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SEMICONDUCTORES
Los dispositivos de estado slido son elementos pequeos pero verstiles que pueden
ejecutar una gran variedad de funciones de control en los equipos electrnicos. Al igual
que otros dispositivos electrnicos, son capaces de controlar casi instantneamente el
movimiento de cargas elctricas.
Se los utiliza como rectificadores, detectores, amplificadores, osciladores, conmutadores,
mezcladores, moduladores, etc.
Su peso y tamao son reducidos, son de construccin slida y muy resistente
mecnicamente lo que los hace libres de microfonismos y se los puede fabricar de manera
que sean inmunes a severas condiciones ambientales.
Materiales semiconductores
Los dispositivos de estado slido hacen uso de la circulacin de corriente en un cuerpo
slido.
En general todos los materiales pueden clasificarse en tres categoras principales:
conductores
semiconductores
aisladores
3er Capa
Ncleo
1er Capa
Fig.1 tomo de Aluminio
Nmero atmico
13
Peso atmico = 27
La teora electrnica explica que los tomos de todos los elementos estn constituidos de
forma similar a la del aluminio:
un ncleo formado por protones y neutrones
girando alrededor de l, un nmero de electrones igual al nmero de protones
distribuidos estos en capas y cada uno en su rbita, (esta de forma elptica).
Por ser la carga elctrica de los ELECTRONES NEGATIVA y la de los PROTONES
POSITIVA y adems contar el tomo con la misma cantidad de cada uno de ellos, estas
cargas se compensan entre s dando como resultado un estado de carga elctrica neutra
en el tomo.
Por estar la materia formada por tomos, tambin es neutra en su estado normal, es
decir est equilibrada elctricamente.
Electrones Libres
Si fuera posible observar un grupo de tomos que conforman una molcula de aluminio, se
vera que los electrones situados en la capa ms externa (cantidad = 3) y que estn
dbilmente ligados al ncleo, no permanecen constantemente en el mismo tomo, sino que
errticamente algunos de ellos saltan de tomo a tomo, por esta razn se los denomina
Electrones Libres.
La razn de la dbil ligazn de estos electrones con el ncleo se debe a que la tercera capa a
la que pertenecen no se encuentra completa, es decir tiene un dficit de electrones. Esta es
una caracterstica propia de los materiales conductores.
2da Capa
6P
6N
29 P
35 N
1er Capa
2da Capa
Fig. 2 tomo de carbono (C)
Peso atmico = 12
1er Capa
Nmero atmico = 6
4ta Capa
1er Capa
-
En las pginas anteriores se vio que los tomos de todos los elementos estn constituidos
por un ncleo (formado por protones y neutrones) y una cantidad de electrones igual a la de
los protones, dispuestos en capas u rbitas.
Cada capa puede contener una mxima cantidad de electrones, este mximo nmero
de electrones puede determinarse utilizando el siguiente clculo:
Mxima cantidad de electrones por capa = 2 n2
Siendo n el nmero de capa, contando a partir del ncleo, para la que se desea
conocer la mxima cantidad de electrones que puede contener.
Capa Designacin Mxima cant. de electrones
1ra
K
2 x 12 = 2
da
2
L
2 x 22 = 8
ra
3
M
2 x 32 = 18
4ta
N
2 x 42 = 32
ta
5
O
2 x 52 = 50
6ta
P
No conocida
ma
7
Q
No conocida
Como se ha descripto, los electrones en un tomo se sitan en sucesivas capas a partir del
ncleo:
No puede formarse una nueva capa hasta que la anterior no haya completado la
cantidad de electrones que le corresponde. Un tomo es estable, o sea que no se
combina qumica ni elctricamente con otros tomos cuando su capa exterior se
encuentra completa.
Los electrones de la capa exterior son los que pueden combinarse qumica o
elctricamente con los electrones de otros tomos, estos electrones son denominados
ELECTRONES de VALENCIA.
Cuando la capa exterior de un tomo contiene 8 electrones, el tomo se mantiene muy
estable y no presenta tendencia a perder ni ganar ningn electrn. Por esta razn ningn
tomo contiene ms de 8 electrones en su capa exterior.
Por ejemplo, la capa N (cuarta capa) puede contener un mximo de 32 electrones, pero si
esta capa constituye la capa exterior del tomo en cuestin no contendr ms que 8
electrones.
Ejemplos tpicos son algunos gases denominados nobles:
Argn N Atmico: 10
1er Capa 2 electrones
2da Capa 8 electrones
Kriptn N Atmico: 36
1er Capa 2 electrones
2da Capa 8 electrones
3er Capa 8 electrones
Nen N Atmico: 36
1er Capa 2 electrones
2da Capa 8 electrones
3er Capa 18 electrones
4ta Capa - 8 electrones
En los gases descriptos, as como tambin lo son el Radn y el Xenn, sus tomos por su
estabilidad no tienden a combinarse con ningn otro elemento y ni siquiera entre s para
formar molculas.
Formacin de una molcula de un mismo elemento
+9
+9
-
tomo de Flor
tomo de Flor
+9
+9
Electrones covalentes
Fig. 4 - Al compartir un electrn de su capa exterior dos tomos de Flor forman una
molcula de Flor (F2).
5 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
2
+11
+9
tomo de Sodio
(Na)
tomo de Flor
(F)
+11
+9
En la Fig. 5 se muestra como se combinan los tomos de dos elementos diferentes para
formar una molcula de un compuesto, permitiendo comprender la mayor parte de las
reacciones qumicas.
El N 1 es un tomo de Sodio, en el centro se muestra el ncleo con 11 cargas positivas
(11 protones) que equilibran sus 11 cargas negativas (11 electrones). Observemos como
estn dispuestos estos electrones en las 3 capas del tomo: 2 en la primer capa (capa
completa), 8 en la segunda capa (capa completa), 1 en la tercer capa (capa incompleta,
deberan ser 8 por ser la capa externa). Al estar este undcimo electrn solo en la capa
externa, el tomo de Sodio estar muy dispuesto a perderlo.
El N 2 es un tomo de Flor, este muestra 9 cargas positivas en su ncleo (9 protones)
que equilibran sus 9 cargas negativas (9 electrones). Observemos como estn dispuestos
estos electrones en las 2 capas del tomo: 2 en la primer capa (capa completa), 7 en la
segunda capa (capa incompleta, deberan ser 8 por ser la capa externa). Al faltarle un
electrn para completar esta ltima capa, el tomo de Flor est muy dispuesto para ganar
un electrn y completarla.
Es evidente que si se colocan juntos un tomo de Sodio y uno de Flor, el electrn
libre de la capa externa del tomo de Sodio saltar a ocupar el lugar libre de la ltima
capa del tomo de Flor, dando como resultado esta combinacin un elemento
compuesto denominado Fluoruro de Sodio.
Veamos ahora que los tomos de ambos elementos, N 3 y N 4, han quedado con una
conformacin muy similar, la gran diferencia es que se han convertido en iones, ion
positivo de Sodio (anin) e ion negativo de Flor (catin). En ambos ya las cargas
positivas del ncleo no compensan las cargas negativas de los electrones, en el tomo
de Sodio tenemos 11 cargas positivas en el ncleo y 10 electrones orbitndolo, el tomo
ya no es neutro elctricamente, presenta una carga positiva. En el tomo de Flor
tenemos 9 cargas positivas en el ncleo y 10 electrones orbitndolo, el tomo ya no es
neutro elctricamente, presenta una carga negativa.
Las partculas de cargas distintas se atraen mutuamente y eso explica por qu se
mantienen juntos los dos iones de Sodio y Flor formando una molcula de Fluoruro
de Sodio.
Los tomos de Silicio o de Germanio, ligados entre s de esta forma, conforman una red de
cubos denominados cristales elementales que comparten los cuatro electrones de los
vrtices comunes, dando lugar a la formacin del cristal de Silicio o de Germanio.
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
La estructura tal como se observa en Fig. 6 no tiene electrones dbilmente unidos al ncleo,
por lo tanto el elemento conforma un mal conductor. Para poder separar las ligaduras
covalentes y proveer as electrones libres para la conduccin de corriente elctrica, seria
necesario aplicar altas temperaturas o campos elctricos intensos al material.
Otra manera de alterar la estructura cristalina y obtener as electrones libres, consiste
en agregar pequeas cantidades de otros elementos que tengan una estructura
atmica diferente.
Mediante el agregado de cantidades muy pequeas de otros elementos, llamados
Impurezas, es posible modificar y controlar las propiedades elctricas bsicas de
los materiales semiconductores. La relacin entre Impurezas y material
semiconductor es del orden de una parte en diez millones.
8 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Si
Si
As
Si
tomo de impureza
Electrn excedente
Si
Arsnico: 33 electrones
1er capa : 2 electrones
2da capa : 8 electrones
3er capa : 18 electrones
4ta capa : 5 electrones
Los elementos de impureza ms utilizados que se agregan a los cristales de silicio para
proveer los electrones excedentes incluyen al Fsforo (P), el Arsnico (As) y el
Antimonio (Sb).
Cuando se agregan al silicio estos elementos, el material resultante es denominado
Tipo N debido a que los electrones libres excedentes tienen carga negativa. Debe
hacerse notar, sin embargo, que la carga negativa de estos electrones se equilibra con
una carga positiva equivalente situada en el ncleo de los tomos de impureza, por lo
tanto el material sigue siendo neutro elctricamente.
Se produce un efecto diferente cuando en la estructura cristalina del silicio se introduce
impurezas cuyos tomos tienen un electrn de valencia menos en su capa exterior (3
electrones) que el tomo de silicio (4 electrones).
9 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Aunque todos los electrones de valencia del tomo de impureza forman ligaduras
covalentes con los electrones de los tomos vecinos del semiconductor, una de las ligaduras
de la estructura cristalina no puede completarse debido a que al tomo de impureza le falta
un electrn de valencia en su capa externa con respecto a los que poseen los tomos del
semiconductor. Como consecuencia de ello aparece en la estructura reticular del cristal un
vaco denominado Laguna (Fig. 8).
Si
Si
tomo de impureza
(Boro: B)
Si
Si
Boro : 5 electrones
1er capa: 2 electrones
2da capa: 3 electrones
Junturas P - N
Cuando se unen dos pastillas de materiales semiconductores, una Tipo N y otra Tipo P, tal
como se muestra en la Fig. 9, se produce un fenmeno singular pero muy importante en la
zona en la que se ponen en contacto los dos materiales, denominada Juntura P-N.
Material tipo P
Material tipo N
Lagunas excedentes
(dficit de electrones)
Material tipo P
Electrones excedentes
(exceso de electrones)
Material tipo N
B
Fig. 9
Cuando se forma una juntura P-N, algunos de los electrones libres del material Tipo N se
difunden a travs de la juntura hacia el material Tipo P, combinndose con las lagunas de
este material. Estos electrones al abandonar el material N dejan huecos o lagunas en l, de
modo que si observamos la Fig. 9 B se podra interpretar que los electrones se mueven
del material N al P y las lagunas del P al N. La energa trmica es la que produce esta
llamada Corriente de Difusin.
Como resultado del proceso de difusin, se produce una Diferencia de Potencial a travs
de la Regin de Carga Espacial. Esta diferencia de potencial puede representarse, tal
como se muestra en la Fig. 10, como una batera imaginaria conectada a travs de la juntura
P-N.
N
P
-
+N
Fig. 10
El smbolo de batera se utiliza simplemente para ilustrar los efectos elctricos internos de
la juntura, el potencial que representa por supuesto no es mensurable directamente.
Esta diferencia de potencial forma una barrera denominada Barrera de Energa la cual
impide que se sigan difundiendo electrones a travs de juntura. En efecto, los electrones del
material Tipo N que tienden a seguir difundindose a travs de la juntura son repelidos por
la carga negativa inducida en el material Tipo P, mientras que las lagunas del material Tipo
P son repelidas por la carga positiva inducida en el material Tipo N. Esta diferencia de
potencial o barrera de energa impide por lo tanto una interaccin total entre los dos tipos
de materiales, preservando as las diferencias en sus caractersticas.
11 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
N
--
++
B
Fig. 11
Una juntura P-N alimentada por una batera externa tal como se muestra en la Fig.
11 B, se dice que est Polarizada Directamente.
Intensidad de corriente
directa(mA)
Polarizacin inversa
Tensin de Zener (avalancha)
Volts
mV
100 200 300 400 500
600 mV
Polarizacin directa
Intensidad de corriente
inversa (
A)
Fig. 12 - Curva caracterstica Tensin de Polarizacin vs. Corriente de una juntura P-N
Diodos
El dispositivo de estado slido ms simple es el Diodo, el cual se representa por el smbolo
mostrado en la Fig. 13.
Material tipo N
Material tipo P
Sentido de circulacin de la
corriente a travs del diodo
Ctodo (K)
nodo (A)
Fig. 13 - Diodo
Fig. 14
Como se puede apreciar en la Fig. 14, la C.C. rectificada obtenida, es una C.C. pulsante con
un rizado o ripple muy grande. Este puede ser suavizado colocando un condensador en
paralelo con la carga RL. Este condensador es denominado comnmente condensador de
filtro. (Fig. 15)
Fig. 15
15 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Fig. 16
Fig. 17
Fig. 18
Resistencia Zener Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna en
sus zonas P y N; al circular una corriente a travs de ste se produce una pequea cada de
tensin de ruptura.
En otras palabras: si un diodo zener est funcionando en la zona zener, un aumento en la
corriente producir un ligero aumento en la tensin. El incremento es muy pequeo,
generalmente de una dcima de voltio.
Los diodos Zener mantienen la tensin entre sus terminales prcticamente constante en un
amplio rango de intensidad y temperatura, cuando estn polarizados inversamente, por ello,
este tipo de diodos se emplean en circuitos estabilizadores o reguladores de la tensin tal y
como el mostrado en la figura.
Eligiendo la resistencia R y las caractersticas del diodo, se puede lograr que la tensin en
la carga (RL) permanezca prcticamente constante dentro del rango de variacin de la
tensin de entrada VS.
Para elegir la resistencia limitadora R adecuada hay que calcular primero cul puede ser su
valor mximo y mnimo, despus elegiremos una resistencia R que se adecue a nuestros
clculos.
Donde:
20 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Smbolo de diodo
K
K= ctodo
A
A= nodo
A
Banda de identificacin
del ctodo
Ctodo a la carcasa
nodo a la carcasa
nodo
Banda de identificacin
del ctodo
Ctodo
Una comprobacin rpida del estado de un diodo puede ser realizada por medio de un
multmetro digital que posea la funcin Medicin de Diodos.
En las Fig.1 y Fig.2 se puede apreciar como utilizar un multmetro digital que contenga la
funcin medicin de diodos.
Se ha seleccionado por medio de la llave selectora la funcin Medicin de Diodos, luego se
ha conectado la punta positiva del multmetro al ANODO del diodo y la negativa al
CATODO (Fig.1).
Al ser conectadas las puntas de esta forma, el diodo queda polarizado correctamente
para conducir, por tener aplicado el polo positivo de la fuente interna del multmetro
al ANODO y el negativo de dicha fuente al CATODO.
