INTRODUCCIN

El SCR tiene una cada en conduccin muy baja, pero necesita que el circuito
de potencia anule su corriente andica. Esto ha reducido su empleo a
circuitos de alterna (bloqueo natural con una conmutacin por ciclo).

TEMA 7. TIRISTORES DE APAGADO POR

PUERTA
7.1. INTRODUCCIN
7.2. ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO DEL GTO
7.3. ESPECIFICACIONES DE PUERTA EN EL GTO
7.4. CONMUTACIN DEL GTO
7.4.1. Encendido del GTO
7.4.2. Apagado del GTO
7.5. MXIMA CORRIENTE ANDICA CONTROLABLE
POR CORRIENTE DE PUERTA
7.6. OTROS DISPOSITIVOS DE APAGADO DESDE LA
PUERTA.
7.6.1. Tiristor Controlado por Puerta Integrada: IGCT.
7.6.2. Tiristor Controlado por Puerta MOS: MCT
7.7. COMPARACIN ENTRE LOS DISPOSITIVOS DE
POTENCIA.
7.8. ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN
DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 1 de 23

Desde los primeros aos del SCR los fabricantes han intentado conseguir que
los SCR pudiesen cortarse desde la puerta A principios de los aos 80
aparecen los primeros GTOs.
Porqu no puede cortarse un SCR desde puerta?
CTODO (K)
PUERTA (G)

VGK<0

Unin
Catdica

p
Unin de
Control

n+

n+

n-

Capa Catdica

Capa de
Control

Capa de
Bloqueo

Unin
Andica
p+

Capa Andica
NODO (A)

Al aplicar una tensin negativa en la puerta (VGK<0), circula una corriente

saliente por la puerta. Aparece una focalizacin de la corriente ando-ctodo
hacia el centro de la difusin n+ catdica debido a la tensin lateral. Esta
corriente polariza directamente la zona central de la unin catdica,
manteniendo al SCR en conduccin.

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 2 de 23

ESTRUCTURA DEL GTO

CARACTERSTICA ESTTICA DEL GTO

Ctodo

Puerta

Puerta

n+

iA

n+

Puerta

BV2030 V
p

VAK
np+

n+

p+

n+

p+

nodo

nodo

nodo
Seccin de un GTO:
Las principales diferencias con el SCR son:
Interconexin de capas de control (ms delgada) y catdicas,
minimizando distancia entre puerta y centro de regiones catdicas y
aumentando el permetro de las regiones de puerta.
Ataque qumico para acercar el contacto de puerta al centro de las
regiones catdicas.
Regiones n+ que cortocircuitan regiones andicas:
Acelerar el apagado
Tensin inversa de ruptura muy baja

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 3 de 23

Puerta

Puerta
Ctodo

Ctodo

Caracterstica esttica y smbolos de GTOs

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 4 de 23

FUNCIONAMIENTO DEL GTO

A

A
p1

p2
n2

J2
p2

n2

IC2

IC1

p2

J3

puerta, debe ser

IB1

T1

n1

J2

J2
G

IA = IE1

n1

n1

Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la

p1

J1

J1

FUNCIONAMIENTO DEL GTO

T2

G
J3

IG

IB2

IK = -IE2
K

Al cebarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el mismo

proceso que en el SCR normal.
Para bloquearlo, ser necesario sacar los transistores de saturacin aplicando
una corriente de puerta negativa:
-

IB2=1IA-IG ; IC2= -IB1 = (1-1) IA

La no saturacin de T2 IB2< IC2 /2 dnde 2= 2
sustituyendo las ecuaciones anteriores en la desigualdad obtenemos:

I B2 <

/(1-2)

I C 2 (1 2 ) (1 1 ) (1 2 )
=
I A;
2
2

I B 2 = 1 I A I G <

luego:

I G >

IA
off

off =

2
1 + 2 1 lo mayor posible, para ello

debe ser: 2 1 (lo mayor posible) y 1 0 (lo menor posible).

2 1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y
poco dopada y que su emisor (capa catdica) est muy dopado.
Estas condiciones son las normales en los SCR.
1 0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y
tenga una vida media de los huecos muy corta. La primera
condicin es normal en SCRs de alta tensin, la segunda no,
porque ocasiona un aumento de las prdidas en conduccin.
Para conseguir una buena ganancia off ser necesario asumir
unas prdidas en conduccin algo mayores.
Los cortocircuitos andicos evitan estas prdidas extras, al quitar
corriente de base a T1 disminuyendo su ganancia sin tener que
disminuir la vida media.
Respecto a la velocidad de corte de T1, si la vida media de los
huecos es larga, el transistor se vuelve muy lento, ya que solo
pueden eliminarse por recombinacin al no poder difundirse
hacia las capas p circundantes por estar llenas de huecos. Los
cortocircuitos andicos aceleran la conmutacin de T1 al poder
extraerlos (a costa de no soportar tensin inversa).

(1 1 ) (1 2 ) I A
2
,

dnde off es la ganancia de corriente en el

momento del corte y vendr expresada por:

off =

2
1 +2 1

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 5 de 23

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 6 de 23

ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO

IG

GTO Bloqueado

GTO Conduciendo

dIG /dt

CIRCUITO DE EXCITACIN DE PUERTA DEL GTO

IGM
IGON

GM

Se necesita una fuente de tensin con toma media.

Formas de Onda de la Corriente de Puerta
a) Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y valor IGM
suficientes para poner en conduccin todo el cristal. Si slo entra en
conduccin una parte y circula toda la corriente, se puede daar. Ntese
que si slo entra en conduccin una parte bajar la tensin nodoctodo y el resto de celdillas que forman el cristal no podrn entrar en
conduccin.
b) Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente IGON de
mantenimiento para asegurar que no se corta espontneamente. (Tiene
menos ganancia que el SCR).
-

c) Para cortar el GTO se aplica una corriente IG =IA/off muy grande, ya

que off es del orden de 5 a 10.
d) Esta corriente negativa se extingue al cortarse el SCR, pero debe
mantenerse una tensin negativa en la puerta para evitar que pudiera
entrar en conduccin espordicamente.

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Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 8 de 23

CONMUTACIN DEL GTO

Carga +
DLC

Io

Df

Turn-on
snubber
Lon
Lon

Don

CONMUTACIN DEL GTO. ENCENDIDO POR

CORRIENTE POSITIVA DE PUERTA

AMORTIGUADOR DE ENCENDIDO:

Limita la velocidad de subida de la

corriente andica en el encendido,
evitando que IA alcance valores muy
altos cuando an no puede circular por
todo el cristal (podra subir mucho
debido a la recuperacin inversa de Df )

IG /t, Limitada por las

inductancias parsitas
IG
I GON

IGM
AMORTIGUADOR DE APAGADO:

Limita la velocidad de subida de la

tensin andica en el apagado,
las
evitando que al subir VAK
corrientes por las capacidades de las
uniones lo ceben de nuevo

DS

t
I A : Sin amortiguador de encendido
IA

td
IAmax : Limitada por el
amortiguador de encendido

Turn-off
snubber

t
V AK

L
LS

GTO

Inductancia
parsita de las
conexiones

CS

Formas de Onda en el Encendido del GTO

Circuito para el Estudio de la Conmutacin del GTO:

Al no poder hacerlo funcionar sin estos componentes auxiliares, vamos a
estudiar la conmutacin del GTO sobre este circuito completo.

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Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 10 de 23

CONMUTACIN DEL GTO. APAGADO POR

CORRIENTE NEGATIVA DE PUERTA
IG

MXIMA CORRIENTE ANDICA CONTROLABLE

POR CORRIENTE DE PUERTA EN UN GTO
Ctodo

IGON
t

IA

ts

+
Puerta n

nt
Resonancia de Cs
y L (Prdidas)
t
Formas de Onda en el Apagado del GTO

n+

Puerta

tcola

VAK

Puerta

Focalizacin de la IA
debido al potencial
lateral Aumento
de la resistividad

Al aplicar una corriente negativa por la puerta, se produce un campo

lateral, que provoca que la corriente andica se concentre en los puntos mas
alejados de las metalizaciones de puerta.
Esto hace que aumente la resistividad de la capa de control.
Para que circule la corriente IG requerida, se necesita ms tensin.
Si sube IA se necesita an ms tensin -VGK.
Se podr subir -VGK hasta la tensin de ruptura de la unin Puerta-Ctodo.
Esta ruptura definir la mxima corriente controlable desde la puerta

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 11 de 23

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 12 de 23

TIRISTOR CONTROLADO POR PUERTA INTEGRADA:

IGCT

FUNCIONAMIENTO DEL IGCT

GTO y Diodo de la misma tensin de ruptura. Para integrarlos en la misma

oblea, hay que hacer el diodo ms ancho Ms prdidas

IGCT y Diodo de la misma tensin de ruptura. Se integran sin problemas.

Se suprimen los cortocircuitos andicos, se sustituyen por una capa
andica transparente a los electrones (emisor del transistor pnp muy
poco eficaz 1 muy pequea. Esto permite hacer un dispositivo PT
ms estrecho con menores prdidas en conduccin.
Se mejora el diseo de la puerta (muy baja inductancia) 4.000 Amp/s
(con una tensin Puerta-Ctodo de slo 20V). Apagado muy rpido
menores prdidas en conmutacin.

