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Guia de Electronica Basica
Guia de Electronica Basica
Estos cambios originan un aumento del numero de electrones liberados (o bien huecos)
conductores que transportan la energa elctrica.
Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que
estos huecos transportan carga positiva). ste es el origen fsico del incremento de la
conductividad elctrica de los semiconductores a causa de la temperatura.
La diferencia del nmero de electrones entre el material dopante (tanto si acepta como si
confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el nmero de electrones de
conduccin negativos o positivos.
Mirando la figura del centro puede verse la representacin del tomo de silicio. Note como los
electrones se distribuyen en los niveles. El tomo de silicio tiene 14 protones y 14 electrones.
El primero y segundo nivel estn completos, y hay cuatro electrones en el ltimo nivel. Estos
electrones del ltimo nivel se conocen como electrones de valencia y pueden ser compartidos
con otros tomos para formar enlaces.
GERMANIO
Un tomo de germanio est formado por un ncleo, el cual est rodeado por varias cadenas de
electrones y se ilustra en la figura anterior. Su ncleo est formado por 32 protones, mismos
que son la parte principal de su masa. Ya hemos visto en otras lecciones que los protones
poseen una carga positiva de electricidad. El ncleo est rodeado por 32 electrones, los que
giran en rbitas fijas. Los cuatro electrones de la rbita no son atraidos tan fuertemente por el
ncleo, como lo son los de las rbitas siguientes. A estos electrones se les da el nombre de
ELECTRONES DE VALENCIA ( ver figura 1b ), puede verse la carga neta resultante de 4
protones en el ncleo y 4 electrones en la rbita exterior.
5. Mencione la clasificacin de los semiconductores
Materiales semiconductores Tipo N, obtenidos al aadir impurezas como el Fsforo o el
Antimonio y se caracterizan por tener gran tendencia a ceder electrones (pues tienen en
exceso).
Muchos slidos amorfos son mezclas de molculas que no se pueden apilar bien. Casi todos
los dems se componen de molculas grandes y complejas. Entre los slidos amorfos ms
conocidos destaca el vidrio.
Un mismo compuesto, segn el proceso de solidificacin, puede formar una red cristalina o un
slido amorfo. Por ejemplo, segn la disposicin espacial de las molculas de slice (SiO2), se
puede obtener una estructura cristalina (el cuarzo) o un slido amorfo (el vidrio).
Materiales Monocristalinos
Constituidos por un solo tipo de red cristalina. Son sistemas homogneos de grano nico. Sin
discontinuidades. Alta resistencia y baja capacidad de deformacin.
Materiales Policristalinos
Tienen ms de un tipo de ordenamiento o estructura cristalina. Cada una de esas estructuras
se llaman granos. Estos se van ordenando en forma regular. Durante la solidificacin hay
competencia entre los cristales para ocupar el mayor espacio posible. Los extremos de los
cristales interaccionan entre s produciendo discontinuidades: limites de granos.
* Granos grandes: frgiles.
* Granos pequeos: dctiles.
7. Diga cual es la diferencia entre un semiconductor intrnseco y un extrnseco?
Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la siguiente forma:
1. Intrnsecos
2. Extrnsecos
Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que
no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la
cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda
prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda
de conduccin.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrnseco,
algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de
valencia se liberan de la atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los mismos. Esos
electrones libres saltan a la banda de conduccin y all funcionan como electrones de
conduccin, pudindose desplazar libremente de un tomo a otro dentro de la propia
estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una
corriente elctrica.
Como se puede observar en la ilustracin, en el
caso de los semiconductores el espacio
correspondiente a la banda prohibida es mucho ms
estrecho en comparacin con los materiales
aislantes. La energa de salto de banda (Eg)
requerida por los electrones para saltar de la banda
de valencia a la de conduccin es de 1 eV
aproximadamente. En los semiconductores de silicio
(Si), la energa de salto de banda requerida por los
electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de
germanio (Ge) es de 0,785 eV.
SEMICONDUCTORES "EXTRNSECOS"
Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta
alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su
cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se
dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de
otros elementos o "impurezas".
Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos
semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita [como el galio
(Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita [como el antimonio
(Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en
semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la corriente elctrica.
En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la
industria electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de
obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena,
uno de los materiales ms abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal
de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm
aproximadamente), pulida como un espejo.
A la izquierda se muestra la ilustracin de una oblea (wafer) o cristal
semiconductor de. silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la
fabricacin de transistores y circuitos. integrados. A la derecha aparece la
cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. minsculos dados o
chips, que se pueden obtener de cada una. Esos chips son los. que
despus de pasar por un proceso tecnolgico apropiado se convertirn
en. transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han
convertido en. transistores o circuitos integrados sern desprendidos de la
oblea y colocados dentro. de una cpsula protectora con sus
correspondientes conectores externos.
El segundo elemento tambin utilizado como semiconductor, pero en menor proporcin que el
silicio, es el cristal de germanio (Ge).
Durante mucho tiempo se emple tambin el selenio (S) para fabricar diodos
semiconductores en forma de placas rectangulares, que combinadas y montadas en una
especie de eje se empleaban para rectificar la corriente alterna y convertirla en directa.
Hoy en da, adems del silicio y el germanio, se emplean tambin combinaciones de otros
elementos semiconductores presentes en la Tabla Peridica.
Placa individual de 2 x 2 cm de rea, correspondiente a un antiguo diodo de selenio.
Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsnico (As) utilizada
para obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricacin de diodos lser
empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio.
Lente (sealada con la flecha) detrs de la cual se encuentra instalado un diodo lser de
arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto, presentaciones multimedia o
msica grabada en un CD. En esta ilustracin el. CD se ha sustituido por un disco similar
transparente de plstico comn.
Diodos Rectificadores.
Diodos de Seal.
Diodos de Conmutacin.
Diodos de alta Frecuencia.
Diodos Zener.
Diodos especiales.
polarizado directamente, comienza a conducir, suele ser inferior a la del diodo rectificador. O
sea la V.Umbral es aproximadamente 0,3 voltios.
Smbolo:
Aspecto fsico:
Normalmente un diodo que recibe una polarizacin inversa no permite el paso de la corriente o
lo hace dejando pasar una intensidad debilsima. Sin embargo, al alcanzar una determinada
tensin, denominada tensin zener se produce un aumento de la cantidad de corriente, de
forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene prcticamente
constante, aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la intensidad que lo
atraviesa. Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener
normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar, desde 250 mili vatios hasta
decenas de vatios, con encapsulado plstico o metlico. Los parmetros que caracterizan a un
diodo zener son:
- Tensin zener (Vz). - Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz). - Potencia mxima (P/tot).
14. Defina e ilustre los diodos especiales
El diodo varicap y su funcionamiento
Al polarizar inversamente la unin N-P se crea en la zona central una capa
aislante y neutra, debida a la recombinacin de electrones y huecos en
ella, que separa a los dos tipos de semiconductores, dando lugar a una
capacidad entre ambos. Las armaduras del condensador ficticio estn
constituidas por los semiconductores N y P, que soportan la tensin inversa, y el dielctrico es
la zona neutra cuyo espesor es variable con el valor de la polarizacin externa.
Tipos de transistores
Transistor de contacto puntual
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio,
semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre
la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La
corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el
nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es
difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas)
y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su
mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
[editar] Transistor de unin bipolar
Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la
de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz
incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:
* Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn).
* Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente
de base. (IP) (modo de iluminacin).
Transistores y electrnica de potencia
Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos
semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido
su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados
en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia
(principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de
corriente dentro de un circuito cerrado.
20. Explique como se realiza la rectificacin de media onda y onda completa mediante el
uso de diodos y diga que aplicacin tiene?
El rectificador de media onda es un circuito empleado
para eliminar la parte negativa o positiva de una seal
de corriente alterna de entrada (Vi) convirtindola en
corriente directa de salida (Vo). Es el circuito ms
sencillo que puede construirse con un diodo.
Rectificador de media onda con filtro RC (Diodo ideal)
Un circuito RC sirve como filtro para hacer que el voltaje alterno se vuelva directo casi como el
de una batera, esto es gracias a las pequeas oscilaciones que tiene la salida del voltaje, las
cuales son prcticamente nulas.
