FORMATO DE INFORME DE PRÁCTICA DE LABORATORIO / TALLERES /

CENTROS DE SIMULACIÓN – PARA ESTUDIANTES

CARRERA: Ingeniería Eléctrica ASIGNATURA: Electrónica Analógica

NRO. PRÁCTICA: 10 TÍTULO PRÁCTICA: CURVAS DE TRANSFERENCIA Y POLARIZACIÓN CON UN
MOSFET.
OBJETIVO ALCANZADO:

1. Diseñar un circuito para obtener las curvas de transferencia del MOSFET tipo enriquecimiento.
2. Realizar una polarización con un MOSFET tipo enriquecimiento.

ACTIVIDADES DESARROLLADAS
- Diseñar e implementar el circuito

Ilustración 1. Simulación donde VDD = 12V

 Ilustración 2. Simulación VGG = -3V

- Medir las corrientes de drain variando el voltaje gate-source.

Datos:
Transistor MPF102
RG =10 K Ω I DS =10 mA
V DD=12 V V P=−8 V
V ¿ =−8 V

V DD
R D=
I DS
12 V
R D=
10 mA

R D=1200 Ω

VDD permanece constante VDD = 12V

VGG(V) VGS(V) ID(mA)

0 0 9,09E-03
-1,5 1,49 8,50E-03
-3 2,99 7,84E-03
-4,5 4,49 6,73E-03
 -6 5,98 5,75E-03
-7,5 7,48 4,64E-03
-9 8,98 3,64E-03
-10,5 10,48 2,58E-03
-12 11,97 1,59E-03
-13,5 13,47 6,20E-04
-15 14,97 0

VGS(V) vs ID(mA)
1.00E-02
9.00E-03
8.00E-03
7.00E-03
6.00E-03
ID (mA)

5.00E-03
4.00E-03
3.00E-03
2.00E-03
1.00E-03
0.00E+00
0 2 4 6 8 10 12 14 16
VGS (V)

Ilustración 3. Gráfica de VGS(V) vs ID(mA).

- Medir las corrientes de drain variando el voltaje drain-source.

VGG permanece constante. VGG=Vp=

-3V

VDD(V) ID(mA) VDS(V)

0 0 2,50E-03
1,5 5,40E-04 0,85
3 1,49E-03 1,22
4,5 2,49E-03 1,53
6 3,53E-03 1,79
7,5 4,60E-03 2,03
9 5,67E-03 2,25
10,5 6,76E-03 2,46
12 7,85E-03 2,66
13,5 8,96E-03 2,85
15 1,01E-02 3,03
 VDS(V) vs ID(mA)
3.50E+00

3.00E+00

2.50E+00

2.00E+00
ID(mA)

1.50E+00

1.00E+00

5.00E-01

0.00E+00
0 0 0 0.01 0.01 0.01 0.01
VDS(V)

Ilustración 4. Gráfica de VDS(V) vs ID(mA).

- Comprobar el voltaje drain-source y la corriente de drain para la polarización implementada.

Ilustración 5. Simulación donde VDD = 12V

 Ilustración 6. Simulación VGG = -3V

RESULTADO(S) OBTENIDO(S):

VGS(V) vs ID(mA)
1.00E-02
9.00E-03
8.00E-03
7.00E-03
6.00E-03
ID (mA)

5.00E-03
4.00E-03
3.00E-03
2.00E-03
1.00E-03
0.00E+00
0 2 4 6 8 10 12 14 16
VGS (V)

Ilustración 7. Gráfica de VGS(V) vs ID(mA).

 VDS(V) VS ID(mA)
3.50E+00

3.00E+00

2.50E+00

2.00E+00
ID(mA)

1.50E+00

1.00E+00

5.00E-01

0.00E+00
0 0 0 0.01 0.01 0.01 0.01
VDS(V)

Ilustración 8. Gráfica de VDS(V) vs ID(mA).

CONCLUSIONES:

- En conclusión podemos decir que estos elementos con los que trabajamos (MOSFET) son muy importantes en
el área laboral ya que estos se usan en microprocesadores y memorias de computadoras en donde aquí funciona
como un interruptor. Actualmente, los transistores MOSFET son los más utilizados ya que es la base para la
mayoría de los circuitos integrados.
- Hemos aprendido una serie de utilidades que tienen estos transistores, pero además, podemos decir que estos
tienen varias ventajas, como por ejemplo; tamaño inferior, control con voltaje, es independiente del uso de
resistencias, las velocidades de conmutación son mayores, etc.

RECOMENDACIONES: