Transistor de Efecto Campo MOSFET

Electrnica, 2007
1 Joaqun Vaquero Lpez

Joaqun Vaquero Lpez
Tema 5.
Transistor de Efecto Campo (FET)
Electrnica, 2007
5.1) Introduccin a los elementos de 3 terminales
5.2) Transistor de Efecto Campo FET (Field Efect Transistor): Estructura.
Efecto Campo. Comparativa FET-BJT.
5.3) Zonas de funcionamiento. Modelos. Curvas caractersticas V-I.
Polarizacin. Aplicaciones.
5.4) Transistor de Efecto Campo MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET):
Estructura.
5.5) Zonas de funcionamiento. Curvas caractersticas V-I. Polarizacin.
Modelos.
5.6) Configuraciones. Inversor. Seguidor de voltaje. Seguidor de corriente.
5.7) Aplicaciones. Transistor real.
Transistor de Efecto Campo (FET): ndice
Electrnica, 2007
Hasta ahora se han visto componentes de 2 terminales, con una curva
caracterstica V-I. Los componentes de 3 terminales tienen 3 pares de
posibles curvas caractersticas V-I. Dos de ellas son suficientes para definir el
componente.
Esas dos curvas caractersticas son la curva V-I de entrada y la curva V-I
de salida. La curva caracterstica V-I de salida es un conjunto de curvas en
funcin de uno de los parmetros de entrada.
Introduccin a los elementos de 3 terminales
Componente de 3
terminales
Entrada
Salida
v
e
i
s
v
s
i
e
Electrnica, 2007
Componentes de 3 terminales:
BJT: Fuente de corriente (salida)
controlada por corriente (entrada).
Ganancia de corriente.
Terminales: Base, Emisor y Colector
FET: Fuente de corriente (salida)
controlada por tensin (entrada).
Transconductancia (g
m
).
Terminales: Puerta, Drenador y Fuente
BJT
B
C
v
BE
i
c
v
CE
i
b
E
i
e
v
BC
FET
G
D
v
GS
i
d
v
DS
i
g
S
i
s
v
GD
W. Shockley, 1952 J. Bardeen, W.H. Brattain, y W. Shockley, 1948
Electrnica, 2007
Clasificacin de los componentes de 3 terminales.
BJT
npn
pnp
FET
JFET
MOSFET
Canal p
Canal n
Canal p
Canal n
Canal p
Canal n
Enriquecimiento
Deplexin
Electrnica, 2007
Transistor de efecto campo JFET
Estructura y smbolo del transistor. Canal n y Canal p
Terminales: Puerta, Drenador y Fuente. Componente simtrico.
i
S
S
G
D

i
D
i
G
~ 0
n
-
S
G
D
G
p
+
p
+
Canal n
Canal p
p
+
S
G
D
G
n
+
n
+
i
S
S
G
D

i
D
i
G
~ 0
Electrnica, 2007
Tensin V
DS
y V
GS
al aire: i
D
proporcional a V
DS
. Mxima i
D
determinada por la
seccin del canal n. Resistencia.
Efecto campo. Canal n
n
-
S
G
D
G
p
+
p
+
+
-
i
D
V
DS
i
D
v
DS
p
+
n
- +
S G D
i
D
V
DS
Sustrato p
n
+
n
+
Electrnica, 2007
Tensin V
DS
y V
GS
cortocircuitado: Polarizacin p-n inversa. Aparece zona de
transicin o agotamiento. Se estrecha el canal de conduccin. i
D
proporcional a
V
DS
hasta un valor mximo i
DSS
(Corriente de drenaje de saturacin).
Comportamiento no lineal.
V
DS
n
-
S
G
D
G
p
+
p
+
+
-
i
D

Zona de
agotamiento o
transicin de la
unin p-n
i
D
v
DS
i
DSS
v
sat
V
GS
=0
Electrnica, 2007
Tensin V
DS
y V
GS
polarizado en inversa: Polarizacin p-n ms inversa que
V
GS
=0. Zona de transicin mayor. Canal de conduccin ms estrecho. i
D
proporcional a V
DS
hasta un valor mximo. Comportamiento no lineal.
V
GS
n
-
S
G
D
G
p
+
p
+
i
D

Zona de
agotamiento o
transicin de la
unin p-n
+
-
+
-
+
-
V
GS
i
D
v
DS V
DSsat
V
GS
=0V
V
GS
=-1V
V
GS
=-2V
V
GS
corte
Canal p: Igual funcionamiento pero cambiando el signo de V
GS
Electrnica, 2007
Comparativa JFET- BJT
Slo circulan portadores mayoritarios, es unipolar, no bipolar como el BJT
Fabricacin ms sencilla y de menor tamao. Fabricacin de C.I.
Funcionan como resistencia y amplificador. Facilidad de integracin de C.I.
Gran impedancia de entrada. Idealmente no consume corriente por la puerta.
Es simtrico.
Ms estables con la T. Generan menos ruido.
Mayor capacidad de manejar potencia.
Almacenan carga. Posibilidad de utilizacin como unidades de memoria.
Peor respuesta en frecuencia (alta capacidad).
Sensibles a la ESD.
Alguno presenta poca linealidad.
Electrnica, 2007
Zonas de funcionamiento
Zona Lineal: Para una determinada tensin V
GS
>V
TR
la i
D
vara linealmente segn se
incrementa V
DS
hasta una V
sat
. V
sat
~V
GS
-V
TR
) ( 0 y Si
TR GS sat DS TR GS
V V V V V V ~ < < >
( ) ( )
2
2
; 2
TR
V
i
k V V V V k i
DSS
DS DS TR GS D
= =
Zona de Saturacin: Para una determinada tensin V
GS
>V
TR
, si V
DS
>V
sat
la i
D
permanece constante aunque aumente V
DS
.
G
D
i
V
GS
D
S
V
DS
) ( y Si
TR GS sat DS TR GS
V V V V V V ~ > >
( )
2
2
;
TR
DSS
TR GS D
V
i
k V V k i = =
G
D
i
V
GS
D
S
V
DS
Electrnica, 2007
Zona de ruptura: Si estando en la zona de saturacin se aumenta mucho V
DS
se
produce la ruptura del componente.
Zona de Corte: Para una determinada tensin V
GS
<V
TR
en canal est estrangulado y
no circula la corriente i
D
.
0 =
D
i
G
V
GS
D
S
V
DS
No hay Zona inversa: El componente es simtrico.
Electrnica, 2007
Caracterstica V-I de entrada
La i
DSS
es la corriente de drenaje de
saturacin
En la zona de saturacin:
Curvas caractersticas V-I. Canal n
i
D
v
GS
Conduccin
v
TR
V
DS
= Cte.
i
DSS
Corte
i
G
>0 no existe
( )
2
2
;
TR
DSS
TR GS D
V
i
k V V k i = =
til para obtener parmetros del
componente.
Electrnica, 2007
Caracterstica V-I de salida
La potencia disipada limita el rea de
operacin segura:
La salida depende de la V
GS
:
Zona Activa o Saturacin
Zona de Corte
Curvas caractersticas V-I. Canal n
( ) ( )
TR DS D
V V f i , =
( ) 0 =
D
i
.
max
Cte P v i P
DS D FET
= s =
En la zona activa la i
D
no es plana, tiene un
ligera pendiente positiva
i
D
v
DS V
DSsat
V
GS
=0V
V
GS
=-1V
V
GS
=-2V
V
GS
corte
TR GS DS
V V V =
Zona saturacin
Zona lineal
Zona corte
i
DSS
V
GS
>V
TR
V
GS
<V
TR
Electrnica, 2007
i
D
v
DS
V
DSsat
V
GS
=0V
V
GS
=-1V
V
GS
=-2V
V
GS
corte
Punto de operacin Q
V
DQ
Obtencin del Pto. de Operacin.
0 =
DS
V
Circuito de salida
D
DD
D
R
V
i =
DD DS
V V =
0 =
D
i
DD DS
V V =
Recta de carga a la salida
DS D D DD
V R i V + =
D
DD
D
R
V
i =
Pto. De Operacin. Interseccin de la
recta de carga con la curva del valor de
V
GS
conectado en la entrada.
Polarizacin. Anlisis en CC. Recta de carga.
Electrnica, 2007
Interruptores analgicos o digitales.
Etapas de entrada a amplificadores diferenciales.
Amplificadores especiales.
Resistencias controladas por tensin.
Aplicaciones
Electrnica, 2007
Transistor de efecto campo MOSFET
Estructura y smbolo del MOSFET de enriquecimiento. Canal n y Canal p
Canal n
Canal p
i
S
S
G
D

i
D
i
G
~ 0
SiO
2
S
D
G
Sustrato p
n n
SiO
2
S
D
G
Sustrato n
p p
i
S
S
G
D

i
D
i
G
~ 0
Electrnica, 2007
Tensin V
DS
y V
GS
: La tensin V
GS
atrae electrones del sustrato hacia la capa aislante
de SiO
2
, creando un canal. La corriente i
D
comienza a circular cuando la tensin V
DS
supera un umbral V
TR
. El sustrato p se conecta a la fuente. En transistores usados en C.I.
el sustrato puede estar conectado a otra tensin.
Funcionamiento. MOSFET de enriquecimiento de canal n
- +
- +
S
G
D
i
D
V
GS
V
DS
Sustrato p
n
+
n
+
Conectado a S
Canal n
generado
SiO
2
Electrnica, 2007
Estructura y smbolo del MOSFET de empobrecimiento. Canal n y Canal p
Canal n
Canal p
SiO
2
S
D
G
Sustrato p
n n
Canal n
SiO
2
S
D
G
Sustrato n
p p
Canal p
i
S
S
G
D

i
D
i
G
~ 0
i
S
S
G
D

i
D
i
G
~ 0
Electrnica, 2007
Tensin V
DS
y V
GS
: Existe un canal n fsicamente. La corriente i
D
comienza a circular
cuando se aplica una tensin V
DS
. Una tensin V
GS
positiva atrae electrones del sustrato
hacia la capa aislante de SiO
2
, aumentando el canal. Una tensin V
GS
negativa saca
electrones del canal, empobrecindolo. Para un determinado valor de V
GS
negativa (umbral
V
TR
) el canal se estrangula y no permite la circulacin de corriente
Funcionamiento. MOSFET de empobrecimiento o deplexin canal n
- +
- +
S
G
D
i
D
V
GS
V
DS
Sustrato p
n
+
n
+
Conectado a S
Canal n
existente
SiO
2
Electrnica, 2007
Zona Lineal: Para una determinada tensin V
GS
>V
TR
la i
D
vara linealmente segn se
incrementa V
DS
hasta una V
sat
. V
sat
~V
GS
-V
TR
) ( 0 y Si
TR GS sat DS TR GS
V V V V V V ~ < < >
( ) ( )
2
2
; 2
TR
V
i
k V V V V k i
DSS
DS DS TR GS D
= =
Zona de Saturacin: Para una determinada tensin V
GS
>V
TR
, si V
DS
>V
sat
la i
D
permanece constante aunque aumente V
DS
.
G
D
i
V
GS
D
S
V
DS
) ( y Si
TR GS sat DS TR GS
V V V V V V ~ > >
( )
2
2
;
TR
DSS
TR GS D
V
i
k V V k i = =
G
D
i
V
GS
D
S
V
DS
Electrnica, 2007
Zona de ruptura: Si estando en la zona de saturacin se aumenta mucho V
DS
se
produce la ruptura del componente.
Zona de Corte: Para una determinada tensin V
GS
<V
TR
en canal est estrangulado o
no se ha formado y no circula la corriente i
D
.
0 =
D
i
G
V
GS
D
S
V
DS
Electrnica, 2007
Caracterstica V-I de entrada
No hay i
DSS
(corriente de drenaje de
saturacin), para V
GS
=0, la i
D
=0
En la zona de saturacin:
Curvas caractersticas V-I. Enriquecimiento canal n
( )
|
|
.
|
\
|
=
2
2
;
V
mA
k V V k i
TR GS D
i
D
v
GS
Conduccin
v
TR
V
DS
= Cte.
Corte
Electrnica, 2007
Caracterstica V-I de salida
La potencia disipada limita el rea de
operacin segura:
La salida depende de la V
GS
:
Zona Activa o Saturacin
Zona de Corte
Curvas caractersticas V-I. Enriquecimiento canal n
( ) ( )
TR DS D
V V f i , =
( ) 0 =
D
i
.
max
Cte P v i P
DS D FET
= s =
En la zona activa la i
D
no es plana, tiene un
ligera pendiente positiva
V
GS
>V
TR
V
GS
<V
TR
i
D
v
DS V
DSsat
V
GS
=5V
V
GS
=4V
V
GS
=3V
V
GS
corte
TR GS DS
V V V =
Zona saturacin
Zona lineal
Zona corte
V
GS
=2V
Electrnica, 2007
Obtencin del Pto. de Operacin.
0 =
DS
V
Circuito de salida
D
DD
D
R
V
i =
DD DS
V V =
0 =
D
i
DD DS
V V =
Recta de carga a la salida
DS D D DD
V R i V + =
D
DD
D
R
V
i =
Pto. De Operacin. Interseccin de la
recta de carga con la curva del valor de
V
GS
conectado en la entrada.
Polarizacin. Anlisis en CC. Recta de carga.
i
D
v
DS
V
DSsat
V
GS
=5V
V
GS
=4V
V
GS
=3V
V
GS
corte
Punto de operacin Q
V
DQ
V
GS
=2V
Electrnica, 2007
Configuraciones.
Amplificador inversor de tensin.
Polarizacin CC (Pto. de operacin o trabajo):
Suponiendo zona de saturacin:
D
G
S
V
e
V
DD
i
D
V
s
R
D
DS D D DD
V R i V + =
DS s
V V =
( )
|
|
.
|
\
|
=
2
2
;
V
mA
k V V k i
TR GS D
TR GS DS TR GS
V V V V V > > y
Se comprueba la suposicin
TR GS DS TR GS
V V V V V > > y
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Seguidor de tensin.
Configuraciones.
D
G
S
V
e
V
DD
i
D
V
s
R
S
i
D
DS S S DD
V R i V + =
D S S S s
i i R i V = = ;
( )
|
|
.
|
\
|
=
2
2
;
V
mA
k V V k i
TR GS D
TR GS DS TR GS
V V V V V > > y
TR GS DS TR GS
V V V V V > > y
GS S S E
V R i V + =
Hay realimentacin
Electrnica, 2007
Seguidor de corriente.
Configuraciones
D D DD s
R i V V =
. te C i i
e D
= =
( )
|
|
.
|
\
|
=
2
2
;
V
mA
k V V k i
TR GS D
TR GS DS TR GS
V V V V V > > y
TR GS DS TR GS
V V V V V > > y
GS s DS
V V V + =
D
G
S
I
e
V
DD
i
D
V
s
R
D
V
SS
k
i
V V
D
TR GS
+ =
Electrnica, 2007
Interruptores analgicos o digitales.
Etapas de entrada a amplificadores diferenciales.
Amplificadores especiales.
Resistencias controladas por tensin.
Aplicaciones
Electrnica, 2007
Transistor JFET y MOSFET real.
Sus caractersticas varan con la temperatura. En general, el incremento de
temperatura produce una disminucin de la tensin umbral Puerta-Fuente (GS) y una
disminucin de la pendiente I
D
-V
GS
. Aparece un punto de coeficiente de temperatura 0. La
corriente en la unin p-n de un JFET aumenta con la temperatura.
La curva caracterstica de salida no es plana en su Zona de Saturacin, tiene un ligera
pendiente positiva, determinada por la longitud del canal. (Modulacin de la longitud del
canal).
La tensin mxima que soporta un transistor entre terminales es finita. Por encima de
ellas se rompe el componente.
La mxima corriente viene limitada por la capacidad de disipacin de potencia del
componente.
La existencia de capacidades y resistencia parsitas hacen que la velocidad de
respuesta del transistor sea limitada.
Sensible a descargas electroestticas.

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