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Tema 5
M
cido Lewis
L
base Lewis
Octadrico
octadrico
Hiptesis de partida:
1) Los ligandos son cargas puntuales
2) El enlace M-L es inico (no hay contribucin covalente)
Orbitales d
Inorganic Chemistry-3rd Ed.. Shriver & Atkins. Oxford Uiversity Press. (1999) Oxford.
se desestabilizan
se estabilizan
E
3dz2
3dx2-y2
3d
3dxy
3d
orbitales degenerados
ion Mn+
+
6L (distancia infinita)
3dxz
3dyz
orbitales degenerados
prdida de degeneracin
campo electrosttico
esfrico
E
3dz2
3dx2-y2
3d
3dxy
3d
orbitales degenerados
ion Mn+
+
6L (distancia infinita)
3dxz
3dyz
orbitales degenerados
prdida de degeneracin
campo electrosttico
esfrico
E1 = -0.4 o
4E2 - 6E1 = 0
E2 = 0.6 o
3dz2
3dx2-y2
eg
E2 = 0.6 o
e desestabilizados en 0.60
o = 10Dq
3d
3dxy
3dxz
3dyz
t2g
E1 = -0.4 o
log
0.5
10000
15000
25000
20000
30000
(cm-1)
eg
eg
t2g
t2g
o = 20300 cm-1 = 243 kjmol-1
t2g3 eg0
eg
t2g
EECC = 3(-0.4)0 = -1.20
eg
t2g
t2g
EECC = 3(-0.4)0 + 0.60 = - 0.60
t2g3eg1
t2g4eg0
EECC = -0 + P
P = energa de apareamiento
o > P complejo de spin-bajo
o < P complejo de spin-alto
a) ion metlico
b) estado de oxidacin
c) ligandos
3d
4d
-
0
25%
-
0
50%
5d
Cmo puede ser que ligandos cargados provoquen menor campo que
ligandos neutros?
Repulsiones interelectrnicas
menos importantes que el
campo de los ligandos
0 < P
Repulsiones interelectrnicas
ms importantes que el
campo de los ligandos
eg
2
t2g
2
D (d )
t2g
Eg
o
2
T2g
Eg
T2g
eg
eg
t2g
t2g
2
2
D (d9)
o
2
Eg
T2g
T2g
Eg
eg
t2g
t2g
5T
2g
5D
(d4)
o
5E
2E
2T
2g
eg
t2g
5T
2g
5E
eg
t2g
5E
5D
(d6)
o
5T
2g
2T
2g
5D
(d4)
3(0.4o) + 2(-0.6o ) = 0
2E
5D
(d6)
o
5T
2g
eg
t2g
t2g
3T
2g
3T
1g
3
A2g
3
3
T2g
F(d2)
3
eg
T1g
t2g
3A
2g
12Dq
2Dq
-6Dq
eg
t2g
eg
t2g
3A
2g
3T
2g
3T
1g
3
t2g
T1g
F(d8)
3
T2g
A2g
d2(45)
eg
t2g
2 -2
o/5= -4
o/5
eg
3
o/5
o/5
t2g -2
t2g
-2
o/5 + 3
o/5 = 1
o/5
2 3
o/5= 6
o/5
-despus de introducir las perturbaciones del campo, se introducen las de las repulsiones,
aplicando el mtodo de Rusell-Saunders.
t2g2 eg0
6!
microestados =
2! 4!
= 15
n!
n microstados =
ne! nh!
6
o/5 (6)
eg 2
3T (9)
1g
1
o/5 (24)
t2g1 eg1
(45)
3A (3)+ 1E
2g
g
3T (9)+ 1T (3)
1g
2g
-4
o/5 (15)
t2g 2
(2)+ 1A1g(1)
campo cristalino
+ 1Eg(2) + 1A1g(1)
repulsin
interelectrnica
-despus de introducir las perturbaciones del campo, se introducen las de las repulsiones,
aplicando el mtodo de Rusell-Saunders.
t2g2 eg0
6!
microestados =
2! 4!
= 15
n!
n microstados =
ne! nh!
eg
t2g
3
T1g
d = T1g
d5 = 2T2g
t2g
t2g
t2g
t2g
eg
eg
eg
eg
d6 = 1A1g
d7= 2Eg
A1g(1)
eg2
Eg(2)
t2g1 eg1
A2g(3)
T1g(3)
T2g(3)
T1g(9)
d2(45)
T2g(9)
A1g(1)
t2g2
Eg(2)
1
T2g(3)
3
T1g(9)
simetra esfrica
campo
cristalino
repulsin
interelectrnica
A1g(1)
A1g
eg2
Eg(2)
Eg
T1g
T1g(3)
T2g
t2g1 eg1
A1g
T2g(3)
d2(45)
T1g(9)
3
3
T1g
A2g(3)
Eg
T2g
A2g
T2g
A1g(1)
t2g2
simetra
esfrica
T2g(9)
Eg(2)
1
T2g(3)
T1g(9)
T1g
campo
cristalino
repulsin
interelectrnica
campo
cristalino
repulsin
interelectrnica
A1g(1)
A1g
Eg(2)
Eg
T1g
T1g(3)
T2g
A1g
T2g(3)
T1g(9)
3
3
T1g
A2g(3)
T2g(9)
Eg
1
T2g
A1g(1)
Eg(2)
1
T2g(3)
A2g
T2g
T1g
campo
cristalino
T1g(9)
repulsin
interelectrnica
10Dq
8Dq
P
F
3dyz
3dxz
t2
E
3d
3dz2
3dx2-y2
t < 0
3dxy
3dx2-y2
3dxz
3dyz
distorsin
tetragonal
eg
t2
3dz2
0
3dxy
3dxz
3dx2-y2
3dxy
3dz2
3dyz
D4h (6L)
prdida
de ligandos
axiales
3dxz
3dyz
D4h (4L)
3dx2-y2
b1g
3dxy
b2g
3dz2
a1g
3dxz
-Si 0 es elevado
eg
3dyz
desestabilizacin de dx2-y2
d8
Complejos
Ni(II) tetracoordinados
Pd(II), Pt(II)
Td, D4h
D4h
3dxy
3dz2
3dxz 3dyz
D4h (4L)
3dx2-y2
eg
t2
3dx2-y2
distorsin
tetragonal
3dz2
3dxy
J-T
3dxy
3dz2
3dxz 3dyz
3dxz 3dyz
D4h (4L)
D4h (4L)
Cu(II)
Au(II)
B'
B', complejo
B, ion libre
B'
B', complejo
B, ion libre
Aumento
covalencia
disminuye