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CAPTULO 7
CONVERTIDORES DC/AC
7.1 Introduccin
Los inversores estticos son circuitos que generan una tensin o intensidad
alterna a partir de una fuente de continua.
La aparicin de los transistores de potencia y los tiristores ha facilitado enormemente la solucin de esta funcin, promoviendo la proliferacin de diversos circuitos con muy buenas caractersticas que hubieran sido de difcil realizacin mediante
las tcnicas clsicas.
Los inversores u onduladores se pueden estudiar como rectificadores controlados funcionando en sentido inversor. Sin embargo, estos dispositivos tienen la caracterstica, que en muchas ocasiones es un gran inconveniente, de que para transformar
la energa de corriente continua en alterna deben conectarse a una fuente alterna del
exterior que impone la frecuencia de funcionamiento, con lo cual se les llama inversores controlados o guiados (inversores no autnomos).
En la mayora de las ocasiones se precisan inversores que funcionen autnomamente, es decir, que no estn conectados a ninguna fuente de corriente alterna exterior y que la frecuencia sea funcin de las caractersticas propias del sistema. stos son
conocidos como inversores u onduladores autnomos. Su representacin simblica se
aprecia en la figura 7.1.
340 CONVERTIDORES ESTTICOS
ENTRADA
SALIDA
Fig.7. 1
Smbolo del inversor autnomo.
En muchas ocasiones estos dispositivos se utilizan para aplicaciones que exigen una componente de armnicos muy pequea, una estabilidad de tensin y frecuencia de salida muy grande. La disminucin de armnicos se logra con procedimientos
adecuados de disparo, control y con la colocacin de filtros especiales a la salida del
inversor. En cuanto a la estabilidad, regulacin y control de la tensin y de la frecuencia se logra mediante el funcionamiento en bucle cerrado.
Los inversores tienen mltiples aplicaciones, entre las cuales podemos destacar los Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida (S.A.I.), que se emplean para la
alimentacin de ordenadores u otros equipos electrnicos que a la vez que una gran
seguridad de funcionamiento deben tener una gran estabilidad de tensin y frecuencia.
El control de motores de C.A., instalaciones de energa solar fotovoltaica, etc.
7.1.1 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO.

Para conseguir una corriente alterna partiendo de una corriente continua necesitamos un conjunto de interruptores que puedan ser conectados y desconectados a una
determinada carga de manera que la salida sea positiva y negativa alternativamente.
Cada uno de estos interruptores debe de estar constituido por un par de tiristores o transistores para que la corriente pueda circular en los dos sentidos, aunque en la
prctica cada interruptor estar compuesto por un tiristor o transistor y un diodo.
Los circuitos ms bsicos que se pueden dar de inversores se muestran en las
figuras 7.2 y 7.3.
I1
Tensin en la carga
Vs
Vs
2
ZL
t
Vs
Vs
2
Fig.7. 2
Circuito bsico con batera con
toma intermedia.
I2
Juan D. Aguilar Pea. Departamento de Electrnica. Universidad de Jaen. Espaa
CAPTULO 7. CONVERTIDORES DC/AC 341
Tensin en la carga
VS
I
I1
zL
VS
I4
I3
- VS
Fig.7. 3
Circuito bsico sin batera de toma
intermedia. Configuracin en puente.
El circuito de la figura 7.2, tiene el inconveniente de necesitar una fuente con

toma intermedia, mientras que en el circuito de la figura 7.3 este problema se ha solventado utilizando cuatro interruptores los cuales se cierran dos a dos; durante el primer semiperodo se cierran I1 e I3 , y durante el segundo lo hacen I2 e I 4 . Adems con el
circuito de la figura 7.3, a igualdad de valor de la batera, tenemos una tensin de salida igual al doble que la del circuito de la figura 7.2.
7.2 Configuracin del circuito de potencia

Se entiende por tal la disposicin general que adopta el circuito de potencia,
incluyendo la fuente de C.C. y la carga, controlado por los circuitos de excitacin y de
bloqueo (estos ltimos en el caso de utilizar tiristores).
Suelen distinguirse tres configuraciones: con transformador de toma media,
con batera de toma media y configuracin en puente. Cada una de ellas tiene sus ventajas e inconvenientes, como se expondrn ms adelante, independientemente de los
semiconductores empleados en su realizacin y de su circuitera auxiliar de excitacin
y bloqueo.
7.2.1 TRANSFORMADOR CON TOMA MEDIA.
En la figura 7.4 se describe este circuito y las formas de onda de las variables
ms interesantes.
180
i 1 (t)
I N1
i O(t)
360
A N N
VS
0V.
VO
i2 (t)
B
I
N2
VS
2VS
VS
_
+
VS
v B (t)
VS
I N2
i 1 (t)
I N1
Instante t
t
2VS
i 2 (t)
i1 (t)
i o (t)
v A (t)
i O(t)
Fig.7. 4
Inversor con transformador de toma media.
VS
VS
VS
VS
VS
v o (t)
Instante t
La fuente de C.C. est representada por una batera de tensin VS. El polo
positivo est permanentemente conectado a la toma media de un transformador que se
considera ideal (intensidad magnetizante nula, resistencia de los devanados nula, inductancia de dispersin nula). El polo negativo de la batera, que se toma como referencia de tensiones para el circuito asociado al primario, se conecta alternativamente a
los extremos A y B del primario mediante los interruptores IN1 e IN2 , cuya secuencia de
funcionamiento queda representada en la figura 7.4.
En los semiperodos en que IN1 est abierto e IN2 cerrado, como sucede en el
instante t1 , se imprime a los terminales X-B del transformador una tensin VS con la
polaridad indicada en la segunda figura. Suponiendo que los devanados AX, XB y el
secundario tienen el mismo nmero de espiras N, se tendr que la tensin de salida es:
v o (t ) = VS
atendiendo a los terminales correspondientes durante el semiperodo y que es independiente de la intensidad que circula por la carga. Se ha supuesto, para simplificar al
mximo en este primer esquema, que la carga es una resistencia pura de valor R. La
intensidad de salida durante este semiperodo es, por lo tanto:
i o (t ) =
vo (t ) VS
=
= IO
R
R
La tensin del punto A respecto del X es igual a VS y, segn los terminales

correspondientes, positiva. Por lo tanto IN1 queda sometido a una tensin 2V S cuando
est abierto.
Durante los semiperodos en que IN1 est cerrado e I N2 abierto, como sucede en
el instante t2 (vase el tercer esquema), la tensin de la batera est aplicada a los terminales AX del primario y la tensin de salida es:
v o (t ) = V S
como puede deducirse de la inspeccin de los terminales correspondientes, la intensidad de salida resulta:
i o (t ) =
VS
= IO
R
El interruptor IN2 tambin queda sometido a una tensin 2V S cuando est

abierto. Los circuitos reales con transistores o tiristores someten por tanto estos dispositivos a picos de tensin todava mayores a 2V S debido a las inevitables oscilaciones
que tienen lugar en las conmutaciones. Por dicha razn esta configuracin no es adecuada para trabajar con tensiones de alimentacin altas. El transformador de toma
media tiene un grado de utilizacin bajo en el primario y empeora bastante el rendimiento en los circuitos prcticos, por lo que no es aconsejable emplear esta configuracin para potencias superiores a 10 KVA.
La tensin resultante en la salida es una onda cuadrada de amplitud VS independiente de la intensidad para cualquier tipo de carga, cuya frecuencia est determinada por la velocidad de cierre y apertura de los interruptores, y en los circuitos prcticos por la frecuencia de los impulsos de excitacin de los semiconductores.
La intensidad de batera en este circuito es perfectamente continua e igual a
VS/R.
Ejemplo 7.1
Sea el circuito de la figura con transistores de paso autoexcitados, en
donde el nmero de espiras de cada devanado primario es de 30, la
intensidad de pico de cada devanado primario tiene un valor de 1 A.
La carga es resistiva y disipa 100 W a 220 V. En la batera C.C. tenemos una tensin VS = 12 V.
Suponiendo las cadas nulas en el transformador y en los transistores, calcular:
i 1 (t)
Na
i o (t)
2
Q1
12V.
RL
v o(t)
2
Q2
i 2 (t)
Nb
a) Nmero de espiras del secundario

para obtener a la salida 220 V eficaces.
b) Corriente de pico en los transistores.
c) Nmero de espiras del devanado
auxiliar de base de los transistores
de forma que la corrie nte en dichas
bases sea die z veces menor que la de
pico de los cole ctores.
d) Dibujar las formas de onda de la
tensin e intensidad de salida as
como las corrientes de cole ctor.

Solucin:
El circuito esquematiza a dos transistores en contrafase que trabajan en saturacin.

Las bases de los transistores estn excitadas por las intensidades de los devanados primarios.
Las relaciones de transformacin son:
I 1 N1 = I 2 N 2
N1 N 2
=
V1
V2
a) Aplicando la relacin de transformacin:
N1 N 2
=
V1
V2
N1V2 30 220
=
= 550 espiras
V1
12
N2 =
b) De la carga obtenemos:
Po ( RMS ) = Vo ( RMS ) I o (RMS ) =
Po ( RMS ) 100
=
= 0.45 A
Vo ( RMS ) 220
De la relacin de transformacin:
I 1 N1 = I 2 N 2
I1 =
I 2 N 2 0.45 550
=
= 8.3 A
N1
30
La intensidad de pico en los transistores, teniendo en cuenta la intensidad

magnetizante del devanado correspondiente dada en el enunciado, ser:
I PQ = I 1 + I m = 8.3 + 1 = 9.3 A
c) Como la intensidad de base IbQ de cada transistor debe ser diez veces menor, tenemos que:
I bQ =
I CQ
10
I 1 I 2 9.3
=
=
= 0.93 A
10 10 10
De la relaci n de transformacin tenemos que:
N b I bQ = N1 I 1
Nb =
N1 I1 30 8.3
=
= 267 espiras = N a
I bQ
0.93
d) Las formas de onda de la tensin e intensidad de salida as como las corrientes de colector son las mostradas en las dos figuras siguientes:
i c (t) = i1 (t)
9.3A
8.3A
Q1
Q1
Q1
Fig.7. 5
Intensidad de colector.
t
v o (t)
220 V.
0 V.
i o (t)
Fig.7. 6
Tensin e intensidad de salida.
450 mA.
0 mA.
7.2.2 BATERIA CON TOMA MEDIA.

VS
2
Estado de los
transistores
Q1
i0 (t)
CARGA
R-L-C
VS
D1
180
Q2
360
ON
OFF
ON
OFF
OFF
ON
OFF
ON
D2
Q1
Q2
V Q1
Instante t 1
VS
V Q2
Q1
VS
D1
2
CARGA
R-L-C
VS
2
VS
REACTIVA
= Vo
Q1
D1
Q2
D2
D2
Q1
Q2
D1
D2
i (t)
0
Q2
Fig.7. 7
Circuito inversor con batera de
toma media.
- Vv o
Instante t 2
En esta configuracin, un extremo de la carga est conectado permanentemente al punto medio de la batera o fuente de C.C. El otro extremo se conecta alternativamente a los polos positivo y negativo mediante semiconductores de potencia. En el
caso de la figura 7.7 se ha optado por transistores.
Durante los semiperodos en que Q1 est excitado y saturado, la tensin en el
extremo derecho de la carga es +V S/2 respecto de la toma media de la batera, salvo
cadas de tensin despreciables en el semiconductor. Durante los semiperodos en que
se excita Q2 , la tensin en dicho extremo de la carga es -VS/2. La tensin resultante en
la carga es una onda cuadrada de amplitud VS/2.
La tensin que deben soportar los semiconductores es igual a la tensin de la
batera o fuente de C.C. ms las sobretensiones que se produzcan en los circuitos
prcticos.
Esta configuracin es ms adecuada para tensiones altas de la fuente C.C. que
la configuracin con transformador de toma media, pero tiene el inconveniente de que
la tensin en la carga es slo la mitad de la que hay en la batera.
Para realizar las ondas de intensidad de salida io (t) se ha supuesto por simplicidad que la carga consiste en un circuito RLC que tiene una impedancia a los armnicos de la tensin de salida de forma que absorbe una intensidad io (t) senoidal pura. El
ngulo de retardo de dicha intensidad respecto a la componente fundamental de vo (t)
se ha supuesto de 60.
Observando la evolucin relativa de vo (t) e io (t) se confirma la necesidad de
disponer diodos en antiparalelo con los transistores que permitan la circulacin de la
intensidad reactiva.
Durante los intervalos de conduccin de los diodos, la carga devuelve intensidad a la batera porque sta absorbe intensidad por el terminal positivo de la mitad que
opera en cada caso, (la intensidad tiende a circular en el mismo sentido que en el instante anterior).
El ngulo o perodo de conduccin de los diodos coincide con el argumento
de la impedancia de carga, siendo nulo para una carga con cos = 1, en cuyo caso
podran eliminarse los diodos. El mayor perodo de conduccin para los diodos y menor para los transistores se da con carga reactiva pura, tanto capacitiva como inductiva
cos = 0, ambos perodos son de 90.
El valor medio de la intensidad conducida por cada transistor es:
I Q ( AV ) =
I
1 -
I p sen (t )dt = p [1 cos ( - )]
2 0
2
E 7. 1
y la de cada diodo:
Ip
I D ( AV ) =
(1 cos ) =
1
I p sen (t )dt
2 -
E 7. 2
siendo Ip el valor de pico de la intensidad de salida.

La corriente media entregada al circuito por cada mitad de batera es igual a la
que circula por los transistores menos la que circula por los diodos, es decir:
I S ( AV ) =
Ip
[cos cos ( )]
2
E 7. 3
La tensin eficaz de salida viene dada por la siguiente expresin:
VS
2 T2 VS2
Vo ( RMS ) =
dt
=
T 0 4
2
E 7. 4
La tensin instantnea de salida expresada en series de Fourier ser:
v o (t ) =
2 VS
sen (n t )
n =1 n
para n = 1,3,5...
E 7. 5
cuando la frecuencia de la tensin de salida en rad/seg., es = 2f. Para n = 1 tendremos un valor eficaz de la componente fundamental de:
Vo1 (RMS ) =
2VS
= 0.45 VS
n 2
E 7. 6
Para una carga RLC la corriente instantnea de salida viene dada por:
i o (t ) =
n =1
2VS
sen (nt n )
2
n R 2 + nL

nC
nL
nC
n = arctg
R
E 7. 7
donde n = 1,3,5...
Si Io1(RMS) es la intensidad eficaz del fundamental en la carga, la potencia a la

salida:
Po1 (RMS ) = Vo 1( RMS ) I o1 (RMS ) cos 1 = I o21 ( RMS ) R =
2VS
=
2
2
2 R + L
E 7. 8
Ejemplo 7.2
Dado el circuito inversor con batera de toma media de la figura, donde VS = 48 V y la carga es resistiva y de valor R = 2.4 . Calcular:
a) La tensin eficaz de salida a la frecue ncia del fundamental Vo1(RMS) .
Q1
Vs
2
c) La corriente media y de pico de cada

transistor.
CARGA
Vs
2
b) Potencia eficaz de salida Po(RMS) .
Q2
d) La tensin inversa de pico VQ(BR) de bloqueo cada transistor.

e) La distorsin armnica total THD.
f)
El factor de distorsin DF.
g) El factor armnico y el factor de distorsin del armnico de menor orden.

h) Simular este circuito con Pspice y obtener: Tensin e intensidad en la
carga. Intensidades instantnea y media en los transistores. Anlisis e spectral de Fourier. Listado de componentes de Fourier para la tensin de
salida. Comparar los resultados con los obtenidos tericame nte.
Solucin:
a) Segn la ecuacin 7.6, la tensin eficaz de salida a la frecuencia del fundamental es:
Vo1( RMS ) = 0.45 48 = 21.6 V
b) La potencia de salida se calcula como sigue:
Vo ( RMS ) =
VS 48
=
= 24 V
2
2
Po ( RMS ) =
Vo2( RMS )
R
24 2
= 240 W
2.4
c) La corriente de pico de cada transistor es:
I pQ =
VS
24
=
= 10 A
R 2.4
Cada transistor conduce durante el 50 % de cada ciclo, por tanto, la corriente

media que circula por cada transistor es:
I Q ( AV ) = 0.5 10 = 5 A
d) La tensin inversa de pico de bloqueo de cada transistor es:
VQ ( BR ) = 2 24 = 48 V
e) La distorsin total es:
THD =
1
Vo1
1
Von2 =
Vo2( RMS ) Vo21( RMS ) =
V
n = 3, 5 , 7 ...
o1 (RMS )
1
21.6
(24
21.6 2 = 0.4834 = 48.34%
como Vo(RMS) = 24 V y Vo1(RMS) = 21.6 V, los dems armnicos aportan:

24 21.6 = 2.4 V
f) La tensin eficaz de todos los armnicos exceptuando la del fundamental
viene representado por VH y es:
V2
V V V
VH = on2 = o23 + o25 + o27 + ...
3 5 7
n =3 ,5 , 7 ... n
2
Como:
Von =
Vo1
n
Vo1 = 0.45 Vs
Von =
0.45 VS
n
La tensin eficaz de todos los armnicos quedar, sustituyendo la igualdad

anterior en la expresin de VH , como:
0.45 0.45 0.45 0.45 0.45

3 + 3 + 3 + 3 + 3 ... 0.01712 VS
3 5 7 9 11
2
VH = V S
El factor de distorsin, ser:
DF =
VH
V
= 0.01712 S = 3.804 %
Vo 1
Vo1
g) El armnico de orden ms bajo es el tercero (armnico que produce mayor

distorsin despus del fundamental):
Vo 3 =
Vo1
3
Vo 3 (RMS ) =
21.6
= 7.2 V
3
Factor armnico (distorsin normalizada del tercer armnico):
HF3 =
Vo 3
Vo1
Vo 1

3
1
= = = 33.33%
Vo 1
3
Factor de distorsin del tercer armnico:
Vo 3 Vo1
2 3
3 3 1
DF3 =
=
=
= 3.704%
Vo1
Vo1
27
h) Para simular el circuito hay que excitar los transistores con fuentes de tensin alternas y desfasadas entre s 180. Estas fuentes excitan a los transistores a travs de una resistencia de base Rg tal como se muestra en la figura.
Las dems consideraciones para el anlisis se pueden observar en el listado de

la simulacin que proporcionamos ms abajo.
1
R g1
Vs
2
Q1
Los valores tomados de la simulacin son:
Vg1
0
Vs
2
CARGA
R g2
7
Vg2
Q2
R = 2.4
Vg1 = Vg2 = 5 V
Rg1 = Rg2 = 100
VS = 48 V
f = 50 Hz
El listado para la simulacin se muestra a continuacin:
(T7E2.CIR) SIMULACION DEL EJEMPLO 7.2

*CIRCUITO INVERSOR CON BATERIA DE TOMA MEDIA
* Resistencias:
RG1
6 2 100 ; Resistencia de base del transistor Q1
RG2
4 7 100 ; Resistencia de base del transistor Q2
* Fuentes excitadoras de los transistores:
VG1
6 3 PULSE(5 0 0
0 0 10M 20M)
VG2
7 5 PULSE(5 0 10M 0 0 10M 20M)
* Fuente c.c. de toma media:
V1S/2 1 0 24
V2S/2 0 5 24
* Carga:
R
3 0 2.4
* Transistores y definicion del modelo QMOD mediante una linea .MODEL:
Q1
1 2 3 QMOD
Q2
3 4 5 QMOD
.MODEL QMOD NPN (IS=6.374F BF=416.4 CJC=3.6P CJE=4.4P)
* Parametros para el analisis con Pspice:
.OP
.PROBE
.four 50
V(3,0) ; *ipsp*
.tran 1.000u .3
0
0
; *ipsp*
.END
Date/Time run: 01/31/96 12:26:43