No olvidar que para que un diodo conduzca su ANODO debe ser ms positivo que el
CATODO. En un diodo de SILICIO (que son los que se estn tratando) la diferencia
de potencial ANODO/CATODO para plena conduccin debe ser de aproximadamente
0,6 volts.
Todo diodo que al ser comprobado utilizando este sistema arroje un valor de
tensin comprendido entre 0,5 y 0,7 volts, puede ser considerado en buen estado
por lo que hace al estado de su juntura al ser polarizada en el sentido directo o de
conduccin.
Se observa en la Fig.2 que se han invertido las conexiones de las puntas del
multmetro, o sea que la punta positiva se ha conectado al CATODO y la negativa al
ANODO. Ahora la juntura del diodo ha sido polarizada inversamente, por lo tanto el
diodo no conduce y en el display no se presenta ninguna lectura vlida.
En el caso del multmetro utilizado en el ejemplo, el display presenta en este caso la
lectura 1., en otros se presenta OL., etc.
Si alguna tensin es medida, por ejemplo 1,6 volts o 2,5 volts, no cabe ninguna
duda que el diodo testeado tiene fugas muy importantes en el sentido inverso de
conduccin, del orden de los 10 Kohm a 15 Kohm. Indudablemente se trata de un
diodo defectuoso.
Fugas menores o sea que presenten una resistencia mayor, por ejemplo 30 Kohm,
no sern detectadas utilizando este mtodo. A pesar de todo un diodo con una
resistencia de fuga de ese valor es un diodo deteriorado.
Los multmetros digitales utilizados como hmetros (funcin medicin de resistencias),
no sirven para medir la resistencia de juntura de un diodo en el sentido de conduccin y
generalmente no son confiables o no sirven para medir resistencia de fuga, conduccin
en el sentido de polarizacin inversa.
___________________________________________________________
Los multmetros analgicos prestan mejores posibilidades de comprobacin del estado de
un diodo, tanto cuando es medida su resistencia de juntura en el sentido de conduccin
(polarizacin directa), como cuando se mide la posible resistencia de fuga de dicha juntura
(polarizacin inversa).
Se entiende por multmetro analgico aquel cuyas lecturas son indicadas por una una aguja
que se desplaza sobre distintas escalas.
29 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Una lectura de 500 a 600 ohms es normal para diodos de pequea y media
potencia.
En diodos de mayor potencia como los utilizados en alternadores de automotores,
dicha resistencia es algo menor, alrededor de 400 ohms.
Al conectar las puntas del multmetro como se indica, observe que el diodo ha quedado
polarizado inversamente, por lo tanto no debera conducir. En la prctica no es as, pero
cuanto ms alta sea la resistencia medida, ms seguro se puede estar de las buenas con
diciones del componente bajo prueba.
Los diodos de silicio muestran elevada resistencia de fuga que puede llegar
hasta 1000 megohms. Un valor normal en diodos de potencia para alternadores
de automotores en buen estado es de 10 a 20 megohms.
Multmetro analgico
El colector, que capta la mayora de los portadores de carga emitidos por el emisor.
TRANSISTOR NPN
TRANSISTOR PNP
Fig. 19
Fig. 20
(Fig.21)
Aplicamos ahora un voltaje E2 (de mayor nivel que E1) entre el emisor y el colector. (Fig.
Las corrientes que fluyen a travs de los tres terminales de transistor son denominados:
IB = Corriente de Base
IE = Corriente de Emisor
IC = Corriente de Colector
33 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Para un transistor PNP la polaridad de las fuentes debe ser invertida, pero su
funcionamiento es igual al NPN. (Fig. 22).
Decamos anteriormente que a lo sumo un 5% de los electrones que circulan por el emisor
llegan a circular por la base, la relacin:
La flecha del emisor indica la direccin de circulacin de la corriente cuando el transistor est
funcionando. Tenga en cuenta que esta indicacin obedece a la circulacin de corriente teniendo en
cuenta el sentido convencional (no electrnico), o sea de Positivo a negativo.
34 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
En la Fig. 24A se plantea un transistor NPN al que se polariza su Base con respecto al
Emisor por medio de una fuente VB-E cuya tensin es ajustable entre 0V y 1,5V. El
Colector se alimenta a travs de una resistencia de 1 Kohm, con una fuente fija VCC de
10V, conectada entre Colector y Emisor.
En la Fig. 24B vemos como vara la corriente de base IB, en funcin de la tensin de
polarizacin directa del diodo B-E.
Veamos como vara la corriente de colector IC, en funcin de la variacin de la corriente de
base IB.
Como se vio en la pgina anterior, para que exista una corriente a travs del colector, debe
estar circulando corriente entre emisor y base, producto esta corriente del nivel de la
tensin de polarizacin B-E. Recordemos como se relacionan ambas corrientes:
Asumiendo que:
la tensin de polarizacin Base-Emisor para la que la corriente de base es de 100A, punto
en el que el transistor est saturado, es de:
VBE = 0,7 V; para IB = 100 A; VC = 0V
la tensin de polarizacin Base-Emisor para la cual la corriente de base es de 1A, punto en
que el transistor comienza a salir del corte, es de:
VBE = 0,5V; para IB = 1A; VC = 10V
La tensin de polarizacin Base-Emisor para la cual la corriente de base es de 50A, punto
en el que la corriente de colector es de 5mA, por lo que la tensin en el nodo VC = 5V, es
de:
VBE = 0,6V; para IB = 50A; VC = 5V
De lo anteriormente desarrollado se desprende que:
Cuando VBE sea menor que 0,6V, VC ser mayor que 5V.
Cuando VBE sea mayor que 0,6V, VC ser menor que 5V.
Cuando VBE vara, VC tambin vara. pero en sentido contrario. (Fig. 26)
En la prctica, debido a que los transistores no son componentes tan lineales como se los
consider tericamente para la descripcin de su funcionamiento, la polarizacin de base
VBE, y el valor de la resistencia de carga RL, son elegidos tomando en cuenta distintos
parmetros del transistor seleccionado, de modo que este trabaje en su zona ms lineal, con
el fin que la seal de salida sea lo menos distorsionada posible con respecto a la seal de
entrada. Estos parmetros se obtienen de las hojas de datos del transistor.
Hasta ahora se utilizaron dos fuentes de C.C. distintas. Una de ellas para
obtener la tensin de polarizacin base-emisor (VBE) deseada y la otra
para establecer la tensin de alimentacin emisor-colector (VCC).
En la prctica una sola fuente es utilizada.
En la Fig. 28 se muestra como esta disposicin es lograda. La tensin de polarizacin baseemisor se obtiene de la fuente por medio de un divisor de tensin formado por las
resistencias RA y RB. Los valores de estas resistencias se eligen de modo que la intensidad
de corriente circulante por el divisor, sea por lo menos 10 veces mayor que la corriente de
base del transistor, de este modo, esta corriente que tambin circula por RA, no influye
sobre la cada de tensin que se produce sobre esta resistencia, puesto que IB es muy
pequea con respecto a la impuesta por el divisor IAB.
A esta etapa amplificadora en Clase A, se le aplica ahora una seal de corriente alternada
proveniente de un generador externo. Observe que esta seal es aplicad a travs de un
condensador, denominado de acoplamiento. El condensador evita que la resistencia de
salida del generador (en realidad es impedancia de salida), despolarice la base del transistor
por estar en paralelo con la resistencia de 720 del divisor de tensin de polarizacin de
base (Fig. 30).
Fig. 31
Fig. 33
41 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
En la Fig. 34 se tiene la etapa planteada en la Fig. 33, pero a la que se le ha aplicado ahora
una seal de C.A. proveniente de un generador externo. Las Seales de Entrada y Salida
son mostradas tal como se ven en la pantalla de un osciloscopio (Fig. 35).
Fig. 35
Observe que la seal amplificada por los circuitos planteados en las Figs. 30 y 34
presenta una distorsin importante del hemiciclo negativo. Esto se debe a que en ambas
etapas se busco la mxima amplificacin de la seal de entrada y la distorsin se produce
por la no linealidad del diodo base-emisor
En la prctica, cuando se disean etapas amplificadoras, se da prioridad a la
deformacin (distorsin) que introduce la etapa en la seal amplificada con respecto a la
seal a amplificar, buscando que esta sea lo mnima posible sacrificando si es necesario,
nivel de amplificacin.
Fig. 36
Fig. 37
Observe que las seales de Entrada y Salida se encuentran en fase, esto es debido a que
al existir dos etapas se produce una doble inversin de la seal de entrada.
La Seal de Entrada, en este tipo de circuito, se aplica al Emisor mientras la Seal de Salida
amplificada se obtiene, como en el caso anterior, del Colector.
En la Fig. 38 se muestra una etapa amplificadora de este tipo. En la Fig. 39 vemos las
seales de Entrada y Salida en la pantalla del osciloscopio.
Fig. 38
ChA = Voltaje de la Seal de Entrada
20 mVpp
ChB = Voltaje de la Seal de Salida
5 Vpp
Ganancia = 5 Vpp / 0,02 Vpp = 250
Fig. 39
La base del transistor est puesta a masa para la corriente alternada de la seal a travs del
condensador de 100F, de ah que esta configuracin reciba el nombre de Base Comn.
45 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
En la Fig. 40 se muestra una etapa amplificadora de este tipo. En la Fig. 41 vemos las
seales de Entrada y Salida en la pantalla del osciloscopio.
Fig. 40
Fig. 41
En este ltimo tipo de configuracin, la Seal de Entrada que se desea amplificar se aplica
a la Base del transistor.
La Seal de Salida se obtiene a travs del Emisor.
El Colector se encuentra a masa para la corriente alternada pues est directamente
conectado al positivo de la fuente de alimentacin. De ah que reciba el nombre de Colector
Comn.
Este montaje presenta una Resistencia de Entrada muy alta, comprendida entre 50K y
500K, mientras que la Impedancia de Salida es muy baja, entre 10 y 100.
La amplificacin de corriente es media, entre 10 y 100.
La amplificacin de tensin es menor que la unidad.
Su ganancia en potencia est comprendida entre 10 y 100.
No presenta ningn desfasaje entre las seales de Entrada y Salida.
Gracias a las Impedancias de Entrada y Salida de este tipo de etapa, es que es muy utilizado
como Adaptador de Impedancias. Adapta muy bien etapas de Alta Impedancia de Salida
con etapas de Baja Impedancia de Entrada.
El transistor en conmutacin
El transistor trabaja como una llave, por supuesto una llave electrnica.
En el automotor lo vemos operando Bobinas de Encendido, Inyectores de
combustible, Relays, etc.
En este tipo de utilizacin, el transistor solamente puede tomar dos estados
Saturado o al Corte
En las Figs. 42 y 43 vemos estas dos condiciones.
Fig. 44
Tiempos de conmutacin
Observando la Fig.45, podemos ver como a su vez estos tiempos se subdividen en otros
dos:
tOFF-ON = td + tr
tON-OFF = ts + tf
td Delay Time: en el cambio de Corte a Saturacin, es el tiempo que transcurre desde
que aparece la seal en la base, Vs, hasta que la tensin de colector, VC, cae al 90% de la
tensin de fuente, VCC.
tr Rise Time: en el cambio de Corte a Saturacin, es el tiempo que tarda en caer la
tensin de colector, VC, desde el 90% al 10% de la tensin de fuente, VCC.
ts Storage Time: en el cambio de Saturacin a Corte, es el tiempo transcurrido entre la
Transistor Darlington
Cuando se necesita conmutar cargas que
demandan corrientes elevadas por ejemplo, una
electro vlvula, un inyector de combustible, el
primario de una bobina de encendido, un motor de
C.C., es comn la utilizacin de transistores
denominados Darlington. Observe la figura,
contenidos en la misma cpsula hay dos
transistores, la corriente emisor-colector del
primero es la corriente de base del segundo. Una
etapa as configurada puede tener ganancias de
corrientes elevadas, de 200 a 1000 veces, esto
permite manejar corrientes grandes en la carga de
Fig. 45
colector con corrientes muy pequeas de base.
Supongamos que la corriente que demanda la carga sea de 6 Amper, mximo nivel de
intensidad de corriente que normalmente se alcanza en una bobina de encendido actual.
Si el transistor Darlington empleado tiene una ganancia hfe = 300, la corriente de base
que demandar ser de 0,02A (20 mA.). / 0,014A x 500 = 6 Amper
Esto permite que esta etapa de potencia sea manejada directamente por circuitos
digitales, circuitos estos que pueden erogar solamente potencias pequeas.
El diodo conectado entre emisor y colector es de proteccin y es comn encontrarlo en
transistores Darlington diseados para manejar cargas inductivas como por ejemplo
inyectores y bobinas de encendido.
Se muestran a continuacin dos tipos de transistores Darlington utilizados en varios
Mdulos de Encendido y controles electrnicos (ECU), para operar primarios de bobinas de
encendido.
En la pgina siguiente se han incluido dos fotografas de una ECU Magneti Marelli
IAW G8 empleada en la gestin de motor de un automvil RENAULT 19 1.6
Monopunto.
En ellas se muestran los transistores Darlington que gobiernan distintos actuadores.
Transistor MOSFET
MOSFET son las siglas (en ingles) de Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor.
Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS.
Estado de corte
Cuando la tensin de la compuerta (G) es idntica a la de la fuente (S), el MOSFET est
en estado de no conduccin: prcticamente ninguna corriente fluye entre fuente y drenaje
aunque se aplique una diferencia de potencial entre ambos (Fig. 45).
Saturacin
Cuando de la compuerta (G) es positiva con respecto a la fuente (S), en el ejemplo +5V, el
MOSFET entra en estado de saturacin, mxima conduccin.
Es importante observar que la intensidad de corriente entre fuente y drenaje es
prcticamente limitada por la resistencia de carga (en este caso R = 1 ohm), mientras que la
intensidad de corriente que toma la compuerta es prcticamente nula, apenas 50 nano
Amper (Fig. 46).
Estas caractersticas hacen que este transistor se comporte como una llave de conmutacin
casi ideal, puede manejar corrientes muy elevadas entre fuente y drenaje sin tomar
prcticamente corriente de compuerta, al ser esta activada por tensin y no por corriente,
como sucede en los transistores bipolares de juntura, an en los Darlington. Esta
caracterstica permite que los circuitos previos, de los que reciben la seal de mando en su
compuerta, sean de muy baja potencia, por ejemplo circuitos digitales.
Tambin aventajan a los transistores bipolares en lo referente a la velocidad de
conmutacin, por tener tiempos de conmutacin mucho menores.
Tienen una desventaja con estos ltimos, su resistencia interna en estado de conduccin
aumenta al aumentar la corriente circulante entre fuente y drenaje.
Transistor IGBT
El transistor bipolar de compuerta aislada IGBT, (del ingls - Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrnica de potencia.
Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de compuerta de los transistores de
efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturacin del transistor
bipolar, combinando una compuerta aislada FET para la entrada de control y un
transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del
IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como
las del transistor bipolar de juntura.
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz y ha sustituido al
transistor bipolar en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias
energa, una de ellas es su utilizacin en Controles Electrnicos (ECUs), controlando los
bobinados primarios de bobinas de encendido.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido, en el que se ha
integrado en un solo encapsulado un MOSFET como entrada de seal de control y un BJT
para conmutar la carga. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no
requiere de corriente de base para mantenerse en conduccin.