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Practica I-Estructuras Cristalinas
Practica I-Estructuras Cristalinas
PRACTICA 1:
ESTRUCTURAS CRISTALINAS
OBJETIVOS:
1. INTRODUCCION
La mayora de los slidos tienen estructura cristalina. Esto quiere decir, que poseen una
ordenacin peridica de sus tomos o iones a lo largo de las tres direcciones del espacio. Sin
embargo, algunos slidos no presentan dicha ordenacin peridica, son los denominados slidos
amorfos.
Las estructuras cristalinas pueden ser fcilmente descritas mediante la llamada celdilla
unidad, que es la menor unidad que, por repeticin indefinida en las tres direcciones del espacio,
genera el cristal. Si conocemos la disposicin exacta de los tomos dentro de una celdilla unidad,
conoceremos la disposicin en todo el cristal.
La celdilla unidad es siempre un paraleleppedo (Figura 1) pudiendo ser especificado su
tamao y forma a partir de las longitudes, a, b y c de las tres aristas independientes y los tres
ngulos , y entre estas aristas, de tal forma que los valores tanto de las aristas como de los
ngulos (parmetros de celdilla) son caractersticos de cada uno de los sistemas cristalinos, que
se muestran de forma resumida en la Tabla I. Cualquier slido cristalino puede ser adscrito a uno
de los siete sistemas de ejes cristalogrficos o sistemas cristalinos.
Parmetros de celdilla
a=b=c
Cbico
===90
a=bc
Tetragonal
===90
Retculos espaciales
Cbica simple (P)
Cbica centrada en el cuerpo (I)
Cbica centrada en las caras (F))
Tetragonal simple (P)
Tetragonal centrado en el cuerpo (I)
Ortorrmbico simple (P)
abc
Ortorrmbico
===90
Rombodrico o
a=b=c
Trigonal
==90
a=bc
Hexagonal
Monoclnico
==90
abc
Triclnico
Triclnico simple
90
En una red cristalina pueden trazarse, en las ms variadas direcciones, series de infinitos planos
paralelos y equidistantes entre s, conteniendo cada uno de ellos sucesiones lineales de puntos
reticulares. La distancia d entre dos planos consecutivos de una misma familia, se denomina
distancia interplanar. Cada serie de planos divide a los ejes cristalogrficos en un nmero entero
de partes iguales. El plano cuyas intersecciones con los ejes sean a/h, b/k y c/l, donde h,k,l, son
nmeros enteros sin ningn divisor comn, es el plano ms cercano al origen perteneciente a una
misma familia de planos paralelos y equidistantes. Los nmeros h,k,l, identifican la posicin y
orientacin del plano respecto a los ejes cristalogrficos y son denominados ndices de Miller,
escribindose con la notacin (hkl). stos se hallan directamente reduciendo a los menores
nmeros enteros los valores inversos de las intersecciones fraccionarias con los ejes
cristalogrficos. Cuando un plano es paralelo a alguno de los ejes, lo intersecta en el infinito y el
ndice de Miller correspondiente es cero (1/=0). En el sistema hexagonal se suele emplear un
tercer ndice i, para designar completamente a los planos. La existencia de este nuevo ndice
viene impuesta por la conveniencia de utilizar un tercer eje, a3, coplanar con a1 y a3. Desde este
punto de vista, los planos en este sistema se designan con los ndices (hkil), denominndose
ndices de Miller-Bravais. No obstante, el valor de i se deduce directamente de los valores h y k,
ya que h+k+i=0.
El valor de d, distancia entre planos adyacentes puede ser calculado, una vez conocida la
simetra del slido, a partir de la frmula correspondiente:
1
SIMETRA CBICA
h2 + k 2 + l 2
a2
SIMETRA TETRAGONAL
h2 + k 2
d2
a2
1
SIMETRA ORTORROMBICA
d2
1
SIMETRA MONOCLNICA
h2
l2
c2
k2
b
h 2 + hk + k 2
=
a2
SIMETRA HEXAGONAL
l2
c2
l2
+
c2
+
+ 2
ac
sin 2 a 2
b2
c
1
1
1
[ h 2b 2 c 2 sin 2 + k 2 a 2 c 2 sin 2 + l 2 a 2b 2 sin 2 +
=
d2 V2
+ 2hkabc 2 (cos cos cos ) + 2kla 2bc(cos cos cos ) +
TRICLINICO
2.
TIPOS
DE
EMPAQUETAMIENTOS:
CONSTRUCCIN
DE
ESTRUCTURAS
Los distintos sistemas cristalinos se deben al empaquetamiento de tomos, iones o
molculas, y lo que hay que tener en cuenta a la hora de considerar los diferentes tipos de
estructura es que el ordenamiento de las partculas ocurrir de tal forma que adopten la mxima
densidad, teniendo en cuenta consideraciones tanto energticas como estricas. Si consideramos
que los tomos o iones son esferas rgidas, la manera de aprovechar mejor el espacio en dos
dimensiones es una esfera rodeada de otras seis. La extensin infinita de este ordenamiento a lo
largo de dos direcciones (xy) da lugar a lminas capas de empaquetamiento compacto (Figura
3-a). Otra forma de empaquetar esferas de forma algo menos compacta es formando una red
cuadrada (Figura 3-b).
a)
b)
La manera ms sencilla de apilar lminas compactas es poner los centros de las partculas
justamente sobre los centros de los de la lmina de abajo. El resultado es un empaquetamiento no
compacto (Figura 4-a), que se denomina estructura hexagonal simple. La forma en la que se
aprovecha mejor el espacio, y en consecuencia la energticamente ms favorable, es que las
partculas se coloquen en los intersticios de la lmina inferior (Figura 4-b). A este tipo de
empaquetamiento lo denominaremos compacto.
Capa 1
Capa 1
ii) Colocarla en los huecos intersticiales de la segunda capa, pero que no coincida con la
disposicin de la primera. Es decir, si llamamos C a la tercera capa, la secuencia de
apilamiento sera ABCABC.... Al empaquetamiento as formado se le denomina cbico
compacto (CCP), figura 5.
Teniendo en cuenta estos dos tipos de empaquetamiento podemos describir las estructuras en:
- hexagonal simple: dos capas de empaquetamiento hexagonal compacto en la secuencia
AA, figura 4-a.
- hexagonal compacta: dos capas de empaquetamiento hexagonal compacto en la
secuencia ABAB...., figura 4-b.
- cubica simple: dos capas de empaquetamiento cuadrado en la secuencia AA, figura 6c.
- cbica centrada en caras: tres capas de empaquetamiento hexagonal compacto en la
secuencia ABCABC..., figura 6.
Figura 1.- Secuencia de construccin de las distintas estructuras compactas: c) hexagonal compacta y d) cbica
Una forma de estudiar las estructuras de los slidos cristalinos es a partir de las tcnicas
de difraccin de rayos-X. Esto es posible dado que la longitud de onda de la radiacin-X es del
orden de las distancias interplanares en los slidos cristalinos.
Cuando hacemos incidir un haz de rayos-X de longitud de onda conocida sobre una
muestra, se produce dispersin de la radiacin por las nubes electrnicas de los tomos del
cristal. Como hay muchos planos paralelos entre s implicados en la dispersin, las reflexiones
procedentes de dichos planos interferirn entre s, y las interferencias slo sern constructivas
cuando la diferencia de longitud de caminos entre los rayos procedentes de planos sucesivos sea
igual a un nmero entero de longitudes de onda. Esto aparece ilustrado en la figura 8 ,donde los
rayos con una longitud de onda determinada, , inciden formando un ngulo , sobre un
conjunto de planos con espaciado dhkl. El haz de rayos-X se difracta a un ngulo idntico al del
rayo incidente siguiendo la ley de Bragg:
2 d sen = n , siendo n=1, 2,3.
d,
int
Una vez conocida la sustancia problema y su ficha ASTM se pueden colocar en la quinta casilla
de la tabla los valores de (hkl) de los planos que han dado lugar a los mximos de difraccin.
Con
los valores de espaciado de las reflexiones ms intensas y sus valores de (hkl), dado que se trata de
celdillas cbicas o hexagonales, se puede calcular el parmetro de celdilla medio mediante la expresin
que figura en el guin.