40V
Temperature: 27.0
(19.912m,23.835)
20V
Q2
Q1
Q2
Q2
Q1
0V
Fig.7. 8
Tensin en la carga.
-20V
(20.104m,-23.835)
-40V
0s
10ms
20ms
30ms
40ms
50ms
V(3,0)
Time
Date/Time run: 01/31/96 12:53:52
Temperature: 27.0
(19.959m,9.931)
10A
5A
0A
-5A
Fig.7. 9
Intensidad en la carga.
-10A
(29.938m,-9.931)
-15A
0s
10ms
20ms
30ms
40ms
i(r)
Time
Date/Time run: 01/31/96 12:53:52
Temperature: 27.0
20A
INTENSIDAD MEDIA
16A
(284.737m,4.8828)
INTENSIAD INSTANTANEA
(20.000m,9.928)
12A
8A
4A
Fig.7. 10
Intensidad instantnea y
media en los transistores.
0A
-4A
0s
IC(Q1)
50ms
AVG(IC(Q1))
100ms
150ms
200ms
250ms
300ms
Time
Date/Time run: 01/31/96 12:53:52
Temperature: 27.0
FUNDAMENTAL
(50.000,30.355)
30V
ARMONICO 3
(150.000,10.118)
20V
ARMONICO 5
(250.000,6.0710)
ARMONICO 7
Fig.7. 11
Anlisis espectral de
Fourier de la tensin de
salida.
(350.000,4.3365)
ARMONICO 9
10V
(449.982,3.3909)
0V
0H
0.2KH
0.4KH
0.6KH
0.8KH
1.0KH
1.2KH
V(3,0)
Frequency
El listado de las componentes de Fourier se encuentra al final del archivo

T7E2.OUT que crea el programa durante la simulacin. Para este ejemplo tenemos:

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(3,0)
DC COMPONENT = -8.733163E-10
HARMONIC FREQUENCY FOURIER
NO
(HZ)
COMPONENT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
5.000E+01
1.000E+02
1.500E+02
2.000E+02
2.500E+02
3.000E+02
3.500E+02
4.000E+02
4.500E+02
3.035E+01
1.547E-09
1.012E+01
1.060E-09
6.070E+00
5.697E-10
4.335E+00
3.840E-10
3.372E+00
NORMALIZED PHASE
COMPONENT (DEG)
1.000E+00
5.098E-11
3.333E-01
3.493E-11
2.000E-01
1.877E-11
1.429E-01
1.265E-11
1.111E-01
NORMALIZED
PHASE (DEG)
1.800E+02
-1.035E+01
1.799E+02
7.437E+01
1.799E+02
1.760E+02
1.799E+02
-5.516E+01
1.798E+02
0.000E+00
-1.903E+02
-3.600E-02
-1.056E+02
-7.200E-02
-3.992E+00
-1.080E-01
-2.351E+02
-1.440E-01
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 4.287947E+01 PERCENT
La comparacin entre los datos tericos y los que nos ofrece Pspice se muestra
en la siguiente tabla:
TERICO
Apartado
a)
b)
c)
c)
e)
f)
g)
Dato
Vo1(RMS) = 21.6 V
Vo(RMS) = 24 V
IpQ = 10 A
IQ(AV) = 5 A
THD = 48.34%
HF3 = 33.33%
Vo3(RMS) = 7.2 V
PSPICE
Grfica
listado comp. Four.
(7.8)
(7.10)
(7.10)
listado comp. Four.
listado comp. Four.
listado comp. Four.
Dato
Vo1(RMS) = 21.46 V
Vo(RMS) = 23.835 V
IpQ = 9.928 A
IQ(AV) = 4.8828 A
THD = 42.8%
HF3 = 33.33%
Vo3(RMS) = 7.156 V
Los datos obtenidos tericamente y los que el programa proporciona son muy
similares, esto se puede comprobar observando el valor de la tensin en la figura 7.8 y
el que obtenemos tericamente en el apartado b.
La pequea diferencia existente radica en que el programa realiza los clculos
con componentes semirreales. Estos clculos se pueden aproximar ms a los reales
cuanto ms complejos sean los modelos de los componentes utilizados en Pspice.
La variacin existente entre la distorsin armnica total THD que proporciona

Pspice con respecto a la terica se debe a que el programa slo tiene en cuenta, como
ya hemos mencionado, los nueve primeros armnicos.
Ejemplo 7.3
Dado el inversor monofsico de batera de toma media de la figura,
donde VS = 600 V, R = 10 , L = 0.05 H y la frecuencia f = 50 Hz.
Calcular:
a) Intensidad mxima Io en la
i S1 (t)
carga.
b) Tiempo de paso por cero de la
i Q1(t)
intensidad en la carga despus
Q1
D1
L
R
de un semiciclo.
io (t)
i (t)
c) Intensidad media IQ(AV) por
i (t)
los transistores.
vo (t)
Q2
D2
d) Intensidad media ID(AV) por
iS2 (t)
i (t)
los diodos.
Vs
2
D1
Q2
Vs
2
D2
Solucin:
a) Para el primer intervalo, en el que conduce Q1 , la ecuacin de su malla ser:
VS
di (t )
= vo (t ) = R i o (t ) + L o
2
dt
y para el segundo intervalo tendremos:
VS
di (t )
= vo (t ) = R io (t ) + L o
2
dt
Estas dos ecuaciones son iguales salvo en el signo, por tanto, su solucin es:
t
V
i o (t ) = S 1 e
2 R
I oe
donde:
T
VS 1 e 2
Io =
T
2R
2
1
+
e
L 0.05
=
= 0.005 seg.
R
10
Como f = 50 Hz, tendremos un perodo T = 0.02 seg., por tanto, la intensidad

mxima en la carga es:
0. 02
20 .005
600 1 e
Io =
0. 02
2 10
20 .005
1
+
e
= 22.85 A
b) El tiempo t1 de paso por cero de la intensidad io (t) lo obtenemos igualando

a cero la ecuacin que rige a esta intensidad y sustituyendo en ella la ecuacin de Io .
Haciendo esto obtendremos como solucin:
2
t1 = T ln
T
1 + e 2
2
=
0
.
005
ln
0 .02
1 + e 2 0 .005
= 2.83 mseg.
c) Como la carga no es resistiva, el desfase entre tensin e intensidad viene

dado por:
L
2 50 0.05 = 57.51
= arctg
= arctg
10
R
El valor de la intensidad media por los transistores lo vimos en la teora y

viene dada por la ecuacin:
I Q ( AV ) =
Io
[1 cos( )] = 22.85 [1 cos(180 57.51)] = 5.6 A
2
2
d) El clculo para la intensidad media de los diodos se realiza de igual forma:
I D ( AV ) =
Io
(1 cos ) = 22.85 (1 cos 57.51) = 1.68 A
2
2
Cuestin didctica 7.1

Dado un inversor monofsico con batera de toma media como el del
ejemplo 7.3 que alimenta con una tensin alterna de T = 8 mseg. a
una resistencia R = 25 en serie con una bobina L = 0.05 H a partir
de una tensin continua VS = 250 V. Calcular:
a) Intensidad de pico en la conmutacin.
b) Tiempo de conduccin del diodo.
c) Tiempo de conduccin del transistor.
d) Intensidad media en el diodo.
Solucin:
a) Io = 2.91 A; b) tDon =1.278 mseg.; c) tQon = 2.722 mseg.; d) ID(AV) = 214.36 mA
7.2.3 PUENTE MONOFASICO.

iREACTIVA
i 0(t)
D1
T1
VS
T2
Vo
T3
CARGA LC
D3
D2
Instante t
VS
T4
T1
D1
X
T2
D4
Vo
T3
CARGA LC
D2
Instante t
D3
Y
T4
D4
T3
D3
i REACTIVA
i 0(t)
T1
VS
D1
X
T2
Vo
T3
CARGA LC
T4
D2
Instante t
T1
D3
VS
D4
D1
X
T2
Vo
CARGA LC
T4
D2
Instante t
Fig.7. 12
Inversor monofsico.
D4
Consta de dos ramas semiconductoras conectadas como se especifica en las figuras 7.12 y 7.13; en estas figuras se han materializado los circuitos mediante tiristores, a los cuales se han conectado diodos en antiparale lo para conducir la intensidad
reactiva.
Manteniendo excitados T1 y T4 (instante t1 ), el extremo X de la carga queda
conectado al polo positivo de la batera y el extremo Y al polo negativo, quedando la
carga sometida a la tensin VS de la batera. Bloqueando T1 y T4 y excitando T2 y T3
(instante t3 ), la tensin en la carga se invierte. Haciendo esto de forma alternativa, la
carga queda sometida a una tensin alterna cuadrada de amplitud igual a la tensin de
la batera VS , lo cual supone una ventaja con respecto al inversor con batera de toma
media. En contrapartida, aqu se necesitan el doble semiconductores que en dicha configuracin.
Estado de los transistores
180
360
ON
OFF
ON
OFF
Q1 Q4
OFF
ON
OFF
ON
Q2 Q3
VY
VX
VS = V o
T1
T4
- Vo
D1
D4
D2
D3
T1
T4
T2
T3
D1
D4
D2
D3
I0
T2
T3
Fig.7. 13
Formas de onda en la carga.
En la figura 7.13 se muestran los perodos de conduccin, la forma de onda en

la carga y los elementos que atraviesa la corrie nte en cada intervalo de tiempo. Para el
instante t2 la carga tendr una tensin positiva en el extremo Y y negativa en el X,
por tanto, sta se descargar a travs de los diodos D2 y D3 cediendo potencia a la batera; en el instante t4 la tensin en la carga es la contrara que en el instante t2 y por
tanto conducen los diodos D1 y D4 . En ambos intervalos de tiempo se libera la energa
reactiva acumulada en la carga durante los instantes t1 y t3 respectivamente.
La forma de onda en la carga se ha representado suponiendo una impedancia

infinita para los armnicos de la tensin de salida, y por tanto tenemos una tensin
senoidal pura. El ngulo de retardo de la intensidad de carga con respecto a la onda
fundamental de la tensin de salida se ha tomado aproximadamente de 60.
Las ecuaciones 7.1 y 7.2 del apartado anterior siguen siendo vlidas para este
caso, pero la intensidad media suministrada por la batera es el doble de la expresada
en 7.3.
Por otra parte la tensin eficaz de salida viene dada por:
Vo ( RMS ) =
2 T2 2
V dt = VS
T 0 S
E 7. 9
La tensin instantnea de salida en serie de Fourier difiere de la que tenamos

para un circuito inversor con batera de toma media en que ahora tenemos el doble de
tensin en la salida y por tanto:
v o (t ) =
4VS
sen (n t )
n =1, 3 ,5 ... n
para n = 1,3,5...
E 7. 10
para n = 1 tenemos el valor de la tensin eficaz de la componente fundamental:
Vo1( RMS ) =
4VS
= 0.90 VS
2
E 7. 11
La intensidad instantnea de salida para una carga RLC ser:
i o (t ) =
n =1
4 VS
2
1
n R 2 + nL
nC
1
nL
nC
n = arctg
R
sen (nt n )
E 7. 12
Ejemplo 7.4
En el circuito de la figura la batera VS = 48 V y la carga R = 2.4 ,
calcular:
a) Tensin eficaz del fundamental.
Q3
Q1
b) Potencia media en la carga.
D3
D
c) Intensidad de pico y media
de cada transistor.
VS
d) Tensin inversa de pico
CARGA
Q4
Q2
VQ(BR) de bloqueo de los
D4
D2
transistores.
e) Distorsin armnica to tal
THD.
f) Factor de distorsin DF.
g) Factor armnico y factor de distorsin del armnico de menor orden.
h) Simular el circuito con Pspice y obtener: Las intensidades media e instantnea en Q 1 . El anlisis de Fourier que proporciona el programa. Comparacin
con los datos tericos.
1
Solucin:
a) La tensin eficaz del fundamental viene dada por la ecuacin 7.11 y es:
Vo1( RMS ) = 0.90 48 = 43.2 V

b) La potencia media entregada a la carga viene dada por la ecuacin genrica:
Po ( AV ) =
VS2 48 2
=
= 960 W
R
2.4
c) La intensidad de pico por cada pareja de transistores ser:
I PQ =
48
= 20 A
2.4
Cada rama del inversor conduce durante el 50% de cada ciclo, por tanto, la
intensidad media de cada rama es:
I Q ( AV ) =
20
= 10 A
2
d) La tensin de pico de bloqueo, ser igual a la que tiene la fuente C.C. y es:
VBR = 48 V
e) Para calcular la distorsin armnica total THD de forma exacta necesitamos conocer la tensin aportada por todos los armnicos.
Como Vo(RMS) = 48 V y Vo1(RMS) = 43.2 V, los dems armnicos aportan:
48 - 43.2 = 4.8 V
THD =
1
Vo 1
n =3 , 5 , 7...
2
on
1
Vo 1( RMS )
Vo2( RMS ) Vo21 ( RMS ) =
1
48 2 43.2 2 = 48.43%
43.2
f) El factor de distorsin aplicando un filtro de segundo orden ser:
1
DF =
Vo1
1 Vo 3 Vo 5
0.3424 VS
Von
2 =
2 + 2 + ... =
= 3.804%
Vo 1 3 5
0.9 VS
n =3 , 5... n
g) El armnico de orden ms bajo es el tercero:
Vo1
3
1
= = 33.33%
3
Vo 3 =
Vo 3
Vo1
Vo 3
2
3 1
DF3 =
=
= 3.704%
Vo1
27
HF3 =
La tensin de pico inversa de bloqueo de cada transistor y la tensin de salida

para inversores con batera de toma media e inversores en puente monofsico son las
mismas, sin embargo, para el inversor en puente la potencia de salida es cuatro veces
mayor y la componente del fundamental es el doble que en el inversor con batera de
toma media.
h) Para simular el circuito hemos introducido cuatro fuentes de tensin alterna Vg con sus respectivas resistencias en serie Rg.
Los valores tomados para el circuito de la figura son: Vg = 5.8 V; f = 50 Hz y

Rg =100 .
Los diodos que se introducen en el circuito no son necesarios para este anlisis, puesto que la carga es puramente resistiva y no desfasa la tensin e intensidad de
salida. Sin embargo, se ha introducido para que el lector pueda experimentar con otras
cargas en este tipo de configuracin.
Q1
Rg1
Q3
D1
D3
Rg3
Vg1
10
Vg3
VS
4
Rg4
Q4
Q2
D4
CARGA
Rg2
11
D2
Vg4
12
Vg2
Date/Time run: 02/01/96 17:20:58

30A
Temperature: 27.0
INTENSIDAD INSTANTANEA
INTENSIDAD MEDIA
(275.521m,10.058)
(46.354m,19.792)
20A
10A
Fig.7. 14
Intensidades instantneas y
media en Q1 .
-0A
0s
IC(Q1)
50ms
AVG(IC(Q1))
100ms
150ms
200ms
250ms
300ms
Time
El listado para la simulacin de este ejemplo se muestra a continuacin:
(T7E4.CIR)
SIMULACION DEL EJEMPLO 7.4
*INVERSOR EN PUENTE MONOFASICO CON BATERIA DE TOMA MEDIA.

* Transistores y definicion del modelo:
Q1 1 2 4 QMOD
Q2 8 11 0 QMOD
Q3 1 9 8 QMOD
Q4 4 6 0 QMOD
* Definicion del transistor con una linea .MODEL:
.MODEL QMOD NPN(IS=6.734F BF=416.4 CJC=3.638P CJE=4.493P)
* Diodos:
D1 4 1 DMOD
D4 0 4 DMOD
D3 8 1 DMOD
D2 0 8 DMOD
* Definicion de los diodos con una linea .MODEL:
.MODEL DMOD D(IS=2.2E-15 BV=1800V TT=0)
* Resistencias:
RG1 3 2
100 ; Resistencia de base de Q1
RG4 6 5
100 ; Resistencia de base de Q4
RG3 9 10 100 ; Resistencia de base de Q3
RG2 11 12 100 ; Resistencia de base de Q2
* Fuentes de alimentacion C.C.:
VS 1 0 48V
* Carga:
R
4 8 2.4
VG1 3 4 PULSE(0 5.8 0
0 0 10M 20M)
VG2 12 0 PULSE(0 5.8 0
0 0 10M 20M)
VG4 5 0 PULSE(0 5.8 10M 0 0 10M 20M)
VG3 10 8 PULSE(0 5.8 10M 0 0 10M 20M)
.tran 1.000u .3
0
0
; *ipsp*
.PROBE
.four 50
V(4,8) ; *ipsp*
.ac lin 101
10
1.000k ; *ipsp*
.END
El anlisis de Fourier que proporciona Pspice se muestra a continuacin:

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(4,8)
DC COMPONENT = 1.153807E-09
HARMONIC
NO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
FREQUENCY FOURIER
(HZ)
COMPONENT
5.000E+01
1.000E+02
1.500E+02
2.000E+02
2.500E+02
3.000E+02
3.500E+02
4.000E+02
4.500E+02
6.048E+01
2.294E-09
2.016E+01
2.293E-09
1.210E+01
2.289E-09
8.640E+00
2.283E-09
6.720E+00
NORMALIZED PHASE
COMPONENT
(DEG)
1.000E+00
3.793E-11
3.333E-01
3.792E-11
2.000E-01
3.785E-11
1.429E-01
3.776E-11
1.111E-01
-2.040E-02
8.967E+01
-6.120E-02
8.974E+01
-1.020E-01
8.954E+01
-1.428E-01
8.962E+01
-1.836E-01
NORMALIZED
PHASE (DEG)
0.000E+00
8.969E+01
-4.081E-02
8.976E+01
-8.160E-02
8.956E+01
-1.224E-01
8.964E+01
-1.632E-01
Como se puede comprobar en este listado las amplitudes de los armnicos

pares es nula, esto se debe a que la tensin de salida es una onda cuadrada en cuya
composicin slo intervienen los armnicos impares.
Las pequeas diferencias entre los resultados tericos y los analizados por
Pspice se deben a las causas mencionadas en el ejemplo 7.2.
La comprobacin entre stos se encuentra reflejada en la siguiente tabla:
TERICO
Apartado
a)
c)
c)
e)
f)
Dato
Vo1(RMS) = 43.2 V
IpQ = 20 A
IQ(AV) = 10 A
THD = 48.43%
HF3 = 33.33%
PSPICE
Grfica
listado comp. Four.
(7.14)
(7.14)
listado comp. Four.
listado comp. Four.
Dato
Vo1(RMS) = 42.76 V
IpQ = 19.792 A
IQ(AV) = 10.058 A
THD = 42.87%
HF3 = 33.33%
Obsrvese en la figura 7.14 los picos que se producen en las conmutaciones

del transistor.
Se deja propuesto al lector modificar el listado .CIR de este ejemplo para eliminar estos picos. Para ello basta con introducir los tiempos de subida (TR) y de bajada (TF) de las fuentes excitadoras, de la siguiente forma:

VG1 3 4 PULSE(0 5.8 0
1M
VG2 12 0 PULSE(0 5.8 0
1M
VG4 5 0 PULSE(0 5.8 10M 1M
VG3 10 8 PULSE(0 5.8 10M 1M
1M 10M 20M)
1M 10M 20M)
1M 10M 20M)
1M 10M 20M)
Ejemplo 7.5
El puente inversor de la figura tiene una carga RLC de valor R = 10
, L = 31.5 mH y C = 112 F. La frecuencia del inversor es de 60 Hz y
la tensin de entrada VS = 220 V. Calcular:
Q3
Q1
D3
D1
CARGA
RLC
VS
Q4
D4
Q2
D2
a) La corriente instantnea de
salida en series de Fourier.
b) El valor eficaz de la intens idad total en la carga y la debida al primer armnico.
c) Distorsin total de la corriente
de carga.
d) Potencia activa en la carga y
del fundamental.
e) Intensidad media de entrada.

f) Intensidad media y de pico de cada transistor.
g) Simular con Pspice este circuito y obtener: La tensin e intensidad instantneas en la carga. Intensidad instantnea de los diodos. Comparacin de las intensidades de base de los transistores. Intensidad eficaz en la carga. Intens idades media e instantnea de colector de cada transistor. Anlisis espectral de
Fourier de la intensidad en la carga y el listado de compone ntes armnicos de
dicha intensidad.
Solucin:
a) Para calcular la intensidad instantnea en series de Fourier se calcula primero la impedancia de la carga para cada armnico y se divide la tensin
instantnea en series de Fourier por dicha impedancia. Para n = 1:
Z o1 = 10 + 2 60 31.5 10 3
= 15.4
6
2 60 112 10
3
260 31.5 10
260 112 10 6
o 1 = arctg
10
= 49.7
La tensin instantnea en series de Fourier vie ne dada por la ecuacin 7.10

con la que calc ulamos la amplitud de cada armnico, por tanto, para n = 1:
Vo1 =
I o1 =
4 220
sen (260 t ) = 280.1 sen(120 t )
Vo1 280.1
=
sen (120 t + 49.7 ) = 18.1 sen(120 t + 49.7)
Z o1 15.4
Dando valores a n (3,5,7...) se calculan los siguientes armnicos:
Vo 3 = 93.4 sen (3 120 t )