La primera parte del circuito consta de una fuente de voltaje
alterna, seguido de un diodo que en esta ocasin ser ideal
(simplemente para facilitar la comprensin del funcionamiento)
y finalmente el filtro RC.
El circuito funciona de la siguiente manera:
1. Entra la seal alterna al circuito, la cual se rectifica con el diodo. (Solo permite pasar un
semi-ciclo de la seal, que en este caso es el semi-ciclo positivo)
2. En el momento que el voltaje sale del diodo el condensador se empieza a cargar y la cada
de voltaje se recibe en la resistencia.
3. En el semi-ciclo negativo no hay voltaje por que el diodo no permite que fluya nada,
entonces el condensador se empieza a descargar (la velocidad con la que se descarga
depende de la capacitancia).
4. El condensador no se descarga por completo, entonces en el momento que otra vez
empieza el semi-ciclo positivo el condensador se vuelve a cargar. A esta diferencia que existe
se le conoce como voltaje de rizo (Vr) y la idea es que sea muy pequea.
Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una seal de
corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. A diferencia del
rectificador de media onda, en este caso, la parte negativa de la seal se convierte en positiva
o bien la parte positiva de la seal se convertir en negativa, segn se necesite una seal
positiva o negativa de corriente continua. Existen dos alternativas, bien empleando dos diodos
o empleando cuatro (puente de Graetz).
Rectificador con dos diodos.
En el circuito de la figura, ambos diodos no pueden encontrarse
simultneamente en directa o en inversa, ya que las diferencias de
potencial a las que estn sometidos son de signo contrario; por
tanto uno se encontrar polarizado inversamente y el otro
directamente. La tensin de entrada (Vi) es, en este caso, la mitad
de la tensin del secundario del transformador.
Tensin rectificada.
Vo = Vi = Vs/2 en el rectificador con dos diodos.
Vo = Vi = Vs en el rectificador con puente de Graetz.
Si consideramos la cada de tensin tpica en los diodos en conduccin, aproximadamente 0,6V;
tendremos que para el caso del rectificador de doble onda la Vo = Vi - 1,2V.
Curva t
21. Mencione
que tipo de diodo se utiliza en reguladores?
El diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin
22. Cual es el diodo que tiene una impedancia negativa muy alta?
El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra regin N
tambin fuertemente dopada, separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este
tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1
GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando
est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. Adems,
las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 100 a 1000 V.
23. Mencione el diodo que se utiliza con potencias bajas
La familia de diodos rectificadores est concebida especialmente para esta aplicacin aunque
los de baja potencia tambin pueden ser empleados como diodos de seal o conmutacin en
circuitos de CD o baja frecuencia y en aquellos de tipo digital que no requieran velocidad muy
elevada.
24. Cual es el tipo de material del cual estn formados los diodos?
En la construccin del diodo semiconductor. Se colocan dos materiales semiconductores con
contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Un material es semiconductor como silicio o
germanio excesivamente cargado de partculas negativas (electrones). El otro material es del
mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas.
Los materiales ms comunes utilizados en la construccin de diodos son tres; germanio, silicio
y arsenurio de galio. En general, en silicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a
su mayor barrera de energa que permiten la operacin a temperaturas ms altas, y los costos
de material son mucho menores. El arsenurio de galio es particularmente til en aplicaciones
de alta frecuencia y microondas.
25. Como se define la electrnica?
La electrnica es la rama de la fsica y especializacin de la ingeniera, que estudia y emplea
sistemas cuyo funcionamiento se basa en la conduccin y el control del flujo microscpico de
los electrones u otras partculas cargadas elctricamente.
26. Que es un oscilador?
Oscilacin
Fenmeno por el cual una magnitud (corriente, desplazamiento, etc.) vara en funcin del
tiempo de una forma peridica. El tiempo transcurrido entre dos estados iguales se llama
perodo. La amplitud es la desviacin mxima, y el nmero de oscilaciones por unidad de
tiempo es la frecuencia. Las oscilaciones que se propagan en el tiempo y en el espacio reciben
el nombre de ondas.
-- amortiguada. Aquella en la que el valor de la magnitud oscilante va disminuyendo con el
tiempo.
-- forzada. La producida por un sencillo oscilador u otro sistema mecnico equivalente, por
medio de una fuerza peridica externa.
Salida A
Entrada B
Salida
Entrada B
Salida
Podemos definir la puerta O como aquella que proporciona a su salida un 1 lgico si al menos
una de sus entradas est a 1.
Puerta OR-exclusiva (XOR)
Entrada B
Salida
Se puede definir esta puerta como aquella que da por resultado uno, cuando los valores en las
entradas son distintos. ej: 1 y 0, 0 y 1 (en una compuerta de dos entradas). Se obtiene cuando
ambas entradas tienen distinto valor.
Si la puerta tuviese tres o ms entradas , la XOR tomara la funcin de suma de paridad,
cuenta el nmero de unos a la entrada y si son un nmero impar, pone un 1 a la salida, para
que el nmero de unos pase a ser par. Esto es as porque la operacin XOR es asociativa,
para tres entradas escribiramos: a (b c) o bien (a b) c. Su tabla de verdad sera:
XOR de tres entradas
Entrada A
Entrada B
Entrada C
Salida
Desde el punto de vista de la aritmtica mdulo 2, la puerta XOR implementa la suma mdulo
2.
Puerta NO (NOT) lgica negada
Salida
Entrada B
Salida
Podemos definir la puerta NO-Y como aquella que proporciona a su salida un 0 lgico
nicamente cuando todas sus entradas estn a 1.
Puerta NO-O (NOR)
Entrada B
Salida
Podemos definir la puerta NO-O como aquella que proporciona a su salida un 1 lgico slo
cuando todas sus entradas estn a 0. La puerta lgica NOR constituye un conjunto completo
de operadores.
Puerta equivalencia (XNOR)
Entrada B
Salida
Se puede definir esta puerta como aquella que proporciona un 1 lgico, slo si las dos entradas
son iguales, esto es, 0 y 0 1 y 1 (2 encendidos o 2 apagados). Slo es verdadero si ambos
componentes tiene el mismo valor lgico
Conjunto de puertas lgicas completo
Un conjunto de puertas lgicas completo es aquel con el que se puede implementar
cualquier funcin lgica. A continuacin se muestran distintos conjuntos completos (uno por
lnea):
Puertas OR y NOT.
Puertas NAND.
Puertas NOR.
Adems, un conjunto de puertas lgicas es completo si puede implementar todas las puertas
de otro conjunto completo conocido. A continuacin se muestran las equivalencias al conjunto
de puertas lgicas completas con las funciones NAND y NOR.
Conjunto completo de puertas lgicas utilizando slo puertas NAND. Equivalencias.
Conjunto de puertas lgicas completo :
Salida funcin
Salida funcin
A B
NAND(A,B)
NOR(A,B)
1
1
0
1
1
1
0
0
1
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
0
1
1
1
0
0
0
1
0
0
1
1
1
Equivalencias del conjunto completo anterior con slo puertas NAND :
B
0
1
0
1
A+B
0
1
1
1
C
0
0
1
1
D
0
1
0
1
CD
0
0
0
1
F = (A+B)+(CD)
0
1
1
1
Transistor NPN
Transistor PNP
Funcionamiento bsico
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo
que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se encuentra entre Colector y
Emisor. (Figura 1).
Figura 1
Figura 2
Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la Base. As el
transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasar una intensidad
muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura 2).
En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE
Polarizacin de un transistor
Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo
polarizar un transistor NPN que PNP.
Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y la unin
base - colector inversamente.
Zonas de trabajo
CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor
tambin es nula.La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El transistor, entre
Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
Saturacin
Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de
colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un
interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra
en la carga conectada en el Colector.
Activa
Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. En
definitiva, como si fuera un interruptor.
~0
~ VCC
Variable
VRC
~ VCC
~0
Variable
IC
Mxima
= ICEO lang=EN-GB~ 0
Variable
IB
Variable
=0
Variable
VBE
~ 0,8v
< 0,7v
~ 0,7v
Los encapsulados en los transistores dependen de la funcin que realicen y la potencia que
disipen, as nos encontramos con que los transistores de pequea seal tienen un
encapsulado de plstico, normalmente son los ms pequeos ( TO- 18, TO-39, TO-92, TO226 ... ); los de mediana potencia, son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa
metlica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante
radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de gran potencia, son los que poseen una mayor
dimensin siendo el encapsulado enteramente metlico . Esto, favorece, en gran medida, la
evacuacin del calor a travs del mismo y un radiador (TO-3, TO-66, TO-123, TO-213...).