Por ejemplo, si fuese cbica la simetra, la expresin que habra que utilizar:
1
d2
h2 + k 2 + l 2
a2
Tabla ejemplo para la lectura del difractograma cuando hay Simetra Cubica
2experimental
Intensidad
Intensidad
absoluta
relativa
d (A)
hkl
Slido
a(A)
Cristalino
Tabla ejemplo para la lectura del difractograma cuando hay Simetra Hexagonal
2experimental
Intensidad
Intensidad
absoluta
relativa
d (A)
hkl
a(A)
(celdilla cbica)
V = a3
celdilla tetragonal
V = a 2c
(celdilla hexagonal)
3a 2 c
V=
= 0.866a 2 c
2
c(A)
Slido
Cristalino
fac. empaquetamiento =
densidad =
atomos
atomos
4. MATERIAL
-31 bolitas de corcho
-Enganches
-Varios difractogramas
- Regla milimetrada.
5. MTODO EXPERIMENTAL.
empaquetamiento, la densidad, y dibujar las cuatro familias de planos cuyas intensidades sean
mximas.
5. BIBLIOGRAFIA.
Fichas ASTM
04-0836
Cu
d,
int
2.0880
100
Cut off:
1.8080
46
1.2780
20
1.0900
17
Copper
Int: Diffract.
I/Icor.:
C:
1.0436
Z: 4
mp: 1083
0.9038
0.8293
0.8083
d,
int
2.3380
100
Cut off:
2.0240
47
1.4310
22
1.2210
24
A: 4
1.1690
1.0124
0.9289
0.9055
0.8266
a:
b:
Dx: 8.935
c:
:
Dm: 8.950
SS/FOM
Color: Red
Caractersticas del mtodo de preparacin
04-0787
Al
Aluminium
Int: Diffract.
a:
b:
Dx: 2.699
c:
:
Dm:
I/Icor.:
Z:
C:
mp:
SS/FOM
06-0696
Fe
d,
int
2.0268
100
Cut off:
1.4332
20
1.1702
30
1.0134
10
a:
b:
A:
0.9064
12
0.8275
d,
int
2.4730
53
Cut off:
2.3080
40
2.0910
100
1.6870
28
C:
1.3420
25
mp:
1.3320
21
SS/FOM
1.2370
Color: Blanco
1.1729
23
1.1580
1.1236
17
1.0901
Iron
Int: Diffract.
Dx: 7.875
I/Icor.:
c:
:
Dm:
C:
Z: 2
mp:
SS/FOM
04-0831
Zn
Zinc
Int: Diffract.
a:
b:
Dx: 7.136
c:
:
Dm: 7.050
I/Icor.:
A:
Z:
05-0628
NaCl
d,
int
3.2600
13
Cut off:
2.8210
100
1.9940
55
Sys.: Cubic
1.7010
1.6280
15
1.4100
1.2940
Color: Incoloro
1.2610
11
1.1515
1.0855
0.9969
d,
int
4.0800
42
3.5300
100
2.4980
70
2.1310
29
2.0390
27
1.7670
15
Color:
1.6210
1.5800
24
1.4420
14
1.3600
1.2490
1.1944
1.1780
1.1167
1.0779
1.0650
1.0195
Sodium Chloride
Int: Diffract.
a:
b:
Dx: 2.163
I/Icor.:
SG.: Fm3m
c:
A:
C:
Z: 4
Dm: 2.168
mp:
SS/FOM
04-0471
KI
Potassium Iodide
Rad: CuKa1=1.5405 Filter: Ni Beta
Cut off:
Int: Diffract.
Sys.: Cubic
a:
b:
Dx: 3.126
04-0587
I/Icor.:
Ref:
A:
Z: 4
Dm: 1.993
C:
mp:
SS/FOM
KCl
d,
int
3.1500
100
Cut off:
2.2240
59
1.8160
23
1.5730
1.4070
20
1.2840
13
1.1126
1.0490
Color: Incoloro
0.9951
0.9486
0.9083
d,
int
2.9670
100
Cut off:
2.5700
86
1.8170
58
1.5500
29
1.4840
16
1.2850
1.1791
10
Color: Incoloro
1.1493
12
1.0491
0.9892
0.9086
0.8688
10
0.8566
0.8126
Potassium Chloride
Int: Diffract.
I/Icor.:
Ref:
Sys.: Cubic
a:
b:
A:
C:
Z: 4
mp:
Ref:
Dx: 1.987
Dm: 1.993
SS/FOM
04-0664
LiCl
Lithium Chloride
Int: Diffract.
I/Icor.:
Ref:
Sys.: Cubic (FCC)
a:
b:
Dx: 2.074
c:
:
Dm:
C:
mp:
SS/FOM