Z o 3 = 29.43
o 3 = 70.17
I o 3 = 3.17 sen(3 120 t 70.17 )
Vo 5 = 56 sen(5 120 t )
Z o 5 = 55.5
o 5 = 79.63
I o 5 = 1 sen (5 120 t 79.63)
Haciendo el sumatorio obtenemos la intensidad instantnea en series de Fourier:
i (t ) = 18.1sen (120 t + 49.7) + 3.17 sen (3 120 t 70.17) +

o
+ 1sen(5 120 t 79.63)
b) Como:
I (RMS ) =
Ip
2
para el primer armnico tendremos:

I o 1(RMS ) =
I o1
2
18.1
= 12 .8 A
2
Considerando hasta el quinto armnico, la corriente de pico en la carga ser:

I o = 18 .12 + 3.17 2 + 1 2 = 18 .4 A
I o ( RMS ) =
18 .4
= 13 .01 A
2
c) La distorsin armnica total para la intensidad se calcula de la misma

forma que para la tensin, resultando:
THD =
1
I o1
2
on
n = 3, 5 ...
1
I o1
(I
2
o
I o21 =
1
18 .4 2 18 .12 = 18 .28%
18 .1
d) Las potencias son:

Po = I o2( RMS ) R = 13.01 2 10 = 1692 .6 W
Po1 = I o21( RMS ) R = 12.8 2 10 = 1638 W
e) La intensidad media que suministra la fuente es:
I ( AV ) =
Po 1692
=
= 7.69 A
VS
220
f) Segn el apartado b tendremos una intensidad de pico por los transistores:

I pQ = 18.4 A
Como cada rama conduce durante el 50% de cada perodo tenemos:
I Q ( AV ) =
7.69
= 3 .845 A
2
g) El circuito que se simular con Pspice es el que se muestra en la figura siguiente:
1
Q1
Rg1
Q3
D1
2
Vg1
VS
Q4
D4
Rg3
10
Vg3
CARGA
RLC
4
Rg4
D3
8
Q2
D2
Rg2
11
Vg4
12
Vg2
Conexin de la
carga RLC
R
4
20
C
30
Los valores tomados para la simulacin son: R = 10 , L = 31.5 mH,

C = 112 F, f = 60 Hz y las resistencias de base Rg1 = Rg2 = Rg3 = Rg4 = 100 .
El listado para la simulacin en Pspice es:
*INVERSOR EN PUENTE MONOFASICO.
* Transistores que forman el puente inversor:
Q1 1 2 4 QMOD
Q2 8 11 0 QMOD
Q3 1 9 8 QMOD
Q4 4 6 0 QMOD
* Definicion de transistores mediante una linea .MODEL:
.MODEL QMOD NPN(IS=6.734F BF=416.4 CJC=3.638p CJE=4.493p)
* Diodos para conduccion de la energia reactiva:
D1 4 1 DMOD
D4 0 4 DMOD
D3 8 1 DMOD
D2 0 8 DMOD
* Definicion de los diodos mediante una linea .MODEL:
* Resistencias de base de los transistores:
RG1 3 2 100
RG4 6 5 100
RG3 9 10 100
RG2 11 12 100
* Fuente de tension C.C. con toma media:
VS 1 0 220
* Carga RLC:
R
4 20 10
L
20 30 31.5M
C
30 8
112U
VG1 3 4 PULSE(0 5.8 0

1N 1N
VG2 12 0 PULSE(0 5.8 0
1N 1N
VG4 5 0 PULSE(0 5.8 8.333M 1N 1N
VG3 10 8 PULSE(0 5.8 8.333M 1N 1N
.tran 1.000u .3
0
0
; *ipsp*
.PROBE
.four 60
I(R) ; *ipsp*
.END
8.333M 16.666M)
8.333M 16.666M)
8.333M 16.666M)
8.333M 16.666M)
Para el caso de carga RLC, sabemos que la tensin y la intensidad se desfasan

un cierto ngulo que corresponde con el argumento que presenta la carga. En este caso
al ser de carcter capacitivo, la intensidad se adelanta en fase respecto de la tensin.
Esto es apreciable en la figura 7.15, donde adems se puede observar que la intensidad
es ahora ms senoidal que en los casos anteriores. Esto se debe a la presencia del condensador y de la bobina en la carga. El desfase mencionado anteriormente se encuentra reflejado en la figura 7.16. En ella se puede comprobar el perodo de conduccin
del diodo D3 y las intensidades que recorren a D1 y D3 .
Date/Time run: 02/05/96 11:31:31
Temperature: 27.0
(8.3330m,221.808)
(18.314m,202.984)
(33.332m,77.254)
200
-200
INTENSIDAD
TENSION
(AUMENTADA 10 VECES)
0s
V(4,8)
10ms
10*I(R)
20ms
30ms
Fig.7. 15
Tensin e intensidad instantnea
en la carga.
40ms
Time
En la figura 7.17 se observan las seales que disparan a los transistores. Se

puede comprobar en ella la alternancia de disparo entre las dos ramas del inversor.
Esta secuencia de disparo es una de las ms sencillas que tambin se podra utilizar en
los ejemplos anteriores con tan slo ajustar los perodos de disparo.
Date/Time run: 02/05/96 11:31:31

37.95A
Temperature: 27.0
TIEMPO DE CONDUCCION
(16.666m,7.6749)
DEL DIODO D3
0A
(30.938m,318.877m)
(33.399m,-219.849p)
-34.51A
I(D3)
34.95A
INTENSIDAD EN D1
INTENSIDAD EN LA CARGA
(24.930m,7.7285)
Fig.7. 16
Intensidad instantnea en la carga y
en los diodos.
0A
-34.51A
0
10m
I(D1)
20m
30m
40m
50m
I(R)
Time
Date/Time run: 02/05/96 11:31:31

100mA
Temperature: 27.0
-100mA
IB(Q1)
100mA
-100mA
IB(Q2)
100mA
Fig.7. 17
Intensidades de base
de los transistores.
(16.546m,2.3764m)
-100mA
IB(Q3)
100mA
(8.3330m,-122.031p)
-100mA
0
10m
20m
30m
40m
50m
IB(Q4)
Time
Date/Time run: 02/05/96 11:31:31

15A
Temperature: 27.0
(295.317m,12.921)
10A
5A
Fig.7. 18
Intensidad eficaz en la
carga.
0A
0s
50ms
100ms
150ms
200ms
250ms
300ms
RMS(I(R))
Time
Date/Time run: 02/05/96 11:31:31

30A
Temperature: 27.0
INTENSIDAD INSTANTANEA
(218.475m,20.332)
INTENSIDAD MEDIA
(278.947m,4.7066)
20A
10A
Fig.7. 19
Intensidades
instantnea
transistores.
0A
(132.632m,445.029p)
(139.566m,-118.428m)
media e
por los
-10A
0s
50ms
AVG(IC(Q1))
100ms
150ms
200ms
250ms
300ms
IC(Q1)
Time
Date/Time run: 02/05/96 11:31:31
Temperature: 27.0
(60.000,17.703)
15A
10A
(180.000,2.6502)
5A
(300.000,1.0230)
Fig.7. 20
Anlisis espectral de Fourier
para io (t).
(420.000,545.048m)
0A
0H
100H
200H
300H
400H
500H
600H
I(R)
Frequency
En la figura 7.18 aparece la intensidad eficaz en la carga. Prcticamente alcanza el valor terico e incluso podra haberlo sobrepasado si el tiempo de simulacin
hubiese sido superior. Esto puede ocurrir porque en teora slo hemos utilizado para el
clculo hasta el armnico quinto y Pspice utiliza nueve.
El listado de componentes de Fourier para la intensidad en la carga se muestra
a continuacin:
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE I(R)
DC COMPONENT = 2.355409E-02
HARMONIC
NO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
FREQUENCY FOURIER
(HZ)
COMPONENT
6.000E+01
1.200E+02
1.800E+02
2.400E+02
3.000E+02
3.600E+02
4.200E+02
4.800E+02
5.400E+02
1.802E+01
2.422E-02
2.726E+00
1.123E-02
1.040E+00
8.265E-03
5.559E-01
7.409E-03
3.385E-01
NORMALIZED
COMPONENT
1.000E+00
1.344E-03
1.513E-01
6.229E-04
5.768E-02
4.585E-04
3.084E-02
4.110E-04
1.878E-02
PHASE
(DEG)
4.742E+01
-1.542E+02
-6.635E+01
2.600E+01
-6.873E+01
5.438E+01
-7.311E+01
6.358E+01
-9.073E+01
NORMALIZED
PHASE (DEG)
0.000E+00
-2.016E+02
-1.138E+02
-2.142E+01
-1.162E+02
6.962E+00
-1.205E+02
1.616E+01
-1.381E+02
TERICO
Apartado
a)
b)
b)
f)
a)
a)
a)
c)
PSPICE
Dato
Vo = 220 V
Io = 18.4 A
Io(RMS) = 13.01 A
IQ(AV) = 3.845 A
Io1 = 18.1 A
Io3 = 3.17 A
Io5 = 1 A
THD = 18.28%
Grfica
(7.15)
(7.15)
(7.18)
(7.19)
listado comp. Four.
listado comp. Four.
listado comp. Four.
listado comp. Four.
Dato
Vo = 221.808 V
Io = 20.298 A
Io(RMS) = 12.92 A
IQ(AV) = 4.706 A
Io1 = 18.02 A
Io3 = 2.726 A
Io5 = 1.040 A
THD = 16.58%
En el listado de componentes de Fourier se ve que prcticamente no existe

componente continua para la seal analizada. Tambin se puede comprobar que el
THD es menor que el terico debido a las causas mencionadas en el ejemplo 7.2.
Ntese que a partir del quinto armnico (en el listado) la amplitud que se presenta para cada uno de ellos es tan pequea que no es significativo introducirla en los
clculos tericos.
Ejemplo 7.6
En un inversor monofsico en puente como el de la figura tenemos los
siguientes datos: VS = 200 V, R = 30 , L = 0.16 H y T = 12.5 mseg.
Calcular:
i Q3(t)
i Q1 (t)
i S (t)
D1
Q1
VS
io (t)
i Q4 (t)
D4
Q4
D3
v o (t)
Q3
CARGA
i Q2(t)
D2
Q2
a) La intensidad de pico
en la conmutacin.
b) El tiempo de conduccin de los diodos.
c) El tiempo de conduccin de los transistores.
d) La intensidad media
suministrada por la
fuente.
e) La potencia media en
la carga.
Solucin:
a) La constante de tiempo para este circuito es:
=
L 0 .16
=
= 5.33 mseg
R
30
por tanto, la intensidad de pico es:

T
VS 1 e 2
Io =
T
R
2
1+ e
0 .0125
200 1 e 20 .00533
=

= 3 .51 A
0 .0125
30
2 0. 00533
1+ e
b) El tiempo de conduccin de cada diodo ser:

L
2 0 .16
= arctg
= arctg
= 69.54
R
0.0125 30
t D on =
69.54 12 .5
= 2 .41 mseg.
360
c) El tiempo de conduccin de cada transistor ser:

t Q on = 6.25 2 .41 = 3.84 mseg.
d) Para las intensidades medias de los diodos y de los transistores los clc ulos se efectan del siguiente modo:
I D ( AV ) =
I Q ( AV ) =
Io
(1 cos ) = 3.51 (1 cos 69.54) = 0.36 A
2
2
Io
[1 cos( )] = 3.51 [1 cos(18069.54)] = 0.75 A
2
2
La intensidad media que suministra la batera ser igual a la que soportan los
transistores menos la reactiva que devuelven los diodos, para cada semiperodo:
I S ( AV ) = 2 I Q ( AV ) I D ( AV ) = 2 (0 .75 0.36 ) = 0 .78 A
e) La potencia media que consume la carga es igual a la que cede la batera y

es:
Po ( AV ) = I S ( AV ) VS = 0.78 220 = 171 .6 W
7.2.4 PUENTE TRIFSICO.
El inversor trifsico se utiliza normalmente para los circuitos que necesitan

una elevada potencia a la salida.
Los primarios de los transformadores deben estar aislados unos de los otros,
sin embargo, los secundarios se pueden conectar en tringulo o en estrella, tal como se
muestra en la figura 7.21.
Los secundarios de los transformadores se conectan normalmente en estrella
para de esta forma eliminar los armnicos de orden 3, (n = 3,6,9...) de la tensin de
salida.
a
a
R
R
R
R
n
Fig.7. 21
Formas de conexi n.
b
c
c
(a) Conexin en
tringulo
(b) Conexin en
estrella
Este inversor se puede conseguir con una configuracin de seis transistores y

seis diodos como se muestra en la figura 7.22.
Q3
Q1
Q1
VS
g1
Q5
Q4
b
Q6
Q4
Q5
Q3
Q2
Q6
Q2
Fig.7. 22
Inversor trifsico.
A los transistores le podemos aplicar dos tipos de seale s de control: desfasadas 120 180 entre s.
ngulo de conduccin de 180.
Cada transistor conduce durante 180. Desfasando convenientemente

las seales de control de los transistores hacemos que conduzcan en cualquier instante
tres de ellos. En la figura 7.22 cuando se dispara Q1 el terminal a queda conectado al
extremo positivo de la fuente de continua.
Tenemos seis modos de operacin durante un ciclo y la duracin de cada uno
de ellos es de 60, siendo la secuencia de disparo de los transistores: 1,2,3 - 2,3,4 3,4,5 - 4,5,6 - 5,6,1 - 6,1,2. Las seales aplicadas en puerta a los transistores se muestran en la figura 7.23.
60
Seales a
aplicar en la
base de los
transistores
Tensiones de
salida
120
180
240
300
360
g1
g2
g3
t
t
g4
g5
g6
V
ab
V
bc
Vca
Fig.7. 23
Seales aplicadas a las
bases de los transistores y formas de onda
en la salida.
La carga se puede conectar en estrella o en tri ngulo tal y como se muestra en

la figura 7.24. Para una conexin en tringulo la corriente de fase se obtiene directamente de la tensin entre lneas. Para una conexin en estrella la tensin entre lnea y
neutro viene determinada por la intensidad de lnea. Existen tres modos de operacin
por semiciclo y sus circuitos equivalentes se muestran en la figura 7.25.
a
R
b
c
c
(a) Conexin en
tringulo
a
Fig.7. 24
Tipos de conexiones.
(b) Conexin en
estrella
b
i 1 (t)
R
n
VS
VS
i 2(t) a
MODO 1
VS
i 3 (t)
Fig.7. 25
Circuitos equivalentes.
MODO 2
MODO 3
Durante el modo 1 para 0 t /3 tenemos:

Req = R +
van (t ) = vcn (t ) =
R 3R
=
2
2
i1 (t )R V S
=
2
3
i1 (t ) =
VS
2V
= S
Req
3R
vbn (t ) = i1 (t )R =
2VS
3
Durante el modo 2 para /3 t 2/3 tenemos:

Req = R +
vbn (t ) = vcn (t ) =
R 3R
=
2
2
i2 (t )R VS
=
2
3
i 2 (t ) =
VS
2V
= S
Req
3R
v an (t ) = i 2 (t )R =
2VS
3
Durante el modo 3 para 2/3 t tenemos:

Req = R +
van (t ) = vbn (t ) =
Van(t)
2VS
180
i1 (t ) =
R 3R
=
2
2
i3 (t )R VS
=
2
3
VS
2V
= S
Req
3R
vcn (t ) = i3 (t )R =
2VS
3
360
t
Vbn(t)
VS
3
t
Vcn(t)
VS
Fig.7. 26
Tensiones de fase.
2VS
3
Vab (t)
180
360
Vs
t
Vbc (t)
Vs
t
Vca (t)
Fig.7. 27
Tensiones de lnea.
Vs
En las figuras 7.26 y 7.27, se muestran las tensiones de fase y de lnea respectivamente como vab(t) que puede ser expresada en series de Fourier como sigue, teniendo en cuenta que cambia para /6 y que los armnicos pares son cero:
vab (t ) =
4V S
n
cos
sen n t +
n
6
6
n =1, 3 ,5 ...
E 7. 13
vbc(t) y vca(t) vienen dadas por las siguientes ecuaciones en las que se cambia
la fase de la tensin. 120 para vbc(t) y 240 para vca(t):
vbc (t ) =
4VS
cos
sen n t
n
2
6
n =1 ,3 , 5...
E 7. 14
vca (t ) =
4VS
cos
sen n t 7
n
6
6
n =1, 3 ,5 ...
De estas tensiones se han eliminado los armnicos de orden triple (n =

3,9,15...).
Las tensiones eficaces de lnea sern:
V L( RMS ) =
2
2
2
3
0
VS2 d t =
2
VS = 0 .8165 VS
3
E 7. 15
De la ecuacin 7.13 obtendremos que la n-sima componente de la tensin

eficaz de lnea ser:
4VS
n
cos
2 n
6
VLn (RMS ) =
E 7. 16
por tanto, para n = 1, tendremos la tensin eficaz de lnea del fundamental:

V L1(RMS ) =
4VS
2
cos 30 = 0.7797 VS
E 7. 17
El valor eficaz de la tensin de fase viene dado por la tensin de lnea:

V F (RMS ) =
V L (RMS )
3
2V S
= 0.4714 V S
3
E 7. 18
Para cargas puramente resistivas, los diodos en antiparalelo con los transistores no conducen, pero para una carga inductiva la intensidad en cada rama del inversor
puede estar retrasada con respecto a la tensin como se muestra en la figura 7.28:
Van(t)
Tensin de fase
180
360
2Vs
3
Vs
3
i a(t)
t2
t1
Intensidad de
fase
t
Fig.7. 28
Inversor trifsico con carga
RL.
Q1
D1
Q4
D4
Cuando el transistor Q4 de la figura 7.22 est en corte, el nico camino para

que circule la corriente negativa de lnea ia(t) es a travs de D1 , en este caso el terminal
a de la carga queda conectado a la fuente de continua a travs de D1 hasta que la
intensidad en la carga invierte su sentido para t = t1 . Durante el perodo entre 0 t < t1 ,
el transistor Q1 no conduce. De igual forma, el transistor Q4 no conducir para t = t2 .
El tiempo de conduccin de los transistores y diodos depende de la potencia entregada
a la carga.
Para una conexin de la carga en estrella, la tensin de fase es:
Van =
Vab
E 7. 19
con un retraso de 30, de la ecuacin 7.13 obtenemos la intensidad de lnea ia(t) para
una carga RLC:
4 VS
n
i a (t ) =
cos sen (n t n )
2
6
n =1 ,3 , 5...
3 n R 2 + j n L 1
n C
E 7. 20
donde:
1
n L
n = arctg
R
E 7. 21
Ejemplo 7.7
El inversor trifsico de la figura tiene una carga conectada en estrella
de valor R = 5 y un valor de L = 23 mH, la frecuencia del inversor es
f = 33 Hz y la tensin C.C. de entrada es VS = 220 V.
a) Expresar la tensin instantQ
Q
Q
nea de lnea vab(t) y la intenD
D
Vs
D
sidad de lnea i a (t) en s eries de
2
a
b
c
Fourier.
b) Determinar la tensin de lQ
Q
Q
Vs
nea eficaz VL(RMS) .
D
D
D
2
c) La tensin de fase VF(RMS) .
d) La tensin de lnea eficaz a la
R
frecuencia del fundame ntal
Conexin de la carga
L
VL1(RMS) .
en estrella
L
e)
La tensin de fase eficaz a la
R
L
R
frecuencia del fundame ntal
VF1(RMS) .
f) La distorsin armnica total THD.
g) El factor de distorsin DF.
h) El factor armnico y el factor de distorsin del armnico de menor orden.
i) La potencia activa en la carga Po(RMS) .
j) La corriente media de la fuente IS(AV) .
k) PROPUESTO:
Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes grficas: Tensin de fase y de lnea en la carga. Tensin e intensidad de fase junto con la intensidad instantnea del diodo D 1 . Comparacin de la intensidad de base de los transistores.
Tensin eficaz de lnea, de fase e intensidad eficaz en la carga. Anlisis espe ctral
de la tensin de lnea y componentes de Fourier de sta.
1
Solucin:
a) La tensin instantnea de lnea vab(t) viene dada por la ecuacin 7.13:
= 2 33 = 207 rad / seg.
vab (t ) =
4V S
cos
sen n t +
n
6
6
n =1, 3 ,5 ...
vab (t ) = 242 .58 sen(207 t + 30 ) 48.52 sen 5(207 t + 30 ) 34 .66 sen 7 (207 t + 30 ) +
+ 22.05 sen11(207 t + 30 ) + 16.66 sen13(207 t + 30 ) 14 .27 sen17 (207 t + 30 )...
Z L = R 2 + (n L )2 = 5 2 + (8 .67 n )2
arg = arctg
(n L) = 8.67 n
R
Usando la siguiente ecuacin podemos obtener la intensidad instantnea de

lnea ia(t):
4 VS
n
i a (t ) =
cos
sen(n t n )
2
2
6
n =1 ,3 , 5... 3 n R + (n L )
donde:
n = arctg
n L
R
por lo que nos queda:

ia (t ) = 14 sen(207 t 43 .6 ) 0 .64 sen (5 207 t 78 .1) 0 .33 sen (7 207 t 81 . 4) +
+ 0 .13 sen (11 207 t 84 .5 ) + 0 .10 sen (13 207 t 87 .5 ) 0. 06 sen (17 207 t 86 .4 )...
b) De la ecuacin 7.15 obtenemos que:

V L( RMS ) = 0.8165 220 = 179 .63 V
c) Aplicando la ecuacin 7.18 tenemos que:
V F ( RMS ) =
179 .63
3
= 103 .7 V
d) De la ecuacin 7.17 obtenemos:

V L1( RMS ) =
4 220 cos 30
= 171 .53 V
2
e) Aplicando nuevamente la ecuacin 7.18 obtendremos la tensin eficaz de

fase del fundamental:
V F 1( RMS ) =
171 .53
3
= 99.03 V
f) De la ecuacin 7.15 obtenemos:
V L1( RMS ) = 0 .8165 VS
2
Ln
n =5 , 7 ,11...
THD =
= VL2 VL21 = 0 .2423 VS
0.2423 VS
= 29 .65 %
0 .8165 VS
g)
V LH
VLn
=
2 = 0.00667 VS
n =5 , 7 ,11... n
DF1 =
0 .00667 VS
= 0.81%
0.8165 VS
h) El armnico de orden ms bajo es el quinto, puesto que en la configuracin trifsica se eliminan los armnicos de orden triple:
V L5 ( RMS ) =
V L1( RMS )
5
HF5 =
DF5 =
i)
171 .53
= 34.306 V
5
VL5 1
= = 20 %
V L1 5
V L5
1
=
= 0.8%
2
V L1 5
125
Para calcular la potencia necesitamos calcular primero la intensidad de lnea eficaz IL(RMS):
I L = 14 2 + 0 .64 2 + 0.33 2 + 0.13 2 + 0 .10 2 + 0.06 2 = 14 .01 A
I L( RMS ) =
IL
2
= 9.91 A
Po ( RMS ) = 3 I L2 ( RMS ) R = 3 9.91 2 5 = 1473 W

j)
La intensidad media de la fuente la obtenemos a partir de la potencia:

I S ( AV ) =
Po (RMS )
VS
1473
= 6.7 A
220
k) El listado para el circuito empleado en la simulacin se muestra a continuacin:

*CIRCUITO INVERSOR TRIFASICO PARA 180 GRADOS DE CONDUC*CION CON CARGA RL.
* Definicion de transistores mediante .MODEL:
Q1 1 2 3
QMOD
Q4 3 4 17 QMOD
Q3 1 5 6
QMOD
Q6 6 7 17 QMOD
Q5 1 8 9
QMOD
Q2 9 10 17 QMOD
.MODEL QM OD NPN (IS=6.734F BF=416.4 CJC=0 CJE=0)
* Definicion de diodos mediante .MODEL:
D1 3 1
DMOD
D4 17 3
DMOD
D3 6 1
DMOD
D6 17 6
DMOD
D5 9 1
DMOD
D2 17 9
DMOD
.MODEL DMOD D (IS=2.2E-15 BV=1800V TT=0)
RG1 2 11
100
RG4 4 12
100
RG3 5 13
100
RG6 7 14
100
RG5 8 15
100
RG2 10 16
100
VG1 11 3 PULSE(0 50 0
0 0 15M 30M)
VG6 14 17 PULSE(0 50 25M 0 0 15M 30M)
VG3 13 6 PULSE(0 50 10M 0 0 15M 30M)
VG2 16 17 PULSE(0 50 5M
0 0 15M 30M)
VG5 15 9 PULSE(0 50 20M 0 0 15M 30M)
VG4 12 17 PULSE(0 50 15M 0 0 15M 30M)
* Fuentes de continua:
V1 1 0
110
V2 0 17
110
* Carga RL conectada en estrella:
RR 3 20
5
LR 20 18
23M
RS 6 21
5
LS 21 18
23M
RT 9 22
5
LT 22 18
23M
* Parametros para el analisis de Pspice:
.PROBE
.four 33.33 V(3,6) ; *ipsp*
.tran 1.000m .184
0
0
; *ipsp*
.END
A continuacin mostramos el circuito para la simulacin con Pspice:
1
Rg1
Q1
D1
11
Vs
2
Rg4
Q5
Vg5
D4
Q6
Rg6
D6
14
Vg4
D5
Q4
12
R g5
15
Vg3
D3
Vg1
Vs
2
Q3
Rg3
13
R g2
16
Q2
10
D2
Vg2
Vg6
17
RS
21
LS
LR
RR
20
18
LT
22
RT
A partir del circuito y de su listado correspondiente:

Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes grficas: Tensin de fase y
de lnea en la carga. Tensin e intensidad de fase junto con la intensidad instantnea
del diodo D1 . Comparacin de la intensidad de base de los transistores. Tensin eficaz
de lnea, de fase e intensidad eficaz en la carga. Anlisis espectral de la tensin de
lnea y componentes de Fourier de sta.
ngulo de conduccin de 120.
60 120 180 240 300 360
g1
g2
g3
g4
g5
g6
V
ab
bc
Vca
Seales
de puerta
Tensiones
de salida
Fig.7. 29
Tensiones de puerta y de lnea.
Para este tipo de control cada transistor conduce durante 120, hacindolo dos
transistores al mismo tiempo. Siendo, por tanto, las seales de puente y la de salida las
mostradas en la figura 7.29.
De la grfica se deduce que la secuencia de conduccin de los transistores es:
6,1 1,2 2,3 3,4 4,5 5,6 6,1. Luego existen tres modos de operacin por semiciclo, siendo el circuito equivalente para una carga conectada en estrella el mostrado en la figura 7.30.
a
Vs
Vs
Fig.7. 30
Circuito equivalente para la conexin de
una carga resistiva en estrella.
Vs
c
MODO 1
MODO 2
MODO 3
Durante el modo 1, para 0 < /3, conducen los transistores Q1 y Q6 . Siendo:

van (t ) =
VS
2
vbn (t ) =
VS
2
v cn (t ) = 0
Durante el modo 2, para /3 < 2/3, conducen los transistores Q1 y Q2 .

Siendo:
van (t ) =
VS
2
vcn (t ) =
VS
2
v bn (t ) = 0
Durante el modo 3, para 2/3 < , conducen los transistores Q2 y Q3 . Siendo:

vbn (t ) =
VS
2
vcn (t ) =
VS
2
v an (t ) = 0
Las tensiones de fase del modo 2 de funcionamiento se pueden expresar en series de Fourier, como:
E 7. 22
2 VS
cos
sen n t
2
6
n =1, 3 ,5 ... n
E 7. 23
2 VS
cos
sen n t 7
6
6
n =1 ,3 , 5 ... n
E 7. 24
vbn (t ) =
v bn (t ) =
2 VS
cos
sen n t +
n
6
6
n =1,3 , 5...
van (t ) =
La tensin de lnea es:

Vab = 3 V an
con un adelanto de fase de 30, por tanto, hay un retardo de /6 entre el corte de Q1 y
la conduccin de Q4 . De esta forma, se evita que la fuente de continua se cortocircuite
al pasar de un modo de operacin a otro.
Durante cada modo de operacin uno de los tres terminales est abierto y los
otros dos conectados a la fuente de continua. La tensin del terminal abierto depender
de las caractersticas de la carga y es impredecible.
Ejemplo 7.8
El inversor trifsico de la figura est alimentado con una fuente continua de valor VS = 200 V. La carga, que se conecta en estrella, es resistiva y de valor R = 10 . Determinar: La intensidad eficaz en la carga,
la intensidad eficaz en los transistores y la potencia en la carga para:
a) Un ngulo de conduccin de 120.
b) Un ngulo de conduccin de 180.
Q3
Q1
Q5
D1
D3
D5
Vs
Q2
Q6
Q4
D4
D6
D2
a) Como vimos en teora, segn

que tipo de modo de funcionamiento tengamos, obtendremos
en la carga unas tensiones de fase de:
RS
RR
RT
V F = Van = Vbn =
Solucin:
VS
2
V cn = 0
Segn esto, tendremos dos intensidades de fase iguales en mdulo aunque de

distinto sentido, siendo la tercera nula:
I F = I a = Ib =
VS
200
=
= 10 A
2 R 2 10
por tanto, la intensidad eficaz de fase ser la media geomtrica de las tres intensidades
mximas de cada fase, por lo que resulta:
I F (RMS ) =
I a2 + I b2 + I c2
10 2 + 10 2 + 0 2
=
= 8.16 A
3
3
De esta ecuacin podemos obtener la intensidad eficaz de cada transistor de la

siguiente forma:
I
10
I Q ( RMS ) = F =
= 5 .8 A
3
3
La potencia eficaz en la carga en funcin de la intensidad eficaz de fase viene

dada por la frmula siguiente:
Po ( RMS ) = 3 I F2 (RMS ) R = 3 8 .16 2 10 = 2000 W
b) De forma parecida al apartado anterior, para un ngulo de conduccin de 180
dependiendo del modo de funcionamiento en que trabaje el inversor, tendremos unas tensiones de fase dadas por:
V F = V an = Vcn =
VS
3
V F = Vbn =
2V S
3
por lo que las intensidades de fase:

I F = Ib =
2 VS 2 200
=
= 13 .33 A
3R
3 10
I F = I a = Ic =
VS
= 6.67 A
3R
Las intensidades eficaces de fase sern la media geomtrica de la mxima que

recorre cada transistor:
I a2 + I b2 + I c2
6.67 2 + 13.332 + 6.67 2
=
= 9.43 A
3
3
Como conducen tres transistores en cada modo de funcionamiento, la intensidad eficaz de cada uno de ellos ser:
I F ( RMS )
2
9.43
2
= 6 .67 A
La potencia eficaz de salida en funcin de la intensidad eficaz de fase viene

dada por:
Po (RMS ) = 3 I F2 ( RMS ) R = 3 9.432 10 = 2668 W

Se puede comprobar que tanto las tensiones, intensidades como la potencia
son mayores para un inversor trifsico con un ngulo de conduccin de 180 que para
uno con 120.
Simulacin con componentes reales.

Simula un circuito inversor en puente monofsico utilizando:
Transistores: 2n2222
Diodos: 1n4001
Resistencias de base: Rg1 = ... = Rg4 = 10 .
Carga RLC: R = 0.5 , L = 310.5 mH, C = 47 F.
VS = 12 V.
Se desea que la frecuencia de salida sea f = 50 Hz, y para ello excitamos
los transistores con un circuito digital de control cuya salida se caracteriza por:
VoH(typ) = 5.4 V.
tr = 60 ns.
VoL(typ) = 0.2 V.
tf = 60 ns.
Obtener la grfica de la intensidad en la carga.
Solucin:
Nota: Para la simulacin de este ejemplo es necesario utilizar la librera
MEUHP.LIB que se encuentra en el disquete adjunto. Advertimos que para simular
este ejemplo es necesario que se encuentre dicha librera en el directorio raz.
Debido a los valores que presenta la carga, una resistencia muy baja y una
inductancia muy alta, se presenta una intensidad de salida bastante senoidal. Se deja
propuesto al lector que examine las tensiones en cada uno de los componentes de la
carga, as como los perodos de conduccin de los diodos y los transistores.
Date/Time run: 02/13/96 17:27:22
1.0A
Temperature: 27.0
0.5A
0A
-0.5A
Fig.7. 31
Intensidad en la
carga.
-1.0A
0s
50ms
100ms
150ms
200ms
250ms
300ms
I(R)
Time
El listado para la simulacin:

(T7S1.CIR)
SIMULACION CON COMPONENTES REALES.
Q1 1 2 4 Q2N2222
Q2 8 11 0 Q2N2222
Q3 1 9 8 Q2N2222
Q4 4 6 0 Q2N2222
.LIB C:\MEUHP.LIB
D1 4 1 D1N4001
D4 0 4 D1N4001
D3 8 1 D1N4001
D2 0 8 D1N4001
.LIB C:\MEUHP.LIB
RG1 3 2 1000
RG4 6 5 1000
RG3 9 10 1000
RG2 11 12 1000
V1 1 0 12V
R
4 20 0.5
L
20 30 310.5M
C 30 8
47U
VG1 3
4 PULSE(0.2 5.4 0
VG2 12 0 PULSE(0.2 5.4 0
VG4 5
0 PULSE(0.2 5.4 10M
VG3 10 8 PULSE(0.2 5.4 10M
.tran 10.000N .3 0
0 ; *ipsp*
.PROBE
.four 50
V(4,8) ; *ipsp*
.END
60N 60N 9.99988M 20M)

60N 60N 9.99988M 20M)
60N 60N 9.99988M 20M)
60N 60N 9.99988M 20M)
7.3 Modulaciones bsicas

7.3.1 REGULACIN DE LA TENSIN DE SALIDA.
En los esquemas estudiados que funcionan como fuente de tensin, es evidente que la tensin de salida depende de la batera exclusivamente.
En los circuitos reales existe una prdida de tensin en los semiconductores y
en el cableado que aumenta ligeramente con la carga. Esto es particularmente cierto en
la configuracin con transformador de toma media debido a la resistencia de los devanados.
Un requerimiento muy comn de los inversores prcticos es la posibilidad de
mantener constante el valor eficaz de la tensin de salida frente a las variaciones de la
tensin de entrada y de la corriente de la carga, o incluso poder variar la tensin de
salida entre unos mrgenes ms o menos amplios.
Las soluciones existentes para este ltimo problema se pueden agrupar en tres
procedimientos:
Control de la tensin continua de entrada.

Regulacin interna en el propio inversor.
Regulacin en la tensin de salida.
La regulacin de la tensin de salida consiste en disponer a la salida del inversor de un autotransformador de rela cin de espiras regulables, bien mecnicamente
mediante escobillas o elctric amente mediante tiristores.
Tiene los inconvenientes de ser de respuesta lenta y de suponer un aumento de
volumen considerable cuando se necesita una relacin de tensin elevada.
Con respecto al primer problema de mantener constante la salida frente a variaciones de entrada o carga, se resuelve con un circuito de regulacin en cadena cerrada adecuada.
A continuacin vamos a estudiar ms detenidamente la variacin de la tensin
de salida por medio de la regulacin interna del propio inversor.
El mtodo ms eficiente para la regulacin interna del inversor consiste en
modular la anchura de los pulsos (PWM). Las tcnicas ms utilizadas son:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Modulacin en anchura de un pulso por semiperodo.

Modulacin en anchura de varios pulsos por semiperodo.
Modulacin senoidal.
Modulacin senoidal modificada.
Modulacin con alternancias positivas y negativas en cada semiperodo.
Modulacin en modo de control de la corriente (Por banda de histresis).
Modulacin en anchura de un pulso por semiperiodo.
En un control de este tipo slo existe un pulso por cada semiciclo, y variando
la anchura de este pulso controlamos la tensin de salida del inversor. En la figura
7.32 se muestra la generacin de las seales de puerta de los transistores y la tensin
de salida de un inversor en puente monofsico.
Dicha generacin de seales de puerta se obtienen por comparacin de una
onda rectangular (onda de referencia) de amplitud Ar con una onda triangular (portadora) de amplitud Ac.
La frecuencia de la seal de referencia determina la frecuencia de la tensin de
salida, y variando Ar desde 0 hasta Ac conseguimos variar la anchura del pulso desde
0 hasta 180.
La relacin entre Ar y Ac determina la amplitud del "ndice de modulacin
M".
M=
Ar
Ac
E 7. 25
La tensin eficaz de salida viene dada por:

Vo ( RMS ) =
2
2
+
2

2
VS2 d ( t ) = VS
E 7. 26
Seal portadora
Seal de referencia
Seales de base para

los transistores Q1 y
Q2
Ac
Ar
g1
g2
VS
Fig.7. 32
Modulacin en anchura de
un pulso por semiperodo.
Tensin de salida
t
_
La tensin instantnea de salida se expresa en series de Fourier de la siguiente

forma:
vo (t ) =
4 VS
n
sen
sen(n t )
n
2
n =1 ,3 , 5...
nmero de pulsos
9
8
1.0
DF
0.8
Von
VS
6
5
0.6
0.4
4
3
2
1
0
Vo3
0.2
Vo5
Vo7
0
1
0.8
0.6
0.4
Fig.7. 33
Evolucin de los armnicos.
Vo1
0.2
Indice de modulacin M =
E 7. 27
DF (%)
En esta figura se observa

que el armnico dominante
es el tercero y el factor de
distorsin aumenta significativamente para tensiones
bajas de salida Ar/Ac = 0.
0
Ar
Ac
En la figura 7.34 se representa la variacin de las amplitudes de la onda fundamental y de los armnicos en funcin del ancho del impulso. Tambin se ha representado la distorsin armnica total de la salida, que viene dada por:
THD =
Vo 1
Von2 =
n = 3, 5 , 7 ...
V32 + V52 + V72 + ...

V1
E 7. 28
V 01
4Vs /
0.9
1
0.8
0.7
V 03
4Vs /
0.6
0.5
0.4
THD
4Vs /
0.3
0.2
V 05
Fig.7. 34
Fundamental y armnicos en funcin de .
3
4
0.1
V 07
4
4Vs /
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180
En esta figura se observa que la distorsin armnica es mnima aproximadamente para el ancho de impulso = 120, cuando el tercer armnico vale cero.
Ejemplo 7.9
Disear un circuito inversor en puente monofsico para una simulacin con Pspice. Se desea que convierta a alterna la tensin continua
que proporciona una sola batera de valor VS = 100 V y que acte s obre una carga puramente resistiva de valor R = 2.5 . La frecue ncia de salida ha
de ser 50 Hz.
Como especificaciones tenemos que se debe controlar la tensin de salida
mediante una modulacin PWM de un pulso por semiperodo y presentar un
ndice de modulacin M = 0.6.
Se pide:
a) Disear el circuito inversor y el circuito de control para el anlisis
con el simulador y calcular el ancho del pulso .
b) Calcular la tensin eficaz de salida Vo(RMS) y la potencia media en la
carga.
c) Obtener las siguientes grficas: Tensin en la carga. Comparacin de
las seales portadora y de referencia. Comparacin entre dos intens idades de colector de cada una de las ramas. Anlisis espectral de la
tensin de salida.
d) Presentar el listado del programa para simular el circuito.
Solucin:
a) Para el diseo del circuito inversor se opta por un puente monofsico tal y
como se muestra en la figura, en donde:
VY
Q1
Rg1
Q3
D1
7
Vg1
D3
4
CARGA
Q4
13
Vg4
12
Vg3
14
11
VX
VS
Rg4
Rg3
Q2
D4
D2
medir la intensidad de
paso)
Rg2
10
Vg2
VS = 100 V
Rg1 ==Rg4 =100
VX = VY = 0 V
(Fuentes que permiten
R = 2.5
f = 50 Hz
Para excitar los transistores ajustndose a las especificaciones es necesario disear un circuito de control que insertaremos en el listado de Pspice a modo de subcircuito y actuar directamente sobre los transistores. Dicho circuito de control se muestra en la siguiente figura y consta de un amplificador que compara las seales de refe-
rencia con la portadora, las cuales son generadas a parte. Los valores tomados para el
diseo son:
RF
R1
1
RO
R2 5
2
+ E
1
-
RIN
Circuito comparador de
las seales de referencia
y portadora generadas
por Vr1, Vr2 y Vc
respectivamente.
CO
Subcircuito
15
Vr1
17
16
R r1
Vr2
Rr2
Vc
Generador de las seales

de referencia y portadora.
Rc
RF = 100 K
R1 = R2 = 1 K
RIN = 2 M
RO = 75
Rr1 = Rr2 = RC =
=2 M
C0 = 10 pF
E1 (Fuente de
tensin dependiente
de los nudos 5-0 )
El circuito de control acta a modo de cuadripolo en donde los dos polos de