44. Cuales son los valores mximos que manejan los transistores con referencia a su
voltaje y corriente?
En los manuales de datos publicados por los fabricantes siempre estn especificados los
valores mximos y minimos permitidos de voltajes y corrientes.
Por ejemplo:
Ic max = 1 A.
Vcb max = 75 V
Pc max = 7.5 W
45. La
expresin
= F nos denota una aplicacin de la compuerta?
46. (C D) (B A) = F es una aplicacin de la compuerta
47. Cual es la definicin de compuerta lgica?
siguiente
(A+B)+(C+D)
Una compuerta logica es un dispositivo que nos permite obtener resultados, dependiendo de
los valores de las seales que le ingresemos. Es necesario aclarar entonces que las
compuertas lgicas se comunican entre s (incluidos los microprocesadores), usando el sistema
BINARIO. Este consta de solo 2 indicadores 0 y 1 llamados BIT dado que en electrnica solo
hay 2 valores equivalentes 0=0volt 1=5volt (conectado-desconectado). Es decir que cuando
conectamos una compuerta a el negativo equivale a introducir un cero (0) y por el contrario si
derivamos la entrada a 5v le estamos enviando un uno (1). Ahora para comprender como se
comporta cada compuerta se debe ver su TABLA DE VERDAD. Esta nos muestra todas las
combinaciones lgicas posibles y su resultado.
48. Mencione una aplicacin de la compuerta NOT
Circuitos digitales y microprocesadores
49. Definicin de un sistema decimal
es un sistema de numeracin posicional en el que las cantidades se representan utilizando
como base el nmero diez, por lo que se compone de diez cifras diferentes: cero (0); uno (1);
dos (2); tres (3); cuatro (4); cinco (5); seis (6); siete (7); ocho (8) y nueve (9)
50. Definicin de un sistema digital
Se puede definir un sistema digital como cualquier sistema de transmisin o procesamiento de
informacin en el cual la informacin se encuentre representada por medio de cantidades
fsicas (seales) que se hayan tan restringidas que slo pueden asumir valores discretos. La
principal ventaja de los sistemas digitales respecto a los analgicos es que son ms fciles de
disear, de implementar y de depurar, ya que las tcnicas utilizadas en cada una de esas fases
estn bien establecidas. Por lo tanto, es ms sencillo y flexible realizar un diseo digital que
uno analgico. Las operaciones digitales tambin son mucho ms precisas y la transmisin de
seales dentro del circuito y entre circuitos es ms fiable porque utilizan un conjunto discreto de
valores, fcilmente discernibles entre s, lo que reduce la probabilidad de cometer errores de
interpretacin. Los sistemas digitales tienen tambin una gran ventaja cuando nos referimos al
almacenamiento. Por ejemplo, cuando la msica se convierte a formato digital puede ser
almacenada de una forma mucho ms compacta que en modo analgico. El mejor argumento a
favor de la mayor flexibilidad de los sistemas digitales se encuentra en los actuales
ordenadores o computadoras digitales, basados ntegramente en diseos y circuitos digitales.
Los sistemas digitales se definen a travs de funciones digitales que son, ni ms ni menos, que
aplicaciones entre dos conjuntos discretos: el conjunto de todas las entradas posibles X y el
conjunto de todas las salidas posibles Y
51. Definicin de un sistema analgico
los sistemas analgicos en los cuales las seales tanto de entrada como de salida no poseen
ningn tipo de restriccin y pueden asumir todo un continuo de valores (es decir, infinitos).
1. Corriente mxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua
mxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningn dao, puesto
que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. Los
fabricantes suelen distinguir tres lmites:
a) Corriente mxima continua (IFM)
b) Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica
tambin el tiempo que dura el pico
c) Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se especifica la
frecuencia mxima del pico
2. Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage,
PIV): Es la tensin a la que se produce el fenmeno de ruptura por avalancha.
3. Tensin mxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensin
que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operacin en inversa segura.
4. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes
valores de la tensin inversa
5. Cada de tensin en PD, VF (Forward Voltage): Pese a que se ha sealado anteriormente
los 0.7V como valor tpico, en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados
de esta cada de tensin, mediante la grfica I-V del dispositivo.
Adems, es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del
comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal.
Por ejemplo:
Tensin mxima en inversa, PIV: Cuando est en corte, VD=vi-VC. VC es siempre mayor
que cero, tal y como se aprecia en la figura, y su valor mximo es V M. En este aspecto es
ms exigente el funcionamiento en vaco que en carga, ya que cuando
VC sigue siendo VM, y se tiene VD=vi-VC=-VM-VM=-2VM.
PIV=2VM
53. Para que un semiconductor logre su estado de conduccin cuales son los puntos que
se deben de tener en cuenta?
Al estudiar la naturaleza de los materiales conductores, semiconductores y aislantes, se
establece que:
- Los materiales aislantes se caracterizaban por poseer una Banda Prohibida muy ancha, la
cual impide el paso de electrones de la Banda de Valencia a la de Conduccin.
- En los materiales semiconductores, la Banda Prohibida es mucho menos ancha que en los
aislantes. Por lo general, a 0 K los materiales semiconductores se comportan como aislantes.
Pero a medida que aumenta la temperatura lo hace su capacidad de conduccin, ya que este
aporte de energa sirve para que los electrones puedan saltar de la Banda de Valencia a la de
Conduccin.
La anchura de la Banda Prohibida condiciona la energa que debe aportarse a los electrones
para que pasen de la Banda de Valencia a la de Conduccin. El aporte de energa debe
superar los 0,785 eV (Electrn - Voltios) en el caso del germanio y los 1,21 eV para el silicio. Al
saltar de la Banda de Valencia a la de Conduccin, los electrones dejan un hueco. Por lo tanto,
se establecen dos corrientes: una producida por los electrones situados en la Banda de
Conduccin y otra originada por los huecos (en el proceso de recombinacin).
La resistividad de los semiconductores se encuentra entre la de los aislantes y la de los
metales. El germanio (Ge) y el silicio (Si) son los semiconductores ms frecuentemente
utilizados en la fabricacin de diodos y transistores. Ambos tomos, cuando estn aislados,
poseen cuatro electrones en su ultima capa de energa, es decir, son tetravalentes.
Si consideramos un material semiconductor puro (semiconductor intrnseco) a una temperatura
de cero grados Kelvin, los electrones de la red ocuparan todos los estados de energa posibles
dentro de la BV. De esta manera, al no quedar estados libres dentro de esta banda, y al verse
imposibilitados de pasar a la banda de conduccin donde si hay estado libres, el material se
comporta como un aislante. Si se incrementa la temperatura, algunos electrones tendran una
probabilidad no nula (la distribucion de probabilidad que corresponde es la de Fermi-Dirac) de
pasar a la BC y de esa manera podr conducir.
Consideremos ahora un semiconductor puro tetravalente, como los que mencionamos
previamente, al que se le agrega una pequea dosis de tomos (impurezas) de tomos
pentavalentes (por ejemplo Fosforo). A este tipo de materiales los denominaremos tipo n. La
estructura de bandas se modifica, apareciendo un nivel de energa en la banda prohibida muy
cercano a la banda de conduccin. Un electrn que ocupa este nivel de energa fcilmente
puede saltar a la banda de conduccin.
De la misma manera, podemos ahora considerar un semiconductor puro tetravalente al que se
le agrega una pequea dosis de tomos (impurezas) de tomos tetravalentes (por ejemplo
Boro). A este tipo de materiales los denominaremos tipo p. La estructura de bandas se
modifica, apareciendo un nuevo nivel de energa en la banda prohibida muy cercano a la banda
de valencia. Con alta probabilidad, un electrn en la banda de valencia puede ocupar ese
estado en la banda prohibida, dejando un estado libre en la BV. Ahora, los electrones en la BV
cuentan con un estado libre que hace posible la conduccin.