MOSFET

El metal óxido semiconductor transistor de efecto de campo (MOSFET) es un

dispositivo usado para amplificar o conmutar señales electrónicas, es el más utilizado en
la industria, prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están
basados en transistores MOSFET. 

Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de

canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulación o deplexión en
la actualidad los segundos están prácticamente en desuso.

En la figura 1 se describe la estructura física de un MOSFET de canal N con sus cuatro

terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra
conectado a la fuente.

Fig.1

SÍMBOLOS DE LOS MOSFET

En la figura Nº2, podemos ver un transistor MOSFET de canal N (punta hacia adentro)
con cuatro terminales disponibles. El terminal de sustrato está libre, en algunos casos,
para dar al transistor un mayor control sobre la corriente de drenador.
 Fig.2

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N

Fig.3
La fuente S y el drenador D son regiones fuertemente dopadas difundidas en un sustrato
B (Body) de tipo p. Una compuerta conductora G (Gate) se aísla del silicio mediante
una fina capa de SiO2, durante el funcionamiento “normal activo” una tensión positiva
es aplicada entre la fuente y el sustrato, lo cual produce una atracción de los conductores
de la fuente y el drenador creando un canal de conducción entre ellos. Este
enriquecimiento de carga negativa (en este caso) le da su nombre al dispositivo.
En la mayoría de las aplicaciones el sustrato B es conectado directamente a la fuente o
al punto de voltaje más negativo (para canal n), para asegurar que las uniones drenador-
sustrato y fuente-sustrato se mantengan en polarización inversa.
Si se polariza la unión compuerta-fuente G-S de forma que 0 < VGS < VT la carga
positiva de la compuerta repele los huecos creando una región de deplexión desde la
fuente hasta el drenador.
Para VGS > VT la compuerta atrae más electrones al canal creado, aumentando su
conductividad: el material p se convierte localmente en tipo n.
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO DE CANAL N
Este tipo de dispositivo se caracteriza por la presencia de un fino canal de impurezas de
tipo n entre la fuente y el drenador, depositado durante su fabricación. Debido a esto, ya
existe un canal para VGS = 0. Los valores VGS > 0 incrementan la conductividad del
canal. Los valores negativos provocan su deplexión. Si hacemos VGS suficientemente
negativo el canal deja de existir, en este caso la tensión de umbral VT es negativa. Las
ecuaciones de estado y los modelos son idénticos que en el caso del MOSFET de
Enriquecimiento.

CURVAS CARACTERÍSTICAS

En la figura Nº4, se muestra el ejemplo de una familia de curvas de drenador de un

MOSFET de empobrecimiento de canal N.

Fig.4

Obsérvese cómo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de VGS (trabajo en

modo de empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de enriquecimiento). La
corriente más elevada se consigue con la tensión más positiva de VGS y el corte se
consigue con tensión negativa de VGS (apaga).
De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que nos
indica la relación que existe entre VGS e ID. Esta posee la forma que se muestra en la
figura Nº5.
 Fig.5

Obsérvese cómo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de tensiones.
Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones positivas como
negativas. Por esta razón, la corriente IDSS, correspondiente a la intersección de la
curva con el eje ID, ya no es la de saturación. Como ocurría con el JFET, esta curva de
transconductancia es parabólica y la ecuación que la define es también:

Según se puede apreciar en la curva de transconductancia de un MOSFET, este tipo de

transistor es muy fácil de polarizar, ya que se puede escoger el punto correspondiente a
VGS=0, ID=IDSS. Cuando éste queda polarizado así, el transistor queda siempre en
conducción o, normalmente, encendido.

MOSFET DE CANAL P

En los MOSFET de canal p se intercambian los materiales n y p con respecto a los de

canal n. En consecuencia, la dirección de la corriente y las polaridades de las tensiones
se ven invertidas. Por ejemplo, para que exista un canal, en un MOSFET de
enriquecimiento canal p, la tensión de compuerta debe ser lo suficientemente negativa.
CMOS

Bibliografía

 http://www.unicrom.com/Tut_transistores_MOSFET.asp
 http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/8%20Transistor
es%20de%20Efecto%20Campo.pdf
 http://prof.usb.ve/gsanchez/Curso_Elec1/fets.pdf
 http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/MOSFET.html
 http://www.scribd.com/doc/6703381/021-Transistor-de-Efecto-Campo-
MOSFET