entrada son los nudos 1 y 2. En dichos polos se conectan los nudos 17 y 15 de las
fuentes Vc y Vr1 respectivamente para una rama inversora y los nudos 17 y 16 de las
fuentes Vc y Vr2 para la otra rama. En general lo que se hace es amplificar la diferencia
de tensiones V(17,16) para una rama y la diferencia V(17,15) para la otra, estando Vr1
desfasada 180 respecto de Vr2 .
Para ajustarnos a la especificacin del ndice de modulacin y frecuencia de
salida vamos a comparar una seal portadora triangular Ac con una de referencia Ar
cuadrada por lo que prefijando la amplitud de una de ellas podemos calcular la amplitud de la otra. Prefijamos a 50 voltios la amplitud de la seal triangular, por lo que:
M=
Ar
Ac
Ar = M Ac = 0.6 50 = 30 V
Para calcular basta con aplicar una relacin: si para un M = 1 tendramos un

ancho de pulso de 180, para M = 0.6 tendremos un ancho de pulso = 108 que equivale a un tiempo T = 6 mseg.
La relacin de frecuencias entre la seal triangular y la cuadrada ha de ser 2,
es decir, la triangular ha de tener el doble de frecuencia que la cuadrada para que al
compararlas se pueda obtener un pulso por semiperodo, por tanto, se deduce que las
frecuencias que han de usarse son 50 Hz para la cuadrada y 100 Hz para la triangular.
b) La tensin eficaz de salida, en general, viene dada por:
2 +2 2
108
= 100
= 77.45 V
- VS d ( t ) = VS
2 2
180
Vo ( RMS ) =
La potencia media es:
Po ( AV ) =
Vo2(RMS )
R
77.452
= 2402.5 W
2.5
c) Las grficas que hemos obtenido tras simular el circuito se muestran a

continuacin:
Date/Time run: 02/16/96 12:12:55
Temperature: 27.0
120V
(7.8865m,99.560)
80V
40V
(8.0423m,-21.996m)
-0V
(2.0007m,-22.018m)
-40V
Fig.7. 35
Tensin en la carga
-80V
-120V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
V(4,6)
Time
Date/Time run: 02/16/96 12:12:55
Temperature: 27.0
60V
(10.000m,50.000)
(2.0220m,29.780)
SEAL
PORTADORA
40V
(8.0004m,30.003)
20V
Fig.7. 36
Seales portadora
y de referencia.
SEAL DE
REFERENCIA
0V
0s
5ms
V(17)
10ms
15ms
20ms
-V(15)
Time
Date/Time run: 02/16/96 12:12:55
Temperature: 27.0
FUNDAMENTAL
100V
80V
ARMONICO 3
60V
ARMONICO 5
40V
Fig.7. 37
Anlisis espectral
de la tensin de
salida.
ARMONICO 7
20V
0V
0H
200H
400H
600H
800H
V(3,6)
Frequency
En las figuras 7.35 y 7.36 se comprueba que el tiempo de conduccin de los

transistores es aproximadamente igual al indicado en teora.
En la figura 7.37 se aprecia que el armnico n 3 disminuye en amplitud y el
n 5 aumenta. Este hecho no afecta a la distorsin armnica total, pero es de gran utilidad a la hora de filtrar la seal, puesto que es ms fcil eliminar los armnicos de frecuencias ms alejadas a la del fundamental.
Se deja propuesto al lector la simulacin de este ejemplo para varios ciclos de
la tensin de salida y observe como la potencia media en la carga y la tensin eficaz en
sta son Po(AV) = 2418.6 W y Vo(RMS) = 77.618 V que coinciden prcticamente con los
valores calculados en el apartado b, asimismo sera interesante la simulacin para
varias anchuras de pulso y comprobar los efectos que producen estas distintas anchuras en los armnicos.
d) El listado del programa:

* MODULACION CON UN PULSO POR SEMIPERIODO.
* Definicion de los transistores:
Q1 2 7 3 QMOD
Q2 6 9 0 QMOD
Q3 2 11 6 QMOD
Q4 3 13 0 QMOD
* Resistencias de base:
RG1 8 7
100
RG2 10 9
100
RG3 12 11
100
RG4 14 13
100
* Definicion de los diodos:
D1 3 2
DMOD
D2 0 6
DMOD
D3 6 2
DMOD
D4 0 3
DMOD
* Fuentes c.c. del circuito:
VX 3 4
0
VY 1 2
0
VS 1 0
100V
* Carga:
R 4 6
2.5
* Generacion de senales portadora y de referencia:
VC 17 0
PULSE(50V 0V 0MS 5MS 5MS 1NS 10MS)
RC 17 0
2MEG
VR1 15 0
PULSE(0V -30V 0MS 1NS 1NS 10MS 20MS)
RR1 15 0
2MEG
VR2 16 0
PULSE(0V -30V 10MS 1NS 1NS 10MS 20MS)
RR2 16 0
2MEG
* Subcircuitos comparadores de senales portadoras y de referencia que actuan
* en las bases de los transistores:
XPW1 17 15 8 3 PWM
XPW2 17 15 10 0 PWM
XPW3 17 16 12 6 PWM
XPW4 17 16 14 0 PWM
* Subcircuito para simular el amplificador comparador:
.SUBCKT PWM 1 2 3 4
R1 1 5
1K
R2 2 5
1K
RIN 5 0
2MEG
RF 5 3
100K
RO 6 3
75
CO 3 4
10P
E1 6 4 0 5 2E+5
.ENDS PWM
* Parametros para el analisis:
.TRAN 10US 20MS 0 10US
.PROBE
.OPTIONS ABSTOL=1.00N RELTOL=0.01 VNTOL=0.1 ITL5=20000
.FOUR 50HZ V(3,6)
.END
Ejemplo 7.10
En un inversor monofsico en el que la tensin de salida se modula
mediante un impulso por semiperodo, calcular:
a) El valor de necesario para que la componente fundamental de la
tensin de salida sea de 50 V para VS = 250 V.
b) La amplitud del tercer armnico de la tensin de salida para este valor de .
Solucin:
a) Este tipo de configuracin produce una tensin de salida como la que se
muestra en la grfica siguiente.
v o (t)
250 V.
180 t 3
t1
t 4 360
t2
La componente fundamental de la tensin de salida se obtiene mediante la

integral:
B1 =
=
2
T
vo (t ) sen( t )dt =
t4
2 t2
t VS sen( t )d t t VS sen ( t )d t
3
T 1
como:
t 3 = t1 +
T
2
t4 = t 2 +
= t1
T
2
t2 =
2
T
T
t1
2
resolviendo la integral y sustituyendo estos valores tenemos:
B1 =
4VS
4V
cos( t1 ) = S cos
por tanto, para los datos del ejercicio obtendremos un valor de de:
50 =
4 250
cos
= ar cos
50
= 80.86
4 250
b) Para obtener la amplitud de cada armnico bastar con resolver la misma

integral para la frecuencia de cada uno de ellos, es decir:
Bn =
4VS
cos (n t1 )
n
por lo que la amplitud del tercer armnico valdr:
B3 =
4 250
cos (3 80.86) = 48.37 V
3
Un caso especfico lo tendramos cuando = 30 puesto que la amplitud del

fundamental se divide por un factor de 0.8660 y el tercer armnico se elimina, puesto
que el cos (330) = 0.
Modulacin en anchura de varios pulsos por semiperodo.

Cuando la tensin entregada a la carga se necesita que sea lo ms senoidal
posible, con o sin filtro de salida, conviene reducir al mximo el contenido de armnicos de la onda de salida.
1
fc
Seal
portadora
Generacin
de
seales
Ac
Seal de
referencia
Ar
VS
2
Tensin de salida
m
Fig.7. 38
Modulacin en
anchura de pulsos.
Este mtodo consiste en hacer que en cada semiperodo halla un nmero entero de impulsos a la salida, los cuales estn modulados en anchura. La seal de salida
se obtiene por comparacin de una seal de referencia con una portadora tal y como se
ve en la figura 7.38 conjuntamente con las seales de puerta que se utilizan para conmutar a los transistores.
La frecuencia fr de la seal de referencia nos proporciona la frecuencia f que
tendr la seal de salida, y la frecuencia fc de la onda portadora nos determina el nmero p de pulsos por semiciclo.
El ndice de modulacin M controla la tensin de salida, conocindose este
tipo de modulacin tambin como Modulacin Uniforme de Anchura de Pulsos
(UPWM). El nmero de pulsos por semiciclo lo obtenemos del siguiente modo:
p=
m
fc
= f
2 f
2
E 7. 29
donde:
mf =
fc
f
es conocida como la proporcin de la frecuencia de modulacin.

La variacin del ndice de modulacin de cero a uno nos variar el ancho del
pulso de 0 a /p y la tensin de salida desde cero a VS.
Si es la anchura de cada pulso, la tensin eficaz de salida se obtiene a partir
de:
Vo ( RMS ) =
+
p
2

p
2
2 p
2
VS2 d ( t ) = VS
E 7. 30
La tensin instantnea de salida en series de Fourier se expresa como:
v o (t ) =
n =1, 3, 5 ...
sen(n t )
E 7. 31
donde el coeficiente Bn se determina al considerar un par de pulsos, tal que el pulso

positivo, de duracin comienza para t = m y el pulso negativo de la misma anchura comienza para t = m + .
A medida que aumentamos el nmero de pulsos por ciclo cobran mayor importancia en amplitud los armnicos superiores, por lo que resulta mucho ms fcil el
filtrado posterior de la seal y obtener una onda senoidal lo ms perfecta posible.
En las grficas de la figura 7.39 se observa este efecto:
V 01
4 Vs /
0.9
0.8
2
0.7
V 03
4 Vs /
0.6
0.5
V 05
4 Vs /
0.4
3
2
0.3
V 07
0.2
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
Tres pulsos por semiperodo
4 Vs /
0.1
0.8
0.9
/3
V 01
1
4Vs /
0.9
0.8
2
1
V 03
4Vs /
0.7
0.6
V 05
4Vs /
0.5
0.4
V 11
4
4
0.3
4Vs /
0.2
0.1
0
V 13
5
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
Seis pulsos por semiperodo
4Vs /
/6
V 01
4Vs /
0.9
V 03
0.8
4V s /
10
0.7
V 05
3
0.6
4Vs /
V 07
0.5
4V s /
0.4
5
0.3
V 11
4Vs /
0.2
3
4
V 13
0.1
4Vs /
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Fig.7. 39
0.6
0.7
0.8
0.9
Diez pulsos por semiperodo
10
Comparacin de los armnicos para distintos nmeros de pulsos.
Ejemplo 7.11
Dado el circuito de la figura, en donde: Rg1 = ... = Rg4 = 100 , f = 50
Hz, VS = 100 V, VX = VY = 0 V y R = 2.5 .
Se pide:
a) Disear el circuito de
control para obtener
2
1
cinco pulsos por semiciQ1
Q3
Rg1
Rg3
clo. Con un ndice de
11
8
7
D1
D3
12
modulacin M = 0.6,
Vg1
Vg3
V
calcular el ancho de pulVS
6
3
4
CARGA
so que se produce para
Q4
Q2
Rg4
Rg2
estas condiciones.
13
D4
14
D2
9
10
b) Calcular la tensin efiVg4
Vg2
caz Vo(RMS).
0
c) Obtener mediante simulacin con Pspice las siguientes grficas: Tensin de salida. Comparacin de la seal de referencia
con la portadora. Anlisis espectral de la tensin de salida.
d) Listado del programa.
VY
Solucin:
a) Para obtener cinco pulsos por semiperodo a la salida es necesario comparar dos seales (una portadora triangular y otra de referencia cuadrada) en donde la
frecuencia de la portadora ha de ser diez veces superior a la de referencia y como sta
debe tener una frecuencia fr = f = 50 Hz, tendremos:
f c = 10 f = 10 50 = 500 Hz
El ancho de pulso que se produce viene dado por la relacin siguiente: si para
M = 1 el ancho de pulso es 180/5 para un M = 0.6 tenemos:
= 36 0.6 = 21.6
T = 1.2 mseg.
El circuito de control que se va a utilizar es el mismo que el del ejemplo 7.9,

pero ahora la frecuencia de la fuente Vc es de 500 Hz.
b) La tensin eficaz se calcula del siguiente modo:
Vo ( RMS ) =
2 p
2

+
p
2

p
2
VS2 d (t ) = VS
p
5 21.6
= 100
= 77.45 V
180
Como puede verse, la tensin eficaz de salida coincide con la del ejercicio 7.9
y esto se debe a que ambos ejercicios poseen el mismo ndice de modulacin.
c) En las figuras 7.40 y 7.41 se puede observar el ngulo de conduccin de los
transistores, que coincide con el terico del apartado a. Simulando este ejemplo para
ms ciclos (al menos dos ciclos o un total de 40 mseg.) obtendremos una tensi n eficaz a la salida de Vo(RMS) = 76.068 V aproximndose mucho al valor terico del apartado b.
Como puede observarse en la figura 7.42, los armnicos de orden ms bajo
estn disminuidos en amplitud con respecto a los que produce la modulacin de un
pulso por semiperodo, sin embargo, los de mayor orden (a partir del sptimo) crecen
en amplitud. Por lo tanto, para este tipo de modulacin es ms fcil aplicar un filtro de
segundo orden para obtener una seal senoidal lo ms perfecta posible, eliminando los
armnicos de orden ms alto.
Date/Time run: 02/19/96 19:53:59
Temperature: 27.0
(9.544m,99.843)
80V
(15.608m,22.018m)
40V
(14.395m,22.110m)
-0V
21.6
Fig.7. 40
Tensin de salida.
-40V
-80V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
V(3,6)
Time
Date/Time run: 02/19/96 19:53:59
Temperature: 27.0
REFERENCIA
PORTADORA
60V
(11.071m,30.000)
(0.000,50.000)
40V
Fig.7. 41
Comparacin de la
seal portadora con
la de referencia.
20V
0V
0s
5ms
V(17)
10ms
15ms
20ms
-V(16)
Time
Date/Time run: 02/19/96 19:53:59
Temperature: 27.0
FUNDAMENTAL
(50.000,75.671)
60V
ARMONICO 11
(450.000,45.560)
40V
ARMONICO 13
(550.000,33.503)
Fig.7. 42
Anlisis espectral de
la tensin de salida.
20V
0V
0H
0.2KH
0.4KH
0.6KH
0.8KH
1.0KH
1.2KH
1.4KH
1.6KH
V(3,6)
Frequency

*CIRCUITO INVERSOR EN PUENTE MONOFASICO CON CINCO PULSOS
*POR SEMIPERIODO
* Transistores del puente inversor:
Q1 2 7 3 QMOD
Q2 6 9 0 QMOD
Q3 2 11 6 QMOD
Q4 3 13 0 QMOD
RG1 8 7
100
RG2 10 9
100
RG3 12 11
100
RG4 14 13
100
* Diodos en antiparalelo:
D1 3 2
DMOD
D2 0 6
DMOD
D3 6 2
DMOD
D4 0 3
DMOD
VX 3 4
0
VY 1 2
0
VS 1 0
100V
* Carga:
R 4 6
2.5
* Generacion de senales de referencia y portadora:
VC 17 0
PULSE(50 0V 0MS 1M 1M 1N 2MS)
RC 17 0
2MEG
VR1 15 0
PULSE(0 -30V 0MS 1N 1N 10MS 20MS)
RR1 15 0
2MEG
VR2 16 0
PULSE(0 -30V 10MS 1N 1N 10MS 20MS)
RR2 16 0
2MEG
* Subcircuito amplificador y excitador de los transistores:
XPW1 17 15 8 3 PWM
XPW2 17 15 10 0 PWM
XPW3 17 16 12 6 PWM
XPW4 17 16 14 0 PWM
.SUBCKT PWM 1 2 3 4
R1
1 5
1K
R2 2 5
1K
RIN 5 0
2MEG
RF 5 3
100K
RO 6 3
75
CO 3 4
10P
E1 6 4 0 5 2E+5
.ENDS PWM
.TRAN 10US 20MS 0 10US
.PROBE
.FOUR 50HZ V(3,6)
.END
Modulacin senoidal.
Seal portadora A c
Seal de referencia A r
t
1
fc
Seales obtenidas
de la comparacin
de Ac y Ar
g1
g2
Seal de excitacin de
los transistores de
ambas ramas.
Fig.7. 43
Generacin de pulsos
utilizando dos ondas
senoidales y tensin
de salida.
En lugar de mantener constante la anchura de todos los pulsos como en el caso

anterior, se varan en proporcin a la amplitud de una onda senoidal; de esta forma el
factor de distorsin y los armnicos de orden ms bajos son reducidos significativamente.
Las seales de puerta se obtienen por comparacin entre la citada seal senoidal (seal de referencia) y una seal triangular (seal portadora). La frecuencia de la
seal de referencia fr determina la frecuencia f de la tensin de salida y su amplitud
Ar controla el ndice de modulacin M y por consiguiente la tensin eficaz de salida
Vo(RMS) . El nmero de pulsos por semiciclo depende de la frecuencia de la seal portadora como se puede observar en la figura 7.43.
Ac
Ar
M=
Las mismas seales de

puerta se pueden generar usando
una onda portadora triangular
unidireccional como la que se
muestra en la figura 7.44.
Ar
Ac
2
Fig.7. 44
Comparacin entre una onda senoidal y una triangular unidireccional.
Podemos observar en la figura 7.43 que la anchura de cada pulso de la seal

de excitacin corresponde a los intervalos existentes entre los puntos de corte de la
onda portadora y la de referencia, obtenindose el doble de pulsos si utilizamos dos
ondas senoidales en vez de una. m es la anchura de un pulso p-simo que vara al
modificar el ndice de modulacin y modificando ste se altera la tensin eficaz de
salida, que vendr dada por:
Vo ( RMS ) = VS
E 7. 32
p =1
Con este tipo de modulacin se consigue un menor contenido de armnicos

como se puede apreciar en los grficos de la figura 7.45:
V 01
Vs
0.9
0.8
V 05
Ar
Vs
Ac
0.7
0.6
V 08
Vs
V 07
Vs
0.5
2
0.4
0.3
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
Ar
0.7
0.8
0.9
Ac
= M
V 01
Vs
Ar
0.9
Ac
V03 y V05 son

despreciables
0.8
0.7
V 09
0.6
Vs
0.5
2
0.4
V 07
Vs
0.3
V 11
0.2
4
Vs
0.1
4
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
Ar
0.7
0.8
0.9
Ac
=M
V 01
Vs
0.9
1
0.8
V 09
y V15
Vs
Vs
Ar
Ac
0.7
0.6
V 11
y V 13
Vs
0.5
0.4
3
4
0.3
0.2
Vs
V 23
Vs
y V 25
Vs
0
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
Ar
0.7
0.8
0.9
M=
1.3
1
1.2
1
1.1
1
0.9
0.8
0.7
Ac
V01
VS
V 03
Ac
Ar
VS
V05
VS
0.6
0.5
0.4
0.3
V 07
VS
0.2
0.1
0
0.5
1.5
M=
Ar
Ac
Fig.7. 45 Comparacin de armnicos segn el nmero de pulsos.
En comparacin con el caso anterior, este tipo de modulacin reduce signific ativamente el factor de distorsin eliminando todos los armnicos menores o iguales a
2p-1. Por ejemplo, para p = 5 (cinco pulsos por semiperodo) el armnico de menor
orden es el noveno.
La modulacin en anchura de pulso (PWM) introduce armnicos en un rango
alto de frecuencias alrededor de la frecuencia de disparo fc y sus mltiplos, es decir,
alrededor de los armnicos mf, 2mf, 3mf... La frecuencia a la que se producen estos
armnicos viene dada por:
f n = ( jm f k ) f c
E 7. 33
donde k es el flanco de bajada del armnico n en el instante j para la proporcin

frecuencia -modulacin mf.
n = jm f k = 2 jp k
para j = 1, 2, 3...
k = 1, 3, 5...
E 7. 34
La tensin de pic o de salida del fundamental para control PWM y SPWM

viene dada aproximadamente por:
Vo1 = d VS
para 0 d 1
E 7. 35
para d = 1, la ecuacin 7.35 tiene la mxima amplitud de pico de la tensin de salida

del fundamental: Vo1(mx) = VS. Pero de la ecuacin:
v o (t ) =
4 VS
sen (n t )
n =1, 3 ,5 ... n
E 7. 36
tenemos un mximo de:
4 VS
= 1.278 VS
para una onda de salida cuadrada.

