensión
de entrada es inferior a la tensión de la carga y el diodo no conduce.
Por lo anterior, el voltaje de salida es una función distinta dependiendo de si el
diodo está en corte o conduciendo:
Vm sin(ωt), diodo en conducción

vo (ωt) =
Vθ e−(ωt−θ )/(ωRC) , diodo en corte
donde,
Vθ = Vm sin(θ ).
Se puede definir el rizado (ripple) como la diferencia entre el valor máximo y el
valor mínimo del voltaje:
∆Vo = Vm − vo (2π + α)
Considerando que en la mayoría de los casos prácticos se tiene que θ ≈ π2 =⇒ Vθ ≈
+
Vm y α ≈ π2 , entonces la tensión en el instante en el cual el condensador comienza a

−
cargarse corresponde a:
vo (2π + α) ≈ Vm e−(2π+π/2−π/2)/(ωRC) = Vm e−2π/(ωRC)
MPC 2023-2 42 ELN

Desde donde se obtiene que
2π Vm

∆Vo ≈ Vm (1 − e −2π/(ωRC)
) ≈ Vm = ,
ωRC f RC
pues la función exponencial se puede aproximar linealmente por medio de su serie de

Taylor cuando el argumento es pequeño:
x x2 x3
ex = 1 + + + ... ≈ 1 + x
1! 2! 3!
Ejemplo 3.2 (Rectificador de media onda). Considere un circuito rectificador de

media onda con un generador de 120[VRMS ] a 60[Hz], con una carga de R =
500[Ω]. Determine la capacitancia para que el rizado ∆Vo sea un 1% del valor
máximo.
√
Vm = 120 2
Vm
∆Vo = 0.01Vm ≈
60 × 500 ×C
1
C≈ = 3.333[mF] = 3 333[µF]
60 × 500 × 0.01
Ejercicio 3.1 (Multiplicador de tensión). En los siguientes circuitos con diodos

ideales, determine la tensión sobre la carga. Ayuda: analice el comportamiento de
descarga y carga de los capacitores en cada semi-ciclo.
C1 D2
+ −
v1 −
vi (t) D1 v2 C2 R
MPC 2023-2 43 ELN

R3
C1 C3
+ − + −
v1 v3
vi (t) D1 D2 D3 D4
v2 v4
+ − + −
C2 C4
R2
R4
D1
vi (t) v1 C1
v2 C2
D2
MPC 2023-2 44 ELN

3.3 Rectificador de onda completa
Consideremos ahora el circuito de más adelante con una entrada sinusoidal.
vi vo (t)
Vm − +
vi (t)
R
T T
2
Para el semi-ciclo positivo, durante t ∈ [0, T /2[, con diodos ideales tenemos que
sólo un par de diodos están en conducción, mientras que otro par se encuentra en corte.
La corriente fluye a través de la carga desde el terminal marcado como (+) (de derecha
a izquierda), y por lo tanto la señal de salida es positiva como se aprecia en los sigu-
ientes diagramas:
vo
vo (t)
− +
vi (t)
R
T T
2
En el semi-ciclo negativo, cuando t ∈ [T /2, T [, la corriente fluye en el sentido con-

trario desde la fuente. Como consecuencia, el par de diodos que antes conducían, en
este caso se encuentra abiertos, y vice-versa. Sobre la carga, sin embargo, la corri-
ente sigue fluyendo en el mismo sentido y por lo tanto, la señal de salida sigue siendo
positiva:
MPC 2023-2 45 ELN

+
vo (t) vo
− +
vi (t)
R
T T
2
−
Analizando este fenómeno de manera periódica vemos que el proceso de rectifi-

cación aprovecha ambos semi-ciclos de la señal de entrada y por lo tanto el voltaje de
salida se duplica con respecto al caso de media onda.
vi
VDC = 0
vo
VDC = 2Vm /π
Lo anterior se puede justificar analíticamente a través de la descomposición ar-

mónica en serie de Fourier de una señal periódica f (t) = f (t + To ), con período To > 0:
+∞
1 2π 2π

f (t) = a0 + ∑ an cos n · t + bn sin n·t
2 n=1 To To
donde los coeficientes de Fourier vienen dados por:

2 To
Z
a0 := f (t)dt
To 0
2 To 2π
Z
an := f (t) cos n · t dt
To 0 To
2 To 2π
Z
bn := f (t) sin n · t dt
To 0 To
En el caso de la señal rectificada tenemos un período de To = T /2 (con T = 1/f el
período de la señal sinusoidal original) y la función dentro de un intervalo t ∈ [0, To ]
MPC 2023-2 46 ELN

corresponde a v(t) = Vm sin(2π f · t). Con ello los coeficientes de Fourier se pueden
desarrollar para obtener:
4Vm
a0 =
π
4Vm 1 1
an =
π 1 + 2n 1 − 2n
bn = 0
Y con ello, la descomposición armónica del voltaje queda como:
2Vm 4Vm +∞ 1
v(t) =
π
+ ∑ 1 − 4n2 cos (2π(2 f )n · t)
π n=1
Notar que el término libre corresponde al voltaje DC indicado anteriormente y la suma-

toria contiene sólo valores armónicos pares. Es decir términos trigonométricos done la
frecuencia corresponde múltiplos pares de la frecuencia f original.
Si despreciamos el efecto de los armónicos superiores, podemos obtener aproxima-
ciones del voltaje original. Así, podemos definir
2Vm
v0 (t) =
π
2Vm 4Vm
v2 (t) = − cos (2π(2 f ) · t)
π 3π
2Vm 4Vm 4Vm
v4 (t) = − cos (2π(2 f ) · t) − cos (2π(4 f ) · t)
π 3π 15π
donde el sub-índice da cuenta del armónico máximo de la frecuencia original. Grá-
ficamente, la siguiente imagen muestra las tres aproximaciones definidas junto con la
señal original. Notar que mientras más armónicos se consideran, mejor son las aproxi-
maciones.
v(t) v(t)
Vm v0 (t)
v2 (t)
v4 (t)
t
T /2 T 3T /2 2T
MPC 2023-2 47 ELN

Ejemplo 3.3 (Rectificador experimental). El circuito montado en laboratorio que
se ve más abajo consta de un trafo reductor conectado a 220[VRMS ] y 50[Hz]. Esto
permite obtener la onda sinusoidal de 14[VRMS ] que se observa en la figura de la
izquierda. A la derecha se observa el voltaje rectificado inducido sobre la carga
resistiva del puente con una frecuencia de 100[Hz].
MPC 2023-2 48 ELN

Ejercicio 3.2 (Rectificadores). Para los circuitos más abajo, considerando diodos
ideales, para cada señal de voltaje de entrada vi (t) de período T > 0 también a
continuación, dibuje la forma de onda de la señal vo (t) y determine el voltaje
medio que un voltímetro digital en modo DC registraría al medir sobre el resistor
del circuito. ¿Cómo se modifican las señales y los valores cuando los diodos no
son ideales?
+ +
+ vi (t) R + vi (t) R
vo (t) vo (t)
− −
− −
+ +
+ vi (t) R + vi (t) R
vo (t) vo (t)
− −
− −
r vo (t)
n:1
+ vi (t)
−
r R
vi vi
Vm Vm
T T 3T T T T
4 2 4 2
−Vm −Vm
MPC 2023-2 49 ELN

vi vi
Vm Vm
T T T T
2 4
−Vm −Vm
vi vi
Vm Vm
3T T T T
4 4
−Vm −Vm
vi vi
Vm Vm
Vm /2 5T 7T
8 8 T
T 3T
3T T −Vm /2 8 8
4
−Vm −Vm
vi vi
Vm Vm
5T 7T
8 8 T
T 3T T T 3T T
8 8 4 2 4
−Vm −Vm
Ejercicio 3.3 (Rectificadores no ideales). Repita el ejercicio anterior, considerando

que cada diodo en los circuitos es reemplazado por un diodo no ideal en paralelo
con una resistencia de 500[kΩ], y que se agrega en serie con cada fuente una
resistencia de 5[kΩ]. Considere el valor de la resistencia de carga como 10[kΩ].
MPC 2023-2 50 ELN

3.4 Filtro capacitivo para onda completa
El hecho de que se aproveche ambos semi-ciclos también ayuda a disminuir el tamaño
del condensador requerido para filtrar la señal de salida. Considere el siguiente circuito,
idéntico al anterior salvo por un capacitor en paralelo con la carga.
vi C R vo (t)
vo
Vm
∆Vo
π
2 π
θ α π +α
El ángulo para el cual el condensador comienza a cargarse nuevamente corresponde

a π + α ≈ 3π/2 por lo mismo el rizado de la señal queda ∆Vo = Vm − vo (π + α) lo cual
es inferior que en el caso de media onda. Desde aquí, la ecuación de diseño del filtro
se obtiene del mismo modo que en el caso de media onda.
π Vm
∆Vo ≈ Vm (1 − e−π/(ωRC) ) ≈ Vm =
ωRC 2 f RC
Notar que el factor 2 que acompaña a la frecuencia.
Ejemplo 3.4 (Diseño de rectificador). Interesa diseñar un rectificador de onda

completa desde una fuente de 220[VRMS ], 50[Hz] para una carga resistiva de 50[W ]
sometida a una tensión de 24[VDC ] con un rizado inferior al 5%.
Como la carga está especificada en potencia (P = VDC I = VDC 2 /R), podemos
calcular el valor de la resistencia equivalente como R = VDC 2 /P = 242 /50 =

R
11, 5[Ω]. Notar que la corriente de diseño corresponde a IDC = P/VDC = VDC /R ≈
2, 10[A].
Como la tensión DC es aproximadamente igual a la tensión máxima de la señal
sinusoidal en la entrada del rectificador, es necesario agregar un transformador de
MPC 2023-2 51 ELN

voltaje previo al puente rectificador con una razón de vueltas dada por:
√
220 2
N:1= ≈ 13
24
El condensador se puede dimensionar usando la fórmula deducida anteriormente:
Vm Vm
C= = ≈ 18[mF]
2 f R∆Vo 2 · 50 · 11, 5 · 0.05 ·Vm
La topología del circuito viene dada por el diagrama a continuación:
N:1
220[VRMS ]
50[Hz] C 50[W ] 24[V ]
Ejemplo 3.5 (Rectificador experimental). Al mismo circuito del ejemplo 3.3 se

le ha agregado un condensador en paralelo como se observa en las figuras más
adelante. El resultado es una onda notoriamente más plana dependiendo del valor
del capacitor, y una medida de voltaje más elevada.
MPC 2023-2 52 ELN

MPC 2023-2 53 ELN
3.5 Filtro inductivo-capacitivo
Considere ahora un filtro Inductivo-Capacitivo como el de la siguiente figura
iL (t)
+ L − +
vi (t) C R vo (t)
Debido a los diodos del puente rectificador, la corriente en el inductor (iL ) siempre
fluye en la dirección indicada por la flecha. Esto es, no puede tomar valores negativos
y por lo tanto iL ≥ 0.
El voltaje en el terminal positivo del inductor corresponde al voltaje rectificado de
media onda, y puede aproximarse por su componente DC y el segundo armónico de
la frecuencia fundamental. Es decir, si el voltaje de la fuente corresponde a vi (t) =
Vm sin(2π f t), entonces el voltaje en el terminal positivo del inductor con respecto a
tierra es
2Vm 4Vm
v+ (t) ≈ − cos (2π(2 f )t)
π 3π
Además, si el condensador es suficientemente grande, el voltaje en el terminal de
salida del inductor es aproximadamente constante y corresponde a la tensión inducida
sobre la carga: v− (t) ≈ Vo . Con estas apreciaciones, podemos plantear el siguiente
circuito equivalente.
iL (t)
+ L −
− 4V
3π cos (2π(2 f )t)
m
Vo
2Vm
π
Por principio de superposición de fuentes, podemos estudiar primero el caso DC

donde el inductor no presenta una caída de tensión y por lo tanto,
2Vm
Vo =
π
MPC 2023-2 54 ELN

Además, la corriente del inductor en este caso corresponde a la corriente que se induce
en la carga pues el capacitor no conduce. Es decir,
Vo 2Vm
IDC = =
R Rπ
En el caso AC tenemos,
4Vm diAC
− cos (2π(2 f )t) = L
3π dt
Asumiendo condición inicial nula, integrando se desprende que
Vm
iAC (t) = − sin (2π(2 f )t)
3L f π 2
Con ello, la corriente total sobre el inductor es:
2Vm Vm
iL (t) = IDC + iAC (t) = − sin (2π(2 f )t)
Rπ 3L f π 2
Lo cual sólo es solución del circuito con el diodo si iL (t) ≥ 0. Es decir, si
2Vm Vm
min (iL (t)) = IDC + min (iAC (t)) = − ≥0
Rπ 3L f π 2
Desde donde se desprende la condición
3ωL ≥ R
con ω = 2π f , para asegurar que el la corriente sobre el inductor sea permanente (es-
trictamente positiva).
Es decir, para valores de inductancia tales que se cumpla la condición relativa a la
carga, la corriente del inductor es permanente y la la tensión de salida es Vo = 2Vm /π.
En otro caso, para determinar la tensión de salida es necesario analizar numéricamente
el comportamiento discontinuo de la corriente, pues no es posible obtener una expre-
sión analítica para la misma.
La siguiente figura es útil para determinar la relación entre el voltaje máximo de
entrada y la salida del rectificador como función del valor del inductor considerado.
MPC 2023-2 55 ELN

Daniel W. Hart. Introduction to Power Electronics. Prentice-Hall, 1997
3.6 Regulación de tensión

Considere ahora el siguiente circuito.
Rs
−
N:1
220[VRMS ]
50[Hz] C DZ R Vo
El diodo Zener en paralelo con el filtro capacitivo actúa como un regulador de tensión
para la carga aprovechando la característica del diodo Zener que ante corrientes nega-
tivas mantiene un voltaje inverso prácticamente constante. La resistencia entre el filtro
y el diodo Zener debe conectarse por la diferencia de voltaje instantáneo que se tiene
entre el voltaje del Zener y de filtro, induciéndose una corriente que disipa energía en
forma de calor.
Fuente alterna carga
Transformador Rectificador Filtro Regulador
MPC 2023-2 56 ELN

7805
En general, una fuente de voltaje DC para aplicaciones de electrónica puede obten-
erse a través de las etapas que se han analizado hasta ahora: Transformación de voltaje,
rectificación, filtrado de señal, y regulación de tensión como se ve en la figura ante-
rior. La etapa de regulación de tensión se puede implementar de variadas maneras, por
ejemplo a través de los circuitos integrados (CI) 7805 y 7905 cuyo funcionamiento se
basa en un diodo Zener. https://www.electronicsforu.com/technology-trends/learn-electronics/7805-ic-voltage-regulator
El siguiente circuito implementa una fuente tipo split que produce una tensión po-
sitiva (con respecto a la tierra del tap central del trafo) regulada por el CI7805 y una
tensión negativa regulada por el CI7905.
7805
+
C3 C4
C1 R1 C7 Vo+
N:1
220[VRMS ] −
50[Hz]
+
C2 R2 C8 Vo−
C5 C6
−
7905
Donde los valores de los componentes para obtener Vo± = ±5[VDC ] corresponden a
C1 = C2 = 2200[µF], R1 = R2 = 10[kΩ], C3 = C4 = C5 = C6 = 0, 47[µF], y C7 = C0 =
47[µF].
MPC 2023-2 57 ELN

4 Transistores de Unión Bipolar
4.1 Una triple juntura
Consideremos una triple juntura de materiales n, p, y n, donde la capa del medio (mar-
cada en el diagrama más abajo como B de base) es mucho más delgada que las capas
extremas. Además, una de las capas n (E de emisor) está altamente dopada (con un
importante exceso de portadores) mientras que el otro extremo (C de colector) tiene un
dopaje bajo (pocos portadores).
E C
n p n
iE
B
iC
RB iB
La juntura B-E (p-n) se comporta como un diodo polarizado en directa (i.e. en

conducción). Por otro lado, la juntura B-C es un diodo polarizado en inversa, no per-
mitiendo el paso de electrones desde C a B salvo por una casi despreciable corriente de
fuga. Si se induce una corriente pequeña entrando en B, es decir, si se fuerza un flujo
de electrones desde B hacia la fuente, entonces estos electrones provendrán de la zona
de emisor fuertemente dopada. Al llegar a la zona de la base, lo esperable sería que los
electrones continuaran hacia la fuente en B. Sin embargo, al ser la base tan delgada,
rápidamente estos electrones se ven bajo la influencia del campo eléctrico inducido por
la fuente conectada al colector desviando su trayectoria para salir por C. Además, la
zona de base presenta una resistividad relativamente alta comparada con la zona de
colector, por lo que el flujo mayoritario de electrones será desde el emisor hacia la base
y con una pequeña desviación hacia la base.
El fenómeno descrito anteriormente se puede analizar desde el punto de vista de las
corrientes incidentes. Desde el nodo entre ambas fuentes tenemos que,
iE = iB + iC
Además, se define la ganancia de corriente en base común como la razón de cambio en
la corriente de colector con respecto a la corriente de emisor cuando la tensión entre
base y colector es constante:
diC
α :=
diB VCB
Como además existe una corriente de fuga ICBO ≈ 0 por el diodo en inversa entre B y
C, podemos escribir la relación entre las corrientes de colector y emisor como:
iC = αiE + ICBO
MPC 2023-2 58 ELN

Combinando con el balance de corrientes en el nodo tenemos,
α 1 α
iC = iB + ICBO ≈ iB
1−α 1−α 1−α
El término
α
β :=
1−α
corresponde a la ganancia de corriente entre base y colector.
4.2 Transistores de unión bipolar (BJT)

BJT
https://youtu.be/GwrUC23M5xc
BC548.
E C E C
n p n p n p
B B
E IE C E IE C
IC IC
IB IB
B B
La triple juntura analizada en el apartado anterior corresponde a un Transistor de

Unión Bipolar (BJT: Bipolar Junction Transistor). En el caso más común (npn), el
comportamiento del transistor se caracteriza por la ganancia de corriente entre base y
colector:
IC
β= ≫1
IB
Como la juntura Base-Emisor corresponde a un diodo polarizado en directa, tenemos
que en DC:
VBE = VK = 0, 7V (para dispositivos de Si)
MPC 2023-2 59 ELN

Además, haciendo un balance de corrientes en el dispositivo, tenemos que:
IE = IC + IB
Luego,
IE = (1 + β )IB ≈ β IB = IC
Las ecuaciones anteriores se utilizan, junto con análisis circuitales, para determinar las
corrientes IB , IE , e IC de "polarización" en distintos circuitos energizados en DC. Es
decir, el valor DC de estas corrientes en distintas configuraciones.
Ejemplo 4.1 (Darlington). Considere la siguiente construcción en base a BJT. Ésta

corresponde a un transistor Darlington, nombrado por su inventor. Habitualmente
estos dispositivos se encuentran encapsulados en un único circuito integrado, y su
importancia histórica radica en ser de los primeros dispositivos integrados de esta
manera. Ver la hoja de datos al final de este documento.
CD
BD
ED
Esta configuración se utiliza para obtener una ganancia de amplificación de

corriente superior a la que se puede obtener con un BJT sencillo. Las relaciones
de corriente del primer transistor (el de la izquierda), corresponden a:
IC1 = β1 IBD
IE1 = IBD + IC1 = (1 + β1 )IBD .
Para el segundo transistor tenemos,
IC2 = β2 IB2
IED = IB2 + IC2 = (1 + β2 )IB2 .
Además, tenemos que la corriente de emisor del primer transistor corresponde a

la corriente de base del segundo: IE1 = IB2 . Por otra parte, la corriente que entra
por el colector de la construcción es la suma de las corrientes de colector de cada
transistor: ICD = IC1 + IC2 . Con esto, podemos caracterizar las relaciones entre las
tres corrientes que entran a la construcción combinando las ecuaciones anteriores
MPC 2023-2 60 ELN

para obtener
ICD = IC1 + IC2

= β1 IBD + β2 IB2
= β1 IBD + β2 (1 + β1 )IBD
= (β1 + β2 + β1 β2 ) IBD
IED = (1 + β2 )IB2
= (1 + β2 )(1 + β1 )IBD
= (1 + β1 + β2 + β1 β2 ) IBD
Es decir, la construcción tiene una ganancia de corriente equivalente de
βD = β1 + β2 + β1 β2 ≈ β1 β2
La aproximación es válida cuando ambas ganancias son suficientemente grandes.

En el orden de los cientos.
Sobre el primer transistor se tiene que su caída de tensión DC entre base y
emisor corresponde a VBD E1 = 0, 7[V ] si es de silicio. Similarmente, para el se-
gundo transistor tenemos que VB2 ED = 0, 7[V ]. Por lo tanto, la caída de tensión en-
tre la base y el emisor de la construcción corresponde a VBD ED = VBD E1 +VB2 ED =
1, 4[V ]. Es decir, el doble de un transistor sencillo.
MPC 2023-2 61 ELN

4.3 Polarización de BJT
Ejemplo 4.2 (Polarización BJT). Considere el siguiente circuito.
VCC
RB RC
vo (t)
vi (t) Co
Ci
RE C
Notar que en DC los condensadores se comportan como circuitos abiertos.

Malla sobre RB :
VCC − RB IB −VK − RE IE = 0
Como además, IE = (1 + β )IB , tenemos que
VCC −VK
IB =
RB + (1 + β )RE
Con esto se pueden calcular las corrientes IC e IE .

Además, desde la malla sobre RC :
VCC − RC IC −VCE − RE IE = 0
se obtiene el voltaje entre colector y emisor:
VCE = VCC − (RC β + RE (1 + β ))IB
MPC 2023-2 62 ELN

Ejemplo 4.3 (Polarización BJT). En el mismo circuito del Ejemplo 4.2, con-
siderando valores:
• β = 50
• VCC = 20[V ]
• RB = 430[kΩ]
• RC = 2[kΩ]
• RE = 1[kΩ]
Tenemos que,
VCC −VK 20 − 0, 7
IB = = [mA] = 40, 1[µA]
RB + (1 + β )RE 430 + (1 + 50)1
Entonces
IC = β IB = 50 × 40, 1[µA] ≈ 2, 01[mA]
IE = (1 + β )IB = 51 × 40, 1[µA] ≈ 2, 01[mA]
Además,
VCE = VCC −(RC β +RE (1+β ))IB = 20−(2k ×50+1k ×(51))40, 1µ = 13, 95[V ] > 0
El voltaje entre Base y Colector se puede obtener haciendo una malla sobre el
transistor:
VBC = −VCE +VBE = −13, 25[V ] < 0
Es negativo pues la juntura se comporta como un diodo polarizado en inversa.
Ejemplo 4.4 (Polarización BJT). El mismo circuito de los ejemplos anteriores
• β = 150
• VCC = 20[V ]
• VCE = 10[V ]
• IC = 2[mA]
Queremos determinar (diseñar) las resistencias para que se cumpla este punto de
operación.
Desde la corriente de colector, tenemos que:
IB = IC /β = 13, 33[µA]
IE = (1 + β )IB = 2, 01[mA]
MPC 2023-2 63 ELN

Desde las mallas analizadas anteriormente tenemos dos ecuaciones:
VCC − RB IB −VK − RE IE = 0
VCC − RC IC −VCE − RE IE = 0
con tres incógnitas (RB , RE , y RC ). Para obtener la ecuación faltante, supondremos
que el voltaje sobre la resistencia de emisor cumple con
VE = VCC /10 = 2[V ]
De donde
RE = VE /IE ≈ 1kΩ
Con ello, se puede despejar que:
VCC −VCE −VE 8[V ]

RC = = = 4[kΩ]
IC 2[mA]
y además:
VCC −VK −VE
RB = = 1, 3[MΩ]
IB
Ejercicio 4.1 (Polarización BJT). Encuentre los puntos de polarización en las

siguientes configuraciones.
+22[V ]
39[kΩ] 10[kΩ]
vo (t)
vi (t) 10[µF] β = 100
10[µF]
3.9[kΩ] 1.5[kΩ] 50[µF]
MPC 2023-2 64 ELN

+10[V ]
4.7[kΩ]
250[kΩ]
vo (t)
vi (t) 10[µF] β = 90
10[µF]
1.2[kΩ] 10[µF]
+18[V ]
10[µF]
3.3[kΩ]
91[kΩ] 110[kΩ]
vo (t)
vi (t) 10[µF] β = 75
10[µF]
510[Ω] 50[µF]
10[µF]
vi (t) 10[µF] β = 75
vo (t)
240[kΩ]
2[kΩ]
−20[V ]
MPC 2023-2 65 ELN

Ejercicio 4.2 (Polarización BJT Experimental). En el montaje de la experiencia
de laboratorio más abajo se conectó el terminal central de un potenciómetro de
500[kΩ] a la base de un BJT, los otros terminales se conectaron a tierra y a un
voltaje medido de VCC = 12, 050[V ]. El colector del transistor se conectó a VCC a
través de una resistencia medida de RC = 2 183[Ω], y el emisor se conectó direc-
tamente a tierra. Posteriormente se fue variando la posición del potenciómetro,
registrando la resistencia efectiva entre base y tierra, para obtener los siguientes
datos:
RB1 [Ω] VBE [V ] VCE [V ] VRC [V ]
154000 0, 612 7, 290 4, 782
163000 0, 612 7, 290 4, 773
202000 0, 612 7, 290 4, 761
220900 0, 612 7, 300 4, 755
240200 0, 612 7, 300 4, 749
271000 0, 612 7, 300 4, 742
300000 0, 612 7, 300 4, 735
Grafique la relación entre la corriente de base y de colector para cada uno de los
puntos de la tabla anterior.
MPC 2023-2 66 ELN

4.4 Análisis en pequeña señal de BJT
Considere una pequeña señal de voltaje vi (t) aplicada sobre un circuito con transistor
polarizado en DC. Interesa analizar la relación que existe entre esta pequeña señal y
una señal de salida vo (t) en otra parte del circuito. Para hacer este análisis se requiere
un equivalente circuital del transistor en pequeña señal.
C C
C
iB (t) iC (t) iB (t) iC (t)
B ≈ B ≈ B
+ +
E vBE (t) vBE (t) re
− iE (t) − iE (t)
E E
Donde re ≈ nVT /IE corresponde a la resistencia equivalente de un diodo ante pequeña
señal. Notar que el valor de esta resistencia depende de la corriente de polarización.
Como iC (t) = β iB (t), la impedancia de entrada del circuito equivalente en la figura
anterior se calcula como:
vBE (t) re iE (t) re (1 + β )iB (t)
Zin = = = ≈ β re
iB iB iB
Con esto, el circuito equivalente anterior se puede escribir como un cuadripolo:
B iB (t) C
β re ro
β iB (t)
E E
Donde r0 ≫ 1 es una impedancia de salida que se agrega para modelar compor-

tamientos no ideales del circuito.
Además, en cualquier circuito tenemos que:
• Por el principio de superposción de fuentes, los voltajes de fuentes DC pueden
considerarse como tierras en AC.
MPC 2023-2 67 ELN

• Los condensadores en DC corresponden a circuitos abiertos y se utilizan para
aislar distintas etapas.
• Para señales no continuas, si un condensador es pequeño, se puede considerar

como un corto circuito.
• Esto es, para señales alternas, se desprecia el desplazamiento de fase introducido
por un condensador.
Con lo anterior se puede simplificar un circuito para realizar su análisis.
Ejemplo 4.5 (BJT en pequeña señal). Si los condensadores en el circuito de la

próxima figura se transforman en corto circuitos, y las fuentes DC en tierras AC,
el circuito queda desde el punto de vista AC como el de la figura subsiguiente:
VCC
R1 RC
R1 RC
vo (t)
vo (t)
vi (t)
vi (t) Co
Ci
R2 RE CE R2 RE
Notar que el condensador CE hace que el emisor esté directamente conectado

a la tierra AC. Además, las resistencias R1 y R2 están en paralelo.
Reemplazando el transistor por su equivalente en pequeña señal, el circuito
anterior es equivalente a:
ii (t) B iB (t) C
+ +
vi (t) R1 ||R2 β re ro RC vo (t)
β iB (t)
− −
E E
MPC 2023-2 68 ELN

La corriente de base se induce gracias al voltaje de entrada:
vi (t)
iB (t) =
β re
Lo mismo ocurre para la corriente sobre la resistencia R1 ||R2 . Haciendo un bal-

ance de corrientes en el nodo B, obtenemos que,
1 1

ii (t) = + vi (t)
β re R1 ||R2
Con ello, la impedancia de entrada del circuito corresponde a:
vi (t)
Zi = = R1 ||R2 ||β re
ii (t)
Haciendo un balance de corrientes en el nodo C, tenemos además que
vo (t) vo (t)
β iB + + =0
ro RC
Reemplazando la expresión para la corriente de base se deduce que:
vi (t) vo (t) vo (t)

=− −
re ro RC
Luego, la ganania de amplificación de voltaje del circuito corresponde a
vo ro ||RC RC
Av = =− ≈−
vi re re
cuando ro ≫ RC . Notar que la ganancia de voltaje depende del punto de polar-
ización a través de re .
Además, la ganancia es inversora (negativa) y su valor dependará de las re-
sistencias en el circuito. Si |Av | > 1, entonces la señal de entrada se amplifica.
De lo contrario, la señal de entrada se atenúa. Otras configuraciones circuitales
tendrán expresiones distintas para la gananacia, pero la forma de determinarla es
similar.
Si el circuito es un amplificador, ¿de dónde proviene la potencia para entregar
a la señal de salida?
MPC 2023-2 69 ELN

Ejemplo 4.6 (Diseño Emisor-Seguidor).
VCC
Rs ii (t) B iB (t) C
R1
Rs ii (t) + β re ro
+ Ci β iB (t)
E E
+
Co + vs (t) − vi (t) R1 //R2
+ +
vs (t) − vi (t)
R2 RE RL vo (t) RE RL vo (t)
−
− io (t) − io (t) −
Se dispone de un transistor npn con β = 70 y se requiere diseñar un amplifi-

cador Emisor-Seguidor como el de la figura con una ganancia de corriente Ai = 15
sobre una carga de RL = 100[Ω]. Esto es, se deben determinar las resistencias R1 ,
R2 y RE para cumplir con lo solicitado. Se dispone de una fuente continua de
VCC = 12[V ] y la fuente de pequeña señal se caracteriza por Rs = 1[kΩ].
Puesto que es un problema de diseño, elegiremos el punto de polarización del
transistor de manera arbitraria como
IC = 80[mA]
VCE = 4[V ]
VBE = 0, 7[V ]
Luego, la corriente de base queda como IB = IC /β = 1, 14[mA] y la resistencia

en pequeña señal entre base y emisor como re = 26[mV ]/IC = 0, 33[Ω]. Desde el
análisis DC de la malla desde la fuente DC hacia tierra por el transistor implica
que la tensión en el resistor de emisor corresponde a
VE = VCC −VCE = RE (1 + β )IB
Con ello,
VCC −VCE 12V − 4V
RE = = ≈ 98, 6[Ω]
(1 + β )IB (1 + 70)1, 14mA
De la malla entre Base y tierra a través de la resistencia de emisor se desprende
que el voltaje en la base del transistor corresponde a
VB = VBE +VE = VBE +VCC −VCE = 8, 7[V ]
Además, la malla entre la fuente y tierra por las resistencias R1 y R2 junto con la
ecuación del nodo en la base implican que:
VCC − R1 I1 = VB = R2 I2
I2 + IB = I1
MPC 2023-2 70 ELN

Eliminando los valores de las corrientes desconocidas tenemos una única
ecuación con dos incógnitas:
VCC − R1 (VB /R2 + IB ) = VB
Para determinar los valores de las resistencias, la segunda ecuación viene de la

condición de diseño de la ganancia de corriente. Considerando el modelo circuital
en pequeña señal del amplificador, si ro → +∞, entonces
vi = β re iB + vo
vo = RE //RL (1 + β )iB
Combinando las dos expresiones anteriores obtenemos la ganancia de voltaje:
vo RE //RL (1 + β )
Av := = = 0, 9936 ≈ 1
vi β re + RE //RL (1 + β )
Además, por el lado de la entrada que se cumple:

vi
ii = + iB
RB
donde RB = R1 //R2 . Combinando con la expresión para el voltaje de salida ten-
emos que,
1 1 1 1

ii = + vo = + RL io
RB Av RE //RL (1 + β ) RB Av RE //RL (1 + β )
Desde donde tenemos,

−1
io 1 1 1

Ai := = + = 15
ii RB Av RE //RL (1 + β ) RL
Despejando el valor de la resistencia de base:

−1
1 1 1

RB = − = 2, 63[kΩ]
Ai RL RE //RL (1 + β ) Av
Notar que, por la definición del operador paralelo:

1 1 1
= +
RB R1 R2
Luego, la relación entre las resistencias R1 y R2 se puede reordenar para obtener:
1 1 1 1
VCC − IB = VB + VB = VB
R1 R1 R2 Rs
MPC 2023-2 71 ELN

Y finalmente,
1
R1 = VCC = 2, 6946[kΩ]
VB /RB + IB
RB R1
R2 = = 106, 36[kΩ]
R1 − RB
Ejercicio 4.3 (Amplificadores BJT). En los circuitos analizados en el Ejercicio

4.1, determine su impedancia de entrada, impedancia de salida, razón de amplifi-
cación de voltaje, y razón de amplificación de corriente, para pequeñas señales de
entrada.
Ejercicio 4.4 (Diseño Amplificadores BJT). En los circuitos analizados en el Ejer-

cicio 4.1, modifique sus parámetros para obtener una razón de amplificación en
pequeña señal de 10[V /V ] ó −10[V /V ] según sea el caso.
Ejercicio 4.5 (Amplificadores BJT experimental). Se monta un transistor BJT

2N2222A como se muestra en las figuras más adelante, con su colector conectado
a VCC = 15, 04[V ] a través de una resistencia con valor medido de RC = 2, 183[kΩ];
la base se conecta también a VCC a través de un resistor medido en RB = 21, 6[kΩ];
el emisor se conecta directamente a tierra. Experimentalmente se obtienen los
voltajes VRB = 13, 8[V ], VRC = 14, 5[V ], VBC = 0, 690[V ], y VCE = 1, 019[V ]. De-
termine la ganancia de amplificación de una pequeña señal de entrada en voltaje
inducida directamente entre la base y tierra, hacia una salida medida entre el
colector y tierra. Compare con el resultado experimental que se muestra también
en las figuras más abajo.
MPC 2023-2 72 ELN

Ejercicio 4.6 (Amplificador Diferencial). Encuentre la relación entre las entradas
vi,1 (t) y vi,2 (t) y las salidas vo,1 (t) y vo,2 (t) en el siguiente circuito. ¿Qué ocurre
con la salida si se considera una de las entradas como una señal sinusoidal y la
otra entrada se aterriza?
VCC
RC RC
vo,1 (t) vo,2 (t)
vi,1 (t) vi,2 (t)
RE
−VEE
MPC 2023-2 73 ELN

Driver
Ejemplo 4.7 (Driver).
+12[V ]
https://www.youtube.com/watch?v=umjr8sWZP0I&ab_channel=ByteMe
1N914 M
2N3904
Arduino Rb
UNO
mín. máx.
Arduino:
Vout hight 4, 2[V ] 5, 0[V ]
Vout low 0, 0[V ] 0, 9[V ]
Iout 40[mA]
Motor:
Idc 100[mA] 130[mA]
El circuito de la figura sirve como un driver para manipular un componente

de alto consumo (en particular un motor DC) a través de la salida digital de un
micro-controlador tipo Arduino. Si se conectara el motor directamente a la salida
digital del Arduino, y a tierra, la corriente máxima (40[mA]) que puede inducir
el Arduino (ver tabla de datos) no es suficiente para mover el motor que necesita
al menos 100[mA]. Por otro lado, si se conectara el motor directamente entre los
12[V ] y la salida del Arduino, se induciría una corriente no controlada hacia el
micro-controlador que fácilmente podría quemar sus componentes internos.
Por ello se puede utilizar un transistor NPN 2N3904 como un interruptor con-
trolado por corriente. El transistor permite el paso de una corriente de colector
proporcional a la corriente de base, pero mucho más alta. Luego, una pequeña
corriente inducida por los terminales del Arduino, permiten el accionamiento del
motor.
MPC 2023-2 74 ELN

Para determinar el valor de la resistencia, debemos considerar la ganancia de
corriente del transistor. Según la hoja de datos, ésta corresponde a hFE = 30
mínimo (@ IC = 100[mA], VCE = 1, 0[V ]). Luego, si queremos una corriente de
colector de IC = 100[mA] (el valor mínimo que mueve el motor), necesitamos una
corriente de base de al menos IB = IC /hFE = 3, 33[mA] para mover el motor, un
valor muy menor que la corriente máxima que puede suministrar el Arduino.
Un análisis de malla a través de la juntura base emisor del transistor entrega
que:
VH,min − RB IB −VBE = 0
Como la caída de tensión entre la base y el emisor es de VBE = 0, 7[V ], y el voltaje
mínimo en la salida alta del Arduino es de VH,min = 4, 2[V ], entonces
VH,min −VBE 4, 2 − 0, 7[V ]

RB = = = 1 050[Ω]
IB 3, 33 × 10−3 [A]
Como este valor no es un componente estándar, podemos elegir un valor liger-

amente inferior (por ejemplo RB = 1[kΩ]) para obtener una corriente un poco
superior al mínimo necesario.
El diodo en antiparalelo con el motor sirve para evitar que el transciente de
voltaje al apagar el motor dañe los componentes. En efecto, como el motor tiene
una característica inductiva (esto es, deriva la corriente), sin el diodo, cuando
la corriente a través del motor se hace nula de golpe, se inducirá un voltaje ex-
tremadamente alto en el inductor, lo cual puede dañar algún componente. En
presencia del diodo sin embargo, la corriente nunca se anula de golpe sino que
decae suavemente circulando por el diodo.
MPC 2023-2 75 ELN

5 Transistores de Efecto de Campo
5.1 Transistores Efecto de Campo (FET)
Transistores
https://youtu.be/reIt_EST8nM
2N5458.
Un Junction-Gate Field Effect Transistor (JFET) es uno de los tipos más sencillos
de transistores de efecto de campo (field effect). A diferencia de un BJT, un JFET se
controla exclusivamente por voltaje y no es nesaria una corriente de entrada.
Un JFET de canal n puede mostrarse esquemáticamente como:
G
p n p G
S
S
Los terminales del transistor JFET son:
• G: Gate (compuerta).
• D: Drain (drenaje).
• S: Source (fuente).
Una de las principales características de este tipo de dispositivos, es su alta impedancia
de entrada. Es decir, que la corriente de Gate es despreciable:
IG ≈ 0 =⇒ ID = IS
MPC 2023-2 76 ELN

Si el JFET se polariza, se genera un efecto de campo haciendo que el canal de conduc-
ción se estreche. Esto permite controlar el flujo de electrones entre D y S, dependiendo
del voltaje entre G y S.
G
p n p
S
10
ID [mA]
VGS = 0[V ]
IDSS 8
6
VGS = −1[V ]
4
VGS = −2[V ]
2
VGS = −3[V ]
VP VGS [V ] VDS [V ]
−5 −4 −3 −2 −1 5 10 15 20 25 30
Lo habitual es operar un JFET en la zona de saturación, cuando la corriente se

hace constante independiente del valor de la tensión DS. En tal caso, una tensión nega-
tiva entre los terminales GS genera estrecha el canal, haciendo bajando la corriente de
saturación.
En la región ohmnica, el dispositivo se comporta como un resistor controlado por
voltaje:
ro
rd =
(1 −VGS /VP )2
Por otro lado, en la zona de sasturación, se considera una relación cuadrática entre
MPC 2023-2 77 ELN

la corriente a través del canal, y el voltaje entre Gate y Source:
VGS 2

ID = IDSS 1 −
VP
Otras construcciones de FET reciben otros nombres. Por ejemplo los MOSFET y
MESFET (enriquecimiento) también presentan características cuadráticas de la forma
ID = k(VGS −VT )2
También existe el JFET canal p con características análogas al JFET canal n.

S
G
G
n p n
D
D
5.2 Polarización FET

Ejemplo 5.1 (Polarización FET). Considere el siguiente circuito:
VDD
R1 R2
vo (t)
Co
vi (t)
Ci
R3 R4 C
Es necesario saber que la corriente de Gate es cero (IG = 0 =⇒ ID = IS ) y la
MPC 2023-2 78 ELN

relación cuadrática entre el voltaje GS y la corriente de Drain:
VGS 2 IDSS 2

2
ID = IDSS 1 − = 2 VP − 2VPVGS +VGS

VP VP
donde la corriente de saturación máxima IDSS y el voltaje peak VP son parámetros

conocidos. Los condensadores en DC se consideran como circuitos abiertos.
De la malla sobre las resistencias R1 y R3 tenemos que:
1
VDD − R1 I1 − R3 I1 = 0 =⇒ I1 = VDD
R1 + R3
Luego, el voltaje sobre la resistencia R3 corresponde a:
R3
VG = R3 I1 = VDD
R1 + R3
Éste es el voltaje al cual se somete la compuerta G del transistor. Nos interesa

la diferencia de potencia entre este punto y la fuente S del dispositivo. Luego,
siguiendo la malla entre Gate y tierra a través de la resistencia R4 tenemos:
VG −VGS
VG −VGS − R4 ID = 0 =⇒ ID =
R4
Esta ecuación, en conjunto con la característica cuadrática del transistor, define
un sistema de dos ecuaciones con dos incógnitas (VGS e ID ). Igualando las expre-
siones para la corriente tenemos,
VG −VGS IDSS
= 2 VP2 − 2VPVGS +VGS
2

R4 VP
o equivalentemente:
R4 IDSS 2 2R4 IDSS

V + 1− VGS + (R4 IDSS −VG ) = 0
VP2 GS VP
Desde donde se obtienen las dos posibles soluciones para VGS :

r 2
− 1 − 2RV4 IPDSS ± 1 − 2RV4 IPDSS − 4 · R4VIDSS

2 · (R4 IDSS −VG )
P
VGS =
2 R4VIDSS
2
P
La respuesta válida debe estar en el intervalo VGS ∈ [VP , 0]. Con este valor, es
posible encontrar la corriente de drenaje desde cualquiera de las expresiones an-
teriores.
MPC 2023-2 79 ELN

Para obtener el voltaje entre drenaje y fuente, requerimos la malla la resisten-
cias R2 , R4 y el transistor:
VDD − R2 ID −VDS − R4 ID = 0 =⇒ VDS = VDD − (R2 + R4 )ID
donde ya se conoce el valor de la corriente ID .
Ejemplo 5.2 (Polarización FET). Supongamos los siguientes valores de los

parámetros del circuito en el ejemplo anterior:
• IDSS = 8[mA]
• VP = −4[V ] (Notar que este valor debe ser negativo siempre)

• VDD = 16[V ]
• R1 = 2, 1[MΩ]
• R2 = 2, 4[kΩ]
• R3 = 270[kΩ]
• R4 = 1, 5[kΩ]
Desde las ecuaciones deducidas anteriormente, tenemos que VG = 1, 82[V ].
Además VGS = −11, 30[V ] ó VGS = −2, 70[V ]. Como el primer valor es mayor en
valor absoluto que el voltaje de peak, entonces debemos quedarnos con el
segundo (VGS = −2, 70[V ]). Con esto, se puede obtener la corriente
ID = VG −V
R4
GS
= 3, 01[mA] y VDS = VDD − (R2 + R4 )ID = 4, 26[V ] > 0.
Ejercicio 5.1 (Polarización FET). Para los circuitos siguientes, determinar sus
puntos de polarización.
MPC 2023-2 80 ELN

+16[V ]
2[kΩ]
vo (t)
Co
vi (t)
IDSS = 10[mA]
Ci
VP = −8[V ]
1[MΩ]
−2[V ]
+20[V ]
3.3[kΩ]
vo (t)
Co
vi (t)
IDSS = 8[mA]
Ci
VP = −6[V ]
1[MΩ]
1[kΩ]
MPC 2023-2 81 ELN

+12[V ]
IDSS = 12[mA] 1.5[kΩ]

VP = −6[V ]
Co
vo (t)
vi (t)
Ci
680[Ω]
5.3 Análisis en pequeña señal de FET

ID
IDSS
VGS VP
Pequeñas variaciones del voltaje VGS inducen pequeñas varaciones en la corriente

ID y su comportamiento se puede aproximar por la recta tangente con pendiente:
dID VGS −1 2IDSS VGS

gm = = 2IDSS 1 − =− 1− >0
dVGS VP VP VP VP
Similar al caso de los BJT, se puede proponer un modelo en pequeña señal del
transistor como un cuadripolo:
MPC 2023-2 82 ELN

G D
+
vGS (t) rd
gm vGS (t)
−
S S
Similar al caso del BJT, se agrega una impedancia de salida (rd ) para modelar
comportamientos no ideales del dispositivo. Notar que el FET se comporta como una
fuente de corriente controlada por voltaje, mientras que el BJT como una fuente de
corriente controlada por corriente.
MPC 2023-2 83 ELN

Ejemplo 5.3 (FET pequeña señal). Considere el mismo circuito del Ejemplo 5.1.
Cortocircuitando los condensadores, llevando los voltajes DC a tierra AC, obten-
emos:
R1 R2
vo (t)
vi (t)
R3
Notar que las resistencias R1 y R3 están en paralelo y que la resitencia R4 fue

cortocircuitada por el condensador respectivo.
Reemplazando el transistor por su equivalente en pequeña señal, el circuito
anterior es equivalente a:
ii (t) G D
+ + +
vi (t) R1 ||R3 vGS (t) rd R2 vo (t)
gm vGS (t)
− − −
S S
Desde aquí, un análisis circuital permite encontrar los parámetros relevantes

del circuito. Para la impedancia de entrada tenemos:
vi (t) vi (t)
Zi = = = R1 ||R3
ii (t) vi (t)/(R1 ||R3 )
MPC 2023-2 84 ELN

Además vGS (t) = vi (t), por lo que haciendo un balance de corrientes en el nodo
D, tenemos:
1 1
gm vi (t) + vo (t) + vo (t) = 0
rd R2
Desde donde se desprende que:
vo (t)
Av = = −(rd ||R2 )gm ≈ −R2 gm
vi (t)
Ejercicio 5.2 (Amplificadores FET). Para los circuitos en el Ejercicio 5.1, en-
cuentre las impedancias de entrada, las impedancias de salida, las ganancias de
voltaje y las ganancias de corriente para pequeñas señales de entrada.
Ejercicio 5.3 (Amplificadores FET). Para los circuitos en el Ejercicio 5.1, mod-
ifique sus parámetros para obtener una razón de amplificación en pequeña señal
de 10[V /V ] ó −10[V /V ] según sea el caso.
Ejemplo 5.4 (FET pequeña señal). Si para el circuito más abajo se sabe que VP =
−4[V ] y gm = 3000[µS], determine la corriente de saturación del FET.
+12[V ]
3.3[kΩ]
vo (t)
Co
vi (t)
Ci
10[MΩ]
1.1[kΩ] CS
La expresión para la conductancia en pequeña señal de la fuente corresponde

a:
2IDSS VGS 2IDSS

gm = − 1− = − 2 (VP −VGS )
VP VP VP
MPC 2023-2 85 ELN

A partir de esto, se puede escribir para la corriente de polarización del transistor
VGS 2

ID = IDSS 1 −
VP
IDSS
= 2 (VP s −VGS )2
VP
1 2IDSS

=− − 2 (VP −VGS ) (VP s −VGS )
2 VP
1
= − gm (VP −VGS )
2
Haciendo una malla desde el nodo Gate, hacia Source y luego a tierra, se obtiene
que:
VGS = −1.1k · ID
1
VGS = −1.1k · − gm (VP s −VGS )
2
1
VGS = 1.1k · 3000µ (−4 −VGS )
2
=⇒ VGS = −2, 49[V ]
Con ello,
VGS
ID = − = 2, 264[mA]
1, 1k
Antes de proseguir, es preciso calcular el voltaje entre Drain y Source para
verificar que se encuentre dentro de la zona de polarización del transistor. Desde
la malla partiendo desde la fuente a tierra,
12 − 3, 3kID −VDS − 1, 1kID = 0,
se obtiene
VDS = 2, 04[V ] > 0
Como este valor es positivo, el transistor se encuentra en una zona aceptable de
operación.
Por último, podemos calcular el valor de la corriente solicitada desde la
ecuación de la corriente, o desde la expresión para la conductancia:
ID gmVP
IDSS = 2 = − = 15, 9[mA].
VGS VGS
1 − VP 2 1 − VP
MPC 2023-2 86 ELN

Ejemplo 5.5 (Diseño FET). Interesa diseñar un amplificador con la topología más
adelante de tal manera que su ganancia de corriente sea Ai = 25 y su resistencia
de entrada Rin = 50[kΩ] para una carga resistiva de RL = 1[kΩ]. Se dispone de
una fuente de VDD = 12[V ] y de un JFET con IDSS = 18[mA] y VP = −6[V ].
VDD
R2
+ Ci
Co +
RS1
vi (t) R1
RL vo (t)
RS2 C
− −
El punto de operación se seleccionará de tal manera que la corriente del tran-

sistor esté en la mitad de la curva característica. Es decir,
IDSS VGS 2

ID = = IDSS 1 − = 9[mA]
2 VP
Desde donde se obtiene que,
1

VGS = VP 1 − √ ≈ −1, 8[V ]
2
Además, para asegurar que el transistor trabaje en su zona de operación, se se-
lecciona VDS = VDD /2 = 6[V ]. Con ello, podemos plantear una malla desde la
fuente hasta tierra pasando por las resistencias de fuente de tal forma que en DC
tenemos:
12 − 6
VDD = VDS + (RS1 + RS2 )ID ⇐⇒ RS1 + RS2 = = 667[Ω]
9m
Además, la malla que pasa desde gate a source implica que:
VGG = R1 I = VGS + (RS1 + RS2 )ID = −1, 8 − 667 · 9m = 4, 24[V ]
MPC 2023-2 87 ELN

Donde la corriente I se define a través de la R1 y coincide con la corriente en la
R2 . Es decir, desde la malla desde la fuente a la tierra:
VDD
I=
R1 + R2
Luego,
R1
VGG = VDD
R1 + R2
Como se conocen los valores de polarización, entonces podemos determinar
la transconductancia de pequeña señal como:
dID IDSS VGS √ IDSS

gm = = −2 1− =− 2 = 4, 2[mS]
dVGS −VP VP VP
Desde el circuito equivalente en pequeña señal (dibújelo!), la resistencia de

entrada corresponde a:
1 1 1 1
Rin = R1 //R2 = 50[kΩ] ⇐⇒ + = =
R1 R2 Rin 50k
Combinando con la relación de los voltajes en drenaje y gate tenemos,
VGG R1 1 1 Rin
= = = =
VDD R1 + R2 1 + R2 /R1 R2 /Rin R2
Luego,
VDD 12
R2 = Rin = 50k = 141[kΩ]
VGG 4, 2
y
−1
1 1

R1 = − = 77[kΩ]
Rin R2
Además, notando que en pequeña señal la resistencia de carga RL se encuentra en
paralelo con RS1 , tenemos que
vi = vGS + vo
y
vo = (RS1 //RL ) · gm vGS
Estas dos ecuaciones pueden combinarse para obtener una ganancia de voltaje:
vo 1
Av := = 1
vi 1 + R //RL gm
S1
El voltaje de entrada induce una corriente de entrada ii = vi /Rin y la corriente de

salida corresponde a la corriente en la carga, es decir io = vo /RL . Combinando
MPC 2023-2 88 ELN

estas dos definiciones con la ganancia de voltajes obtenemos la ganancia de cor-
riente:
io R1 //R2 R //R2
Ai = = Av = 1
ii RL

1
RL 1 + R //R L gm
S1
Desde donde conocemos todos los valores, salvo el de la resistencia RS1 . Despe-
jando y reemplazando queda,
1 R1 //R2 1 50k 1

= gm −1 − = 4, 2m −1 −
RS1 RL Ai RL 1k · 25 1k
Con ello, RS1 = 308[Ω] y
RS2 = 667 − RS1 = 358[Ω]
Con lo que se completa el diseño de las resistencias.
MPC 2023-2 89 ELN

6 Amplificadores operacionales (AO)
6.1 AO ideales
v− vd = v+ − v−
v−
− Rout
vo vo
⇐⇒ Rin
+ +
v+ Av vd −
v+
Caso ideal:
Rin = +∞
Rout = 0
Av = +∞
En caso real, la impedancia de entrada y la ganancia de voltaje son muy altas, y la

impedancia de salida muy baja. Además en el caso real, los voltajes DC de polarización
del circuito interno implican saturaciones en las señales de salida. La implantación
más común de este tipo de amplificadores es el circuito integrado LM741, cuya hoja
de datos se encuentra en el anexo.
Ejemplo 6.1 (AO inversor). Encuentre la relación entre entrada y salida.

Rf
v1
− vo
R1
+
Circuito equivalente:
MPC 2023-2 90 ELN

Rf
v1 v1 R1 Rf vo
R1 v− v−
Rout
Rin ≈ +
vo
− Av (v+ − v− )
v+ + v+
Av (v+ − v− )
−
Considerando el modelo interno:

v1 − (R1 + R f )i = vo = Av vd
v1 − Av vd
=⇒ i =
R1 + R f
v1 − R1 i = −vd
Rf
=⇒ vd = − v1
R f + R1 (1 + Av )
Av R f
vo = Av vd = − v1
R f + R1 (1 + Av )
vo Rf Rf
=− →−
v1 R f /Av + R1 /Av + R1 R1
Método abreviado (del "corto circuito virtual"):

1. Determinar v− y v+ considerando la corriente sobre Rin nula (i−+ = 0).
2. Igualar v− = v+ .
Este método funciona siempre que exista una rama de realimentación negativa en el
AO.
Ejemplo 6.2 (AO inversor bis). En el mismo Ejemplo 6.1 se tiene
v1 − R1 i − R f i = vo
v1 − vo
=⇒ i =
R1 + R f
v1 − vo
v− = v1 − R1 i = v1 − R1
R1 + R f
v+ = 0
v1 − vo
=⇒ 0 = v1 − R1
R1 + R f
0 = R f v1 + R1 vo
vo /v1 = −R f /R1
MPC 2023-2 91 ELN

Ejemplo 6.3 (AO no ideal). En el mismo circuito del ejemplo 6.2, si el amplifi-
cador operacional se comporta como uno ideal, la impedancia de entrada corre-
sponde a la impedancia entre vi y tierra y podemos fijarla en Zi = R1 = 1[kΩ]. Así
mismo si nos interesa una ganancia |H(ȷ̂ · 0)| = 40[dB], podemos despejar el valor
de la resistencia de feedback desde
40[dB] = 20 log(R f /R1 )
⇐⇒ R f /R1 = 100
Luego, R f = 100R1 = 100[kΩ].

Ahora, asumamos que el AO no es ideal, sino que tiene una ganancia descrita
por el siguiente diagrama de Bode:
120
100
80
Magnitud [dB]
60
40
20
-20
-40
-60
-20
-40
-60
Fase [°]
-80
-100
-120
-140
-160
10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7
Frequencia [rad/s]
Del diagrama de Bode se desprende que la ganancia es una función de segundo

orden con polos en s = 10[rad/s] y s = 10 000[rad/s]. Además, la ganancia DC
corresponde a 120[dB] = 20 log(ADC ). Es decir, ADC = A(0) = 106 . Con ello, la
función de transferencia que caracteriza a la ganacia corresponde a:
1011
A(s) =
(s + 10)(s + 104 )
Considerando el amplificador como no idea, esto es, sin usar el método del
corto circuito virtual si no el modelo del AO como una fuente de voltaje controlada
MPC 2023-2 92 ELN

por voltaje, se concluye que la relación entre los voltajes de entrada y salida viene
dada por:
vo A(s)R f 9, 901 · 1010

H(s) = =− =− 2
vi R f + R1 (1 + A(s)) s + 1, 001 · 104 s + 9, 902 · 108
La ganancia DC de esta relación corresponde a HDC = H(0) = −99.9899 muy

próximo al valor de diseño. La función presenta dos polos complejos conjugados
dados por s = −5005, 0 ± 31067, 0ȷ̂ lo cual redunda en un pico de resonancia en
el diagrama de Bode de módulo y una bajada de 40[dB] por década como puede
verse a continuación.
Bode Amplificador
60
40
Magnitude (dB)
20
-20
-40
180
135
Phase (deg)
90
45
0
103 104 105 106
Frequency (rad/s)
MPC 2023-2 93 ELN

6.2 Aplicaciones lineales de AO
6.2.1 Aplicaciones estáticas
Ejercicio 6.1 (AO estáticos). Para todos los circuitos siguientes, encuentre la
relación entre la/las entradas y la salida. Comente sobre las características de
las relaciones encontradas y sus posibles aplicaciones.
Rf
−
−
vo vo
R1 v1
+ +
v1
R4
R1 Rf
v1
R2
v2 v2 −
vo
R3 R2
v3 − v1 +
vo
R1
+ R3
6.2.2 Aplicaciones dinámicas

Notar que para un inductor y un capacitor se tienen las siguientes relaciones en el plano
de Laplace:
di(t)
v(t) = L ⇐⇒ v(s) = Lsi(s) ⇐⇒ v(s)/i(s) = L · s
dt
dv(t) 1
i(t) = C ⇐⇒ i(s) = Csv(s) ⇐⇒ v(s)/i(s) =
dt C·s
Es decir, la relación entre la corriente y el voltaje de los componentes es un derivador en
el caso del inductor y un integrador en el caso del capacitor. El análisis de circuitos con
condensadores e inductores se puede hacer reemplazando los componentes dinámicos
por una impedancia equivalente en el plano de Laplace y tratando a las impedancias
como hasta ahora se han tratado las resistencias.
MPC 2023-2 94 ELN

Ejemplo 6.4 (AO integrador). Encuentre la relación entre la entrada y la salida
del siguiente circuito:
C
v1
−
vo
R1
+
Circuito equivalente:
Zf
Z f = 1/(sC)
Z1 = R1
v1
−
vo
Z1
+
Del análisis de corto circuito virtual se obtiene que:
vo (s) Zf −1
=− =
v1 (s) Z1 sR1C
Pasando al plano del tiempo,

Z t
−1
vo (t) = v1 (τ)dτ
R1C 0
Lo cual corresponde a un integrador.
Ejercicio 6.2 (AO dinámicos). Encuentre la relación dinámica de los siguientes

circuitos entre las entradas y las salidas.
MPC 2023-2 95 ELN

RF
R
RG
−
vo
v1
− v1
vo +
C R1
+ C
RF
R2
RG
−
vo
v1
v1 −
+ vo
R1
C +
R1
C2
v1 +
vo
R1 R2
C1 −
R4
R3
MPC 2023-2 96 ELN

C2
v1 +
vo
R1 R2
C1 −
C1
v1
−
vo
R R
C2 +
Ejercicio 6.3 (AO Bode). Esboce los diagramas de Bode de las funciones de trans-
ferencia en los circuitos anteriores. Encuentre las frecuencias de corte cuando
corresponda. Indique cuáles son filtros activos pasa bajos, pasa altos, pasa ban-
das, de primer o segundo orden.
MPC 2023-2 97 ELN

6.2.3 Reglas de construcción de diagramas de Bode asintóticos
Para una función de transferencia:
2
ωn,i s2 + 2ξi ωn,i s + ωn,i
2
! ! ! !
pi s + ci
Huy (s) = ks±N
∏ s + pi ∏ ci ∏ s2 + 2ξi ωn,i s + ω 2 ∏ 2
ωn,i
i i i n,i i
Para ω → 0+ :
• Sistema sin polos ni ceros en el origen. Ej. Huy (s) = 1/(s + a)
– Módulo es 20 log Huy (0)[dB] (recta horizontal).
– Fase es 0° (recta horizontal).
• Sistema con N polos en el origen. Ej. Huy (s) = 1/sN
– Módulo varía −20N[dB/dec] (recta de pendiente negativa).
– Fase es −N · 90° (recta horizontal).
• Sistema con N ceros en el origen. Ej. Huy (s) = sN
– Módulo varía +20N[dB/dec] (recta de pendiente positiva).
– Fase es N · 90° (recta horizontal).
Para ω > 0:
• Un polo real de orden r ubicado en s = −a < 0. Ej. Huy (s) = ar /(s + a)r .
– Módulo varía −20r[dB/dec] a partir de ω = a.
– Fase comienza a bajar una década antes de ω = a y una década después
completa una disminución de r · 90°.
– Para suavizar la curva de magnitud, se restan 3r[dB] al valor de magnitud
en ω = a.
• Un cero real de orden r ubicado en s = −a < 0. Ej. Huy (s) = (s + a)r /ar .
– Módulo varía +20r[dB/dec] a partir de ω = a.
– Fase comienza a subir una década antes de ω = a y una década después
completa una alza de r · 90°.
– Para suavizar la curva de magnitud, se agregan 3r[dB] al valor de magnitud
en ω = a.
• Un par de polos complejos conjugados con parte real no positiva tales que (s/ωn )2 +
2ξ (s/ωn ) + 1 = 0.
– Módulo varía −40[dB/dec] a partir de ω = ωn .
– Fase comienza a bajar antes de ω = ωn y completa una disminución de
180°.
MPC 2023-2 98 ELN

– Para valores de ξ ≤ 0, 5, la magnitud presenta un "pico de resonancia" y el
cambio de la fase es abrupto.
• Un par de ceros complejos conjugados con parte real no positiva tales que (s/ωn )2 +
2ξ (s/ωn ) + 1 = 0.
– Módulo varía +40[dB/dec] a partir de ω = ωn .
– Fase comienza a subir antes de ω = ωn y completa una alza de 180°.
– Para valores de ξ ≤ 0, 5, la magnitud presenta un "pico de resonancia" y el
cambio de la fase es abrupto.
6.3 Interconexión de sistemas

6.3.1 Configuración en cascada
v1 v2 vo
H1 (s) H2 (s)
vo (s) = H1 (s)H2 (s)v1 (s)

Ejemplo 6.5 (AO filtro activo).
Pasa Bajos Pasa Altos

Rf1 Rf2
R11 R12
− −
v2 (t) vo (t)
v1 (t) + v2 (t) +
R1
C1 C2 R2
Rf2 s

Rf1 1/(C1 R1 ) H pa (s) = +1

H pb (s) = +1 R12 s + 1/(C2 R2 )
R11 s + 1/(C1 R1 )
MPC 2023-2 99 ELN

Bode Diagram Bode Diagram
10 10
0 0
Magnitude (dB)
Magnitude (dB)
-10 -10
-20 -20
-30 -30
-40 -40
0 90
Phase (deg)
Phase (deg)
-45 45
-90 0
10 -1 10 0 10 1 10 2 10 3 10 4 10 5 10 6 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 3 10 4 10 5 10 6
Frequency (rad/s) Frequency (rad/s)
Ejemplo 6.6 (AO Pasa Banda). Pasa Banda en cascada.
Rf2
Rf1
R12
R11
−
− v2 (t) vo (t)
+
v1 (t) +
C2 R2
R1
C1
Hab (s) = H pb (s)H pa (s)
MPC 2023-2 100 ELN

Bode Diagram
20
Magnitude (dB) 10
-10
-20
-30
90
45
Phase (deg)
-45
-90
10 -1 10 0 10 1 10 2 10 3 10 4 10 5 10 6
Frequency (rad/s)
Ejercicio 6.4 (AO cascada). Combine los circuitos en las secciones anteriores en
cascadas de dos o más componentes, determine sus funciones de transferencia y
diagramas de Bode.
Ejercicio 6.5 (PID). Encuentre la relación en el plano de Laplace entre los voltajes
de entrada v(s) y vre f (s), y el voltaje de salida u(s) para el circuito en la siguiente
figura, donde R = 10[kΩ], R f = K · R, con K > 0, CI = TI /R, con TI > 0, y CD =
TD /R, con TD ≥ 0. Esboce el diagrama de Bode de la relación anterior. ¿Qué
implementa el circuito de la figura?
MPC 2023-2 101 ELN

R
− R
uP
R
+
R
CI
Rf
v −
e
R − R
uI
vre f + R −
u
R +
R +
R
− R
uD
CD
+
6.3.2 Realimentación negativa
+ +
v1 + vi vo RL : carga
HFW (s)
−
− −
+ −
vf HFB (s)
− +
MPC 2023-2 102 ELN

Sistema Forward:
HFW (s) = vo (s)/vi (s)
Sistema Feedback:
HFB (s) = v f (s)/vo (s)
Malla alrededor de la fuente de voltaje:
v1 = v f + vi
Reemplazando funciones de transferencia del sistema Forward y Feedback:
v1 (s) = HFB (s)vo (s) + vo (s)/HFW (s)
Lo cual lleva a:
HFW (s)
vo (s) = v1 (s)
HFB (s)HFW (s) + 1
Ejercicio 6.6 (AO realimentación). Combine los circuitos en las secciones ante-
riores en esquema de realimentación y determine sus funciones de transferencia y
diagramas de Bode.
Ejercicio 6.7 (Circuito realimentado). Determine la función de transferencia en-

tre la señal de entrada y la señal de salida del circuito de la figura y esboce su
diagrama de Bode. Modifique algunos parámetros del circuito de tal manera de
obtener una ganancia DC del doble.
1[kΩ]
2[kΩ]
2[kΩ] 20[kΩ]
− 2.5[kΩ] 500[kΩ]
1[kΩ] 2.5[kΩ]
+
− −
− vo (t)
vi (t) + 10[µF] +
2[kΩ] + 2.5[kΩ] 1[kΩ]
25[µF]
2[kΩ] 2.5[kΩ]
−
3.5[kΩ]
+
MPC 2023-2 103 ELN

Ejemplo 6.7 (Oscilador Colpitts).
Rf
v1
−
R1 vo
+
C1 C2
Sistema Forward con AO. Malla R:
v1 − iR (R f + R1 ) = vo =⇒ v1 − vo = iR (R f + R1 )
0 − iR R f = vo
=⇒ vo /v1 = −R f /R1
Realimentación por circuito tanque (lazo LC).

Malla L:
d d
vo − L iL = v1 =⇒ vo − v1 = L iL
dt dt
Malla C:
dvo
C2 = iC
dt
dv1
−C1 = iC
dt
dvo dv1 1 1

=⇒ − = + iC
dt dt C2 C1
Nodo vo ó v1 :
d d d
iR = iC + iL =⇒ iR = iC + iL
dt dt dt
MPC 2023-2 104 ELN

Juntando todo:
C1C2 1 1
0= (v̈o − v̈1 ) + (v̇o − v̇1 ) + (vo − v1 )
C1 +C2 R1 + R f L
como: vo − v1 = vo − −R1 /R f vo = (R1 + R f )/R f vo , queda:
C1C2 1 1
0= (R1 + R f )/R f v̈o + (R1 + R f )/R f v̇o + (R1 + R f )/R f vo

C1 +C2 R1 + R f L
Además, si R f → ∞:
1
Ceq v̈o + vo = 0
L
Ecuación diferencial segundo orden sin entrada externa. Por lo tanto,
vo = V cos(ωt) es una posible solución.
Tarea: Encontrar frecuencia angular ω a la cual oscila el circuito de la figura ante
un valor inicial arbitrario vo (0) = v0 .
MPC 2023-2 105 ELN

7 Aplicaciones No Lineales de los AO
7.1 Aplicaciones de saturación y diodos
Ejemplo 7.1 (Comparador simple).

+15[V ]
6, 8[kΩ]
820[Ω]
2 − 7
+ 6
LM741
+ 4 +
3
vi
vo
3, 3[kΩ]
− −
En el circuito anterior, consideraremos que el LED se caracterizan por una

caída de tensión en conducción de aproximadamente 2, 5[V ]. El voltaje de salida
del amplificador operación corresponde a su ganancia multiplicada por la diferen-
cia de tensión entre los terminales de entrada. Es decir, vo = AOP (v+ − v− ), donde
la ganancia es sumamemnte alta (AOP ≫ 1).
Esto es cuando v+ > v− , entonces el voltaje de salida corresponde a un valor
positivo sumamente alto. Por el contrario, si v+ < v− , entonces el voltaje de sal-
ida es un valor negativo sumamente alto en módulo. Sin embargo, la salida del
AO está limitada por los voltajes de alimentación. Estos corresponden a +15[V ]
superior y 0[V ] inferior. Por lo tanto, la salida se saturará en estos valores depen-
diendo de las condiciones de la entrada.
El voltaje v+ es constante y se puede calcular con un divisor de tensión para
obtener:
1 3, 3[kΩ]
v+ = R2 · VCC = 15[V ] = 4, 9[V ] ≈ VCC /3
R1 + R2 6, 8[kΩ] + 3, 3[kΩ]
El voltaje en el terminal negativo corresponde al voltaje de entrada. Por lo tanto

tenemos que la relación entrada y salida corresponde a:
15[V ], vi < 4, 9[V ]

vo =
0[V ], vi ≥ 4, 9[V ]
El LED conducirá cuando exista una diferencia de potencial de 2, 5[V ] entre sus
terminales. Esto sólo se da en el caso de que el voltaje de salida es nulo. En tal
MPC 2023-2 106 ELN

caso tenemos que que la corriente del LED se puede calcular como ILED,ON =
(15[V ] − 2, 5[V ])/820[Ω] = 15, 2[mA]. En el caso en que la salida del circuito
corresponde a 15[V ], entonces no se induce corriente en el LED. Finalmente,
0[mA], vi < 4, 9[V ]

ILED =
15, 2[mA], vi ≥ 4, 9[V ]
OFF, vi < 4, 9[V ]

XLED =
ON, vi ≥ 4, 9[V ]
Es decir, el LED estará encendido cuando el voltaje de entrada es superior a
4, 9[V ].
Ejercicio 7.1 (Diente de sierra). En el circuito del ejemplo anterior, para una
señal diente de sierra de 25[Hz] entre 0[V ] y 15[V ], determine el período de en-
cendido de LED. Modifique los valores de las resistencias para que el tiempo de
encendido corresponda a la mitad del período de la señal de entrada.
MPC 2023-2 107 ELN

Ejemplo 7.2 (Comparador de barra).
+15[V ]
1, 0[kΩ] +15[V ]
−
LM741-1
+ 820[Ω]
1, 0[kΩ] +15[V ]
−
+ LM741-2
+ 820[Ω]
vi
−
1, 0[kΩ] +15[V ]
−
LM741-3
+ 820[Ω]
1, 0[kΩ] +15[V ]
−
LM741-4
+ 820[Ω]
1, 0[kΩ]
El circuito de la figura corresponde a cuatro comparadores como el del ejem-

plo anteriors, conectados de tal forma que cada uno compara el voltaje de entrada
con otro valor de referencia constante. Enumerando los AOs desde arriba hacia
abajo, estos voltajes de referencia se obtienen por divisores de voltaje y corre-
MPC 2023-2 108 ELN

sponden a:
1[kΩ] + 1[kΩ] + 1[kΩ] + 1[kΩ] 4

v+
1 = 15[V ] = 15[V ] = 12[V ]
1[kΩ] + 1[kΩ] + 1[kΩ] + 1[kΩ] + 1[kΩ] 5
1[kΩ] + 1[kΩ] + 1[kΩ] 3
v+
2 = 15[V ] = 15[V ] = 9[V ]
1[kΩ] + 1[kΩ] + 1[kΩ] + 1[kΩ] + 1[kΩ] 5
1[kΩ] + 1[kΩ] 2
v+
3 = 15[V ] = 15[V ] = 6[V ]
1[kΩ] + 1[kΩ] + 1[kΩ] + 1[kΩ] + 1[kΩ] 5
1[kΩ] 1
v+
4 = 15[V ] = 15[V ] = 3[V ]
1[kΩ] + 1[kΩ] + 1[kΩ] + 1[kΩ] + 1[kΩ] 5
Luego, el estado de los LEDs dependiendo del valor de la entrada puede resumirse
en la siguiente tabla:
LED 1 LED 2 LED 3 LED 4

vi < 3[V ] OFF OFF OFF OFF
3[V ] < vi < 6[V ] OFF OFF OFF ON
6[V ] < vi < 9[V ] OFF OFF ON ON
9[V ] < vi < 12[V ] OFF ON ON ON
12[V ] < vi ON ON ON ON
MPC 2023-2 109 ELN

Ejercicio 7.2 (Comparador puntual).
Analice el siguiente circuito.
+15[V ]
820[Ω]
1, 0[kΩ] +15[V ]
−
LM741-1
+
820[Ω]
1, 0[kΩ] +15[V ]
−
+ LM741-2
+
vi 820[Ω]
−
1, 0[kΩ] +15[V ]
−
LM741-3
+
820[Ω]
1, 0[kΩ] +15[V ]
−
LM741-4
+
820[Ω]
1, 0[kΩ]
MPC 2023-2 110 ELN

Ejemplo 7.3 (Disparador Schmitt). En el siguiente circuito, el amplificador op-
eracional no presenta una realimentación negativa, por lo que no opera en modo
estable, sino como un comparador.
VCC
v−
VT H −
vout
v+
vin +
R1
R2
Interesa observar el efecto de la realimentación positiva sobre la forma que

tiene el circuito de alternar entre su estado de salida alta y baja, dependiendo de
la entrada vin ∈ [GND,VCC ]. El voltaje de threshold VT H > 0 es constante y puede
lograrse a través de un divisor de voltaje. Existen dos casos posibles:
a) ON: Cuando v+ > v− = VT H , el comparador amplifica un voltaje positivo,
y satura la salida en el valor de vout = VCC . En este caso la corriente fluye desde
la salida del AO hacia la entrada a través de ambas resistencias y por lo tanto,
VCC − vi
i=
R1 + R2
Desde aquí, el voltaje en el terminal positivo corresponde a:
R1 R2
v+ = VCC − R2 i = VCC + vi > VT H
R1 + R2 R1 + R2
Esta condición permite despejar el rango de valores de entrada para los cuales la
salida del circuito se mantiene en alta:
R1 R1

vi > VON := 1 + VT H − VCC
R2 R2
Es decir, si el circuito está en estado ON, para cualquier entrada mayor que VON >
0, el circuito permanecerá en ON, de lo contrario bajará a OFF.
b) OFF: Cuando v+ < v− = VT H , el comparador amplifica un voltaje negativa,
y satura la salida en el valor de vout = GND. Desde un análisis similar al anterior
tenemos que la corriente fluye desde la entrada hacia la salida a través de ambas
resistencias:
1
i= vi
R1 + R2
MPC 2023-2 111 ELN

El voltaje en el terminal positivo del AO queda entonces como:
R2
v+ = R2 i = vi < VT H
R1 + R2
Desde donde podemos despejar,
R1

vi < VOFF := 1 + VT H
R2
Es decir, para cualquier entrada inferior a VOFF > VON , el circuito permanecerá
en estado OFF y sólo cambiará a ON cuando la entrada supere el valor de VOFF .
Como existe una diferencia entre ambos voltajes umbrales (VOFF > VON ), am-
bos casos anteriores describen un comportamiento de histéresis, donde el estado
del circuito depende del estado en el que se encontraba y del valor de la señal
de entrada. Es decir, es un circuito con memoria. Esto se muestra en la figura a
continuación.
ON
OFF
vi
GND VON VOFF VCC
En la medida que el voltaje de entrada aumenta desde tierra, el circuito se

mantendrá en OFF hasta alcanzar el umbral correspondiente. Cuando la entrada
sobrepase este valor, entonces el circuito cambiará a su estado ON. Si el valor de
la entrada disminuye, estando el circuito en ON, se mantendrá así hasta alcanzar
el umbral inferior correspondiente. Este tipo de circuitos suele denominarse dis-
parador (trigger) Schmitt y se simbolia de la siguiente manera.
MPC 2023-2 112 ELN

Ejercicio 7.3 (Disparador Schmitt inversor). Analice el siguiente circuito.
VCC
v−
vin −
vout
v+
VT H +
R1
R2
Rectificador De
Precisión
Ejemplo 7.4 (Rectificador de presición - Fake RMS). Consideremos el siguiente
circuito:
C1
https://circuitdigest.com/electronic-circuits/half-wave-and-full-wave-precision-rectifier-circuit-using-op-amp
v2 R3 R5
R2 v1
−
R4 vo
R1 +
vi −
La primera parte del circuito corresponde a un rectificador de precisión y

conviene analizar los casos vi (t) > 0 y vi (t) < 0 por separado como se observa en
la figura más adelante. Este circuito rectifica media onda de la señal de entrada y
compensa la caída en el diodo a través del amplificador operacional.
MPC 2023-2 113 ELN

R2 v1 R2 v1
R1 D1 R1 D1
vi > 0 vi < 0
− −
v′
+ +
D2 D2
Cuando vi (t) > 0, el diodo superior (D1 ) está en conducción y el diodo inferior
(D2 ) está en corte. En tal caso tenemos,
R2
v1 = − vi , vi (t) > 0
R1
En el caso contrario, cuando vi (t) < 0, se invierten los estados. Es decir D1 está
en corte y D2 en conducción. En tal caso, tenemos que v1 = v′ = v− = v+ = 0.
Luego,
v1 = 0, vi (t) < 0
Constituyendo de esta forma un rectificador de media onda.
Para la segunda parte del circuito, desde un análisis circuital usando un corto
circuito virtual, tenemos que
R5 1 1

vo = − v1 + v2
1 + R5C1 s R4 R3
Como v2 = vi , finalmente tenemos que,
− 1+RR5C1 s − RR4 R2 1 + R13 ,

(
vo vi (t) > 0
= 5
vi − R5 1
,
1+R5C1 s R3 vi (t) < 0
Si se elige R1 = R2 = R3 = R = 1[kΩ], los valores de las resistencias R4 y R5 se

pueden determinar de tal manera de que vo (t) coincida con el valor efectivo de la
señal sinusoidal de entrada. Bajo este supuesto tenemos,
− 1+RR5C1 s − R14 + R1 ,
(
vo vi (t) > 0
= 5
vi R5 1
− , vi (t) < 0
1+R5C1 s R
Si R4 = R/2 = 500[Ω], entonces,

R5 1
(
vo 1+R5C1 s R , vi (t) > 0
= R5
vi − 1+R C1 s R1 , vi (t) < 0
5
MPC 2023-2 114 ELN

Escrito de otra forma usando el voltaje en el terminal negativo del AO como vari-
able auxiliar,
v− (t) = |vi (t)|

R5 1 R5

vo (t) = L −1 −
v (s) ≈ VDC
R 1 + R5C1 s R
Esto es, la relación entre la entrada y la salida es un filtro de primer orden sobre
el módulo de la señal sinusoidal de entrada. Es decir, el circuito determina el
promedio en el tiempo del valor absoluto de la señal de entrada, i.e. su valor
DC. Interesa que la ganancia que acompaña al filtro de primer orden sea tal que el
π
valor DC coincida con el valor RMS. Esto es, VRMS = 2√ V . Luego, si elegimos
2 DC
π
R5 = 2√2 R = 1, 1107[kΩ] tenemos,
π 1
, vi (t) > 0
(
vo √
2 2 1+R5C1 s
= π 1
vi − 2√2 1+R C1 s , vi (t) < 0
5
Y si C se elije correctamente, entonces la salida del circuito es una aproximación

del valor RMS de la señal sinusoidal de entrada.
7.2 Aplicaciones basadas en Transistores
Ejemplo 7.5 (Inversor logarítmico). Considere el siguiente circuito donde el lazo

de realimentación de un AO está caracterizado por un BJT npn.
vi (t) R i(t)
−
vo (t)
+
Para calcular la corriente de entrada del circuito i(t), hacemos una malla entre el
voltaje de entrada vi (t) y el AO, y aplicamos un corto circuito virtual:
vi − Ri = v− = v+ = 0
=⇒ i = vi/R.
MPC 2023-2 115 ELN

Como entre las entradas del AO no fluye corriente, la corriente calculada es la
misma corriente que en el colector del BJT. Esto es, ic (t) = i(t). Por lo tanto, la
corriente que entra por la base del BJT corresponde a ib (t) = i(t)/β . Con ello, la
corriente que sale por el emisor es,
1

ie (t) = ic (t) + ib (t) = 1 + i(t) ≈ i(t) = vi (t)/R,
β
cuando β ≫ 1.
Por otro lado, la corriente de emisor se puede calcular considerando la
ecuación del diodo entre la base y el emisor. Esto es, utilizando la ecuación de
Shockley:
v (t) v (t)
ie (t) = Is e /nV − 1 ≈ Is e /nV .
be T be T
Donde Is es la corriente de saturación inversa de la juntura, VT el voltaje térmico,

y n la constante de idealidad. Haciendo una malla entre la base y la salida del
circuito, el voltaje entre base y emisor viene dado por:
vbe (t) = −vo (t).
Así, igualando ambas expresiones para la corriente de emisor se obtiene,

vi − v (t)/nV
= Is e o T
.
R
Finalmente, se puede despejar la salida del circuito como función de la entrada
para obtener:
1

vo (t) = −nVT ln vi (t) .
RIs
Es decir, el circuito calcula el logaritmo natural de la entrada.
Ejemplo 7.6 (Diferencial antilogarítmico). Considere ahora el siguiente circuito

no lineal.
v1 (t)
R
v2 (t) i(t)
−
vo (t)
+
MPC 2023-2 116 ELN

La corriente de realimentación, se puede calcular haciendo una malla desde la
salida hasta la entrada inversora del AO y aplicando un corto circuito virtual:
vo (t) − Ri(t) = v− = v+ = 0
=⇒ i(t) = vo (t)/R.
Como no fluye corriente entre las entradas del AO, esta corriente coincide con
la corriente de colector del BJT: ic (t) = i(t). Con ello, la corriente de emisor
corresponde a:
1

ie (t) = ic (t) + ib (t) = 1 + i(t) ≈ i(t) = vo (t)/R,
β
cuando β ≫ 1.
Similar al ejemplo anterior, podemos calcular la corriente de emisor a través
de la ecuación de Shockley:

v (t) v (t)
ie (t) = Is e /nV − 1 ≈ Is e /nV .
be T be T
Esta vez, el voltaje entre base y emisor corresponde a la diferencia entre los volta-
jes de entrada:
vbe (t) = v1 (t) − v2 (t).
De esta forma, igualando ambas expresiones para la corriente de emisor y reem-
plazando el voltaje anterior tenemos:
v1 (t)−v2 (t)
vo (t) = RIs e nVT
Lo cual corresponde a un amplificador diferencial anti-logarítmico.
Ejercicio 7.4 (AD538). Encuentre la relación entre los voltajes de entrada y de

salida del circuito más abajo. Este circuito se puede realizar a través del integrado
AD538, cuya hoja de datos puede encontrarse como anexo al final de este apunte.
MPC 2023-2 117 ELN

vz (t) R
− R
vx (t) R −
−
+
+ R
R
vy (t) R
−
−
+ vo (t)
+
Solución:
vy (t)vz (t)
vo (t) =
vx (t)
Ejercicio adicional: ¿Cómo construir un multiplicador de dos entradas?
Ejemplo 7.7 (True RMS). Considere el siguiente circuito donde el bloque mar-
cado como AD538 corresponde al visto en el ejercicio anterior.
vz
R
vi (t) AD538
+
vo (t)
vy C −
vx
La salida del circuito multiplicador AD538, que llamaremos v′i (t), corresponde a
v2i (t)
v′i (t) = .
vo (t)
MPC 2023-2 118 ELN

Por otra parte, aplicando un cortocircuito virtual en torno al amplificador opera-
cional se tiene que que el voltaje en la termina no inversora (v+ (t)) corresponde a
v+ (t) = v− (t) = vo (t).
Notar que no fluye corriente hacia el AO. Por ello, la corriente en el condensador
del filtro RC entre el multiplicador y el AO es la misma corriente que fluye por la
resistencia. En este caso se puede escribir:
v′i (t) − i(t)R = v+ (t)

dv+
i(t) = C
dt
Desde donde se deduce que:
dv+
CR = −v+ (t) + v′i (t).
dt
Reemplazando el valor para la salida del multiplicador y del voltaje del terminar
no inversor, se obtiene al multiplicar por vo (t) que:
dvo
CRvo (t) = −v2o (t) + v2i (t).
dt
Esta ecuación diferencial se puede resolver utilizando variables auxiliares x(t) =
v2o (t) y u(t) = v2i (t). Notar que,
dx d dvo
= v2o (t) = 2vo (t) .
dt dt dt
Reemplazando esta última expresión en la ecuación diferencial obtenemos:
CR dx
= −x(t) + u(t)
2 dt
Lo cual es una ecuación lineal en sus variables y puede resolverse aplicando
Laplace para obtener:
CR
sx(s) = −x(s) + u(s)
2
1
=⇒ x(s) = u(s)
RCs/2 + 1
2/RC
=⇒ x(s) = u(s)
s + 2/RC
2/RC
=⇒ x(s) ≈ u(s)
s
MPC 2023-2 119 ELN

Donde la aproximación es válida en el caso de que RC ≫ 1. Con ello, pasando al
plano del tiempo y reemplazando las variables auxiliares tenemos:
2 t
Z
x(t) ≈ u(τ)dτ
RC 0
Z t
2
v2o (t) ≈ v2 (τ)dτ
RC 0 i
Si sabemos que la señal de entrada del circuito es períodica con frecuencia f =
1/T , entonces podemos escribir además:
s s
2 1 T 2
Z
vo (t) ≈ v (τ)dτ
RC f T 0 i
Es decir, la salida del circuito corresponde a una aproximación del valor RMS
(Root Mean Square) de la señal de entrada.
MPC 2023-2 120 ELN

7.3 Phase Locked Loop: PLL
Considere ahora un circuito como el que se muestra más abajo.
vi (t) × LP C(s) VCO θo (t)
sin( π2 − θo )
El bloque marcado con una equis corresponde a un multiplicador de señales, que puede
implementarse de manera similar al circuito del AD538, o por un integrado dedicado
como el MPY634 (Ver hoja de datos). El bloque bajo el multiplicador calcula el coseno
de la señal de salida θo (t). Esto también se puede implementar utilizando circuitos
analógicos. En particular, el integrado MPY634 también se puede usar para esto.
Si el voltaje de entrada del circuito es una señal sinusoidal de la forma
vi (t) = V sin(θi (t)),
entonces la salida del bloque multiplicador corresponde a:
π
v prod (t) = vi (t) · sin( − θo (t))
2
= V sin(θi (t)) · cos(θo (t))
V
= (sin(θi (t) + θo (t)) + sin(θi (t) − θo (t)))
2
El amplificador marcado como LP corresponde a un filtro pasa bajos que también
puede realizarse por amplificadores operacionales como se vio en las secciones an-
teriores. Notar que la señal de salida del multiplicador tiene dos frecuencias: ωH =
d d
dt (θi (t) + θo (t)) y ωL = dt (θi (t) − θo (t)). Si ambos ángulos son similares (θi (t) ≈
θo (t)), entonces |ωH | > |ωL |. Por lo tanto, si el filtro pasa bajos está bien sintonizado,
su señal de salida corresponde aproximadamente a:
V
vLP (t) ≈ sin(θi (t) − θo (t))
2
V
≈ (θi (t) − θo (t)) .
2
Es decir, la salida de este bloque es una señal aproximadamente proporcional al error
entre la fase de la señal de entrada y la salida del sistema.
El amplificador marcado por la función de transferencia C(s) es un circuito que re-
aliza alguna función de transferencia, típicamente un controlador PID. Para este ejem-
plo consideraremos que es simplemente una ganancia de tal forma que podemos es-
cribir que la señal a la salida, ω(t) de este amplificador corresponde a:
ω(t) ≈ K (θi (t) − θo (t))
MPC 2023-2 121 ELN

con K ∈ R una constante que se puede fijar arbitrariamente.
El bloque VCO es un oscilador controlado por voltaje (Voltage Controlled Oscila-
tor), un circuito que calcula la integral de una señal de voltaje, pero que al saturar su
valor de salida se resetea a un valor inicial. En este caso, nos interesa que el ángulo de
salida se mueva entre 0 y 2π radianes. Con ello, tenemos que
1
θo (s) = ω(s)
s
Con esto, el circuito de la figura original podría simplificarse como un lazo realimen-
tado de control:
ω(t)
θi (t) + K 1
s θo (t)
−
Así, la función de transferencia entre el ángulo de entrada y el ángulo de salida se

puede calcular combinando las últimas dos ecuaciones:
1
θo (s) = K (θi (s) − θo (s))
s
Desde donde se desprende que,
θo (s) K
HPLL (s) = =
θi (s) s+K
Si K > 0, entonces la función de transferencia anterior es estable y además tiene ganan-

cia unitaria. Es decir, con cierta dinámica, el circuito es un lazo cerrado que enclava
su salida con la fase de la señal de entrada. De ahí su nombre en inglés Phase Locked
Loop (PLL).
La señal θo (t) corresponde entonces a una medición de la fase de la señal de en-
trada. Como además se cuenta con la derivada de esta cantidad, ω(t), el circuito ante-
rior entrega también una medición de la frecuencia de la señal de entrada.
La principal aplicación de las PLLs es en el ámbito de las comunicaciones para
trabajar con señales con frecuencias en el orden de los [kHz] o [MHz]. Este es el caso
de, por ejemplo, el integrado 74HC/HCT4046A cuya hoja de datos se encuentra en el
anexo. Sin embargo, con una correcta sintonización, la misma idea puede ser utilizada
para medir la frecuencia de señales eléctricas en el entorno de los 50[Hz] ó 60[Hz].
MPC 2023-2 122 ELN

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Donde se utiliza el operador paralelo:

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Energía Energía Energía

Capa de conducción Capa de conducción Capa de conducción

Capa de valencia Capa de valencia Capa de valencia

Aislante Semiconductor Conductor

MPC 2023-2 11 ELN

1.2 Materiales intrínsecos y extrínsecos

MPC 2023-2 12 ELN

Material intrínseco tipo n

Material tipo n Material tipo p

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• En material tipo p, iones aceptadores pierden balance eléctrico y quedan −.

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Un diodo semiconductor corresponde a una juntura de materiales extrínsecos tipo

• Sin polaridad en los terminales, la juntura es eléctricamente neutra.

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• Con polaridad opuesta, la región de agotamiento aumenta.

• Con polaridad directa, la región de agotamiento disminuye.

2.2 Ecuación de Shockley

MPC 2023-2 16 ELN

• n: es un factor de idealidad función de condiciones de operación y construcción.

• k: cte Boltzmann, k = 1, 38 · 10−23 [J/K].

Ejemplo 2.1 (Voltaje térmico). T = 27[°C] = 300[K], entonces

kT (1.38 · 10−23 [J/K])(300[K])

Analizando la ecuación de Shockley tenemos que:

MPC 2023-2 17 ELN