En el IGCT, se consigue transferir TODA la corriente catdica a la puerta

rpidamente, de forma que la unin catdica queda casi instantneamente
polarizada inversamente y el apagado del SCR queda reducido al corte del
transistor npn No es necesario un amortiguador de apagado.
La ganancia de puerta ser 1 ya que toda la corriente andica se transfiere a la
puerta.

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 13 de 23

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 14 de 23

ZONA DE OPERACIN SEGURA DEL IGCT

MODULO CON UN IGCT

4.500V, 3.600Amp. Dimetro Oblea: 120 mm

Ejemplo de zona de operacin Segura de un IGCT.

(Anloga a la de un BJT)

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 15 de 23

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 16 de 23

TIRISTOR CONTROLADO POR PUERTA MOS: MCT

COMPARACIN ENTRE LOS DISPOSITIVOS DE

POTENCIA

Conductor
A

G
Doff n
Soff

A
Doff

n+
p

Son p

Son

off-FET

on-FET

Soff

Don

pK

n+
K

a)

b)

(a) Seccin Transversal del p-MCT. (b) Circuito Equivalente

Comparacin de la cada de tensin en conduccin.

MOS
G
G

Smbolos del MCT: a) p-MCT

b)

Estructura formada por un SCR y dos transistores MOS (uno para

encenderlo y otro para apagarlo) Estructura compleja, con muchos
requerimientos contradictorios.

IGBT

SCR

GTO

Fcil de
controlar
Velocidad
Bajo coste
(V<150V)
Salida lineal

rea de silicio rea de silicio Muy alta

/kVA
tensin
/kVA
Tensiones y
rea de silicio
Fcil de
corrientes
/kVA
controlar
No Snubber
muy altas

Alto
coste/kVA
(V>300V)

Cada en
conduccin
fmax 50kHz

No se apaga
Circuito de
desde la puerta
puerta
Prdidas en
Conmutacin
Snubbers

Comenzaron las investigaciones en 1992, en la actualidad se han

abandonado al no poder alcanzar potencias elevadas y no ser competitivo
con el MOS en bajas potencias (frecuencia menor y mayor complejidad de
fabricacin mayor costo).

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 17 de 23

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 18 de 23

COMPARACIN ENTRE DISPOSITIVOS DE POTENCIA

ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE

LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: COOL-MOS

Evolucin de la mxima potencia controlable con GTO e IGBT. (Fuente ABB)

IMAX (kA) 7
6

GTO

5
4
3
2
1

100 50

10 5
20

7
VMAX (kV)

1
log(f)
(kHz)

IGBT
Consiguen que la resistencia en conduccin crezca casi linealmente con
la tensin de ruptura del dispositivo en vez de crecer con una potencia
2.6. Esto los hace interesantes para tensiones altas (600 a 1500Voltios).
Existen comercialmente (Infineon).

MOS

Mximas tensiones, corrientes y frecuencias alcanzables con transistores MOS,

IGBT y GTO
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 19 de 23

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 20 de 23

ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE

LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: IEGT
Injection Enhanced Gate Thyristor:
IEGT
La razn por la que la cada en
conduccin de un SCR o GTO es
menor que en el IGBT radica en
la doble inyeccin de portadores
(desde el ctodo y desde el
nodo).
En el IGBT la inyeccin desde la
fuente es muy limitada.
En el IEGT, se consigue que la
capa de fuente tenga una
eficiencia muy alta (optimizando
los perfiles de los dopados)

ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE

LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: HiGT

Seccin de una
celdilla elemental

Fuente

Seccin de una
celdilla elemental
Puerta

xido de puerta

xido de puerta
+

n+

n+

canal

(sustrato)

Puerta

SiO 2

SiO 2

Fuente

n+

p+ (oblea)

Capa de Inyeccin

Drenador

a) IGBT

n+

n+

canal

Regin de arrastre del

Drenador

Capa de Almacenamiento

(sustrato)

n
Regin de arrastre del

n+

Drenador

Capa de Almacenamiento

p+ (oblea)

Capa de Inyeccin

Drenador

b)HiGT (Hitachi)

La cada en conduccin puede ser comparable a la del GTO para los

dispositivos existentes de 4.500V y 1.500Amp.
En investigacin (Toshiba)
Existen variantes (HiGT Hitachi)

El efecto es parecido al obtenido en el IEGT.

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 21 de 23

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 22 de 23

ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE

LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: COMPARACIN
ENTRE LOS DISPOSITIVOS NUEVOS Y LOS
CONSOLIDADOS

Comparacin de la cada en conduccin de dispositivos nuevos y

consolidados

Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 23 de 23