Para aumentar la tensin de salida del fundamental podemos incrementar el
valor de d ms all de uno, esto es conocido como sobremodulacin (d es el ndice de modulacin cuando ste supera la unidad). El valor de d en el que se cumple
que Vo1(mx) = 1.278 VS , depende del nmero de pulsos por semiciclo y es aproximadamente tres para p = 7 como se muestra en la figura 7.46.
Zona lineal
Zona no lineal
Vo1
VS
4
Fig.7. 46
Relacin entre el ndice de modulacin y la
tensin pico del fundamental.
La sobremodulacin se emplea bsicamente para operar con ondas cuadradas

e inyecta ms armnicos que el modo de operacin en el rango lineal (para d 1), por
esto, la sobremodulacin es normalmente evitada en aplic aciones que requieren una
distorsin baja.
La modulacin senoidal es muy usada en aplicaciones industriales y se conoce
como modulacin senoidal de anchura de pulso (SPWM).
Ejemplo 7.12
Dado el circuito inversor en puente monofsico de la figura, en el que
los datos son:
R = 2.5
VY
2
Q1
Rg1
8
Q3
D1
7
Vg1
3
VS = 100 V
VX = VY = 0 V
Q2
D4
13
12
Vg3
CARGA
Q4
Rg4
Rg1 = ... = Rg4 = 100
Rg3
11
VX
VS
14
D3
Rg2
9
D2
Vg4
10
f = 60 Hz
Vg2
Se pide:
a) Disear el circuito de control para modular la tensin de salida senoidalme nte con cinco pulsos por semiperodo y con ndice de modulacin M = 0.9.
b) Calcular la tensin eficaz de salida Vo(RMS) .
c) Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes grficas: Tensin de
salida. Comparacin de las seales de referencia con la portadora. Anlisis
espectral de la tensin de salida. Listado del programa.
d) Simular el circuito para diez pulsos por semiperodo y comprese el anlisis
espectral de la tensin de salida con el de cinco pulsos por semiperodo.
Solucin:
a) El circuito de control es el siguiente:
Los valores tomados son:
RF
R1 = R2 = 1 K
R1
1
2
R2
RO
+
- E1
RIN
RIN = Rr1 = Rr2 = Rc = 2 M
CO
RF = 100 K
Subcircuito
15
Vr1
17
16
Rr1
Vr2
Rr2
0
Vc
Rc
Ro = 75
Co = 10 pF
E1 = 2 105
Para obtener la modulacin pedida, se compara las seales de referencia senoidales (Vr1 y Vr2) de frecuencia fr = 60 Hz con una seal portadora (Vc) de frecuencia fc diez veces mayor para obtener cinco pulsos por semiperodo.
Para que el ndice de modulacin sea M = 0.9 se fija la amplitud de la seal
portadora (triangular) a 50 voltios, por lo que la amplitud de la de referencia ha de ser:
Ar = M Ac = 0.9 50 = 45 V
b) La tensin eficaz de salida viene dada por la ecuacin:
Vo ( RMS ) = VS
p =1
Analizando con Pspice un semiciclo de la tensin de salida, podemos obtener

la duracin de cada uno de los pulsos.
Seguidamente mostramos una figura en la que se han anotado las anchuras de
cada uno de los pulsos. Estos datos se obtienen utilizando las herramientas que proporciona el programa.
Date/Time run: 02/19/96 21:21:31
Temperature: 27.0
200V
150V
1.2536ms
1.1921ms
100V
50V
Fig.7. 47
Anchuras de los
pulsos del primer
semiperodo.
0V
0.5138ms
0.5117ms
1.4558ms
-50V
-100V
0s
1.0ms
2.0ms
3.0ms
4.0ms
5.0ms
6.0ms
7.0ms
8.0ms
V(3,6)
Time
En la siguiente tabla recogemos todos estos datos junto con los tiempos de
inicio y fin de cada uno de los pulsos. Las anchuras m se expresan tanto en tiempo
como en grados.
m
1
2
3
4
5
Tiempo inicial
0.6428 mseg.
1.9985 mseg.
3.4389 mseg.
5.1118 mseg.
7.1785 mseg.
Tiempo final
1.1545 mseg.
3.1906 mseg.
4.8947 mseg.
6.3654 mseg.
7.6923 mseg.
Duracin(mseg.)
0.5117 mseg.
1.1921 mseg.
1.4558 mseg.
1.2536 mseg.
0.5138 mseg.
Duracin (grados)
11.06
25.76
31.46
27.09
11.10
Utilizando estos valores para el clculo de la tensin eficaz de salida, tendremos:
Vo ( RMS ) =
100
11.06+25.76 +31.46+27.09+11.10 = 76.91V
180
c) Las grficas pedidas son:
Date/Time run: 02/19/96 21:21:31
Temperature: 27.0
120V
(4.1667m,99.945)
80V
40V
-0V
-40V
Fig.7. 48
Tensin de salida
-80V
-120V
0s
2ms
4ms
6ms
8ms
10ms
12ms
14ms
16ms
18ms
V(3,6)
Time
Date/Time run: 02/19/96 21:21:31
Temperature: 27.0
(16.667m,50.000)
PORTADORA
(12.500m,45.000)
(4.1667m,45.000)
40V
0V
-40V
Fig.7. 49
Comparacin de las seales
de referencia con la portadora.
SENALES DE
REFERENCIA
0s
2ms
v(17)
4ms
-v(15)
6ms
8ms
10ms
12ms
14ms
16ms
18ms
-v(16)
Time
Date/Time run: 02/19/96 21:21:31
Temperature: 27.0
FUNDAMENTAL
(59.988,88.413)
80V
60V
ARMONICO 9
40V
ARMONICO 7
(539.892,26.161)
Fig.7. 50
Anlisis espectral de la
tensin de salida.
(419.916,16.985)
20V
0V
0H
0.2KH
0.4KH
0.6KH
0.8KH
1.0KH
1.2KH
V(3,6)
Frequency
En la figura 7.50 observaremos que los armnicos de menor orden (3, 5 y 7),
son atenuados, pero en cambio, los de orden algo mayor (9,11...) son amplificados.

* MODULACION SENOIDAL CON CINCO PULSOS POR SEMIPERIODO
Q1 2 7 3 QMOD
Q2 6 9 0 QMOD
Q3 2 11 6 QMOD
Q4 3 13 0 QMOD
RG1 8 7
100
RG2 10 9
100
RG3 12 11
100
RG4 14 13
100
D1 3 2
DMOD
D2 0 6
DMOD
D3 6 2
DMOD
D4 0 3
DMOD
VX 3 4
0
VY 1 2
0
VS 1 0
100V
* Carg a:
R 4 6
2.5
* Generacion de senales portadora y de referencia:
VC
17 0
PULSE(50 0 0 833.33U 833.33U 1N 1666.67U)
RC
17 0
2MEG
VR1
15 0
SIN(0 -45 60 0 0 0)
RR1 15 0
2MEG
VR2
16 0
SIN(0 45 60 0 0 0)
RR2 16 0
2MEG
* Subcircuitos excitadores de los transistores
XPW1 17 15 8 3 PWM
XPW2 17 15 10 0 PWM
XPW3 17 16 12 6 PWM
XPW4 17 16 14 0 PWM
* Subcircuito amplificador y comparador:
.SUBCKT PWM 1 2 3 4
R1
1 5
1K
R2
2 5
1K
RIN 5 0
2MEG
RF 5 3
100K
RO 6 3
75
CO 3 4
10P
E1 6 4 0 5 2E+5
.ENDS PWM
.TRAN 10US 16.67MS 0 10US
.PROBE
.FOUR 60HZ V(3,6)
.END
d) Para obtener diez pulsos por semiperodo, la frecuencia de la seal tria ngular ha de ser veinte veces mayor que la de referencia, es decir, fc = 1200
Hz, siendo fr = 60 Hz.
Date/Time run: 02/20/96 10:37:47
Temperature: 27.0
80V
40V
-0V
-40V
Fig.7. 51
Tensin de salida para diez
pulsos.
-80V
0s
2ms
4ms
6ms
8ms
10ms
12ms
14ms
16ms
18ms
v(3,6)
Time
Date/Time run: 02/20/96 10:37:47
Temperature: 27.0
FUNDAMENTAL
(60.024,88.383)
80V
60V
40V
ARMONICO 17
Fig.7. 52
Anlisis espectral de la tensin de salida para diez pulsos.
(1.0204K,17.143)
20V
0V
0H
0.5KH
1.0KH
1.5KH
2.0KH
2.5KH
3.0KH
3.5KH
4.0KH
v(3,6)
Frequency
Para que el mismo circuito module la tensin de salida con diez pulsos por
semiperodo, basta con cambiar en el listado las frecuencias de las seales de referen-
cia y portadora. En general, basta con sustituir el apartado "* Generacin de seales
de referencia y portadora" del listado ofrecido anteriormente por el que mostramos a
continuacin:
* Comparacion de senales de referencia y portadora:
VC 17 0
PULSE(50 0 0 416.75U 416.75U 1N 833.5U)
RC 17 0
2MEG
VR1 15 0
SIN(0 -45 60 0 0 0)
RR1 15 0
2MEG
VR2 16 0
SIN(0 45 60 0 0 0)
RR2 16 0
2MEG
Como conclusin al comparar las dos simulaciones podemos decir que al aumentar el nmero de pulsos por semiciclo se reduce el contenido de armnicos significativamente, tal y como se aprecia en las grficas de los anlisis espectrales. Esto se
debe a que este tipo de modulacin elimina los armnicos de orden menor o igual a
2p-1.
La tensin eficaz de salida para la simulacin de cinco pulsos por semiperodo
que Pspice proporciona es Vo(RMS) = 76.459 V. Esto lo podemos comprobar simulando
el ejemplo para varios ciclos.
Nota: Si se desea, se puede utilizar para la simulacin con diez pulsos por
semiperodo el archivo (T7E12A.CIR) contenido en el disquete adjunto.
Modulacin senoidal modificada.

Del apartado anterior se puede deducir que variando el ndice de modulacin
la anchura de los pulsos no varan significativamente. Para solventar este problema se
utiliza la tcnica de modulacin en anchura de pulsos senoidal modificada (MSPWM).
Esta tcnica aplica la onda portadora durante los primeros y ltimos 60 de
cada semiciclo.
En la figura 7.53 se esquematiza este tipo de control con un ejemplo en el que
la seal portadora (triangular) se aplica a los intervalos (0, 60) y (120, 180), obteniendo un pulso central de mayor anchura.
Seal Portadora
Seal de referencia
180
60
240
300
360
120
Seal que se
aplica en la base
de Q1
t
2
m
m
Seal que se
aplica en la base
de Q
4
Fig.7. 53
Modulacin
senoidal
modificada en anchura de
pulsos.
t
2
Este tipo de modulacin aumenta la componente fundamental y las caractersticas armnicas son mejoradas con respecto a la tcnica anterior. Tambin reduce el
nmero de conmutaciones del circuito de potencia y por tanto, las prdidas por disparo
son menores.
Para los inversores trifsicos el nmero de pulsos durante los perodos de 60
inicial y final, viene dado por la proporcin:
fc
= 6 p + 3
f
E 7. 37
donde p es el nmero de pulsos.
Cuestin didctica 7.2

Analizar el circuito de la figura con Pspice. Se desea que la tensin de
salida presente una modulacin senoidal modificada y que la frecue ncia de salida sea f = 55 Hz.
VY
Q1
Rg1
Q3
D1
7
Vg1
3
Rg4
CARGA
Q4
13
12
Vg3
Q2
D4
D2
Vg4
Rg3
11
VX
VS
14
D3
Rg2
Los datos son los siguientes:

R = 2.5
Rg1 = ... = Rg4 = 100
VS = 100 V.
VX = VY = 0 V.
M = 0.9
10
Vg2
a) Obtener las siguientes

grficas: Tensin en la
carga. Comparacin de las seales de referencia con la portadora. Anlisis
espectral de la tensin de salida (Fichero T7C2.CIR).
b) Obtener el listado del programa.
Modulacin con alternancias positivas y negativas en cada semiperodo.

Las tcnicas de modulacin vistas hasta ahora tienen el inconveniente de que
hay que aumentar enormemente el nmero de conmutaciones en cada ciclo y por otra
parte en ciertos intervalos de tiempo la tensin en la carga es nula. Estos inconvenie ntes se evitan haciendo que en cada semiperodo el impulso de salida se invie rta y la
tensin se haga negativa segn nos indica la figura 7.54.
Evidentemente el valor medio de cada semiperodo depender del valor m.
t
Fig.7. 54
Modulacin con alternancias positivas y
negativas en cada semiciclo.
Con este tipo de modulacin tambin se pueden reducir los primeros armnicos. Para ello si observamos la figura 7.55 podremos desarrollar la tensin instantnea
de salida en series de Fourier como:
v o (t ) =
a sen(n t )
n =1, 3, 5 ...
E 7. 38
siendo:
an =
+
+
1
2
4
4
VS sen (n t )d ( t ) VS sen(n t )d ( t ) +
0
1
- 2
- 1
4
4
VS
sen(n t )d ( t ) VS sen (n t )d ( t ) +
2
- 2
4
4
1 2 cos (n1 ) + 2 cos(n2 )
VS sen(n t )d ( t ) =
VS
2
n
Si se quieren eliminar el tercer y el quinto armnico bastar con hacer cero la

ecuacin anterior para n = 3 y n = 5. Lo cual se logra s:
1 = 23.62
2 = 33.3
Vs
2
- Vs
2
Si en vez de escoger una

onda de dos alternancias (negativa en el primer semiciclo y positiva en el segundo), se escoge
con 2n alternancias podremos
eliminar los 2n primeros armnicos.
Fig.7. 55
1
2
1
2
Modulacin en modo de control de corriente (Por banda de histresis).
En aplicaciones como conduccin de servomotores DC y AC, es la corriente

del motor (suministrada por el convertidor o inversor en conmutacin) la que necesita
ser controlada, aunque siempre se emplea un inversor en fuente de tensin (VSI).
Mediante el control de banda de tolerancia se obtienen las seales conmutadas
de los interruptores para controlar la corriente de salida.
En la figura 7.56 se puede observar una corriente de referencia senoidal iA * ,
donde la corriente de fase actual es comparada con la banda de tolerancia alrededor de
la corriente de referencia asociada con esa fase. Si la corrie nte actual en la figura 7.56a
intenta ir ms all de la banda de tolerancia superior, TA- conduce (TA+ est en corte).
Fig.7. 56
Control de la
corriente
por
banda de tolerancia.
La conmutacin opuesta sucede si la corriente actual intenta ir por debajo de la

banda de tolerancia inferior. Acciones similares tienen lugar en otras 2 fases. Este
control es mostrado en forma de diagrama de bloques en la figura 7.56b.
La frecuencia de conmutacin depende de cmo de rpida cambia la corriente

desde el lmite superior al lmite inferior y viceversa.
Esto, por turnos, depende de Vd , la carga back-emf y la carga reactiva. Por
otra parte, la frecuencia de conmutacin no se mantiene constante, pero vara a lo la rgo de la forma de onda de la corriente.
7.4 Filtrado
7.4.1 FILTRADO DE LA TENSIN DE SALIDA.
Cuando se requiere reducir la distorsin armnica de la tensin de salida de un
inversor de frecuencia fija o poco variable, se dispone un filtro a la salida que permite
el paso de la onda fundamental y se lo impide a los armnicos.
Casi todos los filtros empleados para este propsito tienen configuracin en L
y en la figura 7.57 se presenta el esquema generalizado.
Zs
Von
Zp
VoFn
C
A
R
G
A
Z Ln
Fig.7. 57
Esquema de conexin de un filtro.
Filtro
La rama serie debe tener una baja impedancia a la frecuencia del fundamental
para que no halla prdidas de tensin y una alta impedancia a la frecuencia de los armnicos que se quieren eliminar. La rama paralelo debe comportarse de forma opuesta
para no cargar al inversor con una intensidad de frecuencia igual a la del fundamental
y para cortocircuitarse a la frecuencia de los dems armnicos.
Se llama atenuacin del filtro para una determinada frecuencia, a la relacin
entre la tensin de salida y la de entrada a dicha frecuencia. Llamando Zsn y Zpn a la
impedancia de las ramas serie y paralelo. Para el armnico de orden n y para funcionamiento en vaco se tiene:
atenuacin =
Z pn
VoFn
=
Von
Z sn + Z pn
E 7. 39
Zsn y Zpn dependen de la frecuencia considerada y por tanto, al igual que la

atenuacin, suele ser mayor para frecuencias ms elevadas debido al comportamiento
inductivo de Zsn y capacitivo de Zpn .
En caso de tener una cierta carga de impedancia ZLn , la atenuacin mejora

porque la impedancia paralelo Zpn a considerar sera el equivalente de Zpn y ZLn :
Z pn =
Z pn Z Ln
Z pn + Z Ln
siempre menor que Zpn .

En la figura 7.58 se presentan algunos de los filtros en L ms utilizados. Los
que tienen en la rama serie una sola bobina tienen el inconveniente de que se pie rde en
ella tensin de la frecuencia fundamental. Los que tienen en la rama paralelo un condensador slo tienen el inconveniente de que se deriva por l una parte de la intensidad
de la frecuencia fundamental.
CS
LS
LS
CP
CP
LC Simple
Resonante Serie
LS
Lp
Resonante Paralelo
LS
CS
Lp
CP
CP
Fig.7. 58
Diversos tipos de filtros en
L.
Resonante Serie-Paralelo
Ambos inconvenientes se pueden eliminar en los inversores de frecuencia fija

utilizando ramas resonantes sincronizadas con la frecuencia fundamental de forma que
a dicha frecuencia:
1 LS =
1
1 C S
E 7. 40
1
1 L p =
1 C p
con lo que:
Z s1 = j 1 LS j
1
=0
1CS
E 7. 41
=
=
( j1L p ) + j 1C
1 p
( j L ) j
1
Z p1
1
1 C p
y por tanto, la cada de tensin en la rama serie es nula y el consumo de intensidad en

la paralela tambin lo es.
La atenuacin de un filtro de este tipo para un armnico de orden n puede
deducirse sustituyendo en la ecuacin 7.39 las expresiones de Zsn y Zpn para la frecuencia n1 y resulta:
VoFn
=
Von
E 7. 42
2
1 Cp
1 n
n Cs
7.4.2 DISEO DE UN FILTRO DE TENSIN.

Para disear un filtro de tensin a la salida de un inversor y para el caso genrico de que RL sea mucho mayor que R hacemos las siguientes consideraciones:
L
La ganancia G 1.
La pulsacin de esquina n toma el

valor:
RL
1
LC
Para el factor de amortiguamiento tomamos:
R C
2 L
La definicin de estos parmetros tambin puede hacerse teniendo en cuenta

lo siguiente:
a) RL /R suele ser mayor que diez.
b) R suele tener un valor pequeo, el suficiente para que 0.4 < < 0.7.
c) Cuando RL disminuye ocurre que:
o
o
o
o
G disminuye (se atena el armnico principal).

n aumenta (disminuye la atenuacin de los armnicos de alta frecuencia no deseados).
aumenta (el sistema se hace ms amortiguado, ms estable, pero
atena la magnitud del armnico principal).
La frecuencia de esquina viene determinada por n = 1/T,
f = n /2.
Ejemplo 7.13
Simular con Pspice el circuito inversor de batera de toma media de la
figura al que se le aplica un circuito de control que produce una modulacin en anchura de un pulso por semiperodo.
RF
Rg1
6
V1
Q1
D1
Vg1
R2
RO
+ E1
-
R IN
CO
Q2
Rg2
V2
R1
D2
Subcircuito
RL
Vg2
15
Vr1
17
16
5
Rr1
Vr2
R r2
Vc
Rc
Datos para la simulacin:

ndice de modulacin M = 0.6
AC = 50 V.
RL = 100
Rg1 = Rg2 = 100
f = 60 Hz.
R = 0.4
L = 0.1 H.
C = 10 mF.
V2 = 100 V.
V1 = 100 V.
Los valores para el circuito de control son los mismos que para
ejemplos anteriores.
a) Obtener las siguientes grficas: Tensin antes del filtro. Tensin de spus del filtro y anlisis espectral de esta tensin. Intensidad por D1 .
b) Listado de la simulacin.
Solucin:
a) Las grficas son:
Date/Time run: 03/05/96 10:34:05
200V
Temperature: 27.0
(15.083m,100.873)
(8.3333m,100.782)
100V
0V
(1.6525m,-1.1860)
Fig.7. 59
Tensin de salida
sin filtro.
-100V
-200V
0s
2ms
4ms
6ms
8ms
10ms
12ms
14ms
16ms
18ms
v(3,0)
Time
Date/Time run: 03/05/96 10:34:05
Temperature: 27.0
(6.5756m,98.828)
80V
40V
(8.3500m,3.6264)
-0V
(1.6525m,16.993m)
-40V
Fig.7. 60
Tensin a la salida
despus del filtro.
-80V
0s
2ms
4ms
6ms
8ms
10ms
12ms
14ms
16ms
18ms
v(9,0)
Time
Date/Time run: 03/05/96 10:34:05

100V
Temperature: 27.0
FUNDAMENTAL
(59.988,90.249)
80V
60V
ARMONICO 3
40V
(179.964,18.913)
Fig.7. 61
Anlisis espectral
de la tensin de
salida filtrada.
ARMONICO 5
20V
(299.940,17.871)
0V
0H
200H
400H
600H
800H
v(9,0)
Frequency
Date/Time run: 03/05/96 10:34:05
Temperature: 27.0
1.2A
(15.083m,1.0205)
1.0A
0.8A
0.6A
0.4A
Fig.7. 62
Intensidad en D1
(15.814m,-157.815p)
(15.069m,-199.983p)
0.2A
-0.0A
12ms
13ms
14ms
15ms
16ms
17ms
18ms
I(D1)
Time
El tipo de filtro empleado es un filtro de tensin RLC en donde la carga se ha

situado en paralelo con el condensador C, la bobina se ha colocado en serie para que
limite la velocidad de subida de la intensidad a la salida del inversor ante una situacin
de cortocircuito a la salida (esto se aprecia comparando las figuras 7.59 y 7.60).
Se ha empleado un filtro de tensin porque a pesar de que en los filtros de
corriente la eficacia en la eliminacin de armnicos mejora sustancialmente aumentando el valor de la bobina en serie, en stos, los de tensin, la eliminacin de armnicos ser ms eficaz si se conecta en la rama paralelo y directamente a la salida un elemento capacitivo, como se aprecia en la figura 7.61.
En la figura 7.62 se puede observar que el perodo de conduccin de los diodos es aproximadamente una octava parte de cada semiperodo, esto es debido al bajo
desfase entre la tensin y la intensidad al emplearse un valor de impedancia capacitiva
muy prxima a la inductiva para reducir las prdidas de tensin en la bobina y de intensidad en el condensador.
b) El listado:
* INVERSOR DE BATERIA DE TOMA MEDIA CON MODULACION DE UN
*PULSO POR SEMIPERIODO Y FILTRO DE TENSION A LA SALIDA.
* Definicion de los transistores del puente inversor:
Q1 1 2 3 QMOD
Q2 3 4 5 QMOD
D1 3 1
DMOD
D2 5 3
DMOD
RG1 2 6
100
RG2 4 7
100
* Bateria de toma media:
V1 1 0
100V
V2 0 5
100V
* Filtro:
L 3 8
0.1H
R 8 9
0.4
C 9 0
0.01F
* Carga:
RL 9 0
100
* Subcircuitos excitadores de los transistores:
XPWM1 17 15 6 3 PWM
XPWM2 17 16 7 5 PWM
* Generacion de las senales portadora y de referencia:
VC 17 0 PULSE(50 0 0 4166.6666U 4166.6666U 1N 8333.3333U)
RC 17 0 2MEG
VR1 15 0 PULSE(0 -30 0 1N 1N 8333.3333U 16666.6666U)
RR1 15 0 2MEG
VR2 16 0 PULSE(0 -30 8333.3333UM 1N 1N 8333.3333U 16666.6666U)
RR2 16 0 2MEG
* Subcircuito comparador y amplificador:
.SUBCKT PWM 1 2 3 4
R1 1 5 1K
R2 2 5 1K
RIN 5 0 2MEG
RF 5 3 100K
RO 6 3 75
CO 3 4 10P
E1 6 4 0 5 2E+5
.ENDS PWM
.PROBE
.FOUR 60HZ V(9,0)
.TRAN 10U 16.67M 0 10U
.ac lin 101
10
1.000k ; *ipsp*
.END
Para la obtencin de un pulso por semiperodo, utilizamos una seal de referencia cuadrada que corta a una triangular de la misma frecuencia, posteriormente
amplificamos dicha diferencia y la aplicamos a los transistores del puente. Esto se
puede apreciar en el listado anterior en los apartados Generacin de las seales portadora y de referencia y Subcircuito comparador y amplificador respectivamente.
El filtro utilizado se define en el apartado Filtro del listado en el que se puede apreciar que se trata de un filtro de tensin serie conectado entre los nudos (3) y (0)
en el que la carga se conecta en paralelo con el condensador tal y como se muestra en
el grfico del enunciado.
Ejemplo 7.14
Dado el circuito inversor de la figura, se pide disear y calcular el
filtro de tensin que presenta entre los nudos (4) y (6). Los valore s de
los componentes tomados para el puente inversor son los mismos que
para el ejemplo 7.12.
Se debe controlar la tensin de salida con un circuito comparador como el
del eje mplo 7.13 que proporcione una modulacin senoidal con cinco pulsos por
semiperodo y un ndice de modulacin M = 0.9. Los valores de los componentes
del circuito comparador se tomarn del ejemplo 7.12.
VY
1
RL
Q1
Rg1
Q3
D1
7
Vg1
VX
VS
3
Rg4
20
21
Q2
D4
12
Vg3
19
14
Q4
Rg3
11
D3
D2
Rg2
Vg4
10
Vg2
Como especificaciones tenemos que: f = 600 Hz. y RL = 100

Asimismo obtener las grficas: Tensin antes del filtro. Tensin despus
del filtro. Anlisis espectral de la tensin de salida. Listado para la simulacin.
Solucin:
Para disear el filtro de tensin utilizaremos el mtodo expuesto en teora.
Suponiendo un valor n = 4200, asignando un valor a R = 0.4 (R debe ser mucho
menor que RL ) y tomando = 0.6 (donde 0.4 < < 0.7) tenemos que:
R C
=
= 0.6
2 L
n =
1
LC
C
1.2 = R
L
LC =
1
n2
1.2 = C
L
0.4
C=
C = 9L
1
Ln2
igualando ambas ecuaciones:
9L =
1
Ln2
L2 =
1
9n2
1
9n2
L=
y como n = 4200 = 73.30 rad/seg. Tenemos finalmente que:

C = 40.92 F
L = 4.54 mH
R = 0.4
Las grficas ms significativas se muestran a continuacin:
Date/Time run: 03/05/96 13:14:43

120V
Temperature: 27.0
80V
40V
-0V
-40V
Fig.7. 63
Tensin de salida
sin filtro.
-80V
-120V
0s
1.0ms
2.0ms
3.0ms
4.0ms
5.0ms
6.0ms
7.0ms
8.0ms
9.0ms
v(6,4)
Time
Date/Time run: 03/05/96 13:14:43

100V
Temperature: 27.0
50V
0V
-50V
Fig.7. 64
Tensin de salida
despus del filtro.
-100V
0s
1.0ms
v(20,4)
2.0ms
3.0ms
4.0ms
5.0ms
6.0ms
7.0ms
8.0ms
9.0ms
Time
Date/Time run: 03/05/96 13:14:43
Temperature: 27.0
FUNDAMENTAL
(600.024,64.790)
60V
ARMONICO 9
40V
(5.4002K,20.835)
ARMONICO 11
(6.6003K,22.784)
Fig.7. 65
Anlisis espectral
de la tensin de
salida filtrada.
20V
0V
0H
2KH
4KH
6KH
8KH
10KH
12KH
v(20,4)
Frequency
Comparando las figuras 7.63 y 7.64 podemos ver el efecto que produce el filtro en la reduccin de picos de tensin. La supresin de los armnicos n3 y n5 que se
puede apreciar en la figura 7.65 es un efecto producido por la modulacin senoidal. La
atenuacin que produce el filtro sobre el resto de los armnicos ser comprobable con
la simulacin del ejemplo sin filtro y comprobando que dichos armnicos (superiores
al quinto) tienen una amplitud ligeramente mayor.
Para eliminar el filtro basta con introducir un asterisco * al principio de cada
lnea que deseemos eliminar.
El listado para la simulacin:
*INVERSOR MONOFASICO CON MODULACION SENOIDAL DE 5
*PULSOS POR SEMIPERIODO Y FILTRO DE TENSION A LA SALIDA
Q1 2 7 3 QMOD
Q2 6 9 0 QMOD
Q3 2 11 6 QMOD
Q4 3 13 0 QMOD
RG1 8 7
100
RG2 10 9
100
RG3 12 11
100
RG4 14 13
100
D1 3 2
DMOD
D2 0 6
DMOD
D3 6 2
DMOD
D4 0 3
DMOD
* Fuentes C.C. del circuito:
VX 3 4
0
VY 1 2
0
* Bateria C.C.:
VS 1 0
100V
* Filtro de tension:
L 6 20
0.004547H
R 20 21
0.4
C 21 4
0.04092F
* Carga:
RL 21 4
100
* Generacion de las senales de referencia y portadora:
VC 17 0
PULSE(50 0 0 83.33333U 83.33333U 1N 166.666667U)
RC 17 0
2MEG
VR1 15 0
SIN(0 -45 600 0 0 0)
RR1 15 0
2MEG
VR2 16 0
SIN(0 45 600 0 0 0)
RR2 16 0
2MEG
* Subcircuitos excitadores de los transistores:
XPW1 17 15 8 3 PWM
XPW2 17 15 10 0 PWM
XPW3 17 16 12 6 PWM
XPW4 17 16 14 0 PWM
* Subcircuito comparador y amplificador:
.SUBCKT PWM 1 2 3 4
R1 1 5
1K
R2 2 5
1K
RIN 5 0
2MEG
RF 5 3
100K
RO 6 3
75
CO 3 4
10P
E1 6 4 0 5 2E+5
.ENDS PWM
.TRAN 100US 8.333MS 0 100US
.PROBE
.OPTIONS ABSTOL=1.00N RELTOL=0.01 VNTOL=0.1
.FOUR 600HZ V(3,6)
.END
Nota: Recordamos que si se desea eliminar algn componente para la simulacin habr que reajustar el valor de los nudos en el listado.
Ejemplo 7.15
El inversor en puente monofsico de la figura tiene una carga RLC tal
que:
Q3
Q1
D1
D3
CARGA
RLC
S
Q4
D4
R = 10 , L = 31.5 mH, C = 112

F, VS = 220 V y f = 60 Hz.
Q2
D2
La tensin de salida tiene

dos huecos o dientes por cuarto de
ciclo para eliminar el tercer y el
quinto armnico, se pide:
a) La expresin de la intensidad instantnea io (t) en la carga.

b) Si se usa un filtro en C para eliminar el sptimo armnico y los de orden
ms alto que ste, determinar la capacidad del filtro Ce.
Solucin:
Para calcular la impedancia que presenta la carga, previamente hay que calc ular las reactancias que producen la bobina y el condensador:
= 2f = 260 = 377 rad / seg .

X L = j 2 n f L = j 2 n 60 31.5 10 3 = j11.87 n
XC =
j
j
j 23.68
=
=
6
2 n f C 2 n 60 112 10
n
la impedancia, por tanto, ser:
23.68
Z n = 10 + 11.87 n
11.87 n 23.68
n = arctg1.187 n 2.368
n = arctg
10
a) La ecuacin siguiente nos da los coeficientes de la serie de Fourier:
Bn =
+
1
2
4
4
V S sen(n t )d ( t ) VS sen (nt )d ( t ) +
0
1
4
4 1 2 cos(n1 ) + 2 cos(n2 )
VS 2 sen(n t )d ( t ) = VS
2
por tanto, tal y como se vio en la teora, para 1 = 23.62 y 2 = 33.3 se eliminan el
tercer y el quinto armnico. Sustituyendo stos en la ecuacin anterior, obtendremos
los coeficientes de Fourier que se necesitan para el clculo de la tensin instantnea de
salida, que viene dada por:
v o (t ) =
B sen (n t )
n =1 ,3 , 5...
resultando:
v o (t ) = 235.1 sen(377t ) + 69.4 sen(7 377t ) + 85.1 sen(9 377t ) + ...

dividiendo esta tensin entre la impedancia de la carga obtendremos la intensidad
instantnea en la carga:
io (t ) = 15.19 sen(377t + 49.74 ) + 0.86 sen (7 377t 82.85 ) +

+ 1.09 sen(9 377t 84.52) + ...
b) Los armnicos superiores al de orden siete se reducen significativamente
si la impedancia del filtro es mucho menor que la de la carga, una proporcin de 10:1 es normalmente la adecuada:
Z n = 10 X e
donde el valor de la impedancia del filtro es:
Xe =
1
377nCe
por tanto, el valor de la capacidad del filtro viene dado por:
23.68
10
Z n = 10 2 + 11.87n
=
n
377 n Ce
para el sptimo armnico, n = 7 y despejando de la ecuacin anterior tendremos que:
Ce = 47.3 F
Ejemplo 7.16
Un inversor monofsico cuya frecuencia de funcionamiento es de 50
Hz, tiene a su salida un filtro resonante serie -paralelo y una carga
resistiva de valor R = 120 . Calcular los componentes del filtro para
obtener un factor de distorsin armnica menor al 5% en circuito abierto. La
modulacin se realiza mediante un pulso por semiperodo.
Solucin:
El contenido de armnicos de un inversor modulado mediante un pulso por
semiperodo es proporcional a 1/n. La ecuacin 7.42 nos indicar el valor de los componentes:
VoFn
=
Von
1
1
2
Cp
1
n
Cs
n
Tomando una constante A del siguiente valor:
A=
Cs L p
=
C p Ls
tenemos que la ecuacin queda como:
VoFn
=
Von
1
1
1
1 n
A
n
como el armnico de mayor orden es el tercero, tomaremos que la distorsin de ste

debe contribuir en un 4% del total, por tanto:
4
1
=
2
100
1 1
1 3
3
A
3
A = 0.7619
y como LS debe ser mucho menor que la carga (aproximadamente el 30% de sta)
para que no se produzca cambios de tensin excesivos frente a variaciones en la carga,
obtendremos:
2 50 LS = 0.3 120
LS =
120 0.3
= 0.115 H
250
y como:
A=
CS L p
=
C p LS
el valor de la bobina en paralelo ser:
L p = A LS = 0.7619 0.115 = 0.087 H

Los valores de los condensadores los obtenemos de la ecuacin 7.40:
1 =
1
LS C S
1
Lp Cp
por tanto:
CS =
1
1
=
= 88.1 F
2
LS 1 0.115(2 50 )2
Cp =
CS
88.1
=
= 115.64 F
A 0.7619
Ejemplo 7.17
Disea un filtro LC pasabajo para un inversor en puente monofsico
con control PWM senoidal con once pulsos por semiperodo para que
la amplitud del componente armnico de orden once no exceda del 4%
siendo el coeficiente de Fourier de ste armnico b11 = 0.601. La tensin de salida
es Vo = 240 V, la frecuencia f = 50 Hz y la intensidad de salida I o = 16 A siendo la
carga resistiva.
Solucin:
El filtro LC se muestra en la figura y su ecuacin de definicin viene dada por:
Ls
Von
Von
V
= oFn
LS + C p // R C p // R
Cp
VoFn
VoFn LS + C p // R
1
=
=
jL
Von
C p // R
1 2 CL +
R
La frecuencia de resonancia debe ser mayor a 50 Hz y no ser mltiplo de sta

para no afectar al fundamental, tomamos, por ejemplo, fr = 140 Hz y tendremos:
fr =
LS C p =
2 LS C p
1
= 1.29 10 6
2
(2 140 )
El valor de la resistencia es:
R=
240
= 15
16
La frecuencia del armnico del orden 11 es f11 = 550 Hz y su amplitud es:
V11 = b11 Vo = 0.601 240 = 144.24 V

que debe ser atenuada por el filtro hasta el 4% de la tensin de salida, es decir, hasta:
VoFn =
240 4
= 9.6 V
100
sustituyendo estos datos en la ecuacin de definicin del filtro tendremos:
VoFn
9.6
=
=
Von 144.24
1 (2 550)2 1.29 10 6 + j 2 550 S

15
de donde despejando, LS = 0.018 H. Por tanto, el condensador presentar una capacidad:
Cp =
1.29 10 6
= 72 F
0.018
7.5 Inversor como fuente de intensidad

En los inversores vistos hasta ahora los circuitos de potencia se comportaban frente a la carga como una fuente de tensin que, al menos tericamente, no cambia la
forma de onda de la tensin de salida ni su valor al variar la carga y s lo hace la intensidad de salida fluctuando de positivo a negativo y viceversa. Por el contrario, en el
circuito inversor como fuente de intensidad no existe este efecto ya que tiene como
entrada una fuente de este tipo y la intensidad de salida se mantiene constante independientemente de la carga, siendo la tensin la forzada a cambiar.
Fuente de alimentacin
continua variable
IL
+
Le
L
Q1
+ VS
Q3
D3
D1
VS
Dm
Ce
i o(t)
Q2
D2
CARGA
En la figura 7.66, se
muestra un inversor monofsico
de este tipo en donde la bobina L
debe tener un valor muy alto
para que la intensidad se mantenga constante, siendo los diodos D1 , D2 , D3 y D4 , dispuestos
en serie con los transistores,
utilizados para bloquear las tensiones inversas en los transistores.
Q4
D4
Fig.7. 66
Inversor en fuente de corriente.
g1
t
Seales que se
aplican a las
bases de los
transistores de la
figura 1.1
g2
t
g3
t
g4
t
Intensidad en la
carga
IL
Fig.7. 67
Formas de onda en el inversor.
t
2
Intensidad del fundamental
Manteniendo excitados los transistores Q1 y Q4 se dirige la intensidad a la carga en sentido X Y, bloqueando dichos transistores y excitando Q2 y Q3 la intensidad se dirigir en sentido contrario al anterior. De esta forma, la carga siempre recibe
una onda cuadrada de intensidad de amplitud IL , dependiendo la tensin del carcter
de la carga conectada a la salida.
En la figura 7.67 se muestra la intensidad en la carga, la secuencia de conduccin de los transistores es: Q1 - Q2 , Q2 - Q3 , Q3 - Q4 y Q4 - Q1 , siendo la intensidad
instantnea en la carga calculada de la siguiente forma:
i o (t ) =
4 IL
n
sen
sen (n t )
2
n =1, 3 ,5 ... n
IL
T1
D1
VS
T3
C1
Vo
Io
T1
D3
T4
Io
T3
Vo
D3
CARGA
C2
(3)
T2
IL
T2
C1
T1
D1
VS
Io
Vo
Io
T3
D3
CARGA
D4
D2
D4
T4
C2
(2)
C1
D1
VS
D2
Io
+
T1
T3
D3
T4
(1)
L
Vo
Io
D4
T2
Io
CARGA
D2
D4
C1
D1
VS
CARGA
E 7. 43
D2
Io
C2
T4
T2
(4)
Fig.7. 68
Inversor monofsico con tiristores como fuente de intensidad. (1) Conduccin de T 1 y T 2. (2) Bloqueo
de T 1 y T 2 . (3) Conduccin de T 3 y T 4 . (4) Bloqueo de T 3 y T 4 .
Para un inversor en fuente de intensidad diseado con tiristores se necesita insertar dos condensadores entre las ramas del inversor como se muestra en la figura
7.68.
El funcionamiento del circuito considerando los diodos ideales es el siguiente:
Grfica (1). En este perodo conducen los tiristores T1 y T2 y los condensadores C1 y C2 se cargan a la tensin Vo de la carga con la polaridad indicada en
la grfica.
Grfica (2). Disparando T3 y T4 bloqueamos los tiristores T1 y T2 mediante la

carga almacenada en el condensador que pone el ctodo de los tiristores a mayor tensin que el nodo. Cuando C1 y C2 terminan de cargarse, la corriente
seguir pasando por la carga a travs de D1 y D2 hasta que la intensidad en sta se invierta totalmente.
Grfica (3). Los condensadores se vuelven a cargar con la tensin Vo y la polaridad indicada en la grfica. La intensidad que recorre la carga es opuesta a
los casos anteriores.
Grfica (4). Los tiristores T3 y T4 se extinguen disparando T1 y T2 . Cuando C 1

y C2 terminan de cargarse, la corriente seguir pasando por la carga a travs de
D3 y D4 hasta que la intensidad se invierta totalmente.
Los condensadores C1 y C2 se cargan y descargan en proporcin a la intensidad que circula por la carga, Im = IL .
El tiempo de conmutacin depender de la amplitud de la intensidad y de la
tensin en la carga.
L
IL
Q1
D1
Vs
Q5
Q3
D3
D5
b
Q4
c
Q6
D6
D4
Ia
Q2
Ib
Fig.7. 69
Circuito inversor trifsico en fuente
de intensidad.
Ic
D2
R
R
R
n
La figura 7.69 muestra el diagrama de un circuito inversor trifsico en fuente

de intensidad, las formas de onda de las seales de puerta y las intensidades de lnea
para una conexin en estrella de la carga se muestran en la figura 7.70.
6 0 120 180 240 300 360
g
g
Seales
de puerta
g
g
g
g
Intensidades
de lnea
t
t
I c
Fig.7. 70
Formas de onda.
En este circuito slo conducen dos transistores a la vez para un determinado

instante puesto que cada rama conduce para 120 siendo la intensidad que circula por
la fase a la calculada mediante la siguiente expresin:
i a (t ) =
4 IL
cos
sen n t +
6
6
n =1, 3 ,5 ... n
E 7. 44
El inversor en fuente de intensidad (CSI) es un doble inversor en fuente de

tensin (VSI), la tensin de lnea de un VSI tiene una forma de onda similar a la intensidad de lnea de un CSI, sin embargo, ste presenta una serie de ventajas que resumimos a continuacin:
a) La corriente continua es limitada y controlada desde la entrada, por tanto,
si se dispara mal un transistor no debera causar ningn problema.
b) La intensidad de pico del circuito de potencia es limitada.
c) La conmutacin de las ramas del circuito para tiristores se realiza de una
forma bastante sencilla.
d) Este circuito presenta la posibilidad de conducir la intensidad reactiva sin
diodos en antiparalelo.
7.6 Disparo y conmutacin de un inversor

Ya se ha visto que el correcto funcionamiento de los inversores est basado en
que el disparo (paso a conduccin) y conmutacin (bloqueo) de los transistores o tiristores se realicen en los instantes apropiados.
V
+
A1
Generador
de onda
triangular
a Q1
Fig.7. 71
Circuito de disparo.
A2
a Q2
Aunque los transistores tambin se pueden autoexcitar por el propio circuito

inversor (son los llamados inversores autoexcitados que se vern en la pregunta siguiente), para la generacin de los impulsos de disparo se aplica lo dicho para los inversores estudiados hasta ahora, tanto si se utilizan transistores como tiristores. Si, por
ejemplo, cogemos un inversor que emplee la tcnica de modulacin senoidal de varios
impulsos por semiperodo se podra utilizar como esquema de principio el circuito de
la figura 7.71.
El generador de onda triangular produce una seal de salida como la representada en la figura 7.72, esta onda se lleva directamente a un comparador A1 donde se la
compara con una seal de referencia.
VS
2
Ac
Ar
Fig.7. 72
Onda triangular, senoidal y
de salida.
1
tp
t
1
2f
Cuando la seal senoidal sea mayor que la triangular tendremos a la salida del
comparador A1 un 1 lgico, por el contrario, cuando la onda triangular sea mayor
que la senoidal se tendr un 0 lgico, obteni ndose durante el primer semiciclo de la
onda senoidal el tren de impulsos mostrado. Igualmente comparando con la seal senoidal invertida se obtendrn los impulsos necesarios para el semiciclo negativo.
Con los impulsos del primer semiciclo se dispara el tiristor o transistor 1 y con
los del segundo semiciclo el tiristor o transistor 2 si se trata, por ejemplo, del circuito
de potencia de un inversor con transformador de toma media.
En cuanto al paso de conduccin a bloqueo, en el caso de que el circuito de
potencia contenga a transistores de unin o de efecto de campo basta con suprimir la
seal en el terminal de puerta, es decir, para el ejemplo del caso de la figura 7.71 los
mismos impulsos generados produciran el disparo y bloqueo de los transistores.
En el caso de que en el circuito de potencia halla tiristores, la conmutacin se
puede hacer por carga o forzada. En el supuesto de que el control se haga mediante la
modulacin de un slo impulso por semiciclo, para que la conmutacin se produzca de
una forma natural por carga, la naturaleza de la carga ha de ser tal que la corriente se
ha de anular antes de que comience el siguiente semiciclo. Esta condicin exige que la
corriente est adelantada con respecto a la tensin, para lo cual la carga ha de ser predominantemente capacitiva. Tambin se puede lograr la conmutacin por carga eligiendo los valores del condensador y de la bobina para que el circuito entre en resonancia.
En el caso de que la carga no sea capacitiva hay que efectuar una conmutacin
forzada.
Ejemplo 7.18
Comprobar que utilizando una sola seal alterna se puede disear un
circuito de control como el de la figura 7.71. Simula con Pspice un
circuito de control PWM senoidal utilizando una sola fuente de alterna.
Solucin:
R1
1
8
2
A LA PRIMERA RAMA
741
R3
6
11
VS1
5
R4
VT
8
7
741
R2
3
L1
L2
A LA SEGUNDA RAMA
Fig.7. 73
Circuito para Pspice.
10
11
El esquema del circuito empleado para la simulacin lo mostramos en la figura anterior, en ste se emplean dos circuitos operacionales UA741 que estn disponibles en la librera MEUHP.LIB. Uno de los operacionales necesitar la seal alterna
invertida para generar los impulsos de una de las ramas.
Como se explica en teora, esto lo conseguimos utilizando dos bobinas acopladas magntic amente. Su listado correspondiente:
*(T7E18.CIR) SIMULACION DEL EJEMPLO 7.18

*DISPARO Y CONMUTACION DE UN INVERSOR CON COMPARADORES.
* Tension de referencia:
VS1 1 0 SIN(0 8 50)
* Portadora:
VT 5 0 PULSE(0 12 0 1M 1M 0.1N 2M)
* Resistencias de polarizacion de los amplificadores operacionales:
R1 1 2 1
R2 3 4 1
R3 5 6 1
R4 5 7 1
* Bobinas acopladas:
L1 2 0 10H
L2 0 3 10H
K12 L1 L2 0.999
* Fuentes c.c. de alimentacion de los operacionales:
VC1 8 0 19
VC2 0 11 19
* Amplificadores operacionales:
XA1 2 6 8 11 9 UA741/TI
XA2 4 7 8 11 10 UA741/TI
.LIB C:MEUHP.LIB
.PROBE
.FOUR 50HZ V(9,0)
.tran 1.000u 40M 50U
; *ipsp*
.END
La figura 7.74 nos muestra los pulsos que se deben aplicar a una rama del
inversor, que corresponden a los primeros semiciclos de la seal de salida.
Los operacionales actan a modo de comparadores, de forma que si la tensin
senoidal, aplicada en el terminal positivo, es mayor que la de referencia, aplicada al
terminal negativo, el operacional se satura a positivo y cuando es menor se satura a
negativo. De esta forma se obtienen los pulsos que se aplican a la base de los transistores (o a las puertas de los tiristores) de cada rama del inversor. Recordando la modulacin PWM senoidal, la anchura de estos pulsos dependen de las amplitudes de las dos
ondas a comparar, como consecuencia, esta es variable en cada semiciclo.
La figura 7.75 muestra los pulsos que se deben aplicar a la otra rama del inversor, que corresponder a los segundos semiciclos de la seal de salida.
Date/Time run: 04/08/96 16:58:29
20V
Temperature: 27.0
IMPULSOS PARA LA
(8.2552m,17.006)
PRIMERA RAMA
0V
(8.4560m,-17.002)
-20V
v(9,0)
18V
VT
(25.132m,7.9931)
Fig.7. 74
Generacin de pulsos en
el primer semiciclo.
0V
VS1
(15.000m,-8.0000)
-12V
0s
5ms
v(1,0)
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
v(5,0)
Time
Date/Time run: 04/08/96 16:58:29

20V
Temperature: 27.0
IMPULSOS PARA LA
(18.331m,16.986)
SEGUNDA RAMA
0V
(18.522m,-17.005)
-20V
V(10,0)
18V
(1.0000m,12.000)
VT
(15.000m,7.9945)
Fig.7. 75
Generacin de impulsos
para el segundo semiperodo.
0V
VS1
(5.0000m,-7.9895)
-12V
0s
5ms
V(5,0)
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
V(3,0)
Time
7.7 Aplicaciones
Actualmente existen multitud de aplicaciones para los convertidores DC/AC.
Entre ellas puede citarse el control de motores de corriente alterna, donde se hace necesario un rectificador controlado para convertir a continua la seal alterna y regular la
potencia entregada al motor, para despus volver a ondular la seal mediante un inversor. Otro ejemplo de aplicacin de los inversores u onduladores es el de la recuperacin de la energa rotrica de un motor donde, mediante escobillas se recoge la energa
que se pierde por rozamiento en el rotor de ste y, a travs de un inversor, se convierte
a la tensin y frecuencia necesarias para devolverla a la red.
Sin embargo, las dos aplicaciones que se han considerado como ms generalizadas en la actualidad son los sistemas de alimentacin ininterrumpida de C.A. y los
sistemas de conversin de energa fotovoltaica.
7.6.1 SISTEMAS DE ALIMENTACIN ININTERRUMPIDA DE C.A.
Estos sistemas se encargan de proveer de energa a una instalacin cuando falla la tensin de red y constan de tres partes esencialmente. La primera es especfic amente un rectificador que se encarga de alimentar las bateras de C.C. cuando la tensin de red no est cortada, segn podemos ver en la figura 7.76. La segunda parte es
el inversor que se necesita para convertir la energa de la batera a alterna, siendo la
tercera parte del sistema los interruptores necesarios para aislar al inversor de la red.
Red c.a.
Fig.7. 76
Esquema de carga de las bateras
En la figura 7.77 se muestra un sistema de alimentacin completo de tres ramas con un interruptor esttico en cada una de ellas para aislarlas cuando una de ellas
falla y que de esta forma no se vea perturbada la alimentacin de la carga.
Cada rama tiene una potencia igual a 1/m de la potencia de la carga (m n).
Se llama "grado de redundancia al cociente" a la relacin:
Potencia del sistema Potencia de la c arg a

Potencia de la c arg a
cuyo valor es (n - m)/m. Por ejemplo, si se dispone de seis mdulos de potencia igual
a la cuarta parte de la carga, el grado de redundancia es (n = 6, m = 4) igual al 50%.
Ya se ha visto que si falla la red la alimentacin est asegurada gracias a las
bateras. Si falla un nmero de inversores menor o igual a (n - m), la carga sigue alimentada por los restantes. Pero si el nmero de inversores que falla es mayor a (n - m),
los inversores que quedan no pueden seguir alimentando a la carga y entonces se hace
una transferencia a red, es decir, se cierra el interruptor de red y se abren los de
cada rama. De esta manera la alimentacin se recibe directa e ntegramente de la red
hasta que se efecte la reparacin y halla un nmero mayor o igual a m de inversores sanos, momento en el que se hace una transferencia de red a inversores.
Interruptor
Esttico
Red
c.a.
Rectificador
Inversor
Interruptor
Esttico
Rectificador
Inversor
Interruptor
Esttico
Inversor
Interruptor
Esttico
Carga
Rectificador
Fig.7. 77
Diagrama general de bloques de un S.A.I. de C.A.
La transferencia a red tambin puede desencadenarse, aunque no falle ningn

inversor, sie mpre que la carga demande una fuerte punta transitoria de intensidad, por
ejemplo, al arrancar un motor. Hay que recurrir a la red puesto que como se sabe los
inversores poseen una limitacin interna de intensidad para proteger a sus tiristores y
asegurar su correcto bloqueo y de no hacerlo, se producira una cada transitoria en la
tensin de salida.
El correcto funcionamiento exige que permanentemente sean iguales la frecuencia y la fase de las tensiones de salida de los inversores y de la red.
Para bajas potencias lo ms normal es que n = 1, configuracin en que la relacin coste - fiabilidad tiene el mayor valor. Por encima de 300 KW es mejor poner
varios mdulos para poder suministrar la potencia (n > 1) que poner un slo mdulo
asociando en serie y en paralelo sus tiristores.
A veces se da tambin el caso de usar varios mdulos sin la ayuda de la red
como fuente alimentadora directa, sobre todo cuando la carga debe ser alimentada a
una frecuencia distinta de la de la red.
Entre las aplicaciones de los S.A.I. de C.A. destacan la alimentacin de instrumentacin de plantas qumicas y de gas, sistemas de control de transmisin de procesos, para instalaciones de tiempo compartido, equipos para comunicaciones en aeropuertos, acondicionamientos industriales, etc.
7.6.2 SISTEMAS DE CONVERSIN DE ENERGIA FOTOVOLTAICA.

El problema de las fuentes de energa convencionales es que se degeneran rpidamente con el correspondiente incremento del coste, mientras que la energa fotovoltaica ofrece una fuente alternativa prometedora, la nica desventaja es que el coste
de la instalacin inicial es considerablemente alto. Las fuentes de energa fotovoltaica
se han establecido mejor en aplicaciones espaciales donde el coste de los sistemas de
conversin no es considerable, pero sus aplicaciones terrestres estn muy limitadas en
la actualidad.
CORRIENTE DE CONEXIN
DEL FILTRO
FILTRO
120 HZ.
SEAL DEL
RECTIFICADOR
DC
AC
AC
INVERSOR
DE ALTA
FRECUENCIA
TRANSFORMADOR DE
ALTA FRECUENCIA
TENSIN DE RED
AC
DC
RECTIFICADOR
DE ALTA
FRECUENCIA
DC
INVERSOR
Fig.7. 78
Esquema de conversin de potencia
en conexin de alta
frecuencia.
CONVERTIDOR AC - AC
PANEL
FOTOVOLTAICO
INTENSIDAD DEL PANEL

TENSIN DEL TRANSFORMADOR
TENSIN DE SALIDA EN
FASE CON LA TENSIN DE RED
Con las tcnicas de investigacin presentes el coste de la clula fotovoltaica se

espera que descienda en el futuro sustancialmente, hacindolas atractivas para aplic aciones terrestres.
En un sistema fotovoltaico residencial (de unos pocos kilowatios) la potencia
disponible, que vara con la radiacin solar y la temperatura, se convierte con un inversor a la tensin alterna de la lnea de consumo. La carga del consumidor se conecta
al terminal de alterna y en das de sol, la potencia solar abastece al consumidor y la
sobrante se devuelve a la lnea de consumo; en das nublados o despus del ocaso, la
lnea de consumo es la que abastece a la carga.
Este apartado describe un control mediante microprocesador de un sistema
fotovoltaico residencial, donde el microprocesador es el responsable del control de la
potencia alterna de salida de acuerdo con el sistema generador de la potencia continua,
manteniendo una condicin de factor unidad en el terminal de alterna. El microprocesador tiene tambin las funciones de detectar la potencia mxima y mantener al inversor operando dentro de una zona segura de tensin e intensidad.
El esquema de conversin de potencia usado en los sistemas actuales se muestra en la figura 7.78.
Bsicamente la potencia continua es convertida a la lnea a travs de una conexin por transformador de alta frecuencia. La tensin continua fotovoltaica se convierte primero a alta frecuencia mediante un inversor que se acopla mediante transformador a un convertidor AC/AC para obtener la intensidad de la lnea de consumo.
El convertidor AC/AC consta de un rectificador de alta frecuencia, un filtro y
un inversor tal y como se muestra en la figura 7.78 en la que se indica tambin las
formas de onda de los diferentes estados de conversin. Comparado con el diseo
convencional de conmutacin aislado, el diseo de conexin de alta frecuencia usado
aqu permite una considerable reduccin en peso del convertidor de potencia y suavizar la fabric acin de la seal de intensidad senoidal de salida en fase con la tensin de
lnea.
Naturalmente, la conversin de potencia multietapa es algo ms cara e influye
negativamente en el rendimiento del convertidor. El aislamiento elctrico en una conexin de alta frecuencia es esencial debido a que permite un sistema de fcil conexin con tierra, flexibilidad en la eleccin del rango de tensin del montaje, un sistema aislante de utilidad en caso de fallo y proteccin del personal.
El circuito de potencia est detallado con el diagrama de bloques del controlador y se muestra en la figura 7.79.
El sistema de tensin continua variable se convierte a alterna de alta frecuencia con un inversor en puente completo con transistores, el cual opera en un rango de
frecuencia de 10 - 16 KHz.
La tensin alterna tiene en la conexin de alta frecuencia un control PWM que
la modula senoidalmente hasta conseguir una seal de 50 Hz. La seal PWM de alta
frecuencia se rectifica con un puente de diodos el cual despus de filtrar las componentes portadoras tiene la forma de onda de un rectificador en puente. La intensidad
resultante de la conexin AC/DC es mandada alternativamente por el inversor que est
alimentado por la lnea de alterna para que est en fase con la tensin. El inversor de
alta frecuencia con el rectificador y el filtro en L se considera una conexin de alta
frecuencia c.c.-c.c. buck chopper donde los transistores son controlados para sintetizar un rectificador en puente en la conexin de continua.
El chopper opera como un rectificador de onda completa y contador de seal
EMF grabado por la inversin de polaridad del inversor. En vista de que la potencia a
la frecuencia del fundamental de la seal de salida del convertidor ha de compensar la
salida, la corriente del sistema flucta con un armnico de orden dos elevado. Se ha
dispuesto un filtro por condensador de alta capacidad para suavizar la intensidad del
sistema.
CONTACTORES
INVERSOR
Q1
RECTIFICADOR
INVERSOR
Q5
Q2
T1
D1
Q6
CONTACTORES
D2
D5
Q3
Q4
D3
D4
TENSIN AC
Q7
Q8
CONTROL DE LAS
BASES DE LOS
TRANSISTORES
MICROPROCESADOR
Fig.7. 79 Circuito de potencia con controlador.
Bibliografa
(1) AGUILAR PEA J.D., GOMEZ LOPEZ J., MARTOS PARTAL M. Convertidores DC-AC. Coleccin de apuntes. Universidad de Jan 96/97.
(2) GUALDA J. A. , MARTNEZ S. Electrnica Industrial: Tcnicas de potencia.
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Segunda Edicin.
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CAPTULO 7

340 CONVERTIDORES ESTTICOS

7.1.1 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO.

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CAPTULO 7. CONVERTIDORES DC/AC 341

El circuito de la figura 7.2, tiene el inconveniente de necesitar una fuente con

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342 CONVERTIDORES ESTTICOS

7.2 Configuracin del circuito de potencia

7.2.1 TRANSFORMADOR CON TOMA MEDIA.

Juan D. Aguilar Pea. Departamento de Electrnica. Universidad de Jaen. Espaa

CAPTULO 7. CONVERTIDORES DC/AC 343

La tensin del punto A respecto del X es igual a VS y, segn los terminales

El interruptor IN2 tambin queda sometido a una tensin 2V S cuando est

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344 CONVERTIDORES ESTTICOS

a) Nmero de espiras del secundario

como las corrientes de cole ctor.

El circuito esquematiza a dos transistores en contrafase que trabajan en saturacin.

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CAPTULO 7. CONVERTIDORES DC/AC 345

a) Aplicando la relacin de transformacin:

Po ( RMS ) = Vo ( RMS ) I o (RMS ) =

La intensidad de pico en los transistores, teniendo en cuenta la intensidad

De la relaci n de transformacin tenemos que:

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346 CONVERTIDORES ESTTICOS

7.2.2 BATERIA CON TOMA MEDIA.

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CAPTULO 7. CONVERTIDORES DC/AC 347

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348 CONVERTIDORES ESTTICOS

siendo Ip el valor de pico de la intensidad de salida.

La tensin eficaz de salida viene dada por la siguiente expresin:

La tensin instantnea de salida expresada en series de Fourier ser:

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CAPTULO 7. CONVERTIDORES DC/AC 349

Si Io1(RMS) es la intensidad eficaz del fundamental en la carga, la potencia a la

Po1 (RMS ) = Vo 1( RMS ) I o1 (RMS ) cos 1 = I o21 ( RMS ) R =

c) La corriente media y de pico de cada

b) Potencia eficaz de salida Po(RMS) .

d) La tensin inversa de pico VQ(BR) de bloqueo cada transistor.

El factor de distorsin DF.

g) El factor armnico y el factor de distorsin del armnico de menor orden.

Vo1( RMS ) = 0.45 48 = 21.6 V

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350 CONVERTIDORES ESTTICOS

b) La potencia de salida se calcula como sigue:

c) La corriente de pico de cada transistor es:

Cada transistor conduce durante el 50 % de cada ciclo, por tanto, la corriente

21.6 2 = 0.4834 = 48.34%

como Vo(RMS) = 24 V y Vo1(RMS) = 21.6 V, los dems armnicos aportan:

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CAPTULO 7. CONVERTIDORES DC/AC 351

La tensin eficaz de todos los armnicos quedar, sustituyendo la igualdad

0.45 0.45 0.45 0.45 0.45

El factor de distorsin, ser:

g) El armnico de orden ms bajo es el tercero (armnico que produce mayor

Factor armnico (distorsin normalizada del tercer armnico):

Factor de distorsin del tercer armnico:

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352 CONVERTIDORES ESTTICOS

Las dems consideraciones para el anlisis se pueden observar en el listado de

Los valores tomados de la simulacin son: